DE3116732A1 - "mit hochfrequenzentladung arbeitende zerstaeubungsaetzvorrichtung" - Google Patents
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Description
'2 a
KABUSHIKI KAISHA TOKUDA SEISAKUSHO, Kanagawa-Ken, Japan
Mit Hochfrequenzentladung arbeitende Zer stäubungsätzvorrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf eine mit Hochfrequenzentladung
arbeitende Zerstäubungsätzvorrichtung mit einer Vakuumkammer, die mit einem vorbestimmten Gas unter einem Druck gefüllt ist,
der nahezu einem Vakuum entspricht, mit einer Elektrode, die auf einer Viand der Vakuumkammer so angeordnet ist, daß zwischen
der Elektrode und der Vakuumkammerwand ein Entladungsspalt gebildet
wird, und mit einer Hochfequenz-Spannungsquelle zum Anlegen einer Hochfrequenz-Spannung zwischen Elektrode und Vakuumkammer
.
Beispielsweise bei einem Vakuumaufdampfverfahren wird eine Kathodenzerstäubungsätzung ausgeführt, um die zu bedampfende
bzw. zu bestäubende Oberfläche zu reinigen.
Fig. 1 stellt eine herkömmliche Zerstäubungsätzvorrichtung dieser
Art dar. Sie enthält eine flache Elektrode 2 in einer Vakuumkammer
1. Der zu bearbeitende Gegenstand 3 wird auf der Elektrode 2 angeordnet. Dann wird eine Hochfrequenzentladung
zwischen der Elektrode 2 und der Vakuumkammer 1 ausgebildet, so daß Gasionen, z.B. Argonionen, in der Vakuumkammer 1 unter
Ausnutzung der Gleichrichtwirkung der Entladung gebildet werden, um den Gegenstand 3 einer Zerstäubungsätzung zu unterziehen.
Die flache plattenförmige Elektrode 2 ist durch Isolierkörper gegenüber der Vakuumkammer elektrisch isoliert und von einem
Dunkelraumschirm 5 umgeben. Die Elektrode 2 ist mit einer Hochfrequenzspannungsquelle
10 über einen Gleichstrom-Entkopplungskondensator 6, eine Abstimmspule 7 und einen Abstimmkondensator
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8 sowie über ein Hochfrequenzkabel 9 verbunden. Die Vorrichtung enthält ferner eine Abschirmung 11 gegen einen Hochfrequenzaustritt
aus dem Stromkreis. Aus einem Gaszylinder 12 wird Gas über ein Nadelventil 13 in die Vakuumkammer 1 geleitet.
Wenn die Hochfrequenzentladung in der Vorrichtung stattfindet, wird das Gas in der Vakuumkammer 1 ionisiert. Die Gasionen
treffen mit hoher Geschwindigkeit auf die flache plattenförmige Elektrode 2 und zerstäuben dabei die Oberfläche des zu bearbeitenden
Gegenstands 3, so daß die Oberfläche des Gegenstands 3 gereinigt wird.
Diese herkömmliche Vorrichtung hat jedoch folgende Nachteile:
Wenn das Oberflächenmaterial des Gegenstands 3 zerstäubt wird, schlägt es sich an der Innenseite der Vakuumkammer 1 nieder.
Daher muß die Vakuumkammer 1 häufig gereinigt werden. Dies ist mühsam und schwierig, weil die Vakuumkammer äußerst sorgfältig
behandelt werden muß. Wenn ferner die Zerstäubungsätzvorrichtung und eine Bestäubungsvorrichtung nebeneinander angeordnet
werden, d.h. der Zerstäubungsätzvorgang und das Bestäuben nacheinander ausgeführt werden, muß der Zerstäubungsätzabschnitt
der Vorrichtung von dem Bestäubungsabschnitt getrennt sein.
Ein zweiter Nachteil besteht darin, daß die herkömmliche Vorrichtung
an einem Randeffekt leidet. So ist die Ätzgeschwindigkeit an den Enden (Rändern) der flachen plattenförmigen
Elektrode 2 hoch und im mittleren Teil der Elektrode 2 niedrig, wie es in Fig. 2 dargestellt ist. Wie Fig.2 zeigt, ändert sich
die Ätzgeschwindigkeit in jedem Endabschnitt der Elektrode 2 erheblich, selbst wenn die Lage der Elektrode nur geringfügig
geändert wird. Ferner ist die Ätzgeschwindigkeit im mittleren Abschnitt der Elektrode, dort wo die Ätzgeschwindigkeit konstant
ist, sehr niedrig. Da die gesamte Oberfläche des zu be-
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arbeitenden Gegenstands gleichmäßig geätzt werden muß, wird nur der mittlere Abschnitt der Elektrode zum Ätzen ausgenutzt.
Dieses Verfahren hat daher nur einen geringen Wirkungsgrad.
Ein dritter Nachteil besteht in der Schwierigkeit, das Ätzen auszuführen, während sich der zu bearbeitende Gegenstand bewegt,
d.h. es ist äußerst schwierig, die Elektrode 2 zu bewegen, auf der der Gegenstand angeordnet ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde» eine Vorrichtung der
gattungsgemäßen Art anzugeben, bei der die genannten Nachteile vermieden sind und gleichzeitig dafür gesorgt ist, daß beim
Auftreten einer abnormalen elektrischen Entladung der Betrieb der Hochfrequenz-Spannungsquelle unterbrochen wird, um die abnormale
elektrische Entladung zu unterbrechen.
Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Elektrode
einen hohlen Innenraum mit einer Öffnung aufweist und der Spalt zwischen dieser Öffnung und der Vakuumkammerwand gebildet,
ist, und daß eine Entladungszündeinrichtung zum Zünden der elektrischen Entladung zwischen der Elektrode und der Vakuumkammer
vorgesehen ist, so daß ein zu bearbeitender Gegenstand einer Zerstäubungsätzung unterzogen wird.
Die Erfindung und ihre Weiterbildungen werden nachstehend anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 den Aufbau einer herkömmlichen Hochfrequenzentladungs-Zerstäubungsätzvorrichtung,
Fig. 2 ein Diagramm zur Erläuterung des Randeffekts der Vorrichtung
nach Fig. 1,
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
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Pig. 4 eine graphische Darstellung in Form von Kennlinien zur Erläuterung der Bedingungen, die beim Zünden der erfindungsgemäßen
Vorrichtung berücksichtigt werden sollten,
Fig. 5 eine graphische Darstellung in Form von Kennlinien, die zum Feststellen des Auftretens einer abnormalen elektrisehen
Entladung erfindungsgemäß herangezogen werden,
Fig. 6 eine graphische Darstellung der Verteilung der durch die erfindungsgemäße Vorrichtung bewirkten Ätzung bzw. Ätzge
schwindigkeit,
Fig. 7 ein Schaltbild einer Zündeinrichtung der erfindungsgemässen
Vorrichtung,
Fig. 8 ein Zeitdiagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise der Vorrichtung nach Fig. 7 und die
Fig. 9 (a) und 9 (b) sowie die Fig. 10 (a) und 10 (b) verschiedene
Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Ein erstes AusfUhrungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist in Fig. 3 dargestellt, wobei die anhand von Fig. 1 bereits beschriebenen Bauteile mit gleichen Bezugszahlen versehen
sind.
Die Vorrichtung nach Fig. 3 unterscheidet sich von der nach Fig. 1 hinsichtlich der Elektrode 2A. Diese Elektrode 2A ist
hohl und hat einen Innenraum. Sie ist an der Wand der Vakuumkammer 1 befestigt, wie es in Fig. 3 dargestellt ist.
Bekanntlich hängt die Ausbildung einer elektrischen Entladung stark von der Form einer Elektrode ab. Die hohle Elektrode 2A
der erfindungsgemäßen Vorrichtung hat eine Öffnung, die der Innenseite bzw. inneren Wand der Vakuumkammer 1 zugekehrt ist,
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so daß ein Entladungsspalt dazwischen verbleibt. Der Entladungsvorgang in dieser Vorrichtung unterscheidet sich daher erheblich
von dem Entladungsvorgang, der in der herkömmlichen Vorrichtung auftritt, bei der die flache plattenförmige Elektrode
so in der Vakuumkammer angeordnet ist, wie es in Fig. 1 dargestellt ist. Das heißt, im Falle der Fig. 1 wird unmittelbar
über der Elektrode 2 ein Dunkelraum gebildet, so daß das erzeugte Gasplasma von der Elektrode 2 entfernt ist. Demgegenüber
wird bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung das Gasplasma innerhalb der hohlen Elektrode 2A und der Dunkelraum auf der
einen Seite der Vakuumkammer 1 gebildet.
Aus diesem Grunde wird ein zu bearbeitender Gegenstand 3 bei der Vorrichtung nach Fig. 1 auf der flachen plattenförmigen
Elektrode 2, dagegen bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung auf der Seite der Vakuumkammer 1 gemäß Fig. 3 angeordnet. Ausserdem
wird bei der Vorrichtung nach Fig. 1 das Zerstäubungsätzen dann ausgeführt, wenn das·Potential der Elektrode 2 negativ wird, wobei Gasionen von der Elektrode 2 angezogen werden,
so daß sie auf den Gegenstand 3 auftreffen. Dagegen wird bei
der erfindungsgemäßen Vorrichtung nach Fig. 3 das Zerstäubungsätzen dann ausgeführt, wenn das Potential der Vakuumkammer negativ
wird.
Wie bereits erwähnt wurde, wird das Gasplasma in dem Hohlraum der hohlen Elektrode 2A ausgebildet. Der Hohlraum muß daher
eine entsprechende Größe aufweisen. Um eine entsprechend hinreichende Größe zu erreichen, ist bei dem Ausführungsbeispiel
nach Fig. 3 ein trommeiförmiger Teil mit einem zylindrischen Teil, der eine öffnung aufweist, verbunden. Ein erster Grund,
warum der trommeiförmige Teil verwendet wird, ist der, daß das Volumen des Hohlraums der Elektrode vergrößert werden kann,
ohne die Höhe der Elektrode (in vertikaler Richtung nach Fig. 3) zu vergrößern. Ein weiterer Grund besteht darin, daß die Elektrode
2A durch einen Isolierkörper 4 auf der Vakuumkammer abgestützt werden kann, wenn der sich seitlich erstreckende Teil
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des trommeiförmigen Teils der Elektrode verwendet wird. Ein dritter Grund ist der, daß die Streukapazität zwischen der
Elektrode 2A und einer Dunkelraumabschirmung 5 oder zwischen der Elektrode 2A und der Vakuumkammer 1 so klein wie möglich
gehalten werden kann. Denn eine große Streukapazität würde bei Anlegen einer Hochfrequenzspannung zwischen der Elektrode
2A und der Vakuumkammer 1 die Widerstandskennlinie nachteilig beeinflussen. Es ist daher wesentlich, wenn die Streukapazität
so klein wie möglich gehalten wird. Die Form der Elektrode 2A ist jedoch nicht auf die nach Fig. 3 beschränkt. Sie kann beliebig
gewählt werden, wenn das Volumen des Hohlraums der Elektrode, die Abstützung der Elektrode und die Streukapazität um
die Elektrode herum berücksichtigt werden.
Fig. 4 stellt graphisch die Abhängigkeit der Hochfrequenzleistung vom Vakuumkammerdruck dar, um die Bedingungen aufzuzeigen,
die zum Zünden der Vorrichtung nach Fig. 3 berücksichtigt werden sollten, d.h. zum Zünden der elektrischen Entladung.
Der Graph nach Fig. 4 stellt zwei Kennlinien G1 und G2 dar, die im wesentlichen die Form von Hyperbeln haben. Der
obere Teil jeder Kennlinie entspricht einem Bereich, in dem die elektrische Entladung über die gesamte Vakuumkammer verteilt
ist. Die beiden Kennlinien G1 und G2 gelten für zwei verschiedene Entladungsspalte zwischen der Elektrode 2A und der
Vakuumkammer 1.
Wenn der Entladungsspalt verringert wird, kann sich die Entladung schlechter in der Vakuumröhre verteilen. Wenn der Entladungsspalt
auf einen vorbestimmten Wert eingestellt ist und der Vakuumkammerdruck erhöht wird, nimmt die zuführbare Hochfrequenzleistung
ab, und zur Erhöhung der Hochfrequenzleistung muß das Vakuum in der Vakuumkammer erhöht bzw. der Druck verringert
werden.
Die Kennlinien stellen einen Zustand dar, der zur Stabilisierung der elektrischen Ladung in der erfindungsgemäßen Vor-
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richtung erforderlich ist. In diesem Zustand ist es jedoch schwierig, die Vorrichtung zu zünden, d.h. die elektrische
Entladung lediglich durch Anlegen der Hochfrequenzspannung
auszulösen. Bei der herkömmlichen Vorrichtung nach Fig. 1 kann die Entladung dagegen durch Erhöhung des Vakuumkammerdrucks
gezündet werden. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es dagegen nicht möglich, das Verfahren der Druckerhöhung
zur Zündung der Entladung anzuwenden, weil sich die elektrische Entladung in der gesamten Vakuumkammer verteilt. Wenn sich die
elektrische Entladung in der Vakuumkammer verteilt, kehrt sich die Spannungsabhängigkeit um, so daß die Elektrode geätzt (zerstäubt)
und mithin das Elektrodenmaterial auf dem zu bearbeitenden Gegenstand niedergeschlagen wird. Daher muß zum Zünden
der erfindungsgemäßen Vorrichtung ein anderes Verfahren angewandt werden.
Aus diesem Grunde ist die erfindungsgemäße Vorrichtung mit einer Entladungszündeinrichtung versehen. Es' hat sich gezeigt,
daß bei dem beschriebenen Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrichtung die elektrische Entladung selbst dann nicht gezündet
wird, wenn die Elektrodenspannung geändert wird. Doch kann die Entladung durch Injektion von Elektronen mit einer vorbestimmten
Energie in die Elektrode gezündet werden. Hierfür genügt eine Energie der zu injizierenden Elektronen von 100 eV mit
0,1 mA oder mehr. Elektronen mit einer Energie in dieser Grössenordnung
lassen sich leicht durch Verwendung eines kleinen Glühfadens bzw. thermionischen Fadens erzeugen. Daher ist in
der hohlen Elektrode 2A ein Glühfaden angeordnet, so daß die erfindungsgemäße Vorrichtung dadurch gezündet werden kann, daß
ein elektrischer Strom durch den Glühfaden geleitet wird. Nach dem Zünden der Vorrichtung kann der Heizstrom des Glühfadens
unterbrochen werden. Das heißt, die Entladung hält sich allein durch Zuführen der Hochfrequenzspannung aufrecht.
Eine weitere Möglichkeit zum Zünden der Entladung besteht in dem Anlegen einer Hochspannung an eine nadeiförmige Elektrode
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oder in der Zuführung ultravioletter Strahlen.
Die Bedingungen, die zur Stabilisierung der elektrischen Entladung
in der erfindungsgemäßen Vorrichtung erforderlich sind, sind kritischer als bei der herkömmlichen Vorrichtung nach
Fig. 1. Wenn diese nicht eingehalten werden, verteilt sich die elektrische Entladung in der gesamten Vakuumkammer. Diese
Schwierigkeit tritt beispielsweise dann auf, wenn die zu bearbeitenden Gegenstände ungleiche Abmessungen haben und demzufolge
der Entladungsspalt vergrößert wird. Es müssen daher Vorkehrungen gegen eine abnormale Entladung getroffen werden.
Zur Feststellung einer abnormalen Entladung werden erfindungsgeraäß
die in Fig. 5 dargestellten Kennlinien herangezogen. Wenn in der erfindungsgemäßen Vorrichtung eine elektrische Entladung
stattfindet, wird in der Elektrode 2A eine Gleichspannung V^q
erzeugt. Bei normaler Entladung ist die Gleichspannung positiv. Bei abnormaler Entladung, d.h. wenn sich die Entladung in der
Vakuumkammer verteilt, wird die Gleichspannung jedoch negativ.
Der Gleichspannung ist die Hochfrequenzspannung überlagert.
Durch Beseitigung der Hochfrequenzkomponente mittels eines Filters läßt sich daher eine reine Gleichspannung gewinnen. In
Fig. 5 stellen die Bezugszeichen P1, P2 und P3 jeweils einen
Vakuumkammerdruck dar. Wenn der Vakuumkammerdruck abnimmt,
steigt die erzeugte Gleichspannung an. Wenn ferner die zugeführte Hochfrequenzleistung erhöht wird, nimmt auch die erzeugte
Gleichspannung zu.
Durch Messen dieser Gleichspannung läßt sich daher feststellen, ob die elektrische Entladung normal oder abnormal ist. Hierfür
kann eine Spannungsmeßeinrichtung, z.B. ein Voltmeter, in der Weise verwendet werden, daß, wenn der Zeiger des Voltmeters zur
negativen Seite ausschlägt, die Zuführung der Hochfrequenzleistung unterbrochen wird, um die gesamte Zündoperation zu wiederholen.
Stattdessen kann eine Schaltung vorgesehen sein, die so ausgebildet ist, daß mittels eines Vergleichers ein Vergleich
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mit einer Bezugsspannung ausgeführt wird und die Vorrichtung
in Abhängigkeit vom Vergleichsergebnis selbsttätig gezündet wird.
Fig. 6 zeigt eine Verteilung der durch die erfindungsgemäße Vorrichtung nach Fig. 3 ausgeführten Ätzung. Wie ein Vergleich
mit Fig. 2 zeigt, ist die Ätzgeschwindigkeit außerhalb der Endabschnitte der hohlen Elektrode verhältnismäßig hoch und
gleichförmig. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung braucht
daher im Gegensatz zur herkömmlichen Vorrichtung nicht der Bereich mit niedriger Ätzgeschwindigkeit ausgenutzt zu werden.
Außerdem kann ein zu ätzender Gegenstand, wie nachstehend noch beschrieben wird, beim Ätzen kontinuierlich bewegt werden.
Darüber hinaus können Gegenstände, die auf einem Drehtisch angeordnet sind, gleichmäßig bearbeitet werden, indem die Öffnung
der hohlen Elektrode sektorförmig ausgebildet wird. Wenn die zu bearbeitenden Gegenstände mittels eines Förderers, z.B.
eines Bandförderers, befördert werden, können sie ebenfalls
gleichmäßig bearbeitet werden, indem.die Elektrodenöffnung quadratisch ausgebildet wird.
Fig. 7 zeigt im wesentlichen das Schaltbild einer Zündeinrichtung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, die ein selbsttätiges
Zünden gestattet, wenn eine abnormale elektrische Entladung stattfindet. Hierbei ist in der hohlen Elektrode 2A ein Glüh- :
faden F zum Zünden der Vorrichtung angeordnet. Der Heizstrom des Glühfadens F wird über einen Transformator Tsf aus dem
Netz geliefert. Der Transformator Tsf hat Niederspannungsabgriffe für die Stromversorgung des Glühfadens F und Hochspannungsabgriffe
zum Anlegen einer verhältnismäßig hohen Spannung mit Netzfrequenz zwischen die Elektrode 2A und den Glühfaden F.
Die Abgriffe sind über ein Filter LPF mit dem Glühfaden F und der Elektrode 2A verbunden.
Die Elektrode 2A 1st mit einem Voltmeter VM und einem Vergleicher COMP in einer Steuerschaltung CC über einen Spannungsteiler
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verbunden, der aus dem Filter LPF und ohmschen Widerständen
R1 und R2 "besteht. Über einen veränderbaren Widerstand VR wird
dem Vergleicher COMP eine Bezugsspannung zugeführt, und der Vergleicher vergleicht die Bezugsspannung mit einer am Spannungsteiler
abgegriffenen Spannung und erzeugt in Abhängigkeit davon ein Ausgangssignal. Das Ausgangssignal des Vergleichers
COMP wird einem Transistor Q zugeführt, der einen Glühzünder GS steuert. Das Ausgangssignal des Vergleichers COMP wird ferner
dem einen Eingang einer UND-Schaltung AND zugeführt, und der andere Eingang dieser UND-Schaltung erhält das Ausgangssignal
eines Oszillators OSC, während das Ausgangssignal der UND-Schaltung eine Hochfrequenz-Spannungsquelle 10 steuert.
Fig. 8 zeigt den zeitlichen Verlauf verschiedener Signale in der Zündschaltung nach Fig. 7, deren Wirkungsweise nachstehend
unter Bezugnahme auf Fig. 8 beschrieben wird. Der Betrieb der Schaltung hängt vom Ausgangssignal des Oszillators OSC ab. Das
Ausgangssignal des Oszillators OSC ist ein pulsierendes Signal mit konstanter Periodendauer und dient zur Erzeugung eines
Sperrsignals d zum Sperren der Ausgangsspannung der HF-Spannungsquelle
10. Die Periodendauer sollte daher so gewählt sein, daß ein Impuls des Oszillators nicht merklich später als eine
abnormale Entladung auftritt.
Wenn das Ausgangssignal des Vergleichers COMP erzeugt wird, während das Ausgangssignal e des Oszillators vorhanden ist,
erzeugt die HF-Spannungsquelle 10 keine Ausgangsspannung, so
daß in der Zerstäubungsätzvorrichtung keine elektrische Entladung stattfindet. In der Elektrode 2A wird daher ebenfalls
keine Gleichspannung erzeugt. Andererseits wird das Ausgangssignal des Vergleichers COMP dem Transistor Q zugeführt, um
den Glühzünder GS einzuschalten. Infolgedessen wird der Kontakt GS-a des Glühzünders GS geschlossen, so daß dem Glühfaden F
und der Elektrode 2A der Zerstäubungsätzvorrichtung über den Transformator Tsf Strom zugeführt wird. Auf diese Weise wird
die Vorrichtung gezündet.
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Das Ausgangssignal des Oszillators OSC hat beispielsweise eine
Impulsdauer von einer Millisekunde und eine Impulspause von zehn Millisekunden. Eine Millisekunde nach der Erzeugung des
Ausgangssignals des Oszillators ist daher die UND-Bedingung
der UND-Schaltung AND nicht mehr erfüllt, so daß das die HF-Spannung sperrende Signal d verschwindet. Infolgedessen wird
die HF-Ausgangsspannung a der HF-Spannungsquelle 10 nunmehr
an die Elektrode 2A angelegt. In der Elektrode 2A wird jedoch keine Gleichspannung b erzeugt, weil es etwa zwei bis drei
Perioden der Netzspannung dauert, bis die elektrische Entladung in der Zerstäubungsätzvorrichtung gezündet wird. Der Glühzünder bleibt daher weiterhin eingeschaltet.
Bevor die Entladung gezündet ist, wird das Ausgangssignal des Vergleichers COMP ständig der UND-Schaltung AND zugeführt.
Jedesmal wenn daher das Ausgangssignal e des Oszillators OSC
auftritt, wird das die Hochfrequenzspannung sperrende Signal d
erzeugt und die Ausgangsspannung a der HF-Spannungsquelle 10
unterbrochen.
Wenn die Entladung gezündet ist, wird in der Elektrode 2A die
Gleichspannung b erzeugt. Infolgedessen erzeugt der Vergleicher COMP kein Ausgangssignal, so daß der Glühzünder ausgeschaltet
wird. Da hierbei eines der Eingangssignale der UND-Schaltung
AND verschwindet, wird auch kein HF-Spannungs-Sperrsignal d
erzeugt. Die Entladung wird daher fortgesetzt.
Wenn während des Entladungsbetriebs aus irgendeinem Grunde eine abnormale Entladung verursacht wird, z.B. durch eine Verringerung
des Abstands zwischen dem Gegenstand 3 und der Elektrode 2A, wird in der Elektrode 2A eine negative Gleichspannung
erzeugt, so daß der Vergleicher COMP ein Ausgangssignal erzeugt, das den Glühzünder GS einschaltet. Wenn der Oszillator OSC hierbei
das Ausgangssignal erzeugt, wird auch das HF-Ausgangsspannungs-Sperrsignal
d erzeugt, um die Ausgangsspannung der HF-
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Spannungsquelle 10 und damit die elektrische Entladung zu unterbrechen. Da hierbei der Glühzünder eingeschaltet ist,
ist die Zerstäubungsätzvorrichtung für eine erneute Zündung vorbereitet, so daß die elektrische Entladung sofort wieder
gezündet werden kann, weil die kurz zuvor erzeugten Elektronen noch vorhanden sind. Die elektrische Entladung wird daher sehr
rasch wieder gezündet.
Wie man sieht, stellt die erfindungsgemäße Zündschaltung eine
wirksame Gegenmaßnahme gegen das Auftreten einer abnormalen elektrischen Entladung dar.
Die Fig. 9 (a) und 9 (b) zeigen ein Anwendungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung. Hierbei wird ein zu bearbeitender· Gegenstand 3 auf einem Drehtisch 15 angeordnet, der durch einen
Motor 16 über ein Getriebe 17 angetrieben wird. Längs der Laufbahn des Gegenstands 3 sind die erfindungsgemäße Zerstäubungsät
ζ vorrichtung und eine Bestäubungsquelle 14 angeordnet. Der Gegenstand 3 kann daher unmittelbar nach dem Reinigen durch
Zerstäubungsätzung einer Bestäubung unterzogen werden.
Die Fig. 10 (a) und 10 (b) stellen ein weiteres Anwendungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Vorrichtung dar. Bei diesem Beispiel wird ein zu bearbeitender Gegenstand 3 geradlinig durch
einen Förderer 18, z.B. einen Bandförderer, befördert, und die Zerstäubungsätzvorrichtung und die Besprühquelle sind längs des
Förderers angeordnet, so daß sie gemeinsam eine Bearbeitungsvorrichtung bilden. In dieser Bearbeitungsvorrichtung sind eine
Hilfskammer 20, die vor der Bearbeitung verwendet wird, und eine Hilfskammer 21, die nach der Bearbeitung verwendet wird,
über eine Isoliereinrichtung 19 auf beiden Seiten angeschlossen.
Wie bereits erwähnt wurde, ist bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
der Entladungsspalt zwischen der Öffnung der hohlen Elektrode und der Innenwand der Vakuumkammer angeordnet, wobei
die HF-Spannung zwischen der Elektrode und der Vakuumkammer an-
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gelegt wird. Im Gegensatz zur herkömmlichen Vorrichtung, bei
der die flache plattenförmige Elektrode in der Vakuumkammer angeordnet ist, ist daher bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
das Potential der Vakuumkammerseite negativ, so daß das Zerstäubungsätzen mit einem zu bearbeitenden Gegenstand auf
der Vakuumkammerseite ausgeführt werden kann. Die Vakuumkammer kann einfach an die Hochfrequenz-Spannungsquelle angeschlossen
und die Fördereinrichtung für den zu bearbeitenden Gegenstand einfach in der Vakuumkammer angeordnet werden. Die erfindungsgemäße
Vorrichtung läßt sich daher leicht handhaben.
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Claims (10)
1.! Mit Hochfrequenzentladung arbeitende Zerstäubungsätzvorrichtung
mit einer Vakuumkammer, die mit einem vorbestimmten Gas unter einem Druck gefüllt ist, der nahezu einem
Vakuum entspricht, mit einer Elektrode, die auf einer Wand der Vakuumkammer so angeordnet ist, daß zwischen der Elektrode
und der Vakuumkammerwand ein Entladungsspalt gebildet wird, und mit einer Hochfrequenz-Spannungsquelle zum Anlegen
einer Hochfrequenz-Spannung zwischen Elektrode und Vakuumkammer,
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode einen hohlen Innenraum mit einer Öffnung
aufweist und der Spalt zwischen dieser öffnung und der Vakuumkammerwand
gebildet ist, und daß eine Ent1adungszündeinrichtung
zum Zünden der elektrischen Entladung zwischen der Elektrode und der Vakuumkammer vorgesehen ist, so daß
ein zu bearbeitender Gegenstand einer Zerstäubungsätzung unterzogen wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand auf einer Seite der Vakuumkammer angeordnet ist.
dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand auf einer Seite der Vakuumkammer angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode einen zylindrischen Teil und einen trommel-
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förmigen Teil aufweist, die so zusammengesetzt sind, daß
der Hohlraum der Elektrode im Verhältnis zur Höhe der Elektrode groß ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Entladungszündeinrichtung ein in der Vakuumkammer vorgesehener Glühfaden ist. " " -
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Steuerschaltung vorgesehen ist, die die HF-Spannungsquelle in der Weise steuert, daß die Steuerschaltung
die Bildung einer Gleichspannung in der Elektrode feststellt, wenn eine abnormale elektrische Entladung in der Vakuumkammer
auftritt, und die Ausgangsspannung der HF-Spannungsquelle unterbricht, so daß die abnormale elektrische Entladung
aufhört.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Fördereinrichtung für den zu bearbeitenden Gegenstand in der Vakuumkammer vorgesehen ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung ein den Gegenstand tragender Drehtisch
ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Entladungsstrecke und eine Besprühquelle längs der
Förderbahn des Gegenstands hintereinander angeordnet sind, so daß der Gegenstand nach dem Reinigen durch die Zerstäubungsätzung
einer Bestäubung unterzogen wird.
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9. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fördereinrichtung ein den Gegenstand tragender
Bandförderer ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet,
daß die Entladungsstrecke und eine Besprühquelle längs des Bandförderers angeordnet sind, so daß der Gegenstand unmittelbar
nach dem Reinigen durch die Zerstäubungsätzung bestäubt wird.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19705884A1 (de) * | 1997-02-15 | 1998-08-20 | Leybold Ag | Plasma-Zündvorrichtung |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893873A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Anelva Corp | 放電装置 |
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| US4409087A (en) * | 1982-05-18 | 1983-10-11 | The Perkin-Elmer Corp. | Wafer detection circuitry for high vacuum use |
| US4461239A (en) * | 1982-07-30 | 1984-07-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Reduced capacitance electrode assembly |
| GB2144669B (en) * | 1982-12-07 | 1986-02-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Cleaning electrical contacts |
| JPS59186325A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-23 | コンパニ−・アンデユストリエル・デ・テレコミユニカシオン・セイテ−アルカテル | ドライエツチング装置 |
| JPS61168922A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-30 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | プラズマ・エツチング装置 |
| US4637853A (en) * | 1985-07-29 | 1987-01-20 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition |
| DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
| JPH0243867Y2 (de) * | 1986-05-01 | 1990-11-21 | ||
| US4738761A (en) * | 1986-10-06 | 1988-04-19 | Microelectronics Center Of North Carolina | Shared current loop, multiple field apparatus and process for plasma processing |
| US4943417A (en) * | 1987-02-25 | 1990-07-24 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
| US5174881A (en) * | 1988-05-12 | 1992-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| US5407867A (en) * | 1988-05-12 | 1995-04-18 | Mitsubishki Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming a thin film on surface of semiconductor substrate |
| DE3926023A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| US4888088A (en) * | 1989-03-06 | 1989-12-19 | Tegal Corporation | Ignitor for a microwave sustained plasma |
| US5045166A (en) * | 1990-05-21 | 1991-09-03 | Mcnc | Magnetron method and apparatus for producing high density ionic gas discharge |
| DE4122452C2 (de) * | 1991-07-06 | 1993-10-28 | Schott Glaswerke | Verfahren und Vorrichtung zum Zünden von CVD-Plasmen |
| AU2003195A (en) * | 1994-06-21 | 1996-01-04 | Boc Group, Inc., The | Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines |
| KR100413145B1 (ko) * | 2001-01-11 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 가스 인젝터 및 이를 갖는 식각 장치 |
| WO2009073857A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Intevac, Inc. | System and method for commercial fabrication of patterned media |
| JP6629116B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-01-15 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2241229A1 (de) * | 1972-08-22 | 1974-03-07 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung |
| DE2747061A1 (de) * | 1977-10-20 | 1979-04-26 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von baendern in vakuumanlagen mit schleuseneinrichtungen |
| DE2821119A1 (de) * | 1978-05-13 | 1979-11-15 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und anordnung zur regelung des entladungsvorganges in einer katodenzerstaeubungsanlage |
| DE2943862A1 (de) * | 1978-11-01 | 1980-05-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ionenquelle und ionenaetzverfahren |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3180751A (en) * | 1961-05-26 | 1965-04-27 | Bausch & Lomb | Method of forming a composite article |
| US3502562A (en) * | 1967-04-19 | 1970-03-24 | Corning Glass Works | Multiple cathode sputtering fixture |
| US4022939A (en) * | 1975-12-18 | 1977-05-10 | Western Electric Company, Inc. | Synchronous shielding in vacuum deposition system |
| US4126530A (en) * | 1977-08-04 | 1978-11-21 | Telic Corporation | Method and apparatus for sputter cleaning and bias sputtering |
| US4204942A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-27 | Heat Mirror Associates | Apparatus for multilayer thin film deposition |
| JPS55131175A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-11 | Toshiba Corp | Surface treatment apparatus with microwave plasma |
| US4274936A (en) * | 1979-04-30 | 1981-06-23 | Advanced Coating Technology, Inc. | Vacuum deposition system and method |
| US4268374A (en) * | 1979-08-09 | 1981-05-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High capacity sputter-etching apparatus |
-
1980
- 1980-04-30 JP JP5746680A patent/JPS56152973A/ja active Granted
-
1981
- 1981-04-21 US US06/256,033 patent/US4351714A/en not_active Expired - Lifetime
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2241229A1 (de) * | 1972-08-22 | 1974-03-07 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung |
| DE2747061A1 (de) * | 1977-10-20 | 1979-04-26 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von baendern in vakuumanlagen mit schleuseneinrichtungen |
| DE2821119A1 (de) * | 1978-05-13 | 1979-11-15 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und anordnung zur regelung des entladungsvorganges in einer katodenzerstaeubungsanlage |
| DE2943862A1 (de) * | 1978-11-01 | 1980-05-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ionenquelle und ionenaetzverfahren |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19705884A1 (de) * | 1997-02-15 | 1998-08-20 | Leybold Ag | Plasma-Zündvorrichtung |
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