DE3004340A1 - Verfahren zur erzeugung sichtbarer bilder - Google Patents
Verfahren zur erzeugung sichtbarer bilderInfo
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Description
Patentanwälte .:..
Dlpl.-Ing. Dipl.-Chem. Dipl.-Ing.
E. Prinz - Dr. G. Hauser - Q. Leiser
Ernsbergerstrasse 19
8 München 60
SHIPLEY COMPANY INC. 4. Februar 1980
2300 Washington Street
Newton/ Massachusetts 02162 / V.St.A.
Unser Zeichen: S 3010
Verfahren zur Erzeugung sichtbarer Bilder
Die Erfindung betrifft die photographische Bildung eines sichtbaren Bildes über einem Substrat und insbesondere die
Bildung eines solchen Bildes Über einem Substrat unter Verwendung einer licht-unempfindlichen Schicht zwischen einem
aus einem lichtempfindlichen Photoresist bestehenden Decküberzug und einem Substrat.
Verfahren zur Bildung sichtbarer Bilder über Substraten, z.B. bei der Herstellung von Drucktasten mit sichtbaren
Inschriften, sind bekannt und z.B. in IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 20, Nr. 7, Dezember 1977, Seite 2861,
beschrieben. In diesem Bericht wird eine Methode zur Anbringung einer Inschrift auf einer Drucktaste nach dem in zwei
Stufen arbeitenden Spritzgußverfahren beschrieben und dieses Verfahren wird für eine Produktion mit hohem Volumen als
befriedigend bezeichnet, doch infolge der hohen Herstellungskosten der Form als zu teuer für eine Produktion geringen
Dr.Ha/Ma
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Umfangs. Ein anderes in dem Bericht als billig bezeichnetes
Verfahren verwendet photoempfindliche Polymerisate mit Metallchelaten. Das Verfahren umfaßt die folgenden
Stufen:
1. Ein homogenes Gemisch aus einem Photoresist und einem
Metallchelat wird hergestellt, auf die Oberfläche einer Drucktaste aufgebracht und man läßt einen trockenen
Überzug entstehen.
2. Der Überzug aus Metallchelat und Photoresist wird mit
einer computergesteuerten aktinischen Strahlungsquelle, z.B. einer UV-Quelle, einem Laserstrahl oder einem
Elektronenstrahl, zur Zersetzung des Metallchelats unter Bildung einer Metallbasis belichtet.
3. Die Metallbasis in Form der Drucktastenbeschriftung wird zur Verstärkung des Bildes einer stromlosen Metallabscheidung
unterworfen.
4. Gegebenenfalls wird ein klarer, abnutzungsbeständiger überzug noch aufgebracht.
Das mit den lichtempfindlichen Polymerisaten arbeitende Verfahren
ist zufriedenstellend, besitzt jedoch noch gewisse Nachteile. Zum Beispiel stört das Gemisch aus dem Metallchelat
und dem Photopolymeren die Lichtempfindlichkeit des
letzteren, wodurch die Bildschärfe und die Entwicklung beeinflußt werden können. Außerdem ist die weitere Stufe der
Metallabscheidung kostspielig und begrenzt die Farbwahl auf die Farbe der Metallplattierung.
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Das nachstehend beschriebene Verfahren schafft eine Möglichkeit zur photographischen Erzeugung sichtbarer Bilder über
einem Substrat, z.B. einer Drucktaste, unter Verwendung lichtempfindlicher Resists. Diese Materialien sind Überzüge,
die bei Belichtung mit Licht der richtigen Wellenlänge ihre Löslichkeitseigenschaften gegenüber bestimmten Lösungsmitteln
oder Entwicklern chemisch verändern. Zwei Typen stehen zur Verfügung - negativ wirkende und positiv wirkende Resists.
Vor der Belichtung sind negativ wirkende Resists im Entwickler löslich; bei der Belichtung erfahren sie jedoch eine
chemische Veränderung und werden im Entwickler unlöslich. Die Belichtung erfolgt durch einen Film mit einem Bildmuster
und der unbelichtete Photoresist wird selektiv gelöst, erweicht oder weggewaschen, so daß das gewünschte Resistmuster
auf einem Substrat als Reliefbild zurückbleibt. Positiv wirkende Resists arbeiten in umgekehrter Weise, d.h. die Belichtung
macht den Resist im Entwickler löslich. Das nach der Entwicklung verbleibende Resist-Reliefmuster ist in normalerweise
zur Behandlung solcher Resists verwendeten Chemikalien unlöslich.
Resistüberzüge wurden auf Substrate in flüssiger Form mittels
Gummiwalzen, Rollen oder dergleichen oder durch Tauchen oder Wischen als flüssige Resistschicht über dem Substrat aufgebracht,
wobei die Schicht nach dem Trocknen auf dem Substrat einen Resistfilm ergibt. Andererseits können Photoresists
auch in trockener Form auf ein Substrat aufgebracht werden, wie dies z.B. in der US-Patentschrift 3 469 982, auf welche
hier Bezug genommen wird, beschrieben ist, wo ein Resist als Film auf einen Unterlagsbogen aufgezogen und getrocknet wird.
Noch auf dem unterlagsbogen wird der Film durch Wärme und/oder Druck mit einem Substrat verhaftet. Der Unterlagsbogen kann
durchsichtig sein und der Film kann durch diesen Unterlagsbogen belichtet werden. Vor Entwicklung des Photoresists wird
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der ünterlagsbogen auf geeignete Größen zurechtgeschnitten
und von der Photoresistschicht abgezogen, so daß diese für die Entwicklung freiliegt.
Eine Verbesserung der Photoresisttechnologie sowie eine Kostenersparnis soll nach einem älteren Vorschlag dadurch
erzielt werden, daß man eine im wesentlichen nicht-lichtempfindliche Schicht zwischen einem Substrat und einer
lichtempfindlichen Photoresistschicht anordnet. Die Bildbegrenzung in der nicht-lichtempfindlichen Schicht hängt
von der Entwicklung der über ihr befindlichen Photoresistschicht und nicht von einer photochemischen Reaktion ab.
Bei Belichtung der Photoresistschicht und Entwicklung derselben wird die lichtunempfindliche Zwischenschicht freigelegt
und kann durch den Entwickler für die Photoresistschicht entwickelt werden, wenn dieser Entwickler auch für
die Zwischenschicht ein Lösungsmittel darstellt, oder sie wird zur Entwicklung mit einem getrennten Lösungsmittel
kontaktiert. Der entwickelte oberste Photoresistüberzug erzeugt somit eine Schutzschablone über der Zwischenschicht,
so daß diese durch Kontakt mit einem Lösungsmittel entweder in Form eines Positivbilds oder eine Negativbilds entfernt
werden kann.
Bei diesem älteren Vorschlag könnte zwar erwartet werden, daß die Verwendung einer Schicht unterhalb der Photoresistschicht,
die im Entwickler löslich ist, ein Abheben der gesamten Photoresistschicht oder zumindest eine starke Unterhöhlung
in die Zwischenschicht hinein während der Entwicklung zur Folge hat; in der Praxis wurde jedoch gefunden, daß bei
geeigneter Wahl der lichtunempfindlichen Schicht nur eine geringe Unterhöhlung selbst bei lichtunempfindlichen Schichten
mit Stärken von 1 mil oder größer auftritt. Tatsächlich wurde gefunden, daß eine extrem feine Auflösung bei Verwendung
sehr dünner Photoresistschichten über lichtunempfind-
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lichen Schichten mit Stärken von über 1 mil erzielt werden
kann. Die Auflösung kann durch die Wahl der in der Photoresistschicht und in der lichtunempfindlichen Schicht verwendeten
Materialien optimal werden.
Natürlich kann für die lichtunempfindliche Schicht ein in dem Entwickler für den Photoresist lösliches Material verwendet
werden oder es kann auch ein Material gewählt werden/ das in dem Entwickler für den Photoresist nicht löslich ist/
In welchem Falle dann zwei Entwicklungsstufen stattfinden/
die eine zur Entwicklung des Photoresist und die andere zur Entwicklung der lichtunempfindlichen Schicht; auf diese Weise
ist man in der Wahl der Materialien freier.
Der ältere Vorschlag bietet zahlreiche Vorteile gegenüber der eingangs beschriebenen Naß- und Trockenmethode in bezug
auf die Verwendung von Photoresists. Zum Beispiel kann die lichtunempfindliche Schicht verhältnismäßig dick sein, so
daß man nur dünne Photoresistschichten benötigt und somit proportional kleine Mengen des teuren lichtempfindlichen
Materials, da die lichtunempfindliche Schicht so gewählt werden kann, daß sie die für die Verwendung erforderliche
Festigkeit und Zähigkeit ergibt. Die Gesamtkosten werden somit stark herabgesetzt.
Außerdem ergibt die Verwendung einer dünnen Photoresistschicht eine größere Belichtungsgeschwindigkeit, da die Belichtungsdauer
eine Funktion der Resiststärke ist. Außerdem erfolgt die Entwicklung des belichteten Elements wegen der
verhältnismäßig dünnen Resistschicht vollständiger, wobei eine sauberere Oberfläche auf dem Substrat zurückbleibt,
da die Trennung des Photoresists von dem Substrat durch die lichtunempfindliche Schicht eine Reaktion zwischen dem Substrat
und dem Photoresist verhindert.
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Auch wurden bekannten Photoresistschichten schon Farbstoffe zugesetzt, um die Überwachung der entwickelten Schichten zu
erleichtern. Der Zusatz von Farbstoffen verlängert jedoch die Belichtungsdauer das Photoresists stark. Bei Verwendung
einer Zwischenschicht kann der Farbstoff der lichtunempfindlichen Schicht anstelle der Photoresistschicht zugesetzt
werden, so daß man eine Photoresistschicht erhält, deren Belichtungsdauer durch die Anwesenheit von fremden Farbstoffen
nicht beeinflußt oder verlängert wird. Tatsächlich kann praktisch jeder Farbstoff oder jedes Pigment verwendet
werden, da es mit dem lichtempfindlichen Material der Photoresistschicht
nicht verträglich zu sein braucht und der Einfluß eines Farbstoffs oder eines Pigments auf eine lichtunempfindliche Schicht meist minimal ist. Das erlaubt stärkere
Füllungen mit Farbstoff oder Pigment als bisher.
Als weiterer mit der Verwendung einer Zwischenschicht unterhalb einer Photoresistoberschicht verbundener Vorteil ergibt
sich, daß der lichtunempfindlichen Schicht Eigenschaften verliehen werden können, die man einer Photoresistschicht nicht
verleihen kann, ohne deren Lichtempfindlichkeit oder Entwickelbarkeit zu beeinflussen. Zum Beispiel können Harzsysteme verwendet
werden, deren physikalische Eigenschaften für bestimmte Zwecke erwünscht ist, z.B. Eigenschaften wie Härte, Klebrigkeit
und dergleichen.
Die vorliegende Erfindung schafft eine photographische Möglichkeit
zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes über einem Substrat, z.B. bei der Herstellung von Namensschildern, Tastenfeldern,
z.B. Schreibmaschinentasten und dergleichen.
Eine Ausführungsform der Erfindung besteht in der Bildung
eines Verbundkörpers aus mindestens einem Substratmaterial, einer lichtunempfindlichen, in der Farbe mit dem Substrat kontrastierenden
Zwischenschicht und einem Photoresistüberzug
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über der lichtunempfindlichen Zwischenschicht. Der Verbundkörper
kann durch Aufbringung jeder Schicht in flüssiger Form auf das Substrat, durch Aufbringung jeder Schicht in
Form eines trockenen Films, entweder als getrennter Film oder als mehrschichtiger Film oder durch Kombination einer
flüssigen Schicht und einer trockenen Schicht gebildet werden.
Alsdann wird der Verbundkörper bildmäßig mit aktivierender Strahlung belichtet, wobei der Photoresistüberzug der Quelle
der aktivierenden Strahlung gegenüberliegt. Der oberste überzug wird entwickelt, wobei sich eine Reliefbild ergibt und
wobei die Zwischenschicht in dem gewünschten Bildmuster freiliegt. Tatsächlich bildet die Photoresistschicht über der
Zwischenschicht eine Schablone. Die freigelegte Zwischenschicht wird dann durch Kontakt mit einem Lösungsmittel unter
Entfernung der Schicht entwickelt, wobei das darunter befindliche Substrat freigelegt wird. Die Entwicklung der Photoresistschicht
und die Auflösung der freigelegten Zwischenschicht kann mit einer einzigen Entwicklerlösung erfolgen,
die auch ein Lösungsmittel für die Zwischenschicht bildet, oder man kann zwei getrennte Behandlungen mit verschiedenen
Lösungen (Entwicklern) durchführen. Zwei getrennte Behandlungslösungen sind bevorzugt. Die nächste Stufe besteht in der
Entfernung des verbliebenen Photoresists, worauf die Zwischenschicht in Bildform zurückbleibt. Schließlich kann das aus
der Zwischenschicht bestehende Bild als wahlweise, jedoch bevorzugte Maßnahme mit einem geeigneten durchsichtigen oder
durchscheinenden Material unter Bildung einer gleichförmigen, harten und abnutzungsbeständigen Oberfläche umschlossen
werden.
Unter Bezugnahme auf das Vorstehende ist eine Aufgabe der Erfindung somit die Schaffung einer photographischen Methode
zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes über einem Substrat, wobei das Bild farblich mit dem Substrat kontrastiert und
hart und dauerhaft ist.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer
Verbundstruktur, die sich zur Verwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren eignet.
Verbundstruktur, die sich zur Verwendung in dem erfindungsgemäßen Verfahren eignet.
Weitere Gegenstände und Vorteile ergeben sich aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht einer Verbundstruktur gemäß
der Erfindung,
Fig. 2 ein Flußdiagramm einer Verfahrensfolge zur Erzeugung
eines sichtbaren Bilds auf einem Substrat gemäß der
Erfindung und
Erfindung und
Fig. 3 ein eingekapseltes Bild über einem Substrat, welches einer Umkehrung von Fig. 2E entspricht.
In der Zeichnung zeigt Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines
Verbundkörpers, der sich zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes gemäß der Erfindung eignet. Die Figur zeigt ein Substrat 1,
das mit einer Zwischenschicht 2 aus einem lichtunempfindlichen Material überzogen ist und einen lichtempfindlichen überzug aus Photoresist aufweist. Obwohl in der Zeichnung nicht dargestellt, kann sich über dem Photoresistüberzug noch eine
Schutzschicht zum Schutz des Photoresists während der Aufbewahrung und Handhabung und eine die Klebrigkeit fördernde
Schicht zwischen der Zwischenschicht 2 und dem Substrat 1 zur Verbesserung der Haftung des Substrats an der Zwischenschicht befinden. Andere Schichten können noch verwendet werden, wie dies dem Fachmann geläufig sein dürfte.
das mit einer Zwischenschicht 2 aus einem lichtunempfindlichen Material überzogen ist und einen lichtempfindlichen überzug aus Photoresist aufweist. Obwohl in der Zeichnung nicht dargestellt, kann sich über dem Photoresistüberzug noch eine
Schutzschicht zum Schutz des Photoresists während der Aufbewahrung und Handhabung und eine die Klebrigkeit fördernde
Schicht zwischen der Zwischenschicht 2 und dem Substrat 1 zur Verbesserung der Haftung des Substrats an der Zwischenschicht befinden. Andere Schichten können noch verwendet werden, wie dies dem Fachmann geläufig sein dürfte.
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Der lichtempfindliche Photoresistüberzug kann entweder ein positiv oder ein negativ arbeitendes Material sein. Jedes
bekannte Photoresistmaterial kann verwendet werden. Beispiele für geeignete Photoresistmaterialien sind in den US-Patentschriften
3 046 110, 3 046 118, 3 102 804, 3 130 049, 3 174 860, 3 230 089, 3 264 837, 3 149 983, 3 264 104, 3 288 608 und
3 427 162 sowie in Kosar, Jaromir, Light-Sensitive Systems:
Chemistry and Application of Non-Silver Halide Photographic Processes, New York, John Wiley & Sons, Inc., Copyright 1965,
beschrieben, auf die hier Bezug genommen wird. Bevorzugte lichtempfindliche Materialien sind Diazo-Materialien, und zwar
sowohl positiv als auch negativ wirkende. Das am meisten bevorzugte Material ist ein Naphthochinon-diazid-sulfensäureester.
Andere geeignete lichtempfindliche Stoffe sind z.B. Zimtsäure, Vinylcinnamalacetophenonpolymerisate, wie sie z.B. in der
US-Patentschrift 2 716 102 beschrieben sind; Vinylbenzalacetophenone,
wie sie in der US-Patentschrift 2 854 388 beschrieben sind; Vinylazidophthalatpolymerisate gemäß der
US-Patentschrift 2 870 011; Dichromatmaterialien; sowie freie
Radikale bildende Materialien, wie sie in den monatlichen Mitteilungen des Institute of Graphic, August 1972, Seiten
4 bis 19, beschrieben sind.
Zur Verwendung als lichtunempfindliche Zwischenschicht sind sehr viele Materialien geeignet. Wenn die lichtunempfindliche
Schicht in wäßrigen Entwicklern löslich sein soll, kann sie Materialien wie z.B. wasserlösliche Salze von Polyvinyläthermaleinsäureanhydrid-Copolymerisaten,
wasserlösliche Celluloseäther, wasserlösliche Salze von Carboxyalkylcellulose, wasserlösliche
Salze von Carboxyalkyl-stärke, Polyvinylalkohol, Polyvinylpyrrolidon, Polyacrylamide, wasserlösliche Salze
von Polyacrylsäure oder Äthylenoxidpolymerisate enthalten. Wenn in wäßrigen Entwicklern unlösliche Materialien verwendet
werden sollen, können in organischen Lösungsmitteln lösliche
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verwendet werden, was natürlich bedeutet, daß der Resistüberzug in dem zum Auflösen der Zwischenschicht verwendeten
Lösungsmittel unlöslich ist; solche Polymerisate sind z.B. Polystyrol und dessen Copolymerisate, z.B. Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymerisate
(ABS), Polymethylmethacrylat, Polyamide und Polyester.
Das bevorzugte lichtempfindliche Resistmaterial sind die
positiv arbeitenden Naphthochinon-dazidsulfonsäureester in einem Novolakharzbinder. Da diese Stoffe in wäßrigen alkalischen
Lösungen entwickelbar sind, ist die bevorzugte Zwischenschicht, wenn eine zweistufige Entwicklung gewünscht wird,
säurelöslich; z.B. besteht sie aus einem in Säuren, z.B. Schwefelsäure, löslichen Melaminharz.
Geeignete Zusätze, welche der lichtunempfindlichen Schicht
verschiedene erwünschte Eigenschaften verleihen, können ebenfalls zugesetzt werden, wie dies dem Fachmann bekannt ist.
Auch können Zusätze, z.B. Farbstoffe und Pigmente, in die Zwischenschicht eingebracht werden, um deren Farbe mit der
des Substrats kontrastieren zu lassen. Diese Stoffe können in großen Anteilen zugesetzt werden, um die Schicht undurchsichtig
und stark gefärbt zu machen - z.B. werden Pigmente in Mengen von 1 bis 50 Gew.% des Harzes, vorzugsweise in
Mengen von 20 bis 40 Gew.% zugegeben. Typische Pigmente sind z.B. Titandioxid, Ruß und Molybdate; unter den Farbstoffen
seien die Phthalocyanine genannt.
Pigmente werden den Farbstoffen für die hier in Frage kommenden Anwendungen vorgezogen.
Die Photoresistschicht und die lichtunempfindliche Schicht können jeweils in flüssiger Form auf das Substrat aufgebracht
werden, und zwar durch Aufwirbeln, Aufbringen mittels einer Walze oder auf beliebige andere bekannte Weise. Vorzugsweise
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werden jedoch die beiden Schichten zu einem einheitlichen Film vereinigt, welcher dann auf der Seite der lichtunempfindlichen
Schicht mit dem Substrat verklebt wird. Wie bereits gesagt, kann die lichtunempfindliche Schicht aus einem starken
Material und/oder verhältnismäßig dick sein, so daß zusätzliche Trägerfolien oder -schichten nicht erforderlich sind.
Jedoch können zusätzliche Folien oder Schichten unter bestimmten Umständen verwendet werden. Zum Beispiel kann eine Abziehfolie,
z.B. aus Polyäthylenterephthalat, auf den obersten Photoresistüberzug aufgebracht werden, so daß dieser auf einer
Seite durch die Abziehfolie und auf der anderen Seite durch die Zwischenschicht geschützt ist. Andere geeignete Abziehfolien sind bekannt, einschließlich solche aus Polyäthylen,
Polypropylen, Viny!harzen, Cellulosematerialien, behandeltem
Papier usw.
Verfahren zur Bildung eines einheitlichen Films, bestehend aus einem Photoresistüberzug und einer lichtunempfindlichen
Schicht, dürften für den Fachmann auf der Hand liegen. Zum
Beispiel kann eines der Materialien zu einem Film verarbeitet werden, welcher anschließend mit einer Schicht aus dem anderen
Material überzogen wird.
Die Dicke der lichtunempfindlichen Schicht hängt von den für sie gewünschten Eigenschaften ab. Allgemein kann die Schicht
zwischen etwa 0,05 und 5 mil dick sein (1,27 μ. bis 127 μ). Ihre bevorzugte Dicke beträgt etwa 0,2 bis etwa 2 mil (5,1 bis
51 \i) . Ebenso hängt die Dicke der Photoresistschicht von den
gewünschten Eigenschaften derselben ab. Wie bereits gesagt, kann die Menge an kostspieligem Photoresistmaterial gemäß der
Erfindung herabgesetzt werden und die Belichtungsdauer kann durch Verwendung einer dünneren Schicht herabgesetzt werden,
wobei die lichtunempfindliche Schicht die erforderliche Festigkeit verleiht. Demgemäß beträgt das Verhältnis von Resistschicht
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zu lichtunempfindlicher Schicht vorzugsweise mindestens 1:1 und vorzugsweise zwischen 1:1 und 1:20, wobei besonders
bevorzugt gegebenenfalls ein Verhältnis zwischen 1:1 und 1:5 ist, obwohl das Verhältnis der Resistschicht zu der lichtunempfindlichen Schicht zwischen etwa 20:1 bis 1:20 variieren
kann. Die Photoresistschicht soll jedoch nicht so dünn sein, daß sie durchlässig wird und dann das darunter befindliche
lichtunempfindliche Material nicht mehr schützen kann. Wenn die entwickelte Photoresistschicht die lichtunempfindliche
Schicht nicht ausreichend schützt, bildet sich nicht die Schutzschablone für das Substrat und das sichtbare Bild in
der Zwischenschicht ist nur schlecht ausgebildet.
In dem Verbundkörper von Fig. 1 wird durch Belichtung mit aktivierender Strahlung durch ein Dia, welches eine Negativoder
Positivaufnahme des gewünschten Bildes sein kann, ein photographisches Bild erzeugt. Die Strahlungsquelle und die
Verwendung eines Positiv- oder Negativbildes hängt von dem Photoresistüberzug ab, wie für den Fachmann selbstverständlich
ist.
Nach der Belichtung durch das Dia während einer zur Bildung eines latenten Bildes ausreichenden Zeit wird der Verbundkörper
durch Kontakt mit einem Entwickler, welcher ein Lösungsmittel für die Zwischenschicht sein kann, entwickelt. Bei einer
bevorzugten Ausführungsform ist der Entwickler für den Photoresist
kein Lösungsmittel für die Zwischenschicht. Daher werden dann zwei Entwicklungsstufen erforderlich, wobei die erste in
der Entwicklung des latenten Bildes in dem Photoresistüberzug durch Kontakt mit einem Entwickler für diesen überzug unter
Bildung eines Reliefbildes darin besteht; der verbleibende Photoresist wirkt dann als Schutzschicht über entsprechenden
Stellen der Zwischenschicht und bildet eine Schablone für diese, worauf die freigelegte Fläche der Zwischenschicht durch Kontakt
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mit einem Lösungsmittel, das jedoch kein Lösungsmittel für den schützenden Photoresistüberzug bildet, entfernt
wird. Diese Ausführung ist bevorzugt, da sie eine größere Freiheit in der Wahl von zur Bildung des sichtbaren Bildes
verwendbaren Materialien und eine bessere Kontrolle über die Reihenfolge der Verfahrensstufen bietet.
Bei einer weniger bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Zwischenschicht in dem Entwickler für die Photoresistschicht
löslich. Wenn z.B. die Photoresistschicht aus einem lichtempfindlichen Material in Kombination mit einem
im Entwickler löslichen Harz, z.B. einem alkalilöslichen Novolak Phenol-Formaldehyd-Harz in Kombination mit einem
Naphthöchinondiazid-sulfensäureester, besteht, bestünde die
lichtunempfindliche Zwischenschicht dann aus dem in dem gleichen Entwickler löslichen Novolakharz ohne das lichtempfindliche
Material.
Die bevorzugte .Methode zur Erzeugung des Bildes gemäß der
Erfindung ist in dem Flußdiagramm von Fig. 2 dargestellt, wo der Erläuterung halber der Verbundkörper von Fig. 1, bestehend
aus Substrat 1, Zwischenschicht 2 und Photoresistüberzug 3, verwendet wird. Wie in Fig. 2 dargestellt, arbeitet der Photoresist
positiv.
In Stufe 2A wird aktivierende Strahlung durch das Dia 4 geschickt und trifft auf den Photoresistüberzug 3 auf. Ein Teil
der Strahlung wird durch undurchsichtige Teile 5 des Dias 4 abgeblockt. In dem Photoresistüberzug 3 bildet sich ein latentes
Bild aus.
Da in Fig. 2 ein positiv arbeitender Photoresist dargestellt ist, macht die aktivierende Strahlung den Photoresist an den
Stellen, auf welchen sie auftrifft, löslich. In Stufe 2B ist
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der Verbundkörper dargestellt, wie er nach Belichtung und
Kontakt des obersten Überzugs mit einem Entwickler aussieht,,
Es verbleibt die Zwischenschicht 2 über dem Substrat 1 und der Photoresistüberzug 3 umreißt über der Zwischenschicht 2
ein Bildmuster.
Stufe 2C zeigt den Verbundkörper nach Kontakt der Zwischenschicht 2 mit einem Lösungsmittel. Der Photoresistüberzug 3
schützt die Zwischenschicht, über welcher er sich befindet, und nur die nicht von dem überzug geschützten Teile dieser
Zwischenschicht werden von dem Lösungsmittel entfernt. Infolgedessen überlagern nach Kontakt der Zwischenschicht mit dem
Lösungsmittel sowohl die Zwischenschicht als auch der Photoresistüberzug das Substrat in Form eines Musters.
In Stufe 2D ist der Photoresistüberzug 3 durch Kontakt mit einem Lösungsmittel, das jedoch kein Lösungsmittel für die
Zwischenschicht 2 darstellt, entfernt worden. Dabei bleibt dann nur die Zwischenschicht 2 in Form des Musters auf dem
Substrat zurück. Die Entfernung des Photoresistüberzugs ist erwünscht, da er lichtempfindlich ist und seine eigene Farbe
besitzt. Wenn er nicht entfernt wird, wird er langsam dunkel und verfärbt das gewünschte Aussehen der Zwischenschicht.
In Stufe 2E von Fig. 2 ist die Zwischenschicht 2 in Form des gewünschten Musters vorzugsweise mit einem Schutzlack 6 zum
Schutz des Bildmusters und zur Erzielung eines harten, verhältnismäßig glatten und dauerhaften Überzugs eingehüllt.
Diese Verfahrensstufe ist nicht erforderlich, sie empfiehlt sich jedoch. Das zum Umhüllen der Zwischenschicht verwendete
Material soll durchsichtig oder durchscheinend sein. Polyurethan und dessen Derivate sind geeignete Stoffe.
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Ebenfalls unter Bezugnahme auf Fig. 2 gilt, daß/ Wenn der verwendete Photoresist ein negativ arbeitendes anstelle eines
positiv arbeitenden Materials ist, der überzug vor der Belichtung im Entwickler löslich ist, jedoch durch die Belichtung
unlöslich wird. Unter Verwendung des gleichen Dias würde man somit bei dem in Fig. 2 dargestellten Verfahren ein umgekehrtes
Bild erhalten. Fig. 3 zeigt einen auf diese Weise gebildeten Verbundkörper.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
Beispiel 1
Die hier beschriebene Methode ist die derzeit bevorzugte.
Die hier beschriebene Methode ist die derzeit bevorzugte.
Eine Lösung eines Klebstoffs, enthaltend 30 Gew.% Hexamethoxymethylmelamin
(Cymel 303 von Am Cyanamid), wird hergestellt
und vor seiner Verwendung wird ein Säurekatalysator zugegeben.
Der Klebstoff wird auf eine Platte aus einem Styrol-Acrylnitrilpolymerisat
mit einem mit Druckluft betätigten Handsprüher aufgebracht.
Die Schicht wird 10 Minuten in einem Ofen bei etwa 500C getrocknet. Die endgültige Trockendicke beträgt etwa
0,1 mil (2,54 μ).
Eine zweite Lösung wird mit einem methylierten Melaminharz (Resimine 730 der Monsanto Corporation) in einer Menge von
40 Gew.%, mit 26 Gew.% Titandioxid und einem Säurekatalysator in einer Menge von 6 Gew.% des Melaminharzes hergestellt.. Diese
Lösung wird auf die Klebstoffschicht mit dem gleichen Sprüher aufgebracht und 30 Minuten in einem Ofen bei 7O0C getrocknet.
Die gesamte Trockendicke des Überzugs beträgt etwa 0,4 mil (10,2 μ). Die Platten werden dann auf Raumtemperatur abgekühlt.
Zum Schluß wird eine Lösung von AJZ 120 Photoresist der Shipley
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Company Ine., bestehend aus einer lichtempfindlichen Verbindung eines Naphthochinondazid-sulfonsäureesters und
einem Novolak Phenol-Formaldehyd-Harz, gelöst in einem Cellusolvlösungsmittelsystem, auf die Melaminzwischenschicht
aufgesprüht und 10 Minuten in einem auf 500C gehaltenen
Ofen getrocknet, wobei man eine Trockendicke des Überzugs von etwa 5,1 bis 7,5 μ (ο,2 bis 0,3 mil) erhält.
Der wie vorstehend beschrieben hergestellte Verbundkörper
wird mit aktivierender Strahlung mit einer Aristogrid-Lichtquelle (Aristo Grid Lamp Products Inc.) durch ein Pia.
mit dem gewünschten Bildmuster 2 Minuten unter Bildung eines latenten Bildes in dem Photoresistüberzug belichtet.
Das latente Bild wird mit Entwickler AZ 220 oder AZ 303 A der Shipley Company Inc. entwickelt, wobei diese Entwickler
eine Konzentration von 40 bzw. 12 % besitzen, und die Entwicklung erfolgt durch Eintauchen der Platte in den Entwickler.
Der Kontakt mit dem Entwickler ergibt in dem obersten überzug ein Reliefbild, während die darunter befindliche Zwischenschicht
in Form des Negativs des gewünschten Bildes freigelegt wird. Danach werden die freiliegenden Teile der Zwischenschicht
durch Eintauchen der Platte in ein oberflächenaktives Mittel enthaltende 20%ige Schwefelsäure entfernt. Der oberste
Überzug schützt die Zwischenschicht, die er bedeckt, während die Zwischenschicht und anschließend die Unterschicht in Kontakt
mit der Schwefelsäure gelöst werden. Die nächste Stufe des Verfahrens besteht in der Entfernung des verbliebenen
Resistüberzugs durch Auflösen in einer Lösung von AZ 420 Remover von Shipley Company Inc. (Andererseits kann der Photoresist
auch durch Vollbelichtung mit Ultraviolettlicht und anschließendes Lösen in einer Entwicklerlösung entfernt werden).
Der Remover löst den Photoresist ohne die Zwischenschicht anzugreifen. Nach Entfernung des verbliebenen Photoresists wird
das Plättchen in einem Ofen mit Luftzirkulation 30 Minuten bei 700C gehärtet.
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Gegebenenfalls kann das erhaltene Bild mit einer Polyurethanlösung
mit oder ohne ein Mittel zum Glattstreichen besprüht werden, wobei das Muster mit einem gleichförmigen abnutzungsbeständigen
Oberzug versehen wird; diese Ausführungsform ist
bevorzugt.
Dieses Beispiel beschreibt einen Verbundkörper, der in einer einzigen Entwicklungsstufe entwickelt werden kann.
Eine lichtunempfindliche Schicht wird durch Mischen von
25 Gramm einer 50%igen Lösung von Novolak Phenol-Formaldehyd-Harz
in Toluol mit 25 Gramm Cellosolvacetat als Lösungsmittel hergestellt. Die Lösung wird mit 80 Umdrehungen pro Minute
während 5 Minuten auf ein mit Kupfer verkleidetes Substrat aufgewirbelt; Das überzogene Substrat wird dann 20 Minuten bei
800C zu einer etwa 25,4 μ (1 mil) dicken trockenen Schicht
gehärtet. Dann wird, wie vorstehend beschrieben, eine Photoresistschicht
in Form einer. 20 Gew.% Feststoff enthaltenden Lösung von AZ 120 Photoresist der Shipley Company Inc. aufgebracht.
Der Photoresistüberzug wird durch fünf minutiges Aufwirbeln und zwanzigminutiges Härten bei 800C gebildet. Die Trockenfilmdicke des Photoresistüberzugs beträgt etwa 6,3 μ. (1/4 mil).
In dem Verbundkörper erscheint nach der in Beispiel 1 beschriebenen
Belichtung und Entwicklung ein sichtbares Bild; die Stufe der Kontaktierung mit Schwefelsäure wurde hier weggelassen,
da dies wegen der Löslichkeit der Zwischenschicht in dem Entwickler unnötig ist. Das sichtbare Bild besteht
aus dem Kupfer des Substrats, das farblich mit der Zwischenschicht kontrastiert.
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Dieses Beispiel erläutert eine andere Zwischenschicht, die zwar in einem alkalischen Entwickler löslich, jedoch infolge
des Einschlusses anderer unlöslicher Harze weniger löslich ist als die Schicht von Beispiel 2.
Die Zwischenschicht wird durch Mischen von 25 Gramm der Phenol-»Formaldehydlösung von Beispiel 2 mit 25 Gramm Gantrez
M-555, einer 50%igen Lösung von Polyvinylmethyläther, der
von der GAF Corporation erhältlich ist, und mit 50 Gramm Cellosolvacetat als Lösungsmittel und Aufwirbeln der Lösung,
wie vorstehend beschrieben, gebildet. Die Schicht ist wie in Beispiel 2 entwickelbar, wobei jedoch die Entwicklungsdauer
infolge der in der Zwischenschicht enthaltenen unlöslichen Harze länger ist.
Dieses Beispiel beschreibt einen negativ arbeitenden trockenen obersten Filmüberzug.
Nach dem Verfahren von Beispiel 1 können die gleiche Klebschicht und die gleiche Zwischenschicht auf das gleiche Styrol-Acrylnitril-Substrat
aufgebracht werden. Dann wird ein negativ arbeitender trockener Photoresistf ilm (Riston von DuPont Corporation)
mit der Zwischenschicht verbunden. Der trockene Film besteht aus einer Polyähtylenschutzschicht, einer Schicht aus einem
Photoresistmaterial, und zwar einer photopolymerisierbaren, äthylenisch ungesättigten Verbindung, wie sie in der britischen
Patentschrift 1 128 850 beschrieben ist, sowie einer Schicht aus Polyäthylenterephthalat (Mylar). Die Polyäthylenschutzschicht
wird von dem Photoresistelement abgezogen und das verbliebene Element wird mit beheizten Druckwalzen bei einer
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Temperatur von etwa 12O0C und unter einem Druck von, etwa,
10 bis 12 Pfund pro Zoll am Walzenspalt und bei einer Geschwindigkeit von etwa 60 cm pro Minute mit der Zwischenschicht
verbunden. Das erhaltene Schichtgebilde wird dann durch das für Fig. 1 verwendete Dia belichtet und mit
Trichloräthylen unter Entfernung des unbelichteten Photoresists entwickelt. Die übrigen Stufen der Verfahrensfolge
sind wie in Beispiel 1, jedoch 1st das fertige Bild das Negativ von dem in Beispiel 1 erhaltenen.
fi
Beispiel 5
Dieses Beispiel erläutert die Verwendung eines trockenen Films als lichtunempfindliche Schicht und einer Photoresistschicht.
Auf eine Folie aus optisch durchsichtigem Polyäthylenterephthalat (Mylar) wird eine 20%ige Lösung von AZ 119
Photoresist in.Cellosolveacetat als Lösungsmittel während 5 Minuten bei 78 Umdrehungen pro Minute aufgewirbelt. Der
überzug wird 20 Minuten bei 8O0C getrocknet. Dann wird auf
die Photoresistschicht eine weitere Schicht durch Aufwirbeln einer Lösung von 36 Gramm Phenol-Formaldehyd-Novalak-Harz
und 17 Gramm Gantrez M-555, gelöst in 50 Gramm Cellosolvacetat, aufgebracht. Die Lösung wird auf die Photoresistschicht
während 5 Minuten mit 78 Umdrehungen pro Minute aufgewirbelt und 20 Minuten bei etwa 800C getrocknet.
Der erhaltene trockene Film wird mit der Styrol-Acrylnitrilplatte mittels gummiüberzogenen Walzen verbunden, die bei
etwa 1200C mit einem Druck von etwa 10 bis 12 Pfund pro Zoll
am Walzenspalt und einer Geschwindigkeit von etwa 60 cm pro Minute betrieben werden. Der so gebildete Verbundkörper kann
dann nach Entfernung der Mylar-Folie auf die in Beispiel 1
beschriebene Weise behandelt werden.
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Claims (24)
1. Verfahren zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes über
einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß man
a) einen Verbundkörper aus einem Substrat, einer Zwischenschicht aus einem im wesentlichen lichtunempfindlichen
Material auf dem Substrat, deren Farbe mit der des Substrats kontrastiert, und einem überzug aus einem
Photoresistmaterial auf der Zwischenschicht herstellt, wobei das Photoresistmaterial bei Belichtung mit aktivierender
Strahlung ein latentes Bild erzeugt und in Bildform unter Entwicklung des latenten Bildes entfernt
werden kann,
b) den über der Zwischenschicht befindlichen Resistüberzug mit aktivierender Strahlung bildförmig unter Entstehung
eines latenten Bildes in diesem überzug belichtet,
c) den Verbundkörper mit einem Entwickler und Lösungsmittel zur bildmäßigen Entfernung des Resistüberzugs und
Dr.Ha/Ma
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der unter dem entfernten Photoresistüberzug befindlichen Zwischenschicht kontaktiert, und
d) den Rest des lichtempfindlichen Resistuberzugs ohne
Entfernung der darunter befindlichen Zwischenschicht entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht polymer ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die polymere Zwischenschicht einen Farbstoff oder ein
Pigment enthält.
Pigment enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht in dem Entwickler für den Photoresistüberzug
unlöslich ist.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht in dem Entwickler für den" Photoresistüberzug
löslich ist.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Photoresistüberzug ein positiv arbeitender ist.
der Photoresistüberzug ein positiv arbeitender ist.
7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Photoresistüberzug ein negativ arbeitender ist.
8. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Zwischenschicht zwischen 2,54 μ und 50 μ
beträgt und daß das Verhältnis der Dicke des Resistüberzugs zur Dicke der lichtunempfindlichen Schicht zwischen
etwa 1:1 und 1:20 variiert.
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9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
das Verhältnis zwischen 1:1 und 1:5 variiert.
10. Verfahren zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes über einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß man
a) einen Verbundkörper aus einem Substrat, einer polymeren
Zwischenschicht aus im wesentlichen lichtunempfindlichem Material über dem Substrat, deren Farbe mit derjenigen
des Substrats kontrastiert, 'und einem Überzug aus einem Photoresistmaterial herstellt, welches bei Belichtung
mit aktivierender Strahlung ein latentes Bild ergibt und bildmäßig durch Entwicklung oberhalb dieser Zwischenschicht
entfernbar ist, wobei die Dicke der Zwischenschicht zwischen 5,1 und 51 μ variiert und das Verhältnis
der Dicke des Überzugs zur Dicke der Zwischenschicht zwischen 1:20 und 20:1 variiert,
b) diesen obersten Überzug bildmäßig mit aktivierender Strahlung unter Entstehung eines latenten Bildes in dem
Überzug belichtet,
c) den Verbundkörper mit einem Entwickler unter Entfernung des Überzugs in dem Bildmuster und bildmäßiger Freilegung
der Zwischenschicht unterhalb des entfernten Überzugs mit einem Entwickler kontaktiert,
d) den Verbundkörper mit einem Lösungsmittel für die Zwischenschicht unter Entfernung derselben an den das
Muster bildenden Stellen kontaktiert, und
e) den Rest des Photoresistüberzugs ohne Entfernung der darunter befindlichen Zwischenschicht entfernt.
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11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtunempfindliche Material und das Photoresistmaterial
in Form einer Lösung aufgebracht und getrocknet werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
das lichtunempfindliche Material und das Photoresistmaterial als zusammengesetzter trockener Film aufgebracht
werden.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
das Verhältnis der Dicke des Überzugs zu der Dicke der Zwischenschicht zwischen 1:1 und 1:20 variiert.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
das Verhältnis zwischen 1:1 und 1:5 variiert.
15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
der Photoresist ein positiv arbeitender ist.
16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
der Photoresist ein negativ arbeitender ist.
17. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
die Zwischenschicht einen Farbstoff oder ein Pigment enthält.
18. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
man das sichtbare Bild in der Zwischenschicht mit einem durchsichtigen und abnutzungsbeständigen Polymerisat überzieht.
19. Verbundkörper, bestehend aus einem Substrat, einer
Zwischenschicht aus einem im wesentlichen lichtunempfindlichen Material oberhalb des Substrats, dessen Farbe mit
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der des Substrats kontrastiert, und.einem überzug aus
einem Photoresistmaterial, das bei Belichtung mit aktivierender Strahlung ein latentes Bild ergibt, wobei das
Resistmaterial in Bildform durch Entwicklung entfernbar ist, und wobei die Zwischenschicht polymer ist und einen
Farbstoff oder ein Pigment enthält und eine Dicke zwischen etwa 5,1 und 51 μ aufweist und das Verhältnis der Dicke
des Photoresistüberzugs zu der Dicke der Zwischenschicht zwischen 1:20 und 20:1 variiert.
20. Verbundkörper nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet,
daß das Verhältnis der Dicke des Photoresistüberzugs zur Dicke der Zwischenschicht zwischen 1:1 und 1:20 variiert.
21. Verbundkörper nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis zwischen 1:1 und 1:5 variiert.
22. Verbundkörper nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Photoresist ein positiv arbeitender ist.
23. Verbundkörper nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht in einem Entwickler für den Photoresistüberzug
unlöslich ist.
24. Verbundkörper nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht in dem Entwickler für den Photoresistüberzug
löslich ist.
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