JP2002001990A - Three-dimensional semiconductor element, ink tank, ink jet recording apparatus provided with the ink tank, and pressure adjustment method - Google Patents
Three-dimensional semiconductor element, ink tank, ink jet recording apparatus provided with the ink tank, and pressure adjustment methodInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容器の外部と非接触で容器内の圧力を調整す
る。
【解決手段】 立体形半導体素子11は、内部が負圧に
保たれたインクタンクに取り付けられており、エネルギ
ー変換手段14と、圧力検知手段15と、圧力調整手段
18とを有する。エネルギー変換手段14は、外部から
の起電力を電力13に変換し、圧力検知手段15および
圧力調整手段18を作動させる。圧力検知手段15は、
インクタンク内の圧力を検知する。圧力調整手段18
は、圧力検知手段15で検知した圧力に基づいてインク
タンク内に外気を導入させ、インクの消費に伴うインク
タンクの負圧の上昇を防止する。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To adjust the pressure in a container without contacting the outside of the container. SOLUTION: The three-dimensional semiconductor element 11 is attached to an ink tank whose inside is maintained at a negative pressure, and has an energy conversion means 14, a pressure detection means 15, and a pressure adjustment means 18. The energy conversion unit 14 converts an external electromotive force into electric power 13 and activates the pressure detection unit 15 and the pressure adjustment unit 18. The pressure detecting means 15
Detects the pressure in the ink tank. Pressure adjusting means 18
Is to introduce outside air into the ink tank based on the pressure detected by the pressure detecting means 15 to prevent the negative pressure of the ink tank from rising due to ink consumption.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、容器内の圧力を調
整するバルブ機能を有する半導体素子に関する。特に本
発明は、インクタンク内の圧力を検知し、その検知結果
に応じてインクタンク内の圧力を所定の圧力に保つ半導
体素子、および該素子を備えたインクタンク、該インク
タンクを着脱可能に搭載するファクシミリ・プリンター
・複写機等のインクジェット記録装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a valve function for adjusting the pressure in a container. In particular, the present invention detects a pressure in an ink tank, and according to the detection result, maintains a pressure in the ink tank at a predetermined pressure, a semiconductor element, an ink tank including the element, and a detachable ink tank. The present invention relates to an inkjet recording apparatus such as a facsimile, a printer, and a copying machine to be mounted.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、記録ヘッドに設けた複数の噴射ノ
ズルからインクを噴射させながら、記録ヘッドを搭載し
たキャリッジを用紙に対して相対的に走査することで、
画像をドットパターンで用紙に形成するインクジェット
記録装置においては、記録用のインクを収容したインク
タンクを設け、そのインクタンクのインクをインク供給
路を介して記録ヘッドに供給するようにしている。2. Description of the Related Art Conventionally, while ejecting ink from a plurality of ejection nozzles provided on a recording head, a carriage on which the recording head is mounted is relatively scanned with respect to a sheet.
In an ink jet recording apparatus that forms an image on a sheet in a dot pattern, an ink tank containing recording ink is provided, and the ink in the ink tank is supplied to a recording head via an ink supply path.
【0003】記録ヘッドは、インクを吐出する多数のノ
ズル(吐出口)を有し、インクタンクから記録ヘッドに
供給されたインクは、毛管現象と表面張力とのバランス
によってノズル内に保持されている。そのため、インク
タンクの内圧が大気圧よりも高いと、ノズルからインク
が漏れ出てしまうので、インクタンクの内圧は負圧状態
とする必要がある。一方、インクタンクが密閉容器であ
ると、インクタンク内のインクのインクの消費に伴いイ
ンクタンク内の負圧は上昇する。負圧が高すぎると、ノ
ズル内のインクがインクタンク側に引き込まれ、記録ヘ
ッドを駆動してノズルからインクを吐出させようとした
とき、インクが吐出されないという不具合が生じる。A recording head has a large number of nozzles (ejection ports) for discharging ink, and ink supplied to the recording head from an ink tank is held in the nozzles by a balance between capillary action and surface tension. . Therefore, if the internal pressure of the ink tank is higher than the atmospheric pressure, the ink leaks from the nozzles, and the internal pressure of the ink tank needs to be in a negative pressure state. On the other hand, if the ink tank is a closed container, the negative pressure in the ink tank rises with the consumption of the ink in the ink tank. If the negative pressure is too high, the ink in the nozzles is drawn into the ink tank, and when the recording head is driven to eject ink from the nozzles, a problem occurs in that the ink is not ejected.
【0004】そこで、従来のインクタンクは、その内部
の全体または一部に、多孔質体や繊維体等のインク吸収
部材を収容するとともに、インク吸収部材が収容された
室を大気と連通可能な状態とし、インク吸収部材にイン
クを吸収保持させることで、インクタンク内を負圧状態
としている。Therefore, a conventional ink tank accommodates an ink absorbing member such as a porous body or a fibrous body in the whole or a part of the inside thereof, and can communicate a chamber containing the ink absorbing member with the atmosphere. In this state, the ink absorbing member absorbs and holds the ink, so that the inside of the ink tank is in a negative pressure state.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のインクタンクでは、インクをインク吸収部材に
吸収させて保持しているので、インクの収容効率が低下
してしまう。また、インクタンクの内部を大気と連通さ
せてるといっても、インク吸収部材に対するインクの保
持量が少なくなってくると負圧は上昇し、インクタンク
の外部の圧力との関係によっては、記録ヘッドからのイ
ンクの不吐出を招くおそれがある。そこで、インクタン
ク内の圧力を調整する機能をインクタンクに付加するこ
とができれば、インク吸収部材も不要となりインクの収
容効率も向上するため、このようなインクタンクが望ま
れている。また、インクタンク内の圧力を調整するため
には、直接または間接的にでも何らかのかたちでインク
タンク内の圧力を知る必要がある。However, in the above-mentioned conventional ink tank, since the ink is absorbed and held by the ink absorbing member, the ink storage efficiency is reduced. Further, even if the inside of the ink tank is communicated with the atmosphere, the negative pressure increases as the amount of ink held in the ink absorbing member decreases, and depending on the relationship with the pressure outside the ink tank, the recording pressure may increase. There is a possibility that the ink will not be ejected from the head. Therefore, if a function of adjusting the pressure in the ink tank can be added to the ink tank, an ink absorbing member is not required, and the ink storage efficiency is improved. Therefore, such an ink tank is desired. Further, in order to adjust the pressure in the ink tank, it is necessary to know the pressure in the ink tank in some way, directly or indirectly.
【0006】上記のようなインクタンクを開発するにあ
たって、本発明者らは、直径1ミリのシリコン・ボール
の球面上に半導体集積回路を形成するというボール・セ
ミコンダクター社のボール・セミコンダクタに着目し
た。しかしながら、このような機能を持つものを調査し
たところ、ボール・セミコンダクター同士を電気配線で
接続する技術などが存在する(米国特許明細書第587
7943号参照)だけであり、上記の圧力調整機能や圧
力検知機能を持つ素子自体の開発が必要となった。ま
た、この素子をインクタンクに有効に適用できるものと
するためには、素子を起動させるための電力の供給につ
いての課題もあった。素子の起動のための電源をインク
タンクに持たせるとタンクが大型になったり、タンク外
部に電源を備える場合でも電源と素子との接続手段が必
要になり、タンクの製造コストが増え、タンクカートリ
ッジが高価になるので、外部より非接触で素子を起動さ
せねばならない。In developing the above-described ink tank, the present inventors focused on a ball semiconductor manufactured by Ball Semiconductor, which forms a semiconductor integrated circuit on a spherical surface of a silicon ball having a diameter of 1 mm. However, an investigation of a device having such a function reveals a technology for connecting the ball semiconductors with each other by electric wiring (US Pat. No. 5,587,587).
No. 7943), and it is necessary to develop an element itself having the above-mentioned pressure adjusting function and pressure detecting function. Further, in order to effectively apply this element to the ink tank, there is also a problem of supplying power for starting the element. If the ink tank has a power supply for starting the element, the tank becomes large, or even if a power supply is provided outside the tank, a connecting means between the power supply and the element is required, which increases the manufacturing cost of the tank and increases the tank cartridge. Therefore, the device must be started up from outside without contact.
【0007】本発明の目的は、容器の外部と非接触で容
器内の圧力を調整することができる立体形半導体素子を
提供することである。[0007] An object of the present invention is to provide a three-dimensional semiconductor device capable of adjusting the pressure in a container without contacting the outside of the container.
【0008】本発明の他の目的は、上記目的に加え、さ
らに、容器内の圧力を検知し、それに基づいて容器内の
圧力を調整することができる立体半導体素子を提供する
ことである。Another object of the present invention is to provide, in addition to the above objects, a three-dimensional semiconductor device capable of detecting the pressure in a container and adjusting the pressure in the container based on the detected pressure.
【0009】本発明の更なる目的は、インク収容部内の
負圧を調整することによって記録ヘッドへインクを良好
に供給するインクタンク、およびそのインクタンクを備
えたインクジェット記録装置を提供することである。A further object of the present invention is to provide an ink tank that satisfactorily supplies ink to a recording head by adjusting a negative pressure in an ink storage section, and an ink jet recording apparatus provided with the ink tank. .
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の立体形半導体素子は、内部が負圧に保たれた
容器に配される立体形半導体素子であって、前記容器の
内部の負圧に応じて前記容器の内部の負圧を調整する圧
力調整手段と、外部から与えられるエネルギーを、前記
圧力調整手段を動作させるための、前記エネルギーとは
異なる種類のエネルギーに変換するエネルギー変換手段
とを有する。A three-dimensional semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is a three-dimensional semiconductor device which is disposed in a container whose inside is maintained at a negative pressure. Pressure adjusting means for adjusting the negative pressure inside the container in accordance with the negative pressure of the container, and energy for converting the energy given from the outside into energy of a type different from the energy for operating the pressure adjusting means. Conversion means.
【0011】本発明の立体形半導体素子は、内部が負圧
に保たれた容器に配され、圧力調整手段により、容器内
の負圧を調整する。圧力調整手段を作動させるためのエ
ネルギーは、エネルギー変換手段によって、外部からの
エネルギーが異なる種類のエネルギーに変換されて与え
られる。The three-dimensional semiconductor device of the present invention is provided in a container whose inside is maintained at a negative pressure, and the negative pressure inside the container is adjusted by pressure adjusting means. Energy for operating the pressure adjusting means is provided by converting energy from the outside into different kinds of energy by the energy converting means.
【0012】このように、容器内の負圧を調整する機能
が、立体形の半導体素子に作り込まれるので、立体形半
導体素子を、その一部位を容器の外部に露出させ、か
つ、他の一部位を容器の内部に露出させて容器に取り付
けることができる。この場合、圧力調整手段を、容器の
内部と外部とを連通する通路と、この通路を開閉する弁
機構とを有する構成とすることで、弁機構による通路の
開閉によって容器の内部へ外気を導入して容器内の負圧
を調整することができる。As described above, since the function of adjusting the negative pressure in the container is built into the three-dimensional semiconductor element, the part of the three-dimensional semiconductor element is exposed to the outside of the container, and the other part is exposed to the outside. A portion can be exposed inside the container and attached to the container. In this case, the pressure adjusting means includes a passage communicating between the inside and the outside of the container and a valve mechanism for opening and closing the passage, so that outside air is introduced into the container by opening and closing the passage by the valve mechanism. Thus, the negative pressure in the container can be adjusted.
【0013】容器内の負圧に関する情報は、立体形半導
体素子の外部から与えられてもよいし、容器の内部の負
圧を検知する圧力検知手段を立体形半導体素子自身が有
する構成としてもよい。立体形半導体素子が圧力検知手
段を有する場合、圧力検知手段としては、ポリシリコン
膜で構成されたダイアフラムを有し、このダイアフラム
の変異による抵抗値変化を利用して容器内の負圧を検知
する圧力センサを用いることができる。The information on the negative pressure in the container may be given from the outside of the three-dimensional semiconductor element, or the three-dimensional semiconductor element itself may have pressure detecting means for detecting the negative pressure inside the container. . When the three-dimensional semiconductor element has a pressure detecting means, the pressure detecting means has a diaphragm formed of a polysilicon film, and detects a negative pressure in the container by using a resistance value change due to a mutation of the diaphragm. A pressure sensor can be used.
【0014】本発明の立体形半導体素子は、好ましく
は、インクジェット記録の分野における、記録ヘッドに
供給するインクを収容するインクタンクに適用される。
記録ヘッドからのインクの吐出を良好に行うために、イ
ンクタンクの内部は負圧状態とされている。しかし、記
録ヘッドからのインクの吐出に伴い、インクタンク内の
負圧は変動するため、インクタンク内の負圧を適切に保
つことは、高品位な記録を行う上で非常に重要である。The three-dimensional semiconductor device of the present invention is preferably applied to an ink tank for storing ink to be supplied to a recording head in the field of ink jet recording.
The inside of the ink tank is in a negative pressure state in order to discharge the ink from the recording head satisfactorily. However, the negative pressure in the ink tank fluctuates with the ejection of ink from the recording head. Therefore, it is very important to appropriately maintain the negative pressure in the ink tank in order to perform high-quality printing.
【0015】そこで本発明のインクタンクは、インクを
吐出する吐出ヘッドに供給するインクを収容するインク
タンクであって上記本発明の立体形半導体素子を有する
ものである。Therefore, an ink tank of the present invention is an ink tank for storing ink to be supplied to a discharge head for discharging ink, and has the three-dimensional semiconductor element of the present invention.
【0016】また本発明のインクタンクは、インクを吐
出する吐出ヘッドに供給するインクを収容し、内部が負
圧に保たれたインクタンクであって、前記内部の負圧に
応じて前記内部の負圧を調整する圧力調整手段と、外部
から与えられるエネルギーを、前記圧力調整手段を動作
させるための、前記エネルギーとは異なる種類のエネル
ギーに変換するエネルギー変換手段とを有する。Further, the ink tank of the present invention is an ink tank which stores ink to be supplied to a discharge head for discharging ink, and has an interior maintained at a negative pressure. The apparatus includes pressure adjusting means for adjusting the negative pressure, and energy converting means for converting energy supplied from the outside into energy of a type different from the energy for operating the pressure adjusting means.
【0017】このように、圧力調整手段を有する本発明
の立体形半導体素子の有する機能をインクタンクに付加
することで、インクタンク内の負圧を適切に維持するこ
とができるとともに、従来のように負圧を発生させるた
めにインク吸収部材にインクを保持させる必要がなくな
るので、インクの収容効率が向上する。さらに、負圧を
発生するインク吸収部材および専用の容器もしくは専用
室を作る必要がなくなるので、低コストのインクタンク
が達成される。As described above, by adding the function of the three-dimensional semiconductor element of the present invention having the pressure adjusting means to the ink tank, it is possible to appropriately maintain the negative pressure in the ink tank, and it is possible to appropriately maintain the negative pressure in the ink tank. Therefore, it is not necessary to hold the ink in the ink absorbing member in order to generate the negative pressure, and the ink storage efficiency is improved. Further, since it is not necessary to form an ink absorbing member for generating a negative pressure and a dedicated container or a dedicated chamber, a low-cost ink tank is achieved.
【0018】さらに、本発明によれば、内部が負圧に保
たれた容器に配され、前記容器の内部の負圧に応じて前
記容器の内部の負圧を調整する圧力調整手段と、外部か
ら与えられるエネルギーを、前記圧力調整手段を動作さ
せるための、前記エネルギーとは異なる種類のエネルギ
ーに変換するエネルギー変換手段とを有する立体形半導
体素子を用い、前記容器内の圧力を検知する圧力検知手
段で検知した圧力を前記容器内の圧力と比較して前記容
器内の圧力を一定に保つ、圧力調整方法が提供される。Further, according to the present invention, a pressure adjusting means disposed in a container whose inside is maintained at a negative pressure, for adjusting the negative pressure inside the container according to the negative pressure inside the container, Pressure detection for detecting the pressure in the container using a three-dimensional semiconductor element having energy conversion means for converting the energy provided from the pressure adjustment means into energy of a different type from the energy for operating the pressure adjustment means. A pressure regulating method is provided, wherein the pressure detected by the means is compared with the pressure in the container to keep the pressure in the container constant.
【0019】本発明のインクジェット記録装置は、イン
クを吐出する吐出ヘッドと、前記吐出ヘッドに供給する
インクを収容している本発明のインクタンクとを搭載す
る。An ink jet recording apparatus according to the present invention includes a discharge head for discharging ink, and an ink tank according to the present invention for storing ink to be supplied to the discharge head.
【0020】また本明細書中の「立体形半導体素子」の
「立体形」とは、三角柱、球、半球体、四角柱、回転楕
円体、一軸回転体など、種々の立体形を全て含む。In the present specification, the “three-dimensional shape” of the “three-dimensional semiconductor device” includes all three-dimensional shapes such as a triangular prism, a sphere, a hemisphere, a quadratic prism, a spheroid, and a uniaxial rotator.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0022】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態によるインクタンクの概略断面図であ
り、図2は、図1に示す立体形半導体素子の内部構成お
よび外部とのやり取りを表したブロック構成図である。(First Embodiment) FIG. 1 is a schematic sectional view of an ink tank according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing the internal structure of the three-dimensional semiconductor device shown in FIG. FIG. 2 is a block diagram showing exchange with the outside.
【0023】図1に示すように、本実施形態のインクタ
ンク1は、インクを収容するインク収容室2と、インク
収容室2内のインクを記録ヘッド4へ供給するためのイ
ンク供給口3とを有する。記録ヘッド4は、インクタン
ク1に着脱可能または固定してインク供給口3と接続さ
れており、インクタンク1から供給されたインクを記録
信号に基づいて複数の吐出口(不図示)から吐出させる
ことで、被記録媒体へ記録を行う。記録ヘッド4では、
インクタンク1から供給されたインクが毛管現象と表面
張力とのバランスにより吐出口内に保持されており、記
録動作時以外に記録ヘッド4からインクが漏れ出るのを
防止するために、インク収容室2内は負圧に保たれてい
る。As shown in FIG. 1, an ink tank 1 of this embodiment includes an ink storage chamber 2 for storing ink, an ink supply port 3 for supplying ink in the ink storage chamber 2 to a recording head 4, and Having. The recording head 4 is detachably or fixedly connected to the ink tank 1 and is connected to the ink supply port 3, and discharges ink supplied from the ink tank 1 from a plurality of discharge ports (not shown) based on a recording signal. Thus, recording is performed on the recording medium. In the recording head 4,
The ink supplied from the ink tank 1 is held in the ejection port by a balance between capillary action and surface tension. In order to prevent the ink from leaking from the recording head 4 except during the recording operation, the ink storage chamber 2 is provided. Inside is kept at negative pressure.
【0024】また、インクタンク1には、立体形半導体
素子(以下、単に「素子」という)11が、一部位をイ
ンクタンク1の外部に露出させ、かつ、別の一部位をイ
ンク収容室2内に露出させた状態で固定されている。素
子11の取り付け位置は特に限定されるものではない
が、少なくとも、インク収容室2内に露出した部位がイ
ンクタンク1の使用状態においてインクと接しない位
置、好ましくはインクタンク1の上壁に取り付けられ
る。In the ink tank 1, a three-dimensional semiconductor element (hereinafter simply referred to as “element”) 11 is partially exposed to the outside of the ink tank 1, and another part is disposed in the ink storage chamber 2. It is fixed in a state where it is exposed inside. Although the mounting position of the element 11 is not particularly limited, at least a position where the portion exposed in the ink storage chamber 2 does not come into contact with the ink in the use state of the ink tank 1, preferably, is mounted on the upper wall of the ink tank 1. Can be
【0025】インクタンク1は、内部が実質的に密閉さ
れた容器であり、記録時以外に記録ヘッド4の吐出口か
らインクが漏れ出ないようにするために、インク収容室
2内は一定の負圧に保たれている。ところが、インクタ
ンク1は内部が実質的に密閉された容器であるので、イ
ンク収容室2内のインクの消費に伴い、インクタンク1
の内圧は低下、すなわち負圧が高くなってくる。インク
タンク1の負圧が高くなり過ぎると、記録ヘッド4から
インクを吐出させようとしてもインクが吐出されにくく
なり、最終的にはインクが吐出されないという事態が生
じることがある。そこで、本実施形態の素子11は、イ
ンクタンク1内の圧力を検知し、その検知結果に基づい
てインクタンク1の内部と外部とを連通させ、インクタ
ンク1内の負圧の上昇を抑える機能を有する。The ink tank 1 is a container whose inside is substantially sealed. In order to prevent the ink from leaking from the ejection openings of the recording head 4 except during recording, a certain amount of ink in the ink chamber 2 is fixed. It is kept at negative pressure. However, since the ink tank 1 is a container whose inside is substantially sealed, the ink tank 1
, The negative pressure increases, that is, the negative pressure increases. If the negative pressure of the ink tank 1 becomes too high, it becomes difficult to discharge the ink even if the recording head 4 tries to discharge the ink, and eventually, the ink may not be discharged. Therefore, the element 11 of the present embodiment detects the pressure in the ink tank 1, communicates the inside and the outside of the ink tank 1 based on the detection result, and suppresses a rise in the negative pressure in the ink tank 1. Having.
【0026】この素子11の機能上の構成について、図
2を参照して説明する。The functional configuration of the element 11 will be described with reference to FIG.
【0027】図2に示すように、素子11は、インクタ
ンク1の外部Aから素子11に向かって非接触で供給さ
れた起電力12を電力13に変換するエネルギー変換手
段14と、エネルギー変換手段14で変換された電力1
3により起動する、圧力検知手段15、判断手段16、
情報蓄積手段17、および圧力調整手段18とを備えて
いる。素子11を動作させるために供給する起電力に
は、電磁誘導、熱、光、放射線などを適用することがで
きる。また、少なくともエネルギー変換手段14は素子
11の表面もしくは表面付近に形成されていることが望
ましい。As shown in FIG. 2, the element 11 includes an energy conversion means 14 for converting an electromotive force 12 supplied from the outside A of the ink tank 1 to the element 11 in a non-contact manner into an electric power 13, and an energy conversion means. Power 1 converted in 14
3, the pressure detecting means 15, the judging means 16,
An information storage unit 17 and a pressure adjusting unit 18 are provided. Electromagnetic induction, heat, light, radiation, or the like can be applied to the electromotive force supplied to operate the element 11. It is desirable that at least the energy conversion means 14 is formed on or near the surface of the element 11.
【0028】圧力検知手段15は、素子11の周囲環境
情報であるインクタンク内の圧力を検知し、判断手段1
6へ出力する。圧力検出手段15としては、例えば、素
子11の表面にダイヤフラムを設け、圧力変動に基づく
このダイヤフラムの変位から圧力を検知する圧力センサ
が挙げられる。判断手段16は、圧力検知手段15で検
知したタンク内圧情報と情報蓄積手段17に記憶されて
いる情報とを比較し、検知したタンク内圧情報を圧力調
整手段18へ伝達する必要があるか否かを判断する。情
報蓄積手段17は、インクタンク1に取り付けられる記
録ヘッド4からインクを吐出させるために必要な負圧の
上限値である内圧の条件や圧力検知手段15で検知した
タンク内圧情報そのものを蓄積する。The pressure detecting means 15 detects the pressure in the ink tank, which is information on the surrounding environment of the element 11, and determines
Output to 6. Examples of the pressure detection unit 15 include a pressure sensor that has a diaphragm on the surface of the element 11 and detects pressure from displacement of the diaphragm based on pressure fluctuation. The judging unit 16 compares the tank internal pressure information detected by the pressure detecting unit 15 with the information stored in the information storage unit 17 and determines whether the detected tank internal pressure information needs to be transmitted to the pressure adjusting unit 18. Judge. The information accumulating unit 17 accumulates the condition of the internal pressure, which is the upper limit of the negative pressure necessary for discharging ink from the recording head 4 attached to the ink tank 1, and the tank internal pressure information itself detected by the pressure detecting unit 15.
【0029】圧力調整手段18は、判断手段16からの
命令に基づき、エネルギー変換手段14により与えられ
た電力により駆動され、インクタンク1内の圧力を調整
する。圧力調整手段18としては、例えば、インクタン
ク1の内部と外部とを連通させる弁機構を用いることが
できる。この場合、インクタンク1内の内圧の調整は、
圧力検知手段15で検知された結果と、情報蓄積手段1
7に蓄積されているインクタンク内圧の値との差分をと
り、その大きさに応じて弁機構を開く時間を制御し、イ
ンクタンク1の内圧を適切な内圧とすることができる。The pressure adjusting means 18 is driven by the electric power supplied from the energy converting means 14 based on a command from the judging means 16, and adjusts the pressure in the ink tank 1. As the pressure adjusting means 18, for example, a valve mechanism for communicating the inside and the outside of the ink tank 1 can be used. In this case, the adjustment of the internal pressure in the ink tank 1 is as follows.
The result detected by the pressure detection means 15 and the information storage means 1
The internal pressure of the ink tank 1 can be set to an appropriate internal pressure by taking the difference from the value of the internal pressure of the ink tank stored in 7 and controlling the opening time of the valve mechanism according to the magnitude.
【0030】図3は、図2に示した素子の動作を説明す
るためのフローチャートである。図1〜図3を参照すれ
ば、インクタンク1の外部Aから素子11に向かって起
電力12を与えると、エネルギー変換手段14は起電力
12を電力13へと変換し、その電力13により圧力検
知手段15、判断手段16、情報蓄積手段17、および
圧力調整手段18を起動する。FIG. 3 is a flow chart for explaining the operation of the device shown in FIG. Referring to FIGS. 1 to 3, when an electromotive force 12 is applied from the outside A of the ink tank 1 toward the element 11, the energy conversion means 14 converts the electromotive force 12 into electric power 13, and the power 13 The detection unit 15, the determination unit 16, the information storage unit 17, and the pressure adjustment unit 18 are activated.
【0031】起動した圧力検知手段15は、インクタン
ク1の内圧を検知する(図3のステップS11)。次
に、判断手段16は、情報蓄積手段17より蓄積情報を
読み出し(図3のステップS12)、この読み出した条
件と検知したタンク内圧情報とを比較し、インクタンク
1の内圧の調整の必要性を判断する(図3のステップS
13)。なお、インクタンク1は、インク充填後の工場
出荷時(図3のステップS16)に、専用の検査装置に
より初期圧力が設定されており、その情報は、素子11
内のROMに、初期情報(図3のステップS17)とし
て(図19の適正範囲として示される部分)書き込まれ
ている。The activated pressure detecting means 15 detects the internal pressure of the ink tank 1 (step S11 in FIG. 3). Next, the determination means 16 reads the stored information from the information storage means 17 (step S12 in FIG. 3), compares the read conditions with the detected tank internal pressure information, and determines whether the internal pressure of the ink tank 1 needs to be adjusted. (Step S in FIG. 3)
13). The initial pressure of the ink tank 1 is set by a dedicated inspection device at the time of shipment from the factory after filling the ink (step S16 in FIG. 3).
Are written as initial information (step S17 in FIG. 3) (portion shown as an appropriate range in FIG. 19).
【0032】ステップS13において、検知されたイン
クタンク1の内圧が、情報蓄積手段17に蓄積されてい
るインクタンク1の内圧の範囲内であり、判断手段16
がインクタンク1の内圧を調整する必要がないと判断し
た場合には、圧力調整手段18は駆動されず、情報蓄積
手段17に現在のインクタンク1の内圧情報が蓄積され
る(図3のステップS14)。なお、蓄積された内圧情
報の例を図19に示している。その結果、インクタンク
1内のインク消費に伴う負圧の経時変化や、記録ヘッド
がシリアルに走査する間での負圧の経時変化を把握して
おくことができる。その情報を記録ヘッドの制御回路に
伝達して、記録ヘッドの回復動作や駆動条件の設定を最
適化させることができる。In step S13, the detected internal pressure of the ink tank 1 is within the range of the internal pressure of the ink tank 1 stored in the information storage means 17, and the determination means 16
If it is determined that the internal pressure of the ink tank 1 does not need to be adjusted, the pressure adjusting means 18 is not driven, and the current internal pressure information of the ink tank 1 is stored in the information storing means 17 (step in FIG. 3). S14). FIG. 19 shows an example of the stored internal pressure information. As a result, it is possible to grasp the temporal change of the negative pressure due to the consumption of the ink in the ink tank 1 and the temporal change of the negative pressure during the serial scanning of the print head. The information can be transmitted to the control circuit of the print head to optimize the recovery operation of the print head and the setting of the driving conditions.
【0033】またステップS13において、検知された
インクタンク1の負圧が、情報蓄積手段17に蓄積され
ているインクタンク1の内圧の上限値よりも低く、判断
手段16がインクタンク1の内圧を調整する必要がある
と判断した場合には、エネルギー変換手段15により変
換され電力13により圧力調整手段18が駆動され、圧
力調整手段18が弁機構の場合には例えば上述のように
してインクタンク1の内圧が調整される(図3のステッ
プ15)。In step S13, the detected negative pressure of the ink tank 1 is lower than the upper limit of the internal pressure of the ink tank 1 stored in the information storage means 17, and the determining means 16 determines the internal pressure of the ink tank 1 If it is determined that the adjustment is necessary, the pressure is converted by the energy conversion unit 15 and the pressure adjustment unit 18 is driven by the electric power 13. If the pressure adjustment unit 18 is a valve mechanism, for example, Is adjusted (step 15 in FIG. 3).
【0034】インクジェット記録装置に用いられる場
合、素子11に外部エネルギーとして起電力を供給する
手段を設けるのに好ましい位置としては、シリアル型の
インクジェット記録装置を例に挙げると、記録ヘッド、
キャリッジ、記録ヘッドの回復ポジション、もしくはキ
ャリッジリターンポジション等が挙げられる。これ以外
にも、起電力を供給する手段を有する装置を用いれば、
インクジェット記録装置がなくてもインクタンク内部の
状態を知ることができ、例えば、工場や販売店で、実際
にインクタンクをインクジェット記録装置に装着するこ
となく、インクタンクの内圧を調整することもできる。When used in an ink jet recording apparatus, a preferable position for providing a means for supplying an electromotive force as external energy to the element 11 is, for example, a recording head,
A carriage, a recovery position of the recording head, a carriage return position, and the like are given. In addition, if an apparatus having a means for supplying an electromotive force is used,
It is possible to know the state of the inside of the ink tank even without an ink jet recording apparatus, for example, it is also possible to adjust the internal pressure of the ink tank at a factory or a store without actually mounting the ink tank on the ink jet recording apparatus. .
【0035】以上説明したように、インクタンク1に素
子11を設けることで、素子11に起電力12を与える
だけで、インクタンク1の内圧を検知し、所定の内圧に
調整することができる。その結果、インクタンク1内の
インク残量によらず、インクタンク1内を記録ヘッド4
からのインクの吐出に適した良好な負圧状態に保つこと
ができ、記録ヘッド1にインクを安定して供給すること
ができる。また、インクタンク1内を負圧状態とするた
めに従来のようにインクをインク吸収部材に吸収させて
保持する必要もないので、インクの収容効率を向上させ
ることができる。As described above, by providing the element 11 in the ink tank 1, the internal pressure of the ink tank 1 can be detected and adjusted to a predetermined internal pressure only by applying the electromotive force 12 to the element 11. As a result, regardless of the remaining amount of ink in the ink tank 1, the recording head 4
It is possible to maintain a favorable negative pressure state suitable for discharging ink from the recording head 1, and to supply the recording head 1 with ink stably. Further, since it is not necessary to absorb and hold the ink in the ink absorbing member as in the related art in order to keep the inside of the ink tank 1 in a negative pressure state, the ink storage efficiency can be improved.
【0036】また、本実施形態によれば、素子11がエ
ネルギー変換手段15を有しているので、外部と直接的
な電気的配線を行う必要がなくなり、外部と直接的な電
気的配線を行うことが困難な個所であっても素子11を
使用することができる。さらに、素子11がエネルギー
変換手段15を有することにより、素子11を動作させ
るための起電力を蓄積する手段(本例では電源)を素子
11に設ける必要がなくなる。そのため、素子11の小
型化が可能となり、対象物中のどの個所であっても素子
11を使用することができる。つまり、インクタンク1
の最も適切な場所に素子11を設けることができる。
尚、本形態では素子11と非接触で素子11に起電力を
供給したが、一時的に外部と接触して起電力を供給した
後、外部と非接触となる形態でもよい。Further, according to the present embodiment, since the element 11 has the energy conversion means 15, there is no need to perform direct electrical wiring with the outside, and direct electrical wiring with the outside is performed. The element 11 can be used even in a place where it is difficult. Furthermore, since the element 11 has the energy conversion means 15, it is not necessary to provide a means (power supply in this example) for accumulating an electromotive force for operating the element 11. Therefore, the size of the element 11 can be reduced, and the element 11 can be used at any position in the object. That is, the ink tank 1
The element 11 can be provided at the most appropriate place.
In the present embodiment, the electromotive force is supplied to the element 11 in a non-contact manner with the element 11, but a mode in which the electromotive force is supplied in temporary contact with the outside and then non-contact with the outside may be employed.
【0037】(第2の実施の形態)図4は、本発明の第
2の実施の形態による立体形半導体素子の内部構成およ
び外部とのやり取りを表したブロック構成図である。こ
の図で示す形態の立体形半導体素子(以下、単に「素
子」という)21は、図1に示した素子11と同様にイ
ンクタンク(不図示)に固定されており、インクタンク
の外部Aから素子21に向かって非接触で供給された起
電力22を電力23に変換するエネルギー変換手段24
と、エネルギー変換手段24で変換された電力により起
動する、圧力検知手段25、判断手段26、情報蓄積手
段27、圧力調整手段28、および受信手段29とを備
えている。本実施形態は、第1の実施の形態とは受信機
能を有する点、すなわち受信手段29を有する点が第1
の実施形態と異なり、その他は第1の実施形態と同様で
ある。素子21を動作させるために供給する起電力22
には、電磁誘導、熱、光、放射線などを適用することが
できる。また、少なくともエネルギー変換手段24およ
び受信手段29は素子21の表面もしくは表面付近に形
成されていることが望ましい。(Second Embodiment) FIG. 4 is a block diagram showing the internal structure of a three-dimensional semiconductor device according to a second embodiment of the present invention and the exchange with the outside. A three-dimensional semiconductor element (hereinafter, simply referred to as an “element”) 21 in the form shown in this figure is fixed to an ink tank (not shown) similarly to the element 11 shown in FIG. Energy conversion means 24 for converting electromotive force 22 supplied to element 21 in a non-contact manner into electric power 23
And a pressure detection unit 25, a determination unit 26, an information storage unit 27, a pressure adjustment unit 28, and a reception unit 29, which are activated by the power converted by the energy conversion unit 24. This embodiment is different from the first embodiment in that the first embodiment has a receiving function, that is, the first embodiment has a receiving unit 29.
In other respects, the third embodiment is the same as the first embodiment. Electromotive force 22 supplied to operate element 21
, Electromagnetic induction, heat, light, radiation and the like can be applied. It is desirable that at least the energy conversion means 24 and the reception means 29 are formed on or near the surface of the element 21.
【0038】圧力検知手段25は、素子21の周囲環境
情報であるインクタンク内の圧力を検知し、判断手段2
6へ出力する。受信手段29は、起電力22の供給源で
ある外部A、または外部Aとは異なる外部Bからの入力
信号30を受信する。判断手段26は、受信手段29か
らの入力信号に応じて、圧力検知手段25にインクタン
ク内圧を検知させ、この検知したインクタンク内圧情報
と情報蓄積手段27に記憶してある情報とを比較し、検
知したインクタンク内圧情報が、インクタンクに取り付
けられる記録ヘッド(不図示)からインクを吐出させる
ことができるための条件を満たすかどうかを判断する。
情報蓄積手段27は、この条件や圧力検知手段25より
入手したインク情報そのものを蓄積する。圧力調整手段
28は、判断手段26からの命令に基づき、エネルギー
変換手段24により与えられた電力により駆動され、イ
ンクタンクの内圧を調整する。圧力検知手段25および
圧力調整手段28としては、第1の実施形態と同様のも
のを用いることができる。The pressure detecting means 25 detects the pressure in the ink tank, which is the surrounding environment information of the element 21, and determines
Output to 6. The receiving unit 29 receives an input signal 30 from the external A, which is a supply source of the electromotive force 22, or an external B different from the external A. The judging means 26 makes the pressure detecting means 25 detect the ink tank internal pressure in response to the input signal from the receiving means 29, and compares the detected ink tank internal pressure information with the information stored in the information storing means 27. Then, it is determined whether or not the detected ink tank internal pressure information satisfies a condition for discharging ink from a recording head (not shown) attached to the ink tank.
The information storage unit 27 stores the conditions and the ink information itself obtained from the pressure detection unit 25. The pressure adjusting unit 28 is driven by the electric power provided by the energy converting unit 24 based on a command from the determining unit 26, and adjusts the internal pressure of the ink tank. As the pressure detecting means 25 and the pressure adjusting means 28, those similar to those in the first embodiment can be used.
【0039】図5は、図4に示した素子の動作を説明す
るためのフローチャートである。図4及び図5を参照す
れば、外部Aから素子21に向かって起電力22を与え
ると、エネルギー変換手段24は起電力22を電力23
へと変換し、その電力により圧力検知手段25、判断手
段26、情報蓄積手段27、圧力調整手段28および受
信手段29を起動する。FIG. 5 is a flowchart for explaining the operation of the device shown in FIG. Referring to FIGS. 4 and 5, when an electromotive force 22 is applied from the outside A toward the element 21, the energy conversion unit 24 converts the electromotive force 22 into an electric power 23.
And the power is used to activate the pressure detecting means 25, the determining means 26, the information storing means 27, the pressure adjusting means 28 and the receiving means 29.
【0040】この状態で、外部A又は外部Bから素子2
1に送信された入力信号30が、受信手段29で受信さ
れる(図5のステップS21)。この入力信号30は、
インクタンクの内圧を素子21に聞くための信号であ
る。入力信号30は、起電力22とともに素子21に与
えてもよい。In this state, the element 2 from the external A or the external B
1 is received by the receiving means 29 (step S21 in FIG. 5). This input signal 30
This is a signal for asking the element 21 of the internal pressure of the ink tank. The input signal 30 may be provided to the element 21 together with the electromotive force 22.
【0041】入力信号30が受信されると、判断手段2
6は、圧力検知手段25に、インクタンクの内圧を検知
させ(図5のステップS22)、情報蓄積手段27から
蓄積情報を読み出し(図5のステップS23)、検知し
た内圧が前述の条件を満たすかどうかを判断する(図5
のステップS24)。なお、インクタンクは、インク充
填後の工場出荷時(図5のステップS26)に、専用の
検査装置により初期圧力が設定されており、その情報
は、素子21のROM内に、初期情報(図5のステップ
S27)として(図20の適正範囲として示される部
分)に書き込まれている。When the input signal 30 is received, the judgment means 2
6 makes the pressure detecting means 25 detect the internal pressure of the ink tank (step S22 in FIG. 5), reads out the stored information from the information storing means 27 (step S23 in FIG. 5), and the detected internal pressure satisfies the above-mentioned condition. Is determined (see FIG. 5).
Step S24). The initial pressure of the ink tank is set by a dedicated inspection device at the time of factory shipment after ink filling (step S26 in FIG. 5), and the information is stored in the ROM of the element 21 in the initial information (FIG. 5). 5 (step S27) (written as an appropriate range in FIG. 20).
【0042】ステップS24において、検知された内圧
が条件を満たさないと判断した場合には、圧力調整手段
28を駆動し、インクタンクの内圧を調整する(図5の
ステップS25)。一方、検知された内圧が条件を満た
している場合には、情報蓄積手段27に現在のインクタ
ンクの内圧増俸が蓄積される(図5のステップS2
8)。なお、蓄積された内圧情報の例を図20に示して
いる。その結果、インクタンク内のインク消費に伴う負
圧の経時変化や、記録ヘッドがシリアルに走査する間で
の負圧の経時変化を把握しておくことができる。その情
報を記録ヘッドの制御回路に伝達して、記録ヘッドの回
復動作や駆動条件の設定を最適化させることができる。If it is determined in step S24 that the detected internal pressure does not satisfy the condition, the pressure adjusting means 28 is driven to adjust the internal pressure of the ink tank (step S25 in FIG. 5). On the other hand, when the detected internal pressure satisfies the condition, the current internal pressure increase of the ink tank is stored in the information storage unit 27 (step S2 in FIG. 5).
8). FIG. 20 shows an example of the stored internal pressure information. As a result, it is possible to grasp the temporal change of the negative pressure due to the consumption of the ink in the ink tank and the temporal change of the negative pressure during the serial scanning of the print head. The information can be transmitted to the control circuit of the print head to optimize the recovery operation of the print head and the setting of the driving conditions.
【0043】本実施形態によれば、外部からの信号を受
信する機能を有しているため、第1の実施の形態による
効果に加え、外部からの様々な種類の信号による質問に
対して返答することが可能となり、素子と外部とで情報
のやり取りを行うことができる。According to the present embodiment, since it has a function of receiving signals from the outside, in addition to the effects of the first embodiment, it is possible to respond to questions by various kinds of signals from the outside. It is possible to exchange information between the element and the outside.
【0044】なお、本実施形態では一つの素子21に圧
力検知手段25および圧力調整手段28を設けた場合に
ついて説明したが、これら圧力検知手段と圧力調整手段
とを別々の素子に設け、一方の素子で、インクタンクの
内圧を検知するとともに、インクタンクの内圧の調整が
必要か否かを判断し、調整が必要な場合にはその旨を、
圧力調整手段が設けられた他方の素子に伝達し、他方の
素子で圧力を調整する構成としてもよい。In this embodiment, the case where the pressure detecting means 25 and the pressure adjusting means 28 are provided in one element 21 has been described. However, these pressure detecting means and the pressure adjusting means are provided in separate elements, and one of them is provided. The element detects the internal pressure of the ink tank and determines whether or not the internal pressure of the ink tank needs to be adjusted.
The pressure may be transmitted to the other element provided with the pressure adjusting means, and the pressure may be adjusted by the other element.
【0045】(その他の実施の形態)以下に、上述した
各実施形態に適用可能なその他の実施形態について説明
する。(Other Embodiments) Hereinafter, other embodiments applicable to the above-described embodiments will be described.
【0046】〈エネルギー変換手段〉エネルギー変換手
段の具体的な例について、電磁誘導を利用して電力を発
生させる場合を例に挙げて説明する。<Energy Conversion Means> A specific example of the energy conversion means will be described with reference to an example in which electric power is generated using electromagnetic induction.
【0047】図6は、本発明の立体形半導体素子の構成
要素であるエネルギー変換手段の、電磁誘導を利用して
電力を発生させる例を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an example in which the energy conversion means, which is a component of the three-dimensional semiconductor device of the present invention, generates electric power using electromagnetic induction.
【0048】図6において、コイルLaを有する外部共
振回路101と、コイルLをを有する発振回路102と
を、両コイルLa,Lを隣接させて設置する。この状態
で、外部共振回路101を通じてコイルLaに電流Iaを
流すと、電流Iaによって発振回路102のコイルLを
貫く磁束Bが生じる。ここで、電流Iaを変化させると
コイルLを貫く磁束Bが変化するので、コイルLには誘
導起電力Vが生じる。したがって、本発明の立体形半導
体素子にエネルギー変換手段として発振回路102を作
り込み、その素子の外部の例えばインクジェット記録装
置に、外部共振回路101を、素子側の発振回路102
のコイルLと素子外部の共振回路101のコイルLaと
が隣接するように配設する事により、外部からの電磁誘
導による誘導起電力で、素子を動作させる電力を発生す
ることができる。[0048] In FIG. 6, an external resonator circuit 101 having a coil La, and an oscillation circuit 102 having a coil L, the coil L a, is adjacent L is installed. In this state, when a current flows I a in the coil L a via the external resonance circuit 101, the magnetic flux B that penetrates the coil L of oscillation circuit 102 by the current I a generated. Here, when the current Ia is changed, the magnetic flux B passing through the coil L changes, so that an induced electromotive force V is generated in the coil L. Therefore, the oscillation circuit 102 is formed as an energy conversion means in the three-dimensional semiconductor device of the present invention, and the external resonance circuit 101 is connected to, for example, an inkjet recording apparatus outside the device, and the oscillation circuit 102 of the
By coil L and elements outside of the coil L a of the resonant circuit 101 is disposed to be adjacent, in the induced electromotive force by electromagnetic induction from the outside, it is possible to generate electric power for operating the device.
【0049】素子にエネルギー変換手段として作り込ん
だ発振回路102のコイルLを貫く磁束Bは、外部共振
回路101のコイルLaの巻き数Naと電流Iaの積に比
例するから、比例定数をkとして、The magnetic flux B that penetrates the coil L of oscillation circuit 102 to elaborate made as energy conversion means in the device is proportional to the product of number of turns N a and current I a of the coil L a of the external resonant circuit 101, the proportionality constant Where k is
【0050】[0050]
【数1】 で表される。(Equation 1) It is represented by
【0051】また、コイルLの巻き数をNとしたとき、
コイルLに生じる起電力Vは、When the number of turns of the coil L is N,
The electromotive force V generated in the coil L is
【0052】[0052]
【数2】 となる。(Equation 2) Becomes
【0053】ここで、コイルLの磁心の透磁率をμa、
磁界をH、外部共振回路102のコイルLaと素子に作
り込んだコイルLとの距離をzとすると、磁束Bは、Here, the permeability of the magnetic core of the coil L is μ a ,
When a magnetic field H, the distance between the coil L to elaborate make the coil L a and the element of external resonance circuit 102 is z, the magnetic flux B is
【0054】[0054]
【数3】 となる。(Equation 3) Becomes
【0055】また、(2)式の相互インダクタンスM
は、Further, the mutual inductance M of the equation (2)
Is
【0056】[0056]
【数4】 となる。ここで、μoは、真空での透磁率である。(Equation 4) Becomes Here, μ o is the magnetic permeability of a vacuum.
【0057】そして、素子に作り込んだ発信回路102
のインピーダンスZは、Then, the transmitting circuit 102 built in the element
The impedance Z of
【0058】[0058]
【数5】 と表され、外部共振回路101のインピーダンスZ
aは、(Equation 5) And the impedance Z of the external resonance circuit 101
a is
【0059】[0059]
【数6】 となる.ここで、Jは、磁化を表している。(Equation 6) Becomes Here, J represents magnetization.
【0060】この外部共振回路101が共振(電流値:
Iaが最大になるとき)した時のインピーダンスZ0は、The external resonance circuit 101 has resonance (current value:
The impedance Z 0 when I a becomes maximum) is
【0061】[0061]
【数7】 となり、この共振回路102の位相の遅れφは、(Equation 7) And the phase delay φ of the resonance circuit 102 is
【0062】[0062]
【数8】 となる。(Equation 8) Becomes
【0063】そして、この外部共振回路101の共振周
波数foは、The resonance frequency f o of the external resonance circuit 101 is
【0064】[0064]
【数9】 で求められる。(Equation 9) Is required.
【0065】上記のような関係から、素子に作り込んだ
発振回路102のインピーダンスZがインクタンク内の
インクの変化に応じて変化すると、外部共振回路101
の周波数が変化し、外部共振回路101のインピーダン
スZaの振幅および位相差に、上記のインクの変化が表
れてくる。さらには、この位相差や振幅には、インク残
量(即ち、Zの変化)も含まれている。From the above relationship, when the impedance Z of the oscillation circuit 102 built in the element changes according to the change of the ink in the ink tank, the external resonance circuit 101
The frequency changes, the amplitude and phase difference of the impedance Z a of the external resonant circuit 101, the change of the ink come appear. Further, the phase difference and the amplitude include the remaining amount of ink (that is, a change in Z).
【0066】例えば、外部共振回路101の共振周波数
foを変化させることで、素子に作り込んだ発振回路1
02からの出力(インピーダンスZ)が、周囲の環境変
化に応じて変化するので、この周波数依存性を検出する
ことで、インクの有無やインク残量を検出することもで
きる。For example, by changing the resonance frequency fo of the external resonance circuit 101, the oscillation circuit 1
Since the output from Z02 (impedance Z) changes according to a change in the surrounding environment, the presence or absence of ink and the remaining amount of ink can be detected by detecting this frequency dependency.
【0067】したがって、素子に作り込む発振回路10
2は、電力を発生させるエネルギー変換手段としてのみ
ならず、その発振回路102と外部共振回路101との
関係で、インクタンク内のインクの変化を検知する手段
として用いることもできる。Therefore, the oscillation circuit 10 built in the element
Reference numeral 2 can be used not only as an energy conversion unit for generating electric power but also as a unit for detecting a change in ink in the ink tank based on the relationship between the oscillation circuit 102 and the external resonance circuit 101.
【0068】図6に示した例では、素子を起動させる電
力を供給する外部エネルギーにコイルによる電磁誘導を
利用したが、これ以外に、光の明暗を利用してもよい。
光の明暗を電気信号に変換する場合は、光の照射により
抵抗値が変化する材料(例えば、光導電体)を用いて、
光導電効果により電力を発生させることができる。光導
電体としては例えば、CdS,InSbやHg0.8Cd
0.2Teなどの二元合金/三元合金や、GaAs,S
i,Va−Siなどが用いられる。さらに、起電力とし
て熱を使用する場合は、物質の放射エネルギーから量子
効果により電力を発生させることができる。In the example shown in FIG. 6, electromagnetic induction by a coil is used for external energy for supplying electric power for activating the element, but light and darkness of light may be used instead.
When converting light and darkness of light into an electric signal, using a material whose resistance value changes by irradiation of light (for example, a photoconductor),
Electric power can be generated by the photoconductive effect. As the photoconductor, for example, CdS, InSb or Hg 0.8 Cd
0.2 binary alloy / ternary alloys such as Te or, GaAs, S
i, Va-Si or the like is used. Further, when heat is used as an electromotive force, power can be generated from the radiant energy of a substance by a quantum effect.
【0069】〈圧力調整手段〉圧力調整手段の具体的な
構造の一例について、その製造工程とともに説明する。<Pressure Adjusting Means> An example of a specific structure of the pressure adjusting means will be described together with its manufacturing process.
【0070】図7は、本発明の立体形半導体素子に設け
られる圧力調整手段の構造の一例を、前述したボール・
セミコンダクタに用いられる球状シリコンに形成する場
合について説明する図であり、図8は、図7に示す圧力
調整手段の製造工程を説明する図である。なお、図7お
よび図8では、球状シリコンの中心を通る断面で示して
いる。FIG. 7 shows an example of the structure of the pressure adjusting means provided in the three-dimensional semiconductor device of the present invention.
FIG. 8 is a diagram for explaining a case of forming on spherical silicon used for a semiconductor, and FIG. 8 is a diagram for explaining a manufacturing process of the pressure adjusting means shown in FIG. 7. 7 and 8 show a cross section passing through the center of the spherical silicon.
【0071】図7に示すように、球状シリコン200の
互いに相対する2つの箇所にそれぞれベース電極201
が形成されている。また、球状シリコン200を取り囲
んで、SiN膜206が形成されている。SiN膜20
6は、各ベース電極201と対向する領域が、球状シリ
コン200の表面と間隔をあけて片持ち支持された可動
部210,211となっている。各可動部210,21
1には、それぞれベース電極201と対向するバルブ電
極205が設けられている。また、SiN膜2106
は、部分的に、一方のベース電極201から他方のベー
ス電極201にわたる領域が球状シリコン200と間隔
をあけて形成されており、この部分が、一方の可動部2
10側と他方の可動部211側との間での気体の流通を
可能とする通路212となっている。As shown in FIG. 7, base electrodes 201 are respectively provided at two positions of spherical silicon 200 facing each other.
Are formed. Further, a SiN film 206 is formed surrounding the spherical silicon 200. SiN film 20
Reference numeral 6 denotes movable portions 210 and 211 in which the region facing each base electrode 201 is cantilevered at a distance from the surface of the spherical silicon 200. Each movable part 210, 21
1 is provided with a bulb electrode 205 facing the base electrode 201, respectively. Also, the SiN film 2106
Is formed in such a manner that a region extending from one base electrode 201 to the other base electrode 201 is spaced apart from the spherical silicon 200, and this portion is
The passage 212 allows gas to flow between the 10 side and the other movable section 211 side.
【0072】次に、図7に示した圧力調整手段の製造方
法について図8を参照して説明する。Next, a method of manufacturing the pressure adjusting means shown in FIG. 7 will be described with reference to FIG.
【0073】まず、図8(a)に示す球状シリコン20
1に対し、その全表面上に、図8(b)に示すようにP
SG(phospho silicate glass)膜202を形成する。
なお、 PSG膜202を形成する前に、球状シリコン
201には、その中心に対して対称となる2カ所に、そ
れぞれベース電極201が予め形成されている。その
後、図8(c)に示すようにPSG膜202に少なくと
もベース電極201を露出させる開口203、および後
述する通路を形成するため、フォトリソグラフィプロセ
スを用いて、通路となる部分を残してPSG膜202を
パターニングする。First, the spherical silicon 20 shown in FIG.
1 on the entire surface, as shown in FIG.
An SG (phospho silicate glass) film 202 is formed.
Before the PSG film 202 is formed, base electrodes 201 are respectively formed on the spherical silicon 201 at two locations symmetrical with respect to the center thereof. Thereafter, as shown in FIG. 8C, the PSG film 202 is formed by using a photolithography process to form an opening 203 for exposing at least the base electrode 201 in the PSG film 202 and a passage to be described later. 202 is patterned.
【0074】そして、図8(d)に示すように、ベース
電極201およびPSG膜202を覆って、メタルCV
D法によってCu膜204を形成し、そのCu膜204
を、ベース電極201上およびその周囲の部分を残して
除去する。その後、図8(e)に示すように、Cu膜2
04上の、後述する可動部となる部分にバルブ電極20
5を形成し、さらに、球状シリコン200の全周に、こ
れらPSG膜202、Cu膜204およびバルブ電極2
05を覆って、PECVD法を用いてSiN膜206を
形成する。Then, as shown in FIG. 8D, the metal CV is covered with the base electrode 201 and the PSG film 202.
A Cu film 204 is formed by the D method, and the Cu film 204 is formed.
Is removed except for the part on the base electrode 201 and the surrounding area. Thereafter, as shown in FIG.
The bulb electrode 20 is placed on a portion of the
5 is formed, and the PSG film 202, the Cu film 204, and the valve electrode 2 are formed all around the spherical silicon 200.
05, an SiN film 206 is formed by using the PECVD method.
【0075】更に、図8(f)に示すように、SiN膜
206を、可動部の形状にパターニングする。この段階
での素子の概略の平面図を図9に示す。SiN膜206
のパターニングにより、図9に示すように、SiN膜2
06のCu膜204上の部分に、放射状のスリット20
6aが形成される。そして、Cu膜204およびPSG
膜202を適宜溶剤で溶解して除去する。これにより、
図8(g)に示すように、上部および下部の2カ所にそ
れぞれ球状シリコン200と間隔をあけて支持されて弁
として作用する可動部210,211を備え、上部の可
動部210と球状シリコン200との間の空間と、下部
の可動部211と球状シリコン200との間の空間と
が、通路212によって互いに繋がった構造を有する立
体形半導体素子が得られる。Further, as shown in FIG. 8F, the SiN film 206 is patterned into a shape of a movable portion. FIG. 9 shows a schematic plan view of the element at this stage. SiN film 206
By patterning the SiN film 2 as shown in FIG.
06 on the Cu film 204, the radial slit 20
6a is formed. Then, the Cu film 204 and the PSG
The film 202 is appropriately dissolved and removed with a solvent. This allows
As shown in FIG. 8 (g), movable parts 210 and 211 which are supported at a distance from the spherical silicon 200 and function as valves are provided at two places, an upper part and a lower part, respectively, and the upper movable part 210 and the spherical silicon 200 are provided. Thus, a three-dimensional semiconductor element having a structure in which the space between the two and the space between the lower movable part 211 and the spherical silicon 200 are connected to each other by the passage 212 is obtained.
【0076】この立体形半導体素子をインクタンクへ取
り付ける際は、一方の可動部210がインクタンクの外
側に位置させ、他方の可動部211がインクタンクの内
側に位置させて取り付けられる。When attaching the three-dimensional semiconductor element to the ink tank, one movable part 210 is located outside the ink tank and the other movable part 211 is located inside the ink tank.
【0077】次に、上述した圧力調整手段を有する立体
形半導体素子が取り付けられたインクタンクでの圧力調
整方法について、図7、図10および図11を参照して
説明する。Next, a method of adjusting the pressure in the ink tank to which the three-dimensional semiconductor element having the above-described pressure adjusting means is attached will be described with reference to FIGS. 7, 10 and 11.
【0078】図10は、図7に示す圧力調整手段に関連
する電気的構成の等価回路図である。この図から明らか
なように、互いに対向するバルブ電極とベース電極との
間でコンデンサCが構成されている。また、図11は、
図7に示す圧力調整手段の、バルブ電極およびベース電
極への印加信号の一例のタイミングチャートである。FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of an electrical configuration related to the pressure adjusting means shown in FIG. As is apparent from this figure, a capacitor C is formed between the valve electrode and the base electrode facing each other. Also, FIG.
8 is a timing chart illustrating an example of signals applied to a valve electrode and a base electrode by the pressure adjusting unit illustrated in FIG. 7.
【0079】まず最初に、ベース電極201およびバル
ブ電極205をGNDレベルに設定しておく。そして、
ベース電極201にハイレベル信号を印加し、さらにバ
ルブ電極205におハイレベル信号を印加する。これに
より、バルブ電極205とベース電極201との間に静
電引力が働き、バルブ電極205がベース電極201に
引き寄せられるので、結果的に、可動部210,211
が球状シリコン200側に変位して球状シリコン200
と接触し、通路212の両端が閉鎖される。つまり、イ
ンクタンクの外側と内側とは非連通の状態となる。First, the base electrode 201 and the valve electrode 205 are set to the GND level. And
A high-level signal is applied to the base electrode 201, and a high-level signal is further applied to the valve electrode 205. As a result, electrostatic attraction acts between the bulb electrode 205 and the base electrode 201, and the bulb electrode 205 is attracted to the base electrode 201. As a result, the movable parts 210 and 211
Is displaced to the spherical silicon 200 side and the spherical silicon 200
, And both ends of the passage 212 are closed. That is, the outside and the inside of the ink tank are in a non-communication state.
【0080】この状態を初期状態とし、インクタンク内
のインクが消費される。そして、必要に応じて、圧力検
知手段(不図示)によって、インクタンクの内圧を検知
する。インクタンク内のインクの消費に伴ってインクタ
ンク内の負圧は上昇し、検知した内圧が所定の負圧より
も高くなったら、バルブ電極205にローレベル信号を
印加する。これにより、可動部210,211は球状シ
リコン200から離れ、通路212が開放される。その
結果、通路212を介してインクタンクの外部から内部
へ空気が入り、インクタンク内の負圧が低下する。そし
て、インクタンク内の負圧が所定の値になったら、再び
バルブ電極205にハイレベル信号を印加して可動部2
10,211を変位させ、通路212を閉鎖する。With this state as an initial state, ink in the ink tank is consumed. Then, if necessary, the internal pressure of the ink tank is detected by a pressure detecting means (not shown). The negative pressure in the ink tank rises with the consumption of the ink in the ink tank, and when the detected internal pressure becomes higher than a predetermined negative pressure, a low level signal is applied to the valve electrode 205. Thereby, the movable parts 210 and 211 are separated from the spherical silicon 200, and the passage 212 is opened. As a result, air enters from the outside of the ink tank to the inside through the passage 212, and the negative pressure in the ink tank decreases. When the negative pressure in the ink tank reaches a predetermined value, a high-level signal is applied to the valve electrode 205 again to
Displace 10, 211 to close passageway 212.
【0081】インクタンク内の負圧が所定の値になった
かどうかの判断は、圧力検知手段での検知結果と最適な
負圧値との差に応じて、通路212を開放する時間を制
御したり、通路212の一定時間の開放を複数回繰り返
すことによってもよいし、圧力検知手段でインクタンク
内の圧力をリアルタイムで検知し、その結果に基づいて
行うこともできる。Whether the negative pressure in the ink tank has reached a predetermined value is determined by controlling the time for opening the passage 212 in accordance with the difference between the result of detection by the pressure detecting means and the optimum negative pressure value. Alternatively, the opening of the passage 212 for a predetermined time may be repeated a plurality of times, or the pressure in the ink tank may be detected in real time by the pressure detecting means, and the detection may be performed based on the result.
【0082】図7に示した例では、インクタンクの外側
および内側の双方に可動部210,211を有する構造
を示したが、インクタンクの外側と内側とを遮断するこ
とができれば、いずれか一方のみに設けてもよい。In the example shown in FIG. 7, the structure having the movable parts 210 and 211 on both the outside and the inside of the ink tank is shown. However, if the outside and the inside of the ink tank can be shut off, one of them can be used. It may be provided only in the case.
【0083】〈圧力検知手段〉圧力検知手段の具体的な
構造の一例について説明する。<Pressure Detecting Means> An example of a specific structure of the pressure detecting means will be described.
【0084】図12は、本発明の立体形半導体素子に設
けられる圧力検知手段の構造の一例を、図7に示した素
子の破線で囲んだ部位、すなわち圧力調整手段を構成す
る通路内に形成した場合について説明する図であり、図
13および図14は、図12に示す圧力検知手段の製造
工程を説明する図である。なお、図12〜図14におい
て、図7と同一の部分については図7と同一の符号を付
している。また、図12に示す例は通路212内に圧力
検知手段を設けているため、弁を閉じた状態でインクタ
ンクの内部の圧力を検知することができるように、イン
クタンクの内部に相当する側には可動部は設けない。FIG. 12 shows an example of the structure of the pressure detecting means provided in the three-dimensional semiconductor device of the present invention formed in a portion surrounded by a broken line of the device shown in FIG. 7, that is, in a passage constituting the pressure adjusting means. FIG. 13 and FIG. 14 are diagrams illustrating the manufacturing process of the pressure detecting means shown in FIG. 12 to 14, the same parts as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals as in FIG. In the example shown in FIG. 12, since the pressure detecting means is provided in the passage 212, the side corresponding to the inside of the ink tank is detected so that the pressure inside the ink tank can be detected with the valve closed. Has no movable parts.
【0085】図12に示す圧力検知手段は、ポリシリコ
ン膜におけるピエゾ抵抗効果を利用した半導体歪ゲージ
であり、前述した圧力調整手段の通路212の部分に形
成されている。ポリシリコン抵抗層221は、球状シリ
コン200の表面に、空洞部225を介して部分的に浮
き上がったダイアフラムとして形成されている。ポリシ
リコン抵抗層221の浮き上がった領域での両端部に
は、例えばCuまたはWからなる配線222が設けられ
ている。そして、ポリシリコン抵抗層221および配線
222は、SiNからなる保護膜223で覆われ、これ
により圧力検知手段が構成されている。The pressure detecting means shown in FIG. 12 is a semiconductor strain gauge utilizing the piezoresistive effect in the polysilicon film, and is formed in the passage 212 of the pressure adjusting means. The polysilicon resistance layer 221 is formed on the surface of the spherical silicon 200 as a diaphragm partially raised via the cavity 225. Wirings 222 made of, for example, Cu or W are provided at both ends of the raised region of the polysilicon resistance layer 221. Then, the polysilicon resistance layer 221 and the wiring 222 are covered with a protective film 223 made of SiN, thereby constituting a pressure detecting means.
【0086】次に、図12に示した圧力検知手段の製造
方法について図13および図14を参照して説明する。
なお、以下の説明では、図8(d)に示した状態の後の
工程で圧力検知手段を形成するものとして説明する。Next, a method of manufacturing the pressure detecting means shown in FIG. 12 will be described with reference to FIGS.
In the following description, it is assumed that the pressure detecting means is formed in a process after the state shown in FIG.
【0087】図13(a)に示すように、球状シリコン
200の表面にはPSG膜202が形成されている。こ
のPSG膜202を、図13(b)に示すように、フォ
トリソグラフィプロセスにより空洞部225(図12参
照)の形状にパターニングする。次いで、図13(c)
に示すように、パターニングされたPSG膜202、お
よび球状シリコン200を覆って、プラズマCVD法に
よりポリシリコン抵抗層221を成膜し、ダイアフラム
となる所定の形状にパターニングする。次いで、図13
(d)に示すように、ポリシリコン抵抗層221上に、
メタルCVD法によりCuまたはWなどの金属膜を成膜
し、これをパターニングして、ダイアフラムの両端部に
相当する部位に配線222を形成する。As shown in FIG. 13A, a PSG film 202 is formed on the surface of the spherical silicon 200. As shown in FIG. 13B, the PSG film 202 is patterned into the shape of the cavity 225 (see FIG. 12) by a photolithography process. Next, FIG.
As shown in FIG. 5, a polysilicon resistance layer 221 is formed by a plasma CVD method so as to cover the patterned PSG film 202 and the spherical silicon 200, and is patterned into a predetermined shape to be a diaphragm. Then, FIG.
As shown in (d), on the polysilicon resistance layer 221,
A metal film such as Cu or W is formed by a metal CVD method, and is patterned to form wirings 222 at positions corresponding to both ends of the diaphragm.
【0088】ポリシリコン抵抗層221上に配線222
を形成したら、図14(e)に示すように、これらを覆
って、プラズマCVD法によりSiN膜を成膜し保護膜
223を形成する。さらに、図14(f)に示すよう
に、保護膜223上に、プラズマCVD法によりPSG
膜224を成膜し、その上に、図14(g)に示すよう
に、SiN膜206を形成する。図14(g)に示す状
態は、図8(e)に示す状態に相当する。The wiring 222 is formed on the polysilicon resistance layer 221.
Is formed, as shown in FIG. 14E, an SiN film is formed by plasma CVD to cover them, and a protective film 223 is formed. Further, as shown in FIG. 14F, PSG is formed on the protective film 223 by a plasma CVD method.
A film 224 is formed, and a SiN film 206 is formed thereon as shown in FIG. The state shown in FIG. 14G corresponds to the state shown in FIG.
【0089】それ以降は、図8に示した可動部210,
211を形成するためにSiN膜206をパターニング
し(図8(f))、最後に、PSG膜202,224を
除去することで、図14(h)に示すように、通路21
2内に圧力検知手段が形成される。Thereafter, the movable parts 210, shown in FIG.
The SiN film 206 is patterned in order to form 211 (FIG. 8F), and finally, the PSG films 202 and 224 are removed, thereby forming the passage 21 as shown in FIG.
2, a pressure detecting means is formed.
【0090】次に、図12に示す圧力検知手段による圧
力検知原理について、図12、および図12に示すポリ
シリコン抵抗層からの出力をモニタする回路の回路図で
ある図15を参照して説明する。Next, the principle of pressure detection by the pressure detecting means shown in FIG. 12 will be described with reference to FIG. 12 and FIG. 15 which is a circuit diagram of a circuit for monitoring the output from the polysilicon resistance layer shown in FIG. I do.
【0091】図15において、ポリシリコン抵抗層22
1の通常時の抵抗値をrとすると、電流計230には、 i=VDD/{R0+R×r(R+r)} (10) の電流が流れる。また、ポリシリコンは、その変位にほ
ぼ比例して抵抗値が増加する特性を有する。従って、通
路212の圧力の変化によってポリシリコン抵抗層22
1が変位すると、ポリシリコン抵抗層221の抵抗値r
が変化し、その結果、電流計230で測定される電流i
も変化する。すなわち、電流iの変化からポリシリコン
抵抗層221の変位量がわかり、それによって通路21
2の圧力、つまりインクタンクの内圧が検知可能とな
る。Referring to FIG. 15, polysilicon resistance layer 22
Assuming that the normal resistance value of 1 is r, a current of i = VDD / {R 0 + R × r (R + r)} (10) flows through the ammeter 230. Further, polysilicon has a characteristic that the resistance value increases substantially in proportion to the displacement. Therefore, the change in the pressure in the passage 212 causes the polysilicon resistance layer 22
1 is displaced, the resistance value r of the polysilicon resistance layer 221 is changed.
Changes, and as a result, the current i measured by the ammeter 230
Also change. That is, the amount of displacement of the polysilicon resistance layer 221 is known from the change in the current i, and the
2, the pressure inside the ink tank can be detected.
【0092】更に詳細に説明すると、ポリシリコン抵抗
層221の長さをL、断面積をSとすると、抵抗率ρを
用い、全抵抗値Rは、 R=ρL/S (11) で表される。ここで、ポリシリコン抵抗層221が、圧
力変化に伴って変化すると、その長さはL+ΔLと長く
なり、抵抗値が増加する。一方、断面積はS−ΔSと小
さくなり、また、ρもρ’と変化する。抵抗値の増加分
ΔRと長さの増加部ΔLとの関係は、More specifically, assuming that the length of the polysilicon resistance layer 221 is L and the cross-sectional area is S, the resistivity R is used, and the total resistance value R is represented by R = ρL / S (11) You. Here, when the polysilicon resistance layer 221 changes with a change in pressure, its length becomes L + ΔL and the resistance value increases. On the other hand, the cross-sectional area becomes small as S-ΔS, and ρ also changes to ρ ′. The relationship between the increase ΔR in resistance and the increase ΔL in length is:
【0093】[0093]
【数10】 で表され、更に、(Equation 10) In addition,
【0094】[0094]
【数11】 となる。ここで、kgは、歪みに対する抵抗値の変化係
数を表している。[Equation 11] Becomes Here, kg represents a coefficient of change in resistance value with respect to strain.
【0095】そして、ブリッジ回路等を用いて、抵抗値
の変化分ΔRを検出することで圧力変動を求めることが
できる。Then, the pressure fluctuation can be obtained by detecting the change ΔR in the resistance value using a bridge circuit or the like.
【0096】ポリシリコンは温度によって歪み抵抗が変
化する特性を持つ。そのため、ポリシリコン抵抗層22
1を有する圧力検知手段では、ポリシリコン抵抗層22
1の温度をモニタする温度センサを更に備えることが望
ましい。つまり、ポリシリコン抵抗層221に、温度セ
ンサを介して電圧VDDを供給することにより、環境温
度の変化によるポリシリコン抵抗層221の抵抗変化を
補償して、インクタンクの内圧をより正確に検知するこ
とができる。Polysilicon has the characteristic that the strain resistance changes with temperature. Therefore, the polysilicon resistance layer 22
In the pressure sensing means having a value of 1, the polysilicon resistance layer 22
It is desirable to further include a temperature sensor for monitoring the temperature of the first. That is, by supplying the voltage VDD to the polysilicon resistance layer 221 via the temperature sensor, the resistance change of the polysilicon resistance layer 221 due to the change of the environmental temperature is compensated, and the internal pressure of the ink tank is more accurately detected. be able to.
【0097】〈駆動回路〉上述したように、本発明の立
体形半導体素子は圧力調整手段や圧力検知手段などが設
けられる。従って、立体形半導体素子にはこれらを駆動
するための回路も作り込まれる。駆動回路素子として
は、N−MOS回路素子を用いることができる。図16
に、本発明の立体形半導体素子をN−MOS回路素子を
縦断するように切断した模式的断面図を示す。<Driving Circuit> As described above, the three-dimensional semiconductor device of the present invention is provided with pressure adjusting means, pressure detecting means, and the like. Therefore, a circuit for driving them is built in the three-dimensional semiconductor element. An N-MOS circuit element can be used as the drive circuit element. FIG.
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of the three-dimensional semiconductor device of the present invention cut along the N-MOS circuit device.
【0098】図16によれば、P導電体のSi基板40
1に、一般的なMosプロセスを用いたイオンプランテ
ーション等の不純物導入および拡散により、N型ウェル
領域402にP−Mos450が構成され、P型ウェル
領域403にN−Mos451が構成されている。P−
Mos450およびN−Mos451は、それぞれ厚さ
数百Åのゲート絶縁膜408を介して、4000Å以上
5000Å以下の厚さにCVD法で堆積したpoly−
Siによるゲート配線415、およびN型あるいはP型
の不純物導入をしたソース領域405、ドレイン領域4
06等で構成され、それらP−Mos450とN−Mo
s451によりC−Mosロジックが構成されている。Referring to FIG. 16, a P conductive Si substrate 40 is formed.
1, a P-Mos 450 is formed in the N-type well region 402 and an N-Mos 451 is formed in the P-type well region 403 by impurity introduction and diffusion such as ion plantation using a general Mos process. P-
Mos 450 and N-Mos 451 are each formed of a poly-deposited by a CVD method to a thickness of 4000 to 5000 mm through a gate insulating film 408 having a thickness of several hundreds of mm.
A gate wiring 415 made of Si, and a source region 405 and a drain region 4 into which N-type or P-type impurities are introduced.
06, etc., of which P-Mos450 and N-Mo
C-Mos logic is configured by s451.
【0099】素子駆動用のN−Mosトランジスタ30
1は、やはり不純物導入および拡散等の工程により、P
型ウェル基板402上のドレイン領域411、ソース領
域412およびゲート配線413等で構成されている。N-mos transistor 30 for driving the element
No. 1 is obtained by the steps of impurity introduction and diffusion.
It comprises a drain region 411, a source region 412, a gate wiring 413, and the like on the mold well substrate 402.
【0100】ここで、素子駆動ドライバとしてN−Mo
sトランジスタ301を使うと、1つのトランジスタを
構成するドレインゲート間の距離Lは、最小値で約10
μmとなる。その10μmの内訳の1つは、ソースとド
レインのコンタクト417の幅であり、それらの幅分は
2×2μmであるが、実際は、その半分が隣のトランジ
スタとの兼用となるため、その1/2の2μmである。
内訳の他は、コンタクト417とゲート413の距離分
の2×2μmの4μmと、ゲート413の幅分の4μm
であり、合計10μmとなる。Here, N-Mo is used as an element driving driver.
When the s-transistor 301 is used, the distance L between the drain and the gate constituting one transistor is about 10 at minimum.
μm. One of the breakdowns of the 10 μm is the width of the source and drain contacts 417, and the width of the contact 417 is 2 × 2 μm. 2, 2 μm.
Other than that, 4 μm of 2 × 2 μm for the distance between the contact 417 and the gate 413 and 4 μm for the width of the gate 413
And the total is 10 μm.
【0101】各素子間には、5000Å以上10000
Å以下の厚さのフィールド酸化により酸化膜分離領域4
53が形成され、素子分離されている。このフィールド
酸化膜は、一層目の蓄熱層414として作用する。[0110] Between each element, 5000Å or more
酸化 Oxide film isolation region 4 by field oxidation of thickness less than
53 are formed and the elements are separated. This field oxide film functions as the first heat storage layer 414.
【0102】各素子が形成された後、層間絶縁膜416
が約7000Åの厚さにCVD法によるPSG、BPS
G膜等で堆積され、熱処理により平坦化処理等をされて
から、コンタクトホールを介して、第1の配線層となる
Al電極417により配線が行なわれている。その後、
プラズマCVD法によるSiO2膜等の層間絶縁膜41
8を10000Å以上15000Å以下の厚さに堆積
し、更にスルーホールを形成した。図6に示した発振回
路などとの接続は、このスルーホールを介して行われ
る。After each element is formed, an interlayer insulating film 416 is formed.
Has a thickness of about 7000mm and is made of PSG and BPS by CVD method.
After being deposited with a G film or the like and subjected to a flattening process or the like by heat treatment, wiring is performed by an Al electrode 417 serving as a first wiring layer via a contact hole. afterwards,
Interlayer insulating film 41 such as a SiO 2 film by a plasma CVD method
8 was deposited to a thickness of 10,000 to 15,000, and a through hole was formed. The connection with the oscillation circuit and the like shown in FIG. 6 is made through this through hole.
【0103】このN−Mos回路は、圧力調整手段や圧
力検知手段を形成する前に形成しておく。This N-Mos circuit is formed before forming the pressure adjusting means and the pressure detecting means.
【0104】〈インクジェット記録装置〉図17に、本
発明の立体形半導体素子を備えたインクタンクを搭載す
るインクジェット記録装置の概略斜視図を示す。図17
に示されるインクジェット記録装置600に搭載された
ヘッドカートリッジ601は、印字記録のためにインク
を吐出する液体吐出ヘッドと、その液体吐出ヘッドに供
給される液体を保持する図1に示したようなインクタン
クとを有するものである。また、インクタンク内に配さ
れた立体形半導体素子(不図示)へ外部エネルギーであ
る起電力を供給する外部エネルギー供給手段622や、
立体形半導体素子と情報を双方向に通信する手段(不図
示)が記録装置600内に設置されている。<Ink Jet Recording Apparatus> FIG. 17 is a schematic perspective view of an ink jet recording apparatus equipped with an ink tank provided with the three-dimensional semiconductor element of the present invention. FIG.
A head cartridge 601 mounted on an ink jet recording apparatus 600 shown in FIG. 1 includes a liquid ejection head for ejecting ink for print recording, and an ink as shown in FIG. 1 for holding liquid supplied to the liquid ejection head. And a tank. An external energy supply means 622 for supplying an electromotive force as external energy to a three-dimensional semiconductor element (not shown) disposed in the ink tank;
A unit (not shown) for bidirectionally communicating information with the three-dimensional semiconductor element is provided in the recording device 600.
【0105】ヘッドカートリッジ601は、図17に示
すように、駆動モータ602の正逆回転に連動して駆動
力伝達ギヤ603および604を介して回転するリード
スクリュー605の螺旋溝606に対して係合するキャ
リッジ607上に搭載されている。駆動モータ602の
動力によってヘッドカートリッジ601がキャリッジ6
07ともとにガイド608に沿って矢印aおよびbの方
向に往復移動される。インクジェット記録装置600に
は、ヘッドカートリッジ601から吐出されたインクな
どの液体を受ける被記録媒体としてのプリント用紙Pを
搬送する被記録媒体搬送手段(不図示)が備えられてい
る。その被記録媒体搬送手段によってプラテン609上
を搬送されるプリント用紙Pの紙押さえ板610は、キ
ャリッジ607の移動方向にわたってプリント用紙Pを
プラテン609に対して押圧する。As shown in FIG. 17, the head cartridge 601 engages with the spiral groove 606 of the lead screw 605 rotating via the driving force transmission gears 603 and 604 in conjunction with the forward / reverse rotation of the drive motor 602. Is mounted on a carriage 607. The head cartridge 601 is moved by the power of the drive motor 602 to the carriage 6.
07 is reciprocated along the guide 608 in the directions of arrows a and b. The inkjet recording apparatus 600 includes a recording medium transport unit (not shown) that transports a printing paper P as a recording medium that receives a liquid such as ink discharged from the head cartridge 601. The paper pressing plate 610 of the print paper P conveyed on the platen 609 by the recording medium conveying means presses the print paper P against the platen 609 in the moving direction of the carriage 607.
【0106】リードスクリュー605の一端の近傍に
は、フォトカプラ611および612が配設されてい
る。フォトカプラ611および612は、キャリッジ6
07のレバー607aの、フォトカプラ611および6
12の領域での存在を確認して駆動モータ602の回転
方向の切り換えなどを行うためのホームポジション検知
手段である。プラテン609の一端の近傍には、ヘッド
カートリッジ601の吐出口のある前面を覆うキャップ
部材614を支持する支持部材613が備えられてい
る。また、ヘッドカートリッジ601から空吐出などさ
れてキャップ部材614の内部に溜まったインクを吸引
するインク吸引手段615が備えられている。このイン
ク吸引手段615によりキャップ部材614の開口部を
介してヘッドカートリッジ601の吸引回復が行われ
る。Near the one end of the lead screw 605, photocouplers 611 and 612 are provided. The photocouplers 611 and 612 are
07, the photocouplers 611 and 6
This is a home position detecting means for confirming the presence in the area No. 12 and switching the rotation direction of the drive motor 602. In the vicinity of one end of the platen 609, a support member 613 that supports a cap member 614 that covers the front surface of the head cartridge 601 having the discharge port is provided. In addition, an ink suction unit 615 that sucks ink that has been idly discharged from the head cartridge 601 and accumulated inside the cap member 614 is provided. The ink suction unit 615 performs suction recovery of the head cartridge 601 through the opening of the cap member 614.
【0107】インクジェット記録装置600には本体支
持体619が備えられている。この本体支持体619に
は移動部材618が、前後方向、すなわちキャリッジ6
07の移動方向に対して直角な方向に移動可能に支持さ
れている。移動部材618には、クリーニングブレード
617が取り付けられている。クリーニングブレード6
17はこの形態に限らず、他の形態の公知のクリーニン
グブレードであってもよい。さらに、インク吸引手段6
15による吸引回復操作にあたって吸引を開始するため
のレバー620が備えられており、レバー620は、キ
ャリッジ607と係合するカム621の移動に伴って移
動し、駆動モータ602からの駆動力がクラッチ切り換
えなどの公知の伝達手段で移動制御される。ヘッドカー
トリッジ601に設けられた発熱体に信号を付与した
り、前述した各機構の駆動制御を司ったりするインクジ
ェット記録制御部は記録装置本体側に設けられており、
図24では示されていない。The ink jet recording apparatus 600 is provided with a main body support 619. The moving member 618 is attached to the main body support 619 in the front-rear direction,
It is supported so as to be movable in a direction perpendicular to the direction of movement 07. The cleaning blade 617 is attached to the moving member 618. Cleaning blade 6
Reference numeral 17 is not limited to this form, and may be another form of a known cleaning blade. Further, the ink suction means 6
15 is provided with a lever 620 for starting suction in the suction recovery operation by the lever 15. The lever 620 moves with the movement of the cam 621 engaging with the carriage 607, and the driving force from the driving motor 602 switches the clutch. The movement is controlled by a known transmission means such as the like. An ink jet recording control unit for giving a signal to a heating element provided in the head cartridge 601 and controlling the driving of each mechanism described above is provided on the recording apparatus main body side.
It is not shown in FIG.
【0108】上述した構成を有するインクジェット記録
装置600では、前記の被記録媒体搬送手段によりプラ
テン609上を搬送されるプリント用紙Pに対して、ヘ
ッドカートリッジ601がプリント用紙Pの全幅にわた
って往復移動する。この移動時に不図示の駆動信号供給
手段からヘッドカートリッジ601に駆動信号が供給さ
れると、この信号に応じて液体吐出ヘッド部から被記録
媒体に対してインク(記録液体)が吐出され、記録が行
われる。In the ink jet recording apparatus 600 having the above-described configuration, the head cartridge 601 reciprocates over the entire width of the print paper P with respect to the print paper P conveyed on the platen 609 by the recording medium conveyance means. When a drive signal is supplied from a drive signal supply unit (not shown) to the head cartridge 601 during this movement, ink (recording liquid) is ejected from the liquid ejection head unit to the recording medium in accordance with the signal, and recording is performed. Done.
【0109】〈インクタンク〉図1には、インクタンク
の外壁を構成する部分にインクを直接収容する例を示し
たが、本発明は、図18に示すようなインクタンクにも
適用可能である。<Ink Tank> FIG. 1 shows an example in which ink is directly stored in a portion constituting an outer wall of the ink tank. However, the present invention is also applicable to an ink tank as shown in FIG. .
【0110】図18に示すインクタンクは、タンクの筐
体を構成する外壁52と、外壁52の内側に収納され
た、可撓性を有するインク収納袋53とを有し、インク
はインク収納袋53に収容されている。これにより、イ
ンクの機密性が向上し、外部からの紫外光などによって
分解しやすい材料や、紫外光を触媒として化学反応が進
行するのを阻止する役割を果たす。このようなインクタ
ンクにおいて、外壁に本発明の立体形半導体素子51を
配し、この立体形半導体素子51により、インク供給口
からのインクの消費に伴って変化する負圧に対し、外壁
52とインク収納袋53との間の内圧を一定に保つこと
ができる。The ink tank shown in FIG. 18 has an outer wall 52 constituting a housing of the tank, and a flexible ink storage bag 53 housed inside the outer wall 52. The ink is stored in the ink storage bag. 53. Thereby, the confidentiality of the ink is improved, and the ink plays a role of preventing a material which is easily decomposed by ultraviolet light from the outside or a chemical reaction using the ultraviolet light as a catalyst. In such an ink tank, the three-dimensional semiconductor element 51 of the present invention is disposed on the outer wall, and the three-dimensional semiconductor element 51 is connected to the outer wall 52 by a negative pressure that changes with consumption of ink from the ink supply port. The internal pressure with the ink storage bag 53 can be kept constant.
【0111】以上、本発明について、インクジェット記
録装置に用いられるインクタンク内の圧力を調整する場
合を例に挙げて説明した。本発明は、これに限らず、密
閉型の容器内の圧力を調整するいずれの場合にも適用可
能であるが、最も好ましいのは、上述した各実施形態で
説明したような、着脱可能に装着されたインクタンクに
収容されたインクをインクジェット記録ヘッドに供給
し、その記録ヘッドから噴射するインク滴で記録用紙に
印字するインクジェットプリンタに関して、インクタン
ク内の圧力を最適維持するのに適用する場合である。As described above, the present invention has been described by taking as an example the case where the pressure in the ink tank used in the ink jet recording apparatus is adjusted. The present invention is not limited to this, and can be applied to any case of adjusting the pressure in a closed container, but most preferably, it is detachably mounted as described in each of the above embodiments. Ink is supplied to an ink jet recording head to supply the ink contained in the ink tank, and prints on recording paper with ink droplets ejected from the recording head. is there.
【0112】また、以上の説明では、圧力調整手段は、
圧力検知手段により検知されたインクタンク内の圧力に
基づいて駆動される場合を例に挙げて説明したが、立体
形半導体素子がインクタンクに用いられる場合は、イン
クタンク内のインクの消費量は、記録ヘッドの駆動頻度
からおおよそ推定することができる。また、初期状態
(未使用の状態)でのインクタンク内のインク量が一定
であれば、インクの消費量とインクタンク内の圧力との
間には相関関係がある。従って、記録ヘッドの駆動頻度
とインクタンク内の圧力との関係を予め測定等によって
求めておけば、圧力検知手段を持たなくても、記録ヘッ
ドの駆動頻度に基づいて圧力調整手段を駆動し、インク
タンク内の圧力を適切に保つこともできる。In the above description, the pressure adjusting means is:
The case of driving based on the pressure in the ink tank detected by the pressure detecting means has been described as an example.However, when a three-dimensional semiconductor element is used in the ink tank, the amount of ink consumed in the ink tank is Can be roughly estimated from the driving frequency of the recording head. Further, if the ink amount in the ink tank in the initial state (unused state) is constant, there is a correlation between the ink consumption and the pressure in the ink tank. Therefore, if the relationship between the driving frequency of the recording head and the pressure in the ink tank is determined in advance by measurement or the like, the pressure adjusting unit is driven based on the driving frequency of the recording head, without having the pressure detecting unit, The pressure in the ink tank can be maintained appropriately.
【0113】[0113]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部からのエネルギーを異なる種類のエネルギーに変換
し、この変換されたエネルギーにより容器内の負圧を調
整する機能を立体形半導体素子に作り込むことで、外部
と非接触で容器内の負圧を調製することができる。特
に、本発明の立体形半導体素子をインクタンクに適用す
ることで、インクタンク内の負圧を、吐出ヘッドからの
インクの吐出を良好に行えるよう適切に維持することが
できるとともに、インクの収容効率を向上させることが
できる。As described above, according to the present invention, the function of converting external energy into different kinds of energy and adjusting the negative pressure in the container by the converted energy is provided in the three-dimensional semiconductor element. By making it, the negative pressure in the container can be adjusted without contact with the outside. In particular, by applying the three-dimensional semiconductor element of the present invention to the ink tank, the negative pressure in the ink tank can be appropriately maintained so that the ink can be properly discharged from the discharge head, and the ink can be stored therein. Efficiency can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の第1の実施の形態によるインクタンク
の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an ink tank according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す立体形半導体素子の内部構成および
外部とのやり取りを表したブロック構成図である。FIG. 2 is a block diagram showing an internal configuration of the three-dimensional semiconductor device shown in FIG. 1 and an exchange with the outside.
【図3】図2に示した立体形半導体素子の動作を説明す
るためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating an operation of the three-dimensional semiconductor device illustrated in FIG. 2;
【図4】本発明の第2の実施の形態による立体形半導体
素子の内部構成および外部とのやり取りを表したブロッ
ク構成図である。FIG. 4 is a block diagram showing an internal configuration of a three-dimensional semiconductor device according to a second embodiment of the present invention and an exchange with the outside.
【図5】図4に示した立体形半導体素子の動作を説明す
るためのフローチャートである。5 is a flowchart for explaining the operation of the three-dimensional semiconductor device shown in FIG.
【図6】本発明の立体形半導体素子の構成要素であるエ
ネルギー変換手段の、電磁誘導を利用して電力を発生さ
せる例を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an example of generating electric power using electromagnetic induction of an energy conversion unit which is a component of the three-dimensional semiconductor device of the present invention.
【図7】本発明の立体形半導体素子に設けられる圧力調
整手段の構造の一例を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a structure of a pressure adjusting unit provided in the three-dimensional semiconductor device of the present invention.
【図8】図7に示す圧力調整手段の製造工程を説明する
図である。FIG. 8 is a view for explaining a manufacturing process of the pressure adjusting means shown in FIG. 7;
【図9】図8(f)に示す状態での立体形半導体素子の
平面図である。FIG. 9 is a plan view of the three-dimensional semiconductor element in the state shown in FIG. 8 (f).
【図10】図7に示す圧力調整手段に関連する電気的構
成の等価回路図である。FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of an electrical configuration related to the pressure adjusting unit shown in FIG.
【図11】図7に示す圧力調整手段の、バルブ電極およ
びベース電極への印加信号の一例のタイミングチャート
である。11 is a timing chart illustrating an example of signals applied to a valve electrode and a base electrode of the pressure adjusting unit illustrated in FIG. 7;
【図12】本発明の立体形半導体素子に設けられる圧力
検知手段の構造の一例を説明する図である。FIG. 12 is a view for explaining an example of the structure of a pressure detecting means provided in the three-dimensional semiconductor element of the present invention.
【図13】図12に示す圧力検知手段の製造工程を説明
する図である。FIG. 13 is a view for explaining a manufacturing process of the pressure detecting means shown in FIG.
【図14】図12に示す圧力検知手段の製造工程を説明
する図であり、図13に示す工程の後の工程を示す。FIG. 14 is a view for explaining a manufacturing step of the pressure detecting means shown in FIG. 12, and shows a step after the step shown in FIG.
【図15】図12に示すポリシリコン抵抗層からの出力
をモニタする回路の回路図である。FIG. 15 is a circuit diagram of a circuit for monitoring an output from the polysilicon resistance layer shown in FIG.
【図16】本発明の立体形半導体素子をN−MOS回路
素子を縦断するように切断した模式的断面図である。FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the three-dimensional semiconductor device of the present invention cut along the N-MOS circuit device.
【図17】本発明の立体形半導体素子を備えたインクタ
ンクを搭載するインクジェット記録装置の概略斜視図で
ある。FIG. 17 is a schematic perspective view of an ink jet recording apparatus equipped with an ink tank provided with the three-dimensional semiconductor element of the present invention.
【図18】本発明が適用されるインクタンクの他の例の
概略断面図である。FIG. 18 is a schematic sectional view of another example of an ink tank to which the present invention is applied.
【図19】本発明の第1の実施形態において、立体形半
導体素子に書き込まれる内圧情報の一例をグラフとして
表す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating, as a graph, an example of internal pressure information written in a three-dimensional semiconductor element in the first embodiment of the present invention.
【図20】本発明の第2の実施形態において、立体形半
導体素子に書き込まれる内圧情報の一例をグラフとして
表す図である。FIG. 20 is a graph showing an example of internal pressure information written in a three-dimensional semiconductor element in the second embodiment of the present invention.
1 インクタンク 2 インク収容室 3 インク供給口 4 記録ヘッド 11,21,51 立体形半導体素子 12,22 起電力 13,23 電力 14,24 エネルギー変換手段 15,25 圧力検知手段 16,26 判断手段 17,27 情報蓄積手段 18,28 圧力調整手段 29 受信手段 30 入力信号 52 外壁 53 インク収納袋 101 外部共振回路 102 発振回路 200 球状シリコン 201 ベース電極 202 PSG膜 203 開口 204 Cu膜 205 バルブ電極 206 SiN膜 206a スリット 210,211 可動部 221 ポリシリコン抵抗層 222 配線 223 保護膜 225 空洞部 212 通路 REFERENCE SIGNS LIST 1 ink tank 2 ink storage chamber 3 ink supply port 4 recording head 11, 21, 51 three-dimensional semiconductor element 12, 22 electromotive force 13, 23 power 14, 24 energy conversion means 15, 25 pressure detection means 16, 26 determination means 17 , 27 Information storage means 18, 28 Pressure adjustment means 29 Receiving means 30 Input signal 52 Outer wall 53 Ink storage bag 101 External resonance circuit 102 Oscillation circuit 200 Spherical silicon 201 Base electrode 202 PSG film 203 Opening 204 Cu film 205 Valve electrode 206 SiN film 206a Slit 210, 211 Movable part 221 Polysilicon resistance layer 222 Wiring 223 Protective film 225 Hollow part 212 Passage
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 一郎 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 望月 無我 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 山口 孝明 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 石永 博之 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 井上 良二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2C056 EA26 EB20 EB29 EB34 EB59 EC19 EC32 KB05 KB08 KB11 KB40 KC16 KC27 KC30 2F055 BB10 CC02 DD04 DD11 EE13 FF28 GG11 4M112 AA01 BA01 CA02 DA04 EA04 GA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Ichiro Saito 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Mochizuki 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Non-corporation (72) Inventor Takaaki Yamaguchi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Hiroyuki Ishinaga 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Ryoji Inoue 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 2C056 EA26 EB20 EB29 EB34 EB59 EC19 EC32 KB05 KB08 KB11 KB40 KC16 KC27 KC30 2F055 BB10 CC02 DD04 DD11EE13 FF28 GG11 4M112 AA01 BA01 CA02 DA04 EA04 GA01
Claims (30)
体形半導体素子であって、 前記容器の内部の負圧に応じて前記容器の内部の負圧を
調整する圧力調整手段と、 外部から与えられるエネルギーを、前記圧力調整手段を
動作させるための、前記エネルギーとは異なる種類のエ
ネルギーに変換するエネルギー変換手段とを有する立体
形半導体素子。1. A three-dimensional semiconductor device disposed in a container whose inside is maintained at a negative pressure, wherein said pressure adjusting means adjusts a negative pressure inside said container according to a negative pressure inside said container. A three-dimensional semiconductor device comprising: energy conversion means for converting externally applied energy into energy of a type different from the energy for operating the pressure adjustment means.
つ、他の一部位を前記容器の内部に露出させた状態で取
り付けられており、 前記圧力調整手段は、前記容器の内部と外部とを連通す
る通路と、該通路を開閉する弁機構とを有する、請求項
1に記載の立体形半導体素子。2. The apparatus is mounted in a state where a part thereof is exposed to the outside of the container and another part is exposed to the inside of the container. The three-dimensional semiconductor device according to claim 1, further comprising a passage that communicates with the valve, and a valve mechanism that opens and closes the passage.
る可動部を有する、請求項2に記載の立体形半導体素
子。3. The three-dimensional semiconductor device according to claim 2, wherein the valve mechanism has a movable part that is displaced by electrostatic attraction.
高くなったときに、前記弁機構の動作により前記通路を
開き、前記容器の内部へ外気を導入することによって行
われる、請求項2または3に記載の立体形半導体素子。4. The adjustment of the negative pressure is performed by opening the passage by the operation of the valve mechanism and introducing outside air into the container when the negative pressure in the container increases. The three-dimensional semiconductor device according to claim 2.
ネルギーによって作動し前記容器の内部の負圧を検知す
る圧力検知手段を更に有し、前記圧力調整手段は前記圧
力検知手段での検知結果に基づいて前記容器の内部の負
圧を調整する、請求項1ないし4のいずれか1項に記載
の立体形半導体素子。5. The apparatus according to claim 1, further comprising: a pressure detecting unit that operates by the energy converted by the energy converting unit and detects a negative pressure inside the container. The three-dimensional semiconductor device according to claim 1, wherein negative pressure inside the container is adjusted by adjusting the pressure.
構成されたダイアフラムを有し、該ダイアフラムの変位
による抵抗値変化を利用して前記容器内の負圧を検知す
る圧力センサである、請求項5に記載の立体形半導体素
子。6. A pressure sensor having a diaphragm formed of a polysilicon film and detecting a negative pressure in the container using a change in resistance value due to a displacement of the diaphragm. Item 3. A three-dimensional semiconductor device according to item 5.
する情報蓄積手段と、 前記圧力検知手段での検知結果と前記情報蓄積手段に蓄
積された情報とを比較し、前記容器の内部の負圧の調整
の必要性を判断する判断手段とを更に有し、 前記圧力調整手段は、前記判断手段にて負圧の調整が必
要と判断された場合に前記負圧を調整し、 前記情報蓄積手段および前記判断手段は、前記エネルギ
ー変換手段で変換されたエネルギーによって作動する、
請求項5または6に記載の立体形半導体素子。7. An information storage means for storing negative pressure condition information permitted by the container, and a detection result of the pressure detection means and information stored in the information storage means are compared. Determining means for determining the necessity of adjusting the negative pressure, wherein the pressure adjusting means adjusts the negative pressure when the determining means determines that the negative pressure needs to be adjusted; The storage means and the determination means operate with the energy converted by the energy conversion means,
The three-dimensional semiconductor device according to claim 5.
する情報蓄積手段と、 外部からの信号を受信する受信手段と、 前記受信手段で受信した信号に応じて前記圧力検知手段
に前記負圧を検知させ、前記圧力検知手段での検知結果
と前記情報蓄積手段に蓄積された情報とを比較し、前記
検知結果が前記負圧条件情報を満たすか否か判断する判
断手段とを更に有し、 前記圧力調整手段は、前記判断手段にて前記検知結果が
前記負圧条件情報を満たさないと判断された場合に前記
負圧を調整し、 前記情報蓄積手段、前記受信手段、および前記判断手段
は、前記エネルギー変換手段で変換されたエネルギーに
よって作動する、請求項5または6に記載の立体形半導
体素子。8. An information storage means for storing negative pressure condition information permitted by the container; a receiving means for receiving a signal from the outside; and a negative signal to the pressure detecting means according to a signal received by the receiving means. Determining means for detecting the pressure, comparing the detection result of the pressure detecting means with the information stored in the information storing means, and determining whether the detection result satisfies the negative pressure condition information. The pressure adjustment unit adjusts the negative pressure when the determination result determines that the detection result does not satisfy the negative pressure condition information, and includes the information storage unit, the reception unit, and the determination unit. The three-dimensional semiconductor device according to claim 5, wherein the means operates by the energy converted by the energy conversion means.
れた共振回路との間で電磁誘導による誘導起電力で電力
を発生させる発振回路を有する、請求項1ないし8のい
ずれか1項に記載の立体形半導体素子。9. The energy conversion unit according to claim 1, wherein the energy conversion unit includes an oscillation circuit that generates electric power by induced electromotive force generated by electromagnetic induction between the energy conversion unit and an externally disposed resonance circuit. Three-dimensional semiconductor device.
るインクを収容するインクタンクであって、 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の立体形半導体
素子を有するインクタンク。10. An ink tank for storing ink to be supplied to a discharge head that discharges ink, the ink tank having a three-dimensional semiconductor element according to claim 1. Description:
るインクを収容し、内部が負圧に保たれたインクタンク
であって、 前記内部の負圧に応じて前記内部の負圧を調整する圧力
調整手段と、 外部から与えられるエネルギーを、前記圧力調整手段を
動作させるための、前記エネルギーとは異なる種類のエ
ネルギーに変換するエネルギー変換手段とを有するイン
クタンク。11. An ink tank containing ink to be supplied to a discharge head that discharges ink and having an inside maintained at a negative pressure, wherein the pressure adjusts the internal negative pressure according to the internal negative pressure. An ink tank comprising: an adjusting unit; and an energy converting unit configured to convert externally applied energy into energy of a type different from the energy for operating the pressure adjusting unit.
とを連通する通路と、該通路を開閉する弁機構とを有す
る、請求項11に記載のインクタンク。12. The ink tank according to claim 11, wherein said pressure adjusting means has a passage communicating between the inside and the outside, and a valve mechanism for opening and closing the passage.
する可動部を有する、請求項12に記載のインクタン
ク。13. The ink tank according to claim 12, wherein the valve mechanism has a movable portion that is displaced by electrostatic attraction.
高くなったときに、前記弁機構の動作により前記通路を
開き、前記内部へ外気を導入することによって行われ
る、請求項12または13に記載のインクタンク。14. The negative pressure is adjusted by opening the passage by the operation of the valve mechanism and introducing outside air into the inside when the internal negative pressure becomes high. Or the ink tank according to 13.
エネルギーによって作動し前記内部の負圧を検知する圧
力検知手段を更に有し、前記圧力調整手段は前記圧力検
知手段での検知結果に基づいて前記内部の負圧を調整す
る、請求項11ないし14のいずれか1項に記載のイン
クタンク。15. The apparatus according to claim 11, further comprising: a pressure detection unit that operates by the energy converted by the energy conversion unit and detects the internal negative pressure, wherein the pressure adjustment unit is configured to perform the operation based on a detection result of the pressure detection unit. The ink tank according to any one of claims 11 to 14, wherein the internal negative pressure is adjusted.
で構成されたダイアフラムを有し、該ダイアフラムの変
位による抵抗値変化を利用して前記内部の負圧を検知す
る、請求項15に記載のインクタンク。16. The pressure detecting device according to claim 15, wherein said pressure detecting means has a diaphragm made of a polysilicon film, and detects the internal negative pressure by utilizing a resistance value change caused by displacement of said diaphragm. Ink tank.
を蓄積する情報蓄積手段と、 前記圧力検知手段での検知結果と前記情報蓄積手段に蓄
積された情報とを比較し、前記内部の負圧の調整の必要
性を判断する判断手段とを更に有し、 前記圧力調整手段は、前記判断手段にて負圧の調整が必
要と判断された場合に前記負圧を調整し、 前記情報蓄積手段および前記判断手段は、前記エネルギ
ー変換手段で変換されたエネルギーによって作動する、
請求項15または16に記載のインクタンク。17. An information storage means for storing negative pressure condition information permitted by an ink tank, and a detection result of the pressure detection means is compared with information stored in the information storage means, and the internal negative pressure is stored. Determining means for determining the necessity of the adjustment, wherein the pressure adjusting means adjusts the negative pressure when the determining means determines that the negative pressure needs to be adjusted; And the determining means operates by the energy converted by the energy converting means,
An ink tank according to claim 15.
を蓄積する情報蓄積手段と、 外部からの信号を受信する受信手段と、 前記受信手段で受信した信号に応じて前記圧力検知手段
に前記負圧を検知させ、前記圧力検知手段での検知結果
と前記情報蓄積手段に蓄積された情報とを比較し、前記
検知結果が前記負圧条件情報を満たすか否か判断する判
断手段とを更に有し、 前記圧力調整手段は、前記判断手段にて前記検知結果が
前記負圧条件情報を満たさないと判断された場合に前記
負圧を調整し、 前記情報蓄積手段、前記受信手段、および前記判断手段
は、前記エネルギー変換手段で変換されたエネルギーに
よって作動する、請求項15または16に記載のインク
タンク。18. An information storage means for storing negative pressure condition information permitted by an ink tank; a receiving means for receiving a signal from outside; and a pressure detecting means for receiving a negative signal from said pressure detecting means according to a signal received by said receiving means. Determining means for detecting the pressure, comparing the detection result of the pressure detecting means with the information stored in the information storing means, and determining whether the detection result satisfies the negative pressure condition information. The pressure adjustment unit adjusts the negative pressure when the determination result determines that the detection result does not satisfy the negative pressure condition information, and includes the information storage unit, the reception unit, and the determination unit. 17. The ink tank according to claim 15, wherein the means is operated by the energy converted by the energy converting means.
された共振回路との間で電磁誘導による誘導起電力で電
力を発生させる発振回路を有する、請求項11ないし1
8のいずれか1項に記載のインクタンク。19. The energy conversion unit according to claim 11, further comprising an oscillation circuit for generating electric power by induced electromotive force generated by electromagnetic induction between the energy conversion unit and an externally disposed resonance circuit.
9. The ink tank according to any one of 8.
吐出ヘッドに供給するインクを収容している請求項10
ないし19のいずれか1項に記載のインクタンクとを搭
載するインクジェット記録装置。20. An ejection head for ejecting ink, and containing ink to be supplied to the ejection head.
20. An ink jet recording apparatus comprising the ink tank according to any one of claims 19 to 19.
前記容器の内部の負圧に応じて前記容器の内部の負圧を
調整する圧力調整手段と、外部から与えられるエネルギ
ーを、前記圧力調整手段を動作させるための、前記エネ
ルギーとは異なる種類のエネルギーに変換するエネルギ
ー変換手段とを有する立体形半導体素子を用い、 前記容器内の圧力を検知する圧力検知手段で検知した圧
力を前記容器内の圧力と比較して前記容器内の圧力を一
定に保つ、圧力調整方法。21. A container arranged inside a container maintained at a negative pressure,
Pressure adjusting means for adjusting the negative pressure inside the container according to the negative pressure inside the container, and energy given from the outside, for operating the pressure adjusting means, energy of a different kind from the energy Using a three-dimensional semiconductor element having an energy converting means for converting the pressure into pressure, and keeping the pressure in the container constant by comparing the pressure detected by the pressure detecting means for detecting the pressure in the container with the pressure in the container. , Pressure adjustment method.
記容器の外部に露出させ、かつ、他の一部位を前記容器
の内部に露出させた状態で前記容器に取り付けられてお
り、 前記圧力調整手段は、前記容器の内部と外部とを連通す
る通路と、該通路を開閉する弁機構とを有する、請求項
11に記載の圧力調整方法。22. The three-dimensional semiconductor device is attached to the container in a state where a part of the semiconductor device is exposed to the outside of the container and another part is exposed to the inside of the container. The pressure adjusting method according to claim 11, wherein the adjusting unit has a passage communicating between the inside and the outside of the container, and a valve mechanism that opens and closes the passage.
する可動部を有する、請求項2に記載の圧力調整方法。23. The pressure adjusting method according to claim 2, wherein the valve mechanism has a movable portion that is displaced by electrostatic attraction.
が高くなったときに、前記弁機構の動作により前記通路
を開き、前記容器の内部へ外気を導入することによって
行われる、請求項22または23に記載の圧力調整方
法。24. The adjustment of the negative pressure is performed by opening the passage by the operation of the valve mechanism and introducing outside air into the container when the negative pressure in the container increases. The pressure adjustment method according to claim 22.
ギー変換手段で変換されたエネルギーによって作動する
前記圧力検知手段を有し、前記圧力調整手段は前記圧力
検知手段での検知結果に基づいて前記容器の内部の負圧
を調整する、請求項21ないし24のいずれか1項に記
載の圧力調整方法。25. The three-dimensional semiconductor device has the pressure detecting means operated by the energy converted by the energy converting means, and the pressure adjusting means is configured to control the container based on a detection result by the pressure detecting means. The pressure adjustment method according to any one of claims 21 to 24, wherein the negative pressure inside the is adjusted.
で構成されたダイアフラムを有し、該ダイアフラムの変
位による抵抗値変化を利用して前記容器内の負圧を検知
する、請求項25に記載の圧力調整方法。26. The pressure detecting means according to claim 25, wherein the pressure detecting means has a diaphragm made of a polysilicon film, and detects a negative pressure in the container using a change in resistance value due to displacement of the diaphragm. Pressure adjustment method.
積する情報蓄積手段と、 前記圧力検知手段での検知結果と前記情報蓄積手段に蓄
積された情報とを比較し、前記容器の内部の負圧の調整
の必要性を判断する判断手段とを更に有し、 前記圧力調整手段は、前記判断手段にて負圧の調整が必
要と判断された場合に前記負圧を調整し、 前記情報蓄積手段および前記判断手段は、前記エネルギ
ー変換手段で変換されたエネルギーによって作動する、
請求項25または26に記載の圧力調整方法。27. An information storage unit for storing negative pressure condition information permitted by the container, and comparing a detection result of the pressure detection unit with information stored in the information storage unit, Determining means for determining the necessity of adjusting the negative pressure, wherein the pressure adjusting means adjusts the negative pressure when the determining means determines that the negative pressure needs to be adjusted; The storage means and the determination means operate with the energy converted by the energy conversion means,
The pressure adjustment method according to claim 25 or 26.
積する情報蓄積手段と、 外部からの信号を受信する受信手段と、 前記受信手段で受信した信号に応じて前記圧力検知手段
に前記負圧を検知させ、前記圧力検知手段での検知結果
と前記情報蓄積手段に蓄積された情報とを比較し、前記
検知結果が前記負圧条件情報を満たすか否か判断する判
断手段とを更に有し、 前記圧力調整手段は、前記判断手段にて前記検知結果が
前記負圧条件情報を満たさないと判断された場合に前記
負圧を調整し、 前記情報蓄積手段、前記受信手段、および前記判断手段
は、前記エネルギー変換手段で変換されたエネルギーに
よって作動する、請求項25または26に記載の圧力調
整方法。28. An information storage unit for storing negative pressure condition information permitted by the container, a receiving unit for receiving an external signal, and the pressure detecting unit receiving the negative signal according to a signal received by the receiving unit. Determining means for detecting the pressure, comparing the detection result of the pressure detecting means with the information stored in the information storing means, and determining whether the detection result satisfies the negative pressure condition information. The pressure adjustment unit adjusts the negative pressure when the determination result determines that the detection result does not satisfy the negative pressure condition information, and includes the information storage unit, the reception unit, and the determination unit. 27. A method as claimed in claim 25 or claim 26, wherein the means operates with the energy converted by the energy converting means.
された共振回路との間で電磁誘導による誘導起電力で電
力を発生させる発振回路を有する、請求項21ないし2
8のいずれか1項に記載の圧力調整方法。29. The energy conversion unit according to claim 21, further comprising an oscillation circuit for generating electric power by induced electromotive force generated by electromagnetic induction between the energy conversion unit and an externally disposed resonance circuit.
9. The pressure adjustment method according to any one of the above items 8.
るインクを収容するインクタンクであって、 請求項21ないし29のいずれか1項に記載の圧力調整
方法を用いて内部の圧力を調整するインクタンク。30. An ink tank for storing ink to be supplied to a discharge head that discharges ink, wherein the pressure of the ink is adjusted using the pressure adjustment method according to claim 21. tank.
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