DE29506198U1 - Hallsensoreinrichtung - Google Patents
HallsensoreinrichtungInfo
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Description
DATEI:B:ABG4 0-T2.TAT
10
Hallsensoreinrichtung
Die Erfindung betrifft eine Hallsensoreinrichtung
- mit einem zweipoligen Magnetkern,
- mit einer oberen Abschlußfläche, die einer der Pole
des Magnetkerns sein kann
- mit einem im Bereich eines Pols angeordneten Hall-Element, das Teil eines Schaltkreisplättchens
ist, das an seinen Außenseiten Bondinseln trägt.
20
Eine Hallsensoreinrichtung der eingangs genannten Art wird durch die Anmelderin seit einer Vielzahl von Jahren
hergestellt. Sie besteht aus einem Magnetkern, auf dessen Oberseite ein Hall-Effekt-Schaltkreis angeordnet
ist.
Als nachteilig hat es sich dabei erwiesen, daß der Hall-Effekt-Schaltkreis
mit einer umpreßten Preßmasse verkappt wird, aus der die abgebogenen Anschlüsse herausragen.
Durch die Verkappung und die Anschlüsse wird der gesamte Schaltkreis zu voluminös. Er ragt dadurch über
den Eisenkern hinaus und erfordert zusätzliche Halterungsmaßnahmen, insbesondere gegen ein seitliches Verschieben.
Darüber hinaus müssen die relativ massiven Anschlüsse mit den Anschlußleitungen verlötet werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehend
genannten Nachteile bei einer Hallsensoreinrichtung der eingangs genannten Art zu beseitigen und eine Hallsensoreinrichtung
zuschaffen, die einfach in der Herstellung ist.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst,
- daß das Hall-Schaltkreisplättchen gegebenenfalls auf
einer isolierten Zwischenlage auf der Abschlußfläche
aufgebracht ist, daß die Abschlußfläche oder die
1^ Zwischenlage dem Hall-Schaltkreisplättchen räumlich
zugeordnete weitere Bondinseln trägt und
- daß die Bondinseln das Hall-Schaltkreisplättchen mit den weiteren Bondinseln drahtgebondet sind»
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß das Hall-Schaltkreisplättchen
unmittelbar am Magnetkern angeordnet werden kann. Dadurch verringern sich die Abstände über dem Magnetkern.
Ein weiterer sehr wesentlicher Vorteil ist der, daß die Bondinseln durch Drahtbondverbindungen verbunden
werden können. Hierbei kann das in der Schaltkreistechnik bekannte Verbinden mittels Ultraschall oder Thermokompression
eingesetzt werden. Es entfällt dadurch das üblicherweise erforderliche Verlöten. Durch das direkte
Verbonden der Bondinseln und der weiteren Bondinseln wird nicht nur der Arbeitsaufwand reduziert, sondern es
werden auch zusätzliche Lötstellen vermieden, die Ursache für nicht vollzogene Leitungsverbindungen (sogenannte
Kaltlötstellen) sein können.
Vorteilhaft ist es, wenn zwischen dem Hall-Schaltkreisplättchen und dem Magnetkern eine die Drahtbondverbindungen
gegebenenfalls Schaltungselemente tragende Isolierplatte
als Zwischenlage angeordnet ist. Hierdurch wird gewährleistet, daß die einzelnen Teile festgehalten
werden können und gegen Verschieben oder andere Einflüsse geschützt sind.
Vorteilhaft ist es, wenn der Magnetkern von einem Gehäuse umgeben ist. Dabei kann vorteilhafterweise die
Isolierplatte auf einer der Oberflächen des magnetisierbaren Kerns positioniert und mit ihren übrigen Teilen am
Gehäuse befestigt werden. Es ist auch möglich, daß die Isolierplatte in das Gehäuse integriert ist, d. h. daß
beide Teilelemente in einem Arbeitsgang hergestellt werden können. Möglich ist es darüberhinaus, daß der
Magnetkern vollständig von dem Gehäuse umgeben ist und die Isolierplatte in eine Ausnehmung mit Form einer
Umrandung gedrückt und so im Bereich eines Pols positioniert wird.
Vorteilhaft ist es, wenn wenigstens die Isolierplatte !5 mit dem Hall-Schaltkreisplättchen, den Bondinseln, den
weiteren Bondinseln und den sie verbindenden Drahtbondverbindungen von einer Außeneinheit umgeben sind. Die
Außeneinheit besteht aus einer Vergußmasse und einem Außengehäuse. Durch das Außengehäuse wird die gesamte
Hallsensoreinrichtung einheitlich verkappt. Die Vergußmasse wird durch das Innere des Außengehäuses auf
das Hall-Schaltkreisplättchen, die Bondverbindungen, die Bondinseln und die weiteren Bondinseln sowie auf den
größten Teil der Außenfläche der Isolierplatte gedrückt. Durch die so gestaltete Abschlußeinheit ist der Sensor
unter schwierigsten Umgebungen, die durch extreme Feuchtigkeit, Hitze und dergleichen gekennzeichnet ist,
einsetzbar.
Vorteilhaft ist es, wenn das Hall-Schaltkreisplättchen ein von den Bondinseln umgebendes Halbleiterplättchen
ist, in das ein Hall-Element als magnetoelektrisches Halbleiterelement integriert ist. Das Halbleiterplättchen
ist dabei ein Schaltkreisplättchen, in dem sämtliehe Funktionen durch ein entsprechendes Layout eingearbeitet
worden sind. Das Hall-Element als magnetoelektrisches Halbleiterelement ist dabei in dieses Schalt-
!»S:-.S in
kreisplättchen integriert.
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. la-c eine Hallsensoreinrichtung im teilweise
zerlegten bis hin zum Zusammengesetzen Zustand in einer schematischen perspektivischen
Darstellung und
Fig. 2 ein auf eine Isolierplatte installiertes Schaltkreisplättchen einer Hallsen.sorein
richtung gemäß den Figuren la bis Ic in einer schematischen perspektivischen Darstellung
Eine erfindungsgemäße Hallsensoreinrichtung ist ein magnetischer
Aufnehmer. Er nutzt dabei die bekannte Beziehung
U = C . B
mit:
U - Ha11spannung
&Tgr;&igr;
C- Materialabhängige Hallkonstante
B - Flußdichte
I - Steuerstrom
d - Dicke eines Halbleiterstreifens
aus. Die Hallsensoreinrichtung als magnetischer Aufnehmer dient zur Messung von Magnetfeldern, zur Messung von
zur magnetischen Flußdichte B proportionalen Größen und als kontaktloser Signalgeber, z. B. als Hall-Kopf (im
letzteren Fall wird der Strom I konstant gehalten, B ist variabel), zur Multiplikation, Modulation (z. B. als
"schleifenlose Potentiometer") und Leistungssmessung (I
und B variabel) oder als Gyrator, Isolator und Zirkula-
• · ♦ ·
• ·
tor (B konstant, I variabel).
Das Hall-Element besteht dabei vorteilhafterweise aus
einem Halbleiterplättchen in der Dicke d, das an den ^ Stirnseiten mit linienhaften und an den Längsseiten mit
Pumpkontakten versehen ist. Dieses Plättchen wird von einem Magnetfluß mit der Dichte B durchsetzt. Wird an
den linienhaften Kontakten ein Strom I eingespeist, so bildet sich im Halbleiterplättchen ein homogenes Strömungsfeld
aus, dessen Ladungsträger infolge der Lorentz-Kraft nach den Seiten ausgelenkt werden, so daß zwischen
den Pumpkontakten die oben genannte Beziehung entsteht. Dieses Halbleiterplättchen wird zum Teil siner integrierten
Schaltung, bei dem die Hallspannung in einem Teil einer epitaxialen nSi-Schicht entsteht, die von einer
diffundierten p-Isolationsschicht umgeben ist. Das Herstellen
des Chips erfolgt nach den bekannten Herstellungsverfahren.
Das so hergestellte Schaltkreisplättchen (Chip) mit dem Hall-Element ergibt ein Hall-Schaltkreisplättchen
1, das von Bondinseln 2.1,...,21.6 umgeben ist.
Das Hall-Schaltkreisplättchen 1 wird, wie die Figuren
la, Ib, lc und 2 zeigen, auf eine Zwischenlage gelegt.
Die Zwischenlage ist als eine tragende Isolierplatte 4 ausgebildet. Auf die Isolierplatte 4 werden den
Bondinseln 2.1,...,2.6 im wesentlichen gegenüberliegend weitere Bondinseln 12.1,...,12.6 aufgebracht. Die
notwendigen elektrischen Verbindungen zwischen den Bondinseln 2.1,...,2.6 und den Bondinseln 12.1,...,12.6
erfolgt mittels Ultraschall oder Thermokompensation (Drahtbonden). Die so entstehenden Drahtbondverbindungen
3.1,...,3.6 verbinden das Hall-Schaltkreisplättchen 1
aktiv mit weiteren Beschaltungselementen 6, die
gleichfalls auf der Isolierplatte 4 angeordnet sind.
Wie insbesondere die Figur la zeigt, wird ein speziell
geformter Magnetkern 8 von einem Gehäuse 7 umgeben, das auf der einen Seite eine Außenfläche 8.1 und auf der
gegenüberliegenden Seite Steckkontakte 10 zeigt. Die Außenfläche 8.1 kann dabei verschieden ausgebildet sein.
Zum einen kann sie die Abschlußfläche einer der Pole des
Magnetkerns 8 und zum anderen eine Abschlußfläche des
Gehäuses 7 darstellen, das in seinem Zentrum eine Duchbrechung 14 und einen diese Durchbrechnung umgebenden
Ring 15 aufweist. Aus der Abschlußfläche 8.1 ragen Chipsteckkontakte 13 heraus, die mit den Steckkontakten
10 elektrisch verbunden sind.
In diese so vorbereitete Außenfläche 8.1 wird die mit dem Hall-Schaltkreisplättchen 1 usw. bestückte Isolierplatte
4 eingedrückt. Dabei rasten die Chipsteckkontakte 13 in Ausnehmungen 16 ein. Eine weitere Rasterung sorgt
für einen sicheren Halt der Isolierplatte 4 im Ring 15 auf der Außenfläche 8.1. Aufgrund ihrer isolierenden Eigenschaften
kann die Außenfläche 8.1 selber die Funktion einer Zwischenlage übernehmen und so die Isolierplatte 4
ersetzen. Aus montagetechnischen Gründen ist es aber
günstiger, beide Teile getrennt auszubilden.
Anschließend wird die in der Figur Ib nur teilweise zusammengesetzte Hallsensoreinrichtung mit einem Gehäuse
9 umgeben. Bevor das Gehäuse 9 über die Isolierplatte 4 mit dem Schaltkreisplättchen 1 sowie den Drahtbondverbindungen
3.1,...Geschoben wird, wird im Inneren des
Außengehäuses 9 eine Vergußmasse 11 eingebracht. Diese Vergußmasse drückt sich, wie Figur Ic zeigt, isolierend,
schützend und haltend über das Schaltkreisplättchen 1, die Bondinseln 2.1,..., Die Bondinseln 12.1,..., Die
Drahtbondverbindungen 3.1,... Sowie die Isolierplatte 4 und deren Randbereiche. Durch die Vergußmasse 11 wird
gleichzeitig die Isolierplatte 4 am Gehäuse 7 nochmals befestigt. Durch diese Außeneinheit in der beschriebenen
Art und Weise ist die Hallsensoreinrichtung unter
extremen Einsatzbedingungen, wie hohe Temperaturen, Schmutz, Wasser usw. einsetzbar-. Wesentlich ist aber,
daß die einzelnen Chips nach dem speziellen Verbonden auf einfache Art und Weise durch die Außenflächen
verkappt werden, so daß die übliche teure Verkappung, die dann trotzdem noch von dem Außengehäuse umgeben
werden muß, entfallen kann.
Die Endmessung der Hall-Schaltkreisplättchen 1 wird in
den gesamten Fertigungsablauf integriert. Ist die Hallsensoreinrichtung fertiggestellt, kann sie an
entsprechender Stelle befestigt werden und durch die Steckkontakte mit Adern von Leitungen bzw. Kabeln
verbunden werden, die z. B. zu speziellen Auswerteeinrichtungen führen können.
Claims (1)
- I : SDATEI:BrABG Al.TATS c hutzansprücheHallsensoreinrichtung- mit einem zweipoligen Magnetkern (8),- mit einer oberen Abschlußfläche (8.1), die einer der Pole des Magnetkerns (8) sein kann,- mit einem im Bereich eines Pols angeordneten Hall-Element, das Teil eines Schaltkreisplättchens (1) ist, das an seinen Außenseiten Bondinseln (2.1,... 2.6) trägt, dadurch gekennzeichnet,- daß das Hall-Schaltkreisplättchenil) gegebenenfalls auf einer isolieren Zwischenlage (4) auf der Abschlußfläche (8.1) aufgebracht ist,- daß die Abschlußfläche (8.1) oder die Zwischenlage (4) dem Hall-Schaltkreisplättchen (1) räumlich zugeordnete weitere Bondinseln (12.1,...12.6) trägt und- daß die Bondinseln (2.1,...,2.6) das Hall-Schaltkreisplättchen (1) mit den weiteren Bondinseln (12.1,...12.6) drahtgebondet sind.Hallsensoreinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Hall-Schaltkreisplättchen (1) und dem Magnetkern (8) eine die Drahtbondverbindungen (3.1,...,3.5) gegebenenfalls Schaltungslemente (6) tragende Isolierplatte (4) als Zwischenlage angeordnet ist.3. Hallsensoreinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Magnetkern (8) von einem Gehäuse (7) umgeben ist.4. Hallsensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die Isolierplatte (4) mit dem Hall-Schaltkreisplättchen (1), den Bondinseln (2.1,...,2.6), den weiteren Bondinseln (12.1,...,12.6) und die sie verbindenden Drahtbondverbindungen (3.2,...,3.6) von einer Außeneinheit (9, 11) umgeben sind.5. Hallsensoreinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis A, dadurch gekennzeichnet, daß das Hall-Schaltkreisplättchen (1) ein von Bondinseln (2.1, ... 2.6) umgebendes Halbleiterplättchen ist, in das ein Hall-Element als magnetoelektrisches Halbleiterelement integriert ist.
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Publications (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE29715086U1 (de) * | 1997-08-22 | 1998-09-17 | Siemens AG, 80333 München | Meßumformer |
| DE29715087U1 (de) * | 1997-08-22 | 1998-11-26 | Siemens AG, 80333 München | Meßumformer mit einem Gehäuse |
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-
1994
- 1994-04-23 DE DE9406789U patent/DE9406789U1/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-10 DE DE29506198U patent/DE29506198U1/de not_active Expired - Lifetime
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| DE19903652A1 (de) * | 1999-01-29 | 2000-08-10 | A B Elektronik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von gehäusten Schaltkreiseinheiten |
| DE19903652B4 (de) * | 1999-01-29 | 2005-04-14 | Ab Elektronik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von gehäusten Schaltkreiseinheiten |
| DE20306654U1 (de) | 2003-04-28 | 2003-07-03 | Ab Elektronik Gmbh, 59368 Werne | Kurbelwellengeber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE9406789U1 (de) | 1994-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R207 | Utility model specification |
Effective date: 19950713 |
|
| R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 19990127 |
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| R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years |
Effective date: 20010625 |
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| R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years |
Effective date: 20030429 |
|
| R071 | Expiry of right |