JP2002245663A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2002245663A JP2002245663A JP2001041010A JP2001041010A JP2002245663A JP 2002245663 A JP2002245663 A JP 2002245663A JP 2001041010 A JP2001041010 A JP 2001041010A JP 2001041010 A JP2001041010 A JP 2001041010A JP 2002245663 A JP2002245663 A JP 2002245663A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、DVD-ROM と同容量以上の高密度記
録が可能で、さらにこの２倍速以上（約7m/s以上) の記
録線速度をカバーできる、具体的には3.0m/sから20m/s
の範囲の高記録線速度でのオーバーライト特性が良好で
あり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性
を示す相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 Sb，Teを必須元素とし、SbTeに対して少
なくとも１種類以上の元素Ｘを組み合わせて添加してな
るＸaSbxTey の組成式の相変化光記録層を有する情報の
記録を行う光記録媒体であって、さらにレーザー光のCW
照射により反射率がハイレベルからローレベルに転移す
る線速範囲が8m/s以上30m/s 以下の範囲であることを特
徴とし、その記録可能な線速範囲は1.2m/s以上30m/s 以
下である光記録媒体を主たる構成にしたこと。
録が可能で、さらにこの２倍速以上（約7m/s以上) の記
録線速度をカバーできる、具体的には3.0m/sから20m/s
の範囲の高記録線速度でのオーバーライト特性が良好で
あり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性
を示す相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 Sb，Teを必須元素とし、SbTeに対して少
なくとも１種類以上の元素Ｘを組み合わせて添加してな
るＸaSbxTey の組成式の相変化光記録層を有する情報の
記録を行う光記録媒体であって、さらにレーザー光のCW
照射により反射率がハイレベルからローレベルに転移す
る線速範囲が8m/s以上30m/s 以下の範囲であることを特
徴とし、その記録可能な線速範囲は1.2m/s以上30m/s 以
下である光記録媒体を主たる構成にしたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関
し、さらに詳しくは、光ビームを照射することにより記
録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行ない、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体に関す
るものであり、現在市販されているDVD-ROMの線速の２
倍以上の記録線速に対応しうる光記録媒体に関するもの
である。
し、さらに詳しくは、光ビームを照射することにより記
録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行ない、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体に関す
るものであり、現在市販されているDVD-ROMの線速の２
倍以上の記録線速に対応しうる光記録媒体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として、高線速、高密度記録
に対応する書き換え可能な光ディスクには、一般にGe2S
b2Te5 の化合物組成近傍の記録材料を用いるものと、Ag
InSbTeで示されるSbTe共晶組成を主成分とする記録材料
が用いるものがあるが、高密度記録への対応性とオーバ
ーライト時の良好な消去特性により、すでに商品化さ
れ、普及が進んでいるCD-RW には後者の材料が用いられ
ている。
に対応する書き換え可能な光ディスクには、一般にGe2S
b2Te5 の化合物組成近傍の記録材料を用いるものと、Ag
InSbTeで示されるSbTe共晶組成を主成分とする記録材料
が用いるものがあるが、高密度記録への対応性とオーバ
ーライト時の良好な消去特性により、すでに商品化さ
れ、普及が進んでいるCD-RW には後者の材料が用いられ
ている。
【０００３】特開平１−３０３６４３号公報には、Sbと
Teを主成分とした記録材料が開示され、AgInSbTe系の記
録材料について、SbTe共晶組成を主成分とする記録材料
としてSb-Te 中のTeの含有量が10at％から30at％の時
に、良好なオーバーライト特性を示す事が開示されてい
る。Sb-Te の組成比により高記録線速可能な領域がある
ことを実験により確かめているが、Sb-Te のみでは一般
に結晶化温度が低く、高温高湿度の条件では記録マーク
が結晶化し、マークが消失するおそれがある。
Teを主成分とした記録材料が開示され、AgInSbTe系の記
録材料について、SbTe共晶組成を主成分とする記録材料
としてSb-Te 中のTeの含有量が10at％から30at％の時
に、良好なオーバーライト特性を示す事が開示されてい
る。Sb-Te の組成比により高記録線速可能な領域がある
ことを実験により確かめているが、Sb-Te のみでは一般
に結晶化温度が低く、高温高湿度の条件では記録マーク
が結晶化し、マークが消失するおそれがある。
【０００４】本発明者等は、これを防止する為、少量の
AgやInを代表とし、種々の元素を添加することによっ
て、高線速記録領域においても記録感度が高く、3.0m/s
から20m/s の範囲の速度でのオーバーライト繰り返し特
性と高温環境下でも十分な信頼性を示す保存特性の良好
な記録媒体を実現できるAgInSbTe相変化型光記録媒体を
得ている。
AgやInを代表とし、種々の元素を添加することによっ
て、高線速記録領域においても記録感度が高く、3.0m/s
から20m/s の範囲の速度でのオーバーライト繰り返し特
性と高温環境下でも十分な信頼性を示す保存特性の良好
な記録媒体を実現できるAgInSbTe相変化型光記録媒体を
得ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、DVD-ROM と
同容量以上の高密度記録が可能で、さらにこの２倍速以
上( 約7m/s以上) の記録線速度をカバーできる、具体的
には3.0m/sから20m/s の範囲の高記録線速度でのオーバ
ーライト特性が良好であり、かつ高温環境下で保存した
場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録媒体を提供
する。
同容量以上の高密度記録が可能で、さらにこの２倍速以
上( 約7m/s以上) の記録線速度をカバーできる、具体的
には3.0m/sから20m/s の範囲の高記録線速度でのオーバ
ーライト特性が良好であり、かつ高温環境下で保存した
場合でも十分な信頼性を示す相変化型光記録媒体を提供
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段により達成される。本発明によれば、請求項１
では Sb とTeを必須元素とし、SbTeに対して少なくとも
１種類以上の元素Ｘを添加してなるＸaSbxTey の組成式
の相変化光記録層を有し、記録層がレーザー光の照射に
より結晶相からアモルファス相へ変化することにより情
報の記録を行う光記録媒体であって、さらにレーザー光
のCW照射により反射率がハイレベルからローレベルに転
移する線速範囲が 8m/s 以上30m/s 以下の範囲であるこ
と、その記録可能な線速範囲は1.2m/s以上30m/s 以下で
あることを主要な特徴とする。
記の手段により達成される。本発明によれば、請求項１
では Sb とTeを必須元素とし、SbTeに対して少なくとも
１種類以上の元素Ｘを添加してなるＸaSbxTey の組成式
の相変化光記録層を有し、記録層がレーザー光の照射に
より結晶相からアモルファス相へ変化することにより情
報の記録を行う光記録媒体であって、さらにレーザー光
のCW照射により反射率がハイレベルからローレベルに転
移する線速範囲が 8m/s 以上30m/s 以下の範囲であるこ
と、その記録可能な線速範囲は1.2m/s以上30m/s 以下で
あることを主要な特徴とする。
【０００７】第２に、請求項１に記載の光記録媒体にお
いて、ＸaSbxTey のSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比
で0.50-0.90 であることを特徴とする。
いて、ＸaSbxTey のSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比
で0.50-0.90 であることを特徴とする。
【０００８】第３に、請求項１〜２に記載の光記録媒体
において、上記添加元素の含有量 aは(Sb+Te) に対して
原子比で0.15以下であることを特徴とする。
において、上記添加元素の含有量 aは(Sb+Te) に対して
原子比で0.15以下であることを特徴とする。
【０００９】第４に、請求項１〜３に記載の光記録媒体
において、ＸがAg、Au、Cu、Zn、B、Al、Ga、In、Si、G
e、Sn、Pb、N 、P 、Bi、La、Ce、Gd、Tb、のうちから
選ばれる１元素あるいは複数の組み合わせによることを
特徴とする。
において、ＸがAg、Au、Cu、Zn、B、Al、Ga、In、Si、G
e、Sn、Pb、N 、P 、Bi、La、Ce、Gd、Tb、のうちから
選ばれる１元素あるいは複数の組み合わせによることを
特徴とする。
【００１０】第５に、請求項１〜４に記載の光記録媒体
において、上記添加元素を２種以上添加する場合、添加
元素のうちＮを添加の必須元素とすることを特徴とす
る。
において、上記添加元素を２種以上添加する場合、添加
元素のうちＮを添加の必須元素とすることを特徴とす
る。
【００１１】第６に、請求項１〜５に記載の光記録媒体
における記録媒体のレーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲は請求項
１に記載の線速範囲であり、さらに請求項４に記載の元
素の組み合わせによる、使用される最高線速の１倍から
１．５倍の範囲にあることを特徴とする。
における記録媒体のレーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲は請求項
１に記載の線速範囲であり、さらに請求項４に記載の元
素の組み合わせによる、使用される最高線速の１倍から
１．５倍の範囲にあることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明について実施例を上
げて説明する。光記録媒体に用いられる相変化記録材料
の特徴としてレーザー光のCW照射により媒体の反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速（以下、転移
線速と呼ぶ) 範囲が存在し、その速度範囲は相変化光記
録層の元素X の種類及びその組成比により変化すること
が実験により確かめられた。これらの材料の記録特性を
評価した結果、この転移線速以下の記録線速領域におい
ては、記録方法を従来と大きく変更することなしに、良
好な特性が得られることもわかった。
げて説明する。光記録媒体に用いられる相変化記録材料
の特徴としてレーザー光のCW照射により媒体の反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速（以下、転移
線速と呼ぶ) 範囲が存在し、その速度範囲は相変化光記
録層の元素X の種類及びその組成比により変化すること
が実験により確かめられた。これらの材料の記録特性を
評価した結果、この転移線速以下の記録線速領域におい
ては、記録方法を従来と大きく変更することなしに、良
好な特性が得られることもわかった。
【００１３】SbTe光記録媒体へのレーザー光のCW照射に
よる反射率変化を図１に示す。反射率の低下が起こる線
速範囲については、レーザー光のパワー密度による依存
性があるため、絶対的な数値ではない。しかし、少なく
とも、その記録システムに用いられる光学系において、
測定することにより、その系においては基準量となるた
め、この数値をもとに、光ディスクの記録線速領域の設
計基準とすることができる。
よる反射率変化を図１に示す。反射率の低下が起こる線
速範囲については、レーザー光のパワー密度による依存
性があるため、絶対的な数値ではない。しかし、少なく
とも、その記録システムに用いられる光学系において、
測定することにより、その系においては基準量となるた
め、この数値をもとに、光ディスクの記録線速領域の設
計基準とすることができる。
【００１４】図２には、ＸaSbxTey の組成式の相変化光
記録材料おいて、それぞれ５％のAg、 Ge 、Sn、In元素
を単独で、Te含有量25％のSbTeに添加した場合の反射率
変化を示す。
記録材料おいて、それぞれ５％のAg、 Ge 、Sn、In元素
を単独で、Te含有量25％のSbTeに添加した場合の反射率
変化を示す。
【００１５】添加元素の特性により反射率が低下する転
移線速範囲は、遅い領域にシフトさせるものと速い領域
へシフトするものが存在する。Ag、Au、Cu、Zn、Ga、G
e、N、などは転移線速を遅くし、Pb、In、La、Ce、Gd、
Tbなどは、転移線速を速くする元素のグループである。
またあまり転移線速を変えないものとしてはBi、B 、S
n、Si、B 、Al、P 、などがあげられる。
移線速範囲は、遅い領域にシフトさせるものと速い領域
へシフトするものが存在する。Ag、Au、Cu、Zn、Ga、G
e、N、などは転移線速を遅くし、Pb、In、La、Ce、Gd、
Tbなどは、転移線速を速くする元素のグループである。
またあまり転移線速を変えないものとしてはBi、B 、S
n、Si、B 、Al、P 、などがあげられる。
【００１６】この結果から、SbTeの組成比及び各添加元
素の含有量及び組み合わせにより転移線速範囲は自由に
設定可能であり、特に8m/s以上25m/s 以下の範囲の転移
線速範囲を持つ材料は高線速記録が可能となるのであ
る。
素の含有量及び組み合わせにより転移線速範囲は自由に
設定可能であり、特に8m/s以上25m/s 以下の範囲の転移
線速範囲を持つ材料は高線速記録が可能となるのであ
る。
【００１７】また、ある転移速度の材料を用いて光記録
媒体を製造する場合、その光記録媒体の記録特性は転移
速度より遅い( 線速範囲は使用される最高線速の１倍か
ら１．５倍の範囲にあること) 、望ましくは1.5m/s以下
の線速範囲において記録を行うことによって良好な記録
特性が得られることも実験により確かめられた。この結
果を図3 に示す。8m/s以上30m/s の転移線速を有する記
録材料を用いた光ディスクの場合、記録可能な線速範囲
は1.2m/s以上30m/s 以下である光記録媒体が得られる。
媒体を製造する場合、その光記録媒体の記録特性は転移
速度より遅い( 線速範囲は使用される最高線速の１倍か
ら１．５倍の範囲にあること) 、望ましくは1.5m/s以下
の線速範囲において記録を行うことによって良好な記録
特性が得られることも実験により確かめられた。この結
果を図3 に示す。8m/s以上30m/s の転移線速を有する記
録材料を用いた光ディスクの場合、記録可能な線速範囲
は1.2m/s以上30m/s 以下である光記録媒体が得られる。
【００１８】以上のように調整された組成のXSbTe にお
いては、転移線速のみが合っていれば良いだけではな
く、良好な記録特性特にオーバーライト特性を得るため
には、XaSbxTeyのSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比で
0.50-0.90 であることが必要である。
いては、転移線速のみが合っていれば良いだけではな
く、良好な記録特性特にオーバーライト特性を得るため
には、XaSbxTeyのSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比で
0.50-0.90 であることが必要である。
【００１９】ちなみに、主成分であるSbTeのオーバーラ
イト特性については、図４に示す。これは、X と化合し
化学量論比となるSbおよびTeを差し引いた残りのSb/(Te
＋Sb）比r によるオーバーライト特性と同等と考えら
れ、Sb/(Te＋Sb）比r が0.75近傍の条件において良好な
オーバーライト特性が得られることがわかった。XaSbxT
eyのSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比で0.50-0.90 の
場合、残余Sb/(Te＋Sb）比r が0.75近傍に設計可能とな
る。
イト特性については、図４に示す。これは、X と化合し
化学量論比となるSbおよびTeを差し引いた残りのSb/(Te
＋Sb）比r によるオーバーライト特性と同等と考えら
れ、Sb/(Te＋Sb）比r が0.75近傍の条件において良好な
オーバーライト特性が得られることがわかった。XaSbxT
eyのSb及びTeの組成比 x/(x+y)が原子比で0.50-0.90 の
場合、残余Sb/(Te＋Sb）比r が0.75近傍に設計可能とな
る。
【００２０】さらに、光ディスクにおいては、ジッタの
低減および信頼性の確保の観点から転移線速を遅くする
Ag、およびGe、N などを必須元素として添加する必要が
ある。特にN 元素の添加は、効果が顕著である。
低減および信頼性の確保の観点から転移線速を遅くする
Ag、およびGe、N などを必須元素として添加する必要が
ある。特にN 元素の添加は、効果が顕著である。
【００２１】しかしながら、高線速対応の光ディスクに
関しては転移線速を速くする必要があるため、Ag、およ
びGe、N などに対し、Inなどの線速を速くする元素もあ
わせて添加する必要が生ずる。ただし、過剰なInの添加
については再生光安定性が問題となることも実験により
確認されている。結果は表１に示すとおりである。
関しては転移線速を速くする必要があるため、Ag、およ
びGe、N などに対し、Inなどの線速を速くする元素もあ
わせて添加する必要が生ずる。ただし、過剰なInの添加
については再生光安定性が問題となることも実験により
確認されている。結果は表１に示すとおりである。
【００２２】結果より、添加元素の含有量 aは(Sb+Te)
に対して原子比で0.15以下であること、とくに望ましく
はInなどの転移線速を速くする元素は10％以下とするこ
とによって、信頼性のある光記録媒体が実現できる。
に対して原子比で0.15以下であること、とくに望ましく
はInなどの転移線速を速くする元素は10％以下とするこ
とによって、信頼性のある光記録媒体が実現できる。
【００２３】記録層以外の処方は以下のとおりである。
光記録媒体の層構成は図５に示す。上部保護層および下
部保護層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。ま
た、その膜厚はその機能、即ち、耐熱層、多重干渉層と
しての機能によっても異なるが、下部保護層は50nmから
110nm あるいは170nm から230nm 、がよい。50nm以下で
は記録層を基板の影響から保護する機能が働かなくな
り、300nm 以上では界面剥離を生じ易くなる。また、上
部保護層は10〜35nmとするのがよい。10nm以下では記録
感度が悪くなり、35nm以上では熱がこもりすぎてしま
う。
光記録媒体の層構成は図５に示す。上部保護層および下
部保護層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム蒸着法等により形成できる。ま
た、その膜厚はその機能、即ち、耐熱層、多重干渉層と
しての機能によっても異なるが、下部保護層は50nmから
110nm あるいは170nm から230nm 、がよい。50nm以下で
は記録層を基板の影響から保護する機能が働かなくな
り、300nm 以上では界面剥離を生じ易くなる。また、上
部保護層は10〜35nmとするのがよい。10nm以下では記録
感度が悪くなり、35nm以上では熱がこもりすぎてしま
う。
【００２４】本発明の記録層は一般的にはスパッタ法に
より膜形成が行われ、その膜厚は10〜30nmがよい。10nm
より薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能を失
う。また、30nmを超えると記録感度が悪くなる。
より膜形成が行われ、その膜厚は10〜30nmがよい。10nm
より薄いと光吸収能が低下し記録層としての機能を失
う。また、30nmを超えると記録感度が悪くなる。
【００２５】反射放熱層は各種金属が使用可能である
が、特にAl-Ti 、 Al-Ni、 Al-Mn、 Al-Cr、 Al-Zr、 A
l-Si等のAl合金やAg-Pd 等のAg合金が望ましい。これら
の層は真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム法等
により形成され、その膜厚は20〜300nm がよい。20nm以
下では放熱効果が得られない。また、300nm 以上では界
面剥離を生じ易くなる。
が、特にAl-Ti 、 Al-Ni、 Al-Mn、 Al-Cr、 Al-Zr、 A
l-Si等のAl合金やAg-Pd 等のAg合金が望ましい。これら
の層は真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム法等
により形成され、その膜厚は20〜300nm がよい。20nm以
下では放熱効果が得られない。また、300nm 以上では界
面剥離を生じ易くなる。
【００２６】案内溝を有するポリカーボネイト基板１上
に、スパッタリング法によりZnS-SiO2を含有する下部保
護層２、この第１保護層上のXSbTe 記録層３、この記録
層上のZnS-SiO2を含有する上部保護層４、この上部保護
層上のAl-Ti 反射放熱層５を製膜し、この反射放熱層上
にスピンコートにより塗布されたUV硬化樹脂を有する環
境保護層6 が積層されている。各層の製膜条件は、ZnS-
SiO2膜：投入電力3kW、Arガス圧力( 製膜室気圧)2E-3To
rr 、 AgInSbTe 膜：投入電力1kW 、Arガス圧力( 製膜
室気圧)2E-3Torr 、 ZnS-SiO2 膜：投入電力3kW 、 Ar
ガス圧力( 製膜室気圧)2E-3Torr 、 Al 膜：投入電力9k
W 、 Ar ガス圧力( 製膜室気圧)2mTorrとした。
に、スパッタリング法によりZnS-SiO2を含有する下部保
護層２、この第１保護層上のXSbTe 記録層３、この記録
層上のZnS-SiO2を含有する上部保護層４、この上部保護
層上のAl-Ti 反射放熱層５を製膜し、この反射放熱層上
にスピンコートにより塗布されたUV硬化樹脂を有する環
境保護層6 が積層されている。各層の製膜条件は、ZnS-
SiO2膜：投入電力3kW、Arガス圧力( 製膜室気圧)2E-3To
rr 、 AgInSbTe 膜：投入電力1kW 、Arガス圧力( 製膜
室気圧)2E-3Torr 、 ZnS-SiO2 膜：投入電力3kW 、 Ar
ガス圧力( 製膜室気圧)2E-3Torr 、 Al 膜：投入電力9k
W 、 Ar ガス圧力( 製膜室気圧)2mTorrとした。
【００２７】表１は、本発明の光記録媒体の記録線速8m
/sでの繰り返し記録回数を比較例とともに調べたもので
ある。繰り返し記録回数は、ウインドウ幅Twで規格化し
たシ゛ッタ の値σ/Tw が規格値を満足する最大回数で判定
したものである。トラックピッチは0.74μｍである。
/sでの繰り返し記録回数を比較例とともに調べたもので
ある。繰り返し記録回数は、ウインドウ幅Twで規格化し
たシ゛ッタ の値σ/Tw が規格値を満足する最大回数で判定
したものである。トラックピッチは0.74μｍである。
【００２８】（実施例）次に、実施例によって本発明を
さらに詳細に説明する。ただし本発明は以下の実施例に
よって限定されるものではない。
さらに詳細に説明する。ただし本発明は以下の実施例に
よって限定されるものではない。
【００２９】実施例１ 表１に記載の組成の記録層を20nm、第１の誘電体層を70
nm、第２の誘電体層を20nm反射層を140nm としてポリカ
ーボネート基板上にスパッタ法により成膜した光記録媒
体について、その特性を4.7GBDVD-ROMの２倍速以上であ
る8m/sの記録線速において評価した結果、表１に示す様
な良好な特性が得られた。
nm、第２の誘電体層を20nm反射層を140nm としてポリカ
ーボネート基板上にスパッタ法により成膜した光記録媒
体について、その特性を4.7GBDVD-ROMの２倍速以上であ
る8m/sの記録線速において評価した結果、表１に示す様
な良好な特性が得られた。
【００３０】実施例２ 実施例１に対し記録層組成を表１のように変更した記録
媒体を評価した結果、ほぼ実施例１と同等の結果を得
た。記録層組成以外は実施例１と同じである。
媒体を評価した結果、ほぼ実施例１と同等の結果を得
た。記録層組成以外は実施例１と同じである。
【００３１】実施例３ 実施例１と同じ組成の記録層の成膜時に窒素を約３％と
したアルゴン窒素混合ガスを用いて形成した例である。
記録層組成以外は実施例１と同じである。実施例に比較
して保存信頼性が向上した。
したアルゴン窒素混合ガスを用いて形成した例である。
記録層組成以外は実施例１と同じである。実施例に比較
して保存信頼性が向上した。
【００３２】比較例１ 記録層の組成比を変え、転移線速を記録線速以下にした
記録層を用いた例である。他の構成は実施例１と同じで
ある。この場合には、オーバーライト特性が実施例より
悪い結果となり、本発明の記録層組成の効果が確認され
た。
記録層を用いた例である。他の構成は実施例１と同じで
ある。この場合には、オーバーライト特性が実施例より
悪い結果となり、本発明の記録層組成の効果が確認され
た。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】請求項１の、SbTeを必須元素とし、SbTe
に対して少なくとも１種類以上の元素および元素Ｘを組
み合わせて添加してなるＸaSbxTey の組成式の相変化光
記録層において転移線速範囲8m/s以上30m/s 以下の範囲
としたことによって、1.2m/s以上30m/s 以下の記録線速
範囲において良好な記録特性が実現される。
に対して少なくとも１種類以上の元素および元素Ｘを組
み合わせて添加してなるＸaSbxTey の組成式の相変化光
記録層において転移線速範囲8m/s以上30m/s 以下の範囲
としたことによって、1.2m/s以上30m/s 以下の記録線速
範囲において良好な記録特性が実現される。
【００３５】請求項２の、ＸaSbxTey のSb及びTeの組成
比 x/(x+y)が原子比で0.50-0.90 としたことにより、オ
ーバーライト特性に優れた高線速に対応する記録媒体が
得られる。
比 x/(x+y)が原子比で0.50-0.90 としたことにより、オ
ーバーライト特性に優れた高線速に対応する記録媒体が
得られる。
【００３６】請求項３の上記添加元素の含有量 aは(Sb+
Te) に対して原子比で0.15以下でとしたことによって再
生光安定性など信頼性に優れた光記録媒体が得られる。
Te) に対して原子比で0.15以下でとしたことによって再
生光安定性など信頼性に優れた光記録媒体が得られる。
【００３７】請求項４の、ＸがAg、Au、Cu、Zn、B 、A
l、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、N 、P、Bi、La、Ce、Gd、
Tb、のうちから選ばれる１元素あるいは複数の組み合わ
せにより請求項１の転移線速範囲が実現できる。
l、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、N 、P、Bi、La、Ce、Gd、
Tb、のうちから選ばれる１元素あるいは複数の組み合わ
せにより請求項１の転移線速範囲が実現できる。
【００３８】請求項５の、上記添加元素を２種以上添加
する場合、添加元素のうちＮを添加の必須元素とするこ
とにより保存信頼性の高い高線速対応の光記録媒体が得
られる。
する場合、添加元素のうちＮを添加の必須元素とするこ
とにより保存信頼性の高い高線速対応の光記録媒体が得
られる。
【００３９】請求項６の、上記記録媒体の転移線速範囲
は最高記録線速の１倍から１．５倍の範囲に設定するこ
とによって記録特性に優れた光記録媒体が得られる。
は最高記録線速の１倍から１．５倍の範囲に設定するこ
とによって記録特性に優れた光記録媒体が得られる。
【図１】本発明の、レーザーのCW照射によるＳb Ｔe の
反射率変化を示す説明図である。
反射率変化を示す説明図である。
【図２】本発明でＳb Ｔe へAg、Ge、Sn、In、5 ％添加
による反射率変化を示す説明図である。
による反射率変化を示す説明図である。
【図３】本発明の記録媒体への転移線速と記録線速の関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
【図４】本発明のＳb Ｔe のＴe25 ％で繰返し記録特性
が良いことを示す説明図である。
が良いことを示す説明図である。
【図５】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射放熱層 ６ 環境保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA31 EA32 EA40 FA01 FB04 FB05 FB06 FB07 FB09 FB10 FB12 FB17 FB19 FB20 FB21 FB24 FB30 5D029 JA01 JB18 JB35 JC02 5D090 AA01 BB05 CC01 CC02 DD01 EE05 FF21
Claims (6)
- 【請求項１】 Sb、Teを必須元素とし、SbTeに対して少
なくとも１種類以上の元素Ｘを組み合わせて添加してな
るＸa Sbx Tey の組成式の相変化光記録層を有し、記録
層がレーザー光の照射により結晶相からアモルファス相
へ変化することにより情報の記録を行う光記録媒体であ
って、当該媒体は、レーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲が8m/s以
上30m/s 以下の範囲であり、記録可能な線速範囲は1.2m
/s以上30m/s 以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 SbとTeの組成比 x/(x+y)が原子比で0.50
-0.90 であることを特徴とする請求項１に記載の光記録
媒体。 - 【請求項３】 上記添加元素の含有量 aは(Sb+Te) に対
して原子比で0.15以下であることを特徴とする請求項１
または２項に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 ＸがAg、Au、Cu、Zn、B 、Al、Ga、In、
Si、Ge、Sn、Pb、N、P 、Bi、La、Ce、Gd、Tb、のうち
から選ばれる１元素あるいは複数の組み合わせによるこ
とを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の
光記録媒体。 - 【請求項５】 Ｘとして複数の元素を採用する場合に、
少なくとも１つをＮとすることを特徴とする請求項１か
ら４のいずれか１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項に記載の
記録媒体において、レーザー光のCW照射により反射率が
ハイレベルからローレベルに転移する線速範囲を光記録
媒体の読み取り装置の最高線速の１倍から１．５倍の範
囲に設定されることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041010A JP2002245663A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041010A JP2002245663A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002245663A true JP2002245663A (ja) | 2002-08-30 |
Family
ID=18903514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001041010A Pending JP2002245663A (ja) | 2001-02-16 | 2001-02-16 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002245663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7149154B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Tdk Corporation | Medium and method for providing a desirable direct overwriting characteristic for optical data recorded at different linear recording velocities |
| US7611762B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-11-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
-
2001
- 2001-02-16 JP JP2001041010A patent/JP2002245663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7149154B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-12-12 | Tdk Corporation | Medium and method for providing a desirable direct overwriting characteristic for optical data recorded at different linear recording velocities |
| US7611762B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-11-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
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