JP2002299149A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁不良を防ぎつつ大容量化が可能で、かつＬ
方向の切断ずれなども容易に検出することができる積層
セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】第３内部電極５の誘電体層短辺側が、その
両端部から中央部にかけて誘電体層短辺側に近づくよう
に突出して形成してなり、ダミー電極１３、１４の形成
位置が、第３内部電極５の短辺と対応する誘電体層短辺
の領域の両端部に分離して配置されるとともに、ダミー
電極１３、１４の面積が露出部位から誘電体層内部に入
るに従って小さくなるように形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等の電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高耐圧用積層セラミックコンデンサに
は、素子（チップ）を構成する誘電体層を介して対向す
るように配設された、異なる外部電極に接続される第
１、第２内部電極の間に、直列接続の２つのコンデンサ
部が形成されるように、外部電極に接続されない第３内
部電極が配設された構造（２連シリーズ構造）を有する
ものなどがある。

【０００３】このような積層セラミックコンデンサの製
造においては、複数の素子が抽出でき、且つ誘電体層と
なる大型セラミックグリーンシート上に、各素子領域に
対応し、第１及び第２内部電極、第３内部電極となる導
体膜を形成し、これら複数の大型グリーンシートを積層
し、素子領域に応じて所定の寸法に切断して未焼成状態
の積層体を形成していた。その後、この未焼成状態の積
層体は焼成処理され、次いで焼成された積層体の両端面
に第１、第２内部電極と接続する外部電極を形成してい
た。

【０００４】しかしながら、前述した従来の製造方法に
おいては、第１及び第２内部電極、第３内部電極、誘電
体層を積層して加圧した際に、第３内部電極が積層体本
体の幅方向にずれて、第１、第２内部電極に対して所定
位置に重ならないことがある。

【０００５】このため、静電容量の誤差が規定値を上回
り不良品が発生する。さらに、第３内部電極は積層体の
端面には露出しないため、上記位置ずれをこの切断端面
からは検査することができない。

【０００６】したがって、従来、未焼成状態の積層体
を、任意に抜き取り切断して、印刷ずれを検査してい
た。

【０００７】しかし、積層セラミックコンデンサは通
常、数ｍｍ角と小さく、切断することが非常に困難で検
査しがたい欠点があった。また、検査用に切断した積層
セラミックコンデンサは製品化できないという問題点が
あった。

【０００８】上記の目的を達成するために、図４に示す
ように、第３内部電極４５と同じ層に第３内部電極４５
の位置に対応して端面に露出する位置確認用のダミー電
極５３、５４を、第３内部電極４５と間隔をおいて配置
した積層セラミックコンデンサ４０が特許第２７６６０
８５号公報に開示されている。

【０００９】同報によれば、第１、第２内部電極４３、
４４、第３内部電極４５、ダミー電極５３、５４及び誘
電体層４２を積層した後、これを層方向に加圧した際
に、第３内部電極４５の位置がずれると、これに対応し
てダミー電極５３、５４がずれる。従って、端面に露出
したダミー電極５３、５４を視認することにより、第３
内部電極４５の位置を知ることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記積
層セラミックコンデンサによれば、絶縁不良を防ぐため
に、第３内部電極４５とダミー電極５３、５４の距離を
ある程度広げる必要がある。このため、第１、第２内部
電極５３、５４と第３内部電極４５の重なり面積が小さ
くなり、取得容量が小さくなるという問題点があった。

【００１１】また、長手方向（以下、Ｌ方向：一対の外
部電極が形成される端部方向）の印刷ずれや切断ずれ
は、仮にずれていても、切断面から現れる、第１、第２
内部電極となる導体膜の幅が同一であるため、この切断
端面からは検査することができない。

【００１２】ここで、１枚の製版を用いて、偶数層の内
部電極を印刷後、製版をＷ方向にずらして奇数層の内部
電極を印刷する方法を用いれば、Ｌ方向の印刷ずれはほ
とんど発生しない。しかし、Ｌ方向の切断ずれは、幅方
向（以下、Ｗ方向：外部端子電極が形成されていない端
部方向）の切断ずれと同じ確率で発生する。

【００１３】本発明は、上記課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、絶縁不良を防ぎつつも大容量化
が可能で、かつＬ方向の切断ずれなども容易に検出する
ことができる積層セラミックコンデンサを提供すること
にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の積層セラミック
コンデンサは、矩形状の誘電体層が複数積層された積層
体と、前記誘電体層の同一平面に、その一方短辺から他
方短辺側に引き出された第１内部電極と、該第１内部電
極と接続されず前記誘電体層の他方短辺から一方短辺側
に引き出された第２内部電極とが形成された第１内部電
極群と、前記誘電体層とは異なる誘電体層の平面に、前
記第１、第２内部電極の双方に誘電体層を介して対向す
る第３内部電極と、前記誘電体層の両短辺側から露出
し、前記第３内部電極と接続されない位置ずれ確認用の
ダミー電極とが形成された第２内部電極群とを有した積
層セラミックコンデンサであって、前記第３内部電極の
誘電体層短辺側が、その両端部から中央部にかけて前記
誘電体層短辺側に近づくように突出して形成してなり、
前記ダミー電極の形成位置が、前記第３内部電極の誘電
体層短辺側と対向する前記誘電体層短辺の領域の両端側
に２つのダミー電極が分離して配置されるとともに、前
記各ダミー電極の面積が前記誘電体層短辺から誘電体層
内部に入るにしたがって小さくなるように形成したこと
を特徴とする。

【作用】本発明によれば、第３内部電極とダミー電極間
のマージンを確保しつつ、ダミー電極の面積が内部にい
くに従って減少した分、第３内部電極の面積を広げるこ
とができる。すなわち、上記マージンを確保することに
より、絶縁不良を防ぎつつも、第１、第２内部電極と第
３内部電極の重なり面積を広げることにより、積層セラ
ミックコンデンサの小型高容量化を実現できる。

【００１５】また、Ｌ方向の切断ずれが生じた際、端面
に露出するダミー電極の電極切欠部の幅が変化するた
め、外観を検査すれば、セラミック素体の長さ方向の切
断ずれを発見することができる。したがって、検査作業
および切断ずれを検査する画像認識が簡単で検査効率を
向上させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミックコ
ンデンサを図面に基づいて説明する。

【００１７】図１は、本発明の積層セラミックコンデン
サの外観斜視図である。図２は、本発明の積層セラミッ
クコンデンサの（ａ）横断面図、（ｂ）平面図である。

【００１８】図において、１０は積層セラミックコンデ
ンサ、１は積層体、２は誘電体層、３、４は第１、第２
内部電極、５は第３の内部電極、７、８は外部電極、１
３、１４は位置確認用のダミー電極である。第１、第２
内部電極３、４は、第１内部電極群を形成している。ま
た、第３の内部電極及びダミー電極１３、１４は、第２
内部電極群を形成している。

【００１９】第１内部電極３は積層体本体１のＬ方向一
端側に導出され、第２内部電極４は他端側に導出されて
いる。また、第１内部電極３と第２内部電極４は対にし
て同層に配置されると共に、積層体本体１のＬ方向中央
部において第１内部電極３と第２内部電極４とは誘電体
層２によって絶縁されている。第３内部電極５及びダミ
ー電極１３、１４は同層に配置され、誘電体層２を介在
して第１、第２内部電極３、４の層に積層されている。
さらに、第３内部電極５は、積層体本体１の端面に露出
しないように積層体本体１の中央部に配置されると共
に、Ｌ方向の一端部が第１内部電極３に重なり、他端部
が第２内部電極４に重なるように配置されている。ダミ
ー電極１３、１４は、第３内部電極５とは絶縁され、積
層体本体１の端面に露出するように第３内部電極５のＬ
方向の両側にそれぞれ配置されている。

【００２０】ここで、第３内部電極５の誘電体層２短辺
側が、その両端部から中央部にかけて誘電体層２短辺側
に近づくように突出して形成されてなり、ダミー電極１
３、１４の形成位置が、第３内部電極５の短辺と対応す
る誘電体層２短辺の領域の両端部に分離して配置される
とともに、ダミー電極１３、１４の面積が露出部位から
誘電体層２内部に入るに従って小さくなるように形成さ
れている。

【００２１】しかもダミー電極１３，１４は三角形状で
形成されており、誘電体層２の短辺方向に分離されたダ
ミー電極１３，１４の斜辺で凹状になるように配置し、
この凹状内部に向かって第３内部電極５の誘電体層２短
辺側が突出している。なお、ダミー電極１３，１４の斜
辺と第３内部電極５の突出部の曲線が略平行となるよう
に配置すると容量を大きくとることができる。

【００２２】さらに、積層体本体１の両端部には、第
１、第２内部電極３、４に導通する外部電極７、８が形
成され、この外部電極７、８を介して外部回路と接続で
きるようになっている。また、ダミー電極１３、１４も
外部電極７、８に接続されている。

【００２３】上述の積層セラミックコンデンサ１０は次
のように作製する。なお、説明では、誘電体層となるグ
リーンシート、内部電極となる導体膜、積層体は、便宜
上、焼成処理前の符号を付す。

【００２４】まず、複数素子が抽出可能で、且つ誘電体
層２となる大型のセラミックグリーンシートを用意す
る。具体的には、誘電体セラミックス材料のスラリーを
ドクターブレード法等により、所定厚みとなるように成
形する。

【００２５】次に、大型グリーンシートの各素子領域
に、第１、第２内部電極３、４となる導体膜を、Ａｇ、
Ｐｄ、卑金属金属などから成る導電性ペーストを用い
て、スクリーン印刷法等により印刷形成する。

【００２６】同様に、大型グリーンシートの各素子領域
に、第３内部電極５、ダミー電極１３、１４となる導体
膜を導電性ペーストを用いて形成する。

【００２７】ここで、第３内部電極５には凸部が形成さ
れ、ダミー電極１３、１４には、第３内部電極５の凸部
と概略同一形状である凹部（電極切欠部）２３、２４と
なる非電極領域がスクリーン印刷の製版制御により形成
される。

【００２８】このように、第１、第２内部電極３、４と
なる導体膜が形成された誘電体層となるグリーンシート
と、第３内部電極５、ダミー電極１３、１４となる導体
膜が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、必要
に応じて上部あるいは下部に導体膜が形成されていない
セラミックグリーンシートをさらに積層し、圧着一体化
する。

【００２９】次に、所定グリーンシートを積層した大型
積層体を、各素子領域に応じて、所定寸法に切断して未
焼成状態の積層体１を形成する。

【００３０】次に、上述の大型積層体を所定素子領域に
応じて切断した積層体１の端面のダミー電極１３、１４
の電極切欠部７の露出状況を目視により確認し、切断ず
れを確認する。尚、ここで、切断ずれと判断できる積層
体１は、製造工程から除去されることになる。

【００３１】この切断によって正しい位置で行われた場
合には、積層体１の一方の切断端面におけるダミー電極
１３の露出部分の幅は、図３（ａ）のようになる。

【００３２】一方、Ｗ方向の切断ずれが発生した場合、
図３（ｂ）のようにダミー電極１３の露出部分の位置が
変化する。

【００３３】また、Ｌ方向の切断ずれが発生した場合、
図３（ｃ）のようにダミー電極１３の露出部分の幅が変
化する。

【００３４】また、ＬまたはＷ方向の印刷ずれや積層ず
れが発生した場合も、同様にダミー電極１３の露出部分
の位置が変化する。

【００３５】従って、ダミー電極１３の露出部分の幅か
らコンデンサの静電容量が規定範囲内にあるか否かを容
易に判定することができ、不良品となる場合はここで作
業を中断することができる。これにより、従来に比べて
時間及び労力の無駄を低減することができる。

【００３６】次いで、正しく切断された未焼成状態の積
層体１を所定雰囲気、所定温度で焼成処理する。これに
より、誘電体層２の層間に、第１、第２内部電極３、
４、第３内部電極５、ダミー電極１３、１４が配置され
た積層体１となる。

【００３７】次に、積層体１の端面を研磨処理し、積層
体１の端面から第１、第２内部電極３、４がその全幅に
渡って露出するようにして、この一対の端面を含む端部
に、外部電極７、８を形成する。具体的には、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉなどの厚膜導電性ペーストを焼付けにより下地
導体膜を形成し、その表面にＮｉメッキ、Ｓｎメッキ、
Ａｕメッキなどを被着する。これにより、図１に示す積
層セラミックコンデンサ１０を得ることができる。

【００３８】かくして本発明の積層セラミックコンデン
サ１０によれば、第３内部電極５の誘電体層２短辺側
が、その両端部から中央部にかけて誘電体層２短辺側に
近づくように突出して形成されてなり、位置確認用のダ
ミー電極１３、１４の形成位置が、第３内部電極５の短
辺と対応する誘電体層２短辺の領域の両端部に複数のダ
ミー電極１３、１４が分離して配置されるとともに、ダ
ミー電極１３、１４の面積が露出部位から誘電体層２内
部に入るにしたがって小さくなるように形成されている
ため、第３内部電極５とダミー電極間１３、１４のマー
ジンを確保しつつ、ダミー電極１３、１４の面積が減少
した分、第３内部電極５の面積を広げることができる。
すなわち、上記マージンを確保することにより、絶縁不
良を防ぎつつも、第１、第２内部電極３、４と第３内部
電極５の重なり面積を広げることにより、積層セラミッ
クコンデンサ１０の小型高容量化を実現できる。

【００３９】また、Ｌ方向の切断ずれが生じた際、端面
に露出するダミー電極１３、１４の電極切欠部２３、２
４の幅が変化するため、外観を検査すれば、セラミック
素体のＬ方向の切断ずれを発見することができる。した
がって、検査作業および切断ずれを検査する画像認識が
簡単で検査効率を向上させることができる。

【００４０】また、小型高容量化のために、マージンを
小さくした場合、第３内部電極５とダミー電極１３、１
４をはさんだグリーンシートの密着不良が生じるという
問題点があった。すなわち、誘電体層となるグリーンシ
ート同士の密着性に比較して、異種材料の密着性は劣っ
てしまう。ここで、本発明では、上記マージンを同じに
した場合、第３内部電極５とダミー電極１３、１４間の
面積が大きくなるので、密着不良を低減できるという効
果もある。

【００４１】また、第３内部電極５とダミー電極１３、
１４の材料を同じにすることにより、第３内部電極５と
ダミー電極１３、１４を同時に形成することができるの
で、製造工程の大幅な変更を行うこと無く、容易に実施
することができ、コストの上昇を招くこともない。

【００４２】なお、本実施例では、本発明をセラミック
コンデンサに適用したが、これに限定されることはな
い。例えば、圧電アクチュエ−タ、積層インダクタ等の
積層体の製造にも適用することができる。

【００４３】また、本実施例では、第３内部電極５の両
側にダミー電極１３、１４を配置したが、一方のみでも
同様の効果を得ることができる。

【００４４】また、ダミー電極の凹部と第３内部電極の
凸部の形状は、曲線形状など、どのような形状でもよ
い。重要なことは、マージンが確保できることである。

【００４５】また、第１、第２内部電極３、４が形成さ
れた層にも、位置ずれ検出マーク等を設けてもよい。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、第３内部電極の誘電体
層短辺側が、その両端部から中央部にかけて誘電体層短
辺側に近づくように突出して形成されてなり、位置確認
用のダミー電極の形成位置が、第１、第２内部電極の短
辺と対応する誘電体層短辺の領域の両端部に複数のダミ
ー電極が分離して配置されるとともに、ダミー電極の面
積が露出部位から誘電体層内部に入るにしたがって小さ
くなるように形成されているため、第３内部電極とダミ
ー電極間のマージンを確保しつつ、ダミー電極の面積が
減少した分、第３内部電極の面積を広げることができ
る。

【００４７】すなわち、上記マージンを確保することに
より、絶縁不良を防ぎつつも、第１、第２内部電極と第
３内部電極の重なり面積を広げることにより、積層セラ
ミックコンデンサの小型高容量化を実現できる。

【００４８】また、Ｌ方向の切断ずれが生じた際、端面
に露出するダミー電極の電極切欠部の幅が変化するた
め、外観を検査すれば、セラミック素体の長さ方向の切
断ずれを発見することができる。したがって、検査作業
および切断ずれを検査する画像認識が簡単で検査効率を
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの外観斜視
図である。

【図２】（ａ）は本発明の積層セラミックコンデンサの
横断面図であり、（ｂ）は平面図である。

【図３】図２の積層セラミックコンデンサの切断ずれ時
の端面の状態を表す図であり、（ａ）は正しいずれ、
（ｂ）はＷ方向にずれた場合、（ｃ）はＬ方向にずれた
場合を示す。

【図４】従来の積層セラミックコンデンサ（ａ）は積層
セラミックコンデンサの横断面図であり、（ｂ）は平面
図である。

【符号の説明】

１０、４０ 積層セラミックコンデン
サ １ 積層体 ２、 誘電体層 ３、４ 第１、第２内部電極（第
１内部電極群） ５、 第３内部電極（第２内部
電極群） ７、８ 外部電極 １３、１４ ダミー電極（第２内部電
極群） ２３、２４ 凹部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 矩形状の誘電体層が複数積層された積層
   体と、 前記誘電体層の同一平面に、その一方短辺から他方短辺
   側に引き出された第１内部電極と、該第１内部電極と接
   続されず前記誘電体層の他方短辺から一方短辺側に引き
   出された第２内部電極とが形成された第１内部電極群
   と、 前記誘電体層とは異なる誘電体層の平面に、前記第１、
   第２内部電極の双方に誘電体層を介して対向する第３内
   部電極と、前記誘電体層の両短辺側から露出し、前記第
   ３内部電極と接続されない位置ずれ確認用のダミー電極
   とが形成された第２内部電極群とを有した積層セラミッ
   クコンデンサであって、 前記第３内部電極の誘電体層短辺側が、その両端部から
   中央部にかけて前記誘電体層短辺側に近づくように突出
   して形成してなり、前記ダミー電極の形成位置が、前記
   第３内部電極の誘電体層短辺側と対向する前記誘電体層
   短辺の領域の両端側に２つのダミー電極が分離して配置
   されるとともに、前記各ダミー電極の面積が前記誘電体
   層短辺から誘電体層内部に入るにしたがって小さくなる
   ように形成したことを特徴とする積層セラミックコンデ
   ンサ。