JP2002285320A - 有機高分子薄膜の形成方法 - Google Patents
有機高分子薄膜の形成方法Info
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Landscapes
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】２種類以上の原料モノマーより、真空室内にお
いて原料モノマーを蒸発させ、重合反応により基板上に
高分子薄膜を形成する際に、反応させる個々の原料モノ
マーの蒸気圧が異なる場合や各原料モノマーの蒸発温度
に差がある場合などにおいて、化学量論的な組成比で重
合させた安定した特性を有する電子素材として有効な緻
密で高純度で、かつ均一な膜厚の高分子薄膜を容易に形
成するものである。 【解決手段】真空室内において２種以上の原料モノマー
をそれぞれ単独に蒸発させて、これらを基板上で原料モ
ノマーの積層膜を形成した後、真空中または大気中もし
くはガス雰囲気中において前記原料モノマーの積層膜を
加熱重合することにより、基板上に単層もしくは複層の
有機高分子薄膜を形成することを特徴とする有機高分子
薄膜の形成方法である。
いて原料モノマーを蒸発させ、重合反応により基板上に
高分子薄膜を形成する際に、反応させる個々の原料モノ
マーの蒸気圧が異なる場合や各原料モノマーの蒸発温度
に差がある場合などにおいて、化学量論的な組成比で重
合させた安定した特性を有する電子素材として有効な緻
密で高純度で、かつ均一な膜厚の高分子薄膜を容易に形
成するものである。 【解決手段】真空室内において２種以上の原料モノマー
をそれぞれ単独に蒸発させて、これらを基板上で原料モ
ノマーの積層膜を形成した後、真空中または大気中もし
くはガス雰囲気中において前記原料モノマーの積層膜を
加熱重合することにより、基板上に単層もしくは複層の
有機高分子薄膜を形成することを特徴とする有機高分子
薄膜の形成方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えば半導体素子の絶縁
膜、パッシベーション膜、プラスチックコンデンサ等の
誘電体に用いられる有機高分子薄膜の形成方法に関する
ものである。
膜、パッシベーション膜、プラスチックコンデンサ等の
誘電体に用いられる有機高分子薄膜の形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、合成樹脂皮膜等の有機薄膜の形成
方法としては、（１）原料モノマーを有機溶媒に溶かし
て基板上に塗布、重合させる湿式法、（２）有機高分子
を加熱、蒸発させ、基板上に薄膜形成させる蒸着法、
（３）原料モノマーをプラズマ状態にしてプラズマ中の
基板上で重合させるプラズマ重合法、（４）２種類以上
の原料モノマーを加熱、蒸発させ、基板上で重合させる
蒸着重合法などが知られている。
方法としては、（１）原料モノマーを有機溶媒に溶かし
て基板上に塗布、重合させる湿式法、（２）有機高分子
を加熱、蒸発させ、基板上に薄膜形成させる蒸着法、
（３）原料モノマーをプラズマ状態にしてプラズマ中の
基板上で重合させるプラズマ重合法、（４）２種類以上
の原料モノマーを加熱、蒸発させ、基板上で重合させる
蒸着重合法などが知られている。
【０００３】前記従来法において、（１）の原料モノマ
ーを基板上に塗布、重合させる湿式法は、ごく薄い膜が
形成しにくく、また厚さの均一な膜が得難いという不都
合を有する。また（２）の有機高分子を基板上に蒸着さ
せる蒸着法は、重合度が十分でなく、得られた膜の分子
量が低く、絶縁膜やコンデンサ等の誘電体の材料として
使用できない問題がある。
ーを基板上に塗布、重合させる湿式法は、ごく薄い膜が
形成しにくく、また厚さの均一な膜が得難いという不都
合を有する。また（２）の有機高分子を基板上に蒸着さ
せる蒸着法は、重合度が十分でなく、得られた膜の分子
量が低く、絶縁膜やコンデンサ等の誘電体の材料として
使用できない問題がある。
【０００４】また（３）のプラズマ重合法の場合は、高
温のプラズマ状態となるので原料モノマー自体の分解が
起こり合成高分子の分子設計が困難であり、しかも合成
薄膜が架橋構造を含むので、形成された薄膜が柔軟性に
欠けるという不具合を有する。更に（４）の蒸着重合法
は２種類以上の原料モノマーを基板上で重合反応させる
ため、反応させる個々の原料モノマーの蒸気圧が異なる
場合や各原料モノマーの蒸発温度にわずかでも差があっ
た場合などには、モノマーの量比の制御が難しく、化学
量論的な組成比で重合させるのが難しいという欠点があ
る。
温のプラズマ状態となるので原料モノマー自体の分解が
起こり合成高分子の分子設計が困難であり、しかも合成
薄膜が架橋構造を含むので、形成された薄膜が柔軟性に
欠けるという不具合を有する。更に（４）の蒸着重合法
は２種類以上の原料モノマーを基板上で重合反応させる
ため、反応させる個々の原料モノマーの蒸気圧が異なる
場合や各原料モノマーの蒸発温度にわずかでも差があっ
た場合などには、モノマーの量比の制御が難しく、化学
量論的な組成比で重合させるのが難しいという欠点があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記従来法の
不都合を解消し、化学量論的な組成比で重合させ、安定
した特性を有する電子素材として有効な有機高分子薄膜
の形成方法を提供するものである。
不都合を解消し、化学量論的な組成比で重合させ、安定
した特性を有する電子素材として有効な有機高分子薄膜
の形成方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の有機高分子薄膜
の形成方法は、真空室内において２種以上の原料モノマ
ーをそれぞれ単独に蒸発させて、これらを基板上で原料
モノマーの積層膜を形成した後、真空中または大気中も
しくはガス雰囲気中において前記原料モノマーの積層膜
を加熱重合することにより、基板上に単層もしくは複層
の有機高分子薄膜を形成することを特徴とするものであ
る。
の形成方法は、真空室内において２種以上の原料モノマ
ーをそれぞれ単独に蒸発させて、これらを基板上で原料
モノマーの積層膜を形成した後、真空中または大気中も
しくはガス雰囲気中において前記原料モノマーの積層膜
を加熱重合することにより、基板上に単層もしくは複層
の有機高分子薄膜を形成することを特徴とするものであ
る。
【０００７】本発明に使用する原料モノマーとしては例
えば、４，４‘−ジアミノジフェニルメタン、４，４
‘−ジアミノジフェニルエーテル、４、４’−ジアミノ
−３、３‘−ジメチルジフェニルメタン等のジアミン成
分、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、
３，３‘−ジメチルジフェニル−４、４’−ジイソシア
ネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート等のイソシア
ネート成分、ピロメリット酸二無水物等の酸成分等を使
用することができる。
えば、４，４‘−ジアミノジフェニルメタン、４，４
‘−ジアミノジフェニルエーテル、４、４’−ジアミノ
−３、３‘−ジメチルジフェニルメタン等のジアミン成
分、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、
３，３‘−ジメチルジフェニル−４、４’−ジイソシア
ネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート等のイソシア
ネート成分、ピロメリット酸二無水物等の酸成分等を使
用することができる。
【０００８】この発明の有機積層膜を形成するにあたっ
ては、原料モノマーをガラス、石英、金属、セラミック
ス等のるつぼに入れ、真空室内において、るつぼ外周部
を電熱線ヒーターもしくは赤外線ヒーターで加熱して蒸
発させ、基板に薄膜として堆積させる。
ては、原料モノマーをガラス、石英、金属、セラミック
ス等のるつぼに入れ、真空室内において、るつぼ外周部
を電熱線ヒーターもしくは赤外線ヒーターで加熱して蒸
発させ、基板に薄膜として堆積させる。
【０００９】この時、真空室内で原料モノマーを入れた
るつぼを加熱して、発生した蒸気を基板に蒸着させた
後、このるつぼを真空室から取り出し、次に他の原料モ
ノマーを入れたるつぼを真空室に入れて、これを加熱
し、発生した蒸気を基板に蒸着させて基板表面に積層膜
を形成する。また別の方法として１つの真空室内で、原
料モノマーを入れたるつぼを加熱して、基板に蒸着させ
た後、この基板を取り出し、別の真空室内にこの基板を
取付けてから、他の原料モノマーを入れたるつぼを加熱
して基板に蒸着させ、基板表面に積層膜を形成する方法
がある。
るつぼを加熱して、発生した蒸気を基板に蒸着させた
後、このるつぼを真空室から取り出し、次に他の原料モ
ノマーを入れたるつぼを真空室に入れて、これを加熱
し、発生した蒸気を基板に蒸着させて基板表面に積層膜
を形成する。また別の方法として１つの真空室内で、原
料モノマーを入れたるつぼを加熱して、基板に蒸着させ
た後、この基板を取り出し、別の真空室内にこの基板を
取付けてから、他の原料モノマーを入れたるつぼを加熱
して基板に蒸着させ、基板表面に積層膜を形成する方法
がある。
【００１０】また２個以上のるつぼを同時に真空室内に
設置する場合には、各原料モノマーを交互に加熱して、
発生した蒸気を基板の表面に蒸着させて積層膜を形成す
る。この場合、各るつぼの上部にシャッターを設け、各
るつぼを同時に加熱しながら、それぞれのシャッターを
順次開閉することにより、一種類ずつ原料モノマーを蒸
発させるようにする。なお単層の有機高分子薄膜を形成
する場合には、２種類の原料モノマーを蒸着させ、複数
層の有機高分子薄膜を形成する場合には、３種類以上の
原料モノマーを蒸着させる。
設置する場合には、各原料モノマーを交互に加熱して、
発生した蒸気を基板の表面に蒸着させて積層膜を形成す
る。この場合、各るつぼの上部にシャッターを設け、各
るつぼを同時に加熱しながら、それぞれのシャッターを
順次開閉することにより、一種類ずつ原料モノマーを蒸
発させるようにする。なお単層の有機高分子薄膜を形成
する場合には、２種類の原料モノマーを蒸着させ、複数
層の有機高分子薄膜を形成する場合には、３種類以上の
原料モノマーを蒸着させる。
【００１１】また成膜時の真空室内の圧力は、例えば１
０−２〜１０―４Ｐａ程度に設定する。また基板材料
は、成膜後に加熱により層間で重合反応を進行させるた
め、この加熱温度以上の耐熱性を有する材料であれば良
く、例えばガラス、石英、シリコンウエハ、金属板、セ
ラミックス板、ポリイミドフィルムなど３００℃以上の
耐熱性があるのが良い。
０−２〜１０―４Ｐａ程度に設定する。また基板材料
は、成膜後に加熱により層間で重合反応を進行させるた
め、この加熱温度以上の耐熱性を有する材料であれば良
く、例えばガラス、石英、シリコンウエハ、金属板、セ
ラミックス板、ポリイミドフィルムなど３００℃以上の
耐熱性があるのが良い。
【００１２】また基板表面に形成された積層膜の加熱
は、大気、窒素やアルゴンガス等のガス雰囲気中、真空
雰囲気中、または真空室から取り出して大気中で行なっ
ても良い。積層膜の加熱温度は、積層膜の厚さ並びに積
層膜の種類、積層膜の層数、基板の材質によって設定す
る。また加熱方法としては、基板に電熱ヒーターを設け
て基板を加熱してその表面に形成された積層膜を加熱重
合させる方法や、積層膜に対向して電熱線ヒーターや赤
外線ヒーターを設置して、発生する熱線により積層膜を
直接加熱して重合させる方法、もしくは積層膜を形成し
た基板を真空室から取り出し、ホットプレートの上に載
せて加熱して積層膜を加熱重合させる方法でも良い。
は、大気、窒素やアルゴンガス等のガス雰囲気中、真空
雰囲気中、または真空室から取り出して大気中で行なっ
ても良い。積層膜の加熱温度は、積層膜の厚さ並びに積
層膜の種類、積層膜の層数、基板の材質によって設定す
る。また加熱方法としては、基板に電熱ヒーターを設け
て基板を加熱してその表面に形成された積層膜を加熱重
合させる方法や、積層膜に対向して電熱線ヒーターや赤
外線ヒーターを設置して、発生する熱線により積層膜を
直接加熱して重合させる方法、もしくは積層膜を形成し
た基板を真空室から取り出し、ホットプレートの上に載
せて加熱して積層膜を加熱重合させる方法でも良い。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。図１は本発
明法を実施する装置で、図において１は真空室で、２は
これに接続した真空ポンプである。真空室１内の下方に
は有機薄膜の原料モノマーａ、ｂを蒸発させるための石
英製のるつぼ３ａ、３ｂと、るつぼ周囲に螺旋状に巻き
まわしたヒーター４ａ、４ｂから成る２個の蒸発源が並
設されている。るつぼ３ａ、３ｂの開口部にはシャッタ
ー５ａ、５ｂがそれぞれ設けられ、独自に開閉できるよ
うになっている。
明法を実施する装置で、図において１は真空室で、２は
これに接続した真空ポンプである。真空室１内の下方に
は有機薄膜の原料モノマーａ、ｂを蒸発させるための石
英製のるつぼ３ａ、３ｂと、るつぼ周囲に螺旋状に巻き
まわしたヒーター４ａ、４ｂから成る２個の蒸発源が並
設されている。るつぼ３ａ、３ｂの開口部にはシャッタ
ー５ａ、５ｂがそれぞれ設けられ、独自に開閉できるよ
うになっている。
【００１４】この蒸発源の上方には、これと対向させて
基板６が基板ホルダー７によって下向きに保持されてい
る。更に基板ホルダー７の上面にはヒーター８を配置
し、成膜後に基板７の表面に蒸着した積層膜９を加熱す
るようになっている。また、原料モノマーａ、ｂを入れ
る、るつぼ３ａ、３ｂ内には熱電対１０ａ、１０ｂが挿
入され、原料モノマーａ、ｂの加熱温度を測定するよう
になっている。
基板６が基板ホルダー７によって下向きに保持されてい
る。更に基板ホルダー７の上面にはヒーター８を配置
し、成膜後に基板７の表面に蒸着した積層膜９を加熱す
るようになっている。また、原料モノマーａ、ｂを入れ
る、るつぼ３ａ、３ｂ内には熱電対１０ａ、１０ｂが挿
入され、原料モノマーａ、ｂの加熱温度を測定するよう
になっている。
【００１５】（実施例１）上記装置を用いてポリ尿素皮
膜を形成する場合について説明する。るつぼ３ａに、一
方の原料モノマーａとして４，４‘−ジアミノジフェニ
ルメタンを充填する。またるつぼ３ｂに、他方の原料モ
ノマーｂとして４，４‘−ジフェニルメタンジイソシア
ネートを充填し、真空室１の真空度を１×１０―３Ｐａ
に設定する。
膜を形成する場合について説明する。るつぼ３ａに、一
方の原料モノマーａとして４，４‘−ジアミノジフェニ
ルメタンを充填する。またるつぼ３ｂに、他方の原料モ
ノマーｂとして４，４‘−ジフェニルメタンジイソシア
ネートを充填し、真空室１の真空度を１×１０―３Ｐａ
に設定する。
【００１６】次いで、ヒーター４ａで原料モノマーａを
１００±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後に、シャ
ッター５ａを開け、４，４‘−ジアミノジフェニルメタ
ンを蒸発させて、基板６の下面に蒸着させる。次にシャ
ッター５ａを閉じて、１Ｐａ程度窒素ガスを導入し、原
料モノマーａの温度が４０℃以下になるのを待って、再
度真空度が１×１０―３Ｐａになるまで真空室１を排気
した。
１００±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後に、シャ
ッター５ａを開け、４，４‘−ジアミノジフェニルメタ
ンを蒸発させて、基板６の下面に蒸着させる。次にシャ
ッター５ａを閉じて、１Ｐａ程度窒素ガスを導入し、原
料モノマーａの温度が４０℃以下になるのを待って、再
度真空度が１×１０―３Ｐａになるまで真空室１を排気
した。
【００１７】この後、ヒーター４ｂで原料モノマーｂを
７０±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後に、シャッ
ター５ｂを開け、先に基板６の下面に形成した４，４
‘−ジアミノジフェニルメタン層の上に４，４‘−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート層を蒸着させて積層膜９
を形成した。
７０±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後に、シャッ
ター５ｂを開け、先に基板６の下面に形成した４，４
‘−ジアミノジフェニルメタン層の上に４，４‘−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート層を蒸着させて積層膜９
を形成した。
【００１８】次にシャッター５ｂを閉じて、真空室１内
に１気圧の窒素を導入し、ヒーター８で積層膜９を２０
０℃で２０分加熱した。
に１気圧の窒素を導入し、ヒーター８で積層膜９を２０
０℃で２０分加熱した。
【００１９】得られた薄膜を、赤外吸収分光分析により
分析した結果、芳香族型ポリ尿素特有の吸収スペクトル
を示し、コンデンサ材料として使用される有機高分子薄
膜が形成されていることが確認された。
分析した結果、芳香族型ポリ尿素特有の吸収スペクトル
を示し、コンデンサ材料として使用される有機高分子薄
膜が形成されていることが確認された。
【００２０】（実施例２） るつぼ３ａに一方の原料モ
ノマーａとして４，４‘−ジフェニルメタンジイソシア
ネートを充填し、るつぼ３ｂに他方の原料モノマーｂと
してピロメリット酸二無水物を充填し、真空室の真空度
を１×１０―３Ｐａに設定した。
ノマーａとして４，４‘−ジフェニルメタンジイソシア
ネートを充填し、るつぼ３ｂに他方の原料モノマーｂと
してピロメリット酸二無水物を充填し、真空室の真空度
を１×１０―３Ｐａに設定した。
【００２１】次いで、ヒーター４ａで原料モノマーａを
７０±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後にシャッタ
ー５ａを開けて蒸発させ、基板６の下面に４，４‘−ジ
フェニルメタンジイソシアネート層を形成した。次にシ
ャッター５ａを閉じてから、１Ｐａ程度窒素ガスを導入
し、原料モノマーａの温度が３０℃以下になるのを待っ
て、再度真空度が１×１０―３Ｐａになるまで真空槽を
排気した。この後、ヒーター４ｂで原料モノマーｂを２
００±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後にシャッタ
ー５ｂを開け、先に基板６の下面に形成した４，４‘−
ジフェニルメタンジイソシアネート層の上にピロメリッ
ト酸二無水物層を蒸着させて積層膜９を形成した。
７０±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後にシャッタ
ー５ａを開けて蒸発させ、基板６の下面に４，４‘−ジ
フェニルメタンジイソシアネート層を形成した。次にシ
ャッター５ａを閉じてから、１Ｐａ程度窒素ガスを導入
し、原料モノマーａの温度が３０℃以下になるのを待っ
て、再度真空度が１×１０―３Ｐａになるまで真空槽を
排気した。この後、ヒーター４ｂで原料モノマーｂを２
００±２℃に加熱し、蒸発速度が安定した後にシャッタ
ー５ｂを開け、先に基板６の下面に形成した４，４‘−
ジフェニルメタンジイソシアネート層の上にピロメリッ
ト酸二無水物層を蒸着させて積層膜９を形成した。
【００２２】次にシャッター５ｂを閉じてから、真空室
１内に１気圧の窒素を導入し、ヒーター８で積層膜を３
００℃で３０分加熱した。得られた薄膜を、赤外吸収分
光分析により分析したところ、ピロメリット型ポリアミ
ド特有の吸収スペクトルを示した。
１内に１気圧の窒素を導入し、ヒーター８で積層膜を３
００℃で３０分加熱した。得られた薄膜を、赤外吸収分
光分析により分析したところ、ピロメリット型ポリアミ
ド特有の吸収スペクトルを示した。
【００２３】この後、真空室１内に１気圧の窒素を導入
し、ヒーター８で積層膜を再度、３５０℃で３時間加熱
した。
し、ヒーター８で積層膜を再度、３５０℃で３時間加熱
した。
【００２４】得られた薄膜は、赤外吸収分光分析により
分析したところ、ピロメリット型ポリイミド特有の吸収
スペクトルを示し、絶縁膜材料として使用される有機高
分子薄膜が形成されていることが確認された。
分析したところ、ピロメリット型ポリイミド特有の吸収
スペクトルを示し、絶縁膜材料として使用される有機高
分子薄膜が形成されていることが確認された。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の有機高分
子薄膜の形成方法によれば、真空室内において２種以上
の原料モノマーをそれぞれ単独に蒸発させて、基板上で
反応させることなく原料モノマーの積層膜を形成した
後、この積層膜を加熱重合させて有機高分子薄膜を形成
するので、反応させる個々の原料モノマーの蒸気圧が異
なる場合や、各原料モノマーの蒸発温度に差がある場合
などにおいても、化学量論的な組成比で重合させた安定
した特性を有する電子素材として有効な緻密で高純度
で、かつ均一な膜厚の高分子薄膜を容易に形成すること
ができる。
子薄膜の形成方法によれば、真空室内において２種以上
の原料モノマーをそれぞれ単独に蒸発させて、基板上で
反応させることなく原料モノマーの積層膜を形成した
後、この積層膜を加熱重合させて有機高分子薄膜を形成
するので、反応させる個々の原料モノマーの蒸気圧が異
なる場合や、各原料モノマーの蒸発温度に差がある場合
などにおいても、化学量論的な組成比で重合させた安定
した特性を有する電子素材として有効な緻密で高純度
で、かつ均一な膜厚の高分子薄膜を容易に形成すること
ができる。
【図１】本発明の有機高分子薄膜を形成する装置の概略
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 真空槽 ２ 真空ポンプ ３ａ、３ｂ るつぼ ４ａ、４ｂ ヒーター ５ａ、５ｂ シャッター ６ 基板 ７ 基板ホルダー ８ ヒーター ９ 積層膜 １０ａ、１０ｂ 熱電対
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｇ 73/10 Ｃ０８Ｇ 73/10 (72)発明者 渡部 一博 福島県郡山市待池台１丁目12 福島県ハイ テクプラザ内 Ｆターム(参考） 4J031 CA06 CA20 CE06 CE10 4J034 CA15 CC12 CC22 CC52 CC62 CC67 HA07 HC12 HC61 HC64 HC71 4J043 PA15 QB15 QB26 RA35 SA06 TA22 UA122 UA131 UB011 UB121 VA021 VA022 VA052 VA102 XA40 4K029 BA62 BB02 BC05 BD01 CA11 GA01 5F058 AC10 AD09 AF01 AG01
Claims (1)
- 【請求項１】 真空室内において２種以上の原料モノマ
ーをそれぞれ単独に蒸発させて、これらを基板上で原料
モノマーの積層膜を形成した後、真空中または大気中も
しくはガス雰囲気中において前記原料モノマーの積層膜
を加熱重合することにより、基板上に単層もしくは複層
の有機高分子薄膜を形成することを特徴とする有機高分
子薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089918A JP2002285320A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 有機高分子薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089918A JP2002285320A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 有機高分子薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002285320A true JP2002285320A (ja) | 2002-10-03 |
Family
ID=18944774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001089918A Pending JP2002285320A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 有機高分子薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002285320A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006131801A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Japan Science & Technology Agency | 導電性有機分子およびそれを用いた電子デバイスならびに導電性有機分子および電子デバイスの製造方法 |
| KR100656181B1 (ko) | 2004-08-09 | 2006-12-12 | 두산디앤디 주식회사 | 유기 el소자의 연속 증착 시스템 |
| JP2007242704A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | パターン製造方法、パターン基板および電界効果型トランジスタ |
| JP2009231783A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、及び成膜方法 |
| WO2010032547A1 (ja) * | 2008-09-16 | 2010-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合膜の成膜方法および成膜装置 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001089918A patent/JP2002285320A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100656181B1 (ko) | 2004-08-09 | 2006-12-12 | 두산디앤디 주식회사 | 유기 el소자의 연속 증착 시스템 |
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| CN102160156A (zh) * | 2008-09-16 | 2011-08-17 | 东京毅力科创株式会社 | 聚合膜的成膜方法和成膜装置 |
| KR101236160B1 (ko) | 2008-09-16 | 2013-02-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 중합막의 성막 방법 및 성막 장치 |
| CN102160156B (zh) * | 2008-09-16 | 2013-04-17 | 东京毅力科创株式会社 | 聚合膜的成膜方法和成膜装置 |
| US8691338B2 (en) | 2008-09-16 | 2014-04-08 | Tokyo Electron Limited | Polymerized film forming method and polymerized film forming apparatus |
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