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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das eine
magnetische Abschirmung gegenüber
einem Halbleiterchip mit auf einem Substrat ausgebildeten Induktorleitern
bereitstellen kann.
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Spulen
sind im Allgemeinen wesentliche Schaltungsbestandteile und für einige
herzustellende Schaltungen unerlässlich.
So könnten
beispielsweise Oszillationsschaltungen, die LC-Resonanz- oder Abstimmschaltungen
nutzen, die in einem Sender-Empfänger
enthalten sind, ohne die Spulen nicht implementiert werden.
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Die
in der Schaltung enthaltenen Spulen erzeugen jedoch Magnetflüsse, so
dass Bedarf an einem Design besteht, das verhindert, dass die Magnetflüsse die
umgebenden Komponenten beeinflussen. So müssen z. B. zwei Spulen fern
voneinander auf einer Leiterplatte angeordnet werden oder, wenn eine
nahe Anordnung einer Mehrzahl von Spulen gewünscht wird, die Richtung der
Magnetflüsse
muss berücksichtigt
werden, um eine korrekte Anordnung zu gewährleisten.
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5 illustriert drei nebeneinander
liegende Spulen mit speziell ausgearbeiteter Anordnungsrichtung.
Wie in dem Diagramm zu sehen ist, sind die drei Spulen so angeordnet,
dass zwei benachbarte Spulen in einem Winkel von 90 Grad zueinander
angeordnet sind, so dass von benachbarten Spulen erzeugte Magnetflüsse orthogonal
zueinander sein können.
Indem zugelassen wird, dass die von den benachbarten Spulen erzeugten
Magnetflüsse
auf diese Weise orthogonal zueinander sind, ist es möglich, die
Magnetkopplung zwischen den Spulen auf ein Minimum zu reduzieren.
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Ein
solches konventionelles Verfahren, das es zulässt, dass die Magnetflüsse orthogonal
zueinander sind, und zwar aufgrund der speziell ausgearbeiteten
Anordnungsrichtung der Spulen, um die Magnetkopplung zwischen den
Spulen minimal zu halten, ist auf den Fall begrenzt, bei dem die
Spulen auf einer Leiterplatte angeordnet sind.
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Wo
spiralförmige
Induktorleiter auf dem Halbleitersubstrat mit einer Dünnfilmtechnik
ausgebildet wurden, ist die Erzeugungsrichtung der Magnetflüsse auf
die Richtung orthogonal zum Halbleitersubstrat begrenzt. Aus diesem
Grund sind die nebeneinander ausgelegten Spulen in der Form von
Induktorleitern magnetisch miteinander gekoppelt, was unpraktisch
ist, wenn sie elektrisch als Schaltungselemente getrennt sein sollen.
Insbesondere ist es in Fällen,
bei denen passive Elemente wie Induktorleiter zusammen mit verschiedenen
aktiven Elementen auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, typisch, die
Größe der gesamten
Schaltung mit der Halbleiterherstellungstechnik zu reduzieren, mit
der Folge, dass es schwierig wird, eine Mehrzahl von in der Schaltung
enthaltenen Induktorleitern auf eine völlig separate Weise anzuordnen.
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6 zeigt ein Diagramm, das
den Zustand der Magnetflüsse
erläutert,
die von der Halbleiterschaltung erzeugt wurden, die auf dem Halbleitersubstrat
ausgebildete Induktorleiter enthält.
Wenn ein Strom in die Induktorleiter in der in dem Diagramm dargestellten
Halbleiterschaltung fließt,
dann treten Magnetflüsse
in der Richtung im Wesentlichen orthogonal zur Oberfläche des
Halbleitersubstrats auf, wie durch Pfeil a in dem Diagramm angedeutet ist.
Diese Magnetflüsse
beeinflussen die Wirkung der auf dem Halbleitersubstrat ausgebildeten
anderen Halbleiterelemente und verursachen häufig Störungen oder Fehlfunktionen.
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Die
JP-A-3214691 offenbart eine Montagestruktur für eine integrierte Schaltung,
die eine leitende Abschirmungsharzschicht aufweist, die die Oberseite
der Schaltung bedeckt, und in deren Unterseite ein Abschirmleiter
ausgebildet ist. Die Harzschicht ist mit einem Masseleiter geerdet,
der außerhalb
der Montageposition eines Chips der integrierten Schaltung ausgebildet
ist.
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Es
ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterbauelement
bereitzustellen, das den magnetischen Einfluss auf der Außenseite
eines Halbleiterchips mit auf einem Substrat ausgebildeten Induktorleitern
minimal halten kann.
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Demgemäß besteht
die vorliegende Erfindung in einem Halbleiterchip, der auf einem
Substrat montiert ist; einer Mehrzahl von Durchkontaktlöchern, die
in dem genannten Substrat außerhalb
einer Montageposition des genannten Halbleiterchips ausgebildet
sind; und Abschirmelementen, die auf Oberflächen des genannten Substrats
ausgebildet sind, wobei die genannten Abschirmelemente Folgendes
beinhalten: ein Abschirmelement, das auf der Gegenseite des genannten
Substrats zu der Seite ausgebildet ist, auf der der genannte Halbleiterchip montiert
ist; und ein Abschirmelement, das den genannten Halbleiterchip bedeckt;
dadurch gekennzeichnet, dass der genannte Halbleiterchip Induktorleiter
aufweist, dadurch, dass die genannten Löcher so angeordnet sind, dass
sie voneinander beabstandet den genannten Chip umgeben, und dadurch, dass
die genannten Abschirmelemente aus einem magnetischen Material bestehen
und Abschirmelemente aufweisen, die das Innere der genannten Durchgangslöcher füllen, so
dass eine Magnetabschirmung für
eine auf dem genannten Halbleiterchip ausgebildete Schaltung entsteht.
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Die
vorliegende Erfindung macht es möglich, dass
von einer auf dem Halbleiterchip ausgebildeten Schaltung erzeugte
Magnetflüsse
innerhalb der Abschirmelemente umlaufen und verhindern, dass Magnetflüsse zur
Außenseite
der Abschirmelemente hin austreten.
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Insbesondere
können
die Durchkontaktlöcher
außerhalb
der Substratinseln ausgebildet werden, an denen Bonddrähte angeschlossen
sind, so dass die Abschirmelemente die gesamten Bonddrähte bedecken
können,
wodurch ein Bruch der Bonddrähte
sicher verhütet
wird. Alternativ können
die Durchkontaktlöcher
innerhalb der Substratinseln ausgebildet werden, so dass die Außenabmessungen
der Abschirmelemente reduziert werden können, wodurch eine Reduzierung
der Größe des gesamten Halbleiterbauelementes
erzielt wird.
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Nach
dem Montieren des Halbleiterchips auf dem Substrat ist es typisch,
ein Abdichtmittel auf der Oberfläche
des Halbleiterchips auszubilden. Die Abschirmelemente werden auf
diesem Abdichtmittel so ausgebildet, dass die konventionellen Herstellungsprozesse
intakt genutzt werden können,
um eine Magnetabschirmung zu erzeugen. Der Abstand zwischen den
benachbarten Durchkontaktlöchern
kann auf eine Wellenlänge
oder darunter eingestellt werden, wobei die Wellenlänge als
eine Umkehrzahl einer Betriebsfrequenz einer auf dem genannten Halbleiterchip
ausgebildeten Schaltung angegeben wird, so dass die Menge an Magnetflüssen reduziert
werden kann, die zwischen den Durchkontaktlöchern austreten.
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Um
ein besseres Verständnis
der vorliegenden Erfindung zu vermitteln, wird nachfolgend auf die Begleitzeichnungen
Bezug genommen. Dabei zeigt:
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1 eine Draufsicht auf ein
Halbleiterbauelement gemäß einer
ersten Ausgestaltung;
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2 eine Schnittansicht entlang
der Linie A-A von 1;
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3 ein Diagramm, das Magnetflüsse in der
Nähe eines
in 2 gezeigten Halbleiterchips
illustriert;
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4 eine Schnittansicht eines
Halbleiterbauelementes gemäß einer
zweiten Ausgestaltung;
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5 ein Diagramm, das eine
Anordnung von drei benachbarten Spulen mit speziell ausgearbeiteter
Anordnungsrichtung illustriert; und
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6 ein Diagramm, das einen
Zustand von Magnetflüssen
zeigt, die von einer Halbleiterschaltung erzeugt wurden, einschließlich auf
einem Substrat gebildeten Induktorleitern.
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BESTE ART DER AUSFÜHRUNG DER
ERFINDUNG
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1 ist eine Draufsicht auf
ein Halbleiterbauelement gemäß einer
ersten Ausgestaltung, 2 eine
Schnittansicht entlang der Linie A-A von 1. Wie aus diesen Diagrammen hervorgeht,
umfasst das Halbleiterbauelement dieser Ausgestaltung einen auf
einem Substrat 1 montierten Halbleiterchip 2,
ein Abdichtmittel 3 zum Schützen des Halbleiterchips 2 sowie
Abschirmelemente 4, die zum Erzeugen einer magnetischen
Abschirmung auf der Oberfläche
des Abdichtmittels 3 ausgebildet sind. Das Substrat 1 ist
gewöhnlich
beispielsweise ein Keramik- oder Glasepoxidsubstrat.
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Der
in den 1 und 2 gezeigte Halbleiterchip 2 beinhaltet
spiralförmige
Induktorleiter, aktive Elemente wie Transistoren und Dioden sowie
passive Elemente wie Widerstände
und Kondensatoren. Das Material der Induktorleiter kann z. B. eine
dünne Metallfolie
aus Aluminium, Gold usw. oder ein Halbleitermaterial wie Polysilicium
sein.
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Im
fertigen Zustand kann der Halbleiterchip 2 auf dem in 1 gezeigten Substrat 1 montiert
sein, oder er kann alternativ auf dem Substrat 1 als Basis mit
bekannten Halbleiterherstellungstechniken wie Aufdampfung oder Ionenimplantation
ausgebildet werden.
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Auf
der Oberfläche
des Halbleiterchips 2 ist, wie in 1 zu sehen, eine Mehrzahl von Bondinseln 5 zum
Empfangen/Senden von Signalen von/zu der Außenseite des Chips ausgebildet,
wobei jede Bondinsel 5 mit einem Bonddraht 6 ausgestattet
ist. Diese Bonddrähte 6 können mit
auf dem Substrat 1 ausgebildeten Substratinseln 7 verbunden
werden. Das Substrat 1 weist eine Mehrzahl von Durchkontaktlöchern 8 auf,
die gleichmäßig voneinander
beabstandet sind und die Substratinseln 7 wie in 1 gezeigt umgeben.
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Das
Abdichtmittel 3 wird so ausgebildet, dass die Oberflächen des
Halbleiterchips 2 und der Bonddrähte 6 bedeckt werden.
Das Material des Abdichtmittels 3 kann beispielsweise ein
Isoliermaterial wie Epoxidharz sein. Die Abschirmelemente 4 haben die
Aufgabe, von einer auf dem Halbleiterchip 2 ausgebildeten
Schaltung entstehende Magnetflüsse
zu stoppen. Die Abschirmelemente 4 sind im Inneren der
Durchkontaktlöcher 8 sowie
auf der Seite der Chipmontagefläche
des Substrats 1 und auf der Seite gegenüber der Chipmontagefläche ausgebildet.
Spezifischer ausgedrückt,
ein Abschirmelement 4a auf der Seite der Chipmontagefläche ist
inklusive der Durchkontaktlöcher 8 so
gebildet, dass es den Halbleiterchip 2 bedeckt, während ein
Abschirmelement 4b auf der Seite gegenüber der Chipmontagefläche einschließlich der
Durchkontaktlöcher 8 ausgebildet ist,
so dass es im Wesentlichen planar verläuft. Das Innere der Durchkontaktlöcher 8 wird
mit einem Abschirmelement 4c gefüllt, so dass die Abschirmelemente 4 den
Halbleiterchip 2 auf den gegenüberliegenden Seiten des Substrats 1 bedecken.
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Die
Abschirmelemente 4 können
aus einem isolierenden oder leitendes Magnetmaterial gefertigt sein.
So sind z. B. Folien aus verschiedenen Magnetmaterialien wie Gammaferrit,
Bariumferrit usw. erhältlich.
Insbesondere ergibt das Gammaferrit, das üblicherweise als Magnetspeichermedium
verwendet wird, eine Magnetisierungsrichtung, die durch winzige
magnetische Teilchen erzielt werden kann, die in der Ebenenrichtung
parallel zu dem Substrat angeordnet sind, auf dem die dünne Gammaferritfolie
ausgebildet ist. Dies ist beim magnetischen Koppeln der Induktorleiter
im Halbleiterchip 2 mit den Abschirmelementen 4 praktisch.
Eine Verwendung des Bariumferrits würde eine Bildung einer Magnetmaterialfolie durch
Beschichten zulassen, was die Herstellung vereinfacht.
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Es
sind verschiedene Materialien von Magnetmaterialfolien und verschiedene
Methoden zum Herstellen derselben denkbar. Es gibt z. B. ein Verfahren
zum Bilden einer Magnetmaterialfolie durch Vakuumaufdampfung von
FeO usw. sowie weitere Verfahren wie u.
a. ein MBE-Verfahren (Molekularstrahlepitaxie), ein CVD-Verfahren (chemische
Aufdampfung) und ein Sputterverfahren.
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3 ist ein Diagramm, das
Magnetflüsse
in der Nähe
des in 2 gezeigten Halbleiterchips 2 veranschaulicht,
wobei ein Abschnitt in der Region des Halbleiterchips 2 in
einem vergrößerten Maßstab dargestellt
ist.
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Aus
dem Diagramm ist ersichtlich, dass die auf den gegenüberliegenden
Seiten des Substrats 1 ausgebildeten Abschirmelemente 4 den
Halbleiterchip 2 bedecken und Magnetpfade bilden. Demgemäß verlaufen
die Magnetflüsse
nach der Erzeugung von den Induktorleitern in einer Richtung im
Wesentlichen orthogonal zu dem Halbleiterchip 2 vom Abschirmelement 4a auf
der Seite der Oberfläche
des Substrats 1 durch das Abschirmelement 4c im
Inneren der Durchkontaktlöcher 8 in
das Abschirmelement 4b auf der Unterseite und kehren dann
zum Abschirmelement 4a auf der Oberseite zurück. Dadurch wird
verhindert, dass die Magnetflüsse
aus den Abschirmelementen 4 austreten, wodurch ein magnetischer
Einfluss auf die Außenseite
der von der auf dem Halbleiterchip 2 ausgebildeten Schaltung
erzeugten Magnetflüsse
minimal gehalten wird.
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Übrigens
können,
da das Substrat 1 mit den gleichmäßig voneinander beabstandeten
Durchkontaktlöchern 8 versehen
ist, die Magnetflüsse
möglicherweise
zwischen den benachbarten Durchkontaktlöchern 8 nach außen austreten.
Um dies zu verhindern, werden die Intervalle der Durchkontaktlöcher 8 vorzugsweise
auf eine Wellenlänge
oder darunter eingestellt, wobei die Wellenlänge als eine Umkehrzahl der
Betriebsfrequenz der auf dem Halbleiterchip 2 ausgebildeten
Schaltung angegeben wird.
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Es
wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen des in 1 dargestellten Halbleiterbauelementes
umrissen. Wie zuvor beschrieben, wird ein fertiger Halbleiterchip 2 auf
dem Substrat 1 montiert, oder alternativ wird ein Halbleiterchip 2 auf
dem Substrat 1 mit einem bekannten Herstellungsprozess ausgebildet.
Die von dem Halbleiterchip 2 ausgehenden Bonddrähte 6 werden
mit den Substratinseln 7 verbunden, die auf dem Substrat 1 positioniert
sind. Danach wird ein flüssiges
Abdichtmittel 3 auf die Peripherien des Halbleiterchips 2 und
der Bonddrähte 6 aufgebracht
und härten
gelassen. Die konventionellen Herstellungsprozesse sind ebenso gut
auf die obigen Verfahren anwendbar.
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Dann
wird eine Mehrzahl von Durchkontaktlöchern 8 außerhalb
der Position des auf dem Substrat 1 montierten Halbleiterchips
ausgebildet. Das Substrat 1 kann zuvor mit den Durchkontaktlöchern 8 versehen
werden. Dann wird, unter Verwendung der Durchkontaktlöcher 8 als
Referenzpositionen, eine Magnetmaterialfolie beispielsweise durch
Vakuumaufdampfung auf die Oberfläche
des Abdichtmittels 3 aufgebracht, um die Abschirmelemente 4 zu
bilden. Zu diesem Zeitpunkt werden die Abschirmelemente 4 ins
Innere der Durchkontaktlöcher 8 eingebracht. Dann
wird die Magnetmaterialfolie beispielsweise mit Vakuumaufdampfung
auf das Substrat 1 auf der Seite aufgebracht, die der Chipmontagefläche gegenüberliegt,
so dass sie im Wesentlichen in einem planaren Zustand einschließlich der
Durchkontaktlöcher 8 verläuft. Es
ist zu verstehen, dass die Oberfläche der Abschirmelemente 4 mit
Epoxidharz usw. beschichtet werden kann.
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Im
Falle eines solchen Halbleiterbauelementes der ersten Ausgestaltung
wird das Substrat 1 mit der Mehrzahl von Durchkontaktlöchern 8 zum
Einbringen der Abschirmelemente darin vorgesehen, so dass der Halbleiterchip 2 mit
den Abschirmelementen 4 auf den gegenüberliegenden Seiten des Substrats 1 bedeckt
wird, so dass die Abschirmelemente 4 Magnetflüsse, die
durch die auf dem Halbleiterchip 2 ausgebildete Schaltung
entstehen, effektiv stoppen können.
Dadurch wird ein möglicher
nachteiliger magnetischer Effekt auf die übrigen auf dem Substrat 1 montierten
Komponenten eliminiert.
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Ferner
sind die konventionellen Herstellungsprozesse ebenso gut auf die
Vorgänge
von der Montage des Halbleiterchips 2 auf dem Substrat 1 bis hin
zu deren Abdichtung mit dem Abdichtmittel 3 anwendbar,
so dass eine effektive Magnetabschirmung erzielt werden kann, ohne
die Herstellungsprozesse signifikant zu verändern, so dass der Anstieg
der Fertigungskosten minimal gehalten werden kann.
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In
der ersten Ausgestaltung wurde zwar der Fall beschrieben, in dem
die Durchkontaktlöcher 8 außerhalb
der Substratinseln 7 ausgebildet werden, aber die Durchkontaktlöcher 8 können auch
zwischen der Montageposition des Halbleiterchips 2 und den
Substratinseln 7 ausgebildet werden.
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4 ist eine Schnittansicht
eines Halbleiterbauelementes gemäß einer
zweiten Ausgestaltung. In dem Diagramm erhielten dieselben Bestandteile
wie im Halbleiterbauelement der ersten Ausgestaltung dieselben Bezugsziffern,
und nachfolgend werden hauptsächlich
Unterschiede dazwischen beschrieben.
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Wie
aus 4 hervorgeht, werden
die Durchkontaktlöcher 8 der
zweiten Ausgestaltung zwischen der Montageposition des Halbleiterchips 2 und den
Substratinseln 7 ausgebildet. Die Abschirmelemente 4 werden
einschließlich
der Durchkontaktlöcher 8 in
derselben Weise wie in der ersten Ausgestaltung ausgebildet, wobei
die Bonddrähte 6 durch die
Abschirmelemente 4 verlaufen und mit den Substratinseln 7 auf
dem Substrat 1 auf der Außenseite der Abschirmelemente 4 verbunden
werden. Die Abschirmelemente 4 bestehen aus einem isolierenden Magnetmaterial,
um einen Kurzschluss zwischen den Bonddrähten 6 zu verhüten. Die übrigen Konfigurationen
sind dieselben wie die in der ersten Ausgestaltung, einschließlich der
Tatsache, dass der Halbleiterchip 2 durch die auf den gegenüberliegenden
Seiten des Substrats 1 ausgebildeten und ins Innere der Durchkontaktlöcher 8 eingefüllten Abschirmelemente 4 magnetisch
abgeschirmt wird.
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Auf
diese Weise lässt
es das Halbleiterbauelement der zweiten Ausgestaltung zu, dass die Durchkontaktlöcher 8 zwischen
den Substratinseln 7 und der Montageposition des Halbleiterchips 2 gebildet
werden, so dass die externen Abmessungen der Abschirmelemente 4 kleiner
sein können
als die in der ersten Ausgestaltung, um eine hochdichte Montage
auf dem Substrat 1 zu erzielen.
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In
den obigen Ausgestaltungen wurde zwar das Beispiel beschrieben,
bei dem die Abschirmelemente 4 aus demselben Magnetmaterial
auf der Chipmontagefläche
des Substrats 1 und auf der Seite gegenüber der Chipmontagefläche und
im Inneren der Durchkontaktlöcher 8 ausgebildet
sind, aber es können
verschiedene Materialien zum Bilden der Abschirmelemente 4 verwendet
werden. Insbesondere können,
aufgrund der Tatsache, dass das Innere der Durchkontaktlöcher 8 eine
höhere
Magnetflussdichte im Vergleich zur Chipmontagefläche und der Fläche gegenüber der
Chipmontagefläche
hat, das Innere der Durchkontaktlöcher 8 und die übrigen Abschnitte separat
mit verschiedenen Magnetmaterialien ausgebildet werden, um eine
Sättigung
der Magnetflüsse zu
verhindern.
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In
dem Beispiel der obigen Ausgestaltungen hat zwar der Halbleiterchip 2 Transistoren
und andere aktive Elemente zusätzlich
zu den Induktorleitern, aber derselbe Effekt wie in den obigen Ausgestaltungen
könnte
auch in Fällen
erzielt werden, bei denen nur die Induktorleiter auf dem Substrat 1 ausgebildet werden,
indem die Induktorleiter von den Abschirmelementen 4 bedeckt
werden.
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In
dem Beispiel der obigen Ausgestaltungen ist zwar das Abdichtmedium 3 zwischen
dem Halbleiterchip 2 und den Abschirmelementen 4 ausgebildet, aber
das Abdichtmedium 3 kann auch weggelassen werden, so dass
die Abschirmelemente direkt auf dem Halbleiterchip ausgebildet werden,
um einen Schutz für
den Halbleiterchip zu erzielen.
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In
dem Beispiel der obigen Ausgestaltungen sind zwar der Halbleiterchip 2,
das Abdichtmittel 3 usw. auf dem Substrat 1 ausgebildet,
aber das Substrat 1 kann auch durch eine Leiterplatte ersetzt
werden. In diesem Fall wird der Halbleiterchip 2 auf der Leiterplatte
montiert und die Durchkontaktlöcher 8 werden
in der Leiterplatte um den Halbleiterchip 2 herum ausgebildet,
wobei die gebildeten Abschirmelemente 4 die Durchkontaktlöcher 8 auf
den beiden gegenüberliegenden
Flächen
der Leiterplatte aufweisen. Eine solche COB-(Chip On Board)-Montage
verhindert, dass vom Halbleiterchip 2 mit den Induktorleitern
entstehende Magnetflüsse
zur Außenseite
der Abschirmelemente austreten, wodurch mögliche nachteilige magnetische
Einflüsse
auf die anderen auf der Leiterplatte montierten Komponenten eliminiert
werden, um eine hochdichte Montage auf der Leiterplatte zu realisieren.
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In
den obigen Ausgestaltungen wurde zwar ein Keramik- oder Glasepoxidsubstrat
als Substrat 1 verwendet, aber das Substrat 1 kann
auch ein Halbleitersubstrat aus einem n-Typ-Silicium (n-Si) oder einem anderen
Halbleitermaterial (z. B. amorphes Material wie Germanium oder amorphes
Silicium) sein.
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1 illustriert zwar das Beispiel,
bei dem das Substrat 1 mit einer Mehrzahl von kreisförmigen Durchkontaktlöchern 8 ausgebildet
ist, aber die Durchkontaktlöcher
können
auch eine beliebige andere Kontur (z. B. einen rechteckigen Querschnitt) haben
als den kreisförmigen
Querschnitt. Abmessungen und Anzahl der Durchkontaktlöcher sind
nicht auf die von 1 beschränkt. So
könnte
z. B. ein rillenähnliches
Durchkontaktloch um den Halbleiterchip 2 herum ausgebildet
werden.
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In
den obigen Ausgestaltungen wurde zwar der Fall beschrieben, bei
dem der Halbleiterchip 2 auf dem Substrat 1 durch
Drahtbonden COB-montiert wurde, aber die vorliegende Erfindung ist
auch auf ein anderes Montageverfahren anwendbar, wie z. B. auf das,
bei dem der Halbleiterchip 2 auf dem Substrat 1 Flipchip-montiert
ist.
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Gemäß den oben
dargelegten Ausgestaltungen werden die Durchkontaktlöcher in
dem Substrat außerhalb
der Montageposition des Halbleiterchips mit den Induktorleitern
ausgebildet. Die Abschirmelemente werden im Inneren der Durchkontaktlöcher und
auf der Halbleiterchip-Montagefläche
des Substrats und auf der Seite gegenüber der Montagefläche ausgebildet,
um den Halbleiterchip zu bedecken, so dass die von der auf dem Halbleiterchip
ausgebildeten Schaltung erzeugten Magnetflüsse im Innern der Abschirmung
umlaufen können,
so dass mögliche nachteilige
magnetische Einflüsse
auf der Außenseite
eliminiert werden.