DE2126889A1 - Verfahren zur Herstellung eines lumines zierenden mit einer Sperrschicht versehenen Chalkogenide - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines lumines zierenden mit einer Sperrschicht versehenen ChalkogenideInfo
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Description
g, Hans-Dietrich Zelle*
Akte Na YBB-. 4907
Anmeldung voms 28. Mai 1971
Verfahren zur Herstellung eines luraineezierenden mit einer Sperrschicht
versehenen Chalkogenids.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Her-'stellung eines lumineszierenden mit einer Sperrschicht versehenen
Chalkogenids von Zink und/oder Cadmium. Weiterhin bezieht eich die Erfindung auf ein durch ein derartiges Verfahren hergestelltes lumineszierendes Zink- und/oder Cadmiumchalkogenid und auf eine ein derartiges
lumineszierendes Chalkogenid enthaltende Elektronenstrahlröhre.
Sie Chalkogenide (d.h. Sulfide, Selenide, Telluride und
Mischkristalle der erwähnten Salze) von Zink und/oder Cadmium, die unaktiviert sind oder als Aktivator z.B. Silber, Gold oder Kupfer und gegebenenfalls als Koaktivator z.B. Chlor oder Aluminium enthalten, sind
als Leuchtstoffe bekannt. Sie können durch Ultraviolettstrahlung und mit Elektronen angeregt werden und weiten dann je nach dem Zink/Cadmium- Verhältnis und der Art und der Konzentration des Aktivators eine verschiedene Emissionsfarbe auf. Die erwShnten Chalkogenide werden hauptsächlich in
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Schirmen von Elektronenstrahlröhren, z.B. Oszilloskopröhren oder Fernsehbildwiedergaberöhren,
verwendet. Insbesondere die lumineszierenden Sulfide haben einen sehr grossen Anwendungsbereich gefunden.
Bekanntlich können zur Wiedergabe verschieden gefärbter Bilder mit Hilfe einer Elektronenstrahlröhre zwei Leuchtstoffe verwendet
werden« die je ihre eigene Emissionsfarbe aufweisen» wobei die Farbe des
wiederzugebenden Bildes durch die Energie der anregenden Elektronen bestimmt
wird. Die beiden Leuchtstoffe können z.B. in zwei diskreten Schich-
k ten auf dem Bildschirm angebracht werden, wobei diese Schichten durch eine
zwischenliegende Schicht aus einem nichtlumineszierenden Material voneinander
getrennt sind. Wenn der Bildschirm von einem Elektronenstrahl
mit verhältnismässig niedriger Energie abgetastet wird, wird das wiederzugebende
Bild in der Farbe, die zu der ersten dem Elektronenstrahlerzeugungssystem
am nächsten liegenden Leuchtschicht gehört, erscheinen. Wird
jedoch die Energie der anregenden Elektronen erhöht, und zwar derart, dass
die Elektronen auch in die-zweite Leuchtschicht eindringen können, so wird
ein Bild wiedergegeben, dessen Farbe durch die emittierte Strahlung der beiden Leuchtschichten bestimmt wird. Durch Aenderung der Elektronenener-
W gie können verschiedene Mischfarben wiedergegeben werden. In der Praxis
stellt sich heraus, dass, die Herstellung der obenbeschriebenen Doppelschichtschirme
besonders schwierig und kostspielig ist. An die Reproduzierbarkeit
der Dicke der Schichten müssen nämlich hohe Anforderungen gestellt
werden, d.h., dass die Dicke der Schichten über den ganzen Schirm konstant
sein muss.
Weiter ist es bekannt, Leuchtstoffe herzustellen, die einen Schwellwert für die Anregungsenergie aufweisen. Zu diesem Zweck werden die
einzelnen Phosphorteilchen mit einer Sperrschicht versehen, in die nur
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Elektronen mit einer bestimmten Mindestenergie eindringen können. Der mit
einer solchen Sperrschicht versehene Phosphor kann mit einem anderen Phosphor, der eine von der des ersten Phosphors verschiedene Emissionsfarbe
aufweist, gemischt werden· Dieses Gemisch kann auf übliche Weise ohne
Schwierigkeiten auf dem Schirm einer Elektronenstrahlröhre angebracht werden. Je nach der Energie der anregenden Elektronen besteht die »mittiefte Strahlung aus von eines Phosphor oder von den beiden Phosphoren herrührenden Licht·
Aus der USA Patentschrift 3.408.223 ist ein Verfahren zur
Herstellung eines solchen mit einer Sperrschicht versehenen Phosphors bekannt, bei dem die Phosphorteilchen mit einem erhitzten Gasstrom in
Berührung gebracht werden« der Sauerstoff und Silandämpfe enthält. Die
dabei gebildete Sperrschicht besteht aus SiO-· Ein anderes Verfahren zur
Bildung einer Sperrschicht ist aus der USA Patentschrift 3.449.148 bekannt.- Dabei werden die Phosphorteilchen, insbesondere lumineszierende
Sulfidteilchen, auf erhöhter Temperatur in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre oberflächlich oxydiert, wonach die Phosphorteilchen, wieder
auf erhöhter Temperatur, einer schwefelhaltigen Atmosphäre ausgesetzt werden und die oxydierte Oberfläche wiedergeschwefelt wird.
Die erwähnten bekannten Verfahren zur Erhöhung des Schwellwertes für die Anregungsenergie von Phosphoren durch die Anbringung einer
Sperrschicht weisen den Nachteil auf, dass sie auf hoher Temperatur durchgeführt werden müssen und dass sie eine kostspielige Apparatur, wie Oefen,
erfordern. Durch die Behandlung auf hoher Temperatur werden die lumineszierenden Eigenschaften der Phosphore beeinträchtigt. Insbesondere wenn
grosse Mengen eines Phosphors behandelt werden müssen, ist eine besonders
verwickelte Apparatur erforderlich. Beim Anbringen einer SlO^-Schicht
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durch das bekannte Verfahren wird eine weniger genau definierte Schicht
erhalten, deren Dicke schlecht reproduzierbar ist und deren Zusammensetzung erheblich von der Phosphorzusanmensetzung abweicht. Dabei ist die
Gefahr vor der Einführung von Verunreinigungen gross. Das bekannte Verfahren) bei dem die Sulfidkörner oberflächlich oxydiert und dann wiedergeschwefelt werden, weist noch den Nachteil auf, dass ein Teil des Phosphors verloren geht 9 weil dieser Teil in die Sperrschicht umgewandelt
wird. Ferner lassen sich dicke Sperrschichten auf diese Weise schwer anbringen.
Die Erfindung bezweckt, ein Verfahren zur Herstellung eines
mit einer Sperrschicht versehenen Phosphors zu schaffen, bei dem die Nachteile der erwähnten bekannten Verfahren vermieden werden.
lumineszierenden mit einer Sperrschicht versehenen Chalkogenide von Zink
und/oder Cadmium ist dadurch gekennzeichnet j dass eine Suspension eines
lumineszierenden Chalkogenide von Zink und/oder Cadmium in einer wässrigen
Zink- und/oder Cadmiumioneη und eine Schwefelverbindung.enthaitendon
Lusung hergestellt wird, in welcher Suspension eine Schicht aus Sulfid von
Zink und/oder Cadmium durch homogene Präzipitation auf dem lumineszierenden Chalkogenid niedergeschlagen wird.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung wird eine Schicht aus
einen niohtluraineszierenden Sulfid von Zink und/oder Cadmium durch homogene Präzipitation gleichmlssig auf den lumineszierenden Chalkogenidkristallen niedergeschlagen. Dabei wächst die Sperrschicht auf den vorhandenen
Chalkogenideistallen gleiebmässig an* Die angewachsene Schicht weist
die gleiche oder eine analoge Kristallstruktur wie das luraineszierende
Chalkogenid auf.
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Es ist zwar bekannt, ein lumineszierend.es Chalkogenid in
einem wässrigen Milieu mit einem Präzipitat aus nichtlumineszierendem
Zinksulfid zu überziehen, um ein gut flieesendes Pulver zu erhalten oder
um die Beständigkeit des Phosphors gegen Temperaturbehandlungen zu vergrössern
(siehe z.B. die USA Patentschrift 2.908.588). Bei diesen Verfah- ren bildet sich aber freies Zinksulfid in der Lösung, das als ein sehr
feinkörniges Pulver auf und zwischen den lumineszierenden Chalkogenidkörnern
niederschlägt. Die auf diese Weise überzogenen Phosphorkörner können nicht als sperrender Phosphor verwendet werden.
Es ist zweckmässig, bei einem Verfahren nach der Erfindung
eine derartige Menge an lumineszierendem Chalkogenid in der Lösung zu suspendieren, dass die Suspension sich gut rühren lässt· Dabei wird die Suspension
nicht derart stark verdünnt, dass nichtlumineszierende Zink- und/oder Cadmiumsulfidkeime in der Lösung gebildet werden können.
Ein Verfahren nach der Erfindung hat den Vorteil, dass keine Behandlung auf hoher Temperatur erforderlich ist, so dass die Lumineszenzeigenschaften
des Phosphormaterials als solche nicht beeinträchtigt werden» Ein Verfahren nach der Erfindung kann in jeder Menge mit besonders einfacher
Apparatur durchgeführt werden, während die zu verwendenden Ausgangsstoffe billig und leicht in sehr seiner Form erhältlich sind« Der Reaktionsverlauf beim Anwachsen der Sperrschicht ist einfach und lässt sich leicht
kontrollieren, so dass sehr genau definierte Sperrschichten gebildet werden
können. Dabei werden die Phosphorkristalle selber nicht angegriffen.
ι- Vorzugsweise wird bei einem erfindungsgemässen Verfahren eine
wässrige Lösung eines löslichen Zink- und/oder Cadmiums al ze 8, einer Lauge,,
. eines Komplexbildners für Zink und/oder Cadmium und einer organischen
bei Hydrolyse langsam Sulfidionen abspaltenden Thioverbindung verwendet.
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Organische Thioverbindungen in Vereinigung mit einer Lauge und einem
Komplexbildner bilden nämlich besonders geeignete Verbindungen zum Durchführen
der homogenen Präzipitation. Durch Anwendung eines Komplexbildners
für Zink und/oder Cadmium kann eine genügende Anzahl von Zink- und/oder
Cadmiumionen in Lösung gehalten werden· Diese komplexbildende Funktion
kann aber bei Verwendung von Zinkionen durch die anzuwendende Lauge erfüllt
werden. Wenn die Lauge genügend stark ist, werden nämlich lösliche
Zinkate gebildet. Als Komplexbildner können weiter z.B. Ammoniak oder
Aethylendiamintetraeesigsäure (EDTA) Anwendung finden.
Nach einer bevorzugten Aueführungsform eines erfindungsgemässen
Verfahrens wird zunächst eine wässrige Lösung eines löslichen
Zink- und/oder Cadmiumsalzes, einer Lauge und gegebenenfalls eines Komplexbildners
hergestellt, in der das lumineszierende Chalkogenid anschliessend suspendiert wird. Dann wird die Suspension auf eine Temperatur zwischen 50 und 100*C gebracht und erst dann wird der Suspension unter Rühren
eine Thioverbindung zugesetzt, wonach die Suspension wenigstens 5 Minuten
lang unter Rühren auf der Temperatur zwischen 50 und 1000C gehalten wird.
Auf diese Weise lassen sich die Geschwindigkeit und die Dauer der homogenen Präzipitation mit grosser Genauigkeit kontrollieren, so dass eine
Sperrschicht mit einem genau bestimmten Schwellwert für die Anregungsenergie der Elektronen gebildet werden kann·
Als Thioverbindungen können z.B. Thioacetatuid und Thioureum
verwendet werden. Die letztere Verbindung wird aber bevorzugt, weil das
Thioacetamid eine hohe Toxizitat aufweist. Das Thioureum wird in einer
Menge angewandt, die mindestens gleich der nach der Stöohiometrie zur
Präzipitation der verlangten Menge Zink- und/oder Cadmiumsulfid erforderlichen
Menge ist·
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Bei einem Verfahren nach der Erfindung wird vorzugsweise ein 18elicheβ Zinksalz verwendet, weil dann farblose Sperrschichten
erhalten werden und weil dann neben der Lauge kein Komplexbildner angewandt
zu werden braucht.
Die Menge zu verwendender Lauge ist bei einein Verfahren nach
der Erfindung vorzugsweise derartig) dass der pH einen Wert zwischen und 15 annimmt. Bei diesen Wert geht die homogene Precipitation nämlich
sehr leicht vor sich. Sie Ablagerungsgeschwindigkeit ist grosser» je
nachdem die Laugekonzentration und die Konzentration der verwendeten Schwefelverbindung grosser sind. Die Dicke der Sperrschicht -wird durch
die Menge des verwendeten Zink'- und/oder Cadmiumsalzes, die Menge der
verwendeten Schwefelverbindung sowie durch die Gesamtreaktionszeit und
die Reaktionetemperatur bestimmt. Die Menge an Zink- und/oder Cadmiumsulfid,
die in einem gewissen Fall niedergeschlagen wird, ist von der verlangten Dicke der Sperrschicht und von der KorngrSsse des als Auegangsmaterial
verwendeten lumineszierenden Chalkogenide abhängig.
Ein Verfahren nach der Erfindung wird vorzugsweise zur
Herstellung eines ait einer Sperrschicht versehenen lumineszierenden Sulfide verwendet, weil die lumineszierenden Sulfide in der Praxis die
wichtigsten Phosphore sind.
Das nach der Erfindung mit einer Sperrschicht versehene
Chalkogenid kann duroh Filtrieren, Waschen und Trocknen aus der Suspension
abgeschieden werden.
Die Erfindung wird nunmehr an Hand einiger Beispiele nSher
erlSutert.
Beispiel 1
Beispiel 1
0,82 g ZnCl2 wird in 200 ml einer 4N NaOH-Lösung gelöst. In
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dieser klaren Lösung werden dann 3 g grün lumineszierendes (Zn,Cd)S-Ag,Cl
suspendiert« Nach Erhitzung auf 90*C wird unter Röhren 0,45 S Thioureum
(CS(NHp)2) zugesetzt, wonach die Suspension während drei Viertelstunden
bei 90#C gerührt wird. Dann wird das lumineszierende Sulfid von der Flüssigkeit
durch Filtrieren abgeschieden und mit Wasser gewaschen. Nach Trocknung ist das mit einer Sperrschicht versehene Sulfid gebrauchsfertig. Bei
Anregung mit Elektronen weist das Sulfid einen Schwellwertfür die Anregunge
energie von 3 kV auf.
Beispiel 2
Beispiel 2
Das Verfahren nach Beispiel 1 wird wiederholt, wobei aber,
unter übrigens gleichbleibenden Bedingungen, 1,80 g Thioureum verwendet
werden. Der Schwellwert für die Anregung liegt nun bei 6,9 kV. Beispiel 3
In 200.ml 4NNaOH-L8eung wird 0,82 g ZnCl2 gelöst. Nach Erhitzung
dieser Lösung auf 900C werden Jg grün lumineszierendes (Zn,Cd)
S-Ag9 Cl und 0,91 g Thioureum zugesetzt. Die Suspension wird unter Rühren
während einer Viertelstunde auf einer Temperatur von 90*C gehalten. Dann
wird das lumineszierende Sulfid abfiltriert, gewaschen und getrocknet.
P Der Schwellwert für die Anregung mit Elektronen liegt nun bei 2,5 kV, Beispiel 4
Das Verfahren nach Beispiel 3 wird unter den gleichen Bedingungen durchgeführt, mit dem Unterschied, dass die Reaktion während
einer halben Stunde fortgesetzt wird. Die Schwellwertspannung liegt nun
bei 3#7 kV.
Beispiel 5 .
Beispiel 5 .
Wenn bei dem Verfahren nach Beispiel 3 die Reaktionszeit auf
1,5 Stunden verlängert wird, stellt sich heraus, dass die Schwellwert-
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spannung des mit einer Sperrschicht versehenen Sulfids 6,5 kV betragt.
Beispiel 6
Auf völlig entsprechende Weise wie im Beispiel 2 wird verfahren, wobei nun aber 3 g blau lumineszierendes ZnS-Ag,Cl mit einer
Sperrschicht versehen werden* Das erhaltene Sulfid leuchtet auf» wenn die
auffallenden Elektronen einen Spannungsunterechied von mindestens 7,0 kV
durchlaufen haben.
Beispiel 7
Durch ein dem nach Beispiel 2 entsprechendes Verfahren werden
3 g (Znn oCdn .)S-Cu,Al mit einer Sperrschicht versehen. Es stellt sich
heraus, dass die Schwellwertspannung 6,8 kV beträgt. Beispiel 8
Das Verfahren nach Beispiel 3 wird wiederholt, wobei aber
1f72 g ZnSO..7H2O statt ZnCl verwendet werden. Es stellt sich heraus,
dass die Schwellwertspannung gleich der im Beispiel 3 ist.
Beispiel 9
25 mg eines rot lumineszierenden Y2OpS-O,05Eu werden zusammen
mit 100 mg eines mit einer Sperrschicht versehenen grün lumineszierenden
(Znü gCcL As-Ag,Cl mit einer Schwellwertepannung von 7»2 kV auf einem
Glasschirm abgelagert· Dieser Schirm wird in einer Elektronenstrahlröhre
angebracht und mit Elektronen beschossen. Bei einer Beschleunigungsspannung der Elektronen von 4 kV ist die Farbe der Emission des Schirmes rot,
bei 7,5 kV rot, bei 8,5 kV orange, bei 10,2 kV gelb, bei 12,2 kV gelbgrün,
bei 14,2 kV und höher grün.
Beispiel 10
Auf gleiche Weise wie im Beispiel 9 wird ein Schirm hergestellt, wobei aber ein grün lumineszierendes Sulfid mit einer Schwellwert-
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spannung von 5f2 kV verwendet wird. Bei einer Beschleunigungsspannung der
anregenden Elektronen von 5»2 kV ist, wie sich herausgestellt hat, die Emission des Schirmes rot, bei 5,8 kV orange, bei 6,5 kV gelb, bei 7,5 kV
gelbgrlin, bei 9,5 kV grün.
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Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung eines lumineszierenden mit einer
Sperrschicht versehenen Chalkogenide von Zink und/oder Cadmium, dadurch
gekennzeichnet, dass eine Suspension eines lumineszierenden Chalkogenide
von Zink und/oder Cadmium in einer wKssrigen Zink- und/oder Cadmiumionen
und eine Schwefelverbindung enthaltenden Lösung hergestellt wird, in welcher Suspension eine Schicht aus Sulfid von Zink und/oder Cadmium
durch homogene Precipitation auf dem lumineszierenden Chalkogenid niedergeschlagen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
wässrige Lösung ein lösliches Salz von Zink und/oder Cadmium, eine Lauge,
einen Komplexbildner für Zink und/oder Cadmium und eine organische bei
Hydrolyse langsam Sulfidionen abspaltende Thioverbindung enthält·
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet), dass
eine wässrige Lösung hergestellt wird, die ein lösliches Salz von Zink
und/oder Cadmium und eine Lauge enth< dass das lumineszierende Chalkogenid in der Lösung suspendiert wird; dass die auf diese Weise gebildete
Suspension auf eine Temperatur zwischen 50 und 100*C gebracht wird, und
dass anschlieesend unter Rühren der Suspension die Thioverbindung zugesetzt wird« wonach die Suspension mindestens 5 Minuten lang unter Rühren
auf eine Temperatur zwischen 50 und 100#C gehalten wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3ι dadurch gekennzeichnet,
dass als Thioverbindung Thioureum verwendet wird, und zwar in einer Menge,
die mindestens gleich der stöchiometrisen erforderlichen Menge zur
Precipitation der verlangten Menge an Zink- und/oder Cadmiumsulfid ist.
5. Verfahren nach Anspruoh 1, 2, 3 oder 4* dadurch gekennzeichnet, dass die wSssrige Lösung ein lösliches Zinksalz enth<·
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P 21 2β 389.3 JA Hamburg, -den 20. Juli 1971/A/Tö
N.V. Philips' Gloeilarnpenfabrieken ^t.Akt.Z. PHN 4^
- Neue Seite 12 -
6. Verfahren nach Anspruch 2, 3* ^ oder 5* dadurch gekennzeichnet,
daß die wäßrige Lösung eine derartige Menge Lauge enthält, daß der pH einen Wert zwischen 10 und 15 aufweist.
7« Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden-Ansprüche,
bei dem das lumineszierende Chalkogenid ein lumineszierende s Sulfid ist.
™ 8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das mit einer Sperrschicht versehene lumineszierende Chalkogenid aus der Suspen-•
sion durch Filtrieren, Waschen und Trocknen abgeschieden wird.
9, Durch ein Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden
Ansprüche hergestelltes lumineszierendes Chalkogenid von
Zink und/oder Cadmium, das mit einer Sperrschicht versehen
ist, die aus gleichmäßig niedergeschlagenem nichtlumineszierenden
Sulfid von Sink und/oder Cadmium besteht.
10. Vervrendung eines iumineszierenden Chalkogenids nach Anspruch
9 im Leuchtsehirm einer Farbbildwiedergabeelektronenstrahl-
röhre. ■■■■".- ·
ORIGINAL 10 9 8 5 1/18 3 0
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| DE2201585A1 (de) * | 1972-01-13 | 1973-07-19 | Kadomskaja Geb Jankusch | Verfahren zur herstellung von leuchtschirmen |
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- 1971-06-11 BE BE768447A patent/BE768447A/xx not_active IP Right Cessation
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| OHW | Rejection |