DE3330383A1 - Eingangsverstaerkerschaltung mit verbesserter rauschfreiheit - Google Patents
Eingangsverstaerkerschaltung mit verbesserter rauschfreiheitInfo
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Description
HOFFMANN · EITLE & PARTNER
PATENT-UND RECHTSANWÄLTE
PATENTANWÄLTE DIPL-ING. W. EITLE ■ DR. RER. NAT. K. HOFFMANN · DIPL.-ING. W. LEHN
DIPL.-ING. K. FDCHSLE · DR. RER. NAT. B. HANSEN · DR. RER. NAT. H.-A. BRAUNS · DIPL.-ING. K. GDRG
DIPL-ING. K. KOHLMANN · RECHTSANWALT A. NETTE
- 6 - 30 094 q/gt
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA Tokyo / JAPAN
Rauschfreiheit
Die vorliegende Erfindung betrifft eine verbesserte Eingangsverstärkerschaltung,
die in einer integrierten Halbleiterschaltung verwendbar ist.
In einer integrierten Halbleiterschaltung treten Rauschsignale bevorzugt am Eingangsanschluß von Eingangsverstärkerschaltungen
auf. Wenn solch ein externes Rauschsignal wahllos auf eine Eingangsverstärkerschaltung übertragen
wird, kann die integrierte Schaltung fehlerhaft . arbeiten. Um nun diese Schwierigkeit zu beheben, kann eine
Eingangsverstärkerschaltung verwendet werden, die auf einer Schmitt-Trigger-Schaltung basiert.
Fig. 1 zeigt eine Schaltung als Beispiel für eine konventionelle Eingangsverstärkerschaltung, in der eine Schmitt-Trigger-Schaltung
verwendet wird, die sich aus N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistoren
(FETs) zusammensetzt. In Fig. 1 ist mit 1 ein Schmitt-Trigger-Verstärker, mit 2 ein Eingangsanschluß,
mit 3 ein Ausgangsanschluß, mit 4 ein erster Spannungsquellenanschluß für die Zuschaltung einer Spannung
ARABELLASTRASSE A · D-SOOO MDNCHEN 81 . TELEFON CO8E0 911OS7 ■ TELEX O5-29619 CPATHEJ · TELEKOPIERER 9183
VDD zum Betrieb des Schmitt-Trigger-Verstärkers 1, und
mit 5 eine Rückfuhrungsverbindung bzw. Rückleitung zur
Erzeugung einer Rückleitungsspannung V35, wie z.B. Erdpotential
bezeichnet. "Die Rückleitung ist bzw. bildet einen zweiten Spannungsquellenanschluß. Ein Feldeffekttransistor 6
ist vom .Verarmungstyp, während die Feldeffektransistoren
7 und 8 vom Anreicherungstyp sind. Die Feldeffektransistoren 7 und 8 sind an einem Verbindungspunkt 9 miteinander
verbunden und bilden eine Serienschaltung. Der Eingangsanschluß 2 ist mit den Steuerelektroden (Gate) der
Feldeffekttransistoren 7 und 8 verbunden. Die Feldeffekttransistoren 6 und 7 sind an einem Anschlußpunkt miteinander
verbunden, der außerdem mit dem Gate des Feldeffekttransistors 6, mit dem Gate eines weiteren Feldeffekttransistors
10 vom Anreicherungstyp und mit dem Ausgangsanschluß 3 verbunden ist. Die Quelle- und Senke-Elektroden
des Feldeffekttransistors 10 sind jeweils mit dem Spannungsquellenanschluß 4 und mit dem Anschlußpunkt 9
verbunden.
Die Eingangsverstärkerschaltung arbeitet beim Anlegen eines Signals an den Eingangsanschluß folgendermaßen,
wobei angenommen wird, daß das Eingangssignal ein logisch positives Signal ist.
In dem Fall, in dem eine Spannung, die geringer als die
Schwellwertspannung des Feldeffekttransistors 8 ist, dem Eingangsanschluß 2 zugeführt wird, wird der Schmitt-Trigger-Verstärker
1 in einem stabilen Zustand gehalten. Die Feldeffekttransistoren 7 und 8 sind in diesem Falle nicht
leitend (ausgeschaltet). Da der Feldeffekttransistor 6 ein MOS-Transistor vom Verarmungstyp ist, weist das Potential
am Ausgangsanschluß 3 einen hohen Pegel auf. Da der
Ausgangsanschluß sich auf hohem Pegel befindet, wird der Feldeffekttransistor 10 leitend gemacht. Auf diese Weise
ist das Potential an dem Verbindungspunkt 9 sehr viel höher als das an dem Eingangsanschluß 2.
5
Wenn das Potential am Eingangsanschluß 2 die Schwellwertspannung V_g des Feldeffekttransistors 8 überschreitet,
wird der Feldeffekttransistor 8 in den leitenden Zustand überführt. Das bedeutet, daß er sich in einem Niedrig-impedanzzustand
befindet, so daß der Strom von der Quelle des Rückkopplungs-Feldeffekttransistors 10 durch den Feldeffekttransistor
8 über den Verbindungspunkt 9 fließt. In dieser Betriebsweise ist der Feldeffekttransistor 7 nicht
leitend, was bedeutet, daß er einen hohen Impedanzzustahd aufweist. Wenn die Eingangsspannung weiter ansteigt und
die Summe VTTT des Schwellwertes V_n des Feldeffekttranistors
7 und des Potentials Vg„ an der Verbindungsstelle 9
überschreitet, werden beiden Feldeffekttransistoren 7 und 8 leitend. Das Potential am Ausgangsanschluß 3 wird dann
auf den niedrigen Spannungspegel gesetzt, wobei der Feldeffekttransistor
10 in den nichtleitenden Zustand überführt wird. Sogar wenn die Eingangsspannung den oben beschriebenen
Wert VT„ übersteigt, wird dieser Zustand aufrecht-
XxI
erhalten. Die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und
der Ausgangsspannung ist in Fig. 2 durch die Kurve a dargestellt.
In dem Fall, in dem die Eingangsspannung ausgehend von
einem Wert der größer ist als der Wert VXTT abnimmt, arbei-
Xn tet die Schaltung folgendermaßen. Wenn die Eingangsspannung geringer wird als die Summe VTT der Schwellwertspan-
XXi
nung V7L des Feldeffekttransistors 7 und des Potentials
Vql am Verbindungspunkt 9, wird der Feldeffekttransistor
7 in den nichtlietenden Zustand überführt. Da der Feldeffekttransistor
6 ein MOS-Transistor vom Verarmungstyp ist, wird das Potential des Ausgangsanschlusses 3 sodann
auf einen hohen Pegel durch den Feldeffekttransistor 6 angehoben. Das Potential Vg am Verbindungspunkt 9 wird
dann, wenn der Feldeffekttransistor 7 vom Niedrig-impedanzzustand
in den hohen Impedanzzustand überführt wird/ niedriger als das Potential VgR an diesem Punkt, wenn der
hohe Impedanzzustand des Feldeffekttransistors 7 in den Niedrig-Impedanz2ustand wechselt. Demzufolge ist die Eingangsspannung
VT„ dann, wenn sie sich vom Niedrig-Ircpedanzstand
des Feldeffekttransistors 7 in den hohen Impedanzzustand bewegt, niedriger als in dem Falle, in dem der
hohe Impedanzzustand des Feldeffekttransistors 7 in den
Niedrig-Impedanz zustand geändert wird. Die Beziehung zwischen
der Eingangsspannung und der Ausgangsspannung ist in dieser Betriebsweise durch den Kurvenverlauf b in Fig.
/■
2 dargestellt.
2 dargestellt.
Die Schmitt-Trigger-Verstärkerschaltung mit ihrem zuvor
beschriebenen Aufbau hat somit zwei unterschiedliche Schwellwert spannungen: Die Schwellwertspannung VXTJ verschiebt
die Eingangsspannung von einem Niedrigpegel zu einem hohen Pegel, während die Schwellwertspannung V__
XL die Eingangsspannung von einem hohen Pegel zum niedrigen
Pegel verschiebt. Demzufolge besteht in einer Schmitt-Trigger-Verstärkerschaltung
1 gemäß dem zuvor beschriebenen Aufbau eine geringe Wahrscheinlichkeit einer fehlerhaften
Betriebsweise im Zusammenhang mit einem Rauscheingangssignal, welches von einem Niedrigpegel zu einem hohen
Pegel anwächst und mit einem Rauscheingangssignal, welches von einem hohen Pegel auf den Niedrigpegel abfällt, und
zwar verglichen mit einer Eingangsverstärkerschaltung, die
nur einen Schwellwert V„ (Vx„ >
V,, > VXT) aufweist.
N lh IN IJj
Dies wird im folgenden im Detail anhand der Fig. 3 beschrieben.
Fig. 3 zeigt einen Eingangsspannungsverlauf A und eine
Ausgangsspannungswellenform B, die von der Wellenform A abgeleitet ist. Wenn eine Rauscheingangsspannung größer
als Vn ist (die Schwellwertspannung in einer Eingangsverstärkerschaltung
hat nur eine Schwellwertspannung), aber niedriger als Vx„ ist, dann bleibt die Ausgangsspan-
lri
nung unverändert. Wenn außerdem die Eingangsspannung größer als der Schwellwert ist, die Ausgangsspannung auf den
Niedrigwert abfällt und die Rauscheingangsspannung geringer ist als der Wert Vx^, bleibt die Ausgangsspannung
ebenfalls im ungeänderten Zustand.
In der zuvor beschriebenen Schmitt-Trigger-Verstärkerschaltung 1 ist es theoretisch möglich, die Wahrscheinlichkeit
einer fehlerhaften Arbeitsweise durch Anheben der Schwellwertspannung Vx„ und durch Absenken der Schwellwertspannung
VXT zu vermindern. In der Praxis jedoch ist
es schwierig diese Spannungen präzise einzustellen, und zwar auf gewünschte Pegelwerte, da die Spannungen von den
elektrischen Charakteristiken einer nichtdargestellten Signalquellenschaltung abhängen, die mit dem Eingangsanschluß
2 verbunden ist. So ist es ziemlich schwierig, die Schmitt-Trigger-Verstärkungsschaltung
1 so auszubilden, daß Rauschsignale wie gewünscht beseitigt werden.
Zur Beseitigung dieser Schwierigkeiten der bekannten Schaltung schafft die Erfindung eine Eingangsverstärkerschaltung,
in der aufgrund der Tatsache, daß die Pulsbreite eines Rauschsignals im allgemeinen kleiner ist als die
Pulsbreite eines eine Information beinhaltenden Eingangssignals, eine Verzögerungsschaltung in die Rückkopplungsschleife
einer Schmitt-Trigger-Verstärkungsschaltung eingefügt wird, um auf diese Weise die Wirkung eines
Rauschsignales zu eliminieren, welches eine eingestellte Schwellwertspannung übersteigt, jedoch eine geringe Breite
aufweist.
Insbesondere umfaßt die Erfindung eine Eingangsverstärkerschaltung
unter Einbeziehung einer Schmitt-Trigger-Schaltung mit einem Eingangsanschluß, einem Ausgangsknotenpunkt
und einem Rückkopplungsknotenpunkt mit der am Ausgangsknotenpunkt auftretenden Spannung, die eine Hysteresecharakteristik
bezüglich einer Eingangsspannung aufweist, die
an den Eingangsanschluß angelegt wird. Eine Verzögerungsschaltungseinrichtung
ist vorgesehen, die ein Potential an den Ausgangsknotenpunkt der Schmitt-Trigger-Schaltung
auf den Rückkopplungsknotenpunkt derselben Schaltung mit einer vorgegebenen Verzögerungszeit überträgt. Hierdurch
soll eine Ausgangsspannung am Ausgangsanschluß entsprechend
der am Eingangsanschluß auftretenden Eingangsspannung geschaffen werden.
Die durch den Stand der Technik gegebenen Nachteile werden durch die Merkmale des Kennzeichens des Patentanspruchs 1
gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung finden sich in den Unteransprüchen.
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Im folgenden werden einige Ausführungsformen anhand der Fig. 1 bis 5 in der Zeichnung beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltung für eine konventionelle Eingangsverstärkerschaltung
auf der Basis einer Schmitt-Trigger-Schaltung,
Fig. 2 einen charakteristischen Spannungsverlauf
der Eingangsspannung in Abhängigkeit von der Ausgangsspannung der Schaltung gemäß Fig. 1,
Fig. 3 einen schematischen Wellenformverlauf der
Eingangsspannung sowie der Ausgangsspannung
in einem konventionellen Eingangsverstärker gemäß Fig. 1,
Fig. 4 eine schematische Schaltung als Ausführungsbeispiel
für eine Eingangsverstärkerschaltung
gemäß der Erfindung, und
Fig. 5 einen Spannungsverlauf, in dem die Eingangsspannung gegenüber der Ausgangsspannung der
Schaltung gemäß Fig. 4 dargestellt ist.
Die Fig. 4 und 5 zeigen demnach ein Ausführungsbeispiel nach der Erfindung. In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen
11 eine Eingangsverstärkerschaltung, das Bezugszeichen einen Eingangsanschluß, das Bezugszeichen 13 einen Ausgangsanschluß
, während mit 14 ein erster Spannungsversorgungsanschluß
für den Anschluß einer Versorgungsspannung VDD und mit 15 eine Rückführung bezeichnet ist, die als
zweiter Spannungsquellenanschluß dient, und zwar für die Erzeugung einer Rückführungsspannung, wie z.B. der Massepegel.
Die Eingangsverstärkerschaltung setzt sich zusammen aus η-Kanal MOS-Feldeffekttransistoren und insbesondere aus
Feldeffekttransistoren 16, 20, 22, 24 und 26 vom Verar-
mungstyp und aus MOS-Feldeffekttransistoren 17, 18, 21,
23, 25 und 27 vom Anreicherungstyp. Die Transistoren 16,
17 und 18 werden im folgenden jeweils als erster, zweiter und dritter Transistor bezeichnet (zur einfacheren Kennzeichnung
in der Beschreibung). Der erste, zweite und dritte Transistor 16, 17 und 18 sind in Serie zwischen
dem ersten Versorgungsspannungsanschluß 17 und der Rückführung 15 geschaltet. Sie bilden so eine Eingangsschaltung
I. Der Verbindungspunkt 28 des ersten und zweiten Transistors 16 und 17 arbeitet als ein Ausgangsknotenpunkt
der Eingangsschaltung I, während der Verbindungspunkt 19 des zweiten und dritten Transistors 17 und 18 als
ein Rückkopplungsknotenpunkt arbeitet. Das Gate des ersten Transistors 16 ist mit dem Ausgangsknotenpunkt 28
verbunden, während die Steuerelektroden des zweiten und dritten Transistors 17 und 18 an den Eingangsanschluß
angeschlossen sind. Außerdem ist mit den Bezugszeichen und 21 jeweils ein Ladungstransistor und ein Treibertransistor
bezeichnet, die eine erste Stufe einer Inverterschaltung bilden. 22 und 23 sind jeweils ein Ladungstransistor
und ein Treibertransistor, die als zweite Stufe eine Inverterschaltung bilden. 24 und 25 sind jeweils ein
Ladungstransistor und ein Treibertransistor, die als dritte Stufe eine Inverterschaltung bilden. 26 und 27 sind jeweils
ein Ladungstransistor und ein Treibertransistor, die als Endstufe eine Inverterschaltung bilden. In jeder dieser
Stufen ist die Inverterschaltung zwischen dem ersten Spannungsquellenanschluß 14 und der Rückführungsleitung
verbunden. Das Gate des Ladungstransistors ist mit dem Anschlußpunkt des Ladungstransistors und des Treibertransistors
verbunden, welches der entsprechende Ausgangsknotenpunkt ist. Die Ausgangsknotenpunkte 29, 30 und 31 der Inverterschaltungen
der ersten, zweiten und dritten Stufe
sind mit den Steuerelektroden der Treibertransistoren 23, 25 und 27 in den Inverterschaltungen der zweiten, dritten
und vierten Stufe jeweils verbunden, um eine Verzögerungsschaltung II zu bilden, die aus vier in Kaskade verbundenen
Invertern besteht. Das Gate des Treibertransistors 21 der ersten Stufe der Inverterschaltung ist mit dem Ausgangsknotenpunkt
28 der Eingangsschaltung I verbunden. Der Ausgangsknotenpunkt 32 der Endstufe der Inverterschaltung
ist mit dem Rückkopplungsknotenpunkt 19 der Eingangsschaltung I verbunden. Das Gate des Treibertransistors
in der Endstufe der Inverterschaltung ist mit dem Ausgangsanschluß 13 verbunden. Die Eingangsschaltung I und die Verzögerungsschaltung
II bilden einen Schmitt-Trigger-Verstärker als eine sogenannte Eingangsverstärkerschaltung 11.
In der zuvor beschriebenen Eingangsverstärkerschaltung besteht die Verzögerungsschaltung aus vier in Kaskade verbundenen
Invertern. Jedoch ist die Erfindung nicht auf diese Anordnung beschränkt. Das bedeutet, daß die Verzögerungsschaltung
aus in Kaskade verbundenen Invertern bestehen kann, mit einer anderen Anzahl von Stufen, z.B.
geradzahlige Anzahlen von Stufen wie z.B. zwei Stufen oder sechs Stufen.
Ein Kondensator 33 ist zwischen der Rückführungsleitung 15 und dem Gate des Treibertransistors in der zweiten
Stufe der Inverterschaltung verbunden. Ähnlich ist ein Kondensator 34 zwischen der Rückführungslinie 15 und dem
Gate des Treibertransistors in der Endstufe der Inverterschaltung verbunden, um die Verzögerungszeit der Verzögerungsschaltung
zu vergrößern.
Die Arbeitsweise der Eingangsverstärkerschaltung der zuvor
beschriebenen Ausgestaltung wird im folgenden beschrieben, wobei ein Signal an den Eingangsanschluß 12 gelegt wird
und wobei das Eingangssignal ein logisch positives Signal ist.
5
5
Wenn eine Spannung an den Eingangsanschluß 12 gelegt wird,
die niedriger ist als die Schwellwertspannung des dritten Transistors 18, wird die Eingangsverstärkerschaltung 11
in einem stabilen Zustand gehalten. Dies bedeutet, daß der zweite und dritten Transistor 17 und 18 nichtleitend
sind, während der Ausgangsknotenpunkt 28 der Eingangsschaltung I spannungsmäßig auf einen hohen Pegel durch den
ersten Transistor 16 angehoben wird. Das bedeutet, daß
der Feldeffekttransistor 21 durchgesteuert wird, daß der Feldeffekttransistor 23 ausgeschaltet wird, daß der Feldeffekttransistor
25 durchgesteuert wird und daß der Feldeffekttransistor 27 gesperrt wird, so daß der Ausgangsknotenpunkt
32 und der Rückkopplungsknotenpunkt 19 auf einen hohen Pegel angehoben werden. In diesem Fall befindet sich
der Ausgangsknotenpunkt 31 auf niedrigem Pegel, so daß der Ausgangsknotenpunkt 31 sich ebenfalls auf niedrigem
Pegel befindet.
Wenn sich die Eingangsspannung vom Niedrigpegel zum hohen
Pegel ändert und dabei die Schwellwertspannung des Transistors 18 übersteigt, wird der dritte Transistor 18 in
den Niedrig-Iir.pedanzzustand überführt, wobei der Strom von
dem ersten Spannungsquellenanschluß über den Feldeffektransistor 26, den Ausgangsknotenpunkt 32, den Rückkopplungsknotenpunkt
19 und den dritten Transistor 18 zur Rückführungsleitung 15 fließt. Bei dieser Betriebsweise wird der
zweite Transistor 17 im hohen Impedanzzustand gehalten.
Wenn die Eingangsspannung weiter ansteigt und hierbei die
Summe V-H aus dem Potential V1„„ des Rückkopplungsknotenpunkts
19 und aus der Schwellwertspannung V„H des zweiten
Transistors 17 übersteigt, wird der zweite Transistor 17 in den Niedrig-Impedanzzustand überführt, wobei das Potential
am Ausgangsknotenpunkt 28 durch den zweiten und dritten Transistor 17 und 18 in den Niedrigpegelzustand überführt
wird. Daraus folgt, daß der Feldeffekttransistor 21 ausgeschaltet wird, daß der Feldeffekttransistor 23 durchgesteuert
wird, daß der Feldeffekttransistor 25 gesperrt und daß der Feldeffekttransistor 27 als Folge durchgesteuert
wird. Auf diese Weise entsteht eine vorgegebene Verzögerungszeit bei der Änderung der Eingangsspannung vom
Niedrigpegel auf den hohen Pegel. Der Ausgangsknotenpunkt 32 und der Rückkopplungsknotenpunkt 19 werden auf Niedrigpegel
gesetzt, während der Ausgangsanschluß 13 auf hohen Pegel angehoben wird. Diese Situation wird sogar aufrechterhalten,
wenn die Eingangsspannung weiter ansteigt.
Der Fall, in dem die Eingangsspannung von einem Wert abfällt,
der größer als der zuvor beschriebene Wert VTTI ist,
wird nun im folgenden beschrieben. Wenn die Eingangsspannung geringer wird als die Summe V__ aus dem Potential V.o_
IL Ί yL
des Rückkopplungsknotenpunktes 19 und aus der Schwellwertspannung V des zweiten Transistors 17, wird der zweite
Transistors 17 in den hohen Impedanzzustand überführt, wobei der Ausgangsknotenpunkt 28 aus dem Niedrigpegel in den
hohen Pegel angehoben wird. Auf diese Weise wird der Feldeffekttransistor
21 durchgesteuert, der Feldeffektransistor 23 gesperrt, der Feldeffekttransistor 25 durchgesteuert
und der Feldeffekttransistor 27 gesperrt, so daß der Niedrigpegel am Ausgangsanschluß 13 erscheint. Das Potential
V1Q1- des Rückkopplungsknotenpunktes 19 ist dann,
wenn der Niedrigimpedanzzustand des zweiten Transistors 17 wie zuvor beschrieben sich in den hohen Impedanzustand
ändert, niedriger als die Spannung V1Q1 am Rückkopplungsknotenpunkt
19, wenn der Niedrigimpedanzzustand des zweiten Transistors 17 in den hohen Impedanzzustand wechselt.
Folglich ist die Eingangsspannung V_T dann, wenn der Niedr
ig.-Impedanzzustand des zweiten Transistors 17 in den hohen Impedanzzustand wechselt, niedriger als der vorhandene
Pegel V1 , wenn der hohe Impedanzzustand des zweiten
Transistors 17 in den Niedrigimpedanzzustand wechselt.
Auf diese Weise bringt die Ausgangsspannung eine Hysteresecharakteristik
hervor, und zwar bezüglich der Eingangsspannung. Änderungen der Ausgangsspannung werden durch eine
vorgegebene Zeitperiode,gerechnet vom Zeitpunkt des Auftretens der Änderungen in der Eingangsspannung,verzögert.
Die Wirkungsweise der Eingangsverstärkerschaltung wird nun im folgenden beschrieben, wobei ein Rauschsignal auf den
Eingangsanschluß 12 gelegt wird.
Zunächst wird der Fall beschrieben, in dem ein Rauschsignal am Eingangsanschluß 12 vom Niedrigpegel auf einen
hohen Pegelwert ansteigt, wenn die Eingangsspannung
sich auf niedrigem Pegel befindet. Wenn die Spannung des Rauschsignals am Eingangsanschluß 12 ausreichend geringer
ist als der Schwellwert des dritten Transistors 18, werden die Ausgangsknotenpunkte 28 und 32 auf hohen Pegelwert gehalten.
Ihre Potentiale werden durch das Rauschsignal nicht angegriffen. Wenn das Rauschsignal am Eingangsanschluß
einen Pegel aufweist, der wie durch a und b in Fig. 5 angezeigt, den zweiten und dritten Transistor 17 und 18 leitend
macht, wird der Ausgangsknotenpunkt 28 auf niedrigen Pegel
gesetzt. Aufgrund der Tatsache, daß ein am Eingangsanschluß jedes Inverters angelegtes Signal verzögert wird
bevor der Ausgangsknotenpunkt der dritten Stufe der Inverterschaltung (Ausgangsanschluß 13) auf einen hohen Pegelwert
ansteigen kann, ist bereits die Rauschsignalspannung schon wieder abgefallen. Wenn die Rauschsignalspannung
geringer wird als VIH, wird der zweite Transistor 17 gesperrt.
Demzufolge wird der Ausgangsanschluß 13 daran gehindert
auf einen hohen Pegelwert angehoben zu werden, obwohl der Ausgangsknotenpunkt 28 auf den hohen Pegelwert
angehoben wird (der Ausgangsknotenpunkt 28 ist der Eingang zu der Inverteranordnung). Auf diese Weise wird die
Ausgangsspannung durch das Rauschsignal nicht beeinträchtigt.
Obwohl die Eingangsverstärkerschaltung eine Hysteresecharakteristik
der zuvor beschriebenen Art aufweist, kann die Tatsache, daß das Rauscheingangssignal abgesunken ist, erfaßt
werden mit Spannungspegel VT„, und zwar solange, wie
der Rückkopplungspunkt 32 sich auf hohem Pegelwert befindet, Demzufolge wird der Wiederherstellungsbetrieb bzw. der ursprüngliche
Zustand schnell wieder erreicht, wobei das " Rauschsignal wirksam beseitigt ist. Dies wird nun in größerer
Ausführlichkeit in bezug auf Fig. 5 beschrieben.
Fig. 5 zeigt einen Spannungsverlauf mit der entsprechenden Charakteristik der Eingangsverstärkerschaltung nach der Erfindung.
In Fig. 5 bezeichnen A eine Eingangsspannungswellenform
und B eine Ausgangsspannungswellenform. Ferner ist in Fig. 5 mit A ein Spannungsimpuls bezeichnet, der ein
Rauschsignal darstellt, welches nicht den Schwellwert V_ erreicht. Mit b ist ein Impuls eines Rauschsignals bezeichnet,
welches den Schwellwert VXTI übersteigt und das eine
In
JOOUJOO
Pulsbreite aufweist, die kleiner ist als die Schaltungsverzögerungszeit.
Solche Rauschsignale werden beseitigt, wobei verhindert wird, daß sie die Ausgangsspannung beeinträchtigen,
wie dies aus dem Ausgangsspannungswellenverlauf B ersichtlich ist. Ein Impuls c ist ein normal
angenommenes Eingangssignal, welches den Schwellwert VT
übersteigt und welches eine Impulsbreite aufweist, die größer ist als die S.chaltungsverzögerungszeit. Ein solcher
Impuls c zeigt sich als Ausgangsspannungsimpuls von der Form B.
Wenn, wie zuvor beschrieben, ein Eingangssignal an den Eingangsanschluß 12 gelegt wird, das ansteigt und dann
innerhalb der Verzögerungszeit der Inverteranordnung (Verzögerungsschaltung)
wieder abfällt, dann wird ein solches Signal gänzlich vom Schaltungsausgang beseitigt. Wenn ein
Eingangssignal auf hohem Pegelwert zumindest während der Dauer der Verzögerungszeit aufrechterhalten wird, wird
es als normales Eingangssignal akzeptiert. Wenn das Eingangssignal wieder fällt, wird die Schmitt-Trigger-Charakteristik
wirksam. Auf diese Weise kann die Eingangsverstärkerschaltung Rauschsignale wirksam beseitigen bzw. unterdrücken.
Während die Erfindung anhand eines Beispiels beschrieben worden ist, in dem das Eingangssignal vom Niedrigpegel
auf den hohen Pegelwert angehoben wird, sollte erwähnt werden, daß das technische Konzept der Erfindung in gleicher
Weise anwendbar ist auf den Fall, in dem das Eingangssignal von einem hohen Pegelwert auf den Niedrigpegelwert gesetzt
wird.
In der zuvor beschriebenen Eingangsverstärkerschaltung kön-
nen der Ladungstransistor 26 und der Treibertransistor 27,
die die Endstufe der Inverterschaltung bilden, der ein
Rückkopplungstreiberinverter zum Knotenpunkt 19 ist, ersetzt werden durch eine Gegentaktpufferschaltung aufgebaut aus MOS-Feldeffektransistoren vom Anreicherungstyp.
Rückkopplungstreiberinverter zum Knotenpunkt 19 ist, ersetzt werden durch eine Gegentaktpufferschaltung aufgebaut aus MOS-Feldeffektransistoren vom Anreicherungstyp.
Der Ausgangsanschluß 13 kann von einem gewünschten Ladungsfeldeffekttransistor ausgehen. Außerdem ist im zuvor beschriebenen
Eingangsverstärker die Verzögerungsschaltung aus Invertern aufgebaut. Jedoch kann diese Verzögerungsschaltung
ersetzt werden durch eine andere Verzögerungsschaltung.
Zi
Leerseite
Claims (12)
1. Eingangsverstärkerschaltung,
dadurch gekennzeichnet , daß eine Eingangsschaltung (I) vorgesehen ist, die einen Eingangsanschluß
, einen Ausgangsknotenpunkt und einen Rückkopplungsknotenpunkt aufweist, wobei eine Spannung am Ausgangsknotenpunkt
eine Hysteresecharakteristik in bezug auf eine an dem Eingangsanschluß angelegte Eingangsspannung aufweist, und daß eine Verzögerungsschaltunganordnung
(II) vorgesehen ist, um ein Potential am Ausgangsknotenpunkt der Eingangsschaltung auf den Rückkopplungsknotenpunkt
der Eingangsschaltung mit einer vorgegebenen Verzögerungszeit zu übertragen und um ein
Ausgangssignal an einem Ausgangsanschluß entsprechend einer am Eingangsanschluß angelegten Eingangsspannung
zu erzeugen.
2. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die
Eingangsschaltung umfaßt:
LLASTRASSE 4 . D-BOOO MÜNCHEN 81 · TELEFON COSQ^ 911O87 · TELEX O5-29618 CPATHEJ · TELEKOPIERER 81B356
einen ersten Transistor, der zwischen dem ersten Spannungsquellenanschluß
und dem Ausgangsknotenpunkt angeordnet ist,
einen zweiten Transistor, der zwischen dem Ausgangsknotenpunkt und dem Rückkopplungsknotenpunkt angeordnet
ist und dessen Steuerelektrode mit dem Eingangsanschluß verbunden ist, und
einen dritten Transistor, der zwischen dem Rückkopplungsknotenpunkt
und dem zweiten Spannungsversorgungsanschluß angeordnet ist und dessen Steuerelektrode mit
dem Eingangsanschluß verbunden ist.
3. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der
erste Transistor ein MOS-Transistor vom Verarmungstyp ist, während der zweite und der dritte Transistor
MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp sind.
4. EingangsVerstärkerschaltung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet , daß die Verzögerungsschaltung eine Vielzahl von Inverterschaltungen
aufweist, die als Mehrfachkaskadenverbindungen ausgebildet sind.
5. Eingangsverstärkerschaltung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet , daß die Verzögerungsschaltung eine geradzahlige Anzahl von
Inverterschaltungen aufweist, die als Kaskadenverbindungen ausgebildet sind, wobei ein Eingang einer
ersten Inverterstufenschaltung mit dem Ausgangsknotenpunkt
der Eingangsschaltung verbunden ist und daß ein Ausgang der letzten Inverterschaltungsstufe mit dem
Rückkopplungsknotenpunkt der Eingangsschaltung verbunden ist.
6. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet , daß jede Inverterschaltung eine Serienschaltung eines MOS-Transistors
vom Verarmungstyp und eines MOS-Transistors
vom Anreicherungstyp aufweist, die zwischen dem ersten und zweiten Spannungsquellenanschluß angeordnet
sind.
7. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet , daß außerdem ein Kondensator vorgesehen ist, der zwischen einem
Gate eines MOS-Transistors vom Anreicherungstyp in der letzten Inverterstufenschaltung und dem zweiten
Spannungsquellenanschluß angeordnet ist.
8. Eingangsverstärkerschaltung,
dadurch gekennzeichnet , daß eine Eingangsschaltung vorgesehen ist, die eine Serienschaltung
eines ersten, zweiten und dritten Transistors aufweist, die zwischen dem ersten und zweiten
Spannungsquellenanschluß angeordnet ist, wobei Steuerelektroden des zweiten und dritten Transistors mit
dem Eingangsanschluß verbunden sind, daß eine Verzögerungsschaltung vorgesehen ist, die eine Vielzahl
von InverterSchaltungen enthält, von denen jede eine Reihenschaltung eines Ladungstransistors und eines
Treibertransistors aufweist, die zwischen dem ersten
und zweiten Spannungsquellenanschluß vorgesehen ist, daß die Inverterschaltungen als Mehrfachkaskadenverbindungsstufen
ausgebildet sind und mit einer Steuerelektrode des Treibertransistors in einer ersten Inverterstufenschaltung
verbunden sind, die mit einem Verbindungspunkt des ersten und zweiten Transistors
in der Eingangsschaltung verbunden ist, daß ein Verbindungspunkt des Treibertransistors und des Ladungstransistors in der letzten Inverterstufenschaltung
mit einem Verbindungspunkt des zweiten und dritten Transistors in der Eingangsschaltung verbunden ist
und daß eine Steuerelektrode des Treibertransistors der letzten Inverterstufenschaltung mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist.
9. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß der
erste, zweite und dritte Transistor in der Eingangsschaltung und die Ladungstransistoren und Treibertransistoren,
die die Inverterschaltungen in der Verzögerungsschaltung bilden, MOS-Transistoren sind.
10. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet , daß der
erste Transistor der Eingangsschaltung und die Ladungstransistoren in den Inverterschaltungen, die die
Verzögerungsschaltung bilden, MOS-Transistoren vom Verarmungstyp sind und daß der zweite und dritte Transistor
der Eingangsschaltung und die Treibertransistören der Inverterschaltungen, die die Verzögerungsschaltung bilden, MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp
sind.
11. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet , daß ein Kondensator vorgesehen ist, der zwischen dem Gate des
Treibertransistors in der letzten Inverterstufenschaltung und dem zweiten Spannungsquellenanschluß
angeordnet ist.
12. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet , daß die 0 Verzögerungsschaltung eine geradzahlige Anzahl von
Inverterschaltungen aufweist, die als in Kaskade verbundene Stufen ausgebildet sind, wobei die Inverterschaltung
einen Kondensator aufweist, der zwischen dem Gate eines entsprechenden Treibertransistors
und dem zweiten Spannungsquellenanschluß angeordnet ist.
3. Eingangsverstärkerschaltung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet , daß die letzte Inverterstufenschaltung eine Gegentaktpufferschaltung
umfaßt, die ein Paar MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP57147463A JPS5936405A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 入力増幅回路 |
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ID=15430938
Family Applications (1)
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Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172826A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Hitachi Ltd | デジタル入力回路 |
| US4730131A (en) * | 1985-01-28 | 1988-03-08 | General Electric Company | Input signal conditioning circuit |
| US5075570A (en) * | 1987-11-25 | 1991-12-24 | Honeywell Inc. | Switching state retention circuit having a feedback loop stabilizing capacitance |
| US4990799A (en) * | 1989-12-26 | 1991-02-05 | Weiss Frederick G | Low-hysteresis regenerative comparator |
| US5066868A (en) * | 1990-08-13 | 1991-11-19 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Apparatus for generating phase shifted clock signals |
| JP3283362B2 (ja) * | 1993-10-15 | 2002-05-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| US5703416A (en) * | 1996-02-23 | 1997-12-30 | Microchip Technology Incorporated | Electromagnetic compatibility for integrated circuit pins and internal nodes |
| US6353341B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-03-05 | Xilinx, Inc. | Method and apparatus for discriminating against signal interference |
| US8319524B1 (en) | 2004-01-05 | 2012-11-27 | Marvell International Ltd. | Deglitch circuit removing glitches from input clock signal |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1124089B (de) * | 1960-08-09 | 1962-02-22 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung, die dann und nur dann ein Signal abgibt, wenn die angelegte Eingangsspannung zwischen zwei bestimmten Potentialwerten liegt |
| US4071784A (en) * | 1976-11-12 | 1978-01-31 | Motorola, Inc. | MOS input buffer with hysteresis |
| DE2734008A1 (de) * | 1976-08-25 | 1978-03-09 | Rockwell International Corp | Schaltkreis zur verminderung positiver rauscheffekte |
| DE2026143B2 (de) * | 1969-05-30 | 1978-05-03 | Sescosem-Societe Europeenne Des Semiconducteurs Et De Microelectroniques, Paris | Kippschaltung mit Feldeffekttransistoren |
| DD143843A1 (de) * | 1979-05-22 | 1980-09-10 | Heinz Kasten | Schwellwertschalter mit konstanter verzoegerungszeit |
| JPS5694827A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Seiko Epson Corp | Cmos schmitt trigger circuit |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4112317A (en) * | 1977-05-05 | 1978-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Pulse amplitude and width detection system |
| US4233563A (en) * | 1978-09-06 | 1980-11-11 | Schanbacher William A | Frequency selective hysteresis comparator |
| JPS5542410U (de) * | 1978-09-08 | 1980-03-19 | ||
| JPS5558619A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Hitachi Ltd | Schmitt trigger circuit |
| US4268764A (en) * | 1979-05-01 | 1981-05-19 | Motorola, Inc. | Zero crossover detector |
| DD143943A1 (de) * | 1979-05-24 | 1980-09-17 | Heinz Stange | Mutternsicherung fuer muttern und gegenlage aus einem plastwerkstoff |
| JPS5948567B2 (ja) * | 1979-12-29 | 1984-11-27 | 富士通株式会社 | シュミット・トリガ回路 |
| US4464587A (en) * | 1980-10-14 | 1984-08-07 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Complementary IGFET Schmitt trigger logic circuit having a variable bias voltage logic gate section |
| JPS57197911A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Schmitt circuit |
| US4430587A (en) * | 1982-01-13 | 1984-02-07 | Rockwell International Corporation | MOS Fixed delay circuit |
| JPS58166826A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-03 | Fujitsu Ltd | ヒステリシス回路 |
| US4471235A (en) * | 1982-05-03 | 1984-09-11 | Data General Corporation | Short pulse width noise immunity discriminator circuit |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57147463A patent/JPS5936405A/ja active Pending
-
1983
- 1983-08-23 US US06/525,753 patent/US4596939A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-08-23 DE DE3330383A patent/DE3330383C2/de not_active Expired
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1124089B (de) * | 1960-08-09 | 1962-02-22 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung, die dann und nur dann ein Signal abgibt, wenn die angelegte Eingangsspannung zwischen zwei bestimmten Potentialwerten liegt |
| DE2026143B2 (de) * | 1969-05-30 | 1978-05-03 | Sescosem-Societe Europeenne Des Semiconducteurs Et De Microelectroniques, Paris | Kippschaltung mit Feldeffekttransistoren |
| DE2734008A1 (de) * | 1976-08-25 | 1978-03-09 | Rockwell International Corp | Schaltkreis zur verminderung positiver rauscheffekte |
| US4071784A (en) * | 1976-11-12 | 1978-01-31 | Motorola, Inc. | MOS input buffer with hysteresis |
| DD143843A1 (de) * | 1979-05-22 | 1980-09-10 | Heinz Kasten | Schwellwertschalter mit konstanter verzoegerungszeit |
| JPS5694827A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Seiko Epson Corp | Cmos schmitt trigger circuit |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| EP-A1-0009354 * |
| Nachrichtentechnik-Elektronik, 32,1982,H.1,S.35 * |
| radio fernsehen elektronik 27 (1978) H.5, S.308 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4596939A (en) | 1986-06-24 |
| DE3330383C2 (de) | 1985-11-21 |
| JPS5936405A (ja) | 1984-02-28 |
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