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JP2002245663A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

Info

Publication number
JP2002245663A
JP2002245663A JP2001041010A JP2001041010A JP2002245663A JP 2002245663 A JP2002245663 A JP 2002245663A JP 2001041010 A JP2001041010 A JP 2001041010A JP 2001041010 A JP2001041010 A JP 2001041010A JP 2002245663 A JP2002245663 A JP 2002245663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
linear velocity
optical recording
recording
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001041010A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Ito
和典 伊藤
Masato Harigai
眞人 針谷
Takashi Shibakuchi
孝 芝口
Hajime Yuzurihara
肇 譲原
Eiko Suzuki
栄子 鈴木
Nobuaki Onaki
伸晃 小名木
Hiroko Tashiro
浩子 田代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2001041010A priority Critical patent/JP2002245663A/en
Publication of JP2002245663A publication Critical patent/JP2002245663A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、DVD-ROM と同容量以上の高密度記
録が可能で、さらにこの2倍速以上(約7m/s以上) の記
録線速度をカバーできる、具体的には3.0m/sから20m/s
の範囲の高記録線速度でのオーバーライト特性が良好で
あり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性
を示す相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 Sb,Teを必須元素とし、SbTeに対して少
なくとも1種類以上の元素Xを組み合わせて添加してな
るXaSbxTey の組成式の相変化光記録層を有する情報の
記録を行う光記録媒体であって、さらにレーザー光のCW
照射により反射率がハイレベルからローレベルに転移す
る線速範囲が8m/s以上30m/s 以下の範囲であることを特
徴とし、その記録可能な線速範囲は1.2m/s以上30m/s 以
下である光記録媒体を主たる構成にしたこと。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To provide a specific recording medium capable of performing high-density recording of the same capacity or more as a DVD-ROM and covering a recording linear velocity of 2 times or more (about 7 m / s or more). 3.0m / s to 20m / s
The present invention provides a phase-change type optical recording medium having good overwrite characteristics at a high recording linear velocity in the range described above and exhibiting sufficient reliability even when stored in a high-temperature environment. SOLUTION: An optical recording medium for recording information having a phase-change optical recording layer of a composition formula of XaSbxTey in which Sb and Te are essential elements and at least one kind of element X is added to SbTe in combination. And the CW of the laser light
The linear velocity range where the reflectivity changes from high level to low level by irradiation is in the range of 8 m / s to 30 m / s, and the recordable linear velocity range is 1.2 m / s to 30 m / s. The following optical recording medium is the main configuration.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、さらに詳しくは、光ビームを照射することにより記
録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行ない、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体に関す
るものであり、現在市販されているDVD-ROMの線速の2
倍以上の記録線速に対応しうる光記録媒体に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium, and more particularly, to irradiating a light beam to cause an optical change in a material of a recording layer, thereby recording and reproducing information, and performing rewriting. It relates to a possible phase-change optical recording medium, and the linear velocity of a commercially available DVD-ROM is 2
The present invention relates to an optical recording medium capable of supporting a recording linear velocity twice or more.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の技術として、高線速、高密度記録
に対応する書き換え可能な光ディスクには、一般にGe2S
b2Te5 の化合物組成近傍の記録材料を用いるものと、Ag
InSbTeで示されるSbTe共晶組成を主成分とする記録材料
が用いるものがあるが、高密度記録への対応性とオーバ
ーライト時の良好な消去特性により、すでに商品化さ
れ、普及が進んでいるCD-RW には後者の材料が用いられ
ている。
2. Description of the Related Art As a conventional technique, a rewritable optical disk corresponding to high linear velocity and high density recording generally includes Ge2S.
Using a recording material near the b2Te5 compound composition and Ag
Some recording materials use the SbTe eutectic composition represented by InSbTe as the main component, but due to their compatibility with high-density recording and good erasing characteristics during overwriting, they have already been commercialized and spread. The latter material is used for CD-RW.

【0003】特開平1−303643号公報には、Sbと
Teを主成分とした記録材料が開示され、AgInSbTe系の記
録材料について、SbTe共晶組成を主成分とする記録材料
としてSb-Te 中のTeの含有量が10at%から30at%の時
に、良好なオーバーライト特性を示す事が開示されてい
る。Sb-Te の組成比により高記録線速可能な領域がある
ことを実験により確かめているが、Sb-Te のみでは一般
に結晶化温度が低く、高温高湿度の条件では記録マーク
が結晶化し、マークが消失するおそれがある。
[0003] JP-A-1-303643 discloses that Sb and
A recording material containing Te as a main component is disclosed, and when the recording material based on AgInSbTe has a Te content of 10 at% to 30 at% in Sb-Te as a recording material having a SbTe eutectic composition as a main component, It has been disclosed that it exhibits excellent overwrite characteristics. Experiments have confirmed that there are regions where high recording linear velocities can be obtained depending on the composition ratio of Sb-Te.However, the crystallization temperature of Sb-Te alone is generally low, and the recording mark crystallizes under high temperature and high humidity conditions. May disappear.

【0004】本発明者等は、これを防止する為、少量の
AgやInを代表とし、種々の元素を添加することによっ
て、高線速記録領域においても記録感度が高く、3.0m/s
から20m/s の範囲の速度でのオーバーライト繰り返し特
性と高温環境下でも十分な信頼性を示す保存特性の良好
な記録媒体を実現できるAgInSbTe相変化型光記録媒体を
得ている。
[0004] To prevent this, the present inventors use a small amount of
By adding various elements, typically Ag and In, the recording sensitivity is high even in the high linear velocity recording area, and 3.0 m / s
An AgInSbTe phase-change type optical recording medium has been developed which can realize overwrite repetition characteristics at a speed in the range of 1 to 20 m / s and good storage characteristics exhibiting sufficient reliability even in a high temperature environment.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、DVD-ROM と
同容量以上の高密度記録が可能で、さらにこの2倍速以
上( 約7m/s以上) の記録線速度をカバーできる、具体的
には3.0m/sから20m/s の範囲の高記録線速度でのオーバ
ーライト特性が良好であり、かつ高温環境下で保存した
場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録媒体を提供
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a high-density recording of the same capacity or more as a DVD-ROM, and is capable of covering a recording linear velocity of 2 times or more (about 7 m / s or more). Provides a phase-change optical recording medium that has good overwrite characteristics at high recording linear velocities in the range of 3.0m / s to 20m / s and shows sufficient reliability even when stored in a high-temperature environment. I do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段により達成される。本発明によれば、請求項1
では Sb とTeを必須元素とし、SbTeに対して少なくとも
1種類以上の元素Xを添加してなるXaSbxTey の組成式
の相変化光記録層を有し、記録層がレーザー光の照射に
より結晶相からアモルファス相へ変化することにより情
報の記録を行う光記録媒体であって、さらにレーザー光
のCW照射により反射率がハイレベルからローレベルに転
移する線速範囲が 8m/s 以上30m/s 以下の範囲であるこ
と、その記録可能な線速範囲は1.2m/s以上30m/s 以下で
あることを主要な特徴とする。
The above object of the present invention is achieved by the following means. According to the present invention, claim 1
Has a phase change optical recording layer of a composition formula of XaSbxTey in which Sb and Te are essential elements and at least one or more elements X are added to SbTe, and the recording layer is changed from a crystal phase by irradiation with laser light. An optical recording medium that records information by changing to an amorphous phase, and has a linear velocity range from 8 m / s to 30 m / s where the reflectance changes from high level to low level by CW irradiation of laser light. The main feature is that the linear velocity range is 1.2 m / s or more and 30 m / s or less.

【0007】第2に、請求項1に記載の光記録媒体にお
いて、XaSbxTey のSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比
で0.50-0.90 であることを特徴とする。
Secondly, in the optical recording medium according to the first aspect, the composition ratio x / (x + y) of Sb and Te in XaSbxTey is 0.50-0.90 in atomic ratio.

【0008】第3に、請求項1〜2に記載の光記録媒体
において、上記添加元素の含有量 aは(Sb+Te) に対して
原子比で0.15以下であることを特徴とする。
Thirdly, in the optical recording medium according to any one of claims 1 and 2, the content a of the additional element is 0.15 or less in atomic ratio with respect to (Sb + Te).

【0009】第4に、請求項1〜3に記載の光記録媒体
において、XがAg、Au、Cu、Zn、B、Al、Ga、In、Si、G
e、Sn、Pb、N 、P 、Bi、La、Ce、Gd、Tb、のうちから
選ばれる1元素あるいは複数の組み合わせによることを
特徴とする。
Fourth, in the optical recording medium according to any one of claims 1 to 3, X is Ag, Au, Cu, Zn, B, Al, Ga, In, Si, G
It is characterized by one element selected from e, Sn, Pb, N, P, Bi, La, Ce, Gd, and Tb or a combination of a plurality of elements.

【0010】第5に、請求項1〜4に記載の光記録媒体
において、上記添加元素を2種以上添加する場合、添加
元素のうちNを添加の必須元素とすることを特徴とす
る。
Fifth, in the optical recording medium according to any one of claims 1 to 4, when two or more of the above-mentioned additional elements are added, N is an essential element to be added.

【0011】第6に、請求項1〜5に記載の光記録媒体
における記録媒体のレーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲は請求項
1に記載の線速範囲であり、さらに請求項4に記載の元
素の組み合わせによる、使用される最高線速の1倍から
1.5倍の範囲にあることを特徴とする。
Sixth, in the optical recording medium according to any one of the first to fifth aspects, the linear velocity range at which the reflectance changes from a high level to a low level by CW irradiation of a laser beam on the recording medium is defined by the line according to the first aspect. The maximum linear velocity is in the range of 1 to 1.5 times the maximum linear velocity used by the combination of elements according to claim 4.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明について実施例を上
げて説明する。光記録媒体に用いられる相変化記録材料
の特徴としてレーザー光のCW照射により媒体の反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速(以下、転移
線速と呼ぶ) 範囲が存在し、その速度範囲は相変化光記
録層の元素X の種類及びその組成比により変化すること
が実験により確かめられた。これらの材料の記録特性を
評価した結果、この転移線速以下の記録線速領域におい
ては、記録方法を従来と大きく変更することなしに、良
好な特性が得られることもわかった。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to embodiments. As a characteristic of the phase change recording material used for the optical recording medium, there is a range of linear velocity (hereinafter referred to as transition linear velocity) in which the reflectance of the medium changes from a high level to a low level by CW irradiation of a laser beam. It has been confirmed by experiments that the range varies depending on the type of the element X in the phase-change optical recording layer and its composition ratio. As a result of evaluating the recording characteristics of these materials, it was also found that in the recording linear velocity region equal to or lower than the transition linear velocity, good characteristics can be obtained without largely changing the recording method from the conventional one.

【0013】SbTe光記録媒体へのレーザー光のCW照射に
よる反射率変化を図1に示す。反射率の低下が起こる線
速範囲については、レーザー光のパワー密度による依存
性があるため、絶対的な数値ではない。しかし、少なく
とも、その記録システムに用いられる光学系において、
測定することにより、その系においては基準量となるた
め、この数値をもとに、光ディスクの記録線速領域の設
計基準とすることができる。
FIG. 1 shows a change in reflectivity due to CW irradiation of a laser beam to an SbTe optical recording medium. The linear velocity range in which the reflectivity decreases is not an absolute value because it depends on the power density of the laser beam. However, at least in the optical system used in the recording system,
By measuring, it becomes a reference amount in the system, and can be used as a design standard of the recording linear velocity region of the optical disk based on this numerical value.

【0014】図2には、XaSbxTey の組成式の相変化光
記録材料おいて、それぞれ5%のAg、 Ge 、Sn、In元素
を単独で、Te含有量25%のSbTeに添加した場合の反射率
変化を示す。
FIG. 2 shows the reflectivity of a phase change optical recording material of the composition formula XaSbxTey in which 5% of Ag, Ge, Sn and In elements are added alone to SbTe having a Te content of 25%. The rate change is shown.

【0015】添加元素の特性により反射率が低下する転
移線速範囲は、遅い領域にシフトさせるものと速い領域
へシフトするものが存在する。Ag、Au、Cu、Zn、Ga、G
e、N、などは転移線速を遅くし、Pb、In、La、Ce、Gd、
Tbなどは、転移線速を速くする元素のグループである。
またあまり転移線速を変えないものとしてはBi、B 、S
n、Si、B 、Al、P 、などがあげられる。
The transition linear velocity range in which the reflectivity decreases due to the characteristics of the added element includes those that shift to a slow region and those that shift to a fast region. Ag, Au, Cu, Zn, Ga, G
e, N, etc. lower the transition linear velocity, Pb, In, La, Ce, Gd,
Tb and the like are a group of elements that increase the transition linear velocity.
Bi, B, S that do not change the transition linear velocity very much
n, Si, B, Al, P, and the like.

【0016】この結果から、SbTeの組成比及び各添加元
素の含有量及び組み合わせにより転移線速範囲は自由に
設定可能であり、特に8m/s以上25m/s 以下の範囲の転移
線速範囲を持つ材料は高線速記録が可能となるのであ
る。
From these results, the transition linear velocity range can be freely set depending on the composition ratio of SbTe and the content and combination of each additive element. In particular, the transition linear velocity range from 8 m / s to 25 m / s can be set. The material has high linear velocity recording.

【0017】また、ある転移速度の材料を用いて光記録
媒体を製造する場合、その光記録媒体の記録特性は転移
速度より遅い( 線速範囲は使用される最高線速の1倍か
ら1.5倍の範囲にあること) 、望ましくは1.5m/s以下
の線速範囲において記録を行うことによって良好な記録
特性が得られることも実験により確かめられた。この結
果を図3 に示す。8m/s以上30m/s の転移線速を有する記
録材料を用いた光ディスクの場合、記録可能な線速範囲
は1.2m/s以上30m/s 以下である光記録媒体が得られる。
When an optical recording medium is manufactured using a material having a certain transition speed, the recording characteristics of the optical recording medium are slower than the transition speed (the linear velocity range is from 1 time to 1.times. The maximum linear velocity used). Experiments have also confirmed that good recording characteristics can be obtained by performing recording in a linear velocity range of preferably 1.5 m / s or less. The result is shown in FIG. In the case of an optical disk using a recording material having a transition linear velocity of 8 m / s or more and 30 m / s, an optical recording medium having a recordable linear velocity range of 1.2 m / s or more and 30 m / s or less is obtained.

【0018】以上のように調整された組成のXSbTe にお
いては、転移線速のみが合っていれば良いだけではな
く、良好な記録特性特にオーバーライト特性を得るため
には、XaSbxTeyのSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比で
0.50-0.90 であることが必要である。
In XSbTe having the composition adjusted as described above, not only the transition linear velocity needs to be matched, but also in order to obtain good recording characteristics, particularly overwrite characteristics, it is necessary to use XaSbxTey of Sb and Te. Composition ratio x / (x + y) is the atomic ratio
It must be 0.50-0.90.

【0019】ちなみに、主成分であるSbTeのオーバーラ
イト特性については、図4に示す。これは、X と化合し
化学量論比となるSbおよびTeを差し引いた残りのSb/(Te
+Sb)比r によるオーバーライト特性と同等と考えら
れ、Sb/(Te+Sb)比r が0.75近傍の条件において良好な
オーバーライト特性が得られることがわかった。XaSbxT
eyのSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比で0.50-0.90 の
場合、残余Sb/(Te+Sb)比r が0.75近傍に設計可能とな
る。
FIG. 4 shows the overwrite characteristics of SbTe as the main component. This is because the remaining Sb / (Te
+ Sb) ratio is considered to be equivalent to the overwrite characteristic, and it was found that a good overwrite characteristic was obtained when the Sb / (Te + Sb) ratio r was around 0.75. XaSbxT
If the composition ratio x / (x + y) of Sb and Te in ey is 0.50-0.90 in atomic ratio, the residual Sb / (Te + Sb) ratio r can be designed to be around 0.75.

【0020】さらに、光ディスクにおいては、ジッタの
低減および信頼性の確保の観点から転移線速を遅くする
Ag、およびGe、N などを必須元素として添加する必要が
ある。特にN 元素の添加は、効果が顕著である。
Further, in the optical disk, the transition linear velocity is reduced from the viewpoint of reducing jitter and securing reliability.
Ag, Ge, N, etc. need to be added as essential elements. In particular, the effect of adding N element is remarkable.

【0021】しかしながら、高線速対応の光ディスクに
関しては転移線速を速くする必要があるため、Ag、およ
びGe、N などに対し、Inなどの線速を速くする元素もあ
わせて添加する必要が生ずる。ただし、過剰なInの添加
については再生光安定性が問題となることも実験により
確認されている。結果は表1に示すとおりである。
However, since it is necessary to increase the transition linear velocity for an optical disk corresponding to a high linear velocity, it is necessary to add an element such as In to In, such as In, to Ag, Ge, N and the like. Occurs. However, it has been confirmed by experiments that the reproduction light stability becomes a problem when excessive In is added. The results are as shown in Table 1.

【0022】結果より、添加元素の含有量 aは(Sb+Te)
に対して原子比で0.15以下であること、とくに望ましく
はInなどの転移線速を速くする元素は10%以下とするこ
とによって、信頼性のある光記録媒体が実現できる。
From the results, the content a of the additional element is (Sb + Te)
By setting the atomic ratio to 0.15 or less, and particularly desirably, to 10% or less for elements that increase the transition linear velocity such as In, a reliable optical recording medium can be realized.

【0023】記録層以外の処方は以下のとおりである。
光記録媒体の層構成は図5に示す。上部保護層および下
部保護層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。ま
た、その膜厚はその機能、即ち、耐熱層、多重干渉層と
しての機能によっても異なるが、下部保護層は50nmから
110nm あるいは170nm から230nm 、がよい。50nm以下で
は記録層を基板の影響から保護する機能が働かなくな
り、300nm 以上では界面剥離を生じ易くなる。また、上
部保護層は10〜35nmとするのがよい。10nm以下では記録
感度が悪くなり、35nm以上では熱がこもりすぎてしま
う。
The prescription other than the recording layer is as follows.
FIG. 5 shows the layer configuration of the optical recording medium. The upper protective layer and the lower protective layer can be formed by various vapor deposition methods, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an electron beam deposition method, or the like. The thickness of the lower protective layer depends on its function, that is, the function as a heat-resistant layer and a multiple interference layer.
110 nm or 170 nm to 230 nm is good. If it is less than 50 nm, the function of protecting the recording layer from the influence of the substrate will not work, and if it is more than 300 nm, interface peeling is likely to occur. Also, the upper protective layer is preferably 10 to 35 nm. If it is less than 10 nm, the recording sensitivity will be poor, and if it is more than 35 nm, the heat will be excessive.

【0024】本発明の記録層は一般的にはスパッタ法に
より膜形成が行われ、その膜厚は10〜30nmがよい。10nm
より薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能を失
う。また、30nmを超えると記録感度が悪くなる。
The recording layer of the present invention is generally formed by a sputtering method, and its thickness is preferably 10 to 30 nm. 10nm
If the thickness is smaller, the light absorbing ability is reduced and the function as a recording layer is lost. On the other hand, if the thickness exceeds 30 nm, the recording sensitivity becomes poor.

【0025】反射放熱層は各種金属が使用可能である
が、特にAl-Ti 、 Al-Ni、 Al-Mn、 Al-Cr、 Al-Zr、 A
l-Si等のAl合金やAg-Pd 等のAg合金が望ましい。これら
の層は真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム法等
により形成され、その膜厚は20〜300nm がよい。20nm以
下では放熱効果が得られない。また、300nm 以上では界
面剥離を生じ易くなる。
Although various metals can be used for the reflective heat dissipation layer, in particular, Al-Ti, Al-Ni, Al-Mn, Al-Cr, Al-Zr, A
Al alloys such as l-Si and Ag alloys such as Ag-Pd are desirable. These layers are formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, an electron beam method, or the like, and the thickness thereof is preferably 20 to 300 nm. If it is less than 20 nm, the heat radiation effect cannot be obtained. On the other hand, if the thickness is 300 nm or more, interface peeling tends to occur.

【0026】案内溝を有するポリカーボネイト基板1上
に、スパッタリング法によりZnS-SiO2を含有する下部保
護層2、この第1保護層上のXSbTe 記録層3、この記録
層上のZnS-SiO2を含有する上部保護層4、この上部保護
層上のAl-Ti 反射放熱層5を製膜し、この反射放熱層上
にスピンコートにより塗布されたUV硬化樹脂を有する環
境保護層6 が積層されている。各層の製膜条件は、ZnS-
SiO2膜:投入電力3kW、Arガス圧力( 製膜室気圧)2E-3To
rr 、 AgInSbTe 膜:投入電力1kW 、Arガス圧力( 製膜
室気圧)2E-3Torr 、 ZnS-SiO2 膜:投入電力3kW 、 Ar
ガス圧力( 製膜室気圧)2E-3Torr 、 Al 膜:投入電力9k
W 、 Ar ガス圧力( 製膜室気圧)2mTorrとした。
On a polycarbonate substrate 1 having a guide groove, a lower protective layer 2 containing ZnS-SiO 2 , an XSbTe recording layer 3 on this first protective layer, and a ZnS-SiO 2 on this recording layer are deposited by sputtering. An upper protective layer 4 containing the Al-Ti reflective heat radiation layer 5 on the upper protective layer is formed, and an environmental protection layer 6 having a UV curable resin applied by spin coating is laminated on the reflective heat radiation layer. I have. The film forming conditions for each layer were ZnS-
SiO 2 film: input power 3kW, Ar gas pressure (film forming chamber pressure) 2E-3To
rr, AgInSbTe film: input power 1 kW, Ar gas pressure (deposition chamber pressure) 2E-3 Torr, ZnS-SiO 2 film: input power 3 kW, Ar
Gas pressure (film forming chamber pressure) 2E-3Torr, Al film: input power 9k
The W and Ar gas pressures (the film forming chamber pressure) were set at 2 mTorr.

【0027】表1は、本発明の光記録媒体の記録線速8m
/sでの繰り返し記録回数を比較例とともに調べたもので
ある。繰り返し記録回数は、ウインドウ幅Twで規格化し
たシ゛ッタ の値σ/Tw が規格値を満足する最大回数で判定
したものである。トラックピッチは0.74μmである。
Table 1 shows a recording linear velocity of the optical recording medium of the present invention of 8 m.
The number of times of repetition recording at / s was examined together with a comparative example. The number of repetitive recordings is determined by the maximum number of times that the value σ / Tw of the shutter normalized by the window width Tw satisfies the standard value. The track pitch is 0.74 μm.

【0028】(実施例)次に、実施例によって本発明を
さらに詳細に説明する。ただし本発明は以下の実施例に
よって限定されるものではない。
(Examples) Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples.

【0029】実施例1 表1に記載の組成の記録層を20nm、第1の誘電体層を70
nm、第2の誘電体層を20nm反射層を140nm としてポリカ
ーボネート基板上にスパッタ法により成膜した光記録媒
体について、その特性を4.7GBDVD-ROMの2倍速以上であ
る8m/sの記録線速において評価した結果、表1に示す様
な良好な特性が得られた。
Example 1 The recording layer having the composition shown in Table 1 was 20 nm, and the first dielectric layer was 70 nm.
The characteristics of an optical recording medium formed by sputtering on a polycarbonate substrate with the second dielectric layer being 20 nm for the second dielectric layer and the reflecting layer being 140 nm for a recording layer having a recording linear velocity of 8 m / s which is more than twice the speed of 4.7 GB DVD-ROM As a result, good characteristics as shown in Table 1 were obtained.

【0030】実施例2 実施例1に対し記録層組成を表1のように変更した記録
媒体を評価した結果、ほぼ実施例1と同等の結果を得
た。記録層組成以外は実施例1と同じである。
Example 2 As a result of evaluating a recording medium in which the composition of the recording layer was changed as shown in Table 1 with respect to Example 1, almost the same results as in Example 1 were obtained. Except for the composition of the recording layer, it is the same as Example 1.

【0031】実施例3 実施例1と同じ組成の記録層の成膜時に窒素を約3%と
したアルゴン窒素混合ガスを用いて形成した例である。
記録層組成以外は実施例1と同じである。実施例に比較
して保存信頼性が向上した。
Example 3 This is an example in which a recording layer having the same composition as in Example 1 was formed using an argon / nitrogen mixed gas containing about 3% of nitrogen.
Except for the composition of the recording layer, it is the same as Example 1. The storage reliability was improved as compared with the example.

【0032】比較例1 記録層の組成比を変え、転移線速を記録線速以下にした
記録層を用いた例である。他の構成は実施例1と同じで
ある。この場合には、オーバーライト特性が実施例より
悪い結果となり、本発明の記録層組成の効果が確認され
た。
Comparative Example 1 This is an example using a recording layer in which the composition ratio of the recording layer is changed and the transition linear velocity is lower than the recording linear velocity. Other configurations are the same as those of the first embodiment. In this case, the overwrite characteristics were worse than those of the examples, and the effect of the recording layer composition of the present invention was confirmed.

【0033】[0033]

【表1】 [Table 1]

【0034】[0034]

【発明の効果】請求項1の、SbTeを必須元素とし、SbTe
に対して少なくとも1種類以上の元素および元素Xを組
み合わせて添加してなるXaSbxTey の組成式の相変化光
記録層において転移線速範囲8m/s以上30m/s 以下の範囲
としたことによって、1.2m/s以上30m/s 以下の記録線速
範囲において良好な記録特性が実現される。
According to the first aspect, SbTe is an essential element,
In the phase-change optical recording layer of the composition formula of XaSbxTey, which is obtained by adding at least one or more elements and the element X in combination, the transition linear velocity range is set to a range of 8 m / s to 30 m / s, and Good recording characteristics are realized in the recording linear velocity range of not less than m / s and not more than 30 m / s.

【0035】請求項2の、XaSbxTey のSb及びTeの組成
比 x/(x+y)が原子比で0.50-0.90 としたことにより、オ
ーバーライト特性に優れた高線速に対応する記録媒体が
得られる。
According to the second aspect of the present invention, the composition ratio of x / (x + y) of Sb and Te in XaSbxTey is set to 0.50-0.90 in atomic ratio. can get.

【0036】請求項3の上記添加元素の含有量 aは(Sb+
Te) に対して原子比で0.15以下でとしたことによって再
生光安定性など信頼性に優れた光記録媒体が得られる。
The content a of the additional element according to claim 3 is (Sb +
By setting the atomic ratio to 0.15 or less with respect to (Te), an optical recording medium having excellent reliability such as reproduction light stability can be obtained.

【0037】請求項4の、XがAg、Au、Cu、Zn、B 、A
l、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、N 、P、Bi、La、Ce、Gd、
Tb、のうちから選ばれる1元素あるいは複数の組み合わ
せにより請求項1の転移線速範囲が実現できる。
In the fourth aspect, X is Ag, Au, Cu, Zn, B, A
l, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, N, P, Bi, La, Ce, Gd,
The transition linear velocity range of claim 1 can be realized by one element selected from Tb or a combination of plural elements.

【0038】請求項5の、上記添加元素を2種以上添加
する場合、添加元素のうちNを添加の必須元素とするこ
とにより保存信頼性の高い高線速対応の光記録媒体が得
られる。
In the case of adding two or more of the above-mentioned additional elements, an optical recording medium with high storage speed and high linear velocity with high storage reliability can be obtained by using N among the additional elements as an essential element.

【0039】請求項6の、上記記録媒体の転移線速範囲
は最高記録線速の1倍から1.5倍の範囲に設定するこ
とによって記録特性に優れた光記録媒体が得られる。
According to a sixth aspect of the present invention, an optical recording medium having excellent recording characteristics can be obtained by setting the transition linear velocity range of the recording medium to a range of 1 to 1.5 times the maximum recording linear velocity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の、レーザーのCW照射によるSb Te の
反射率変化を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a change in reflectance of SbTe due to laser CW irradiation according to the present invention.

【図2】本発明でSb Te へAg、Ge、Sn、In、5 %添加
による反射率変化を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a change in reflectance due to addition of Ag, Ge, Sn, In, and 5% to SbTe in the present invention.

【図3】本発明の記録媒体への転移線速と記録線速の関
係を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a transition linear velocity to a recording medium of the present invention and a recording linear velocity.

【図4】本発明のSb Te のTe25 %で繰返し記録特性
が良いことを示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing that the repetitive recording characteristics are good at 25% of SbTe of the present invention.

【図5】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a layer configuration of the optical recording medium of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下部保護層 3 記録層 4 上部保護層 5 反射放熱層 6 環境保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower protective layer 3 Recording layer 4 Upper protective layer 5 Reflection heat dissipation layer 6 Environmental protection layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32 EA40 FA01 FB04 FB05 FB06 FB07 FB09 FB10 FB12 FB17 FB19 FB20 FB21 FB24 FB30 5D029 JA01 JB18 JB35 JC02 5D090 AA01 BB05 CC01 CC02 DD01 EE05 FF21  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hajime Yonehara 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Eiko Suzuki 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Share Inside Ricoh Company (72) Inventor Nobuaki Onagi 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh Company (72) Inventor Hiroko Tashiro 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh F Terms (reference) 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32 EA40 FA01 FB04 FB05 FB06 FB07 FB09 FB10 FB12 FB17 FB19 FB20 FB21 FB24 FB30 5D029 JA01 JB18 JB35 JC02 5D090 AA01 BB05 CC01 CC02 DD01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Sb、Teを必須元素とし、SbTeに対して少
なくとも1種類以上の元素Xを組み合わせて添加してな
るXa Sbx Tey の組成式の相変化光記録層を有し、記録
層がレーザー光の照射により結晶相からアモルファス相
へ変化することにより情報の記録を行う光記録媒体であ
って、当該媒体は、レーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲が8m/s以
上30m/s 以下の範囲であり、記録可能な線速範囲は1.2m
/s以上30m/s 以下であることを特徴とする光記録媒体。
1. A phase change optical recording layer having a composition formula of X a Sb x Te y obtained by adding Sb and Te as essential elements and adding at least one or more elements X to SbTe in combination, An optical recording medium that records information by changing the recording layer from a crystalline phase to an amorphous phase by laser light irradiation, and the medium changes the reflectance from high level to low level by CW irradiation of laser light. The linear velocity range is 8m / s or more and 30m / s or less, and the recordable linear velocity range is 1.2m
An optical recording medium having a speed of not less than / s and not more than 30 m / s.
【請求項2】 SbとTeの組成比 x/(x+y)が原子比で0.50
-0.90 であることを特徴とする請求項1に記載の光記録
媒体。
2. The composition ratio x / (x + y) of Sb and Te is 0.50 in atomic ratio.
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the value is -0.90.
【請求項3】 上記添加元素の含有量 aは(Sb+Te) に対
して原子比で0.15以下であることを特徴とする請求項1
または2項に記載の光記録媒体。
3. The method according to claim 1, wherein the content a of the additional element is 0.15 or less in atomic ratio with respect to (Sb + Te).
Or the optical recording medium according to item 2.
【請求項4】 XがAg、Au、Cu、Zn、B 、Al、Ga、In、
Si、Ge、Sn、Pb、N、P 、Bi、La、Ce、Gd、Tb、のうち
から選ばれる1元素あるいは複数の組み合わせによるこ
とを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の
光記録媒体。
4. X is Ag, Au, Cu, Zn, B, Al, Ga, In,
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein one element selected from Si, Ge, Sn, Pb, N, P, Bi, La, Ce, Gd, and Tb or a combination of a plurality of elements is used. The optical recording medium according to the above.
【請求項5】 Xとして複数の元素を採用する場合に、
少なくとも1つをNとすることを特徴とする請求項1か
ら4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
5. When a plurality of elements are employed as X,
The optical recording medium according to claim 1, wherein at least one is N.
【請求項6】 請求項1から5のいずれか1項に記載の
記録媒体において、レーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲を光記録
媒体の読み取り装置の最高線速の1倍から1.5倍の範
囲に設定されることを特徴とする光記録媒体。
6. The recording medium according to claim 1, wherein a linear velocity range at which the reflectance changes from a high level to a low level by CW irradiation of a laser beam is set to a linear velocity range. An optical recording medium set to a range of 1 to 1.5 times the maximum linear velocity.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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