DE3927083A1 - Sinterkoerper aus siliziumnitrid und seine herstellung - Google Patents
Sinterkoerper aus siliziumnitrid und seine herstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Keramikkörper und insbesondere,
jedoch nicht ausschließlich, einen Sinterkörper aus Sili
ziumnitrid mit hoher Dichte, Zähigkeit und Festigkeit
sowie seine Herstellung. Dieser Keramikkörper ist geeignet
zum Gebrauch für Teile von Brennkraftmaschinen eines
Automobils (z. B. einen Keramikrotor oder ein Keramik
ventil) oder zum Gebrauch als Verschleißteil (z.B. Kugel
lager).
Siliziumnitrid (Si3N4)-Keramikteile haben Aufmerksamkeit
erfahren beim Gebrauch als strukturelle oder Verschleiß
teile in Vorrichtungen, die bei hohen Temperaturen be
trieben werden (z.B. eine Hochtemperatur-Gasturbine,
ein Dieselmotor und ein MHD-Generator), weil sie eine
ziemlich hohe Festigkeit selbst bei hohen Temperaturen,
eine hohe chemische Stabilität und einen hohen Widerstand
gegen thermische Schocks aufweisen.
Siliziumnitrid-Keramikteile bzw. -Keramiken sind dicht
gesinterte Körper, die im allgemeinen durch Zusätze (z.B.
Y2O3, Al2O3 oder MgO) zu pulverförmigem Si3N4 hergestellt
werden, wobei dann die Mischung gesintert wird, weil
es sehr schwierig ist, pulverförmiges Si3N4 selbst zu
sintern. Wenn Y2O3 oder MgO als Sinteradditive verwendet
werden, wird ein Sinterkörper erhalten, bei dem Si3N4-Teil
chen als laminare (säulenförmige) Kristalle mit hohem
Streckungsverhältnis ausgebildet sind. Ein dichter Sinter
körper, der aus laminaren, ineinander verwobenen Kristallen
besteht, hat im allgemeinen einen ziemlich hohen Grad
an Festigkeit und Zähigkeit. Ein Beispiel eines solchen
Siliziumnitrid-Keramikkörpers ist in der veröffentlichten,
ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. S 60-1 37 873
offenbart.
Siliziumnitrid-Keramikkörper weisen jedoch ein allgemeines
Problem auf: Sie besitzen keine ausreichende Festigkeit
und Zähigkeit, um als strukturelle Teile verwendet zu
werden, und ihre Härte könnte ebenfalls verbessert werden.
Eine Aufgabe dieser Erfindung besteht in der Schaffung
eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid mit hoher Dichte,
Festigkeit, Zähigkeit und Härte.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein
einfaches und effizientes Verfahren zur Herstellung eines
Sinterkörpers aus Siliziumnitrid aufzuzeigen.
Diese und andere damit in Zusammenhang stehende Aufgaben
werden durch einen Sinterkörper aus Siliziumnitrid gelöst,
der 80-94 Gew.-% Si3N4, 2-10 Gew.-% einer Magnesiumver
bindung, errechnet in MgO-Äquivalenten, und 2-10 Gew.-%
einer Y-Verbindung, errechnet in Y2O3-Äquivalenten, auf
weist. Das Si3N4 weist einen α-Phasen-Anteil von 5-40%
auf.
Diese Aufgaben werden ebenfalls durch ein Herstellungs
verfahren für einen Sinterkörper aus Siliziumnitrid ge
löst, der die folgenden Verfahrensschritte aufweist:
- a) Mischen von 80-94 Gew.-% pulverförmigem Si3N4 mit 2-10 Gew.-% einer Mg-Verbindung, errechnet in MgO- Aquivalenten, und 2-10 Gew.-% einer Y-Verbindung, errechnet in Y2O3-Äquivalenten, und dann Formen der Mischung (das Si3N4-Pulver enthält 80% oder mehr Anteile von Si3N4 der α-Phase in Körnungen von 1 µm Durchmesser oder weniger im Durchschnitt);
- b) Durchführen einer primären Sinterung des im Schritt a) geformten Gegenstands bei 1600°C oder weniger in einer Stickstoff- oder Inertgas-Atmosphäre von 20 atm oder weniger und
- c) Durchführen einer sekundären Sinterung des im Schritt b) geformten Gegenstands bei 1400-1600°C in einer Stickstoff- oder Inertgas-Atmosphäre bei 300 atm oder mehr.
Der so hergestellte Sinterkörper hat ausgezeichnete Eigen
schaften: hohe Dichte, Festigkeit, Zähigkeit und Härte.
Während der Sinterung wird Siliziumnitrid von der α-Phase
in die b-Phase übergeführt, das heißt, von körnigen (gra
nulierten) Teilchen zu laminaren (säulenartigen) mit
großem Streckungsverhältnis. Bei der vorliegenden Erfin
dung enthält das als Rohmaterial verwendete Silizium
nitrid einen größeren Anteil der α-Phase gegenüber der
β-Phase, jedoch wird die Temperatur bei der Sinterung
so gesteuert, daß der Anteil der α-Phase zwischen 5 und
40% gehalten wird, vorzugsweise zwischen 5 und 30%
des gesamten Siliziumnitrids. Der Sinterkörper des Silizium
nitrids ist daher eine Mischung aus körnigen Teilchen
der α-Phase und laminaren Teilchen der β-Phase. Jedes
Teilchen der β-Phase ist sehr fein, da ein Teilchenwachs
tum während des Sinterns unterhalb 1600°C kaum eintreten
wird. Der durch dieses Verfahren erhaltene Sinterkörper
wird auf Grund der feinen Teilchen der β-Phase sehr dicht
und fest, und der Sinterkörper bleibt wegen einiger ver
bleibender Teilchen der α-Phase hart. Wenn weniger als
5% des Sinterkörpers aus Siliziumnitrid der α-Phase
besteht, sinkt die Härte ab. Wenn jedoch andererseits
mehr als 40% des Sinterkörpers aus Teilchen der α-Phase
besteht, sinkt sowohl die Zähigkeit als auch die Festig
keit mit der Abnahme der laminaren Teilchen der β-Phase
ab.
Der Sinterkörper gemäß dem Ausführungsbeispiel der Er
findung enthält Si3N4, eine Mg-Verbindung (z.B. MgO)
und eine Y-Verbindung (z.B. Y2O3). Die als Zusätze beim
Sintern von Siliziumnitrid verwendeten Mg- und Y-Verbin
dungen (z. B. MgO und Y2O3) erniedrigen die Temperatur,
bei welcher eine das Sintern beschleunigende Glasphase
auftritt, weil Si3N4, MgO und Y2O3 zu einer eutektischen
Mischung führen, deren Schmelzpunkt niedriger als der
von Si3N4 ist. Die Zusätze beschleunigen daher die Produk
tion von laminaren Teilchen mit hohem Streckungsverhältnis.
Der Sinterkörper enthält 80-90 Gew.-% (vorzugsweise 84-94
Gew.-%) Si3N4, 2-10 Gew.-% (vorzugsweise 3-8 Gew.-%)
Mg-Verbindungen, berechnet in MgO-Äquivalenten, und 2-10
Gew.-% (vorzugsweise 3-8 Gew.-%) Y-Verbindungen, berech
net in Y2O3-Äquivalenten. Wenn der Anteil von Si3N4 mehr
als 94 Gew.-% oder wenn entweder der Anteil von MgO oder
Y2O3 weniger als 2 Gew.-% beträgt, sinkt die Sinterfähigkeit
ab, wodurch die Bildung eines dichten Sinterkörpers ver
hindert wird, der wenigstens einige Teilchen der α-Phase
enthält. Wenn entweder der Anteil von Si3N4 weniger als
80 Gew.-% oder wenn entweder der Anteil von Y2O3 oder MgO
mehr als 10 Gew.-% beträgt, liegen die Zusätze im Übermaß
vor, so daß ihr Effekt verringert wird, wodurch die Bildung
eines dichten Sinterkörpers verhindert wird und die charak
teristischen Eigenschaften des Siliziumnitrids überdeckt
werden. Der Sinterkörper erreicht eine ausreichende Festig
keit, wenn seine relative Dichte 98% oder darüber be
trägt. Wenn die relative Dichte weniger als 98% ist,
bewirken in dem Sinterkörper gebildete Poren, daß die
Festigkeit abnimmt.
Die relative Dichte beim erfindungsgemäßen Ausführungs
beispiel wird durch die Formel vorgegeben:
Dabei bedeutet
C: die scheinbare Dichte des Sinterkörpers,
C x : die Teilchendichte einer Komponente unter den Ausgangsstoffen des Sinterkörpers,
R x : das Gewichtsverhältnis dieser Komponente zum Gesamtgewicht der Ausgangsstoffe,
n: die Zahl der Komponenten der Ausgangsstoffe.
C: die scheinbare Dichte des Sinterkörpers,
C x : die Teilchendichte einer Komponente unter den Ausgangsstoffen des Sinterkörpers,
R x : das Gewichtsverhältnis dieser Komponente zum Gesamtgewicht der Ausgangsstoffe,
n: die Zahl der Komponenten der Ausgangsstoffe.
Wenn der Sinterkörper 90 Vol.-% oder mehr Si3N4-Teilchen
mit einer kleinen Achse von 1 µm oder weniger aufweist,
wird das Wachstum der Teilchen der β-Phase gehemmt, und
dadurch wird der erhaltene Sinterkörper dicht und fest.
Wenn der Anteil an Si3N4-Teilchen mit einer kleinen Achse
von 1 µm oder weniger unter 90 Vol% liegt, wird das Wachs
tum der Teilchen nicht genügend gehemmt, und der Sinter
körper wird keine ausreichende Dichte und Festigkeit
aufweisen. Der Sinterkörper gemäß dem Ausführungsbeispiel
der Erfindung hat die folgenden Eigenschaften:
| Biegefestigkeit bei Raumtemperatur | |
| 120 kgf/mm² oder mehr | |
| Bruchzähigkeit | 6 MN/m3/2 oder mehr |
| Vickers-Härte | 1500 kgf/mm² oder mehr |
Um den Sinterkörper herzustellen, wird pulverförmiges
Si3N4 verwendet das einen Anteil von 80% oder mehr
α-Phase enthält. Wenn der Anteil der β-Phase mehr als
20% beträgt, würden die meisten Teilchen der α-Phase
in die β-Phase übergeführt werden, wobei die originalen
β-Teilchen als Kerne beim Sintern des Siliziumnitrids
verwendet würden. Ein dichter Sinterkörper mit wenigstens
einigen Teilchen der α-Phase würde dadurch nicht gebildet
werden. Der mittlere Durchmesser der verwendeten Si3N4-
Pulverteilchen sollte 1 µm oder weniger betragen, da
bei einem größeren Durchmesser nicht nur die Sinterfähig
keit abnehmen würde, sondern auch einige Si3N4-Teilchen
abnormal während des Sinterns wachsen würden, wodurch
die Festigkeit des erhaltenen Sinterkörpers abnehmen
würde. Reines pulverförmiges Si3N4 mit 3 Gew.-% Verun
reinigungen oder weniger ist vorzuziehen. Die pulverförmigen
Mg- und Y-Verbindungen können Oxyde, Hydroxyde oder Salze
wie z.B. Karbonate sein, die während der Herstellung
des gesinterten Körpers in Oxyde umgewandelt werden können.
Allerdings sind Oxyde vorzuziehen. Die Reinheit jeder
Mg- oder Y-Verbindung beträgt vorzugsweise 99 Gew.-% oder
mehr.
Si3N4-Pulver, eine Mg-Verbindung und eine Y-Verbindung
werden im folgenden Verhältnis gemischt: 80-94 Gew.-%
Si3N4, 2-10 Gew.-% (vorzugsweise 3-8 Gew.-%) Mg-Verbindun
gen, gerechnet in MgO-Äquivalenten, und 2-10 Gew.-% (vor
zugsweise 3-8 Gew.-%) Y-Verbindungen, gerechnet in Y2O3-
Äquivalenten. Die Mischung wird mittels eines allgemein
üblichen Verfahrens geformt, z.B. mittels einer Gesenk
presse oder einer hydraulischen Presse. Der geformte
Gegenstand wird in zwei Stufen gesintert: eine primäre
Sinterung bei einem niedrigen Druck, 20 atm oder weniger,
und eine sekundäre Sinterung bei einem hohen Druck, 300 atm
oder mehr. Die primäre Sinterung wird bei einer Tempera
tur von 1600°C oder weniger in einer Stickstoff- oder
Inertgas-Atmosphäre bei einem Druck zwischen 1 und 20 atm,
vorzugsweise zwischen 1 und 10 atm, durchgeführt. Der
Stickstoff-Partialdruck beträgt vorzugsweise 1 atm oder
mehr, um den Abbau des Si3N4 zu unterdrücken. Wenn der
Druck 20 atm übersteigt, könnte der sich ergebende primäre
Sinterkörper aus einer Schale mit hoher Dichte und einem
Innenbereich mit geringer Dichte bestehen. Wenn nach
der primären Sinterung im Innern ein Bereich mit geringer
Dichte verbleibt, ist es unmöglich, ihn bei der sekun
dären Sinterung zu verdichten, weil die Poren im Innern
erhalten bleiben. Wenn die Temperatur über 1600°C liegt,
wird die Umwandlung des Si3N4 von der α-Phase zur β-Phase
beschleunigt, und Teilchen der b-Phase beginnen zu wach
sen, wodurch ein nicht wünschenswerter Sinterkörper erzeugt
wird. Die relative Dichte des primären Sinterkörpers
sollte 85% oder mehr betragen. Die sekundäre Sinterung
wird dann durchgeführt, um einen Sinterkörper mit höherer
Dichte zu erhalten. Der primäre Sinterkörper wird erneut
in einer Stickstoff- oder Inertgas-Atmosphäre beim Druck
von 300 atm oder mehr gesintert, wobei hier der Stickstoff-
Partialdruck vorzugsweise 1 atm oder mehr beträgt. Selbst
ein primärer Sinterkörper, der während der primären Sinte
rung bei üblichem oder niedrigem Druck eine ungenügende
Dichte erreicht hat, wird wegen der Kompression bei hohem
Druck dicht. Die Temperatur während der sekundären Sinte
rung beträgt 1400-1600°C, vorzugsweise 1450-1550°C,
um das Wachstum der β-Phase des Si3N4 zu hemmen und einige
Teilchen der α-Phase zu erhalten.
Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung werden
im folgenden beschrieben. Da viele Modifikationen möglich
sind, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen,
begrenzen die nachfolgend aufgeführten Ausführungsbeispiele
die Erfindung nicht auf dieselben, sondern illustrieren
die Erfindung lediglich etwas deutlicher.
Pulverförmiges Si3N4 (mittlerer Durchmesser 0,7 µm, Anteil
der α-Phase 90%, Reinheit 98%), MgO (mittlerer Durch
messer 1 µm, Reinheit 99%) und Y2O3 (mittlerer Durch
messer 3 µm, Reinheit 99%) werden in dem in der Tafel 1
gezeigten Verhältnis gemischt. Nach dem Trocknen wird
das vermischte Pulver mittels eines Formungsprozesses
unter Verwendung einer hydraulischen Presse beim Druck
von 2 t/cm2 geformt, um geformte Gegenstände mit den
Abmessungen 50 mm×50 mm×20 mm herzustellen. Die
primäre Sinterung der geformten Gegenstände wird zwei
Stunden lang unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen
durchgeführt, und die sekundäre Sinterung wird während
zwei Stunden unter hohem Druck durchgeführt.
Die Eigenschaften der erhaltenen Sinterkörper werden
gemessen oder berechnet durch die folgenden Verfahren,
was zu den in Tabelle 1 aufgeführten Werten führt.
- 1. Relative Dichte: Verfahren nach Archimedes. Ein Festkörper wird in eine Flüssigkeit (z.B. ein Alkohol oder Benzol) in einem kalibrierten Instrument (z.B. ein kalibrierter Zylinder) abgesenkt, und das Volumen V des Körpers wird über das Ansteigen des scheinbaren Volumens der Flüssigkeit erhalten. Die Masse m des Körpers wird mit einer Waage gemessen, und die Dichte wird unter Verwendung der Gleichung σ=m/V berechnet. Relative Dichte = Dichte/theoretische Dichte.
- 2. Biegefestigkeit: JIS (Japanischer Industrie-Standard) - R 1601-Verfahren. Ein Stab mit rechteckigem Quer schnitt (Länge 36-40 mm, Breite 4 mm, Dicke 3 mm) wird für einen Dreipunkt-Biegetest verwendet. Die Dreipunkt-Biegefestigkeit σ f wird mittels der Gleichung σ f = 3 PL/2bh 2 berechnet. Hierbei bezeichnet P eine Bruchbelastung (kgf), L den Abstand (mm) zwischen Aufstützpunkten, b die Breite (mm) des Teststabes und h die Dicke (mm) des Teststabes.
- 3. Bruchzähigkeit: Einkerb-Mikrofraktur-Verfahren (Iden tation Microfracture Method) (auch Einkerb-Fraktur- Verfahren genannt). Die Größe eines durch Drücken eines Druckelements bewirkten Bruchs und die Größe des Wegs des Druck elements werden gemessen, und die Zähigkeit K IC wird dann berechnet. Hier beträgt die Last 30 kgf.
- 4. Vickers-Härte: Eine Belastung mit 30 kgf wird während 15 Sekunden ausgeübt.
- 5. Anteil (%) der α-Phase: Röntgen-Spektrographie. Anteil (%) der α-Phase = (Iα 102+Ia (210))/(Iα (102)+Iα (210)+Iβ (101)+ Iβ (210))×100. Hier bezeichnet beispielsweise Iα (102) eine Spitzen intensität des Index′ (102) von α-Si3N4, die durch Pulver-Röntgen-Spektrographie erhalten wurde.
- 6. Flächenbelegungsverhältnis von Si3N4-Teilchen mit der kleinen Achse von 1 µm oder weniger: Beobachtung der Si3N4-Teilchen des spiegelnd polierten Sinter körpers mittels eines Rasterelektronenmikroskops.
Wie aus Tabelle 2 hervorgeht, weist der bei diesem Aus
führungsbeispiel erhaltene Sinterkörper ausgezeichnete
Eigenschaften auf: hohe Dichte, Festigkeit, Zähigkeit
und Härte. Er besitzt eine relative Dichte von 98% oder
mehr, eine Biegefestigkeit von 120 kgf/mm2 oder mehr
bei Raumtemperatur, eine Bruchzähigkeit von 6 MN/m3/2
oder mehr und eine Härte von 1500 kgf/mm2 oder mehr.
Alle Vergleichsbezugnahmen in Tabelle 1 haben minder
wertigere Eigenschaften.
Die Sinterkörper gemäß den Bezugnahmen 8 und 9 weisen
eine ungenügende Dichte auf, obwohl die Temperaturen
der primären und sekundären Sinterung hoch genug sind,
und diese Proben enthalten keinerlei Teilchen der α-Phase.
Die Festigkeit und die Härte ihrer Sinterkörper sind
daher niedrig, selbst wenn ihre Zähigkeit 6 MN/m3/2 oder
mehr beträgt. Obwohl die Sinterkörper gemäß den Bezug
nahmen 10, 11 und 12 eine α-Phase enthalten, sind ihre
Festigkeit, Zähigkeit und Härte niedrig. Die Sinterkörper
der Bezugnahmen 13 und 14 haben dieselbe Zusammensetzung
wie die Probe 2, jedoch sind ihre Eigenschaften minder
wertiger als die der Probe 2.
Die Sinterkörper mit einer pulvrigen Mischung von 92 Gew.-%
Si3N4, 4 Gew.-% MgO und 4 Gew.-% Y2O3 werden in derselben
Weise wie beim Ausführungsbeispiel 1 hergestellt. Die
primäre Sinterung wird bei 1550°C und bei 1 atm in N2
während zwei Stunden durchgeführt, und die sekundäre
Sinterung wird bei verschiedenen Temperaturen durchge
führt, wie dies Tabelle 2 zeigt. Die Eigenschaften der
erhaltenen Sinterkörper sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
Tabelle 2 zeigt, daß bei einer zu hohen Temperatur bei
der sekundären Sinterung der Anteil der α-Phase abnimmt,
ein beträchtlicher Anteil der Si3N4-Teilchen bis zu einer
kleinen Achse von mehr als 1 µm anwächst und die Festigkeit
und Zähigkeit des Sinterkörpers dadurch abnimmt.
Claims (9)
1. Sinterkörper aus Siliziumnitrid mit 80-94 Gew.-% Si3N4,
2-10 Gew.-% wenigstens einer Mg-Verbindung, gerechnet
in MgO-Äquivalenten, und 2-10 Gew.-% wenigstens einer
Y-Verbindung, gerechnet in Y2O3-Äquivalenten, wobei das
Si3N4 einen α-Phasen-Anteil von 5-40% aufweist.
2. Sinterkörper aus Siliziumnitrid nach Anspruch 1, bei
dem das Verhältnis der Si3N4-Teilchen mit einer kleinen
Achse von 1 µm oder weniger 90 Vol% oder mehr beträgt.
3. Sinterkörper aus Siliziumnitrid nach Anspruch 2, bei
dem die relative Dichte 98% oder mehr beträgt.
4. Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid,
gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
- a) Mischen von 80-94 Gew.-% von pulverförmigem Si3N4 mit 2-10 Gew.-% wenigstens einer Mg-Verbindung, gerech net in MgO-Äquivalenten, und mit 2-10 Gew.-% wenigstens einer Y-Verbindung, gerechnet in Y2O3-Äquivalenten und dann Formen der Mischung, in der das Si3N4-Pulver 80% oder mehr α-Phasen-Anteile enthält und in der die Körner einen mittleren Durchmesser von 1 µm oder weniger aufweisen;
- b) Durchführen einer primären Sinterung des im Schritt a) geformten Gegenstands bei 1600°C oder weniger in einer Stickstoff- oder Inertgas-Atmosphäre von 20 atm oder weniger und
- c) Durchführen einer sekundären Sinterung des im Schritt b) geformten Gegenstands bei 1400-1600°C in einer Stickstoff- oder Inertgas-Atmosphäre von 300 atm oder mehr.
5. Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid
gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Stick
stoff-Partialdruck sowohl bei der primären als auch bei
der sekundären Sinterung 1 atm oder mehr beträgt.
6. Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid
nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die relative
Dichte des im Schritt b) erhaltenen Sinterkörpers 85%
oder mehr beträgt.
7. Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid
nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die relative
Dichte des im Schritt b) erhaltenen Sinterkörpers 85%
oder mehr beträgt.
8. Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid
nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur
der sekundären Sinterung im Bereich zwischen 1450 und
1550°C liegt.
9. Herstellung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid
nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Tempera
tur der sekundären Sinterung im Bereich zwischen 1450
und 1550°C liegt.
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