JPH0644101U - チップ型正特性サーミスタ素子 - Google Patents
チップ型正特性サーミスタ素子Info
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- JPH0644101U JPH0644101U JP7709492U JP7709492U JPH0644101U JP H0644101 U JPH0644101 U JP H0644101U JP 7709492 U JP7709492 U JP 7709492U JP 7709492 U JP7709492 U JP 7709492U JP H0644101 U JPH0644101 U JP H0644101U
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 低抵抗でありながら抵抗値のばらつきが少な
いチップ型PTC素子を得る。 【構成】 サーミスタ素体12内に半導体磁器層を介し
て重なり合う位置に第1,第2の内部電極13,14を
形成し、両端面に第1,第2の外部電極15,16を形
成してなるチップ型PTC素子11であって、第1の内
部電極13が電極本体部13aと接続導電部13bとを
有し、電極本体部13aの面積が第2の内部電極14の
面積よりも小さくされておりかつ該第2の内部電極14
と重なり合う領域内に配置されている、チップ型PTC
素子11。
いチップ型PTC素子を得る。 【構成】 サーミスタ素体12内に半導体磁器層を介し
て重なり合う位置に第1,第2の内部電極13,14を
形成し、両端面に第1,第2の外部電極15,16を形
成してなるチップ型PTC素子11であって、第1の内
部電極13が電極本体部13aと接続導電部13bとを
有し、電極本体部13aの面積が第2の内部電極14の
面積よりも小さくされておりかつ該第2の内部電極14
と重なり合う領域内に配置されている、チップ型PTC
素子11。
Description
【0001】
本考案は、チップ型正特性サーミスタ(以下、PTC)素子に関し、特に、半 導体磁器よりなるPTC素体内に内部電極を形成してなる積層型のPTC素子に 関する。
【0002】
従来、チップ型PTC素子は、矩形板状の半導体磁器の両端面を覆うように一 対の電極を形成することにより構成されていた。しかしながら、このような構造 では、電極間の抵抗値のばらつきが大きく、かつ低抵抗のPTC素子を得ること が難しいという問題があった。
【0003】 そこで、半導体磁器内に複数の内部電極を形成してなる積層型のチップ型PT C素子が提案されている。この積層型のチップ型PTC素子の一例を、図11及 び図12を参照して説明する。
【0004】 図11及び図12に示すチップ型PTC素子1は、矩形板状の半導体磁器より なるサーミスタ素体2を用いて構成されている。サーミスタ素体2内には、半導 体磁器層2aを介して厚み方向に重なり合うように、第1,第2の内部電極3, 4が形成されている。各内部電極3,4は、サーミスタ素体2の端面2b,2c にそれぞれ引出されており、該端面2b,2cを覆うように形成された第1,第 2の外部電極5,6に電気的に接続されている。
【0005】 上記チップ型PTC素子1は、内部電極3,4が印刷されたグリーンシートを 内部電極の印刷されていないグリーンシートと共に積層し、厚み方向に圧着した 後焼成することによりサーミスタ素体2を得、該サーミスタ素体2の両端面2b ,2cに外部電極5,6を形成することにより製造されている。この場合、内部 電極3,4の印刷されたグリーンシートとしては同一のものを用い、先端が逆方 向を向くように重ね合わせることにより内部電極3,4を配置していた。従って 、内部電極3,4は、図12から明らかなように、等しい幅を有し、かつその長 さも等しくされている。
【0006】
上記のようにチップ型PTC素子1では、内部電極3,4の幅及び長さが等し くされていた。しかも、内部電極3,4はグリーンシート上に導電ペーストを印 刷することにより形成されていた。従って、導電ペーストの印刷ずれが生じた場 合には、内部電極3,4の形成位置がずれることがあった。同様に、内部電極3 ,4が印刷されたグリーンシートを積層する際にも、積層ずれが生じることがあ り、該積層ずれにより内部電極3,4の形成位置がずれることがあった。
【0007】 その結果、内部電極3,4が正確に重なり合わず、図11のL方向あるいはW 方向にずれた場合、内部電極3,4の重なり面積が変動し、それによってチップ 型PTC素子1の抵抗値のばらつきが生じがちであった。
【0008】 本考案の目的は、低抵抗であり、かつ抵抗値のばらつきが十分に小さい、チッ プ型PTC素子を提供することにある。
【0009】
本考案のチップ型PTC素子は、半導体磁器よりなる正特性サーミスタ素体と 、該サーミスタ素体内において半導体磁器層を介して重なり合うように配置され た第1,第2の内部電極と、前記第1,第2の内部電極にそれぞれ電気的に接続 されるようにサーミスタ素体の側面に形成された第1,第2の外部電極とを備え る。そして、第1,第2の内部電極のうち一方が、下記の電極本体部及び接続導 電部を有することを特徴とする。電極本体部は、他方の内部電極に比べて面積が 小さく、かつ上記一方の内部電極の形成されている平面内において他方の内部電 極と重なり合う領域内に配置されている。上記接続導電部は、該電極本体部と第 1または第2の外部電極とを電気的に接続するように形成されている。
【0010】
一方の内部電極が、他方の内部電極に比べて面積の小さな電極本体部を有し、 該電極本体部が他方の内部電極と重なり合う領域内に配置されているため、第1 ,第2の内部電極がその長さ方向及び幅方向の何れにずれた場合であっても、電 極本体部が他方の内部電極と重なり合う領域内に留まる限り、第1,第2の内部 電極間の重なり合い面積の変動がほとんど生じない。従って、抵抗値のばらつき の小さいチップ型PTC素子を構成することができる。
【0011】 また、第1,第2の内部電極がサーミスタ素体内に配置されている積層型のチ ップ型PTC素子であるため、第1,第2の内部電極間の半導体磁器層の厚み及 び第1,第2の内部電極の重なり合い面積等を選択することにより、抵抗値の低 いチップ型PTCサーミスタを構成することができる。
【0012】
以下、図面を参照しつつ本考案の非限定的な実施例を説明することにより、本 考案を明らかにする。 図1及び図2は、本考案の一実施例にかかるチップ型PTC素子の内部構造を 説明するための各図である。
【0013】 チップ型PTC素子11は、チタン酸バリウム系半導体磁器のような正特性サ ーミスタ素体12を用いて構成されている。サーミスタ素体12内には、異なる 高さ位置に第1,第2の内部電極13,14が形成されている。すなわち、第1 の内部電極13と、第2の内部電極14とが、半導体磁器層12aを介して隔て られて形成されている。
【0014】 第1の内部電極13は、相対的に面積の小さな矩形の電極本体部13aと、電 極本体部13aをサーミスタ素体12の端面12bに引き出すための接続導電部 13bとを有する。接続導電部13bは、図示のように電極本体部13aよりも 細く形成されており、かつ接続導電部13bの端面12bに引出されている部分 は該端面12bの全幅に至るように形成されている。これは、後述する第1の外 部電極との電気的接続の信頼性を高めるためである。
【0015】 他方、第2の内部電極14は、上記電極本体部13aよりも大きな面積の矩形 の平面形状を有するように構成されている。第2の内部電極14は、サーミスタ 素体12の他方の端面12cに引出されている。第2の内部電極14の他方の端 面12cに引出されている部分は、該端面12cの全幅に至るように形成されて おり、それによって後述する第2の外部電極との電気的接続の信頼性が高められ ている。
【0016】 図1及び図2(b)から明らかなように、電極本体部13aは、下方に位置す る第2の内部電極14と重なり合う領域内に形成されている。これは、後述する ように、第1,第2の内部電極の形成位置がずれた場合においても、第1,第2 の内部電極13,14間の重なりの変動を防止もしくは抑制するためである。
【0017】 サーミスタ素体12の端面12b,12cを覆うように、第1,第2の外部電 極15,16が形成されている。第1,第2の外部電極15,16は、前述した 第1,第2の内部電極13,14に電気的に接続されている。従って、図3に示 すように、本実施例のチップ型PTC素子11は、一対の外部電極15,16を 有するチップ型の電子部品として構成されている。
【0018】 本実施例のチップ型PTC素子11は、後述のようにセラミックグリーンシー トを内部電極形成材料と共に積層して焼成する、積層型セラミック電子部品の製 造方法を用いて製造される。従って、従来の内部電極を有するチップ型PTC素 子と同様に、内部電極の印刷ずれやグリーンシートの積層ずれを完全になくすこ とが難しく、場合によっては第1,第2の内部電極13,14の形成位置が図1 のL方向及びW方向にずれる場合がある。
【0019】 しかしながら、このような内部電極の印刷ずれや積層ずれが生じたとしても、 第1,第2の内部電極13,14間の重なり面積の変動が非常に小さくされてい る。これを、図4を参照して説明する。
【0020】 いま、第1の内部電極13及び第2の内部電極14の形成位置が、それぞれ図 4に実線及び破線で示す位置から、一点鎖線A及びBで示す位置にずれて形成さ れたとする。すなわち、第1,第2の内部電極13,14が、L方向及びW方向 のいずれにも若干ずれて形成されたとする。しかしながら、この場合であっても 、第1の内部電極13の電極本体部13aと、第2の内部電極14との重なり面 積は変化しない。すなわち、図5(a),(b)に誇張して示すように電極本体 部13aの形成位置がW方向に大きくずれたとしても、電極本体部13aが、第 2の内部電極14と重なり合う領域に留まる限り、両者の重なり面積は変化しな い。よって、上記内部電極の印刷ずれやグリーンシートの積層ずれが生じたとし ても、第1,第2の内部電極の重なり面積の変動が生じ難いため、抵抗値のばら つきを効果的に低減することが可能とされている。
【0021】 なお、電極本体部13aに比べて幅の細い帯状の接続導電部13bを形成して いるのは、L方向の印刷ずれもしくは積層ずれが生じた場合の重なり面積の変動 を小さくするためである。すなわち、単に電極本体部13aの幅の内部電極を形 成した場合には、第1の内部電極13が第2の内部電極14と重なり合う領域内 に配置される限り、W方向の積層ずれに起因する電極重なり面積変動を防止する ことができる。しかしながら、L方向に印刷ずれや積層すれが生じた場合は、第 1,第2の内部電極13,14間の重なり面積変動が若干大きくなる。
【0022】 これに対して、本実施例では、上記のように電極本体部13aに比べて幅の細 い接続導電部13bにより電極本体部13aが端面12bに引出されているため 、L方向への積層ずれに起因する重なり面積の変動を小さくすることが可能とさ れている。 次に、上記実施例のチップ型PTC素子11の製造方法の一例を図6〜図10 を参照して説明する。
【0023】 まず、図6及び図7に示すマザーのグリーンシート21,22を用意する。グ リーンシート21,22は、それぞれ、チタン酸バリウム系半導体磁器のような セラミックス粉末及び有機バインダを含むセラミック・スラリーを、例えばドク ターブレード法等によりシート成形することにより得られる。上記マザーのグリ ーンシート21,22の上面に、それぞれ、Ptのような導電性粉末及び有機バ インダを含有する導電ペーストを印刷し、複数の第1,第2の内部電極13,1 4をそれぞれ印刷する。なお、図6及び図7において破線E,Fで示す部分が、 最終的に得られる一個のPTC素子部分に相当する領域である。
【0024】 次に、図8に示すように、上記のようにして用意したグリーンシート21,2 2間に内部電極が印刷されていないグリーンシート23a,23bを介在させ、 さらに上方及び下方に同じく内部電極が印刷されていない適宜の枚数のグリーン シート23c,23d,23e,23fを重ね合わせる。しかる後、得られた積 層体を厚み方向に圧着し、マザーの積層体を得、該マザーの積層体を図6,7に 示した破線E,Fに沿う部分に相当の部分で厚み方向に切断し、個々のチップ型 PTC素子に用いるための積層体を得る。図9に、上記のようにして切り出され た積層体25を示す。
【0025】 次に、上記積層体25を、例えば1300℃の温度で2時間焼成し、サーミス タ素体を得る。得られたサーミスタ素体内では、図10に平面断面図で示すよう に、第1の内部電極13,第2の内部電極14が重なり合うように配置されてい る。
【0026】 最後に、得られたサーミスタ素体12の両端面を覆うようにAgを主成分とす る導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより図1に示した第1,第2の外部 電極15,16を形成する。
【0027】 上記のように、本実施例のPTCサーミスタ11においても、内部電極の印刷 及びグリーンシートの積層という工程を得るため、内部電極の印刷ずれやグリー ンシートの積層ずれ等が生じることを避けることはできない。しかしながら、第 1,第2の内部電極13,14の形状が上記のように工夫されているため、上記 内部電極の印刷ずれやグリーンシートの積層ずれが生じたとしても、第1,第2 の内部電極13,14間の重なり面積の変動は非常に小さくされ得る。
【0028】 なお、上述した実施例のチップ型PTC素子では、一枚の第1の内部電極13 及び一枚の第2の内部電極14をサーミスタ素体12内に形成したが、第1,第 2の内部電極は、それぞれ、サーミスタ素体内に複数形成されていてもよい。
【0029】
本考案では、第1,第2の内部のうちの一方が、上記電極本体部及び接続導電 部を有し、該電極本体部が他方の内部電極に重なり合う領域内に位置されるよう に構成されているため、該電極本体部が他方の内部電極と重なり合う領域内に留 まる限り、内部電極の印刷ずれやグリーンシートの積層ずれに起因する内部電極 の形成位置のずれが生じたとしても、第1,第2の内部電極間の重なり面積の変 動が効果的に低減され得る。従って、内部電極を設けた低抵抗のチップ型PTC 素子において、抵抗偏差を非常に小さくすることができ、よって低抵抗でありな がらばらつきの小さいチップ型PTC素子を提供することが可能となる。
【図1】実施例のチップ型PTC素子の平面断面図。
【図2】(a)及び(b)は、それぞれ、実施例のチッ
プ型PTC素子の縦断面図及び横断面図。
プ型PTC素子の縦断面図及び横断面図。
【図3】実施例のチップ型PTC素子の外観を示す斜視
図。
図。
【図4】実施例のチップ型PTCサーミスタ素子におい
て内部電極形成位置がずれた場合の電極重なり面積を説
明するための平面断面図。
て内部電極形成位置がずれた場合の電極重なり面積を説
明するための平面断面図。
【図5】(a)及び(b)は、実施例のチップ型PTC
素子において内部電極の形成位置がずれていない場合及
びずれた場合の両者の重なり合い関係を誇張して示す模
式的横断面図。
素子において内部電極の形成位置がずれていない場合及
びずれた場合の両者の重なり合い関係を誇張して示す模
式的横断面図。
【図6】実施例のチップ型PTC素子を得るのに用いら
れるマザーのグリーンシート及び第1の内部電極を示す
平面図。
れるマザーのグリーンシート及び第1の内部電極を示す
平面図。
【図7】実施例のチップ型PTC素子を得るのに用いら
れるマザーのグリーンシート及びその上に形成された第
2の内部電極を示す平面図。
れるマザーのグリーンシート及びその上に形成された第
2の内部電極を示す平面図。
【図8】実施例のチップ型PTC素子を得るに際し複数
枚のグリーンシートを積層する工程を示す側面図。
枚のグリーンシートを積層する工程を示す側面図。
【図9】実施例のチップ型PTC素子を得るにあたり得
られた積層体を示す斜視図。
られた積層体を示す斜視図。
【図10】実施例のチップ型PTC素子を得るにあたり
用意されたサーミスタ素体内の内部電極間の重なり合い
関係を説明するための平面断面図。
用意されたサーミスタ素体内の内部電極間の重なり合い
関係を説明するための平面断面図。
【図11】従来のチップ型PTC素子の一例を示す平面
断面図。
断面図。
【図12】(a)及び(b)は、それぞれ、図12に示
した従来のチップ型PTC素子の縦断面図及び横断面
図。
した従来のチップ型PTC素子の縦断面図及び横断面
図。
11…チップ型PTC素子 12…サーミスタ素体 12a…半導体磁器層 13…第1の内部電極 13a…電極本体部 13b…接続導電部 14…第2の内部電極 15,16…第1,第2の外部電極
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体磁器よりなる正特性サーミスタ素
体と、 前記サーミスタ素体内において半導体磁器層を介して重
なり合うように配置された第1,第2の内部電極と、 前記第1,第2の内部電極にそれぞれ電気的に接続され
るように、サーミスタ素体の側面に形成された第1,第
2の外部電極とを備え、 前記第1,第2の内部電極の一方が、該内部電極の形成
されている平面内において他方の内部電極と重なり合う
領域内に配置された電極本体部と、該電極本体部と第1
または第2の外部電極との間に電気的に接続されるよう
に形成された接続導電部とを有し、前記電極本体部は他
方の内部電極に比べて面積が小さくされていることを特
徴とする、チップ型正特性サーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7709492U JPH0644101U (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7709492U JPH0644101U (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644101U true JPH0644101U (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=13624201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7709492U Pending JPH0644101U (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | チップ型正特性サーミスタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644101U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054290A1 (en) * | 1999-03-08 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ptc chip thermistor |
| CN103210456A (zh) * | 2010-09-03 | 2013-07-17 | 埃普科斯股份有限公司 | 陶瓷器件和用于制造陶瓷器件的方法 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01293503A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Murata Mfg Co Ltd | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP7709492U patent/JPH0644101U/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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