DE69220033T2

DE69220033T2 - Lateraler Bipolartransistor mit niedrigem Leckstrom zum Substrat, entsprechende integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen integrierten Schaltung

Info

Publication number: DE69220033T2
Application number: DE69220033T
Authority: DE
Inventors: Paolo Ferrari; Marco Siligoni
Original assignee: SGS Thomson Microelectronics Inc
Current assignee: STMicroelectronics lnc USA
Priority date: 1992-03-27
Filing date: 1992-03-27
Publication date: 1997-11-13
Anticipated expiration: 2012-03-28
Also published as: EP0562217B1; DE69220033D1; JPH06283544A; EP0562217A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen lateralen Bipolartransistor, welcher monolithisch integriert sein kann in einer epitaxialen Lage einer Einrichtung, welche eine Architektur aufweist mit einer Verbindungstypisolation unter anderen Komponenten, und insbesondere eine Lateral-Bipolartransistorstruktur, welche insbesondere geeignet ist, integriert zu werden in einer sogenannten Mischtechnologieeinrichtung, wie z.B.: BCMOS, BCT, BIPOLAR/I²L, als auch in rein Bipolartechnologieeinrichtungen.
Mischtechnologieintegrierte Schaltungen finden immer größere Einsatzmöglichkeiten, bedingt durch ihre außergewöhnliche Vielfältigkeit. Andererseits hat die Anforderung für immer größere Dichte dieser integrierten Einrichtungen, um die Miniaturisierung der Systeme zu erhöhen, Kompatibilitätsprobleme verschärft beim Formen bzw. Bilden unterschiedlicher Technologiestrukturen, wie z.B. Bipolartransistoren und MOS (CMOS)-Transistoren, welche monolithisch in demselben Chip integriert sind.
Insbesondere impliziert die Realisation von hochdichten mischtechnologieintegrierten Schaltungen notwendigerweise, gemäß modernen Herstellungsverfahren, eine drastische Reduktion der Übergangs- bzw. Verbindungstiefen (d.h. flachere Diffusionen). Diese Tatsache neigt dazu, elektrische Effizienz und frühe Spannungsmerkmale von Lateralbipolartransistoren auszuschließen, während sie wichtige Vorteile mit sich bringt beim Erzeugen bzw. Herstellen effektiver CMOS-Strukturen. In der Tat verbleibt bei Erstgeneration-mischtechnologieintegrierten Schaltungen, bei welchen das Feldoxid gemustert wurde nach dem Anwachsen bzw. Züchten, und bei welchen die Verbindungstiefe relativ groß verblieb (z.B. von 3 bis 4 µm für p&spplus;-Diffusionen) die Effizienz von Lateralbipolartransistoren zufriedenstellend, jedoch konnten die integrierten Strukturen nicht sehr dicht gestaltet werden. In umgekehrter Weise, bei mischtechnologieintegrierten Schaltungen, hergestellt gemäß den modernsten Techniken, welche das Züchten bzw. Wachsen bzw. Anwachsen von Feldoxid berücksichtigen an Bereichen, welche vordefiniert sind mittels einer Siliciumnitridmaske und der Bildung in einem Selbstausrichtungsmodus von oberflächlich angereicherten Well- bzw. Donatorbereichen, kann eine hohe Dichte der integrierten Strukturen erhalten werden, obwohl begleitet durch konsistenten Verlust an elektrischer Effizienz für Lateralbipolartransistoren, bedingt durch eine drastisch ansteigende Leckage des Kollektorstromes hin zu den Isolationsverbindungen bzw. -verbindungspunkten (und dem Substrat), welche den Transistorbereich umgeben bzw. umrunden.
Des weiteren repräsentiert das Herstellungsverfahren von bipolaren Transistoren in integrierten Schaltungen eine Entwicklung der Verfahren, welche verwendet werden zum Erzeugen bzw. Herstellen epitaxialer Doppel-Diffusion, NPN-Transistoren, und während dies die Realisation von NPN-Transistoren ermöglicht mit ausgezeichneten Merkmalen, wird es begleitend wesentlich schwieriger, PNP- Transistoren zu realisieren mit vergleichbaren Merkmalen, da diese Einrichtungen eine leicht bzw. schwach dotierte n-Typ Epitaxiallage als Basisbereich verwenden. Daher ist es in integrierten Schaltungen häufig die Struktur eines Lateral- PNP-Transistors, welcher eine deutliche bzw. merkbare Stromleckage hin zu dem Substrat veranlaßt, welches als ein Kollektor eines parasitären "Vertikal"-PNP- Transistors wirkt. In der Tat erzeugt die Bildung einer unterirdischen n-Typ Lage ein elektrisches Feld, welches dazu neigt, diesen Stromleckagemechanismus zu verhindern bzw. zu hemmen, wobei jedoch eine nicht vernachlässigbare Degradation der Transistorverstärkung verbleibt.
Der generellste Bedarf für einen Lateralbipolartransistor mit einer verbesserten Struktur entsteht in der Praxis aus der Notwendigkeit, eine Ausgangsimpedanz zu haben, welche so hoch wie möglich ist für einen erdungsbasiert ausgelegten Transistor, während die Stromleckage in dem Emitter-Kollektorpfad reduziert ist.
In der früheren Patentanmeldung EP-A-0 405 045 der Anmelderin ist eine ursprüngliche bzw. Originalstruktur eines integrierten Lateralbipolartransistors mit verbesserten Merkmalen der Stromleckage offenbart. Grundsätzlich ist die in dieser Veröffentlichung des Standes der Technik offenbarte Struktur gekennzeichnet durch das Vorhandensein eines ringförmigen Kollektorbereiches mit einem Diffusionsprofil bzw. -Umriß, welches sich von dem Diffusionsprofil bzw. dem -Umriß des Emitterbereiches unterscheidet und tiefer ist als dieser, welcher konzentrisch gebildet ist innerhalb des epitaxialen Bereiches, welcher durch den ringförmigen Kollektorbereich umgeben bzw. umrundet ist. In der Praxis ist der Emitterbereich gebildet durch bzw. über eine Standarddiffusion, während der Kollektorbereich gebildet bzw. geformt ist durch eine Well- bzw. Geber- bzw. Donatortypdiffusion. Solch eine Struktur reduziert effektiv die Stromeckage hin zu dem Substrat, wobei jedoch die Nichtgleichförmigkeit zwischen den Diffusionsprofilen bzw. -umrissen der Kollektor- und Emitterbereiche den Verlust von signifikanten Vorteilen bestimmt, welche intrinsisch für die Standardstruktur des Lateralbipolartransistors sind, bei welchem der Basisbereich vorteilhafterweise selbst ausgerichtet ist mittels der Tatsache, daß die Emitter- und Kollektorbereiche gleichzeitig geformt bzw. gebildet werden, d.h. der Emitterbereich und der Kollektorbereich sind definiert durch denselben photolithographischen bzw. Photodruckschritt (d.h. mittels derselben Maske), und daher sind die zwei Bereiche perfekt selbst ausgerichtet mit Bezug zueinander. Der Verlust von Selbstausrichtung bei der Struktur, wie in der oben angegebenen Patentanmeldung vorgeschlagen, führt eine zusätzliche Toleranz in die aktuelle Definition des Basisbereiches des Transistors ein, wobei dies sich wiederspiegelt in einer erhöhten Verteilung der elektrischen Parameter des Transistors: d.h. die Stromverstärkung und die Abschnitt- bzw. Abschaltfrequenz. Diese stärkere Verteilung der Parameter kann in vielen Anwendungen nicht toleriert werden, insbesondere in komplexen integrierten Schaltungen mit einer hohen Integrationsdichte, wobei diese reduzierte Genauigkeit bzw. Präzision zu Auslegungsproblemen führen kann, welche schwierig zu lösen sind.
Eine effektive Lösung für das Problem der Stromleckage hin zu dem Substrat eines Lateralbipolartransistors, mit dem begleitenden Vorteil der Aufrechterhaltung der Selbstausrichtung des Basisbereiches, welcher intrinsisch für eine Standardstruktur des Transistors ist (d.h. die Fähigkeit, die Emitter- und Kollektorbereiche in einer selbstausrichtenden Weise zu bilden) wurde gefunden.
Ein Lateralbipolartransistor gemäß der vorliegenden Erfindung ist im Anspruch 1 definiert. Eine integrierte Schaltung, umfassend den Transistor, ist des weiteren definiert im Anspruch 4, und ein Verfahren zur Herstellung solch einer integrierten Schaltung ist im Anspruch 8 definiert.
Grundsätzlich behält die Struktur eines Lateralbipolartransistors gemäß der vorliegenden Erfindung Selbstausrichtung zwischen den Emitter- und Kollektorbereichen bei, wobei identische Leitungs- bzw. Leitfähigkeitsmerkmale beibehalten werden (d.h. gleiche Diffusionsprofile bzw. -umrisse), während ein zweiter äußerer ringförmiger Bereich mit einem geringeren Dotierungspegel und einer größeren Tiefe als ein innerer ringförmiger Kollektorbereich, und elektrisch kurzgeschlossen mit dem letzteren den Pfad der Minoritätsträger schneidet bzw. unterbricht, welche in den Basisbereich hin zu den Isolationsdiffusionen injiziert sind, wodurch die Stromleckage hin zu dem Substrat reduziert wird. Bei einer erdungsbasierten Ausgestaltung hat der Transistor, hergestellt gemäß der vorliegenden Erfindung, eine Ausgangsimpedanz, welche praktisch zweimal der Ausgangsimpedanz eines vergleichbaren Transistors mit einer Standardstruktur entspricht, während die Leckage von Strom bzw. die Stromleckage hin zu dem Substrat halbiert ist.
Die unterschiedlichen Gesichtspunkte und Vorteile der Erfindung werden leichter erkannt beim Lesen der folgenden Beschreibung einer Ausführungsform, welche rein illustrativen und nicht einschränkenden Charakter hat, wobei der Umfang der Erfindung definiert ist durch die beigefügten Ansprüche.
Die beigefügte Figur ist ein bruchstückartiger schematischer Querschnitt einer hochdichten mischtechnologieintegrierten Einrichtung, welche einen Lateralbipolartransistor, hergestellt gemäß der vorliegenden Erfindung, umfaßt.
Wie es in der Figur gezeigt ist, kann eine hochintegrationsdichte mischtechnologieintegrierte Schaltung umfassen, gemäß des ausgewählten illustrativen Beispieles, ein Substrat 1 von monokristallinem P-Typ Silicium, dotiert mit Bor und mit einem Rohwiderstandwert, welcher enthalten sein kann zwischen 10 und 20 Ohm x cm, an welchem eine epitaxial gewachsene bzw. gezüchtete bzw. angewachsene n&supmin;-Typ Lage 2 vorliegt. Die n&spplus;-Typ unterirdische Lage 3 und die Bodenisalations p-Typ Diffusionen 4 können gebildet bzw. geformt sein gemäß Standardfabrikations- bzw. -Herstellungstechniken dieser Typen von integrierten Einrichtungen.
Entsprechend denselben wohlbekannten Fabrikationstechniken werden vorbestimmte Bereiche bzw. Flächen der Fläche bzw. Oberfläche der epitaxialen Lage 2 implantiert bzw. dotiert mit Bor, zum Bilden, über eine nachfolgende Diffusion der implantierten Boratome, vom p-Typ dotierten Well- bzw. Donatorbereichen 5A, welche insbesondere verwendet werden können als Körperbereiche, in welche n-Kanal Transistoren von CMOS-Strukturen gebildet werden, und eventuell ebenfalls auch als Basis bereiche für NPN-Lateralbipolartransistoren (nicht in der Figur angedeutet) und können des weiteren verwendet werden als obere bzw. Topisolationsdiffusionen 5B, welche entsprechende Bodenisolationsdiffusionen 4 schneiden bzw. unterbrechen, um in der Praxis Isolationswände von dem p-Typ Silicium um den aktiven Bereich bzw. die aktive Fläche bzw. die wirksame Fläche von unterschiedlichen Halbleitereinrichtungen zu bilden.
Funktionell ist die Struktur eines Lateral-PNP-Transistors gebildet durch den Emitterbereich 6, welcher beabstandet ist von dem ringförmigen Kollektorbereich 8, und von diesem umrundet bzw. umgeben ist. Die zwei Bereiche sind selbstausgerichtet untereinander, indem sie gebildet sind durch einen diffundierten p&spplus;- Typbereich mit demselben Diffusionsprofil bzw. -umriß, da sie gleichzeitig erzeugt sind durch dieselben Definitions- bzw. Bild ungsschritte. Ein n&spplus;-Basiskontaktbereich 7, gebildet in der epitaxialen Lage außerhalb des ringförmigen Kollektorbereiches, vervollständigt die funktionelle Struktur des Lateralbipolartransistors.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein zweiter äußerer ringförmiger p-Typ Bereich 8" um den ringförmigen Kollektorbereich 8 gebildet. Dieser zweite ringförmige Bereich kann das gleiche Diffusionsprofil bzw. den gleichen Diffusionsumriß aufweisen wie ein p-Donator 5A (oder wie eine obere bzw. Topisolation 5B). Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, angedeutet in der Figur, schneidet bzw. unterbricht dieser zweite äußere ringförmige Bereich 8" mit einem p-Donator- bzw. Well-Diffusionsprofil den äußersten Abschnitt des ringförmigen Kollektorbereiches 8 und kann sich lateralwärts erstrecken, zumindest teilweise unterhalb der dicken dielektrischen Lage des Feldoxides, welches den äußeren Perimeter des ringförmigen Kollektorbereiches 8 definiert.
Optional kann eine angereicherte Zone, ebenfalls bekannt als "Kanalstop- bzw. Stopperbereich" vorteilhafterweise gebildet sein an dem oberen Abschnitt des zweiten äußeren ringförmigen Bereiches 8", ähnlich zu dem, was angedeutet ist als Anreicherungsbereich 5D in dem obersten Abschnitt der anderen p-Donator Typbereiche, wie in der Figur gezeigt, nämlich: 5A und 5B.
Essentiell ist dieser zweite äußere ringförmige Bereich 8" elektrisch geschaltet bzw. verbunden gemeinsam bzw. zusammen mit dem ringförmigen Kollektorbereich 8 zu dem Kollektoranschluß C des Transistors, und ähnlich zu den anderen p-Donatorbereichen 5A und 5B erstreckt er sich in der epitaxialen Lage 2 tiefer als der Kollektorbereich 8, z.B. bei einer Tiefe, welche umfaßt sein kann zwischen 4 und 6 µm, wodurch eine effektive Barriere gegen Dispersion von Emitterstrom gebildet ist (die beschleunigte Bewegung von Minoritätsträgern, welche durch injizierte Löcher gebildet sind, ist symbolisch angedeutet in der Figur durch die Pfeile), und zwar hin zu den benachbarten Isolationsverbindungen bzw. -verbindungspunkten bzw. übergängen 5B und 4, und schließlich hin zu dem Substrat 1.
Andererseits sind der Emitterbereich 6 und der Kollektorbereich 8 selbstausgerichtete Bereiche, d.h. Bereiche bzw. Regionen, welche definiert und gebildet sind durch dieselben Herstellungsverfahrensschritte (selbe Maske bzw. Schablone, selbe Implantation, selbe Diffusion), und somit ist die Selbstausrichtung des Basiskanales (p&spplus; gegenüber p&spplus;) des Transistors so wie in einer Standardstruktur, d.h. in einer Struktur mit keiner Einrichtung zum Unterbrechen bzw. Abfangen bzw. Schneiden des Leckage-Emitterstromes hin zu dem Substrat.
Das Herstellungsverfahren zum Realisieren einer Lateralbipolartransistorstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich von einem Standardherstellungsverfahren durch die Tatsache, daß zusammen oder nach dem Implantieren des Dotierungsmittels in den oberen Isolationsbereichen dasselbe Dotierungsmittel implantiert wird in definierten Donatorbereichen wie auch in einem definierten ringförmigen Bereich benachbart zu der geometrischen Projektion der Definitionskante der Feldoxidlage, welche eventuell den äußeren Perimeter eines ringförmigen Kollektorbereiches eines Lateralbipolartransistors definieren wird, so daß bei nachfolgender thermischer Diffusionsbehandelung der äußere ringförmige Bereich 8" mit demselben Diffusionsprofil bzw. -umriß wie ein Donatorbereich gebildet ist. Des weiteren ist es möglich, vorangehend ebenfalls an dem äußeren ringförmigen Bereich (8") Bereiche zu bilden bzw. bereitzustellen als Anreicherungsimplantation von Dotierungsmittel, welches vervollständigt werden kann durch das normale Herstellungsverfahren zum Bilden in einer Selbstausrichtungsweise oberflächlich angereicherter Bereiche (channel stopper), und zwar oberhalb der oberen Isolationsdiffusionen 5B und oberhalb der Donatorbereichdiffusionen 5A (in der Figur durch 5D identifiziert).
Nach dem gleichzeitigen Bilden, zusammen mit dem "Körper" und oberen Isolationsbereichen und ebenfalls den äußeren ringförmigen Bereichen 8", und nach dem Züchten bzw. Wachsen bzw. Anwachsen der Feldoxidlage kann das Herstellungsverfahren fortgeführt werden über eine normale Folge von Schritten zu dem Ende.
Wie es dem Durchschnittsfachmann offensichtlich ist, ist jenes, was im Detail für das Beispiel beschrieben und in der Figur angedeutet ist, gleichermaßen anwendbar für den Fall eines lateralen Bipolar-NPN-Transistors, in dem Zusammenhang einer ähnlichen mischtechnologieintegrierten Schaltung, wobei sämtliche Typen von Leitfähigkeit bzw. Konduktivität und Polarität umgekehrt sind im Vergleich zu dem angedeuteten Beispiel.
Des weiteren sind dem Durchschnittsfachmann die Variationsbereiche der Dotierungspegel der verschiedenen Bereiche des halbleitenden Siliciums wohlbekannt: die Angabe: p-Typ Silicium repräsentiert im wesentlichen einen Siliciumbereich, welcher leicht dotiert ist mit Bor, während ein p&spplus;-Typbereich einen Bereich repräsentiert, welcher stark mit Bor dotiert ist. In ähnlicher Weise ist die Epitaxiallage mit einer relativ geringen elektrischen Leitfähigkeit angegeben als ein n&supmin;- Typ Siliciumbereich, z.B. ein Bereich, welcher leicht mit Phosphor dotiert ist, während die n&spplus;-Bereiche Bereiche repräsentieren, welche stark dotiert sind mit Arsen, Phosphor oder Antimon gemäß einer Symbologie, welche von dem Durchschnittsfachmann leicht verstanden wird, unabhängig von der Tatsache, daß die entsprechenden aktuellen Dotierungspegel verändert werden können innerhalb bestimmter Grenzen, welche ebenfalls wohlbekannt und dokumentiert sind in der Fachliteratur.
Über eine Vergleichsanalyse des elektrischen Verhaltens eines integrierten Lateralbipolar-PNP-Transistors mit und ohne einen zweiten äußeren ringförmigen Bereich, elektrisch geschaltet bzw. verbunden gemeinsam bzw. zusammen mit dem ringförmigen Kollektorbereich zu dem jeweiligen Anschluß des Transistors gemäß der vorliegenden Erfindung wurden die folgenden Ergebnisse erhalten:
a) für eine Standard-PNP-Struktur:
βo = 400 n = 200
Rout = βo n/βo + n x Ro = 133 Ro
b) für eine vergleichbare PNP-Struktur, bereitgestellt mit einem zweiten äußeren ringförmigen bzw. Ringbereich mit einem p-Well- bzw. -Donatorprofil bzw. -umriß, gemäß der vorliegenden Erfindung gilt:
βo = 400 n = 100
Rout = βo n/βo + n x Ro = 286 Ro
wobei:
und IC = Kollektorstrom
IB = Basisstrom
IS = Substratstrom
VA = Frühe bzw. Frühspannung bzw. Vorspannung
Die verbesserte Lateralbipolartransistorstruktur, hergestellt gemäß der vorliegenden Erfindung, weist eine Ausgangsimpedanz (ROUT) auf, welche etwa zweimal der Ausgangsimpedanz einer Standardstruktur (Ro) entspricht, wobei die verbesserte Ausgangsimpedanz und Verstärkungsmerkmale kombiniert sind mit einer Halbierung der Stromleckage hin zu dem Substrat im Vergleich mit einer Standardstruktur, welche nicht bereitgestellt ist mit dem äußeren ringförmigen Bereich, kurzgeschlossen mit dem Bereich des Kollektors.

Claims

1. Lateralbipolartransistor, angeordnet in einer epitaxialen halbleitenden Lage (2), welche einen Basisbereich des Transistors bildet, und umfassend einen Emitterbereich (6), beabstandet von und umgeben durch einen ringförmigen Kollektorbereich (8), welcher eine Leitfähigkeit des entgegengesetzten Types zu dem Typ der Leitfähigkeit der Epitaxiallage (2) aufweist, und einen Basiskontaktbereich (7) in der Epitaxiallage (2), außerhalb des ringförmigen Kollektorbereichs (8), bei welchem

der ringförmige Kollektorbereich (8) stark dotiert ist und dasselbe Dotierungsprofil aufweist wie der Emitterbereich (6), und

der ringförmige Kollektorbereich (8) umgeben ist durch einen äußeren ringförmigen Bereich (8"), welcher einen niedrigeren Dotierungspegel aufweist als der ringförmige Kollektorbereich (8), und welcher den innersten Abschnitt des ringförmigen Kollektorbereiches (8) nicht schneidet und sich auf eine größere Tiefe in der Epitaxiallage (2) erstreckt als der ringförmige Kollektorbereich (8),

wobei der äußere ringförmige Bereich (8") elektrisch gemeinsam mit dem ringförmigen Kollektorbereich (8) verbunden ist mit einem Kollektoranschluß (C) des Transistors.

2. Transistor nach Anspruch 1, bei welchem der äußere ringförmige Bereich (8") den äußersten Abschnitt des ringförmigen Kollektorbereiches (8) schneidet.

3. Transistor nach Anspruch 1, bei welchem der Transistor ein PNP-Transistor ist.

4. Integrierte Schaltung, monolithisch integriert in einer epitaxialen halbleitenden Lage (2) von leicht dotiertem Silicium eines ersten Types von Leitfähigkeit, angeordnet an einem monokristallinen leichtdotierten Siliciumsubstrat (1) eines zweiten Types von Leitfähigkeit, und umfassend ergänzend Oberflächentypfeldeffekttransistoren, bestehend aus einem ersten Feldeffekttransistor mit Source- und Drainbereichen des ersten Types von Leitfähigkeit, angeordnet in einem Donatorbereich (5A) des zweiten Types von Leitfähigkeit, angeordnet in einem ersten Bereich der Epitaxiallage (2), und aus einem zweiten Feldeffekttransistor mit Source- und Drainbereichen des zweiten Types von Leitfähigkeit, angeordnet in einem zweiten Bereich der Epitaxiallage (2), und zumindest einen Lateralbipolartransistor, wobei der Lateralbipolartransistor gemäß Anspruch 1 vorliegt und angeordnet ist in einem dritten Bereich der Epitaxiallage (2), elektrisch isoliert von dem Substrat durch eine stark dotierte vergrabene Lage (3) des ersten Types von Leitfähigkeit, vorhanden an dem Boden des dritten Bereiches, und lateralwärts durch Bodenisolationsbereiche (4) und obere Isolationsbereiche (5B) so vorgesehen, daß Wände von dotiertem Silicium des zweiten Types von Leitfähigkeit gebildet sind, sich über die gesamte Dicke der Epitaxiallage (2) um den dritten Bereich erstreckend, wobei der Lateralbipolartransistor umfaßt einen stark dotierten Basiskontaktbereich (7) des ersten Types von Leitfähigkeit, einen stark dotierten Emitterbereich (6) des zweiten Types von Leitfähigkeit und einen stark dotierten ringförmigen Kollektorbereich (8) des zweiten Types von Leitfähigkeit, welcher den Emitterbereich (6) umgibt und davon beabstandet ist, wobei der Basiskontaktbereich (7) dasselbe Dotierungsprofil aufweist wie die Source- und Drainbereiche des ersten Feldeffekttransistors, und wobei die Emitter- (6) und Kollektor- (8)bereiche dasselbe Dotierungsprofil aufweisen wie die Source- und Drainbereiche des zweiten Feldeffekttransistors, und

einen äußeren ringförmigen Bereich (8") des zweiten Types von Leitfähigkeit, wie definiert in Anspruch 1, mit demselben Dotierungsprofil wie der obere Isolationsbereich (5B) und/oder der Donatorbereich (5A).

5. Integrierte Schaltung nach Anspruch 4, bei welcher der äußere ringförmige Bereich (8") den äußersten Abschnitt des ringförmigen Kollektorbereiches (8) schneidet.

6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 4, bei welcher das Substrat (1) eine p-Typ Leitfähigkeit, die Epitaxialge (2) eine n&supmin;-Typ Leitfähigkeit, der Lateralbipolartransistor ein PNP-Transistor ist, der Donatorbereich (5A) eine p-Typ Leitfähigkeit und der äußere ringförmige Bereich (8") dasselbe Dotierungsprofil aufweist wie der Donatorbereich (5A).

7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, bei welcher ein Flächenabschnitt des äußeren ringförmigen Bereiches (8") Bor-angereichert ist, wodurch ein Kanal-Stoppbereich gebildet ist.

8. Herstellungsverfahren einer integrierten Schaltung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, monolithisch integriert in einer n&supmin;-epitaxial halbleitenden Lage (2), gebildet an einem p-Typ monokristallinen Siliciumsubstrat (1), und umfassend ergänzend Feldeffekttransistoren und einen Lateralbipolartransistor nach Anspruch 4, welcher ein PNP-Bipolartransistor ist, wobei das Verfahren umfaßt Implantieren von Antimon oder Arsen und Bor an jeweils definierten Bereichen an der Fläche des p-Typ Substrates (1), somit vergrabene Lagen (3) bzw. Bodenisolationsbereiche (4) bildend, Züchten der n&supmin;Typ Epitaxiallage (2), Ablagern bzw. Fällen und Mustern einer Maskierlage aus Siliciumnitrid an der Epitaxiallage (2), Züchten bzw. Anwachsen über durch die gemusterte Nitridlage unmaskierte Siliciumbereiche einer Feldoxidlage durch Oxidieren der Fläche der Epitaxiallage (2), Implantieren von Bor in definierten Bereichen der Fläche der oxidierten Epitaxiallage (2), somit bildend obere Isolationsbereiche (5B), welche die Bodenisolationsbereiche (4) schneiden, und p-Donatorbereiche (5A) als Körperbereiche, in welchen n-Kanal Feldeffekttransistoren des komplementären Feldeffekttransistors gebildet sind und als Basisbereiche für Lateralbipolar-NPN-Transistoren, und gleichzeitig ebenfalls in einem ringförmigen Bereich nahe dem Perimeter einer kreisförmigen Öffnung, bereitgestellt in der Feldoxidlage, wodurch der äußere ringförmige Kollektorbereich (8") des Lateralbipolar-PNP-Transistors gebildet wird.