DE902113C - Verfahren zur Herstellung kornloser Leuchtschirme - Google Patents

Description

• Verfahren zur Herstellung kornloser Leuchtschirme Die Erfindung ibetrifft ein Verfahren zur Herstell-ung von. äußerst feinkörnigen, praktisch: strukturlosen Leuchtschirmen.
• Es hat sich gezeigt, daß sich spiegelglatte Niederschläge ;aus .Sulfiden., Seeleniden und Telluriden durch Fällen dieser ,Stoffe aus .ihren Lösungen in. Thioharn.stoff oder Selenhurnstoff oder Telliurharnstoff hersteli:en lassen. Das Gefüge des Niederschlages läßt sich durch Wahl der Konzentration der Lösung und der Fällu.ngstemperatu-r so gut beherrschen, daß überaus feinkörnige Niederschläge erzielt werden können. Wenn man jedoch, eine solche Schicht glüht, wie dies im Zuge der Herstellung von Leuchtschirmen erforderlich ist, so tritt ohne Anwendung besonderer Gegenmaßnahmen eine Rekristallieation ein, und diese hat die Entstehung eines verhältnismäßig .groben Korns sbwie von. Rissen und-Sprüngen in dem Niederschlag zur Fol e.
• Damit auch der fertige Leuchtschirm praktisch kornlos ist, erfolgt seine Herstellung gemäß der Erfindung in der Weise, daß durch Fällung von Sulfid und/oder Seleni,d und/oder Tel'lu:rid aus Thio@ harnstoff- und/oder Selen.harnstoff- und/o.der Tellurharnst.offlösungen ein glatter Niederschlag er-zeugt und. dieser in einer ,Schutzgasatmosphäre geglüht (getempert) wird.. Das Glühen (Tempern) wird entweder im Schutzga@sstro-rn: oder vorzugsweise im Hochdruckofen vorgenommen. Alis Schutagas kommt in. erster Reihe Wasserstoff in Betracht. Es können während der Herstellung ,des Leuchtschirms aber auch indifferente Gase, z. B. Edelgase oder Stickstoff. oder aktive Gase. wie Sch@wef:el.wasser-Stoff Hz S. Selenwasserstoff H2 Se oder Te'llurwa-sserst.off H,Te, zugegen sein.; auch Sauerstoff kann entweder allein oder zusammen mit indifferenten Gasen Anwendung fincl:n. Durch das Schutzgas wird die Rekristallisation des Niederschlages verhindert, so,daß sich nach dem ungegeibenen Verfahren Leuchtschirme mit feinstem. Korn erzeugen lassen, die überall dort eingesetzt werden können, wo ein Bedarf .dafür besteht. Ein 'besonderer Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, daß der Leuchtphosphor nicht zuerst geglüht und .dann alis Pulver auf einen Schirmträger durch Sedime.ntation au,fgefbr.acht werden muß, sondern daß . ,der Leuchtschirm in einem einfachen Arbeitsgang als Feinkornschirm anfällt. Durch Wahl eines besonderen Schutzgases oder Schutzgasgemisches lassen sich außer der Rekristallisationsverhinderurng auch noch zusätzliche Wirkungen erzielen. Die Verwendung eines aktiven Gases allein. oder zusammen: mit anderen Gasen vermag eine sonst beim Glühen vor sich: gehende Zersetzung der Leuchtstoffe zu hemmen bzw. eine Rückbildung nach schon begonnener Zersetzung herbeizuführen. Aus diesem Grunde werden z. B. leicht zum Zerfall neigende Seleni-de in Anwesenheit von .Selenwasserstoff geglüht, ebenso Sulfide in Schwefelwasserstoff Oder Teliluri@de in Tellurw as,serstoff. Sinngemäß werden bei der Glühbehandliung von Leuchtstoffgemischen im Bedarfsfalle Gemische der entsprechenden aktiven Gase angewendet. In anderen Fällen ist eine wenigstens teilweise Zersetzung oder Umwandlung von Leuchtstoffen, während der Glühbehanddu:nggerade erwünscht; auch. ,diese kann durch eine ,passende Zusammensetz.ü:rng der Sehutz-as,atmosphäre :begünstigt werden. Beispielsweise bewirkt ein, Zusatz von Sauerstoff zu einer indifferenten Stickstoffatmosphäre einen für eine Eigenaktivierun;g ausreichenden Ausbau des Schwefels aus Zinksulfid oder bei gesteigertem Sauerstoffgehalt eine Umwandlung desselben in Zinkoxyd.
• Metalle, welche zwecks A'ktivierung des Leuc'ht-,stoffniederschlages in diesen einwandern, sollen, können. entweder auf nassem Wege während der Ausfällung in die Schicht eingeführt oder aber bzw. und zusätzlich durch Zerstäuben oder Verdampfen nachträglich a@af den Leuchtstoffniederschlag aufgebracht werden.
• Es ist nachdem angegebenen Verfäh,ren möglich, auf einer so hergestellten Schicht mindestens eine weigere ähnliche Schicht niederzuschlagen und dadurch .besondere Wirkungen zu erzielen. Beispielsweise kann man Schichten mit verschiedenen. Eigenschaften übereinanderlagern und dabei eine weitere Schicht erst dann aufbringen, wenn die darunterliegende Schicht °bereits durch Aktivierung Leuchtstofteigenschaften angenommen hat. Man hat es in der Hand, durch eine entsprechende Leitung des Verfahrens eine Mischkriställbildung zwischen den überenandergel-agerten Schichten herbeizuführen oder zu verhindern: Eine Mischkristallbil-dung zwischen zwei :oder mehr übereinandergelagerten Schichten bewirkt eine spektriale Verschiebung des Leuchtens; daher kann. ,man auf diesem Wege praktisch strukturlose Feinkornschichten, welche @in verschiedenen Farbtönen leuchten, erzeugen. Die Mischkristallibildung eläßt sich dadurch fördern, daß mehrere Schichten verschiedener Stoffe abwechselnd übereinander ,auf eine Unterlage aufigebracht werden. Bei-spielswei,se kann .die erste Schicht aus Zinksulfid, die zweite Schicht aus Zinkselenid, die dritte Schicht wider aus Zinksulfid., die vierte Schicht wieder aus Zinikselenid usw. ,bestehen. Durch Bemessung der in den einzelnen Schachten niedergeschlagenen: Stoffmengen läß,t @sic'h die Zusammensetzu,ng, im BeispeiTs-falle das Verhältnis von Zn S ,zu Zn Se, in beliebigen Grenzen ändern.
• Es folgen nun zwei weitere Beispiele für die Anwendung des Erfindungsgedankens i. Auf eine Unterlage wird eine erste Schicht von ,mit Sillber aktiviertem Zinksulfid. -aufgebracht und .geglüht. Anschließend wird eine zweite Schicht aus Cadmiwmsulfid aufgebracht, Bund dann werden beide Schichten gemeinsam -bei etwa 8@oo° getempert.
• 2. Auf eine Unterlage wird eine erste Schicht aus mit Silber aktiviertem Zinksulfid und darüber eine zweite Schicht aus Zinkseilenid aufgetragen, und diese beiden Schichten werden gemeinsam getempert. Bei diesem Beispie7l kommt eine teilweise MischkristallibiTdung zwischen den.beiden Schichten zustande.
• Eine Misch"kristal,lbi@ldung -läß.t sich @d,adurch verhindern, daß zwischen die alu,fein;an,der.fo,ligenden Leuchtstoffschichten eine durchsichtige inaktive Metallschicht, z.. B. aus Aluminium, Platin oder Zinn, aufgedampft wird. Auf diese Weise läßt sich ein Doppel- oder Mehrfachleuchtschirm herstellen, bei welchem ibeispiel's"weise die beim Auftreffen von Elektronen blau. -leuchtende erste Schicht eine zweite Schicht in einer anderen dieser eigentümlichen Farbe anregen kann.
• Die Schichten des Leuchtschirmes können euch derart .ausgewählt sein, daß eine zu erregende und durch .die Erregung zum Leuchten gebrachte Schicht mit einer weiteren Schicht zusammengebracht wird, deren Leuchten durch die Erregung der anderen ,Schicht stellenweise getilgt wird. Auf diese Weise lassen sich .auf der tilgenden Schicht Darstellungen hervorbringen, ,die sich dunkel voll einem hellen Hintergrund a'bhdben.

Claims (1)

1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von kornilosen Leuchtschirmen, dadurch; gelkennzeichn.et, daß Sulfid und/o-der Seleni,d und/oder Teliluirid aus Th,i,oharnstoff- und/oder Selenhiarnstoff- und/ oder Te'llurharnstoflösunigen gefällt und, ,der niedergeschlagene Spiegel vorzugsweise im Hochdrucköfen in einer Schutzgasatmosphäre ,geglüht (getempert) wird, die seine Rekristalilisation verhindert. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Tempern in einer Wasserstoffatmosphäre vorgenommen wird. 3. Verfahren nach Anspruch: i, dadurch gekennzeichnet, daß ,das Tempern in einer Atmosphäre vorgenommen wird, welche den chemischen, Zerfall der Leuchtstoffe hemmende aktive Gase, z. B. Schwefelwasserstoff, Selenwasserstoff oder Tell@urwas@serstoff, enthält. q.. Verfahren nach Anspruch, i, dadurch gekennzeichnet, daß, das Tempern in einer Atmosphäre vorgenommen wird, welche ein eine chemische Zersetzung oder Umwandliung der Leuchtstoffe förderndes Gas, :z. B. Sauerstoff, enthält. 5. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß Aktivierungsmetal-le auf nassem Wege während des Fallens in den Niederschlag eingeführt werden. 6. Verfahren nach Anspruch i, dadurch, gekennzeichnet, @daß Aktivierungsmetal.le durch Zerstäuben oder Verdampfen nachträglich auf den Niederschlag aufigebracht werden. 7. Verfahren nach Anspruch: i, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Leuchtistoffschichten übereinander aufgetragen werden. ä. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Glühen (Tempern) im Hochdruckofen derart geleitet wird, daß die schichtweise übereinander aufgebrachten Leuchtstoffe Mischsubstanzen 'binden -und dadurch eine spektrale Verschiebung des Leuchtens eintritt. 9. Verfahren nach Anspruch 7, .dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Schichten verschiedener Leuchtstoffe abwechselnd aufeinander auifgebracht werden. io. Verfahren nach Anspruch 7,dadurch gekennzeichnet, daß zwischen zwei Leuchtstoffschichten eine durchsichtige inaktive Metallschicht, z. B. aus Aluminium., Platin oder Zinn, au-figedampft wird.