JP2000260670A - シリコンウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハ及びその製造方法Info
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- JP2000260670A JP2000260670A JP11058145A JP5814599A JP2000260670A JP 2000260670 A JP2000260670 A JP 2000260670A JP 11058145 A JP11058145 A JP 11058145A JP 5814599 A JP5814599 A JP 5814599A JP 2000260670 A JP2000260670 A JP 2000260670A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的強度をそれ程低下させることなく、か
つ厚さを小さくしたシリコンウェーハを製造する。 【解決手段】 少なくともウェーハ周辺部１０ａを除く
シリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全領域にわた
って凹部１１，１２が形成されるか、又はウェーハ周辺
部１０ａに加えてウェーハ中央部を除くシリコンウェー
ハ１０の片面又は両主面の全領域にわたって凹部１１，
１２が形成されたシリコンウェーハである。この凹部１
１，１２の深さｄ1，ｄ2が互いに同一である。
つ厚さを小さくしたシリコンウェーハを製造する。 【解決手段】 少なくともウェーハ周辺部１０ａを除く
シリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全領域にわた
って凹部１１，１２が形成されるか、又はウェーハ周辺
部１０ａに加えてウェーハ中央部を除くシリコンウェー
ハ１０の片面又は両主面の全領域にわたって凹部１１，
１２が形成されたシリコンウェーハである。この凹部１
１，１２の深さｄ1，ｄ2が互いに同一である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄型で機械的強度が
大きく、サイリスタ、パワートランジスタのような縦方
向導電型の半導体装置、圧力センサ、各種マイクロマシ
ンの材料に適するシリコンウェーハ及びその製造方法に
関するものである。
大きく、サイリスタ、パワートランジスタのような縦方
向導電型の半導体装置、圧力センサ、各種マイクロマシ
ンの材料に適するシリコンウェーハ及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】技術の進歩に従って大口径化している半
導体装置用のシリコンウェーハは、機械的強度を高めて
ウェーハとしての加工を容易にし、かつ半導体装置への
加工時の取扱いを容易にするために、その厚さが大口径
化とともに厚くなっている。一方、半導体装置、例えば
シリコンウェーハの一方の主面上の電極と他方の主面上
の電極との間に電流を流す縦型サージ防護素子では、出
発材料であるｎ型若しくはｐ型のシリコンウェーハ自体
からなる高抵抗率層の厚さがサージ防護素子の性能に大
きく影響することが知られている。即ち、サージ防護用
の半導体装置では、ウェーハ自体からなる高抵抗率層の
厚さによって、半導体装置の応答速度及びサージ耐量が
決められ、薄いほど良好な特性が得られる。また圧力セ
ンサではダイヤフラムとなる部分をより薄くすると、圧
力の検出精度を高めることができる。
導体装置用のシリコンウェーハは、機械的強度を高めて
ウェーハとしての加工を容易にし、かつ半導体装置への
加工時の取扱いを容易にするために、その厚さが大口径
化とともに厚くなっている。一方、半導体装置、例えば
シリコンウェーハの一方の主面上の電極と他方の主面上
の電極との間に電流を流す縦型サージ防護素子では、出
発材料であるｎ型若しくはｐ型のシリコンウェーハ自体
からなる高抵抗率層の厚さがサージ防護素子の性能に大
きく影響することが知られている。即ち、サージ防護用
の半導体装置では、ウェーハ自体からなる高抵抗率層の
厚さによって、半導体装置の応答速度及びサージ耐量が
決められ、薄いほど良好な特性が得られる。また圧力セ
ンサではダイヤフラムとなる部分をより薄くすると、圧
力の検出精度を高めることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコンウェ
ーハの厚さを小さくすると機械的強度が低下する不都合
が生じるため、シリコンウェーハを機械的強度を低下さ
せないで薄くすることが求められている。本発明の目的
は、機械的強度をそれ程低下させることなく、かつ厚さ
を小さくしたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供
することにある。
ーハの厚さを小さくすると機械的強度が低下する不都合
が生じるため、シリコンウェーハを機械的強度を低下さ
せないで薄くすることが求められている。本発明の目的
は、機械的強度をそれ程低下させることなく、かつ厚さ
を小さくしたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１〜図４に示すように少なくともウェーハ周辺部１０
ａを除くシリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全領
域にわたって凹部１１，１２が形成されたシリコンウェ
ーハである。請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、ウェーハ周辺部１０ａに加えてウェーハ中
央部を除くシリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全
領域にわたって凹部１１，１２が形成されたシリコンウ
ェーハである。請求項３に係る発明は、請求項１又は２
に係る発明であって、片面又は両主面に形成された凹部
１１，１２の深さｄ1，ｄ2が互いに同一であるシリコン
ウェーハである。請求項４に係る発明は、請求項１ない
し３いずれかに係る発明であって、凹部におけるシリコ
ンウェーハの厚さが３０〜１６０μｍであるシリコンウ
ェーハである。請求項５に係る発明は、請求項１ないし
４いずれかに係る発明であって、ウェーハ中央部が互い
に直交する２本のリブ１３，１４であるシリコンウェー
ハである。
図１〜図４に示すように少なくともウェーハ周辺部１０
ａを除くシリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全領
域にわたって凹部１１，１２が形成されたシリコンウェ
ーハである。請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、ウェーハ周辺部１０ａに加えてウェーハ中
央部を除くシリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全
領域にわたって凹部１１，１２が形成されたシリコンウ
ェーハである。請求項３に係る発明は、請求項１又は２
に係る発明であって、片面又は両主面に形成された凹部
１１，１２の深さｄ1，ｄ2が互いに同一であるシリコン
ウェーハである。請求項４に係る発明は、請求項１ない
し３いずれかに係る発明であって、凹部におけるシリコ
ンウェーハの厚さが３０〜１６０μｍであるシリコンウ
ェーハである。請求項５に係る発明は、請求項１ないし
４いずれかに係る発明であって、ウェーハ中央部が互い
に直交する２本のリブ１３，１４であるシリコンウェー
ハである。
【０００５】請求項６に係る発明は、図１〜図４に示す
ように少なくともウェーハ周辺部を除くシリコンウェー
ハの片面又は両主面の全領域にわたって凹部１１，１２
を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法で
ある。請求項７に係る発明は、請求項６に係る発明であ
って、片面又は両主面に形成される凹部１１，１２の深
さｄ1，ｄ2を互いに同一にするシリコンウェーハの製造
方法である。
ように少なくともウェーハ周辺部を除くシリコンウェー
ハの片面又は両主面の全領域にわたって凹部１１，１２
を形成する工程を有するシリコンウェーハの製造方法で
ある。請求項７に係る発明は、請求項６に係る発明であ
って、片面又は両主面に形成される凹部１１，１２の深
さｄ1，ｄ2を互いに同一にするシリコンウェーハの製造
方法である。
【０００６】請求項１及び請求項６に係る発明によれ
ば、シリコンウェーハ１０の周辺部１０ａを残して凹部
１１，１２を形成するため、ウェーハの強度を保持した
状態で凹部１１，１２の深さｄ1，ｄ2を大きくすること
ができ、これにより凹部１１，１２におけるシリコンウ
ェーハ１０の厚さを小さくできる。請求項２及び請求項
５に係る発明によれば、ウェーハ周辺部１０ａに加えて
ウェーハ中央部がウェーハに残留するため、ウェーハは
補強され、これにより凹部１１，１２におけるシリコン
ウェーハ１０の厚さを更に小さくできる。またウェーハ
が大型化したときもその強度をそれ程低下させない。請
求項３及び請求項７に係る発明によれば、凹部１１，１
２の深さｄ1，ｄ2を同一にすることにより、シリコンウ
ェーハ１０の反りを減少することができる。
ば、シリコンウェーハ１０の周辺部１０ａを残して凹部
１１，１２を形成するため、ウェーハの強度を保持した
状態で凹部１１，１２の深さｄ1，ｄ2を大きくすること
ができ、これにより凹部１１，１２におけるシリコンウ
ェーハ１０の厚さを小さくできる。請求項２及び請求項
５に係る発明によれば、ウェーハ周辺部１０ａに加えて
ウェーハ中央部がウェーハに残留するため、ウェーハは
補強され、これにより凹部１１，１２におけるシリコン
ウェーハ１０の厚さを更に小さくできる。またウェーハ
が大型化したときもその強度をそれ程低下させない。請
求項３及び請求項７に係る発明によれば、凹部１１，１
２の深さｄ1，ｄ2を同一にすることにより、シリコンウ
ェーハ１０の反りを減少することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１〜図４に示すように本発明の
シリコンウェーハ１０は少なくともウェーハ周辺部１０
ａを除くシリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全領
域にわたって凹部１１，１２が形成される。請求項４に
係る発明では、凹部１１，１２におけるシリコンウェー
ハ１０の厚さは３０〜１６０μｍである。凹部を除くウ
ェーハ１０の厚さは少なくとも２５０μｍである。２５
０μｍ未満では図１に示す凹部１１，１２を少なくとも
ウェーハ周辺部１０ａを除くウェーハ全領域に形成した
ときに、ウェーハ周辺部１０ａだけでは所望の機械的強
度を保持できない。これらの凹部１１，１２はシリコン
ウェーハ１０の中央部分をエッチングすることにより形
成される。このエッチングにはトレンチ加工に用いる反
応性イオンエッチング、マイクロマシンで使われるＫＯ
ＨやＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド）を用いた異方性エッチング、フッ硝酸を用いた等方
性エッチングなどの方法が挙げられる。
シリコンウェーハ１０は少なくともウェーハ周辺部１０
ａを除くシリコンウェーハ１０の片面又は両主面の全領
域にわたって凹部１１，１２が形成される。請求項４に
係る発明では、凹部１１，１２におけるシリコンウェー
ハ１０の厚さは３０〜１６０μｍである。凹部を除くウ
ェーハ１０の厚さは少なくとも２５０μｍである。２５
０μｍ未満では図１に示す凹部１１，１２を少なくとも
ウェーハ周辺部１０ａを除くウェーハ全領域に形成した
ときに、ウェーハ周辺部１０ａだけでは所望の機械的強
度を保持できない。これらの凹部１１，１２はシリコン
ウェーハ１０の中央部分をエッチングすることにより形
成される。このエッチングにはトレンチ加工に用いる反
応性イオンエッチング、マイクロマシンで使われるＫＯ
ＨやＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド）を用いた異方性エッチング、フッ硝酸を用いた等方
性エッチングなどの方法が挙げられる。
【０００８】図３に示すシリコンウェーハでは、ウェー
ハ中央部が互いに直交する２本の補強用リブ１３，１４
から構成される。ウェーハ周辺部１０ａに加えてウェー
ハ中央部に互いに直交する２本のリブ１３，１４がウェ
ーハに残留するため、ウェーハの強度はさらに増大し、
従って凹部１１，１２におけるシリコンウェーハ１０の
厚さをさらに薄くできる。図４に示すシリコンウェーハ
では、ウェーハ周辺部１０ａの３箇所に切欠部１６，１
７，１８が形成される。これらの切欠部はシリコンウェ
ーハ１０にエッチングにより凹部１１，１２を形成する
際に使用されたエッチング液がこれらの切欠部を通って
外部に排出される排出路として作用する。なお、ウェー
ハの片面に凹部を形成するときは、凹部を形成しない面
にシリコン酸化膜を形成した後、前述したエッチング液
でウェーハをエッチングする。エッチングした後に酸化
膜はフッ酸等により除去される。
ハ中央部が互いに直交する２本の補強用リブ１３，１４
から構成される。ウェーハ周辺部１０ａに加えてウェー
ハ中央部に互いに直交する２本のリブ１３，１４がウェ
ーハに残留するため、ウェーハの強度はさらに増大し、
従って凹部１１，１２におけるシリコンウェーハ１０の
厚さをさらに薄くできる。図４に示すシリコンウェーハ
では、ウェーハ周辺部１０ａの３箇所に切欠部１６，１
７，１８が形成される。これらの切欠部はシリコンウェ
ーハ１０にエッチングにより凹部１１，１２を形成する
際に使用されたエッチング液がこれらの切欠部を通って
外部に排出される排出路として作用する。なお、ウェー
ハの片面に凹部を形成するときは、凹部を形成しない面
にシリコン酸化膜を形成した後、前述したエッチング液
でウェーハをエッチングする。エッチングした後に酸化
膜はフッ酸等により除去される。
【０００９】
【実施例】次に本発明の一実施例について説明する。出
発材料として、この例では厚さ２５０μｍで直径４イン
チのｎ型のシリコンウェーハを用いた。このシリコンウ
ェーハの周辺部を５ｍｍ残して中央部をほぼ円形で表面
が平面になるようにウェーハの片面からエッチング液の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いた異方性
エッチングを行って、深さが１５０μｍの凹部（凹部に
おけるウェーハの厚さは１００μｍ）を形成した。この
ように片面に凹部が形成された後のシリコンウェーハの
機械的強度と、凹部を形成しない前のシリコンウェーハ
の機械的強度とを測定した。即ち、これらのシリコンウ
ェーハの中心を支点として、ウェーハ中心線上の両端の
ウェーハ周辺部に荷重を加えてウェーハの曲げ強度を調
べた。この結果、凹部を形成したウェーハの曲げ強度は
凹部を形成する前のウェーハの曲げ強度より約３０％低
下していたに過ぎなかった。
発材料として、この例では厚さ２５０μｍで直径４イン
チのｎ型のシリコンウェーハを用いた。このシリコンウ
ェーハの周辺部を５ｍｍ残して中央部をほぼ円形で表面
が平面になるようにウェーハの片面からエッチング液の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いた異方性
エッチングを行って、深さが１５０μｍの凹部（凹部に
おけるウェーハの厚さは１００μｍ）を形成した。この
ように片面に凹部が形成された後のシリコンウェーハの
機械的強度と、凹部を形成しない前のシリコンウェーハ
の機械的強度とを測定した。即ち、これらのシリコンウ
ェーハの中心を支点として、ウェーハ中心線上の両端の
ウェーハ周辺部に荷重を加えてウェーハの曲げ強度を調
べた。この結果、凹部を形成したウェーハの曲げ強度は
凹部を形成する前のウェーハの曲げ強度より約３０％低
下していたに過ぎなかった。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、少
なくともウェーハ周辺部を除くシリコンウェーハの片面
又は両主面の全領域にわたって凹部を形成するようにし
たので厚さが小さいにも拘らず機械的強度がそれ程低下
しないシリコンウェーハを製造できる。その結果、従来
は機械的強度が不足するために使用が困難であった大口
径ウェーハについても本発明を適用することにより使用
が可能になる。また本発明のシリコンウェーハではその
周辺部で強度を維持できるので、薄型領域のウェーハの
厚みを要求に応じて自在に変更することも可能である。
従って、本発明のシリコンウェーハは、圧力センサ、各
種マイクロマシン、サイリスタやパワートランジスタ等
の縦方向導電型の半導体装置において厚さが小さいこと
を要求される材料として有用である。
なくともウェーハ周辺部を除くシリコンウェーハの片面
又は両主面の全領域にわたって凹部を形成するようにし
たので厚さが小さいにも拘らず機械的強度がそれ程低下
しないシリコンウェーハを製造できる。その結果、従来
は機械的強度が不足するために使用が困難であった大口
径ウェーハについても本発明を適用することにより使用
が可能になる。また本発明のシリコンウェーハではその
周辺部で強度を維持できるので、薄型領域のウェーハの
厚みを要求に応じて自在に変更することも可能である。
従って、本発明のシリコンウェーハは、圧力センサ、各
種マイクロマシン、サイリスタやパワートランジスタ等
の縦方向導電型の半導体装置において厚さが小さいこと
を要求される材料として有用である。
【図１】凹部を形成した一実施例のシリコンウェーハの
図２のＡ−Ａ線断面図。
図２のＡ−Ａ線断面図。
【図２】その凹部を形成したシリコンウェーハの平面
図。
図。
【図３】ウェーハ中央部が互いに直交する２本のリブか
ら構成されるシリコンウェーハの平面図。
ら構成されるシリコンウェーハの平面図。
【図４】ウェーハ周辺部に複数の切欠部を形成したシリ
コンウェーハの平面図。
コンウェーハの平面図。
１０ シリコンウェーハ １０ａ ウェーハの周辺部 １１，１２ 凹部 １３，１４ 互いに直交する２本のリブ
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくともウェーハ周辺部(10a)を除く
シリコンウェーハ(10)の片面又は両主面の全領域にわた
って凹部(11,12)が形成されたシリコンウェーハ。 - 【請求項２】 ウェーハ周辺部(10a)に加えてウェーハ
中央部を除くシリコンウェーハ(10)の片面又は両主面の
全領域にわたって凹部(11,12)が形成された請求項１記
載のシリコンウェーハ。 - 【請求項３】 片面又は両主面に形成された凹部(11,1
2)の深さ(d1,d2)が互いに同一である請求項１又は２記
載のシリコンウェーハ。 - 【請求項４】 凹部(11,12)におけるシリコンウェーハ
(10)の厚さが３０〜１６０μｍの範囲で均一である請求
項１ないし３いずれか記載のシリコンウェーハ。 - 【請求項５】 ウェーハ中央部が互いに直交する２本の
補強用リブ(13,14)である請求項１ないし４いずれか記
載のシリコンウェーハ。 - 【請求項６】 少なくともウェーハ周辺部(10a)を除く
シリコンウェーハ(10)の片面又は両主面の全領域にわた
って凹部(11,12)を形成する工程を有するシリコンウェ
ーハの製造方法。 - 【請求項７】 片面又は両主面に形成される凹部(11,1
2)の深さ(d1,d2)を互いに同一にする請求項６記載のシ
リコンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058145A JP2000260670A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058145A JP2000260670A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260670A true JP2000260670A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13075832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058145A Withdrawn JP2000260670A (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260670A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044088A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-02-16 | Intersil Corp | 自立型超薄型シリコンウェハの製造方法 |
| JP2002026307A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体素子の製造方法 |
| JP2007208074A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008227521A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-09-25 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
| US7635892B2 (en) | 2003-01-20 | 2009-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US7737531B2 (en) | 2007-10-19 | 2010-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wafer including a reinforcing flange formed upright at a periphery and method for manufacturing the same |
| US8716067B2 (en) | 2012-02-20 | 2014-05-06 | Ixys Corporation | Power device manufacture on the recessed side of a thinned wafer |
-
1999
- 1999-03-05 JP JP11058145A patent/JP2000260670A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044088A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-02-16 | Intersil Corp | 自立型超薄型シリコンウェハの製造方法 |
| JP2002026307A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 電力用半導体素子の製造方法 |
| US7635892B2 (en) | 2003-01-20 | 2009-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2007208074A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7737531B2 (en) | 2007-10-19 | 2010-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wafer including a reinforcing flange formed upright at a periphery and method for manufacturing the same |
| JP2008227521A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-09-25 | Renesas Technology Corp | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
| US8716067B2 (en) | 2012-02-20 | 2014-05-06 | Ixys Corporation | Power device manufacture on the recessed side of a thinned wafer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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