JP2002000590A - X線撮影装置 - Google Patents
X線撮影装置Info
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- JP2002000590A JP2002000590A JP2000188629A JP2000188629A JP2002000590A JP 2002000590 A JP2002000590 A JP 2002000590A JP 2000188629 A JP2000188629 A JP 2000188629A JP 2000188629 A JP2000188629 A JP 2000188629A JP 2002000590 A JP2002000590 A JP 2002000590A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラットパネル撮像センサの前面に、受光部
としてのX線自動露出用検出器を別に置かなくても自動
露出撮影ができるX線撮影装置を提供する。 【解決手段】 検出部位設定器29で被写体11の関心
検出部位に対応する画素領域を設定し、濃度設定回路1
6aで撮影濃度を設定する。被写体11を透過したX線
がフラットパネル撮像センサ12に入射し、各画素にそ
れに比例した電荷信号が蓄積される。ゲートドライバ回
路2から画素にゲート信号が送られ、電荷信号が増幅回
路3に読取られる。画素選択回路25は増幅回路3から
の画像信号から、設定された画素領域の信号を選択的に
取込み、加算回路15aに送り、比較器17aで設定さ
れた撮影濃度と比較され、オーバすればX線遮断信号発
生回路18aによりX線高電圧装置19の高電圧を遮断
し、撮影は終了する。
としてのX線自動露出用検出器を別に置かなくても自動
露出撮影ができるX線撮影装置を提供する。 【解決手段】 検出部位設定器29で被写体11の関心
検出部位に対応する画素領域を設定し、濃度設定回路1
6aで撮影濃度を設定する。被写体11を透過したX線
がフラットパネル撮像センサ12に入射し、各画素にそ
れに比例した電荷信号が蓄積される。ゲートドライバ回
路2から画素にゲート信号が送られ、電荷信号が増幅回
路3に読取られる。画素選択回路25は増幅回路3から
の画像信号から、設定された画素領域の信号を選択的に
取込み、加算回路15aに送り、比較器17aで設定さ
れた撮影濃度と比較され、オーバすればX線遮断信号発
生回路18aによりX線高電圧装置19の高電圧を遮断
し、撮影は終了する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネル撮
像センサを備えたX線撮影装置に係わり、特に、X線条
件を自動設定するX線自動露出制御機構を有したX線撮
影装置に関する。
像センサを備えたX線撮影装置に係わり、特に、X線条
件を自動設定するX線自動露出制御機構を有したX線撮
影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】X線写真撮影における自動露出制御装置
はほとんどの間接撮影に用いられ、胸部、腹部等の直接
撮影にも広く利用されている。この自動露出制御装置
は、撮影時間を自動制御することにより、フイルム濃度
を一定に保つように作動するもので、被写体を透過した
X線量を電気信号に変換し、この電気量が一定値に達し
た時、X線を遮断し希望するフイルム濃度を得ようとす
るものである。図2に、X線自動露出制御装置14とフ
ラットパネル撮像センサを使用したX線撮影装置を示
す。X線高電圧装置19で、撮影条件である管電圧、管
電流が設定された後、X線管20からX線が放射され、
絞り21で有効視野に絞られて、被写体11を透過し、
X線自動露出用検出器10に入射するとともに、X線自
動露出用検出器10を透過してフラットパネル撮像セン
サ12に入る。X線自動露出用検出器10ではX線量を
信号電流13に変換し、X線自動露出制御装置14に入
力する。信号電流13は、X線自動露出用検出器10に
入射したX線強度に比例するので、露光量は信号電流1
3を積分した値に比例する。信号電流13が積分回路1
5で積分され、その積分値が濃度設定回路16の設定値
と比較器17で比較され、一致すればX線遮断信号発生
器18でX線遮断信号を発生し、X線高電圧装置19に
送られX線の曝射が停止される。一般撮影用自動露出制
御(ホタイマ制御)ではフラットパネル撮像センサ12
の前面にX線自動露出用検出器10が置かれる。
はほとんどの間接撮影に用いられ、胸部、腹部等の直接
撮影にも広く利用されている。この自動露出制御装置
は、撮影時間を自動制御することにより、フイルム濃度
を一定に保つように作動するもので、被写体を透過した
X線量を電気信号に変換し、この電気量が一定値に達し
た時、X線を遮断し希望するフイルム濃度を得ようとす
るものである。図2に、X線自動露出制御装置14とフ
ラットパネル撮像センサを使用したX線撮影装置を示
す。X線高電圧装置19で、撮影条件である管電圧、管
電流が設定された後、X線管20からX線が放射され、
絞り21で有効視野に絞られて、被写体11を透過し、
X線自動露出用検出器10に入射するとともに、X線自
動露出用検出器10を透過してフラットパネル撮像セン
サ12に入る。X線自動露出用検出器10ではX線量を
信号電流13に変換し、X線自動露出制御装置14に入
力する。信号電流13は、X線自動露出用検出器10に
入射したX線強度に比例するので、露光量は信号電流1
3を積分した値に比例する。信号電流13が積分回路1
5で積分され、その積分値が濃度設定回路16の設定値
と比較器17で比較され、一致すればX線遮断信号発生
器18でX線遮断信号を発生し、X線高電圧装置19に
送られX線の曝射が停止される。一般撮影用自動露出制
御(ホタイマ制御)ではフラットパネル撮像センサ12
の前面にX線自動露出用検出器10が置かれる。
【0003】被写体を透過してきたX線の検出機構とし
てのX線自動露出用検出器10は、従来では蛍光採光
型、電離箱型、半導体型などがある。電離箱検出方式で
は、X線を検出するのに、X線の電離作用を利用した方
式で、周囲のフレームと、X線の入力側と出力側にAl
板を用いたチャンバの内部に、X線入力側のAl板の内
側に絶縁板を、X線出力側のAl板の内側に絶縁板を設
け、その表面にそれぞれ電極を設け、両電極を平行に対
向させ、電極近傍にスペーサが装着され、両電極間の距
離を精度良くした構造である。そして、両電極間に直流
の電圧が印加されている。X線がこの電離空間のチャン
バに入射すると、X線のエネルギーを十分吸収した気体
原子は、最外殻の電子が、原子核の引力圏外まで飛び出
した状態となり、原子は正に帯電する。そして電子及び
正に帯電した原子は、各々電極に捕獲され、外部に信号
電流13として取り出される。
てのX線自動露出用検出器10は、従来では蛍光採光
型、電離箱型、半導体型などがある。電離箱検出方式で
は、X線を検出するのに、X線の電離作用を利用した方
式で、周囲のフレームと、X線の入力側と出力側にAl
板を用いたチャンバの内部に、X線入力側のAl板の内
側に絶縁板を、X線出力側のAl板の内側に絶縁板を設
け、その表面にそれぞれ電極を設け、両電極を平行に対
向させ、電極近傍にスペーサが装着され、両電極間の距
離を精度良くした構造である。そして、両電極間に直流
の電圧が印加されている。X線がこの電離空間のチャン
バに入射すると、X線のエネルギーを十分吸収した気体
原子は、最外殻の電子が、原子核の引力圏外まで飛び出
した状態となり、原子は正に帯電する。そして電子及び
正に帯電した原子は、各々電極に捕獲され、外部に信号
電流13として取り出される。
【0004】近年、単純X線撮影装置に使用されていた
X線フィルムやイメージングプレートに代わり、半導体
のX線面センサーを用いたフラットパネル撮像センサが
開発されている。このX線面センサーは、通常、X線を
光に変換するX線変換膜と、その直下に行列状に配置さ
れたフォトダイオードアレイと、各フオトダイオードア
レイに接続されたTFTスイツチによって構成され、X
線照射後、各TFTスイツチを順次ONすることで、各
画素に蓄積された信号電荷を読み出しX線画像を形成す
るタイプのものと、放射線に感応し入射線量に対応した
電荷信号を直接出力する変換層からなる放射線センサー
アレイを有し、その直下に行列状に配置され電極にTF
Tスイツチが接続され、照射時に各TFTスイツチを順
次ONするすることで、各画素に蓄積された信号電荷を
読み出しX線画像を形成するタイプの2種類のものがあ
る。ここでは後者のタイプのものについて説明する。
X線フィルムやイメージングプレートに代わり、半導体
のX線面センサーを用いたフラットパネル撮像センサが
開発されている。このX線面センサーは、通常、X線を
光に変換するX線変換膜と、その直下に行列状に配置さ
れたフォトダイオードアレイと、各フオトダイオードア
レイに接続されたTFTスイツチによって構成され、X
線照射後、各TFTスイツチを順次ONすることで、各
画素に蓄積された信号電荷を読み出しX線画像を形成す
るタイプのものと、放射線に感応し入射線量に対応した
電荷信号を直接出力する変換層からなる放射線センサー
アレイを有し、その直下に行列状に配置され電極にTF
Tスイツチが接続され、照射時に各TFTスイツチを順
次ONするすることで、各画素に蓄積された信号電荷を
読み出しX線画像を形成するタイプの2種類のものがあ
る。ここでは後者のタイプのものについて説明する。
【0005】図3に、後者のタイプのX線変換層30を
有するフラットパネル撮像センサの構造を示す。このフ
ラットパネル撮像センサは、X線変換層30にバイアス
電圧が上部電極22から供給され、X線変換層30の直
下に、アクティブマトリックス基板4に行列状に配置さ
れた画素電極7に、TFT8のスイツチ素子が接続さ
れ、照射時に各TFT8のスイツチ素子を、ゲートドラ
イバ回路2でFPC24aを介して順次ONするするこ
とにより、各画素の蓄積容量9に蓄積された信号電荷
が、増幅回路3にFPC(Flexible Prin
ted Circuit:柔軟性がある絶縁基板を用い
たプリント配線板)24を介して読出される。そして、
増幅回路3から図2のA/D変換器26を介して、TV
回路27に入力される。TV回路27で信号処理が行な
われモニタ28にX線画像が表示される。図4に、フラ
ットパネル撮像センサの動作を説明するための回路図を
示す。アクティブマトリックス基板4上に各画素1が縦
横に規則正しく配列されており、制御回路23からの信
号でゲートドライバー回路2が駆動され、ゲート線5を
介して行方向から各画素1の画素電極7に接続されたT
FT8のゲート電極にパルス信号がG1、G2、G3、
…と順次に送られ、一方、制御回路23からの信号で増
幅回路3が駆動され、読出信号線6を介して列方向か
ら、各画素1の映像電荷信号がTFT8のドレイン電極
からR1、R2、R3、…と順次に読出される。図5
に、画素1の断面構成を示す。画素1は、ガラス基板上
にXYマトリックス状の電極配線(ゲート線5、読出信
号線6)と薄膜トランジスタのTFT8と蓄積容量9な
どが形成されたアクティブマトリックス基板4と、その
上部に略全面に形成されたX線変換層30、下部の画素
電極7、上部の上部電極22によって構成されている。
有するフラットパネル撮像センサの構造を示す。このフ
ラットパネル撮像センサは、X線変換層30にバイアス
電圧が上部電極22から供給され、X線変換層30の直
下に、アクティブマトリックス基板4に行列状に配置さ
れた画素電極7に、TFT8のスイツチ素子が接続さ
れ、照射時に各TFT8のスイツチ素子を、ゲートドラ
イバ回路2でFPC24aを介して順次ONするするこ
とにより、各画素の蓄積容量9に蓄積された信号電荷
が、増幅回路3にFPC(Flexible Prin
ted Circuit:柔軟性がある絶縁基板を用い
たプリント配線板)24を介して読出される。そして、
増幅回路3から図2のA/D変換器26を介して、TV
回路27に入力される。TV回路27で信号処理が行な
われモニタ28にX線画像が表示される。図4に、フラ
ットパネル撮像センサの動作を説明するための回路図を
示す。アクティブマトリックス基板4上に各画素1が縦
横に規則正しく配列されており、制御回路23からの信
号でゲートドライバー回路2が駆動され、ゲート線5を
介して行方向から各画素1の画素電極7に接続されたT
FT8のゲート電極にパルス信号がG1、G2、G3、
…と順次に送られ、一方、制御回路23からの信号で増
幅回路3が駆動され、読出信号線6を介して列方向か
ら、各画素1の映像電荷信号がTFT8のドレイン電極
からR1、R2、R3、…と順次に読出される。図5
に、画素1の断面構成を示す。画素1は、ガラス基板上
にXYマトリックス状の電極配線(ゲート線5、読出信
号線6)と薄膜トランジスタのTFT8と蓄積容量9な
どが形成されたアクティブマトリックス基板4と、その
上部に略全面に形成されたX線変換層30、下部の画素
電極7、上部の上部電極22によって構成されている。
【0006】X線変換層30は、X線の照射強度に応じ
て良好な光導電特性を有し、電荷信号を発生する。例え
ば、蒸着により大面積成膜が容易で、厚み300〜60
0μmに成膜された非晶質(アモルファス)セレニウム
(a−Se)などが用いられる。そのX線入射側の面に
はX線変換層30の上部電極22が形成され、X線入射
側とは反対の側には各画素1に対応する位置に画素電極
7が形成されている。蓄積容量9は、画素電極7と接地
間に接続されている。そして、バイアス印加部からX線
変換層30にバイアス電圧が印加され、X線照射強度に
応じてX線変換層30で発生した電荷が、蓄積容量9の
コンデンサに蓄積される。トランジスタースイッチ、例
えば、信号読出しスイッチ機能を有するTFT8が、各
画素1毎に2次元に配列され、ゲート線端子5aからの
スイッチパルスにより、蓄積容量9の電荷信号が読出信
号線端子6aを介して増幅器回路3に読出される。
て良好な光導電特性を有し、電荷信号を発生する。例え
ば、蒸着により大面積成膜が容易で、厚み300〜60
0μmに成膜された非晶質(アモルファス)セレニウム
(a−Se)などが用いられる。そのX線入射側の面に
はX線変換層30の上部電極22が形成され、X線入射
側とは反対の側には各画素1に対応する位置に画素電極
7が形成されている。蓄積容量9は、画素電極7と接地
間に接続されている。そして、バイアス印加部からX線
変換層30にバイアス電圧が印加され、X線照射強度に
応じてX線変換層30で発生した電荷が、蓄積容量9の
コンデンサに蓄積される。トランジスタースイッチ、例
えば、信号読出しスイッチ機能を有するTFT8が、各
画素1毎に2次元に配列され、ゲート線端子5aからの
スイッチパルスにより、蓄積容量9の電荷信号が読出信
号線端子6aを介して増幅器回路3に読出される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のX線撮影装置は
以上のように構成されているが、フラットパネル撮像セ
ンサを有するX線撮影装置で自動露出撮影を行うために
は、図2示すように、フラットパネル撮像センサ12と
は別に、X線自動露出用検出器10を必要とし、フラッ
トパネル撮像センサ12の前面に受光部としてX線自動
露出用検出器10を置かなければならない。そのため、
X線自動露出用検出器10のX線吸収による画質の劣化
と無効な被曝の増加およびX線自動露出用検出器10の
厚さのために被写体11とフラトパネル撮像センサ12
の間の距離が離れてしまい、拡大ボケの増大による画質
の劣化に配慮しなければならないという問題がある。
以上のように構成されているが、フラットパネル撮像セ
ンサを有するX線撮影装置で自動露出撮影を行うために
は、図2示すように、フラットパネル撮像センサ12と
は別に、X線自動露出用検出器10を必要とし、フラッ
トパネル撮像センサ12の前面に受光部としてX線自動
露出用検出器10を置かなければならない。そのため、
X線自動露出用検出器10のX線吸収による画質の劣化
と無効な被曝の増加およびX線自動露出用検出器10の
厚さのために被写体11とフラトパネル撮像センサ12
の間の距離が離れてしまい、拡大ボケの増大による画質
の劣化に配慮しなければならないという問題がある。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、フラットパネル撮像センサ12の前面
に、受光部としてのX線自動露出用検出器10を別に置
かなくても自動露出撮影ができるX線撮影装置を提供す
ることを目的とする。
たものであって、フラットパネル撮像センサ12の前面
に、受光部としてのX線自動露出用検出器10を別に置
かなくても自動露出撮影ができるX線撮影装置を提供す
ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のX線撮影装置は、X線に感応し入射X線の
強度に対応した電荷信号を出力するX線変換層と、その
直下に行列状に配列され接続されたスイッチング素子
と、信号読出し時にゲート線を介して各スイッチング素
子を順次ONするゲートドライバ回路と、各画素に蓄積
された電荷信号を読出信号線を介して読出す増幅回路
と、前記ゲートドライバ回路と増幅回路を制御する制御
回路とから構成されるフラットパネル撮像装置を備えた
X線撮影装置において、被写体の関心検出部位に対応す
る前記フラットパネル撮像装置の画素領域を設定する検
出部位設定器と、設定された前記画素領域の信号を画像
信号から選択する画素選択回路と、選択された画素領域
の信号を加算する加算回路と、基準とする撮影濃度レベ
ルを設定する濃度設定回路と、前記加算回路と濃度設定
回路との信号を比較する比較回路と、加算回路の信号が
濃度設定回路の基準値に達したときX線を遮断する信号
を出力するX線遮断信号発生器と、X線遮断信号発生器
からの信号によってX線管に印加している高電圧を遮断
するX線高電圧装置と、X線管とから構成されたX線自
動露出制御機構を備えるものである。
め、本発明のX線撮影装置は、X線に感応し入射X線の
強度に対応した電荷信号を出力するX線変換層と、その
直下に行列状に配列され接続されたスイッチング素子
と、信号読出し時にゲート線を介して各スイッチング素
子を順次ONするゲートドライバ回路と、各画素に蓄積
された電荷信号を読出信号線を介して読出す増幅回路
と、前記ゲートドライバ回路と増幅回路を制御する制御
回路とから構成されるフラットパネル撮像装置を備えた
X線撮影装置において、被写体の関心検出部位に対応す
る前記フラットパネル撮像装置の画素領域を設定する検
出部位設定器と、設定された前記画素領域の信号を画像
信号から選択する画素選択回路と、選択された画素領域
の信号を加算する加算回路と、基準とする撮影濃度レベ
ルを設定する濃度設定回路と、前記加算回路と濃度設定
回路との信号を比較する比較回路と、加算回路の信号が
濃度設定回路の基準値に達したときX線を遮断する信号
を出力するX線遮断信号発生器と、X線遮断信号発生器
からの信号によってX線管に印加している高電圧を遮断
するX線高電圧装置と、X線管とから構成されたX線自
動露出制御機構を備えるものである。
【0010】本発明のX線撮影装置は上記のように構成
されており、被写体の関心検出部位に対応するフラット
パネル撮像センサの画素領域を設定する検出部位設定器
と、設定された前記画素領域の信号を、増幅回路からA
/D変換器に出力される画像信号から選択する画素選択
回路とをX線自動露出制御回路に設け、取出された画素
領域の信号を加算して、基準撮影濃度レベルと比較し、
その基準値に達したときX線を遮断する信号をX線高電
圧装置に出力し、高電圧を遮断してX線撮影を行うこと
ができる。そのため、フラットパネル撮像センサの前面
に、受光部としてのX線自動露出用検出器を別に置かな
くても自動露出撮影ができる。
されており、被写体の関心検出部位に対応するフラット
パネル撮像センサの画素領域を設定する検出部位設定器
と、設定された前記画素領域の信号を、増幅回路からA
/D変換器に出力される画像信号から選択する画素選択
回路とをX線自動露出制御回路に設け、取出された画素
領域の信号を加算して、基準撮影濃度レベルと比較し、
その基準値に達したときX線を遮断する信号をX線高電
圧装置に出力し、高電圧を遮断してX線撮影を行うこと
ができる。そのため、フラットパネル撮像センサの前面
に、受光部としてのX線自動露出用検出器を別に置かな
くても自動露出撮影ができる。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明のX線撮影装置の一実施例
を図1を参照しながら説明する。図1は本発明のX線撮
影装置のX線自動撮影機構のブロック回路図を示す図で
ある。本X線撮影装置は、X線に感応し入射X線の強度
に対応した電荷信号を出力するX線変換層とその直下に
行列状に配列され接続されたスイッチング素子とを有す
るフラットパネル撮像センサ12と、信号読出し時にゲ
ート線を介して各スイッチング素子を順次ONするゲー
トドライバ回路2と、各画素に蓄積された電荷信号を読
出信号線を介して読出す増幅回路3と、ゲートドライバ
回路2と増幅回路3を制御する制御回路(図示せず)
と、被写体11の関心検出部位に対応するフラットパネ
ル撮像センサ12の画素領域を設定する検出部位設定器
29と、設定された画素領域の信号を画像信号から選択
する画素選択回路25と、選択された画素領域の信号を
加算する加算回路15aと、基準とする撮影濃度レベル
を設定する濃度設定回路16aと、加算回路15aと濃
度設定回路16aとの信号を比較する比較回路17a
と、加算回路の信号が濃度設定回路の基準値に達したと
きX線を遮断する信号を出力するX線遮断信号発生器1
8aと、X線遮断信号発生器からの信号によりX線管2
0に印加している高電圧を遮断するX線高電圧装置19
と、X線管20とから構成されている。
を図1を参照しながら説明する。図1は本発明のX線撮
影装置のX線自動撮影機構のブロック回路図を示す図で
ある。本X線撮影装置は、X線に感応し入射X線の強度
に対応した電荷信号を出力するX線変換層とその直下に
行列状に配列され接続されたスイッチング素子とを有す
るフラットパネル撮像センサ12と、信号読出し時にゲ
ート線を介して各スイッチング素子を順次ONするゲー
トドライバ回路2と、各画素に蓄積された電荷信号を読
出信号線を介して読出す増幅回路3と、ゲートドライバ
回路2と増幅回路3を制御する制御回路(図示せず)
と、被写体11の関心検出部位に対応するフラットパネ
ル撮像センサ12の画素領域を設定する検出部位設定器
29と、設定された画素領域の信号を画像信号から選択
する画素選択回路25と、選択された画素領域の信号を
加算する加算回路15aと、基準とする撮影濃度レベル
を設定する濃度設定回路16aと、加算回路15aと濃
度設定回路16aとの信号を比較する比較回路17a
と、加算回路の信号が濃度設定回路の基準値に達したと
きX線を遮断する信号を出力するX線遮断信号発生器1
8aと、X線遮断信号発生器からの信号によりX線管2
0に印加している高電圧を遮断するX線高電圧装置19
と、X線管20とから構成されている。
【0012】本X線撮像装置は、フラットパネル撮像セ
ンサ12、ゲートドライバ回路2、増幅回路3、A/D
変換器26、TV回路27、モニタ28のX線撮像系に
関しては、図2に示す従来のX線撮像系と同じである
が、X線自動露出制御装置14が、本X線撮影装置で
は、図1に示すように、被写体11の関心検出部位に対
応するフラットパネル撮像センサ12の画素領域を設定
する検出部位設定器29と、設定された画素領域の信号
を画像信号から選択する画素選択回路25と、選択され
た画素領域の信号を加算する加算回路15aとが設けら
れた点が異なる。
ンサ12、ゲートドライバ回路2、増幅回路3、A/D
変換器26、TV回路27、モニタ28のX線撮像系に
関しては、図2に示す従来のX線撮像系と同じである
が、X線自動露出制御装置14が、本X線撮影装置で
は、図1に示すように、被写体11の関心検出部位に対
応するフラットパネル撮像センサ12の画素領域を設定
する検出部位設定器29と、設定された画素領域の信号
を画像信号から選択する画素選択回路25と、選択され
た画素領域の信号を加算する加算回路15aとが設けら
れた点が異なる。
【0013】本X線撮影装置のX線自動露出制御回路1
4aは、検出部位設定器29、画素選択回路25、加算
回路15a、濃度設定回路16a、比較器17a、X線
遮断信号発生器18aとから構成されている。検出部位
設定器29は、被写体11の関心検出部位に対応するフ
ラットパネル撮像センサ12の画素領域を設定するもの
で、被写体11の関心検出部位、例えば、腹部の撮影で
あればそれに対応するフラットパネル撮像センサ12の
中心位置の画素領域を設定する。また、胸部の撮影であ
ればそれに対応するフラットパネル撮像センサ12の中
心部よりも上方位置の画素領域を設定する。画素領域の
設定方法について、図4に示すフラットパネル撮像セン
サ4の画像信号読出し回路を参考にして説明する。ゲー
トドライバ回路2からのゲート信号がゲート線5を介し
て各画素1に接続されているTFT8のゲート電極にG
1、G2、G3…と送られ、各画素1の蓄積容量9に蓄
積した電荷がTFT8のソース電極からドレイン電極に
取出され、読出信号線6を介してR1、R2、R3…と
増幅回路3に読み出される。ここで各画素1のアドレス
を、例えば次のように決めておく。一番上の列から、画
素(11)、画素(12)、画素(13)…、2列目は
画素(21)、画素(22)、画素(23)…、3列目
は画素(31)、画素(32)、画素(33)…とす
る。上記の画素1から被写体11の関心検出部位に対応
するフラットパネル撮像センサ12の画素領域を、例え
ば、縦の中央部分の画素(12)、画素(22)、画素
(32)として設定する。ここでは説明の都合上、縦一
列を画素領域としたが、画素領域として広い面積を持つ
領域を選択するのが望ましい。画素選択回路25は、ゲ
ートドライバ回路2と接続され、ゲート信号が画素選択
回路25に送られ、同時に、増幅回路3と接続され、読
出信号が画素選択回路25に送られ、リアルタイムで検
出部位設定器29で設定された画素領域の信号を画像信
号から選択するものである。この領域設定値によって、
画素選択回路25が動作し、増幅回路3からA/D変換
器26に送られる画像信号の中から、画素領域が上記の
ように設定してあれば、ゲートドライバ回路2からのゲ
ート信号がG1、増幅回路3からの読出し信号がR2の
時、および、ゲート信号がG2、読出し信号がR2の
時、および、ゲート信号がG3、読出し信号がR2の時
の画像信号のみを画素選択回路25が取り込む。そし
て、画素選択回路25から送り込まれた信号が加算回路
15aで加算される。その加算値が濃度設定回路16a
の設定値と比較器17aで比較され、一致すればX線遮
断信号発生器18aでX線遮断信号を発生し、X線高電
圧装置19に送られX線の曝射が停止される。
4aは、検出部位設定器29、画素選択回路25、加算
回路15a、濃度設定回路16a、比較器17a、X線
遮断信号発生器18aとから構成されている。検出部位
設定器29は、被写体11の関心検出部位に対応するフ
ラットパネル撮像センサ12の画素領域を設定するもの
で、被写体11の関心検出部位、例えば、腹部の撮影で
あればそれに対応するフラットパネル撮像センサ12の
中心位置の画素領域を設定する。また、胸部の撮影であ
ればそれに対応するフラットパネル撮像センサ12の中
心部よりも上方位置の画素領域を設定する。画素領域の
設定方法について、図4に示すフラットパネル撮像セン
サ4の画像信号読出し回路を参考にして説明する。ゲー
トドライバ回路2からのゲート信号がゲート線5を介し
て各画素1に接続されているTFT8のゲート電極にG
1、G2、G3…と送られ、各画素1の蓄積容量9に蓄
積した電荷がTFT8のソース電極からドレイン電極に
取出され、読出信号線6を介してR1、R2、R3…と
増幅回路3に読み出される。ここで各画素1のアドレス
を、例えば次のように決めておく。一番上の列から、画
素(11)、画素(12)、画素(13)…、2列目は
画素(21)、画素(22)、画素(23)…、3列目
は画素(31)、画素(32)、画素(33)…とす
る。上記の画素1から被写体11の関心検出部位に対応
するフラットパネル撮像センサ12の画素領域を、例え
ば、縦の中央部分の画素(12)、画素(22)、画素
(32)として設定する。ここでは説明の都合上、縦一
列を画素領域としたが、画素領域として広い面積を持つ
領域を選択するのが望ましい。画素選択回路25は、ゲ
ートドライバ回路2と接続され、ゲート信号が画素選択
回路25に送られ、同時に、増幅回路3と接続され、読
出信号が画素選択回路25に送られ、リアルタイムで検
出部位設定器29で設定された画素領域の信号を画像信
号から選択するものである。この領域設定値によって、
画素選択回路25が動作し、増幅回路3からA/D変換
器26に送られる画像信号の中から、画素領域が上記の
ように設定してあれば、ゲートドライバ回路2からのゲ
ート信号がG1、増幅回路3からの読出し信号がR2の
時、および、ゲート信号がG2、読出し信号がR2の
時、および、ゲート信号がG3、読出し信号がR2の時
の画像信号のみを画素選択回路25が取り込む。そし
て、画素選択回路25から送り込まれた信号が加算回路
15aで加算される。その加算値が濃度設定回路16a
の設定値と比較器17aで比較され、一致すればX線遮
断信号発生器18aでX線遮断信号を発生し、X線高電
圧装置19に送られX線の曝射が停止される。
【0014】本X線撮影装置の動作について説明する。
術者は、被写体11の撮影検出部位を決め、例えば、腹
部の撮影であれば、検出部位設定器29を腹部画素領域
の設定にする。そして、制御器でX線条件を設定し、撮
影濃度を濃度設定器16aで設定する。次に、被写体1
1をフラットパネル撮像センサ12の前面に位置させ
る。撮影スイッチを操作して、X線管20から絞り21
を介してX線を放射させる。フラットパネル撮像センサ
の各画素1に入射X線強度に比例した電荷が蓄積され
る。ゲートドライバ回路2からのゲート信号により各画
素1の電荷信号が増幅回路3に読み取られ、画像信号が
A/D変換器26に送られ、TV回路27で信号処理さ
れ、モニタ28にX線画像が表示される。一方、同時に
画素選択回路25が、検出部位設定器29で設定された
腹部画素領域の各画素1の信号のみを、上記増幅回路3
からA/D変換器26に送られる画像信号から選択的に
取りこんで、加算回路15aに送りこまれ、加算され
る。その加算値が濃度設定回路16aの設定値と比較器
17aで比較され、一致すればX線遮断信号発生器18
aでX線遮断信号を発生し、X線高電圧装置19に送ら
れX線の曝射が停止される。
術者は、被写体11の撮影検出部位を決め、例えば、腹
部の撮影であれば、検出部位設定器29を腹部画素領域
の設定にする。そして、制御器でX線条件を設定し、撮
影濃度を濃度設定器16aで設定する。次に、被写体1
1をフラットパネル撮像センサ12の前面に位置させ
る。撮影スイッチを操作して、X線管20から絞り21
を介してX線を放射させる。フラットパネル撮像センサ
の各画素1に入射X線強度に比例した電荷が蓄積され
る。ゲートドライバ回路2からのゲート信号により各画
素1の電荷信号が増幅回路3に読み取られ、画像信号が
A/D変換器26に送られ、TV回路27で信号処理さ
れ、モニタ28にX線画像が表示される。一方、同時に
画素選択回路25が、検出部位設定器29で設定された
腹部画素領域の各画素1の信号のみを、上記増幅回路3
からA/D変換器26に送られる画像信号から選択的に
取りこんで、加算回路15aに送りこまれ、加算され
る。その加算値が濃度設定回路16aの設定値と比較器
17aで比較され、一致すればX線遮断信号発生器18
aでX線遮断信号を発生し、X線高電圧装置19に送ら
れX線の曝射が停止される。
【0015】上記の実施例では、検出部位設定器29に
被写体11の関心検出部位に対応するフラットパネル撮
像センサ12の画素領域を設定する方法として、各画素
1を設定する方法について説明したが、通常の撮影にお
いて代表的な撮影部位の画素1の領域(面積)を予め設
定しておいて、それを選択する方法を採ることもでき
る。また、加算回路15aには、画素領域の時系列の平
均化を図るために、平均値を算出する回路を内蔵させ、
平均値と濃度設定回路16aの設定値とを比較器17a
で比較する方法でもよい。
被写体11の関心検出部位に対応するフラットパネル撮
像センサ12の画素領域を設定する方法として、各画素
1を設定する方法について説明したが、通常の撮影にお
いて代表的な撮影部位の画素1の領域(面積)を予め設
定しておいて、それを選択する方法を採ることもでき
る。また、加算回路15aには、画素領域の時系列の平
均化を図るために、平均値を算出する回路を内蔵させ、
平均値と濃度設定回路16aの設定値とを比較器17a
で比較する方法でもよい。
【0016】
【発明の効果】本発明のX線撮影装置は上記のように構
成されており、被写体の関心検出部位に対応する画素領
域を設定する検出部位設定器と、設定された前記画素領
域の信号を、増幅回路から出力される画像信号から選択
する画素選択回路とを設けて、フラットパネル撮像セン
サ内の設定された画素領域の信号を用いてX線自動露出
制御を行うので、従来のように、フラットパネル撮像セ
ンサの前面に、受光部としてのX線自動露出用検出器を
別に置かなくても自動露出撮影ができる。そのため、X
線自動露出用検出器のX線吸収による画質の劣化や、無
効な被曝の増加、および、X線自動露出用検出器の厚さ
のために被写体とフラトパネル撮像センサ間の距離が離
れてしまい、拡大ボケの増大による画質を劣化させると
いうことがなくなる。
成されており、被写体の関心検出部位に対応する画素領
域を設定する検出部位設定器と、設定された前記画素領
域の信号を、増幅回路から出力される画像信号から選択
する画素選択回路とを設けて、フラットパネル撮像セン
サ内の設定された画素領域の信号を用いてX線自動露出
制御を行うので、従来のように、フラットパネル撮像セ
ンサの前面に、受光部としてのX線自動露出用検出器を
別に置かなくても自動露出撮影ができる。そのため、X
線自動露出用検出器のX線吸収による画質の劣化や、無
効な被曝の増加、および、X線自動露出用検出器の厚さ
のために被写体とフラトパネル撮像センサ間の距離が離
れてしまい、拡大ボケの増大による画質を劣化させると
いうことがなくなる。
【図1】 本発明のX線撮影装置の一実施例を示す図で
ある。
ある。
【図2】 従来のX線撮影装置を示す図である。
【図3】 フラットパネル撮像センサの構造を示す図で
ある。
ある。
【図4】 フラットパネル撮像センサの画像信号読出し
回路を示す図である。
回路を示す図である。
【図5】 フラットパネル撮像センサの画素構造を示す
図である。
図である。
1…画素 2…ゲートドライバ回路 3…増幅回路 4…アクティブマトリックス基板 5…ゲート線 5a…ゲート線端子 6…読出信号線 6a…読出信号線端子 7…画素電極 8…TFT 9…蓄積容量 10…X線自動露出用検出器 11…被写体 12…フラットパネル撮像センサ 13…信号電流 14…X線自動露出制御装置 14a…X線自動露出制御回路 15…積分回路 15a…加算回路 16…濃度設定回路 16a…濃度設定回路 17…比較器 17a…比較器 18…X線遮断信号発生器 18a…X線遮断信号発生器 19…X線高電圧装置 20…X線管 21…絞り 22…上部電極 23…制御回路 24…FPC 24a…FPC 25…画素選択回路 26…A/D変換器 27…TV回路 28…モニタ 29…検出部位設定器 30…X線変換層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05G 1/44 H05G 1/44 A
Claims (1)
- 【請求項1】X線に感応し入射X線の強度に対応した電
荷信号を出力するX線変換層と、その直下に行列状に配
列され接続されたスイッチング素子と、信号読出し時に
ゲート線を介して各スイッチング素子を順次ONするゲ
ートドライバ回路と、各画素に蓄積された電荷信号を読
出信号線を介して読出す増幅回路と、前記ゲートドライ
バ回路と増幅回路を制御する制御回路とから構成される
フラットパネル撮像装置を備えたX線撮影装置におい
て、被写体の関心検出部位に対応する前記フラットパネ
ル撮像装置の画素領域を設定する検出部位設定器と、設
定された画素領域の信号を画像信号から選択する画素選
択回路と、選択された前記画素領域の信号を加算する加
算回路と、基準とする撮影濃度レベルを設定する濃度設
定回路と、前記加算回路と濃度設定回路との信号を比較
する比較回路と、加算回路の信号が濃度設定回路の基準
値に達したときX線を遮断する信号を出力するX線遮断
信号発生器と、X線遮断信号発生器からの信号によって
X線管に印加している高電圧を遮断するX線高電圧装置
と、X線管とから構成されたX線自動露出制御機構を備
えることを特徴とするX線撮影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000188629A JP2002000590A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | X線撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000188629A JP2002000590A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | X線撮影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002000590A true JP2002000590A (ja) | 2002-01-08 |
Family
ID=18688385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000188629A Pending JP2002000590A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | X線撮影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002000590A (ja) |
Cited By (10)
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| JP2008125610A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Shimadzu Corp | X線透視撮影装置 |
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2000
- 2000-06-23 JP JP2000188629A patent/JP2002000590A/ja active Pending
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