JP2002033198A

JP2002033198A - 発光装置及びその作製方法

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Publication number: JP2002033198A
Application number: JP2001136190A
Authority: JP
Inventors: Kenji Fukunaga; 健司福永
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2001-05-07
Publication date: 2002-01-31
Anticipated expiration: 2021-05-07
Also published as: JP4713010B2

Abstract

(57)【要約】【課題】明るく良好な画質の発光装置を提供する。【解決手段】絶縁体１０１上に反射面を含む電極１０
２、有機ＥＬ層１０３および透明電極１０４からなるＥ
Ｌ素子１０５が設けられており、透明電極１０４には異
方導電体１０８を介して透明導電膜からなる補助電極１
０７が接続されている。これにより透明電極１０４の実
効的な抵抗値を下げることができ、有機ＥＬ層１０３に
対して均一な電圧を加えることが可能となるため、表示
ムラなどの表示不良を防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光性材料からな
る薄膜を用いた発光装置に関する。また、その発光装置
を表示部として用いた電気器具に関する。なお、有機Ｅ
Ｌディスプレイや有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Orga
nic Light Emitting Diode）は本発明の発光装置に含ま
れる。

【０００２】また、本発明に用いることのできる発光性
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。

【０００３】

【従来の技術】近年、ＥＬ（Electro Luminescence）が
得られる発光性材料からなる薄膜（以下、ＥＬ膜とい
う）を用いた発光素子（以下、ＥＬ素子という）の開発
が進んでいる。ＥＬ素子を有する発光装置（以下、ＥＬ
発光装置という）は、陽極と陰極との間にＥＬ膜を挟ん
だ構造からなるＥＬ素子を有し、陽極と陰極との間に電
圧を加えることで発光を得る。特に、ＥＬ膜として有機
膜を用いたものを有機ＥＬ膜という。

【０００４】陰極としては仕事関数の小さい金属（代表
的には周期表の１族もしくは２族に属する金属）を用い
ることが多く、陽極としては可視光に対して透明な導電
膜（以下、透明導電膜という）を用いることが多い。こ
のような構造であるため、得られた発光は陽極を透過し
て視認される。

【０００５】最近では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を
用いて各画素に設けられたＥＬ素子の発光を制御するア
クティブマトリクス型ＥＬ発光装置の開発が進められて
おり、試作品が発表されるに至った。ここでアクティブ
マトリクス型ＥＬ発光装置の構造を図９（Ａ）、（Ｂ）
に示す。

【０００６】図９（Ａ）において、基板９０１上にはＴ
ＦＴ９０２が形成され、ＴＦＴ９０２には陽極９０３が
接続されている。陽極９０３の上には有機ＥＬ膜９０
４、陰極９０５が形成され、陽極９０３、有機ＥＬ膜９
０４および陰極９０５からなるＥＬ素子９０６が形成さ
れている。

【０００７】このとき、有機ＥＬ膜９０４で生成された
発光は陽極９０３を透過して図中の矢印の方向に向かっ
て放射される。従って、ＴＦＴ９０２は観測者から見て
発光を遮る遮蔽物となってしまい、有効発光領域（観測
者が発光を観測しうる領域）を狭める要因となってい
た。また、有効発光領域が狭い場合、明るい画像を得る
には発光輝度を上げる必要があったが、発光輝度を上げ
ることは有機ＥＬ膜の劣化を早める結果となってしまっ
ていた。

【０００８】そこで、図９（Ｂ）に示すような構造のア
クティブマトリクス型ＥＬ発光装置が提案されている。
図９（Ｂ）において、基板９０１上にはＴＦＴ９０２が
形成され、ＴＦＴ９０２には陰極９０７が接続されてい
る。陰極９０７の上には有機ＥＬ膜９０８、陽極９０９
が形成され、陰極９０７、有機ＥＬ膜９０８および陽極
９０９からなるＥＬ素子９１０が形成されている。即
ち、図９（Ａ）に示したＥＬ素子９０６とはちょうど逆
向きの構造のＥＬ素子となる。

【０００９】このとき、原理上はＥＬ膜９０８で生成さ
れた発光が陽極９０９を透過して図中の矢印の方向に向
かって放射される。従って、ＴＦＴ９０１は観測者から
見えない位置に設けられ、陰極９０３が設けられた領域
すべてを有効発光領域とすることが可能である。

【００１０】しかしながら、図９（Ｂ）に示す構造は、
陽極９０９に均一な電圧を印加できないという問題を潜
在的に抱えている。陽極として一般的に用いられる透明
導電膜は金属膜に比べて抵抗値が高いが、熱処理により
抵抗値を下げられることが知られている。ところが有機
ＥＬ膜は耐熱性が低いため、有機ＥＬ膜を成膜した後に
１５０℃を超える熱処理を行うことはできない。

【００１１】従って、有機ＥＬ膜の上に陽極（透明導電
膜）を積層する際には熱処理を行うことができず、抵抗
値の低い陽極を形成することが困難である。即ち、陽極
の端部と中心部とで印加される電圧が異なるといった問
題が生じる可能性があり、この問題が画質不良を起こす
要因となることが懸念される。

【００１２】以上のように、有機ＥＬ膜を成膜した後に
透明導電膜を用いる構造を含む発光装置では、透明導電
膜の低抵抗化が困難という問題があった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたものであり、明るく画質の良好
な発光装置を提供することを課題とする。また、そのよ
うな発光装置を表示部として用いた画質の良い電気器具
を提供することを課題とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は有機ＥＬ膜を成
膜した後で設けられた透明電極に対して並列に補助的な
電極を接続することにより実質的に透明電極の低抵抗化
を図る点に特徴がある。ここで本発明について図１を用
いて説明する。

【００１５】図１において、１０１は絶縁体、１０２は
反射面を含む電極、１０３は有機ＥＬ層、１０４は可視
光に対して透明もしくは半透明な電極（以下、透明電極
という）であり、絶縁体１０１上には反射面を含む電極
１０２、有機ＥＬ層１０３および透明電極１０４からな
るＥＬ素子１０５が形成されている。

【００１６】なお、可視光に対して透明とは可視光を８
０〜１００％の透過率で透過することをいい、可視光に
対して半透明とは可視光を５０〜８０％の透過率で透過
することをいう。勿論、膜厚によって透過率は異なる
が、膜厚は上記範囲内に収まるように適宜設計すれば良
い。

【００１７】ここで絶縁体１０１は絶縁基板もしくは表
面に絶縁膜を設けた基板であり、ＥＬ素子を支持できる
ものであれば良い。

【００１８】また、反射面を含む電極１０２とは、金属
電極または金属電極および透明電極の積層された電極を
指す。即ち、電極の表面、裏面もしくは電極内部の界面
に可視光を反射しうる面（反射面）を含む電極を指す。

【００１９】また、有機ＥＬ層１０３は、有機ＥＬ膜ま
たは有機ＥＬ膜と有機材料との積層膜を用いることがで
きる。即ち、有機ＥＬ膜を発光層として単層で設けても
良いし、有機ＥＬ膜を発光層とし有機材料を電荷注入層
もしくは電荷輸送層として積層して設けても良い。な
お、無機材料の中には電荷注入層もしくは電荷輸送層と
して用いることのできる材料もあり、そのような無機材
料を電荷注入層もしくは電荷輸送層として用いることも
可能である。

【００２０】また、透明電極１０４としては、透明導電
膜からなる電極もしくは膜厚が５〜７０ｎｍ（代表的に
は１０〜５０ｎｍ）の金属膜（以下、半透明な金属膜と
いう）からなる電極を用いることができる。透明導電膜
としては、酸化物導電膜（代表的には酸化インジウム
膜、酸化スズ膜、酸化亜鉛膜、酸化インジウムと酸化ス
ズとの化合物膜もしくは酸化インジウムと酸化亜鉛との
化合物膜）または酸化物導電膜に酸化ガリウムを添加し
たものを用いることができる。また、透明電極１０４と
して透明導電膜を用いる場合、１０〜２００ｎｍ（好ま
しくは５０〜１００ｎｍ）とすることで８０〜９５％の
可視光を透過することができる。

【００２１】以上の構造からなるＥＬ素子１０５の上に
は、封止体１０６、封止体１０６の表面に設けられた補
助電極１０７が設けられ、補助電極１０７は導電体１０
８を介して透明電極１０４と電気的に接続されている。
なお、導電体１０８は透明電極１０４上に点在して設け
られるが、なるべく透明電極上の全面に分散させて設け
ることが好ましい。

【００２２】ここで封止体１０６は可視光に対して透明
な基板もしくはフィルムであり、ガラス基板、石英基
板、結晶化ガラス基板、プラスチック基板もしくはプラ
スチックフィルムを用いることができる。但し、プラス
チック基板もしくはプラスチックフィルムを用いる場
合、表面もしくは裏面に酸素および水の透過を防止する
保護膜（好ましくは炭素膜、具体的にはダイヤモンドラ
イクカーボン膜）を設けておくことが望ましい。

【００２３】また、補助電極１０７は透明電極１０４の
抵抗値を下げる目的で補助的に設けられた電極であり、
透明電極１０４と同様に透明導電膜からなる電極もしく
は膜厚が半透明な金属膜からなる電極を用いることがで
きる。また、補助電極１０７の膜厚を透明電極１０４と
同様に１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎ
ｍ）とすることで８０〜９５％の可視光を透過すること
ができる。

【００２４】また、導電体１０８は異方導電性膜等と呼
ばれる導電膜を用いて形成することができる。従って、
異方導電膜と呼ぶこともできる。異方導電性膜とは導電
粒子（代表的には金属粒子もしくはカーボン粒子）を均
一に分散させた樹脂膜である。本発明では、異方導電性
膜１０８をフォトリソグラフィによりパターン化して選
択的に設けるか、インクジェット法もしくは印刷法によ
り選択的に設けることが好ましい。なぜならば異方導電
性膜は可視光に対する透過率が低いため、透明電極１０
４の全面に設けてしまうと有機ＥＬ層１０３から発した
光が吸収されてしまうからである。

【００２５】以上のような構造を含む本発明の発光装置
では、補助電極１０７が透明導電膜からなる透明電極１
０４に並列に接続された電極として機能する。また、こ
のとき補助電極１０７は封止体１０６側に形成されるた
め、従来例で説明したような有機ＥＬ膜の耐熱性の制約
を受けずに抵抗値を低くすることができる。従って、本
発明を実施することにより透明電極１０４に均一な電圧
を加えることが可能となり、画質の良い画像を得ること
が可能である。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図２
を用いて説明する。図２において、２０１は素子を形成
する側の基板である。本発明では基板２０１として如何
なる材料を用いても良く、ガラス（石英ガラスを含
む）、結晶化ガラス、単結晶シリコン、セラミックス、
金属もしくはプラスチックを用いることが可能である。

【００２７】基板２０１上には画素２０２が形成され、
画素２０２はスイッチングＴＦＴ２０３及び電流制御Ｔ
ＦＴ２０４を含む構造となっている。なお、図２には三
つの画素が示されており、各々赤、緑もしくは青に発光
する画素が形成されている。スイッチングＴＦＴ２０３
はビデオ信号を画素に取り込むためのスイッチとして機
能し、電流制御ＴＦＴ２０４はＥＬ素子に流れる電流を
制御するためのスイッチとして機能する。このとき、ス
イッチングＴＦＴ２０３のドレインは電流制御ＴＦＴ２
０４のゲートに電気的に接続されている。

【００２８】スイッチングＴＦＴ２０３及び電流制御Ｔ
ＦＴ２０４の構造に限定はなく、トップゲート型（代表
的にはプレーナ型）もしくはボトムゲート型（代表的に
は逆スタガ型）を用いれば良い。また、どちらのＴＦＴ
もｎチャネル型ＴＦＴもしくはｐチャネル型を用いれば
良い。

【００２９】また、スイッチングＴＦＴ２０３及び電流
制御ＴＦＴ２０４は層間絶縁膜２０５に覆われ、その上
には導電体プラグ２０６を介して金属膜からなる画素電
極２０７と電流制御ＴＦＴ２０４のドレインとが電気的
に接続されている。また、画素電極２０７には第１の透
明電極２０８が１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１
００ｎｍ）の膜厚で積層されている。ここでは画素電極
２０７と第１の透明電極２０８とで陽極２３０を形成し
ている。

【００３０】なお、本実施の形態では電流制御ＴＦＴ２
０４のドレインと画素電極２０７とが接続されるコンタ
クトホールを導電体で埋め込む構造としている。このコ
ンタクトホールを埋め込むように設けられた導電体を導
電体プラグと呼ぶ。導電体プラグ２０６は異方導電性膜
をエッチングして形成すれば良い。勿論、画素電極２０
７を直接電流制御ＴＦＴ２０４のドレインと接続させて
も良い。

【００３１】ところで、上記コンタクトホールに起因す
る凹部では有機ＥＬ層のカバレッジが悪く、陰極と陽極
のショート（短絡）を招く恐れがあるため好ましいもの
ではない。本実施の形態では導電体プラグ２０６を用い
ることで画素電極２０７にコンタクトホールに起因する
凹部が形成されないようにできるため、陰極と陽極のシ
ョートを防ぐことができる。

【００３２】また、画素電極２０７は反射率の高い金属
膜を用いることが好ましく、アルミニウム膜（アルミニ
ウム合金膜や添加物を含むアルミニウム膜を含む）もし
くは銀薄膜を用いると良い。金属膜にアルミニウムメッ
キもしくは銀メッキを施した膜を用いても良い。

【００３３】次に、２０９は陽極２３０の間に設けた絶
縁膜（以下、バンクという）であり、陽極２３０の端部
に形成される段差を覆うように形成される。本実施の形
態ではバンク２０９を設けることで電界集中を起こしや
すい陽極２３０の端部から有機ＥＬ層を遠ざけ、電界集
中による有機ＥＬ層の劣化を防ぐ構造となっている。な
お、バンク２０９としては樹脂膜を用いても珪素を含む
絶縁膜（代表的には酸化珪素膜）を用いても良い。

【００３４】次に、２１０は赤色に発光する有機ＥＬ
層、２１１は緑色に発光する有機ＥＬ層、２１２は青色
に発光する有機ＥＬ層である。有機ＥＬ層２１０〜２１
２の層構造は公知の技術を参考にすれば良い。

【００３５】また、有機ＥＬ層２１０〜２１２を覆うよ
うにして設けられた第２の透明電極２１３は有機ＥＬ層
に電子を注入するための電極である。この第２の透明電
極２１３の仕事関数は２．５〜３．５ｅＶであることが
好ましく、周期表の１族もしくは２族に属する元素を含
む金属膜を用いると良い。ここではアルミニウムとリチ
ウムとを共蒸着した合金膜（以下、Ａｌ−Ｌｉ膜とい
う）を用いる。また、Ａｌ−Ｌｉ膜は金属膜であるた
め、膜厚を１０〜７０ｎｍ（代表的には２０〜５０ｎ
ｍ）とすることで透明電極とすることができる。

【００３６】さらに、その上には１００〜３００ｎｍ
（好ましくは１５０〜２００ｎｍ）の透明導電膜からな
る第３の透明電極２１４が設けられている。第３の透明
電極２１４は第２の透明電極２１３に電圧を加えるため
の役割を果たす電極である。ここでは第２の透明電極２
１３と第３の透明電極２１４とで陰極２３１を形成して
いる。

【００３７】また、基板２０１（ここでは基板２０１に
設けられた薄膜も含めて基板と呼んでいる）に対向させ
て設けられた封止体２１５には膜厚が１０〜２００ｎｍ
（好ましくは５０〜１００ｎｍ）の透明導電膜からなる
補助電極（第４の透明電極）２１６が形成されており、
第３の透明電極２１４および補助電極２１６は異方導電
性膜（金属粒子もしくはカーボン粒子を分散させた樹脂
膜）からなる導電体２１７を介して電気的に接続されて
いる。

【００３８】導電体２１７は、第３の透明電極２１４の
上に部分的に設けることが好ましい。即ち、異方導電性
膜は黒色もしくは灰色であるため、少なくとも画素の発
光領域に重ならないように設けることが望ましい。もち
ろん、画素間に設けることで積極的にブラックマトリク
スとして用い、画素ごとの光の指向性を高めることも可
能である。

【００３９】なお、基板２０１および封止体２１５は基
板２０１の外縁に設けられたシール材（図示せず）によ
り貼り合わせられている。また、基板２０１および封止
体２１５を貼り合わせる際、基板２０１と封止体２１５
の間隔を決めるためのスペーサ（好ましくは１〜３μ
m）を設けても良い。特に、このスペーサを導電体２１
７で兼ねることは有効である。

【００４０】また、基板２０１と封止体（対向基板）２
１５との間に形成された空間２１８には窒素ガスもしく
は希ガスを封入しておくことが好ましい。また、この空
間２１８には吸湿性をもつ物質や脱酸素性をもつ物質を
設けておくことが望ましい。

【００４１】ここで領域２１９の詳細な構造を図２
（Ｂ）に示す。図２（Ｂ）では陽極２３０、有機ＥＬ層
２１２および陰極２３１がＥＬ素子２２０を形成してい
る。図２（Ａ）に示した発光装置において最も特徴的な
点は陰極２３１を透過して発光が観測される点にある。

【００４２】ＥＬ素子２２０で生成された光のうち陽極
２３０側へ向かった光は反射率の高い表面を有する画素
電極２０７により反射され、陰極２３１側へ向かう。即
ち、画素電極２０７は陽極２３０に電流を供給する（電
子を引き抜く）電極であると同時に反射電極としての機
能をも有する。

【００４３】なお、第２の透明電極２１３は膜厚が非常
に薄いため抵抗値が高い。そのため第３の透明電極２１
４を積層して低抵抗化を図っている。しかしながら、第
３の透明電極２１４として用いる透明導電膜は有機ＥＬ
層２１２を成膜した後で形成することになるため、抵抗
値を低くすることが困難である。そこで本実施の形態で
は透明導電膜からなる第３の透明電極２１４に並列に、
透明導電膜からなる補助電極２１６を接続することによ
り第３の透明電極２１４の実質的な低抵抗化を図ってい
る。

【００４４】以上のような構造の発光装置は、画素２０
２全体が有効発光領域となるため非常に明るい画像を得
ることが可能である。また、本発明を実施することによ
り陰極２３１全体に均一な電圧を加えることができるた
め、画質の良い画像を得ることが可能である。

【００４５】

【実施例】〔実施例１〕本実施例では図２に示した発光
装置の作製工程について図３〜５を用いて説明する。な
お、図３、４に示したのは画素部における作製工程を示
す断面図である。また、本実施例によって作製される画
素の上面図（但し陽極を形成した時点での上面図）を図
５（Ａ）に、最終的な画素の回路図を図５（Ｂ）に示
す。なお、図５に用いた符号は図３、４で用いた符号に
対応している。

【００４６】まず、図３（Ａ）に示すように、基板とし
てガラス基板３０１を用意し、その上に酸化珪素膜から
なる下地膜３０２を２００ｎｍの厚さに形成する。下地
膜３０２の形成は減圧熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
スパッタ法もしくは蒸着法を用いれば良い。

【００４７】次に、下地膜３０２の上に結晶質珪素膜３
０３を５０ｎｍの厚さに形成する。結晶質珪素膜３０３
の形成方法としては公知の手段を用いることが可能であ
る。固体レーザーもしくはエキシマレーザーを用いて非
晶質珪素膜をレーザー結晶化させても良いし、非晶質珪
素膜を加熱処理（ファーネスアニール）により結晶化さ
せても良い。本実施例ではＸｅＣｌガスを用いたエキシ
マレーザーを照射することにより結晶化させる。

【００４８】次に、図３（Ｂ）に示すように、結晶質珪
素膜３０３をパターニングして島状の結晶質珪素膜３０
４、３０５を形成する。そして島状の結晶質珪素膜３０
４、３０５を覆って酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜３
０６を８０ｎｍの厚さに形成する。さらに、ゲート絶縁
膜３０６の上にゲート電極３０７、３０８を形成する。
なお、ゲート電極３０７は図面では二つに見えるが実際
には二股に分かれた同一の電極である。

【００４９】また、本実施例ではゲート電極３０７、３
０８の材料として、３５０ｎｍ厚のタングステン膜もし
くはタングステン合金膜を用いる。勿論、ゲート電極の
材料としては他の公知の材料を用いることができる。さ
らに、本実施例ではこのとき同時に接続配線３０９も形
成する。接続配線３０９は後に電流制御ＴＦＴのソース
と電流供給線とを電気的に接続するための配線である。

【００５０】次に、図３（Ｃ）に示すように、ゲート電
極３０７、３０８をマスクとして周期表の１３族に属す
る元素（代表的にはボロン）を添加する。添加方法は公
知の手段を用いれば良い。こうしてｐ型の導電型を示す
不純物領域（以下、ｐ型不純物領域という）３１０〜３
１４が形成される。また、ゲート電極の直下にはチャネ
ル形成領域３１５a、３１５b、３１６が画定する。な
お、ｐ型不純物領域３１０〜３１４はＴＦＴのソース領
域もしくはドレイン領域となる。

【００５１】次に、加熱処理を行って添加された周期表
の１３族に属する元素の活性化を行う。この活性化工程
まで行った島状の結晶質珪素膜からなるパターンを活性
層と呼ぶ。なお、この活性化はファーネスアニール、レ
ーザーアニールもしくはランプアニールにより行うか、
又はそれらを組み合わせて行えば良い。本実施例では５
００℃４時間の加熱処理を窒素雰囲気で行う。

【００５２】但し、この活性化工程では処理雰囲気中の
酸素濃度を１ｐｐｍ以下（好ましくは０．１ｐｐｍ以
下）にすることが望ましい。酸素濃度が高いとゲート電
極３０７、３０８、接続配線３０９の表面が酸化されて
しまい、後に形成するゲート配線や電流供給線との電気
的接触が難しくなってしまうからである。

【００５３】なお、活性化が終了したら、水素化処理を
行うと効果的である。水素化処理は公知の水素アニール
技術もしくはプラズマ水素化技術を用いれば良い。

【００５４】次に、図３（Ｄ）に示すように、接続配線
３０９に接するようにして電流供給線３１７を形成す
る。このような構造（上面図は図５（Ａ）の５０１で示
される領域に示す）とすることで接続配線３０９と電流
供給線３１７が電気的に接続される。なお、図示してい
ないが、このときゲート配線（図５（Ａ）の５０２で示
される配線）も同時に形成され、ゲート電極３０７と電
気的に接続される。この上面図は図５（Ａ）の５０３で
示される領域に示す。

【００５５】この５０３で示される領域において、ゲー
ト配線５０２が凸部を有しているのはゲート電極３０７
を乗り越えない部分を確保しておくための冗長設計であ
る。こうすることでゲート配線５０２がゲート電極３０
７を乗り越える部分で断線したとしてもゲート配線５０
２がそこで電気的に断線してしまうことを避けることが
できる。また、ゲート電極３０７をコの字型に加工して
いるのも、確実に両方のゲート電極に電圧が印加される
ようにするための冗長設計である。

【００５６】この電流供給線３１７及びゲート配線５０
２は接続配線３０９やゲート電極３０７よりも低抵抗な
金属膜で形成される。好ましくはアルミニウム、銅もし
くは銀を含む金属膜を用いると良い。即ち、微細なパタ
ーン精度を要求されるゲート電極には加工性の高い金属
膜を用い、抵抗率の低さを要求されるバスライン（本実
施例ではゲート配線や電流供給線）には低抵抗な金属膜
を用いる。

【００５７】ゲート配線５０２及び電流供給線３１７を
形成したら、酸化珪素膜からなる第１層間絶縁膜３１８
を８００ｎｍの厚さに形成する。形成方法としてはプラ
ズマＣＶＤ法を用いれば良い。第１層間絶縁膜３１８と
しては他の無機絶縁膜を用いても良いし、樹脂（有機絶
縁膜）を用いても良い。

【００５８】次に、図３（Ｅ）に示すように、第１層間
絶縁膜３１８にコンタクトホールを形成して配線３１９
〜３２２を形成する。本実施例では配線３１９〜３２２
としてチタン／アルミニウム／チタンの三層構造からな
る金属配線を用いる。勿論、導電膜であれば如何なる材
料を用いても良い。配線３１９〜３２２はＴＦＴのソー
ス配線もしくはドレイン配線となる。

【００５９】また、電流制御ＴＦＴのドレイン配線３２
２は接続配線３０９と電気的に接続される。その結果、
電流制御ＴＦＴ４０２のドレインと電流供給線３１７と
が電気的に接続される。

【００６０】この状態でスイッチングＴＦＴ４０１及び
電流制御ＴＦＴ４０２が完成する。本実施例ではどちら
のＴＦＴもｐチャネル型ＴＦＴで形成されるが、両方も
しくはいずれか一方をｎチャネル型ＴＦＴとしても良
い。

【００６１】また、スイッチングＴＦＴ４０１はゲート
電極が活性層を二カ所で横切るように形成されており、
二つのチャネル形成領域が直列に接続された構造となっ
ている。このような構造とすることでオフ電流値（ＴＦ
Ｔがオフされた時に流れる電流）を効果的に抑制するこ
とができる。

【００６２】また、画素内では図５（Ａ）に示すように
保持容量５０４が形成される。保持容量５０４の断面図
（図５（Ａ）をＢ−Ｂ’で切断した断面図）を図６に示
す。保持容量５０４は電流制御ＴＦＴ４０２のドレイン
に電気的に接続された半導体層５０５、ゲート絶縁膜３
０６及び容量配線５０６で形成される。即ち、半導体層
５０５と容量配線５０６はゲート絶縁膜３０６により絶
縁され、コンデンサ（保持容量）を形成している。

【００６３】容量配線５０６はゲート配線５０２や電流
供給線３１７と同時に形成され、ゲート電極３０８と接
続配線５０７とを電気的に接続する配線も兼ねる。な
お、接続配線５０７はスイッチングＴＦＴ４０１のドレ
イン配線（ソース配線として機能する場合もある）３２
０に電気的に接続されている。

【００６４】本実施例に示す保持容量の利点は、容量配
線５０６が活性層を形成した後に形成される点である。
即ち、本実施例の場合、半導体層５０５がｐ型不純物領
域となっているため、そのまま電極として用いることが
可能である。

【００６５】配線３１９〜３２２を形成したら、窒化珪
素膜もしくは窒化酸化珪素膜からなるパッシベーション
膜３２３を２００ｎｍの厚さに形成する。このパッシベ
ーション膜３２３を形成する前もしくは後に水素化処理
を行うことでＴＦＴの電気特性を向上させることができ
る。

【００６６】次に、図４（Ａ）に示すように、第２層間
絶縁膜３２４としてアクリル樹脂を１μmの厚さに形成
し、コンタクトホール３２５を開けた後、異方導電性膜
３２６を形成する。本実施例では異方導電性膜３２６と
して銀粒子を分散させたアクリル樹脂を用いる。また、
異方導電性膜３２６はコンタクトホール３２５を平坦化
することができる程度に十分な厚さで形成することが望
ましい。本実施例では、１．５μmの厚さでスピンコー
ティング法により形成する。

【００６７】次に、異方導電性膜３２６を、酸素ガスを
用いたプラズマによりエッチングする。このプロセスは
第２層間絶縁膜３２４が露呈するまで続けられる。エッ
チングが終了すると、図３（Ｂ）に示すような形状で導
電体プラグ３２７が形成されることになる。なお、第２
層間絶縁膜３２４が露呈した時、導電体プラグ３２７は
第２層間絶縁膜３２４とのエッチングレートの差により
段差を生じる場合があるが、段差が１００ｎｍ以下（好
ましくは５０ｎｍ以下）であれば特に問題とはならな
い。

【００６８】導電体プラグ３２７を形成したら、スカン
ジウムもしくはチタンを添加したアルミニウム膜及びＩ
ＴＯ膜（酸化インジウムと酸化スズとの化合物膜）を積
層し、エッチングしてスカンジウムもしくはチタンを添
加したアルミニウム膜からなる画素電極３２８及びＩＴ
Ｏ膜からなる第１の透明電極３２９を形成する。本実施
例では画素電極３２８と第１の透明電極３２９とで陽極
３４０が形成される。

【００６９】本実施例では、アルミニウム膜の膜厚は２
００ｎｍとし、ＩＴＯ膜の膜厚は１００ｎｍとする。ま
た、ＩＴＯ膜はＩＴＯ−０４Ｎ（関東化学株式会社のＩ
ＴＯ膜用エッチング溶液の商品名）でエッチング可能で
あり、アルミニウム膜は四塩化炭素（ＳｉＣｌ₄）と塩
素（Ｃｌ₂）を混合したガスを用いたドライエッチング
法によりエッチング可能である。

【００７０】こうして得られた図４（Ｂ）の断面構造
は、図５（Ａ）においてＡ−Ａ’で切断した断面構造に
相当する。

【００７１】次に、図４（Ｃ）に示すように、バンクと
して絶縁膜３３０を形成する。本実施例ではアクリル樹
脂を用いてバンク３３０を形成するが、酸化珪素膜を用
いて形成することも可能である。バンク３３０を形成し
たら第１の透明電極３２９に対して酸素雰囲気中で紫外
光を照射し、第１の透明電極３２９の表面処理を行う。
これは第１の透明電極３２９の仕事関数を大きくする作
用があり、さらに表面汚染を除去する作用もある。

【００７２】そして、有機ＥＬ膜３３１、３３２を各々
５０ｎｍの厚さに形成する。なお、有機ＥＬ膜３３１は
青色に発光する有機ＥＬ膜であり、有機ＥＬ膜３３２は
赤色に発光する有機ＥＬ膜である。なお、図示しないが
同時に緑色に発光する有機ＥＬ膜も形成する。本実施例
では、シャドーマスクを用いた蒸着法により画素ごとに
有機ＥＬ膜を作り分ける。勿論、印刷法やインクジェッ
ト法を用いて作り分けることも可能である。

【００７３】また、本実施例では有機ＥＬ膜３３１、３
３２を単層で用いる例を示しているが、正孔注入層とし
てＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）を用いた積層構造とす
ることも有効である。この場合、まず全面に銅フタロシ
アニン膜を形成し、その後、赤色、緑色及び青色に対応
する画素ごとに各々赤色に発光する有機ＥＬ膜、緑色に
発光する有機ＥＬ膜及び青色に発光する有機ＥＬ膜を形
成する。

【００７４】なお、緑色の有機ＥＬ膜を形成する時は、
有機ＥＬ膜の母体材料としてＡｌｑ ₃（トリス−８−キ
ノリノラトアルミニウム錯体）を用い、キナクリドンも
しくはクマリン６をドーパントとして添加する。また、
赤色の有機ＥＬ膜を形成する時は、有機ＥＬ膜の母体材
料としてＡｌｑ₃を用い、ＤＣＪＴ、ＤＣＭ１もしくは
ＤＣＭ２をドーパントとして添加する。また、青色の有
機ＥＬ膜を形成する時は、発光層の有機ＥＬ膜としてＢ
Ａｌｑ₃（２−メチル−８−キノリノールとフェノール
誘導体の混合配位子を持つ５配位の錯体）を用い、ペリ
レンをドーパントとして添加する。

【００７５】勿論、本発明では上記有機ＥＬ膜に限定す
る必要はなく、公知の低分子系有機ＥＬ膜、高分子系有
機ＥＬ膜を用いることが可能である。高分子系有機ＥＬ
膜を用いる場合は塗布法（スピンコート法、インクジェ
ット法もしくは印刷法）を用いることもできる。

【００７６】以上のようにして有機ＥＬ膜３３１、３３
２を形成したら、第２の透明電極３３３として２０ｎｍ
の厚さのＭｇＡｇ膜（マグネシウム（Ｍｇ）に１〜１０
％の銀（Ａｇ）を添加した金属膜）を形成し、さらに第
３の透明電極３３４として２５０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜
を形成する。本実施例では第２の透明電極３３３および
第３の透明電極３３４で陰極３４１が形成される。

【００７７】こうして陽極３４０、有機ＥＬ膜３３１
（もしくは有機ＥＬ膜３３２）及び陰極３４１からなる
ＥＬ素子４００が形成される。本実施例ではこのＥＬ素
子が発光素子として機能する。

【００７８】次に、図４（Ｄ）に示すように、封止体３
３５上に透明導電膜からなる補助電極３３６を２５０ｎ
ｍの厚さに設け、さらに、異方導電性膜からなる導電体
３３７を第３の透明電極３３４上に設ける。そして、シ
ール材（図示せず）を用いて基板３０１と封止体３３５
とを貼り合わせる。

【００７９】なお、貼り合わせ工程はアルゴン雰囲気中
で行う。その結果、空間３３８にはアルゴンが封入され
る。勿論、封入するガスは不活性ガスであれば良く、窒
素ガスもしくは希ガスを用いれば良い。また、空間３３
８には酸素もしくは水を吸着する物質を設けることが好
ましい。また、空間にするのではなく、樹脂を充填させ
ることも可能である。

【００８０】以上に示した作製工程によって、画素内に
スイッチングＴＦＴ（本実施例ではｐチャネル型ＴＦ
Ｔ）４０１及び電流制御ＴＦＴ（本実施例ではｐチャネ
ル型ＴＦＴ）４０２が形成される。本実施例では全ての
ＴＦＴをｐチャネル型ＴＦＴとするため、作製工程が非
常に簡便である。

【００８１】また、第２層間絶縁膜３２４により段差の
平坦化を行い、さらに電流制御ＴＦＴ４０２のドレイン
配線３２１と画素電極３２８とを、コンタクトホール３
２５に埋め込まれた導電体プラグ３２７を用いて電気的
に接続しているため、陽極３４０の平坦性が高い。従っ
て、有機ＥＬ膜３３２の膜厚の均一性を高めることがで
きるので画素の発光を均一なものとすることができる。

【００８２】〔実施例２〕本実施例では、図２に示した
ＥＬ発光装置とは異なる構造の画素を有したＥＬ発光装
置について図７を用いて説明する。なお、本実施例は図
２の構造に多少の変更を加えるだけで作製可能であり、
図２と異なる点に注目して説明する。従って、図２と同
一の符号が付されている部分の説明は「発明の実施の形
態」を参照すれば良い。

【００８３】本実施例では層間絶縁膜２０５にコンタク
トホールを形成したら、その状態で画素電極７０１及び
第１の透明電極７０２を形成し、コンタクトホールによ
る凹部を埋めるように絶縁膜７０３を形成する。本実施
例ではこの絶縁膜７０３を埋め込み絶縁膜と呼ぶ。埋め
込み絶縁膜７０３はバンク２０９と同時に形成すること
ができるため、特に工程を増加させることはない。

【００８４】この埋め込み絶縁膜７０３は、図２の導電
体プラグ２０６と同様にコンタクトホールによる凹部に
起因する陰極と陽極のショートを防止するためのもので
ある。このとき、埋め込み絶縁膜７０３の上面と第２の
透明電極７０２の上面との間の高さは１００〜３００ｎ
ｍとすることが好ましい。この高さが３００ｎｍを超え
るとその段差が陰極と陽極のショートを生じさせる原因
となる場合がある。また、１００ｎｍ以下になると同時
形成のバンク２０９の作用（画素電極のエッジ部におけ
る電界集中の影響を抑制する作用）が低下してしまう恐
れがある。

【００８５】本実施例では、第２の透明電極７０２を形
成した後、スピンコーティング法によりアクリル樹脂を
５００ｎｍの厚さに形成し、酸素ガスをプラズマ化して
アクリルの膜厚（但しコンタクトホール外での膜厚）が
２００ｎｍとなるまでエッチングする。こうして膜厚を
薄くした後にパターニングしてバンク２０９及び埋め込
み絶縁膜７０３を形成する。

【００８６】ここで本実施例の画素の上面構造を図８に
示す。図８において、Ａ−Ａ’で切断した断面図が図７
に相当する。なお、図８に封止体２１５、導電体２１７
は図示していない。また、基本的な画素構造は図５と同
一であるので詳細な説明は省略する。

【００８７】図８において、バンク２０９は画素電極７
０１、陽極７０２の端部の段差を隠すように形成され、
埋め込み絶縁膜７０３はバンク２０９の一部が突出して
形成されている。この突出した絶縁膜が画素電極７０１
のコンタクトホールによる凹部を埋め込む構造となって
いる。

【００８８】なお、本実施例のＥＬ発光装置は、実施例
１の作製方法に上記埋め込み絶縁膜の形成方法を組み合
わせることで容易に作製することができる。

【００８９】〔実施例３〕発明の実施の形態および実施
例１に示したＥＬ発光装置では、画素部の構造しか示し
ていないが、画素部を駆動するための駆動回路を同一基
板上に一体形成しても良い。その際、駆動回路をｎＭＯ
Ｓ回路、ｐＭＯＳ回路もしくはＣＭＯＳ回路で形成する
ことが可能である。勿論、画素部のみをＴＦＴで形成
し、外付けの駆動回路、典型的にはＩＣチップを含む駆
動回路（ＴＣＰやＣＯＧなど）を用いても良い。

【００９０】また、実施例１では画素部をｐチャネル型
ＴＦＴだけで形成して作製工程を削減しているが、この
場合はｐＭＯＳ回路で駆動回路を形成し、ｐＭＯＳで作
製できない駆動回路としてＩＣチップを含む駆動回路を
用いることもできる。

【００９１】なお、本実施例の構成は実施例１または実
施例２の構成と自由に組み合わせて実施することが可能
である。

【００９２】〔実施例４〕本実施例では、画素部に形成
するスイッチングＴＦＴ及び電流制御ＴＦＴの活性層と
して非晶質珪素膜（アモルファスシリコン膜）を用いる
例を示す。非晶質珪素膜を用いたＴＦＴとしては逆スタ
ガ型ＴＦＴが知られているが、本実施例では逆スタガ型
ＴＦＴを用いることもできる。

【００９３】非晶質珪素膜を用いてＴＦＴは作製工程が
簡便である一方、素子サイズが大きくなってしまうとい
う欠点もあったが、本発明のＥＬ発光装置ではＴＦＴの
サイズが画素の有効発光面積に影響しない。従って、非
晶質珪素膜を活性層として用いることでより安価なＥＬ
発光装置を作製することができる。

【００９４】なお、本実施例の構成は実施例１〜実施例
３のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施すること
が可能である。ただし、実施例３と組み合わせる場合、
非晶質珪素膜を用いたＴＦＴで動作速度の速い駆動回路
を作製することが困難であるため、ＩＣチップを含む駆
動回路を外付けすることが望ましい。

【００９５】〔実施例５〕実施例１〜実施例４では、ア
クティブマトリクス型ＥＬ発光装置について説明してき
たが、本発明はパッシブマトリクス型ＥＬ発光装置のＥ
Ｌ素子に対して実施することも可能である。

【００９６】なお、本実施例の構成は実施例１〜実施例
３のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施すること
が可能である。ただし、実施例３と組み合わせる場合は
ＩＣチップを含む駆動回路を外付けすることになる。

【００９７】〔実施例６〕本発明を実施して形成した発
光装置は様々な電気器具の表示部として用いることがで
きる。なお、発光装置を筐体に組み込んだディスプレイ
には、パソコン用ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディス
プレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用
ディスプレイが含まれる。

【００９８】また、その他の本発明の電気器具として
は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディス
プレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音楽再生装置（カーオーディオ、オーディ
オコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲー
ム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電
話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、画像再生装置
（記録媒体に記録された画像を再生し、その画像を表示
する表示部を備えた装置）が挙げられる。それらの具体
例を図１０、図１１に示す。

【００９９】図１０（Ａ）はＥＬディスプレイであり、
筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含
む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることが
できる。ＥＬディスプレイは自発光型であるためバック
ライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部
とすることができる。

【０１００】図１０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いる
ことができる。

【０１０１】図１０（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体２２０１、表示部２２０２、接眼部部２２０３、操作
スイッチ２２０４を含む。本発明の発光装置は表示部２
２０２に用いることができる。

【０１０２】図１０（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、
操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部
（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示す
るが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれう
る。

【０１０３】図１０（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部
２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４
０５を含む。本発明の電気光学装置は表示部２４０２に
用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッ
シュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情
報を記録したり、それを再生したりすることができる。

【０１０４】図１０（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４を含む。本発明の発光装置は表示部
２５０３に用いることができる。

【０１０５】なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。

【０１０６】また、上記電子装置はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速
度は非常に高いため、そのような動画表示を行うに適し
ている。

【０１０７】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話やカーオーディオのような文字情報を主とす
る表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背
景として文字情報を発光部分で形成するように駆動する
ことが望ましい。

【０１０８】ここで図１１（Ａ）は携帯電話であり、本
体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０
３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ
２６０６を含む。本発明の発光装置は表示部２６０４に
用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。

【０１０９】また、図１１（Ｂ）はカーオーディオであ
り、本体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２７
０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２７
０２に用いることができる。また、本実施例では車載用
カーオーディオを示すが、据え置き型のカーオーディオ
に用いても良い。なお、表示部２７０４は黒色の背景に
白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。

【０１１０】さらに、光センサを内蔵させ、使用環境の
明るさを検知する手段を設けることで使用環境の明るさ
に応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせるこ
とは有効である。使用者は使用環境の明るさに比べてコ
ントラスト比で１００〜１５０の明るさを確保できれば
問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。即ち、使
用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やすくし、
使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて消費電力を抑
えるといったことが可能である。

【０１１１】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜５に示した
いずれの構成の発光装置を用いても良い。

【０１１２】

【発明の効果】本発明では、有機ＥＬ膜を成膜した後で
形成される透明導電膜からなる電極に対して、封止体側
に設けられた透明導電膜からなる電極を異方導電性膜を
用いて電気的に接続する点に特徴がある。これにより有
機ＥＬ膜を成膜した後で形成される透明導電膜の抵抗値
を実質的に下げることができ、均一な電圧の印加を可能
とすることができる。

【０１１３】また、本発明では陰極を透明もしくは半透
明とし、且つ、ＥＬ素子の下に反射電極を設けることに
より陰極側に光を取り出す構造とした発光装置と組み合
わせることで、画素の有効発光面積が大幅に向上した明
るく画質の良好な発光装置を得ることができる。また、
本発明の発光装置を表示部として用いた良好な画質の電
気器器具を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光装置の断面構造を示す図。

【図２】発光装置の断面構造を示す図。

【図３】発光装置の作製工程を示す図。

【図４】発光装置の作製工程を示す図。

【図５】発光装置の画素の上面構造及び回路構成を示
す図。

【図６】保持容量の断面構造を示す図。

【図７】発光装置の断面構造を示す図。

【図８】発光装置の上面構造を示す図。

【図９】従来の発光装置の断面構造を示す図。

【図１０】電気器具の具体例を示す図。

【図１１】電気器具の具体例を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/24 33/24 33/28 33/28 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB05 AB18 BA06 BB01 BB07 CA01 CA02 CA05 CB01 CB03 CC00 DA01 DB03 EA01 EB00 FA02 5C094 AA04 AA07 AA08 AA43 AA47 AA48 AA53 AA55 BA03 BA27 CA19 CA24 CA25 DA09 DA12 DA13 DB01 DB02 DB04 DB05 EA02 EA05 EA06 EA07 EA10 EB02 EB04 FA01 FA02 FB01 FB12 GB10 JA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反射面を含む電極、有機ＥＬ層および透明
電極を含むＥＬ素子を有し、前記透明電極に導電体を介
して補助電極が接続されていることを特徴とする発光装
置
【請求項２】請求項１において、前記反射面を含む電極
は金属膜からなり、前記透明電極は透明導電膜からなる
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】請求項１において、前記反射面を含む電極
は金属膜および透明導電膜を積層してなり、前記透明電
極は半透明な金属膜および透明導電膜を積層してなるこ
とを特徴とする発光装置。
【請求項４】請求項３において、前記反射面を含む電極
に含まれた透明導電膜および前記半透明な金属膜に接し
て有機ＥＬ層が設けられていることを特徴とする発光装
置。
【請求項５】請求項３または請求項４において、前記半
透明な金属膜は膜厚が５〜７０ｎｍであることを特徴と
する発光装置。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一におい
て、前記補助電極は透明導電膜からなることを特徴とす
る発光装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載
の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項８】絶縁体の上に反射面を含む電極を形成し、
該反射面を含む電極の上に有機ＥＬ層を形成し、該有機
ＥＬ層の上に透明電極を形成し、該透明電極の上に導電
体を形成する過程と、封止体の表面に補助電極を形成する過程と、を有し、前記導電体と前記補助電極とが接続されるように前記絶
縁体と前記封止体とを貼り合わせることを特徴とする発
光装置の作製方法。
【請求項９】請求項８において、前記反射面を含む電極
を金属膜で形成し、前記透明電極を透明導電膜で形成す
ることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】請求項８において、前記反射面を含む電
極を金属膜および透明導電膜を積層して形成し、前記透
明電極を半透明な金属膜および透明導電膜を積層して形
成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】請求項１０において、前記半透明な金属
膜の膜厚を５〜７０ｎｍとすることを特徴とする発光装
置の作製方法。
【請求項１２】請求項８乃至請求項１１のいずれか一に
おいて、前記補助電極を透明導電膜で形成することを特
徴とする発光装置の作製方法。