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DE3248730A1 - Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen behandeln einer stoffbahn mit hilfe eines niedertemperaturplasmas - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen behandeln einer stoffbahn mit hilfe eines niedertemperaturplasmas

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DE3248730A1
DE3248730A1 DE19823248730 DE3248730A DE3248730A1 DE 3248730 A1 DE3248730 A1 DE 3248730A1 DE 19823248730 DE19823248730 DE 19823248730 DE 3248730 A DE3248730 A DE 3248730A DE 3248730 A1 DE3248730 A1 DE 3248730A1
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DE
Germany
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low
temperature plasma
web
chamber
negative pressure
Prior art date
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Withdrawn
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DE19823248730
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Inventor
Tokuju Nara Goto
Hiroshi Ishidoshiro
Matsuo Wakayama Minakata
Yoshikazu Wakayama Sando
Itsuo Osaka Tanaka
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Sando Iron Works Co Ltd
Original Assignee
Sando Iron Works Co Ltd
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum kontinuierlichen Behandeln einer Stoffbahn mit Hilfe eines Niedertemperaturplasmas. Die Stoffbahn kann aus gewebtem, gewirktem oder sogenannten nichtgewebtem Textilmaterial bestehen. Das Verfahren umfaßt das kontinuierliche Vorbehandeln und Ausrüsten, insbesondere die Harzausrüstung. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens.
Beim Vorbehandeln einer Stoffbahn, z.B. beim industriellen Entschlichten oder Beuchen, werden große Mengen an Behandlungsagentien, Wasser und Energie verbraucht. Beispielsweise wird beim Beuchen einer Stoffbahn diese mit einer kaustische oder wasserfreie Soda enthaltenden alkalischen Lösung und einem Beuchmittel durch Kochen oder Dämpfen zum Löslichmachen von im Stoff enthaltenen wasserabstoßenden Fremdstoffen behandelt. Daraufhin wird die Stoffbahn mehrmals zum Entfernen der löslichgemachten Fremdstoffe und der am Stoff haftenden Behandlungsmittel gewaschen und schließlich getrocknet.
Beim Finishen bzw. beim Ausrüsten eines Stoffs, z.B. bei der Imprägnier-, Antistatik- und Schmutzlöse-Behandlung, wird die Stoffbahn mit einem in Wasser gelösten oder dispergierten Finishmittel behandelt. Auch das Ausrüsten erfordert also große Mengen an Behandlungsmitteln, Wasser und Energie.
-A-
In diesem Zusammenhang wurde kürzlich vorgeschlagen, eine Stoffbahn einer Niedertemperatur-Plasmabehandlung zwecks Entschlichtens und Beuchens auszusetzen und weiterhin das Ausrüsten, z.B. das Harzausrüsten, durch Pfropf-Polymerisation mit Hilfe eines Niedertemperaturplasmas auszuführen. Im Zusammenhang mit dem Stoffausrüsten durch Pfropf-Polymerisation mit Hilfe eines Niederdruckplasmas wird beispielsweise in der Zeitschrift "Acta Polymeria", 22_ (1981), Seite 203 beschrieben, daß monomere Akrylsäure durch ein Plasma auf der Oberfläche von Polyesterfasern zu polymerisieren ist. Ferner wird in der Zeitschrift "Textile Research Journal", Mai 1972, Seite 307 angegeben, daß eine Fluorverbindung mit Hilfe eines Plasmas auf Wolle zu polymerisieren ist.
Bei der Niedertemperatur-Plasmabehandlung einer Stoffbahn ist es jedoch notwendig, in der Stoffbahn enthaltene leichtflüchtige Materialien soweit wie möglich auszutreiben, bevor die Stoffbahn in die Niedertemperatur-Plasmabehandlungskammer gelangt. Das ist erforderlich, weil in der Stoffbahn enthaltene leichtflüchtige Materialien sonst in die Niedertemperatur-Plasmaatmosphäre der Behandlungskammer gelangen würden. Dadurch ermäßigte sich der Unterdruck in der Behandlungskammer, so daß das Entstehen des Niedertemperaturplasmas behindert und Nebenreaktionen gefördert würden, weil die flüchtigen Materialien selbst als Niedertemperaturplasma wirkten. Da die Lebensdauer der Aktivierung der Stoffbahnoberfläche als Folge der Behandlung mit dem Niedertemperaturplasma sehr kurz ist, muß die Polymerisation mit dem polymerisierbaren Monomer sofort nach der Niedertemperatur-Plasmabehandlung erfolgen.
BAD ORIGINAL
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln eines Stoffs mit einem Niedertemperaturplasma zu schaffen. Insbesondere sollen Verfahren und Vorrichtung so ausgebildet werden, daß in der Stoffbahn anfänglich enthaltene leichtflüchtige Substanzen in einer für die nachfolgende Behandlung in der Niedertemperatur-Plasmakammer ausreichenden Weise auszutreiben sind. Bei Anwendung des Verfahrens zur Pfropf-Polymerisation wird ferner angestrebt, Verfahren und Vorrichtung so auszubilden, daß das Polymerisieren rechtzeitig noch während der durch das Plasma bewirkten Aktivierung der Stoffbahnoberfläche auszuführen ist. Für das Verfahren eingangs genannter Art besteht die Lösung darin, daß die Stoffbahn durch Erhitzen in Unterdruck getrocknet und dann, ohne mit einer Normaldruckatmosphäre in Berührung zu kommen, durch eine Niedertemperatur-Plasmaatmosphäre geführt wird. Bei Anwendung des Verfahrens zur Pfropf-Polymerisation wird die plasmabehandelte Stoffbahn vorzugsweise in einer weiteren Unterdruckkammer einer Niedertemperatur-Plasmapolymerisation in bzw. mit einem polymerisierbaren, monomeren Gas ausgesetzt.
Bei einer Vorrichtung zum kontinuierlichen Behandeln einer Stoffbahn mit Hilfe eines Niedertemperaturplasmas besteht die Erfindung insbesondere darin, den Niedertemperatur-Plasmareaktor in drei, in Reihe geschaltete Kammern, nämlich eine erste Unterdruckkammer, eine Niedertemperatur-Plasmakammer und eine zweite Unterdruckkammer, zu unterteilen. Die in der Stoffbahn anfänglich enthaltenen leichtflüchtigen Substanzen werden durch Verflüchtigung in der ersten Unterdruckkammer entfernt. Die Niedertemperatur-Plasmabehandlung wird in der Plasmakammer ausgeführt, ohne die Stoffbahn vorher einer Normaldruck-Atmos
phäre auszusetzen. Im Falle der Anwendung für die Pfropf-Polymerisation, wird diese Behandlung in der zweiten Unterdruckkammer unmittelbar nach der Einwirkung des Niedertemperaturplasmas durchgeführt.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen werden Einzelheiten der Erfindung erläutert» Es zeigen;
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zum kontinuierlichen Behandeln einer Stoffbahn mit einem Niedertemperaturplasma; und
Fig.2 eine Abwandlung der Vorrichtung nach Fig. 1 zum Harzausrüsten durch Pfropf-Polymerisation.
In Fig. 1 wird ein Reaktor 1 dargestellt, in dem eine Stoffbahn 2 kontinuierlich mit einem Niedertemperaturplasma zu behandeln ist. Der Niedertemperatur-Plasmareaktor
1 besitzt einen Einlaß 3 und einen Auslaß 4 zum kontinuierlichen Hindurchführen einer zu behandelnden Stoffbahn
2 durch den Reaktor 1. Der Einlaß 3 und der Auslaß 4 besitzen Einlaßschleusen 5 bzw. Auslaßschleusen 6, durch die die Stoffbahn 2 kontinuierlich in den Reaktor 1 hinein bzw. aus diesem wieder herauszuführen ist, das Innere des Reaktors aber auf einem Unterdruck von etwa 0,13 bis 13 mbar, vorzugsweise zwischen etwa 0,6 und 2,7 mbar, zu halten ist. Es können vom Patentinhaber entwickelte
BAD ORIGINAL
Schleusen eingesetzt werden. Das Innere des Reaktors 1 wird mit Hilfe von Trennwänden 7 in drei Kammern, nämlich in eine erste Unterdruckkammer 9, eine Niedertemperatur-Plasmakammer 10 und eine zweite Unterdruckkammer 11, unterteilt, die auf dem Transportweg der Stoffbahn 2 in Reihe nacheinander folgen. Die Trennwände 7 werden mit Dichtrollen· 12 ausgestattet, durch die die Stoffbahn 2 hindurchzuführen ist, aber das jeweilige Gas nicht von einer Kammer in die benachbarte Kammer gelangen kann. Anstelle der Abdichtrollen 2 können auch Dichtlippen eingesetzt werden.
In der ersten Unterdruckkammer 9 werden Mittel zum Kontakttrocknen der Stoffbahn 2, z.B. zu heizende Trockenzylinder 13, vorgesehen. Zum Trocknen des Stoffs können auch Mikrowellentrockner, Infrarottrockner und dergleichen eingesetzt werden. Im Innern der Niedertemperatur-Plasmakammer 10 werden die erforderlichen Mittel für eine Niedertemperaturplasmabehandlung vorgesehen. Im Ausführungsbeispiel wird hierzu ein Elektrodenplattenpaar 14, 15 eingesetzt, dessen Einzelplatten oberhalb und unterhalb des Stoffbahnwegs angeordnet werden. Eine der Elektrodenplatten, z.B. die Platte 14, wird auf einen elektrischen Hochfrequenzoszillator (nicht gezeichnet) geschaltet. Die andere Elektrodenplatte, z.B. die Platte 15, kann dann geerdet werden. Die Elektrodenplatten 14 und 15 werden aus Maschendraht oder porösem Metall hergestellt, um ein Gas gleichförmig über die gesamte Plattenfläche verteilen zu können und so auf der gesamten Elektrodenfläche ein überall gleiches Niedertemperaturplasma zu erzeugen sowie das durch die elektrischen Hochfrequenzwellen aktivierte Gas nahezu gleichförmig in der Elektro-
dennähe fließen zu lassen. Dabei dient eine Gasdüse 16 zum gleichmäßigen Beblasen der Elektrodenplatte 14, während eine Gasableitung 17 auf der der Gasdüse 16 gegenüberliegenden Seite an eine nicht gezeichnete Vakuumpumpe anzuschließen ist, um das von der Gasdüse 16 kommende Gas durch die Elektrodenplatten 14 und 15 und damit auch durch die Stoffbahn 2 hindurchzuziehen. In der zweiten Unterdruckkammer 11 wird eine Leitwalze 18 vorgesehen. Die Unterdruckkammern 9 und 11 besitzen außerdem Absaugleitungen 19 und 20.
Im folgenden wird die Funktion des vorstehend beschriebenen Reaktors erläutert. Eine zu behandelnde Stoffbahn 2 wird durch den Reaktor 1 geführt. Eine nicht gezeichnete Vakuumpumpe wird eingeschaltet, um den Reaktor 1 durch die Absaugleitungen 19 und 20 sowie durch die Gasleitung 17 zu evakuieren, bis der Unterdruck in der ersten und zweiten Unterdruckkammer 9 und 11 zwischen etwa 13 und 130 mbar sowie in der Niedertemperatur-Plasmakammer 10 nicht mehr als etwa 0,65 mbar beträgt. Wenn der Unterdruck in den drei .Kammern wie oben angegeben eingestellt ist, werden die in der ersten Unterdruckkammer 9 vorgesehenen Trocknungsmittel in Betrieb gesetzt und ein Gas wird über die Gasdüse 16 in die Niedertemperatur-Plasmakammer 10 eingelassen, bis zu einem Unterdruck in der Kammer von etwa 0,13 bis 13 mbar, vorzugsweise zwischen etwa 0,6 und 2,7 mbar, während die Elektrodenplatte 14 mit elektrischer Hochfrequenz von vorzugsweise etwa 1 KHz bis 300 MHz beaufschlagt wird. Das zuzuführende Gas ist Luft, Argon, Helium, Stickstoff, Kohlendioxid, Kohlenmonoxid und dergleichen. Der Grund dafür, daß der Unterdruck in der Niedertemperatur-Plasmakammer 10 auf Werte zwischen
BAD ORIGINAL
etwa 0,13 und 13 mbar beschränkt wird, liegt darin, daß ein Niedertemperaturplasma bei Unterdrucken von mehr als etwa 13 mbar instabil wird und bei Werten von weniger als etwa 0,13 mbar nur mit erhöhten Investitions- und Betriebskosten, insbesondere wegen der Vakuumpumpe und der Schleusen, aufrechtzuerhalten ist und außerdem die Konzentration des Niedertemperaturplasmas so gering wird, daß darunter der Behandlungseffekt leidet.
Wenn Gas von der Gasdüse 16 auf das mit elektrischer Hochfrequenzenergie beaufschlagte Elektrodenpaar 14 und 15 geleitet wird entsteht ein Niedertemperaturplasma in der Plasmakammer 10. Wenn dann die Stoffbahn 2 durch den Reaktor 1 geleitet wird, wird sie zunächst in der ersten Unterdruckkammer 9 getrocknet, um leichtflüchtige Substanzen zu entfernen, und daraufhin mit dem Niedertemperaturplasma in der Plasmakammer 10 ausgerüstet sowie schließlich auf dem Wege durch die zweite Unterdruckkammer 11 aus dem Reaktor 1 herausgeführt.
Die Vorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 besteht also aus einem Paar von Unterdruckkammern unmittelbar vor und hinter der Niedertemperatur-Plasmabehandlungskammer. Die Kammern werden so angeordnet, daß eine Stoffbahn kontinuierlich hindurchzuführen ist. In der ersten Unterdruckkammer werden Heizmittel zum Austreiben leichtflüchtiger Substanzen aus der in die Plasmakammer einzuführenden Stoffbahn vorgesehen. Bei Eintritt in die Niedertemperatur-Plasmabehandlungskammer ist die Stoffbahn daher von leichtflüchtigen Substanzen befreit, so daß die Niedertemperaturplasmaatmosphäre in der Plasma-
kammer in befriedigender Weise aufrechtzuerhalten ist. Insbesondere ist daher eine Störung des gewünschten Niederternperaturplasmas nicht zu befürchten und auch eine Änderung des Plasmas durch Bildung eines Plasmas aus den leichtflüchtigen Substanzen kann praktisch nicht eintreten. Die beiden Unterdruckkammern vor und hinter der Plasmakammer dienen dazu, den bestimmten Unterdruck in der eigentlichen Plasmakammer aufrechtzuerhalten und dadurch den Wirkungsgrad der erfindungsgemäßen Vorrichtung und deren Behandlungsergebnis zu verbessern.
Eine Abwandlung der Vorrichtung nach Fig. 1 wird in Fig. 2 beschrieben. Die Vorrichtung nach Fig. 2 ist insbesondere vorteilhaft anzuwenden beim Harzausrüsten durch Pfropf-Polymerisation unter der Wirkung eines Niedertemperaturplasmas. Gleiche oder sich entsprechende Teile werden in Fig. 2 ebenso wie in Fig. 1 bezeichnet.
Zum Unterschied von Fig. 1 besitzt die Vorrichtung nach Fig. 2 eine Gaszuleitung 21 und eine Absaugleitung 22 an der zweiten Unterdruckkammer 11, die dazu dienen, ein monomeres Gas für die Pfropf-Polymerisation durch diese Kammer zu leiten.
Bei Betrieb dieser Vorrichtung werden die erste Unterdruckkammer 9 und die Plasmakammer 10 ähnlich wie im Beispiel 1 aufgebaut und betrieben. In die zweite Unterdruckkammer 11 wird jedoch ein polymerisierbares monomeres Gas über die Gaszuleitung 21 eingeblasen. Die Art des
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monomeren Gases selbst und sein Unterdruck werden den Erfordernissen des Einzelfalls entsprechend angepaßt. Vorzugsweise verwendete Gase sind Monomere, wie Akrylsäure, Akrylsäureester und Methakrylsäureester. In der zweiten Unterdruckkammer 11 verbliebene Luft kann in einigen Fällen als Polymerisationsinhibitor wirken. Es kann daher erforderlich sein, die Luft in dieser Kammer über die Leitungen 21 und 22 durch ein Monomer zu ersetzen. Das abgesaugte Monomer kann nach Entfernen von Verunreinigungen wieder verwendet werden.
Nach diesen Vorbereitungen wird eine zu behandelnde Stoffbahn 2 durch den Reaktor geführt und zunächst zum Austreiben leichtflüchtiger Substanzen in der ersten Unterdruckkammer 9 getrocknet. Die Oberfläche des Stoffs wird dann durch die Wirkung des Niedertemperaturplasmas in der Plasmakammer 10 aktiviert. Schließlich folgt als letzter Schritt die Pfropf-Polymerisation unter der Wirkung der Niedertemperatur-Plasmaaktivierung des Stoffs in der zweiten Unterdruckkammer 11. Ein mit dem Niedertemperäturplasma in der Plasmakammer 10 aktivierter Stoff wird dabei sofort nach dem Aktivieren und ohne zwischenzeitlichen Kontakt mit Luft unter Normaldruck mit dem polymerisierbaren, monomeren Gas in der zweiten Unterdruckkammer behandelt. Auf diese Weise läßt sich durch Plasma-Polymerisieren eine ausgezeichnete wirkungsvolle Ausrüstung einer textlien Stoffbahn erzielen.
Leerseite
BAD ORIGINAL

Claims (4)

Dr.-Ing. Reimar König'..: .... * DipJ.-'lng:Klaus Bergen Cecilisnallee "76 ·4 Düsseldorf 3O Telefon 452OOB "Patentanwälte 30.Dez.1982 34 778 B SANDO IRON WORKS CO., LTD.,4-4-5,Usu, Wakayama-shi, Wakayama-ken, Japan "Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Behandeln einer Stoffbahn mit Hilfe eines Niedertemperaturplasmas" Patentansprüche:
1. Verfahren zum kontinuierlichen Behandeln einer Stoffbahn (2) mit Hilfe eines Niederternperaturplasmas, dadurch gekennzeichnet, daß die Stoffbahn (2) durch Erhitzen in Unterdruck getrocknet und dann, ohne mit einer Normaldruckatmosphäre in Berührung zu kommen, durch eine Niedertemperatur-Plasmaatmosphäre geführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die plasmabehandelte Stoffbahn (2) in Unterdruck einer Niedertemperatur-Plasmapolymerisation in bzw. mit einem polyrnerisierbaren, monomeren Gas ausgesetzt wird.
3. Vorrichtung zum kontinuierlichen Behandeln einer Stoffbahn (2) mit Hilfe eines Niedertemperaturplasmas, gekennzeichnet durch einen Niedertemperatur-Plasmareaktor (1)
mit drei in Reihe geschalteten Kammern, nämlich einer ersten Unterdruckkammer (9), einer Niedertemperatur-Plasmabehandlungskammer (10) und einer zweiten Unterdruckkammer (11), und durch Heizmittel (13) in der ersten Unterdruckkammer (9) zum Austreiben von in der in die Niederternperatur-Plasmabehandlungskarnmer (10) einzuführenden Stoffbahn (2) enthaltenen leichtflüchtigen Substanzen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch ein Gaseinlaßrohr (21) und ein Gasauslaßrohr (22) in der zweiten Unterdruckkammer (11) für zu polymerisxerendes Gas.
BAD ORtGINAL
DE19823248730 1982-01-06 1982-12-31 Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen behandeln einer stoffbahn mit hilfe eines niedertemperaturplasmas Withdrawn DE3248730A1 (de)

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