DE4109979A1 - Beschichtete teilchen aus anorganischen oder metallischen materialien und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Beschichtete teilchen aus anorganischen oder metallischen materialien und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft beschichtete Teilchen aus anorganischen
oder metallischen Materialien, insbesondere solche, die auf
ihrer Oberfläche mit Ultrafeinteilen aus anorganischen oder
metallischen Materialien beschichtet sind. Sie betrifft ferner
Verfahren zur Herstellung der beschichteten Teilchen. Die er
findungsgemäßen beschichteten Teilchen sind brauchbar für die
Herstellung von Sinterprodukten.
Sinterprodukte aus anorganischen oder metallischen Pulvern
(Metallpulvern) wurden bisher als elektrische Isoliermateria
lien, beispielsweise als Halbleitersubstrate, gedruckte Schal
tungen, elektrische Isolierteile; maschinelle Bearbeitungsma
terialien hoher Härte und hoher Präzision, wie z. B.
Schneidwerkzeuge, Zieheisen (dies), Lager; funktionelle
Materialien, wie z. B. Korngrenzen-Kondensatoren, Feuchtig
keitssensoren; und Präzisions-Sinterformmaterialien verwendet.
Wenn anorganische oder metallische Pulver gesintert werden zur
Herstellung eines Sinterprodukts, ist es bisher häufig üblich,
ein Sinteradditiv den Pulvern zuzusetzen, um die Sintertempe
ratur herabzusetzen und/oder die physikalischen Eigenschaften
der Sinterprodukte zu verbessern.
In der japanischen Patentanmeldung Nr. 68 037/1988 (Patent Ko
kai H 1-2 42 469) wurde vorgeschlagen, Ultrafeinteile aus Yttri
umoxid als Sinteradditiv Aluminiumnitrid-Pulvern zuzusetzen,
um die Reaktionsfähigkeit zwischen den Pulvern und dem Additiv
zu erhöhen, um dadurch verbesserte Sintereigenschaften und
verbesserte physikalische Eigenschaften des Sinterprodukts zu
erzielen. Dieses Verfahren wird in der Weise durchgeführt, daß
die beiden Komponenten, d. h. die anorganischen Sinterpulver
und die Ultrafeinteile des Sinteradditivs, die getrennt herge
stellt werden, miteinander gemischt werden. Dabei ist es er
forderlich, die beiden zu sinternden Komponenten homogen mit
einander zu mischen. In diesem Falle haben die Ultrafeinteile
des Additivs eine erhöhte Neigung zu agglomerieren. Der Misch
vorgang muß sehr sorgfältig durchgeführt werden bei gleichzei
tiger Aufrechterhaltung der beiden Komponenten in einem hoch
dispergierten Zustand. Das bekannte Verfahren ist somit nicht
zufriedenstellend für die Herstellung eines Sinterprodukts.
Es wurden nun weitere Untersuchungen in bezug auf diesen Stand
der Technik durchgeführt und dabei wurde gefunden, daß dann,
wenn das Sinterhilfsmittel in Form von Ultrafeinteilen auf der
Oberfläche des Sinterpulvers abgeschieden werden kann unter
Bildung eines integralen Körpers, die Nachteile der bekannten
Verfahren beseitigt werden können unter Erzielung einer ver
einfachten Handhabung der Pulvermaterialien und einer verein
fachten Herstellung eines Sinterpreßlings mit erhöhter Homo
genität und hoher Qualität.
Gemäß ihrem Hauptaspekt betrifft die vorliegende Erfindung ein
Teilchen aus einem anorganischen oder metallischen Material,
das auf seiner Oberfläche mit Ultrafeinteilen aus einem anor
ganischen oder metallischen Material beschichtet ist.
Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die vorliegende Erfindung
ein Verfahren zur Herstellung eines Teilchens aus einem anor
ganischen oder metallischen Material, das auf seiner Oberflä
che mit Ultrafeinteilen aus einem anorganischen oder metalli
schen Material beschichtet ist, das die folgenden Stufen um
faßt:
Einführung der zu beschichtenden Teilchen aus dem anorgani schen oder metallischen Material in einen Strom, der die Ul trafeinteile aus dem anorganischen oder metallischen Material, gebildet in einer Gasphase, trägt und Inkontaktbringen dieser zu beschichtenden Teilchen mit den Ul trafeinteilen in einem fluidisierten Zustand.
Einführung der zu beschichtenden Teilchen aus dem anorgani schen oder metallischen Material in einen Strom, der die Ul trafeinteile aus dem anorganischen oder metallischen Material, gebildet in einer Gasphase, trägt und Inkontaktbringen dieser zu beschichtenden Teilchen mit den Ul trafeinteilen in einem fluidisierten Zustand.
Zur Vereinfachung der Erläuterung wird das zu beschichtende
anorganische oder metallische Material nachstehend als
"Kernmaterial" bezeichnet. Andererseits wird das zum
Beschichten des Kernmaterials verwendete anorganische oder me
tallische Material nachstehend als "Beschichtungsmaterial" be
zeichnet. Unter dem hier verwendeten Ausdruck "Ultrafeinteile"
ist ein Pulver zu verstehen, das aus Teilchen besteht, die
kleiner sind als 0,5 µm, in der Regel 0,1 µm.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die bei
liegende Zeichnung näher erläutert.
Die Fig. 1 erläutert in Form einer schematischen Darstellung
ein Beispiel für die für die praktische Durchführung der Er
findung verwendete Vorrichtung.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform kann das beschichtete
Teilchen aus anorganischen oder metallischen Materialien her
gestellt werden durch Einführen des Teilchens aus einem Kern
material in einem monodispersen Zustand in einen Strom, der
die Ultrafeinteile aus einem Beschichtungsmaterial trägt, die
in einer Gasphase erzeugt worden sind unter Anwendung eines
chemischen Dampfabscheidungs (CVD)-Verfahrens oder eines phy
sikalischen Dampfabscheidungs (PVD) -Verfahrens, wie z. B. eines
Radiofrequenz-Plasma-Verfahrens (RF) und eines Laserverfah
rens, und durch Inkontaktbringen dieser Ultrafeinteile aus dem
Beschichtungsmaterial mit den Teilchen aus dem Kernmaterial in
einem fluidisierten Zustand, um die Ultrafeinteile auf der
Oberfläche des Kernmaterials fest haftend abzuscheiden. Die
auf diese Weise hergestellten erfindungsgemäßen beschichteten
Teilchen stellen neue Pulvermaterialien für die Herstellung
eines Sinterprodukts dar.
Die Kernmaterialien bestehen aus den anorganischen oder metal
lischen Materialien, die alle anorganischen Materialien umfas
sen, die als feuerfeste (schwerschmelzbare) oder Keramikmate
rialien bekannt sind, wie z. B. Oxide, wie Al2O3, ZrO2, SiO2,
BeO, MgO, CaO; Nitride, wie Si3N4, AlN, BN; Carbide, wie SiC,
WC; Boride, wie BP, BN; Ton und Mineralien, wie Kaolin, Mont
morillonit, Bentonit, Vermiculit; magnetische Materialien
einschließlich der verschiedenen Ferrite; einfache Substanzen,
wie Diamant, Graphit; Metalle, wie Si, Ni, Co, W, Ti, Al, Cu,
Fe und andere; intermetallische Verbindungen und Legierungen,
wie z. B. eine Fe-Ni-Si-Legierung, Fe-Cr-Al-Legierung, Fe-Cr-
Mo-Legierung, Fe-Ni-Cr-Legierung, Ni-Cr-Legierung und andere
und Verbundmaterialien davon.
Die Teilchen aus den Kernmaterialien haben in der Regel eine
durchschnittliche Teilchengröße in dem Bereich von 0,1 bis 100 µm,
vorzugsweise von 1 bis 10 µm.
Die Beschichtungsmaterialien bestehen aus anorganischen oder
metallischen Materialien, die umfassen alle anorganischen Ma
terialien, wie z. B. Oxide, wie Al2O3, SiO2, ZrO2, Y2O3, CaO;
Nitride, wie Si3N4, AlN, BN; Carbide, wie SiC, WC; Boride, wie
BP, BN; Metalle, wie Si, Al, Ni, Co, Cu, Fe, Ti, W; einfache
nicht-metallische Substanzen, wie C, B und andere; intermetal
lische Verbindungen und Legierungen, wie z. B. eine Fe-Ni-Si-
Legierung, Fe-Cr-Al-Legierung, Fe-Cr-Mo-Legierung, Fe-Ni-Cr-
Legierung, Ni-Cr-Legierung und andere; und Verbundmaterialien
davon. Die Beschichtungsmaterialien können die gleichen sein
wie die obengenannten Kernmaterialien oder sie können davon
verschieden sein, je nach den gewünschten Eigenschaften und
Funktionen der beschichteten Teilchen.
Die Ultrafeinteile aus den Beschichtungsmaterialien haben eine
durchschnittliche Teilchengröße in dem Bereich von 0,005 bis
0,5 µm.
Die Ultrafeinteile aus den anorganischen oder metallischen Ma
terialien, die als Beschichtungsmaterial verwendet werden,
können nach bekannten Verfahren hergestellt werden, wie sie
beispielsweise von David W. Johnson Jr. in "Ceramic Bulletin",
Band 60, Nr. 2 (1981), Seiten 221-224, beschrieben sind. Diese
Verfahren umfassen physikalische Methoden, wie z. B. das Licht
bogenentladungs-Plasmastrahlverfahren, das Lichtbogen-Auf
lösungsverfahren, das Hochfrequenz-Plasmaverfahren, das Gas
verdampfungs-Verfahren, oder chemische Methoden, wie z. B. die
Reduktion oder Oxidation von Dämpfen aus anorganischen oder
metallischen Materialien oder die thermische Zersetzung von
Kohlenwasserstoffen oder ihren Derivaten.
Bei der praktischen Durchführung der Erfindung werden die Ul
trafeinteile aus dem Beschichtungsmaterial auf irgendeine ge
eignete Weise in einen Gasstrom, der die Ultrafeinteile aus
dem Beschichtungsmaterial enthält, eingeführt, beispielsweise
in Form eines Dispersants in einer Gasphase, die von einem
Trägergas getragen wird, und die Ultrafeinteile werden mit den
Teilchen aus dem Kernmaterial in einem fluidisierten Zustand
in Kontakt gebracht. In diesem Falle liegen die Ultrafeinteile
so vor, wie sie nach der physikalischen oder chemischen Me
thode hergestellt worden sind, und sie liegen in einem naszie
renden Zustand, d. h. in einem aktivierten Zustand, der ein
freies Radikal enthält, vor. Wenn die Ultrafeinteile mit den
Teilchen aus dem Kernmaterial in Kontakt kommen, werden die
Ultrafeinteile kovalent an die Teilchen gebunden, wodurch
beide Teilchen chemisch fest miteinander verbunden werden.
Der Kontakt zwischen den Ultrafeinteilen und den Teilchen aus
dem Kernmaterial kann erforderlichenfalls wiederholt werden,
so daß der Mengenanteil der Ultrafeinteile, die in Form eines
Überzugs auf die Oberfläche des Kernmaterials aufgebracht wer
den, auf jedes gewünschte Niveau eingestellt werden kann. Au
ßerdem kann der Kontakt unter Verwendung unterschiedlicher Ar
ten des Beschichtungsmaterials, d. h. der Ultrafeinteile aus
anorganischen oder metallischen Materialien, wiederholt wer
den, so daß die Materialien aus mehreren Komponenten mehrfach
beschichtet werden können.
Das Mengenverhältnis zwischen den Ultrafeinteilen aus dem Be
schichtungsmaterial und den Teilchen aus dem Kernmaterial kann
über einen breiten Bereich variieren in Abhängigkeit von den
gewünschten Eigenschaften und der Funktion der resultierenden
beschichteten Teilchen. So können beispielsweise die Ultra
feinteile in einer Menge innerhalb des Bereiches von 0,01 bis
60 Gew.-%, bezogen auf die Teilchen aus dem Kernmaterial, vor
liegen.
Die erfindungsgemäßen beschichteten Teilchen umfassen Si3N4-
Teilchen, die mit Y2O3-Ultrafeinteilen beschichtet sind; AlN-
Teilchen, die mit Y2O3-Ultrafeinteilen beschichtet sind;
Si3N4-Teilchen die mit Y2O3-Ultrafeinteilen beschichtet sind;
Si3N4-Teilchen, die mit Y2O3- und Al2O3-Ultrafeinteilen be
schichtet sind, Diamantteilchen, die mit Co-Ultrafeinteilen
beschichtet sind; Diamantteilchen, die mit Kohlenstoff-Ultra
feinteilen, wie sie bei der thermischen Zersetzung von Methan
gas erhalten werden, beschichtet sind; Diamantteilchen, die
mit Titan-Ultrafeinteilen, wie sie bei der Reduktion von Ti
tanchlorid erhalten werden, beschichtet sind; und Diamantteil
chen, die mit Ti-Ultrafeinteilen und Ti-Cu-Legierungs-Ultra
feinteilen, die aus Titan- und Kupferpulvern erhalten werden,
beschichtet sind.
Die erfindungsgemäßen beschichteten Teilchen können als Aus
gangsmaterial zur Herstellung eines Sinterprodukts entweder in
Form der beschichteten Teilchen allein oder zusammen mit den
in dem Beschichtungsverfahren zurückbleibenden Ultrafeinteilen
verwendet werden.
Insbesondere die Vorteile der beschichteten Teilchen, in denen
die Ultrafeinteile aus den anorganischen oder metallischen Ma
terialien an die Oberfläche der Teilchen aus den anorgani
schen oder metallischen Materialien chemisch fest gebunden
sind, können erzielt werden, wenn sie als Ausgangsmaterial für
den Sinterpreßling verwendet werden. Das heißt, in einem
Sinterverfahren, in dem die erfindungsgemäßen beschichteten
Teilchen verwendet werden, können die Vorteile einer verkürz
ten Sinterung des Sinterpreßlings (d. h. einer kürzeren Sinter
zeit und einer verminderten Sintertemperatur) und einer ver
minderten Menge an Sinteradditiv, einer erhöhten Festigkeit
des Sinterpreßlings oder dgl. im Vergleich zu dem bekannten
Sinterverfahren, in dem ein Gemisch aus einem
Ausgangspulvermaterial und einem Sinteradditiv verwendet wird,
erzielt werden.
Die Erfindung wird in den folgenden Beispielen näher erläu
tert.
Yttriumoxid (Y2O3)-Pulver mit einer durchschnittlichen Teil
chengröße von 0,5 µm (Beschichtungsmaterial) wurden in ein
Hochtemperatur-Plasma, hergestellt durch Radiofrequenz-Erhit
zen eines 1 : 4-Gasgemisches aus Argon und Stickstoff zur Erzeu
gung eines Gasstromes, der ein Y2O3-Ausgangspulver trug, ein
geführt. In den Gasstrom wurden eingeführt Teilchen aus Sili
ciumnitrid (Si3N4) mit einer durchschnittlichen Teilchengröße
von 0,5 µm (Kernmaterial) als Dispersant in einem Argon
trägergas zur Erzeugung von beschichteten Teilchen, in denen
Si3N4-Teilchen auf der Oberfläche mit Y2O3-Ultrafeinteilen be
schichtet waren.
Eine zur Durchführung des obigen Verfahrens verwendete Vor
richtung ist in der Fig. 1 dargestellt.
Diese Vorrichtung umfaßt einen Plasmabrenner 1, ein doppelwan
diges Quarzrohr 2, ein doppelwandiges Kühlrohr 3, eine Kammer
4, eine Beschickungseinrichtung 5 für ein Ausgangspulver aus
dem Beschichtungsmaterial, eine Beschickungseinrichtung 6 für
Teilchen aus dem Kernmaterial und einen Produktsammelabschnitt
7.
Der Plasmabrenner 1 umfaßt ein Quarzrohr 8 mit einem Innen
durchmesser von 44 mm und einer Länge von 150 mm. Das Quarz
rohr 8 ist umgeben von einer Hochfrequenz-Oszillationsspule 9,
die ihrerseits von einer äußeren Kühlhülse 10 umschlossen ist.
Die Oberseite des Plasmabrenners weist drei Gasauslaßöff
nungen, eine tangentiale Auslaßöffnung 11, eine axiale Auslaß
öffnung 12 und eine radiale Auslaßöffnung 13, auf. In diese
Auslaßöffnungen dienen der Aufnahme eines Gasgemisches aus Ar
gon und Stickstoff aus den jeweiligen Gasquellen 14, 15 und 16
in einer Rate von 5 bzw. 20 l/min. Das aus den Auslaßöffnungen
ausgetragene Gas wird mittels einer angelegten Hochfrequenze
nergiequelle in ein Plasma überführt unter Bildung einer
Plasmaflamme innerhalb des Plasmabrenners 1.
Der Plasmabrenner 1 umfaßt an seinem Boden auch eine Öffnung
17 zur Einführung des Ausgangspulvers aus dem
Beschichtungsmaterial. Die durch die Beschickungseinrichtung 5
zugeführten Yttriumoxid-Ausgangspulver werden in einer Rate
von 60 g/h in die Plasmaflamme eingeführt, während sie von dem
Argon-Trägergas 18, das in einer Rate von 10 l/min zugeführt
wird, getragen werden.
Das doppelwandige Quarzrohr 2 umfaßt ein inneres Quarzrohr 19
mit einem Innendurchmesser von 120 mm und einer Länge von 200 mm
und ein äußeres Kühlrohr 20. Das doppelwandige Kühlrohr 3
umfaßt ein inneres Rohr 21 mit einem Innendurchmesser von 120 mm
und einer Länge von 100 mm und ein äußeres Kühlrohr 22.
Die Kammer 4 umfaßt ein inneres Rohr 23 mit einem Innendurch
messer von 440 mm und einer Länge von 1800 mm und ein äußeres
Kühlrohr 24.
Das doppelwandige Kühlrohr 3 umfaßt eine Öffnung 25 zur Ein
führung der Teilchen aus dem Kernmaterial in der Mitte zwi
schen dem oberen und unteren Ende, durch welche Teilchen aus
Siliciumnitrid aus der Beschickungseinrichtung 6 in einer Rate
von 120 g/h in die Kammer eingeführt werden, während sie von
einem Argon-Trägergas 26, das in einer Rate von 10 l/min zuge
führt wird, getragen werden.
Auf diese Weise werden die Siliciumnitrid-Teilchen mit den
Yttriumoxid-Ultrafeinteilen innerhalb des doppelwandigen Kühl
rohrs 3 und der Kammer 4 in einem fluidisierten Zustand in
Kontakt gebracht, wodurch die Siliciumnitrid-Teilchen auf
ihrer Oberfläche mit Yttriumoxid-Ultrafeinteilen beschichtet
werden.
Die so hergestellten beschichteten Teilchen werden mittels der
Pumpe 28 durch den Produktsammelabschnitt 7, der einen Cellu
lose- und Keramikfilter 27 aufweist, aus der Vorrichtung ent
nommen.
Jedes der erhaltenen Siliciumnitrid-Teilchen (0,1 bis mehrere
µm) war mit Y2O3-Ultrafeinteilen (0,01 bis 0,05 µm, überwie
gend 0,02 µm) gleichmäßig beschichtet. Die Menge an aufge
brachtem Y2O3 wurde zu 30 Gew.-% analysiert. Wenn die be
schichteten Teilchen in Ethanol mit Ultraschall dispergiert
und durch Sedimentation getrennt wurden, wurde festgestellt,
daß sich die Y2O3-Ultrafeinteile von den beschichteten Si3N4-
Teilchen nicht trennten, was zeigt, daß der Überzug aus den
Ultrafeinteilen an den Si3N4-Teilchen fest haftete. Es wurde
gefunden, daß die erfindungsgemäßen beschichteten Si3N4-Teil
chen eine gute Fließfähigkeit ohne jede Agglomeration aufwie
sen, während ein bloßes Gemisch aus Y2O3-Ultrafeinteilen und
Si3N4-Teilchen eine schlechte Fließfähigkeit aufwies. Außerdem
wiesen die erfindungsgemäßen beschichteten Teilchen eine gute
Preßbarkeit (Formbarkeit) auf und konnten leicht in dem Sin
terverfahren zu Preßlingen geformt werden.
Unter Verwendung der gleichen Vorrichtung wie in Beispiel 1
wurden Diamantteilchen mit Kobalt-Ultrafeinteilen beschichtet.
Argon, Stickstoff und Wasserstoff wurden in einer Rate von 5,
20 bzw. 5 l/min in den Plasmabrenner eingeführt zur Erzeugung
einer Plasmaflamme. In die Plasmaflamme wurde Kobalt in einer
Rate von 60 g/h eingeführt, während es von einem Argon-Träger
gas, das in einer Rate von 10 l/min zugeführt wurde, getragen
wurde, wodurch Kobalt-Ultrafeinteile gebildet wurden.
Anschließend wurden Diamantteilchen mit einer durchschnittli
chen Teilchengröße von 1 µm in einer Rate von 60 bis 120 g/h
eingeführt, während sie von einem Argon-Trägergas, das mit ei
ner Rate von 10 l/min zugeführt wurden, getragen wurde, und
die Diamant-Teilchen wurden mit den Kobalt-Ultrafeinteilen in
einem fluidisierten Zustand in Kontakt gebracht.
Die bei dem obengenannten Verfahren gebildeten Kobalt-Ultra
feinteile wiesen eine einheitliche Teilchengröße von etwa 0,02 µm
auf und wurden im wesentlichen einheitlich auf die gesamte
Oberfläche der Diamant-Teilchen aufgebracht. Die Kobalt-Be
schichtungsmenge wurde zu 20 bis 50 Gew.-% analysiert.
Es wurde der gleiche Trennungstest wie in Beispiel 1 durchge
führt, der zeigte, daß die Ultrafeinteile an den Diamant-Teil
chen fest hafteten. Die beschichteten Diamant-Teilchen waren
weniger agglomeriert bei steigender Fließfähigkeit. Auf diese
Weise waren sie leichter handhabbar bei einer verbesserten
Sinterbarkeit.
Diamant-Teilchen wurden mit Kohlenstoff-Ultrafeinteilen unter
Verwendung der gleichen Vorrichtung wie in Beispiel 1 be
schichtet, wobei diesmal jedoch die Beschickungseinrichtung
für ein Ausgangspulver aus dem Beschichtungs-Material durch
ein Methangas ersetzt wurde.
In die auf der Oberseite des Plasmabrenners 1 vorgesehenen
Gaseinlaßöffnungen (11, 12, 13) wurde Argon in einer Rate von
20 l/min aus den Gasbeschickungsquellen (14, 15, 16) einge
führt. Das aus den Gasöffnungen ausgetragene Gas wurde mittels
einer angelegten Hochfrequenz-Energiequelle in ein Plasma
überführt unter Bildung einer Plasmaflamme in dem Plasmabren
ner.
Es wurde Methan (CH4) durch die Beschickungsöffnung 17 in ei
ner Rate von 0,5 l/min in die Plasmaflamme eingeführt.
Es wurden Diamant-Teilchen (Teilchengröße 40 bis 60 µm), die
aus der Beschickungseinrichtung 6 zugeführt wurden, durch die
Öffnung 25 in die Plasmaflamme in einer Rate von 60 g/h einge
führt, während sie von einem Argon-Trägergas 26, das in einer
Rate von 10 l/min zugeführt wurde, getragen wurden.
Auf diese Weise wurden die Diamant-Teilchen mit den Kohlen
stoff-Ultrafeinteilen in einem fluidisierten Zustand innerhalb
des doppelwandigen Kühlrohres 3 und der Kammer 4 in Kontakt
gebracht, wodurch die Diamant-Teilchen auf ihrer Oberfläche
mit den Kohlenstoff-Ultrafeinteilen beschichtet wurden.
Die beschichteten Diamant-Teilchen wurden aus dem Produktsam
melabschnitt 7 entnommen.
Jedes der in dem obengenannten Verfahren erhaltenen Diamant-
Teilchen (40 bis 60 µm) war mit den Kohlenstoff-Ultrafeintei
len (0,01 bis 0,05 µm, überwiegend 0,02 µm) gleichmäßig be
schichtet. Die Menge an Kohlenstoff-Beschichtung wurde zu 4
Gew.-% analysiert. Wenn die beschichteten Teilchen in Ethanol
mit Ultraschall dispergiert und durch Sedimentation getrennt
wurden, wurde gefunden, daß die Kohlenstoff-Ultrafeinteile
sich von den beschichteten Diamant-Teilchen nicht trennten,
was zeigt, daß der Überzug aus den Ultrafeinteilen an den Dia
mant-Teilchen fest haftete. Die erfindungsgemäßen beschichte
ten Diamant-Teilchen wiesen, wie gefunden wurde, eine gute
Fließfähigkeit ohne jede Agglomeration auf, während ein bloßes
Gemisch aus Kohlenstoff-Ultrafeinteilen und Diamant-Teilchen
bei der Trennung der Teilchen voneinander nicht homogen war.
Außerdem wiesen die erfindungsgemäßen beschichteten Teilchen
eine gute Preßbarkeit (Formbarkeit) auf und konnten in dem
Sinterverfahren leicht zu Preßlingen geformt werden.
Unter Verwendung der gleichen Vorrichtung wie in Beispiel 1
wurden Diamant-Teilchen mit Titan-Ultrafeinteilen beschichtet.
Argon und Wasserstoff wurden in einer Rate von 20 bzw. 5 l/min
in den Plasmabrenner eingeführt unter Bildung einer
Plasmaflammme. Titanchlorid wurde in einer Rate von 60 g/h in
die Plasmaflamme eingeführt, während es von einem Argon-Trä
gergas, das mit einer Rate von 10 l/min eingeführt wurde, ge
tragen wurde, wodurch Titan-Ultrafeinteile gebildet wurden.
Anschließend wurden Diamant-Teilchen (Teilchengröße 40 bis 60 µm)
in einer Rate von 60 bis 120 g/h eingeführt, während sie
von einem Argon-Trägergas, das mit einer Rate von 10 l/min zu
geführt wurde, getragen wurden, und die Diamant-Teilchen wur
den mit den Titan-Ultrafeinteilen in einem fluidisierten Zu
stand in Kontakt gebracht.
Die in dem obengenannten Verfahren erhaltenen Diamant-Teilchen
(40 bis 60 µm) waren mit Titan-Ultrafeinteilen (0,01 bis 0,05 µm,
überwiegend 0,02 µm) gleichmäßig beschichtet. Die Titan-
Beschichtungsmenge wurde zu 13 Gew.-% analysiert. Wenn die be
schichteten Teilchen in Ethanol mit Ultraschall dispergiert
und durch Sedimentation getrennt wurden, wurde gefunden, daß
die Titan-Ultrafeinteile sich von den beschichteten Diamant-
Teilchen nicht trennten, was zeigt, daß der Überzug aus den
Ultrafeinteilen an den Diamant-Teilchen fest haftete. Die er
findungsgemäßen beschichteten Diamant-Teilchen wiesen, wie ge
funden wurde, eine gute Fließfähigkeit ohne jede Agglomeration
auf, während ein bloßes Gemisch aus Titan-Ultrafeinteilen und
Diamant-Teilchen eine schlechte Fließfähigkeit aufwies. Außer
dem wiesen die erfindungsgemäßen beschichteten Teilchen eine
gute Preßbarkeit (Formbarkeit) auf und konnten in dem Sinter
verfahren leicht zu Preßlingen geformt werden.
Claims (12)
1. Teilchen aus einem anorganischen oder metallischen Mate
rial, dadurch gekennzeichnet, daß es auf seiner Oberfläche be
schichtet ist mit Ultrafeinteilen aus einem anorganischen oder
metallischen Material.
2. Teilchen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
zu beschichtende Teilchen aus dem gleichen Material wie die
Ultrafeinteile zum Beschichten besteht.
3. Teilchen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
zu beschichtende Teilchen aus einem anderen Material als die
Ultrafeinteile zum Beschichten besteht.
4. Teilchen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß das zu beschichtende Teilchen eine durch
schnittliche Teilchengröße von 0,1 bis 100 µm hat.
5. Teilchen nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Ultrafeinteile zum Beschichten eine
durchschnittliche Teilchengröße von 0,005 bis 0,5 µm haben.
6. Verfahren zur Herstellung eines Teilchens aus einem anor
ganischen oder metallischen Material, das auf seiner Oberflä
che mit Ultrafeinteilen aus einem anorganischen oder metalli
schen Material beschichtet ist, dadurch gekennzeichnet, daß es
die folgenden Stufen umfaßt:
Einführen der zu beschichtenden Teilchen aus dem anorganischen oder metallischen Material in einen Strom, der die Ultrafein teile aus dem anorganischen oder metallischen Material, gebil det in einer Gasphase, trägt, und
Inkontaktbringen dieser zu beschichtenden Teilchen mit den Ul trafeinteilen in einem fluidisierten Zustand.
Einführen der zu beschichtenden Teilchen aus dem anorganischen oder metallischen Material in einen Strom, der die Ultrafein teile aus dem anorganischen oder metallischen Material, gebil det in einer Gasphase, trägt, und
Inkontaktbringen dieser zu beschichtenden Teilchen mit den Ul trafeinteilen in einem fluidisierten Zustand.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Strom durch Anwendung eines CVD- oder PVD-Verfahrens er
zeugt worden ist.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Strom durch Anwendung eines RF-Plasmaverfahrens erzeugt
worden ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch ge
kennzeichnet, daß das zu beschichtende Teilchen aus dem glei
chen Material wie die Ultrafeinteile zum Beschichten besteht.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch ge
kennzeichnet, daß das zu beschichtende Teilchen aus einem an
deren Material als die Ultrafeinteile zum Beschichten besteht.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß das zu beschichtende Teilchen eine durch
schnittliche Teilchengröße von 0,1 bis 100 µm hat.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Ultrafeinteile zum Beschichten eine
durchschnittliche Teilchengröße von 0,005 bis 0,5 µm haben.
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