DE2930779C2

DE2930779C2 - Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE2930779C2
Application number: DE2930779A
Authority: DE
Inventors: Masashi Hyogo Awa; Osamu Himeji Hyogo Hattori; Mitsuo Aioi Hyogo Kobayashi; Toshio Tetsuya; Osamu Usuda; Yoshio Yamamoto
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1978-07-28
Filing date: 1979-07-28
Publication date: 1983-08-04
Also published as: DE2930779A1

Description

dadurch gekennzeichnet, daß

(d) auf einer Oberfläche des Halbleiterelements eine erste Metallschicht (12) aus einem Metall der Gruppe Vanadium, Aluminium, Titan, Chrom, Molybdän und einer Nickel-Chrom-Legierung aufgebracht ist,

(e) auf die erste Metallschicht eine zweite Metallschicht (13) aus einem Metall der Gruppe Kupfer, Legierung auf Kupferbasis, Nickel und Legierung auf Nickelbasis aufgebracht ist und

(J) auf die zweite Metallschicht die Gold und Germanium enthaltende Metallschicht als dritte Metallschicht (14) aus einer Gold-Germanium-Legierung oder einer Legierung auf der Basis von Gold-Germanium aufgebracht ist.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Germanium-Anteil der Gold-Germanium-Legierung 4 bis 20Gew.-% beträgt

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung auf der Basis von Gold-Germanium eine Gold-Germanium-Antimon-Legierung ist, bei der o<;r Germanium-Anteil und der Antimon-Anteil 4 bis 20 Gew.-% bzw. 0,005 bis l,0Gew.-% bezogen auf das Gesamtgewicht von Gold und Germanium betragen.

4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung auf der Basis von Gold-Germanium eine Gold-Germanium-Gallium-Legierung ist, bei der der Germanium-Anteil und der Gallium-Anteil 4 bis 20 Gew.-% bzw. 0,005 bis l,0Gew.-% bezogen auf das Gesamtgewicht von Gold und Germanium betragen.

5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement (11) eine auf die dritte Metallschicht (14) aufgelegte vierte Metallschicht (15) aufweist, die aus einem Metall aus der Gruppe Gold, Silber und Platin hergestellt ist.

6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

die erste Metallschicht (12) eine Dicke von 5 bis 200 nm aufweist,

die zweite Metallschicht eine Dicke von 30 bis 500 nm und

die dritte Metallschicht (14) eine Dicke von 0,8 bis 3,5 μΐη.

7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Metallschicht (15) eine Dicke von 50 bis 500 nm aufweist.

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Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Eine solche Halbleitervorrichtung ist zum Beispiel aus der DE-AS 14 64 357 bereits bekannt.

Es sind verschiedene Verfahren bekannt, um ein Halbleiterelement aus Silicium (im folgenden »Siliciumchip« genannt) auf einem Träger oder Chipbefestigungsteil zu befestigen.

Aus der DE-AS 16 39 366 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Kontakts für Halbleiterbauelemente bekannt Bei diesem wird eine Elektrode Mit einer Goldschicht auf einen Halbleiterkörper aufgelegt, der seinerseits eine Titanschicht und darüber eine Nickelschicht besitzt Die Anordnung wird dann erhitzt, um die drei Schichten zwischen dem Halbleiterkörper und der Elektrode zu verschmelzen. Dabei bildet sich eine einzige einheitliche Schicht aus Gold, Nickel und Titan, und Gold diffundiert durch die Titan- und Nickelschichten in den Halbleiterkörper und bildet ein Eutektikum mit dem Halbleitermaterial. Diese Diffusion ven Gold in Silicium führt zu einer Änderung der Eigenschaften des Halbleiterelements. So verringert das Gold den Widerstand des Siliciums und führt etwa bei Transistoren zur Erhöhung der Kollektor-Emitter-Restspannung. Die Gold-Silicium-Legierung schwächt auch die Stärke der Verbindung und bringt Schwierigkeiten beim Teilen des Chips mit sich.

Aus der DE-AS 14 64 357 ist ein Verfahren zur Herstellung eines olanschen Kontaktes zwischen einem Silicium-Halbleiterkörper und einem metallischen Träger bekannt. Dabei wird der mit Germanium beschichtete Halbleiterkörper mit dem mit Gold beschichteten Träger in Berührung gebracht und anschließend zur Bildung einer Gold-Germanium-Legierung erhitzt. Die Stärke einer von einer Gold-Germanium-Legierung hergestellten Verbindung ist jedoch unzureichend. Zwar diffundiert in diesem Fall das Gold in geringerem Ausmaß in den Halbleiterkörper als es bei der Verwendung von elementarem Gold gemäß dem vorerwähnten Stand der Technik der Fall ist, da jedoch die Gold-Germanium-Legieiing w.imittelbar auf dem Halbleiterkörper liegt, kann immerhin soviel Gold in das Silicium diffundieren, daß auch bei diesem Stand der Technik Nachteile auftreten.

Aufgabe dieser Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung, bei der das Halbleiterelement auf dem Chipbefestigungsteil exakt positioniert ist, das mit geringen Kosten hergestellt werden kann und das eine starke Bindung zwischen dem Halbleiterelement und dem Chipbefestigungsteil aufweist.

Die Erfindung ist durch die Merkmale des Anspruches 1 gekennzeichnet. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Als Legierung auf Kupferbasis und als Legierung auf Nickelbasis, d. h. als Material der zweiten Metallschicht, können eine Kupfer-Nickel-Legierung und eine Nickel-Chrom-Legierung verwendet werden. Als Legierung auf Gold-Germanium-Basis, d. h. als Material der dritten Metallschicht, kann eine Gold-Germanium-Antimon-Legierung oder eine Gold-Germanium-Gallium-Legierung verwendet werden. Das Antimon in der Gold-Germanium-Antimon-Legierung dient dazu, die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V«, der Halbleitervorrichtung herabzusetzen.

Wird eine Gold-Germanium-Antimon-Legierung auf einer Nickelschicht oder einer Legierungsschicht auf der Basis von Nickel abgeschieden, dann wird zuerst Antimon abgeschieden, da der Dampfdruck von Antimon höher als der von Gold oder Germanium ist.

Das niedergeschlagene Antimon reagiert mit Nickel in der Weise, daß es eine Erhöhung des thermischen Widerstandes Ra, der Halbleitervorrichtung verursacht Um diese Reaktion zwischen Nickel und Antimon zu vermeiden, kann zwischen der Nickelschicht bzw. der Legierungsschicht auf Nickelbasis und der Gold-Germanium-Antimon-Schicht Gold, Germanium oder eine Gold-Germanium-Legierung gebildet werden.

Ferner kann zwischerr der dritten und der vierten Metallschicht ebenfalls eine Gold-Germanium-Schicht '" gebildet werden.

Vorzugsweise liegt der Germanium-Anteil in der Gold-Germanium-Legierung im Bereich zwischen 4 und 20Gew.-%. Ist der Germanium-Anteil geringer als 4 Gew.-%, dann wird die Legierung so weich, daß das >⁵ Schneiden in Würfel schwierig wird. Obersteigt der Anteil 20 Gew.-%, dann kann die dritte Metallschicht keine ausreichende Bindung mehr zwischen dem Halbleiterelement und dem Chipbefestigungsteil herstellen. Vorzugsweise sollte der Germanium-Anteil im ^2I) Bereich zwischen 6 und 12Gew.-% liegen. Am vorteilhaftesten ist es, wenn er bei Ϊ2 Gew.-°/o liegt, so daß ein Gold-Germanium-Eutektikum gel-ildet wird. Der Antimon-Anteil der Gold-Germanium-Antimon-Legierung liegt vorzugsweise im Bereich zwischen 0,005 und 1,0 Gew.-%, beruhend auf der Menge an Gold-Germanium. Am vorteilhaftesten ist es, wenn der Antimon-Anteil im Bereich zwischen 0,03 bis 0,2Gew.-% liegt Die erste Metallschicht sollte 5 bis 200 nm dick sein, die zweite Metallschicht 30 bis 500 nm, die dritte Metall- »> schicht 0,8 bis 33 μπι und die vierte Metallschicht 50 bis 500 nm.

Die Erfindung wird durch Ausführungsbeispiele anhand von 5 Figuren näher erläutert Es zeigt

F:g. 1 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterele- *> ments gemäß dieser Erfindung:

F i g. 2 eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß dieser Erfindung, bei der auf einem Chipbefestigungsteil ein Siliciumchip befestigt ist;

Fig.3 ein Diagramm, das die Verteilung des ·"> thermischen Widerstandes in einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung zeigt; und

F ig. 4 eine Querschnittsansicht einer weiteren Halbleitervorrichtung.

Es werden nun anhand der Zeichnung mehrere ·*' Beispiele dieser Erfindung erläutert

Beispiel 1

Wie in F i g. 1 dargestellt, wurde eine erste Metallschicht 12 von ungefähr 30 nm Dicke aus Vanadium, und '·" damit geeignet auf einer Siliciumschicht gut befestigt zu werden, auf einer Oberfläche eines Halbleiterelements 11 mit einem Siliciumsubrtrat, in dem PNP-Transistorchips 11a, 116, lic und Umgebildet wurden, aus der Gasphase abgeschieden. Auf der ersten Metallschicht 12 ⁵' wurde eine zweite- Metallschicht 13 aufgedampft, die aus Nickel hergestellt war und eine Dicke von etwa 100 nm hatte. Auf der zweiten Metallschicht 13 wurde eine dritte Metallschicht 14 aufgedampft bzw. aus der Gasphase abgeschieden, die aus einer Gold-Germani- ⁶ⁿ um-Legierung (Gerrnanium-Anteil: 12Gew.-°/o) hergestellt war und eine Dicke von etwa 1 μηι hatte. Das Halbleiterelement 11 wurde dann mittels eines Diamantschneiders auf der anderen Oberfläche angerissen. Danach wurde es in Chips geteilt. Jedes Chip wurde auf ·" einem silberplattierten Leiterrahmen 2 befestigt, wie dies in F ig. 4 dargestellt ist, wobei die dritte Metallschicht 14 als LiM'iHaterial diente. Auf diese Weise wurden Halbleitervorrichtungen, von denen jede ein Halbleiterchip enthielt hergestellt

Die Ausbeute war größer als bei den nach bekannten Verfahren hergestellten Produkten. Außerdem zeigten die Vorrichtungen eine niedrigere Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Va* und einen niedrigeren thermischen Widerstand Ra, als die nach bekannten Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtungen. Genauer gesagi lag Vas der Vorrichtungen zwischen 0,15 und 020 Volt, während Vc₀ der nach bekannten Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtungen zwischen 0,2 und 03 Volt lag. Fig.3 zeigt die Verteilung des thermischen Widerstandes in den Halbleitervorrichtungen A\ und /4,2, die nach bekannten Verfahren hergestellt worden sind, sowie in der Halbleitervorrichtung B gemäß Beispiel 1.

Beispiel 2

Es wurden in der gleichen Weise wie bei Beispiel 1 Halbleitervorrichtungen hergestellt mit der Ausnahme, daß in dem Siliciumsubstrat NPN-Transistorchips gebildet wurden und die erste Metallschicht, die zweite Metallschicht und die dritte MertjJschicht aus Titan, Kupfer bzw. einer Gold-Germanium-Antimon-Legierung (Antimon-Anteil: 0,1 Gew.-% beruhend auf der Menge an Gold-Germanium) hergestellt waren.

Die Ausbeute war höher als bei den nach bekannten Verfahren hergestellten Erzeugnissen. Ähnlich wie bei Beispiel 1 zeigten die Halbleitervorrichtungen eine kleinere Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V_m und einen kleineren thermischen V/iderstand R,_h als die nach bekannten Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtungen. Der thermische Widerstand Ra, variierte nur ein wenig von Vorrichtung zu Vorrichtung. Zufolge des Antimon-Anteils in der Gold-Germanium-Antimon-Legierung war die Spannung V«j niedriger als bei den Halbleitervorrichtungen nach Beispiel 1.

Beispiel 3

Es wurden in der gleichen Weise wie bei Beispiel 1 Halbleitervorrichtungen hergestellt mit der Ausnahme, daß, wie in Fig.5 dargestellt, auf die dritte Metallschicht 14 eine vierte Metallschicht 15 aus Gold, deren Dicke 50 nm betrug, aufgedampft wurde. Die vierte Metallschicht 15 verhinderte eine Oxidation der dritten Metallschicht 14. Die Bindung zwischen der dritten Metallschicht 14 und dem Leiterrahmen 2 wurde deshalb nicht so stark beeinträchtigt.

Die Ausbeute war höher als bei nach bekannten Verfahren hergestellten Erzeugnissen. Ähnlich wie bei Beispiel 1 zeigten die Halbleitervorrichtungen eine niedrigere Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V_c„ und einen niedrigeren thermischen Widerstand Ra, als die nach bekannten Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtungen. Der thermische Widerstand Ra, variierte r:ur wenig von Vorrichtung zu Vorrichtung.

Beispiel 4

Es wurden in der gleichen Weise wie bei Beispiel 2 Halbleitervorrichtungen hergestellt, mit der Ausnahme, daß. wie in Fig 5 dargestellt, auf die dritte Metallschicht 14 eine vierte Metallschicht 15 aus Gold, die eine Dicke von 50 nm aufwies, aufgedampft wurde. Die vierte Metallschicht 15 verhinderte eine Oxidation der dritten Metallschicht 14. Die Bindung zwischen der dritten Metallschicht 14 und dem Leiterrahmen 2 wurde deshalb nicht ungürstig beeinflußt.

Die Ausbeute war höher als bei den nach bekannten Verfahren hergestellten Erzeugnissen. Wie bei Bei-

spiel 1 zeigten die Halbleitervorrichtungen eine niedrigere Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung V„_s und einen niedrigeren thermischen Widerstand /?,/, als die nach bekannten Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtungen. Der thermische Widerstand R,h variierte nur etwas von Vorrichtung zu Vorrichtung. Zufolge des Antimon-Anteils in der Gold-Germanium-Antimon-Legierung war die Spannung V^ niedriger als bei den nach den Beispielen 1 und 3 hergestellten Halbleitervorrichtungen.

Die beanspruchte Halbleitervorrichtung weist die folgenden Vorteile auf:

Da anstelle einer Goldfolie eine extrem kleine Menge an einer Gold-Germanium-Legierung ver- r> wendet wird, um die Siliciumchips auf den Chipbefestigungsteilen zu befestigen, werden die Chips so exakt positioniert, daß beim Anbringen der Drähte keine Schwierigkeiten entstehen.

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rensschritt eine Goldfolie auf einem Chipbefestigungsteil zu plazieren oder eine Einrichtung zur Durchführung dieses Vorgangs nicht erforderlich.

3. Da die Menge an Gold, das in Form einer Gold-Germanium-Legierung verwendet wird, au- -'"> ßerordentlich gering ist, kann die Vorrichtung mit niedrigen Kosten hergestellt werden.

4. Da zwischen ein Siliciumsubstrat und eine Gold-Germanium-Legierungsschicht Metallschichten eingefügt werden, die gut sowohl mit Silicium als auch mit der Gold-Germanium-Legierung verbunden werden können, wird eine ausreichend starke Bindung zwischen dem Siliciumchip und dem Chipbefestigungsteil erzielt, wodurch die Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessert wird.

5. Da als Lötmaterial eine Gold-Germanium-Legierung anstelle einer Gold-Silicium-Legierung verwendet wird, kann das Siliciumsubstrat auf einfache Weise in Chips unterteilt werden und das Siliciumsubstrat kann auf der oberen Fläche längs Würfellinien angerissen werden, nicht auf den Legierungsschichten. Die Verwendung der GoId-Germanium-Legierung erleichtert das Brechen des Siliciumsubstrats in Chips aus dem folgenden Grund. Der Siliciumgehalt in der eutektischen Gold-Silicium-Verbindung beträgt 2,85 Gew.-°/o, während der Germaniumgehalt in der eutektischen Gold-Germanium-Verbindung 12 Gew.-°/o beträgt. Die spezifischen Dichten von Gold, Silicium und Germanium sind 19,3; 2,42 bzw. 5,46. Somit nimmt volumenmäßig Silicium 19% der eutektischen Gold-Silicium-Legierung ein, während Germanium 33% der Gold-Germanium-Legierung einnimmt. Offensichtlich ist damit volumenmäßig der Goldgehalt in der eutektischen Gold-Germanium-Legierung viel kleiner als in der eutektischen Gold-Siliciurn-Legierung.

Im allgemeinen wird das Metall aus der Gasphase unter einem Druck von 13,33 bis 1,333 Pa niedergeschlagen bzw. abgeschieden. Die Temperatur, bei der Gold einen derartigen Dampf- bzw. Gasdruck aufweist, ist nahezu gleich der Temperatur, bei der Germanium einen solchen Dampfdruck hat. Mit anderen Worten sind die Dampfdrücke von Gold und Germanium bei einer für die Dampfabsche'.üimg von Gold und Germanium geeigneten Temperatur nahezu gleich groß. Anders als bei Gold-Silicium oder Gold-Antimon kann Gold-Germanium leicht ohne fraktionelles Verdampfen aufgedampft werden. Zum Beispiel hat der Dampfdruck von Gold und Germanium bei 2000 K den Wert 73,33 Pa. Der Dampfdruck von Silicium hat bei 2000 K einen Wert von 3.999 Pa.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Halbleitervorrichtung, umfassend:

(a) einen Träger (2),

(b) ein auf diesem angebrachtes Halbleiterelement (11) und

(c) zwischen dem Halbleiterelement und dem Träger eine Gold und Germanium enthaltende Metallschicht (14),