DE69405183T2 - Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe - Google Patents
Hochdruck-Metallhalogen-EntladungslampeInfo
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- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 title claims description 21
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 29
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 scandium halide Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004369 ThO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
- H01J61/073—Main electrodes for high-pressure discharge lamps
- H01J61/0735—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
- H01J61/0737—Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode characterised by the electron emissive material
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Description
- Die Erfindung betrifft eine Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe mit einem vakuumdicht verschlossenen, lichtdurchlässigen Lampengefäß, das eine ionisierbare Füllung mit Edelgas und Metallhalogenid enthält, und in dem Wolfram-Entladungselektroden angeordnet sind, die mit Stromleitern verbunden sind, die durch das Lampengefäß nach außen treten, welche Elektroden mit einem Elektronenemitter versehen sind, wobei der Elektronenemitter als oxidischer Elektronenemitter ausgebildet ist.
- Eine solche Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe ist aus US 4.574.219 bekannt.
- Nahe ihren freien Enden sind die Elektroden der bekannten Lampe mit einem Cermet aus Wolfram und einem aus den Oxiden von Scandium, Aluminium, Dysprosium, Thorium, Yttrium und Zirkonium und Mischungen davon gewählten Metalloxid versehen, beispielsweise überzogen. Das Cermet umfaßt in diesem Fall 2 bis 30 Gew.% Metalloxid.
- Aufgabe dieser Elektroden ist, zu ermöglichen, daß die Lampe nach dem Starten schnell in ihren Betriebszustand gelangt und daß eine vorangehende Glimmentladungsperiode vermieden wird. Hierzu ist das Cermet porös, so daß die Elektroden eine geringe Wärmeleitfahigkeit haben und daher schnell ihre Betriebstemperatur annehmen.
- Die komplizierte Struktur der Elektroden und die sich ergebende komplizierte Herstellung der Elektroden stellen einen Nachteil dar. Ein anderer Nachteil der bekannten Lampe ist die Verwendung des radioaktiven Thoriumoxids. Dies stellt eine ernste Umweltbelastung dar, sowohl bei seiner Herstellung und der Herstellung der Elektroden als auch am Ende der Lampenlebensdauer. Ein anderer Nachteil ist, daß der Emitter verhältnismäßig schnell erschöpft ist, wenn andere Oxide als Thoriumoxid verwendet werden.
- In oder auf Elektroden in Entladungslampen ist zur Erleichterung der Emission von Elektronen im allgemeinen Emitter vorhanden. Je kleiner die Austrittsarbeit des Emitters im Vergleich zu Elektrodenmaterial ohne Emitter ist, desto geringer wird die Temperatur sein, die die Elektrode im Betrieb annimmt. Die Verdampfung von Elektrodenmaterial und Abscheidung des Dampfes auf dem Lampengefäß sind dann geringer. Infolgedessen hat die Lampe einen höheren Lichtstromfaktor: ihre Anfangslichtausbeute (1m/W) bleibt im Laufe der Lampenlebensdauer besser aufrechterhalten. Es ist insbesondere das schädliche Thoriumoxid, das eine niedrige Austrittaarbeit hat.
- EP 0. 136.726-A2 beschreibt eine Hochdruck-Natrium-Entladungslampe, in der gleichartige oxidische Materialien als Emitter verwendet werden. In oder auf den Elektroden befinden sich eines oder mehrere der Oxide von Yttrium, Lanthan, Cer, Hafnium, Thorium, Beryllium und Scandium. Diese Oxide sind stabiler als BaO, das manchmal als Emitter in Hochdruck-Natrium-Entladungslampen verwendet wird, und sollten daher dem Verlust von Natrium aus dem Lampengefäß entgegenwirken.
- US 3.700.951 beschreibt Hochdruck-Natrium- und Hochdruck-Quecksilber-Entladungslampen, die feuerfeste Elektroden mit einem am freien Ende jeder dieser Elektroden in einem Zylinder angeordneten Emitter haben, wobei der Emitter aus Wolfram, Molybdän oder Tantal hergestellt ist, mit einem ersten Metall, das aus den Lanthaniden und Thorium gewählt ist und einem zweiten Metall, das aus Elementen mit den Ordnungszahlen 22 bis 28, 44 bis 46 und 76 bis 78 gewählt ist, wobei die Legierung dieses ersten und zweiten Metalls das Wolfram, Molybdän oder Tantal befeuchtet. Diese Lampen haben ähnliche Nachteile wie die erstgenannte Lampe.
- US 4.303.848 beschreibt eine Hochdruck-Entladungslampe, in der ein gesinterter Körper auf einen Elektrodenstab aus Wolfram plaziert ist, wobei der Körper aus Wolfram, Molybdän, Tantal und Mischungen davon aufgebaut ist, mit einem Oxid aus Yttrium, Zirkonium, Aluminium und Mischungen davon und mit einer als Emitter fungierenden Erdalkaliverbindung. Die Aufgabe des Oxids ist hier Thoriumoxid zu ersetzen, unter Verhinderung eines Kontaktes zwischen der Erdalkaliverbindung und dem Metall. Daher werden verhältnismäßig große Mengen Oxid bis zu 30 Gew.-% verwendet.
- DE-A-2 935 447 beschreibt eine Lampe, in der Entladungselektroden Wolfram mit 74 Gew.-%, Yttriumoxid mit 6 Gew.-% und Zirkoniumoxid mit 5 Gew.-% umfassen.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe der eingangs erwähnten Art zu verschaffen, deren Elektroden nahezu thoriumoxidfrei sind, wobei die Lampe dennoch einen verhältnismäßig hohen Lichtstromfaktor aufweist.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Elektroden wie der Elektronenemitter, verteilt in der Masse, im wesentlichen nur ein aus Hafniumoxid und Zirkoniumoxid gewähltes erstes Oxid und ein aus Yttriumoxid, Lanthanoxid, Scandiumoxid und Ceroxid gewähltes zweites Oxid enthalten, und im wesentlichen frei von Thoriumoxid sind, wobei das zweite Oxid zu M Mol-% der Summe aus dem zweiten Oxid und dem ersten Oxid beiträgt, wobei M die in Tabelle 1 aufgelisteten Werte hat: Tabelle 1
- Wenn die Lampe mehr als ein einziges zweites Oxid enthält, hat jedes zweite Oxid seine eigene Menge an erstem Oxid, zu dem es in einem molaren Prozentsatz M steht. Beispielsweise: Angenommen werde, daß die Lampe Y&sub2;O&sub3; und La&sub2;O&sub3; und ein erstes Oxid MIO&sub2; enthält, dann genügen die molaren Prozentsätze MY = Y&sub2;O&sub3; * 100% / (Y&sub2;O&sub3; + {MIO&sub2;}) und MLa = La&sub2;O&sub3; * 100% / (La&sub2;O&sub3; + {MIO&sub2;]) den Werten der Tabelle, und die gesamte (molare) Menge ist MIO&sub2; = {MIO&sub2;} + [MIO&sub2;].
- Wenn die Lampe zwei erste Oxide hat, wird die prozentuale (molare) Menge M des zweiten Oxids in bezug auf die Summe aus dem zweiten Oxid und seinen eigenen Mengen jedes der ersten Oxide gegeben. Wenn beispielsweise die Lampe Y&sub2;O&sub3; und zwei erste Oxide umfaßt, gilt das folgende:
- MY = Y&sub2;O&sub3; * 100% / (HfO&sub2; + Y&sub2;O&sub3; + ZrO&sub2;) = 5 - 60
- Die Elektroden der erfindungsgemäßen Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe sind nahezu frei von Thoriumoxid. Dennoch hat die Lampe einen guten Lichtstromfaktorm. Dies ist bemerkenswert, weil die ersten Oxide eine verhältnismäßig hohe Austrittsarbeit A (eV) haben, die nur geringfügig geringer ist als die von Wolfram selbst und viel höher als die von Thoriumoxid, wie aus Tabelle 2 ersichtlich ist. Tabelle 2
- Anhand dieser Daten würde man schließen, daß die ersten Oxide kaum für eine Verwendung als Emitter geeignet sind, und am wenigsten für die Aufgabe der Erfindung. Die ersten Oxide würden eine verhältnismäßig hohe Elektrodentemperatur bewirken, weil sie nur schwer emittieren, der Wolframdampfdruck wäre verhältnismäßig hoch und eine Schwärzung des Lampengefaßes würde verhältnismäßig schnell auftreten.
- Die zweiten Oxide haben eine erheblich niedrigere Austrittsarbeit als die ersten, wenn auch etwas höher als ThO&sub2;, wie aus Tabelle 3 ersichtlich ist. Tabelle 3
- Die zweiten Oxide haben jedoch bei erhöhter Temperatur eine verhältnismäßig hohe Flüchtigkeit. Bei einer Verteilung in der Masse der Wolfram-Elektroden in einer Menge von 30 Vol.-%, ergibt sich beispielsweise, daß Yttriumoxid nach zehnstündigem Aufheizen im Vakuum bei 2625 bzw. 2775 K 39,85% und 79,2% seiner Masse verloren hat. Abscheidung des - weißen - Oxids auf dem Lampengefäß ist zwar weniger schädlich für den Lichtstromfaktor der Lampe als die Abscheidung von schwarzem Wolfram, aber eine Elektrode mit einem zweiten Oxid als Emitter wird schnell ihren Emitter verbraucht haben.
- Überraschenderweise führt die Kombination eines ersten Oxids mit einem zweiten Oxid in der Wolfram-Elektrode zu wesentlich geringerem Verlust an Emittermaterial, wie mit einem Ofenexperiment gezeigt wurde, in dem die in Tabelle 4 aufgelisteten Elektroden zehn Stunden lang im Vakuum erhitzt wurden. Tabelle 4
- Tabelle 4 zeigt, daß der Emittermaterialmassenverlust Δm2625K und Δm2775K bei 2625 bzw 2775 K viel kleiner ist für Elektroden der erfindungsgemaßen Lampe als für Elektroden, die nur Yttriumoxid enthalten. In diesem Zusammenhang sei bemerkt, daß die Temperatur von 2800 K im Normalbetrieb nicht bei allen Lampenty pen erreicht wird. Diese Temperatur und die Vakuumbedingungen wurden daher nur gewählt, um in einem kurzen Test eine deuffiche Angabe zur Stabilität des Emittermaterials zu erhalten.
- Bemerkenswert ist, daß der Oxidverlust bei Vorhandensein von Hafniumoxid (Linien 3 bis 8 von Tabelle 4) viel geringer ist als bei Abwesenheit dieses Oxids (Linie 1). Noch bemerkenswerter ist, daß der Verlust bei einem verhältnismäßig geringen Oxidgehalt von 7 Vol.-% (Linien 6 bis 8) sehr gering ist, sogar kleiner als der an sich viel kleinere Verlust an Hafniumoxid einer Elektrode, die nur dieses Oxid enthält (Linie 2).
- Es hat sich gezeigt, daß Hafniumoxid und Yttriumoxid stabile Mischungen von Oxiden mit einer Struktur des Fluorittyps in einem weiten Bereich von Stöchiometrien ergeben. Dies kann den breiten Mischungsbereich erklären, in dem diese Oxide erfolgreich als Emittermaterialien in den Elektroden verwendet werden können. Auch andere Kombinationen aus einem ersten Oxid und einem zweiten Oxid ergeben solche stabilen Mischungen aus Oxiden und/oder stabile Mischoxide mit oder nahe der Zusammensetzung MII&sub2;MI&sub2;O&sub7;, worin MII das Metall des zweiten Oxids und MI das Metall des ersten Oxids ist, wenn auch mit verschiedenen Löslichkeiten der Komponenten in diesen Mischoxiden. Solche stabilen Mischoxide können Strukturen von Fluorit, Pyrochlor oder anderer kristallographischer Art sein. Im allgemeinen haben die Mischoxide einen höheren Schmelzpunkt und/oder einen niedrigeren Dampfdruck als das entsprechende zweite Oxid.
- Bei einer tatsächlichen erfindungsgemäßen Lampe wird im allgemeinen ein Emitter mit verhältnismäßig hohem Gehalt an zweitem Oxid gewählt, weil dieses eine verhältnismäßig geringe Austrittstrbeit hat Andererseits kann der Emitter dadurch optimiert werden, daß der Verlust an Emittermaterial der Elektrode bei einem geringeren Gehalt kleiner ist. Bei Verwendung von Yttriumoxid als zweites Oxid wird vorzugs weise die gleiche Menge bis zu 2,33-mal so viel an erstem Oxid hinzugefügt (M = 30- 50 Mol-%). Bei Verwendung von Scandiumoxid als zweites Oxid wird vorzugsweise etwas weniger als die gleiche Menge bis zu zweimal so viel erstes Oxid hinzugefügt ( M = 30-44 Mol-%). Bei Verwendung eines anderen zweiten Oxids geht dies vorzugsweise mit ungefahr zweimal der Menge an erstem Oxid einher (M = ungefähr 33 Mol-%).
- Gleichartige Daten anderer Kombinationen aus einem ersten und einem zweiten Oxid werden in Tabelle 4a dargestellt. Tabelle 4a
- Es ist für die Erfindung auch wesentlich, daß das Emittermaterial über die Masse der Elektrode verteilt vorliegt und nicht in einer an der Oberfläche der Elektrode angebrachten Schicht, wie es bei allen in dem genannten US 4.574.219 beschriebenen Ausführungsformen der Fall ist. Es kann dann nur verdampfen, wenn es durch Transport entlang den Grenzen der Wolframteilchen an die Oberfläche der Elektrode gelangt ist, während verdampftes Emittermaterial von der Masse aus ergänzt werden kann.
- Die Struktur der Elektrode ist auch insofern wichtig, als das Emittermaterial, das während der Lagerung der Elektrode und während der Herstellung der Lampe von Wolfram umhüllt ist, nicht oder im wesentlichen nicht den Einflüssen der Umgebungsluft und Verunreinigung und/oder Dissoziation infolge beispielsweise Feuchtigkeit unterliegen kann. Zudem sind die gemischten Oxide weniger empfindlich gegenüber solchen Einflüssen als ihre Komponenten. Dies wird durch ein Experiment veranschaulicht, bei dem Pillen aus La&sub2;HfO&sub7;, aus La&sub2;O&sub3; + HfO&sub2; und aus La&sub2;O&sub3; an Luft gelagert wurden. Nach 48 Stunden Lagerung betrug die Gewichtszunahme dieser Pillen 0, 1,4, bzw. 2,99%.
- Die Struktur ist auch insofern wichtig, als sie es ermöglicht, die Hochdruck- Metallhalogen-Entladungslampe, falls erwünscht, bei Elektrodentemperaturen zu betreiben, bei denen das Emittermaterial, das unter Druck umhüllt wird, unter Atmosphärendruck schmelzen würde. Wegen des Einbaus in Wolfram kann es seine Zusammensetzung nirgends anders als an der Elektrodenoberfläche ändern. Die Stabilität des Emittermaterials läßt Herstellungsschritte der Elektrode, wie Sintern, bei verhältnismäßig hohen Temperaturen unter Atmosphärendruck zu.
- Die Menge Emittermaterial in den Elektroden kann innerhalb breiter Grenzen gewählt werden, was auch von der Art der Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe abhängt. Im allgemeinen genügen 1 bis 30 Vol -%, was, ebenfalls abhängig von den gewählten Oxiden, zu Mengen bis zu nicht mehr als ungefähr 10 Gew.-% führt. Bei Mengen im unteren Teil des angegebenen Volumenbereichs können in einfacher Weise Elektroden erhalten werden, für die das Emittermaterial in der Wolframmatrix fein verteilt ist. In dem oberen Teil, von ungefähr 25 Vol -% an, ist ein Übergang in eine Struktur mit einem Netz aus Emittermaterial in der Wolframmatrix zu erkennen, die den Transport von Emittermaterial zur Elektrodenoberfläche beschleunigt. Bei Verwendung in Lampen mit Seltenerdhalogeniden und/oder Scandiumhalogenid in der ionisierbaren Füllung genügt üblicherweise ein Emittermaterialgehalt bis zu Gew.-%, beispielsweise ungefähr 2 Gew.-%; für andere Hochdruck-Metallhalogen- Entladungslampen liegt dieser Gehalt bei ungefähr 10 Gew.-%. In Lampen mit Seltenerdhalogeniden tritt ein Kreisprozeß auf, der erste und zweite Oxide in Form der entsprechenden Halogenide zu den Elektroden zurückführt.
- Es sei bemerkt, daß Aluminiumoxid, das in der Lampe entsprechend der genannten US 4.574.219 nützlich ist, in erheblichen Mengen in der erfindungsgemäßen Lampe nachteilig ist. Erstens hat sich gezeigt, daß dieses Oxid während der Aufheizschritte bei der Herstellung des Elektrodenmaterials in erheblichem Maße verdampft; zweitens hat sich herausgestellt, daß es zu einer Vergröberung der Struktur des Materials führt.
- Es zeigt sich, daß ein Verlust an Emittermaterial an der Oberfläche durch Diffusion aus der Masse kompensiert wird. Wenn infolge eines Lampenbetriebs bei hoher Elektrodentemperatur eine verhältnismäßig schnelle Verdampfung des Emittermaterials an der Oberfläche erfolgt und Diffusion von Emittermaterial entlang Teilchengrenzen des Wolframs zur Kompensation nicht ausreicht, kann ein verhältnismäßig hoher Emittermaterialgehalt verwendet werden, so daß das Emittermaterial teilweise in einer Netzstruktur vorliegt und ein beschleunigter Transport zur Oberfläche auch über das Netz erfolgt.
- Zum Testen des Emittermaterials wurden mittels Pulvermetallurgie hergestellte gesinterte Elektroden verwendet. Das Pulvermaterial wurde mit verschiedenen Techniken hergestellt, beispielsweise mit dem Sol-Gel-Verfahren, Kugelmühlenbetrieb usw. Bei den Eigenschaften der erhaltenen Elektroden wurden wenig Unterschiede gefunden. Gesinterte Elektroden sind sehr gut geeignet für kleine Mengen an Material und kleine Elektrodenanzahlen. Bevorzugt wird jedoch die erfindungsgemäße Lampe mit Elektroden aus gezogenem Material, die durch Ziehen gesinterter Stäbe erbalten werden. Gezogenes Material wird durch Wolframkristalle gekennzeichnet, die eine viel größere Abmessung in der Längsrichtung des Drahtes oder Stabes haben als quer dazu.
- Das Wolfram der Elektroden kann die üblichen Verunreinigungen und Zusätze haben, die die Teilchengröße von Wolfram entscheidend beeinflussen, wie Kalium, Aluminium und Silicium bis zu insgesamt beispielsweise 0,01 Gew.-% des Wolfram.
- Je nach dem Typ der Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe können die Elektroden verschiedene Formen und Abmessungen haben. So kann eine Elektrode an oder nahe ihrem freien Ende eine Wicklung haben, beispielsweise aus Wolframdraht, beispielsweise aus dem Wolframmaterial, aus dem die Elektrode selbst hergestellt worden ist. Eine solche Wicklung kann verwendet werden, um im Lampenbetrieb für einen gewünschten Temperaturgradienten an der Elektrode zu sorgen oder zur Erleichterung des Statens. Auch können die Elektroden an ihren freien Enden beispielsweise kugelförmig oder halbkugelförmig sein.
- Die Elektroden können in dem Lampengefäß beispielsweise nebeneinander oder einander gegenüber angeordnet sein. Das Lampengefaß kann aus einem Glas mit hohem SiO&sub2;-Gehalt, beispielsweise Quarzglas, aber auch beispielsweise aus kristallinem Material wie beispielsweise polykristallinem Aluminiumoxid oder Saphir hergestellt sein. Das Lampengefaß kann, falls gewünscht, in einer geschlossenen Außenumhüllung untergebracht sein.
- Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Hochdruck-Metallhalogen- Entladungslampe ist in der Zeichnung in Seitenansicht dargestellt.
- In der Zeichnung ist die Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe mit einem lichtdurchlässigen Lampengefaß 1 versehen, in der Zeichnung aus Quarzglas, das vakuumdicht vrschlossen ist. Das Lampengefaß enthält eine ionisierbare Füllung mit Edelgas und Metallhalogen. Die Füllung der dargestellten Lampe umfaßt Quecksilber, Iodide von Natrium, Thallium, Holmium, Thulium und Dysprosium sowie 100 mbar Argon. Wolfram-Elektroden 2 sind in dem Lampengefaß angeordnet und mit Stromleitern 3, in der Figur aus Molybdän, verbunden, die durch das Lampengefäß nach außen treten. Die Elektroden sind mit einem oxidischen Elektronenemitter versehen. Die dargestellte Lampe hat eine Außenumhüllung 4 aus Quarzglas, die Sockel 5 trägt.
- Die Elektroden 2 haben, verteilt in der Masse, ein aus Hafniumoxid und Zirkoniumoxid gewähltes erstes Oxid und ein aus Yttriumoxid, Lanthanoxid, Scandiumoxid und Ceroxid gewähltes zweites Oxid und sind im wesentlichen frei von Thoriumoxid, wobei das zweite Oxid zu M Mol-% der Summe aus dem zweiten Oxid und dem ersten Oxid beiträgt, wobei M die in Tabelle 1 aufgelisteten Werte hat: Tabelle 1
- Die dargestellte Lampe nimmt eine Leistung von 75 W auf.
- Die Lampe wurde mit Elektroden hergestellt, die verschiedene erfindungsgemäße Emittermaterialien enthielten, und wurde mit Lampen verglichen, die andere Emittermaterialien enthielten, aber im übrigen identisch waren. Die Elektroden wurden hergestellt, indem Wolframpulver mit Pulver der betreffenden Oxide gemischt wurde. Die Mischung wurde verdichtet und gesintert, wodurch stabförmige Elektroden von 360 µm Dicke mit einer Dichte erhalten wurden, die einen hohen Prozentsatz, ungefähr 97%., der theoretischen Dichte darstellt. Für andere Lampentypen, wie Typen, die kein Seltenerdmetall und/oder Scandium in der Füllung enthalten, können jedoch auch Elektroden geringerer Dichte verwendet werden.
- Die Lampen wurden 1000 Stunden lang betrieben und ihre Elektrodentemperaturen gemessen, ebenso wie ihr Lichtstromfaktor (Lichtstromf.) Nach 100 Betriebsstunden wurden einzelne Lampen jedes Typs geöffnet und wurde die Dicke d der Elektrodenflächenschicht, in der sich kein Emittermaterial befand, gemessen.
- Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 aufgelistet. Tabelle 5
- * aus gezogenem Draht
- Aus Tabelle 5 wird deutlich, daß die Lampe mit ausschließlich Wolfram enthaltenden Elektroden eine hohe Elektrodentemperatur aufweist, während die Elektroden nur schwer emittieren und der Lichtstromfaktor niedrig ist. Die Lampe zeigt starke Schwärzung infolge Verdampfung und Abscheidung von Wolfram aufgrund der hohen Temperatur.
- Elektroden mit Yttriumoxid oder mit Hafniumoxid haben eine etwas niedrigere, aber immer noch verhältnismaßig hohe Temperatur, und führen zu einem vergleichsweise schlechten Lichtstromfaktor. Es tritt eine starke, im Fall von Hafniumoxid sehr starke Oxidverarmung an der Oberfläche auf. Die Oxide verdampfen und werden zu langsam aus der Elektrodenmasse ergänzt.
- Gesinterte Elektroden mit Thoriumoxid haben eine Temperatur, die mit der von Elektroden mit Hafniumoxid vergleichbar ist, aber einen besseren Lichtstromfaktor ergeben. Die Verarmungstiefe ist auch kleiner als bei den vorigen Lampen.
- Lampen mit Elektroden aus gezogenem Draht haben die niedrigste Elektrodentemperatur und einen hohen, und zwar den höchsten Lichtstromfaktor. Es gibt einen bemerkenswerten Unterschied zu Lampen mit gesinterten thorierten Wolframelektroden sowohl in bezug auf die Temperatur als auch in bezug auf den Lichtstromfaktor.
- Die erfindungsgemäße Lampe hat eine Elektrodentemperatur, die nur um 50º höher ist als die der vorigen Lampe, aber 100º niedriger als die der gesinterten thorierten Wolframelektrode. Der Lichtstromfaktor ist vergleichbar mit dem der Lampe mit gezogenen thorierten Elektroden, aber viel besser als der der Lampe mit gesinterten thorierten Elektroden. Die Verarmungstiefe ist daher sehr klein Die Verdampfung von Emittermaterial ist klein und wird nahezu aus der Masse kompensiert. Bemerkenswert sind die Unterschiede, sowohl in der Temperatur als auch in bezug auf die Verarmungstiefe sowie den Lichtstromfaktor, zwischen der erfindungsgemäßen Lampe und der Lampe, die nur das erste oder nur das zweite Oxid enthält. Dies macht die Synergiewirkung dieser Oxide deutlich.
- Es wurden andere Lampen hergestellt, die ein Edelgas, Quecksilber und eine Mischung aus Natriumiodid, Thalliumiodid und Indiumiodid als ionisierbare Füllung hatten. Diese Lampen hatten Elektroden, die aus den in Tabelle 6 genannten ausgewählt worden waren. Ihr Lichtstromfaktor und ihre Lichtausbeute nach 1000 Betriebsstunden werden ebenfalls in der genannten Tabelle dargestellt. Tabelle 6
- Aus Tabelle 6 wird deutlich, daß die Lampen mit thorierten Elektroden nur wenig besser sind als die Lampen mit Y&sub2;O&sub3;/HfO&sub2; als Emitter in den Elektroden La&sub2;hf&sub2;O&sub7; liefert sogar bessere Ergebnisse hinsichtlich sowohl Lichtstromfaktor als auch Lichtausbeute als Thoriumoxid.
Claims (6)
1. Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe mit einem vakuumdicht
verschlossenen, lichtdurchlässigen Lampengefäß (1), das eine ionisierbare Füllung mit
Edelgas und Metallhalogenid enthält, und in dem Wolfram-Entladungselektroden (2)
angeordnet sind, die mit Stromleitern (3) verbunden sind, die durch das Lampengefäß
nach außen treten, welche Elektroden mit einem Elektronenemitter versehen sind, wobei
der Elektronenemitter als oxidischer Elektronenemitter ausgebildet ist, dadurch
gekennzeichnet daß die Elektroden (2) wie der Elektronenemitter, verteilt in der Masse, im
wesentlichen nur ein aus Hafniumoxid und Zirkoniumoxid gewähltes erstes Oxid und
ein aus Yttriumoxid, Lanthanoxid, Scandiumoxid und Ceroxid gewähltes zweites Oxid
enthalten und im wesentlichen frei von Thoriumoxid sind, wobei das zweite Oxid zu M
Mol-% der Summe aus dem zweiten Oxid und dem ersten Oxid beiträgt, wobei M die
in Tabelle 1 aufgelisteten Werte hat:
Tabelle 1
2. Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß, a) bei Wahl von Yttriumoxid als zweites Oxid Yttriumoxid zu
M=30-50 Mol-% zur Summe aus dem zweiten und dem ersten Oxid beiträgt, b) bei
Wahl von Lanthanoxid als zweites Oxid oder von Ceroxid als zweites Oxid Lantanoxid
oder Ceroxid zu M= ungefahr 33 Mol-% zur Summe aus dem zweiten Oxid und dem
ersten Oxid beiträgt.
3. Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet. daß Hafniumoxid das erste Oxid ist.
4. Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe nach Anspruch 1, 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der oxidische Elektronenemitter zu bis zu 10 Gew.% der
Elektroden beiträgt.
5. Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet. daß die Lampe ein Metallhalogenid enthält, das aus der Gruppe mit
Scandiumhalogenid und Seltenerdhalogeniden gewählt ist, und der oxidische
Elektronenemitter zu bis zu 5 Gew.-% der Elektroden beiträgt.
6. Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet. daß der oxidische Elektronenemitter zu ungefähr 2 Gew.-% der
Elektroden beiträgt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE9301051A BE1007595A3 (nl) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | Hogedruk-metaalhalogenide-ontladingslamp. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69405183D1 DE69405183D1 (de) | 1997-10-02 |
| DE69405183T2 true DE69405183T2 (de) | 1998-02-26 |
Family
ID=3887399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69405183T Expired - Fee Related DE69405183T2 (de) | 1993-10-07 | 1994-10-03 | Hochdruck-Metallhalogen-Entladungslampe |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5530317A (de) |
| EP (1) | EP0647964B1 (de) |
| JP (1) | JPH07153421A (de) |
| KR (1) | KR950012517A (de) |
| CN (1) | CN1069440C (de) |
| BE (1) | BE1007595A3 (de) |
| DE (1) | DE69405183T2 (de) |
| ES (1) | ES2108932T3 (de) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19530293A1 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-20 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Hochdruckentladungslampe |
| WO1999033091A1 (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | High-pressure metal halide discharge lamp |
| JP2001266798A (ja) | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Nec Corp | 高圧放電灯 |
| JP2001319617A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Ushio Inc | 超高圧水銀ランプ |
| CN1235260C (zh) * | 2001-03-30 | 2006-01-04 | 松下电器产业株式会社 | 汽车前灯用金属卤化物灯 |
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| DE102012215184A1 (de) | 2012-08-27 | 2014-02-27 | Osram Gmbh | Hochdruckentladungslampe |
| CN104183457A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 陶瓷金卤灯电极 |
| CN104183462A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 陶瓷金卤灯电极及陶瓷金卤灯 |
| CN104183456A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 陶瓷金卤灯电极及陶瓷金卤灯 |
| CN104183461A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 陶瓷金卤灯电极及陶瓷金卤灯 |
| CN104183463A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 陶瓷金卤灯电极及陶瓷金卤灯 |
| CN104183460A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 陶瓷金卤灯电极及陶瓷金卤灯 |
| CN106206215B (zh) * | 2016-08-21 | 2018-03-09 | 北京工业大学 | 一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法 |
| CN108533992A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-09-14 | 绍兴文理学院 | 一种选择性辐射光源 |
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-
1993
- 1993-10-07 BE BE9301051A patent/BE1007595A3/nl not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-10-03 EP EP94202854A patent/EP0647964B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-03 ES ES94202854T patent/ES2108932T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-03 DE DE69405183T patent/DE69405183T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-06 KR KR1019940025512A patent/KR950012517A/ko not_active Ceased
- 1994-10-06 JP JP6242963A patent/JPH07153421A/ja not_active Ceased
- 1994-10-07 US US08/320,037 patent/US5530317A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-07 CN CN94117905A patent/CN1069440C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0647964B1 (de) | 1997-08-27 |
| CN1112285A (zh) | 1995-11-22 |
| DE69405183D1 (de) | 1997-10-02 |
| KR950012517A (ko) | 1995-05-16 |
| JPH07153421A (ja) | 1995-06-16 |
| ES2108932T3 (es) | 1998-01-01 |
| BE1007595A3 (nl) | 1995-08-16 |
| US5530317A (en) | 1996-06-25 |
| CN1069440C (zh) | 2001-08-08 |
| EP0647964A1 (de) | 1995-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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