DE3814469C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Eine herkömmliche Halbleiteranordnung dieser Art hat einen Aufbau, der in Fig. 14A und 14B dargestellt ist. Eine Schicht 1, die aus einem Kunstharz auf Polyimid-Basis hergestellt ist, hat an einem zentralen Ort einen rechteckigen Öffnungsbereich 2. Eine Vielzahl von Leitungen 3 in einem vorgegebenen Muster sind auf der Schicht 1 angeordnet. Der vordere Endbereich von jeder der Leitungen 3 steht in den Öffnungsbereich 2 der Schicht 1 vor und dient als innere Leitung 3a, während ihr rückseitiger Bereich von dem Außenumfang der Schicht 1 vorsteht und eine äußere Leitung 3b bildet. Ein Halbleiterchip 5 ist mit jeder der inneren Leitungen 3A über einen Kontakthöcker 4 verbunden. Der Halbleiterchip 5 ist zusammen mit der Schicht 1 mit einem Harz 6 eingeformt.

Die herkömmliche Halbleiteranordnung mit einem Aufbau der oben beschriebenen Art wird in der nachstehend beschriebenen Weise hergestellt. Zuerst wird eine erforderliche Anzahl von Leitungen 3 an der Schicht 1 befestigt, die folgendes aufweist: Perforationen 7, die regelmäßig an ihren beiden Seitenbereichen angeordnet sind, einen Öffnungsbereich 2, der in ihrem mittleren Bereich ausgebildet ist, und äußere Leitungslöcher 8, die um den Umfang des Öffnungsbereiches 2 ausgebildet sind, wie es Fig. 15A zeigt. Die so befestigten Leitungen 3 werden von Stützbereichen 9 abgestützt, die sich zwischen dem Öffnungsbereich 2 und den äußeren Leitungslöchern 8 befinden und sie haben jeweils einen Testanschluß 3c an der Rückseite ihrer äußeren Leitung 3b, die sich über dem entsprechenden äußeren Leitungsloch 8 befindet.

Anschließend wird ein Halbleiterchip 5 in den Öffnungsbereich 2 der Schicht 1 eingesetzt, und Kontakthöcker 4, die auf Elektroden des Halbleiterchips 5 vorgesehen sind, werden mit den inneren Leitungen 3a verbunden, vgl. Fig. 15B, 16A und 16B.

In diesem Zustand werden verschiedene Tests durchgeführt, bei denen die Zustände der verschiedenen Verbindungen getestet werden, indem man die Testanschlüsse 3c verwendet, wobei die Wirkungsweise des Halbleiterchips 5 geprüft wird. Danach werden die Leitungen 3 in bestimmten Bereichen zwischen ihren äußeren Leitungen 3b und den Testanschlüssen 3c geschnitten, und die Schicht 1 wird an ihren Brückenbereichen 10 geschnitten, die sich zwischen benachbarten äußeren Leitungslöchern 8 befinden. Schließlich wird der Halbleiterchip 5 mit einem Harz 6 eingeformt, so daß sich eine Halbleiteranordnung ergibt, die in den Fig. 14A und 14B dargestellt ist.

Das Harz hat jedoch im allgemeinen eine geringe Wärmeleitfähigkeit. Infolgedessen ist es bei der herkömmlichen Halbleiteranordnung, bei der der Halbleiterchip 5 vollständig mit dem Kunstharz 6 eingeformt ist, so, daß die meiste von dem Halbleiterchip 5 während des Betriebes der Anordnung erzeugte Wärme sich unvermeidlicherweise in dem Harz 6 sammelt. Dies bringt die Gefahr mit sich, daß die Temperatur des Halbleiterchips 5 innerhalb des Harzes ansteigt, was die Eigenschaften und die Betriebszuverlässigkeit der Halbleiteranordnung verschlechtert.

Aus der DE-OS 27 52 655 ist ein Verfahren bekannt, bei welchem eine Trägerfolie mit Durchbrüchen und bis in die Nähe der Durchbrüche ragenden Leitungsbahnen versehen wird. Die Unterseite des Trägerbandes wird mit einem Kühlblech verklebt. Im Bereich der Durchbrüche des Trägers werden die elektronischen Bauelemente auf das Kühlblech geklebt. Nach diesem Fixieren der Chips werden deren Anschlüsse bzw. dort vorgesehene Anschlußbahnen mit den Leitungsbahnen verbunden. Abschließend werden die Chips getestet und schließlich mit einer isolierenden Abdeckmasse überdeckt.

Bei diesem Verfahren wird es als nachteilig angesehen, daß entweder die Anschlüsse auf dem Chip mit den Leitungsbahnen oder gesonderten Drähten unter optischer Kontrolle verbunden werden müssen, oder aber ein mit Anschlußdrähten versehener Chip sehr sorgfältig auf das Band aufgeklebt werden muß, wobei gleichzeitig dort bereits angebrachte Anschlußdrähte relativ zu den Leiterbahnen auf der Schicht positioniert werden. Diese Durchführung von zwei Vorgängen gleichzeitig, also Aufkleben und Positionieren der Leiterbahnen, ist schwierig. Weiterhin besteht eine Schwierigkeit darin, daß nach dem Eingießen kein Bauteil entsteht, das freie Kontaktfahnen hat. Insbesondere weist der am Bauteil entstandene Kühlkörper laut der Druckschrift größere Außenabmessungen auf, als dies dem Umfang der Leiterbahnenden entspricht. Mindestens aber wird der Kühlkörper nach Beschneiden der Anordnung bündig mit den Leiterbahnenden verlaufen. Ein solches Bauteil ist z. B. nicht als SMD verwendbar.

Dieselben Schwierigkeiten entstehen bei einem Verfahren nach der DE-AS 21 24 887.

Ein Verfahren ähnlich der eingangs genannten Art ist aus der US 42 80 132 bekannt. Es weist die obengenannten Nachteile auf.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden, daß mit geringem zusätzlichem Aufwand mit dem Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen ohne Kühlkörper Halbleiteranordnungen mit Kühlkörper hergestellt werden können, bei denen während des Betriebes die erzeugte Wärme in wirksamer Weise nach außen hin abgegeben wird.

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von Abbildungen näher erläutert. Hierbei zeigt

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Halbleiteranordnung hergestellt gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 2A, 2B und 3 schematische Darstellungen zur Erläuterung der Schritte zur Herstellung der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1;

Fig. 4 bis 13 schematische Darstellungen zur Erläuterung von weiteren Ausführungsformen gemäß der Erfindung;

Fig. 14A und 14B Darstellungen zur Erläuterung einer her­ kömmlichen Halbleiteranordnung; und in

Fig. 15A, 15B, 16A und 16B schematische Darstellungen zur Erläuterung der Schritte zur Herstellung einer her­ kömmlichen Halbleiteranordnung.

Wie in Fig. 1 dargestellt, hat eine Halbleiteranordnung hergestellt gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung eine erste Schicht 11, die beispielsweise aus einem Kunstharz auf Poly­ imidbasis hergestellt ist. Ein rechteckiger Öffnungsbereich 12 ist in dem zentralen Bereich der ersten Schicht 11 ausgebildet. Die erste Schicht 11 hat eine Oberfläche 11a, auf der eine Vielzahl von Leitungen 13 angeordnet sind. Der vordere End­ bereich von jeder Leitung 13 steht in den Öffnungsbereich 12 vor und dient als innere Leitung 13a, während der hintere Bereich jeder Leitung 13 vom Außenumfang der ersten Schicht 11 vorsteht und als äußere Leitung 13b dient. Ein Halbleiterchip 5 ist im Inneren des Öffnungsbereiches 12 angeordnet, und Kontakthöcker 14 sind auf der einen Oberfläche 5a des Halbleiterchips 5 vorgesehen und jeweils mit der jeweiligen inneren Leitung 13a verbunden.

Eine zweite Schicht 15, die aus einem Metallmaterial herge­ stellt ist, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit besitzt, ist mit seiner einen Oberfläche 15a mit der anderen Oberfläche 11b der ersten Schicht 11 verbunden. Die zweite Schicht 15 hat einen Öffnungsbereich 16, der an einem Ort ausgebildet ist, der dem des Öffnungsbereiches 12 der ersten Schicht 11 ent­ spricht und die gleiche Öffnung hat wie dieser Öffnungs­ bereich 12. Ein Wärmestrahlungskörper 17 ist auf der anderen Oberfläche 15b der zweiten Schicht 15 vorgesehen. Der Wärmestrahlungskörper 17 hat eine schicht­ förmige Konfiguration und besteht aus einem Metallmaterial, welches das gleiche wie das der zweiten Schicht 15 ist. Der Umfangsbereich des Wärmestrahlungskörpers 17 ist mit dem Bereich der zweiten Schicht 15 verbunden, der um den Umfang des Öffnungsbereiches 16 herum ausgebildet ist, während der zentrale Bereich des Wärmestrahlungskörpers 17 mit der gegenüberliegenden Oberfläche 5b des Halbleiterchips 5 verbunden ist, beispielsweise mit einem Klebstoff 18, z. B. einem Epoxyharz. Der Öffnungsbereich 16 der zweiten Schicht 15 wird durch den Wärmestrahlungskörper 17 ver­ schlossen.

Ein Formkörper 19, der aus einem Kunstharz hergestellt ist, beispielsweise aus einem Epoxyharz oder Silikonharz, ist in den übrigen Teilen der Öffnungsbereiche 12 und 16 der ersten und zweiten Schichten 11 bzw. 15 sowie dem Halbleiterchip 5 vorgesehen. Somit ist der Halbleiterchip 5 mit dem Harz des Formkörpers 19 und dem Wärmestrahlungskörper 17 eingeformt. Mit anderen Worten, der Halbleiterchip 5 ist mit der einen Oberfläche 17a des Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden, während die andere Oberfläche 17b des Wärmestrahlungskörpers 17 zur Außenseite der Anordnung frei zugänglich ist.

Da bei der Halbleiteranordnung mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau der Wärmestrahlungskörper 17 nach außen gerichtet ist, kann Wärme, die von dem Halbleiterchip 5 während des Betriebes der Halbleiteranordnung erzeugt wird, in wirksamer Weise nach außen abgestrahlt werden durch den Wärmestrahlungskörper 17 hoher Wärmeleitfähigkeit. Somit wird jegliches Ansteigen der Temperatur des Halbleiterchips 5 verhindert und damit ein stabiler Betrieb der Anordnung gewährleistet.

Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halb­ leiteranordnung mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau erläutert.

Zunächst wird, wie in Fig. 2A dargestellt, eine erforderliche Anzahl von Leitungen 13 mit gewünschtem Muster an der einen Oberfläche 11a einer ersten Schicht 11 befestigt, die folgendes aufweist: Perforationen 20, die in regelmäßiger Anordnung an ihren beiden Seitenbereichen ausgebildet sind, einen Öffnungsbereich 12, der in ihrem zentralen Bereich ausgebildet ist, und Ausnehmungen 21, die um den Umfang des Öffnungsbereiches 12 ausgebildet sind.

Die so befestigten Leitungen 13 werden mit Stützbereichen 22 abgestützt, die sich zwischen dem Öffnungsbereich 12 und den Ausnehmungen 21 befinden. Die Leitungen 13 haben jeweils eine innere Leitung 13a, eine äußere Leitung 13b, die sich am rückseitigen Ende der inneren Leitung 13a befindet und die sich über der entsprechenden Ausnehmung 21 befindet, sowie einen Testanschluß 13c, der sich ganz am hinteren Ende der äußeren Leitung 13b befindet.

Anschließend wird ein Halbleiterchip 5 in den Öffnungsbereich 12 der ersten Schicht 11 eingesetzt, und Kontakthöcker 14, die an Elektroden des Halbleiterchips 5 vorge­ sehen sind, werden mit den inneren Leitungen 13a verbunden. In diesem Zustand werden verschiedene Tests durchgeführt. Beispielsweise werden die Zustände von verschiedenen Ver­ bindungen unter Verwendung der Testanschlüsse 13c getestet, und die Wirkungsweise des Halbleiterchips 5 wird geprüft.

Weiterhin wird, wie in Fig. 2B dargestellt, eine zweite Schicht 15 mit der gleichen Größe und Konfiguration wie die erste Schicht 11 hergestellt. Genauer gesagt, die zweite Schicht 15 hat Perforationen 23, die regelmäßig in ihren beiden Seitenbereichen angeordnet sind, einen Öffnungsbereich 16, der in ihrem zentralen Bereich ausgebildet ist, sowie Ausnehmungen 24, die um den Umfang des Öffnungs­ bereiches 16 ausgebildet sind. Anschließend wird ein Wärme­ strahlungskörper 17 auf der einen Oberfläche 15b der zweiten Schicht 15 in der Weise angeordnet, daß er den Öffnungsbereich 16 verschließt, und der Umfangsbereich des Wärmestrahlungs­ körpers 17 wird mit den Stützbereichen 25 verbunden, die sich zwischen dem Öffnungsbereich 16 und den Ausnehmungen 24 befinden.

Ein Teil des Wärmestrahlungskörpers 17 innerhalb des Öffnungs­ bereiches 16 der zweiten Schicht 15 wird mit einem Klebstoff 18 überzogen. Anschließend werden, wie in Fig. 3 dargestellt, die erste Schicht 11 und die zweite Schicht 15 in der Weise positioniert, daß ihre entsprechenden Öffnungsbereiche 12 und 16 richtig ausgefluchtet werden, und die andere Oberfläche 5b des Halbleiterchips 5 wird mit der mit Klebstoff beschichteten Oberfläche des Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden, während die anderen Oberflächen 11b und 15a der ersten und der zweiten Schichten 11 bzw. 15 miteinander verbunden werden.

Anschließend wird der Halbleiterchip 5, der über dem Wärme­ strahlungskörper 17 angeordnet ist, mit Kunstharz eingeformt, das einen Formkörper 19 ergibt. Anschließend werden die Leitungen 13 in bestimmten Bereichen zwischen ihren äußeren Leitungen 13b und den Testanschlüssen 13c durchgeschnitten, und die ersten und zweiten Schichten 11 und 15 werden in Brückenbereichen 26 und 27, die sich zwischen benachbarten Ausnehmungen 21 und 24 befinden, durchgeschnitten. Auf diese Weise wird eine Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1 erhalten.

Obwohl die zweite Schicht 15 bei der obigen Ausführungsform aus einem Metallmaterial besteht, kann die zweite Schicht 15 alternativ aus einem Kunstharzmaterial hergestellt werden, in ähnlicher Weise wie die erste Schicht 11.

Bei der oben beschriebenen Ausführungsform ist der Wärme­ strahlungskörper 17 auf der einen Oberfläche 15b der zweiten Schicht 15 angeordnet. Alternativ kann, wie in Fig. 4 darge­ stellt, der Wärmestrahlungskörper 17 auf der anderen Ober­ fläche 15a der zweiten Schicht 15 angeordnet sein, die mit der ersten Schicht 11 verbunden ist, wobei die Oberfläche 17a des Wärmestrahlungskörpers 17, die mit der zweiten Schicht 15 verbunden ist, freiliegt, und zwar über dem Öffnungs­ bereich 16.

Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem derartigen Aufbau wird, wie in Fig. 5A dargestellt, ein Halbleiterchip 5 auf einer ersten Schicht 11 in gleicher Weise montiert, wie es in Fig. 2A dargestellt ist. Ein Wärmestrahlungskörper 17 wird jedoch mit einer Oberfläche 15a einer zweiten Schicht 15 verbunden, die als Oberflächenver­ bindung mit der ersten Schicht 11 dient, wie es Fig. 5B zeigt. Die andere Oberfläche 5b des Halbleiterchips 5 wird mit der Oberfläche 17b des Wärmestrahlungskörpers 17 mit einem Klebstoff 18 verbunden, vgl. Fig. 6.

Dann wird die Oberfläche 15a der zweiten Schicht 15 mit der Oberfläche 11b der ersten Schicht 11 längs eines Bereiches außerhalb des Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden. Zu diesem Zweck werden die Brückenbereiche 27 der Schicht 15 etwas nach unten gebogen, damit die Oberfläche 11b der ersten Schicht 11 und die Oberfläche 15a der zweiten Schicht 15 miteinander in Kontakt kommen können.

Wenn die zweite Schicht 15 aus einem Material hergestellt wird, das eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit besitzt, wie z. B. Metall, kann die zweite Schicht 15 selbst als Wärmestrahlungseinrichtung verwendet werden, wie es Fig. 7 zeigt, anstatt einen Wärmestrahlungskörper 17 zu verwenden, der mit der zweiten Schicht verbunden wird. Bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem derartigen Aufbau gemäß Fig. 7 wird die andere Oberfläche 5b eines Halbleiterchips 5 direkt mit einer zweiten Schicht 15 in der oben beschriebenen Weise verbunden. Genauer gesagt, ein Halbleiterchip 5 wird, wie in Fig. 8A dargestellt, auf einer ersten Schicht 11 in gleicher Weise montiert, wie es Fig. 2A zeigt.

Wie in Fig. 8B dargestellt, wird jedoch eine zweite Schicht 15 verwendet, die in ihrem zentralen Bereich 15c keinen Öffnungs­ bereich hat, und dieser zentrale Bereich 15c wird als Wärme­ strahlungseinrichtung verwendet. Das bedeutet, ein Klebstoff 18 wird auf den zentralen Bereich 15c der zweiten Schicht 15 aufgebracht, und die andere Oberfläche 5b des Halbleiterchips 5 wird mit dieser mit Klebstoff beschichteten Oberfläche ver­ bunden, während bestimmte Bereiche der ersten und zweiten Schichten 11 und 15 miteinander verbunden werden, vgl. Fig. 9.

Wie in Fig. 10 dargestellt, kann eine Vielzahl von Kühlrippen 28 auf der freiliegenden Oberfläche eines Wärmestrahlungs­ körpers 17 vorgesehen sein, so daß der Wärmeabstrahlungs­ effekt weiter verbessert wird. Bei der Herstellung wird eine zweite Schicht 15, die mit Wärmeabstrahlungs- oder Kühlrippen 28 versehen ist, mit einer ersten Schicht 11 verbunden, auf der ein Halbleiterchip 5 montiert wird, wie es Fig. 11 zeigt.

Es gibt verschiedene Arten von Wärmeabstrahlungs- oder Kühl­ rippen, die sich verwenden lassen. Beispielsweise kann, wie in Fig. 12 dargestellt, eine Gruppe 30 von Wärmeabstrahlungs- oder Kühlrippen verwendet werden, die eine Vielzahl von scheibenförmigen Rippen 29 aufweisen und eine mehrschichtige Anordnung bilden. In diesem Falle kann die Herstellung in der Weise durchgeführt werden, daß, nachdem die ersten und zweiten Schichten 11 und 15 miteinander verbunden worden sind und die Gehäusebildung erfolgt ist, eine Gruppe 30 von Wärmeab­ strahlungs- oder Kühlrippen mit der freiliegenden Oberfläche eines Wärmestrahlungskörpers 17 verbunden wird, beispiels­ weise mit einem weiteren Klebstoff 18.

Die Wärmeabstrahlungs- oder Kühlrippen können sowohl bei der Ausführungsform gemäß Fig. 10, bei der die zweite Schicht 15 auch als Wärmeabstrahlungseinrichtung dient, als auch bei der Ausführungsform gemäß Fig. 12 verwendet werden, bei der die zweite Schicht 15 und der Wärmeabstrahlungskörper 17 getrennte Teile sind. Es wird bevorzugt, daß die Wärmeabstrahlungs- oder Kühlrippen 28 und 29 aus einem Material hergestellt sind, das eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit besitzt, wie z. B. Metall.

Der Klebstoff 18, der verwendet wird, um den Halbleiterchip 5 und den Wärmestrahlungskörper 17 zu verbinden oder um den Wärmestrahlungskörper 17 und die Wärmestrahlungsrippen 28 oder 29 zu verbinden, braucht nicht notwendigerweise ein Klebstoff auf der Basis von Epoxyharz zu sein. Der Klebstoff 18 kann aus jedem anderen geeigneten Material bestehen. Beispielsweise kann ein Lötmittel zur Herstellung der Verbin­ dung verwendet werden.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit folgenden Schritten:

• a) Herstellung eines schichtförmigen Trägerbandes (11) mit Öffnungsbereichen (12); mit diese umgebenden und mit dem Trägerband (11) über Brückenbereiche (26) verbundenen Stützbereichen (22); mit Ausnehmungen (21) zwischen den Brückenbereichen (26), mit Leitungen (13), deren äußere Enden unter Bildung von Testanschlüssen (13c) auf dem Trägerband (11) fixiert sind, die sich unter Bildung von äußeren Leitungen (13c) über die Ausnehmungen (21) erstrecken und die unter Abstützung auf den Stützbereichen (22) mit ihren inneren Enden unter Bildung von inneren Leitungen (13a) in die Öffnungsbereiche (12) ragen;
• b) Einsetzen von Halbleiterchips (5) in die Öffnungsbereiche und Verbinden von Kontakthöckern (14) auf den Halbleiterchips (5) mit den inneren Leitungen (13a);
• c) Testen der Halbleiterchips (5) unter Verwendung der Testanschlüsse (13c);
• d) Einformen der Halbleiterchips (5) in ein Kunstharz (19);
• e) Durchtrennen der Brückenbereiche (26) und der äußeren Leitungen (13b);

gekennzeichnet durch folgende weitere Schritte:

• f) Herstellung eines weiteren, hinsichtlich Größe und Konfiguration dem Trägerband (11) entsprechenden schichtförmigen Bandes (15) mit Öffnungsbereichen (16), Ausnehmungen (24), Stützbereichen (25) und Brückenbereichen (27);
• g) Aufbringen von Wärmestrahlungskörpern (17), auf die Stützbereiche (25) so, daß sie die Öffnungsbereiche (16) überdecken und verschließen;
• h) Verbinden des weiteren Bandes (15) mit dem Trägerband (11) und der Wärmestrahlungskörper (17) mit den Halbleiterchips (5) auf deren, den Leitungen (13) gegenüberliegenden Flächen (5b, 11b) nach dem Schritt c;
• i) Einformen der Halbleiterchips (5) in ein Kunstharz in der Weise, daß die Wärmestrahlungskörper (17) nach außen freiliegen;
• j) gleichzeitiges Durchtrennen der Brückenbereiche (27) des weiteren Bandes (15) im Schritt e.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmestrahlungskörper (17) schichtförmig ausgebildet werden.

3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmestrahlungskörper (17) mit Kühlrippen (28, 29) auf derjenigen Oberfläche (17a) versehen werden, die zur Außenseite hin freiliegt.

4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmestrahlungskörper (17) mit der Oberfläche des schichtförmigen Bandes (15) verbunden werden, die mit dem Trägerband (11) verbunden wird.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmestrahlungskörper (17) mit der Oberfläche des schichtförmigen Bandes (15) längs dessen Oberfläche dort verbunden werden, wo diese nicht mit dem Trägerband verbunden ist.

6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmestrahlungskörper (17) aus dem schichtförmigen Band (15) selbst gebildet werden.