DE3710320A1 - Blockpolymer-zubereitungen - Google Patents
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- DE3710320A1 DE3710320A1 DE19873710320 DE3710320A DE3710320A1 DE 3710320 A1 DE3710320 A1 DE 3710320A1 DE 19873710320 DE19873710320 DE 19873710320 DE 3710320 A DE3710320 A DE 3710320A DE 3710320 A1 DE3710320 A1 DE 3710320A1
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 25
- -1 alkyl radical Chemical class 0.000 claims description 58
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 33
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 13
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 11
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 8
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 7
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 claims description 3
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 claims description 3
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]benzene Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 9
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 5
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000006501 nitrophenyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 4
- BTZVKSVLFLRBRE-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)=O BTZVKSVLFLRBRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 2
- XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylcatechol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(O)=C1 XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXUVDIHSZZVHTO-UHFFFAOYSA-N CC(=C[SiH2]OC(C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C(O[SiH2]C=C(C)C)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C Chemical compound CC(=C[SiH2]OC(C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C(O[SiH2]C=C(C)C)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C PXUVDIHSZZVHTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000006085 branching agent Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=C(C=C)C=C1 WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=C(C=C)C=C1 KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQMWZHUIGYNOAL-UHFFFAOYSA-N 1-phenylethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)C1=CC=CC=C1 BQMWZHUIGYNOAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KESVGLILNNFIIU-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]ethenyl hydrogen carbonate Chemical compound C(C)(C)(C)OC1=CC=C(C=COC(=O)O)C=C1 KESVGLILNNFIIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004609 Impact Modifier Substances 0.000 description 1
- CRZQGDNQQAALAY-UHFFFAOYSA-N Methyl benzeneacetate Chemical group COC(=O)CC1=CC=CC=C1 CRZQGDNQQAALAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N [4-(4-diphenylsulfoniophenyl)sulfanylphenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1SC(C=C1)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical group [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- VGZKCAUAQHHGDK-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 VGZKCAUAQHHGDK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 239000012955 diaryliodonium Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000012258 stirred mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HGPXXOYPYCIJMU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl (3-ethenylphenyl) carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC1=CC=CC(C=C)=C1 HGPXXOYPYCIJMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLJSCNMYWNQUAR-UHFFFAOYSA-N tert-butyl (4-prop-1-en-2-ylphenyl) carbonate Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(OC(=O)OC(C)(C)C)C=C1 MLJSCNMYWNQUAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005628 tolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
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Description
Vor der vorliegenden Erfindung umfaßte das allgemeine Verfahren
zur Herstellung von Silicon-Styrol-Blockpolymeren die
Herstellung eines Blocks von Polystyrol mit endständigen organometallischen
funktionellen Gruppen, die aus einer anionischen
Polymerisation stammten, wie dies in der US-PS 36 78 125
gezeigt wird. Auf die Enden des Vinylpolymeren ließ man dann
Siliconblöcke mittels einer anionischen Ringöffnung eines cyclischen
Siloxans, wie Hexamethylcyclotrisiloxan, aufwachsen.
Das erhaltene ABA-silicon-organische-Silicon-Blockpolymere
wurde dann unter Bildung eines Blockpolymeren mit Mehrfachsequenz
mit guten mechanischen Eigenschaften gekuppelt.
In der US-Ser.-No. 8 40 168, eingereicht am 17. März 1986, werden
bestimmte silicon-organische Blockpolymere gezeigt, die
als Resists, Schlagmodifiziermittel, Verpackungen, biomedizinische
Prothesen, und dergleichen, eingesetzt werden können.
Diese silicon-organischen Blockpolymeren können hergestellt
werden, indem man in Gegenwart eines organischen Lösungsmittels
die freiradikalische Polymerisation eines freiradikalisch
polymerisierbaren organischen Monomeren und eines Silicon-Vorpolymerisats,
das in seiner Hauptkette oder in der Endstellung
zumindest einen chemisch gebundenen Bissilylpinacolat-Rest
aufweist, der bei Thermolyse zur Bildung eines Freiradikal-
Initiators fähig ist, bewirkt.
Die vorliegende Erfindung basiert auf dem Befund, daß bestimmte
Silicon-Polyvinylarylen-Blockcopolymere, die man gemäß der
vorerwähnten US-PS 36 78 125 erhalten kann, als positive oder
negative Resists eingesetzt werden können. Diese Silicon-Polyvinylarylen-
Blockcopolymere werden durch die nachfolgenden
Formeln
wiedergegeben, worin A ein mit B durch Kohlenstoff-Silicium-
Bindungen verbundener Siliconblock ist und im wesentlichen
aus chemisch gebundenen Diorganosiloxy-Einheiten der nachfolgenden
Formel III
(R)2SiO- (III)
besteht, worin R aus einwertigen C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten
und durch während anionischer oder freidadikalischer Polymerisation
neutrale Reste substituierten C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten
ausgewählt ist und B einen Vinylarylenblock,
bestehend im wesentlichen aus chemisch gebundenen Vinylarylen-
Einheiten, die durch zumindest eine säurelabile Gruppe der
nachfolgenden Formel IV
OZ (IV)
substituiert sind, bedeutet, Z ein tertiärer Organo- oder
Organosilicon-Rest, wie er nachstehend definiert wird, ist
und der Index x eine positive ganze Zahl bedeutet.
Die vorliegende Erfindung basiert ferner auf dem Befund, daß,
wenn ein freiradikalisch polymerisierbares Vinylmonomeres der
nachfolgenden Formel V
worin Q ein einwertiger Rest, ausgewählt aus
-CO2-Y -R3CO2Y und R3OZ
ist, Z die gleiche Bedeutung wie oben besitzt und Y eine säurelabile
Gruppe, wie nachfolgend definiert, ist, in Gegenwart
des Silicon-Vorpolymerisats der oben erwähnten US-Ser.-No.
8 40 168, das zumindest einen chemisch gebundenen Bissilylpinacolat-
Rest aufweist, polymerisiert wird, das erhaltene siliconorganische
Blockpolymere auch als ein positiver oder negativer
Resist eingesetzt werden kann. Es wurde weiterhin gefunden,
daß gegenüber tiefer UV-Strahlung im Bereich von 220 bis
320 nm empfindliche Resist-Zubereitungen durch Kombination der
Silicon-Polystyrol-Blockcopolymeren der Formeln I oder II,
oder der gemäß dem Verfahren der US-Ser.-No. 8 40 168 hergestellten
silicon-organischen Blockpolymeren, mit einer wirksamen
Menge eines Arylonium-Salzes, wie nachfolgend definiert,
zur Herstellung einer Resist-Zubereitung hergestellt werden
können. Diese Resist-Zubereitungen weisen auch wertvolle Ätzbeständigkeit
gegenüber RIE (oxygen reactive ion etching) auf.
R1 in der allgemeinen Formel V ist aus Wasserstoff, einem
C(1-8)-Alkylrest oder einer Mischung daraus, ausgewählt, R2 ist
ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoff oder ein mit während
der Polymerisation neutralen Resten substituierter C(1-14)-
Kohlenwasserstoffrest, und R3 ist aus C(6-14)-aromatischen
Kohlenwasserstoffresten und mit bis zu fünf kerngebundenen
Resten substituierten C(6-14)-aromatischen Kohlenwasserstoffresten
ausgewählt, die gleich oder verschieden sein können
und während der Polymerisation neutral sind.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden Zubereitungen geschaffen,
welche
- (A) ein silicon-organisches Blockpolymeres, ausgewählt aus
der Klasse bestehend aus
- (i) Blockcopolymeren der Formeln I oder II und
- (ii) einem silicon-organischem Blockpolymeren, das aus der freiradikalischen Polymerisation in Gegenwart von organischem Lösungsmittel eines freiradikalisch polymerisierbarem organischen Monomeren der Formel V und einem Silicon-Vorpolymer, bestehend im wesentlichen aus chemisch gebundenen Diorganosiloxy-Einheiten, das in seiner Hauptkette oder in der Endstellung zumindest einen chemisch gebundenen Bissilylpinacolat-Rest aufweist, der bei Thermolyse zur Bildung eines freiradikalischen Initiators fähig ist, erhalten wurde und
- (B) eine wirksame Menge eines zersetzbaren Arylonium-Salzes, das zumindest ein chemisch gebundenes Anion aufweist, welches fähig ist, eine durch Säure katalysierte chemische Umsetzung des silicon-organischen Blockpolymeren von (A) zu bewirken, die ausreicht, um seine Löslichkeitseigenschaften zu ändern, enthalten. Es wird bevorzugt, daß das Arylonium-Salz durch Strahlung zersetzbar ist, wenn es einer elektromagnetischen oder E-Strahl-Bestrahlung (E-beam radiation) ausgesetzt wird.
Einige der bei der praktischen Durchführung der vorliegenden
Erfindung eingesetzte Silicon-Vorpolymerisate, die zur Herstellung
der silicon-organischen Blockpolymeren verwendet
werden können, kann man in Gegenwart eines Platin-Katalysators
erhalten, indem man die Reaktion zwischen einem Polydiorganosiloxan
mit Siliciumhydrid-Endgruppen der nachfolgenden allgemeinen
Formel VI
und einem aliphatisch ungesättigten, Triorganosilyl-substituierten
Arylpinacol durchgeführt, das ausgewählt ist aus
in welchen R4 einen einwertigen Rest bedeutet, ausgewählt aus
C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten und mit einwertigen Resten,
die sich während der freiradikalischen Polymerisation neutral
verhalten, substituierten C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten, R5
und R6 einwertige Reste bedeuten, ausgewählt aus C(6-14)Arylkohlenwasserstoffresten
und C(6-14)-Arylkohlenwasserstoffresten,
die mit neutralen Resten, wie vorstehend definiert, substituiert
sind, und R5 und R6 können, falls sie sich an dem
gleichen Kohlenstoffatom befinden, miteinander unter Bildung
von zweiwertigen Arylresten verbunden sein, ausgewählt aus
R7 einen einwertigen Rest bedeutet, ausgewählt aus Wasserstoff
und R4-Resten, R8 aus einwertigen aliphatisch ungesättigten
C(2-20)-Kohlenwasserstoffresten und aliphatisch ungesättigten
einwertigen C(2-20)-Kohlenwasserstoffresten, die
mit neutralen Resten substituiert sind, cycloaliphatisch ungesättigten
C(4-20)-Resten und mit neutralen Resten substituierten
cycloaliphatisch ungesättigten organischen C(4-20)-
Resten ausgewählt ist, R9 aus R7-Resten und R8-Resten ausgewählt
ist, R10 und R11 aus zweiwertigen C(6-14)Arylkohlenwasserstoffresten
und zweiwertigen C(6-14)-Arylkohlenwasserstoffresten,
die mit neutralen Resten substituiert sind, ausgewählt
sind, X aus
ausgewählt ist, a den Wert 0 oder 1 aufweist und n eine ganze
Zahl mit einem Wert von 0 bis 2000, einschließlich, ist.
Einige der von Z umfaßten säurelabilen Gruppen sind beispielsweise
Isopropyl, Isobutyl, tert.-Butyl, Trimethylsilyl und
tert.-Butoxycarbonyloxy. Säurelabile Gruppen, die von Y umfaßt
werden, sind Z-Gruppen und Benzyl, α-Methylbenzyl, tert.-
Butyl und α,α-Dimethylbenzyl.
Reste, die innerhalb der Bedeutung von R der allgemeinen Formel
III liegen, sind beispielsweise C(1-8)-Alkylreste, wie
Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, etc.; substituierte
C(1-8)-Alkylreste, wie Cyanoethyl, Cyanobutyl, Trifluorpropyl;
Arylreste, wie Phenyl, Tolyl, Xylyl, Naphthyl; substituierte
Arylreste, wie Methoxyphenyl, Chlorphenyl, Nitrophenyl,
Chlornaphthyl, etc.
Reste, die von R1 und R2 der allgemeinen Formel V umfaßt werden,
sind beispielsweise C(1-8)-Alkylreste, wie Methyl, Ethyl,
Propyl, Butyl, Pentyl, die gleich oder verschieden sein können;
R2 umfaßt R1-Reste und C(6-14)Arylreste, beispielsweise
Phenyl, Tolyl, Xylyl, Naphthyl, Chlorphenyl und Nitrophenyl.
Von R3 umfaßte Reste sind beispielsweise Phenylen, Tolylen,
Xylylen, Naphthylen, Chlorphenylen, Nitrotolylen und Methoxyphenylen.
Reste, die von R4 der allgemeinen Formel VI umfaßt werden,
sind beispielsweise C(1-8)-Alkylreste, wie Methyl, Ethyl, Propyl,
Butyl, Pentyl, Hexyl, etc.; substituierte C(1-8)-Alkylreste,
wie Cyanoethyl, Cyanobutyl, Trifluorpropyl; Arylreste,
wie Phenyl, Tolyl, Xylyl, Naphthyl; substituierte Arylreste,
wie Methoxyphenyl, Chlorphenyl, Nitrophenyl, Chlornaphthyl,
etc. Reste, die von R5 und R6 der allgemeinen Formel VII umfaßt
werden, sind beispielsweise Phenyl, Xylyl, Tolyl, Naphthyl,
Chlorphenyl, Nitrophenyl, Methoxyphenyl, etc. Reste,
die innerhalb von R8 der allgemeinen Formel VII liegen, sind
beispielsweise Vinyl, Allyl, etc., Cyclopentenyl, Cyclohexenyl,
"nadic", etc. Reste, die von R10 und R11 umfaßt werden,
sind beispielsweise Phenylen, Xylylen, Naphthylen, Tolylen
und substituierte Derivate davon, substituiert mit 1 bis 4
neutralen Resten, wie Chlor, Nitro und Methoxy.
Einige der aliphatisch ungesättigten Triorganosilyl-substituierten
Arylpinacole, die bei der praktischen Durchführung der
vorliegenden Erfindung zur Herstellung von Silicon-Vorpolymeren
verwendet werden können, sind in der US-PS 45 35 174
beschrieben. Diese aliphatisch ungesättigten Triorganosilyl-
substituierten Arylpinacole können durch Reaktion zwischen
einem geeigneten Keton mit einem aliphatisch ungesättigten
Monohalogensilan in Gegenwart eines aktiven Metall-Reduktionsmittels,
wie Magnesium, hergestellt werden, wie dies durch die
nachfolgende Gleichung gezeigt wird:
in welcher die Reste R5, R6, R8 und R9 die gleiche Bedeutung
wie oben besitzen.
Ein ähnliches Verfahren kann zur Herstellung von cyclisches
Silicon enthaltenden Pinacolaten angewandt werden, das die
Verwendung eines aliphatisch ungesättigten Dihalogensilans
in Verbindung mit einem Keton erfordert, wie dies durch die
nachfolgende Gleichung gezeigt wird
in welcher die Reste R5, R6, R8 und R9 die gleiche Bedeutung
wie oben besitzen.
Silicon-Vorpolymere, die zur Initiierung der Polymerisation
des freiradikalisch polymerisierbaren organischen Monomeren
der allgemeinen Formel V eingesetzt werden können, kann
man herstellen, indem man die durch das Übergangsmetall katalisierte
Addition von einem Siliconhydrid der allgemeinen Formel
VI und aliphatisch ungesättigtem Organosilylpinacolether
der allgemeinen Formel VII oder VIII durchführt, wie dies
durch die nachstehende Gleichung gezeigt wird
worin der Index m eine positive ganze Zahl bedeutet und R4,
R5, R6, R7, R8 und der Index n die gleiche Bedeutung wie oben
besitzen.
Ein typisches Reaktionsschema der Herstellung von silicon-organischen
Blockpolymeren gemäß der praktischen Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens kann durch die nachfolgende
Gleichung erläutert werden, wonach ein freiradikalisches Fragment
aus einem Silicon-Vorpolymersegment, enthalten innerhalb
der allgemeinen Formel IX, gebildet wird und M ein Vinyl-
oder Dienmonomeres ist:
Der Index n hat die gleiche Bedeutung, wie oben angegeben,
und der Index p ist eine positive ganze Zahl mit einem Wert
im Bereich von 1 bis 2000, einschließlich.
Das Silicon-Vorpolymer der allgemeinen Formel IX ist thermisch
labil und initiiert, wenn es auf Temperaturen von über
40°C in Gegenwart eines Vinylmonomeren erhitzt wird, deren
freiradikalische Polymerisation. Typische, von der allgemeinen
Formel V umfaßte Vinylmonomere, die auf diese Weise polymerisiert
werden können, sind beispielsweise 4-tert.-Butoxycarboxyloxystyrol,
4-tert.-Butoxycarbonyloxy-α-methylstyrol,
4-Vinyl-tert.-butylbenzoat, tert.-Butylmethacrylat,
tert.-Butylacrylat, 3-tert.-Butoxycarbonyloxystyrol, 4-tert.-
Butoxystyrol, 4-Vinyl-α-methylbenzylbenzoat, 3-Vinyl-αdimethylbenzylbenzoat.
Die Polymerisation kann durch Verwendung eines organischen
Lösungsmittels, wie Toluol, Benzol, Xylol, Acetonitril, Wasser,
Methylenchlorid, Nitromethan, Ethylbenzol, Dimethylformamid,
Essigsäure, Chlorbenzol, Nitrobenzol, etc., erleichtert
werden.
Übergangsmetall-Katalysatoren, die bei der praktischen Durchführung
der vorliegenden Erfindung zur Herstellung der Silicon-
Vorpolymere verwendet werden können, sind vorzugsweise
Platinkatalysatoren, beispielsweise Platinkomplexe von ungesättigten
Siloxanen, wie dies in den US-PS 31 59 601,
31 59 662, 32 20 972 und 37 75 442 gezeigt wird. Eine wirksame
Menge eines Platinkatalysators ist etwa 10-4 bis 0,1 Gewichtsprozent
Platin, bezogen auf das Gewicht der polymerisierbaren
Hydrosilationsmischung.
Einige der Arylonium-Salze, die für die praktische Durchführung
der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind
in den US-PSen 40 58 401, 40 69 055 und 42 64 703 beschrieben.
Weitere Oniumsalz-Initiatoren, die verwendet werden können,
sind beispielsweise die folgenden:
Außer den obigen Oniumsalzen können Photosensibilisatoren
für diese Salze verwendet werden, welche aromatische Ketone,
Farbstoff-kondensierte aromatische Kohlenwasserstoffe, etc.,
einschließen.
Die Oniumsalz-Initiatoren werden vorzugsweise durch chemisch
wirksame Strahlung, wie beispielsweise Ultraviolettlicht,
zersetzt. Jedoch können wirksame Ergebnisse mit E-Strahl-Teilchen
und Röntgenstrahlen erzielt werden.
Eine wirksame Menge eines Oniumsalz-Initiators ist 0,1 bis 20
Gewichtsprozent Initiator, bezogen auf das Gewicht der Resist-
Zubereitung.
Es können auch, falls gewünscht, von etwa 1 bis 20 Gewichtsprozent
der polymerisierfähigen Mischungen freiradikalische
phenolische Inhibitoren, wie 4-tert.-Butylcatechol, zur Steuerung
des Grades der Vernetzung eingesetzt werden.
Die Mikrostruktur der silicon-organischen Blockpolymeren der
vorliegenden Erfindung kann durch Einführung von Verzweigung
in die Ketten modifiziert werden. Dies kann leicht durch Verwendung
von olefinischen Verzweigungsmitteln zur Herstellung
von verzweigten Vorpolymerisat bewerkstelligt werden. Manche
der Verzweigungsmittel, die für diese Zwecke verwendbar sind,
sind beispielsweise Triallylisocyanurat, 1,3,5-Triallylbenzyltricarboxylat,
Glycerintriallylether, etc.
Die silicon-organischen Blockpolymeren, die gemäß der praktischen
Durchführung der vorliegenden Erfindung erhalten werden
können, können durch Standardverfahren, wie beispielsweise
Ausfällung nach der Polymerisation in einem geeigneten organischen
Lösungsmittel, wie Methanol, Hexan, etc., gewonnen
werden. Standardextraktionstechniken können ebenfalls angewandt
werden, falls dies gewünscht wird.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der
Erfindung, sollen diese jedoch nicht beschränken. Alle angegebenen
Teile sind auf das Gewicht bezogen.
Eine Mischung von 2177 g (9,806 Mol) Octamethylcyclotetrasiloxan,
16,75 g (0,125 Mol) 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan und
12 g Filtrol 20-säurebehandelter Ton wurden bei 60°C 20 Stunden
lang unter Verwendung eines Rührers, eines Rückflußkühlers
und eines Trockenrohrs ins Gleichgewicht gebracht. Die im
Gleichgewicht befindliche Mischung wurde abkühlen gelassen und
durch einen Sinterglas-Trichter zur Entfernung des Tons filtriert.
Die flüchtigen Stoffe der Reaktionsmischung wurden bei
130° bis 140°C bei angenähert 0,1 Torr abgestreift. Basierend
auf dem Herstellungsverfahren und der 29 Si-NMR wurde ein Polydimethylsiloxan
mit Wasserstoffendgruppen in Form eines viskosen
Öls mit einem Molekulargewicht von 9894 g/Mol (Zahlenmittel)
erhalten, was einem DP = 133,7 entsprach.
Man gab tropfenweise 60,5 g (0,5 Mol) Dimethylvinylchlorsilan
zu einer gerührten Mischung von 91,0 g (0,5 Mol) Benzophenon,
6 g (0,25 Mol) Magnesiummetall (30 mesh), 250 ml trockenem
Tetrahydrofuran und 15 ml Tetramethylharnstoff hinzu. Es wurde
eine exotherme Reaktion festgestellt, wobei die Temperatur
allmählich auf 50°C anstieg. Die Reaktionsmischung wurde mit
Hilfe eines Wasserbades auf dieser Temperatur gehalten. Nachdem
der exotherme Teil der Reaktion aufgehört hatte, wurde
die Reaktionsmischung 4 Stunden lang auf 47°C erwärmt und anschließend
über Nacht bei Raumtemperatur stehengelassen. Das
Lösungsmittel wurde mit Hilfe eines Rotationsverdampfers entfernt
und das erhaltene gelbe Öl in Chloroform gelöst. Der
anorganische Niederschlag wurde durch Filtration entfernt und
das erhaltene Produkt zweimal aus Ethanol umkristallisiert.
Die Ausbeute an farblosem Produkt mit einem Schmelzpunkt von
135° bis 140°C betrug 56,3 g oder 43,1% der Theorie. Das Produkt
war Benzopinacol-bis(dimethylvinylsilyl)-ether der nachfolgenden
Formel
Die Identität der Verbindung wurde durch Elementaranalyse
bestätigt.
Berechnet:C 76,40%, H 7,12%, Si 10,49%;
Gefunden:C 75,9%, H 7,20%, Si 10,70%.
16,96 g des früher hergestellten Polydimethylsiloxans mit
Wasserstoffendgruppen mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht
von 1390 g/Mol und 5 ml trockenes Toluol wurden
unter Stickstoff etwa 1 Stunde zur Trocknung der Reaktionsmischung
am Rückfluß erhitzt und gerührt. Die Mischung
wurde auf 40°C abgekühlt und 5,678 g des obigen Bis(dimethylvinylsilyl)-
benzopinacolats zusammen mit 8 µl eines Platin-
Siloxan-Katalysators gemäß US-PS 37 15 334 zugegeben. Die
Mischung wurde weitere 2 Stunden lang gerührt. Auf Basis
des Herstellungsverfahrens erhielt man ein Polydimethylsiloxan,
das chemisch gebundene Benzopinacolat-Reste aufwies.
Zu dem obigen Polydimethylsiloxan wurden 50,88 g 4-tert.-Butoxystyrol
zugegeben und die Temperatur im Verlauf von 1 Stunde
auf 100°C erhöht. Das Erhitzen wurde für einen Gesamtzeitraum
von 18 Stunden fortgesetzt, anschließend das feste Polymere
abgekühlt, in Methylenchlorid gelöst und in Methanol ausgefällt.
Das Polymere wurde durch Filtration gesammelt, in
Tetrahydrofuran erneut aufgelöst und anschließend in Wasser
gefällt, mit Wasser gewaschen, anschließend in einem Waring-
Blendor zerhackt und dann im Vakuum bei 60°C getrocknet. Die
Ausbeute an Polymeren betrug 62,7 g oder 85% der Theorie.
Die GPC-Analyse ergab ein Molekulargewicht von 93 400 g/Mol
(Zahlenmittel) und ein Molekulargewicht (Gewichtsmittel) von
359 700 g/Mol. Die Differentialabtastkalorimetrie zeigte eine
Glastemperatur von 96°C. Auf Basis des Herstellungsverfahrens
wurde ein Silicon-Polystyrol-Blockcopolymeres mit 4-tert.-Butoxyresten
an der Styrolhauptkette erhalten.
Zu 1 g des obigen Silicon-Styrol-Blockpolymeren wurden 0,1 g
Di-(tert.-butylphenyl)-iodoniumhexafluoroantimonat Photoinitiator
und 6 ml 2-Methoxypropylacetat zugegeben. Die Photoresist-
Lösung wurde auf Silicium-Scheiben aufgesponnen, die
vorher mit Hexamethyldisilazan behandelt worden waren. Die
Filme wurden dann 30 Minuten lang bei 90°C gebrannt. Die
Scheiben wurden unter Verwendung eines "Suss MA56 contact-
proximity"-Druckers einer bildweisen Belichtung bei 250 nm
in dem Kontaktmodus unterworfen. Im Anschluß an die Belichtung
von 15 bis 50 Sekunden wurden die Scheiben bei 130°C
1 Minute lang gebrannt. Beim Eintauchen der Scheiben in Methylenchlorid
für einen Zeitraum von 1 Minute wurden Negativ-
Tonbilder mit guter Auflösung erhalten.
11,3 g (0,0025 Mol) α,ω-hydrogenfunktionelles Polydimethylsiloxan
mit einem Molekulargewicht von 4520 g/Mol und 4 ml
Toluol wurden 1 Stunde lang unter Rühren am Rückfluß erhitzt.
Die erhaltene trockene Reaktionsmischung wurde auf 40°C abgekühlt.
Es wurden 1,281 g Benzopinacol-bis(dimethylvinylsilyl)-
ether und 8 µl Platin-Siloxan-Katalysator zugesetzt. Das
Silylpinacolat wurde rasch aufgelöst und ein Anstieg in der
Lösungsviskosität beobachtet. Die Reaktionsmischung wurde 2
Stunden lang bei 40°C gerührt, 45 ml tert.-Butylmethacrylat
zugegeben und die Mischung gründlich mit gasförmigem Stickstoff
gespült. Die Temperatur wurde zur Initiierung der Polymerisation
langsam auf 100°C erhöht. Nach 2 Stunden bei 100°C
war die Viskosität der Mischung bis zu dem Punkt angestiegen,
bei welchem der Rührer steckenblieb. Das erhaltene, leicht
opaleszente Reaktionspolymere wurde in Dichlormethan gelöst
und in Methanol ausgefällt. Durch Abdekantieren der Lösung
und Waschen mit mehr Methanol wurde ein weiches gummiartiges
Polymeres erhalten. Das Polymere wurde 3 Tage lang an der
Luft und anschließend bei 60°C im Vakuum getrocknet. Man erhielt
40 g eines Silicon-Blockpolymeren, das im wesentlichen
aus chemisch gebundenen Polydimethylsiloxan-Blöcken und Poly-
tert.-butylmethacrylat-Blöcken bestand. Das Blockpolymere
hatte eine Glastemperatur von 117°C.
Zu 0,25 g Blockpolymeren wurden 0,1 g Di-(4-tert.-butylphenyl)-
iodoniumtrifluoromethansulfonat und 3 ml CH2Cl2 zugegeben.
Die obige Photoresist-Lösung wurde auf eine 76,2 mm (3″)
Siliciumscheibe als Schicht aufgebracht und trocken gebrannt.
Die Scheibe wurde dann einer UV-Bestrahlung durch eine
GE H3T7-Mitteldruck-Quecksilberbogenlampe bei einer Entfernung
von 152,4 mm (6 inch) für 5 Sekunden ausgesetzt. Nach
der Bestrahlung wurde die Scheibe in einem Luftofen mit
Zwangsumwälzung 1 Minute lang bei 115°C gebrannt. Zu diesem
Zeitpunkt wurde ein sichtbares Reliefbild beobachtet. Die
Scheibe wurde durch Eintauchen derselben während eines Zeitraums
von 1 Minute in eine 1,6n-Natriumhydroxid-Lösung entwickelt.
Es wurde ein scharfes, aufgehelltes Positivbild der
Maske erhalten.
Es wurden auch weitere Bildversuche durchgeführt. Eine Photoresist-
Lösung wurde durch Auflösen von 0,5 g des obigen Polymeren,
zusammen mit 0,05 g Di-(4-tert.-butylphenyl)-iodoniumhexafluoroantimonat
in 6 ml 2-Methoxypropylacetat hergestellt.
Diese Lösung wurde auf 101,6 mm (4 inch) Siliciumscheiben aufgesponnen,
die vorher gebrannt und mit Hexamethylsilazan behandelt
worden waren. Die Scheiben wurden dann einer bildweisen
Bestrahlung unter Verwendung einer "multidensity" Maske
und eines "Suss MA56 contact/proximity aligner" in dem Kontaktmodus
bei 250 nm unterworfen. Nach einer Belichtung von
15 Sekunden Dauer (angenähert 80 mJ/cm2) wurden ausgezeichnete
Positivmuster erhalten, gefolgt von einem Nachbrennen während
1 Minute bei 130°C. Die Scheiben wurden dann unter Verwendung
eines kommerziellen Entwicklers (KTI 351-Positiventwickler,
100%, KTI Corp.) während 1 Minute entwickelt. Merkmale
herab bis zu 2 Mikrometer wurden aufgelöst, während aufgehellte
3,5-Mikrometer-Merkmale mit gleichen Zahlen und Zwischenräumen
erhalten wurden.
Eine Mischung von 11,3 g (0,0025 Mol) eines α,ω-hydrogenfunktionellen
Siloxans mit einem Molekulargewicht (Zahlenmittel)
von 4520 g/Mol und 4 ml Toluol wurde 1 Stunde lang zur Bildung
des Azeotrops erwärmt. Die Mischung wurde dann auf 30°C
abgekühlt und 1,281 g (0,0025 Mol) Bis(dimethylvinylsilyl)-
benzopinacolat und 8 µl Platin-Siloxan Katalysator zugegeben.
Die Temperatur der Reaktionsmischung wurde auf 40°C gebracht
und die Polymerisation während eines Zeitraums von 2 Stunden
durchgeführt. Dann wurden 46 g α-Methylbenzylmethacrylat zugegeben
und die Reaktionsmischung gründlich mit Stickstoff
gespült.
Die Reaktionsmischung wurde langsam auf 100°C zur Initiierung
der Polymerisation erwärmt. Nach 8 Stunden wurde die
Polymerisation durch Abkühlen beendet und das erhaltene Produkt
in Methylenchlorid aufgelöst. Das Produkt wurde durch
Gießen der Lösung in Methanol isoliert, das weiße Produkt
durch Filtration gesammelt, mit Methanol gewaschen und abschließend
über Nacht bei 60°C im Vakuum getrocknet. Auf Basis
des Herstellungsverfahrens war das Produkt ein Polydimethylsiloxan-
Polymethylmethacrylat-Blockpolymeres mit chemisch
gebundenen Methylbenzylcarboxylatgruppen an der Polymethylmethacrylat-
Hauptkette. Die Ausbeute an Blockpolymerem
betrug 79%.
Es wurde eine Photoresist-Lösung unter Verwendung von 0,5 g
des obigen Blockpolymeren, 0,1 g 4-tert.-Butylcatechol, 0,05 g
Di-(tert.-butylphenyl)-iodoniumhexafluoroantimonat und 6 ml
2-Methoxypropylacetat hergestellt. Die Resist-Lösung wurde
auf Siliciumscheiben mit einem Durchmesser von 76,2 mm
(3 inch), die vorher mit Hexamethyldisilazan behandelt worden
waren, durch Spinnbeschichtung aufgebracht. Die Scheiben
wurden dann in einem Luftofen mit Zwangsumwälzung bei 90°C
30 Minuten lang gebrannt. Bildweise Belichtung wurde dann
unter Verwendung eines "MA56", (hergestellt von der Fa. Carl Suss America Inc., Waterbury
Center, Vermont) betrieben in dem Kontaktmodus
bei 250 nm und unter Verwendung einer "multidensity"-
Quarzmaske (Maske mit variabler Durchlässigkeit auf einer Scheibe),
durchgeführt. Optimale Belichtungs-, Brenn- und
Entwicklungsbedingungen sind Belichtungen von 1 bis 5 Sekunden,
gefolgt von einem zweiten Brennen während eines Zeitraums
von 15 bis 30 Sekunden bei 130°C. Die Scheiben wurden
dann während 30 bis 60 Sekunden durch Eintauchen in KTI 351-
Entwicklerlösung entwickelt. Unter diesen Bedingungen wurden
aufgehellte 2 µm-Bilder mit hoher Auflösung erhalten.
Obwohl die obigen Beispiele auf lediglich einige wenige der
sehr zahlreichen Variablen, die bei der praktischen Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens angewandt werden
können, abgestellt sind, sei darauf hingewiesen, daß die vorliegende
Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer
viel breiteren Vielzahl von silicon-organischen Blockpolymeren
und Arylonium-Salzen gerichtet ist, wie dies in der diesen
Beispielen vorangehenden Beschreibung und den erhaltenen
Photoresist-Zubereitungen gezeigt wird. Bevorzugterweise
sind die Arylonium-Salze Triarylsulfonium, wie beispielsweise
Triphenylsulfonium, Thiophenoxydiphenylsulfonium,
Bis[4-(diphenylsulfonio)-phenyl]-sulfid und Diaryliodonium,
wie Diphenyliodonium, und die bevorzugten Anionen sind Perchlorat,
Fluoroborat, Trifluoromethansulfonat und MF, worin M
aus Phosphor, Arsen und Antimon ausgewählt ist. Die Vinylmonomeren
der allgemeinen Formel I können ebenfalls als Mischungen
verwendet werden, einschließend Kombinationen mit bis zu
etwa 30 Molprozent, bezogen auf die Gesamtzahl der Mole der
Monomeren in der Mischung der anderen freiradikalisch polymerisierbaren
Vinylmonomeren, wie 4-Bromstyrol, 4-Chlorstyrol,
und dergleichen. Außerdem wurde festgestellt, daß man
zur Ausbildung einer verbesserten Ätzbeständigkeit und erwünschter
Resist-Eigenschaften in den erfindungsgemäßen
Blockpolymer-Zubereitungen von etwa 5 bis 80 Gewichtsprozent,
und vorzugsweise 10 bis 30 Gewichtsprozent Silicon, bezogen
auf das Gewicht der Blockpolymer-Zubereitung, anwenden kann.
Auf alle in der vorliegenden Beschreibung angeführten Patentschriften
und Veröffentlichungen wird ausdrücklich Bezug genommen
und der Offenbarungsgehalt aller dieser Veröffentlichungen
durch diese Bezugnahme in vollem Umfang in die vorliegende
Anmeldung integriert.
Claims (15)
1. Zubereitung, dadurch gekennzeichnet,
daß sie
- (A) ein silicon-organisches Blockpolymeres, das aus der freiradikalischen Polymerisation in Gegenwart von organischem Lösungsmittel eines freiradikalisch polymerisierbaren organischen Monomeren der nachfolgenden Formel und einem Silicon-Vorpolymeren, bestehend im wesentlichen aus chemisch gebundenen Diorganosiloxy-Einheiten, das in seiner Hauptkette oder in der Endstellung zumindest einen chemisch gebundenen Bissilylpinacolatrest aufweist, der bei Thermolyse zur Bildung eines freiradikalischen Initiators fähig ist, erhalten wurde und
- (B) eine wirksame Menge von Arylonium-Salz, das zumindest ein chemisch gebundenes Anion aufweist, welches fähig ist, in dem silicon-organischen Blockpolymeren, eine durch Säure katalysierte chemische Umsetzung zu bewirken, die ausreicht, um seine Löslichkeitseigenschaften zu ändern, wenn es elektromagnetischer oder Teilchenstrahlung ausgesetzt wird, enthält, wobei in der Formel R aus Wasserstoff, einem C(1-8)-Alkylrest, oder einer Mischung daraus, ausgewählt ist, R1 ein einwertiger C(1-14)-Kohlenwasserstoffrest oder ein durch Reste, die während der Polymerisation neutral sind, substituierter Kohlenwasserstoffrest ist, Q ein aus den nachfolgenden Resten -CO2-Y -R2CO2Y und R2OZworin Y und Z saure labile Reste bedeuten, ausgewählter einwertiger Rest ist und R2 aus C(6-14)-aromatischen Kohlenwasserstoffresten und aus C(6-14)-aromatischen Kohlenwasserstoffresten, die mit bis zu fünf kerngebundenen Resten, die gleich oder verschieden sein können und sich während der freiradikalischen Polymerisation neutral verhalten, substituiert sind, ausgewählt ist.
2. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Arylonium-Salz ein Diaryliodonium-
Salz mit einem Anion ist, ausgewählt aus Hexafluoroarsenat,
Trifluoromethansulfonat, Hexafluoroantimonat und Hexafluorophosphat.
3. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Arylonium-Salz ein Triarylsulfonium-
Salz mit einem Anion ist, ausgewählt aus Hexafluoroarsenat,
Trifluoromethansulfonat, Fluoroborat, Hexafluoroantimonat
und Hexafluorophosphat.
4. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das freiradikalisch polymerisierbare
organische Monomere 4-tert.-Butoxystyrol ist.
5. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das freiradikalisch polymerisierte
organische Monomere tert.-Butylmethacrylat ist.
6. Zubereitung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Diaryliodonium-Salz Di-4-
(tert.-butylphenyl)-iodoniumhexafluoroantimonat ist.
7. Zubereitung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das Triarylsulfonium-Salz Triphenylsulfoniumhexafluoroantimonat
ist.
8. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine Resist-Zubereitung
ist.
9. Resist-Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Katalysator aus einer
Kombination eines Oniumsalzes und eines Sensibilisators besteht.
10. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sie eine Photoresist-Zubereitung
ist.
11. Zubereitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Siliconblock des silicon-
organischen Blockpolymeren ein Polydimethylsiloxan ist.
12. Resist-Zubereitung, dadurch gekennzeichnet,
daß sie
- (C) ein silicon-organisches Blockpolymeres der Formel worin A ein mit B durch Kohlenstoff-Silicium-Bindungen verbundener Siliconblock ist und im wesentlichen aus chemisch gebundenen Diorganosiloxy-Einheiten der nachfolgenden Formel(R)2SiObesteht, worin R aus einwertigen C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten und mit während der anionischen oder freiradikalischen Polymerisation neutralen Resten substituierten C(1-14)-Kohlenwasserstoffresten ausgewählt ist und B ein Polyvinylarylenblock, bestehend im wesentlichen aus chemisch gebundenen Vinylarylen- Einheiten, die mit zumindest einer sauren labilen Gruppe der nachfolgenden FormelOZsubstituiert ist, worin Z ein tertiärer Organo- oder Organosilicon- Rest ist und x eine positive ganze Zahl bedeutet, und
- (D) eine wirksame Menge eines Arylonium-Salzes, enthält.
13. Zubereitung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß der Polyvinylarylenblock des
silicon-organischen Blockpolymeren ein Polystyrolblock ist.
14. Resist-Zubereitung gemäß Anspruch 12.
15. Photoresist-Zubereitung gemäß Anspruch 12.
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| DE19873710320 Withdrawn DE3710320A1 (de) | 1986-04-30 | 1987-03-28 | Blockpolymer-zubereitungen |
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| Country | Link |
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| US (1) | US4689289A (de) |
| JP (1) | JPS62277417A (de) |
| KR (1) | KR950011919B1 (de) |
| BE (1) | BE1001638A4 (de) |
| CA (1) | CA1280231C (de) |
| DE (1) | DE3710320A1 (de) |
| FR (1) | FR2598149B1 (de) |
| GB (1) | GB2190086B (de) |
| IT (1) | IT1208032B (de) |
| NL (1) | NL8700989A (de) |
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| FR2598149A1 (fr) | 1987-11-06 |
| SE8701786D0 (sv) | 1987-04-29 |
| IT1208032B (it) | 1989-06-01 |
| GB2190086B (en) | 1990-02-07 |
| GB2190086A (en) | 1987-11-11 |
| NL8700989A (nl) | 1987-11-16 |
| BE1001638A4 (fr) | 1990-01-09 |
| JPS62277417A (ja) | 1987-12-02 |
| KR950011919B1 (ko) | 1995-10-12 |
| SE463156B (sv) | 1990-10-15 |
| US4689289A (en) | 1987-08-25 |
| CA1280231C (en) | 1991-02-12 |
| GB8709102D0 (en) | 1987-05-20 |
| KR870010129A (ko) | 1987-11-30 |
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| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |