DE2823967A1

DE2823967A1 - Npn-transistor

Info

Publication number: DE2823967A1
Application number: DE19782823967
Authority: DE
Inventors: Hidekuni Ishida; Kouichi Takahashi; Toshio Yonezawa
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1977-06-09
Filing date: 1978-06-01
Publication date: 1978-12-14
Also published as: US4263067A; DE2823967C2; US4667218A; JPS543479A; US4226650A; US4778772A

Description

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERIOH · GtRD MULU=R · D. (iROSSE · F. POLLMEIER 72

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Tokyo Shibaura Electric Company Limited, 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken, Japan

NPN-Transistor

Gegenstand dieser Erfindung sind ein NPN-Transistor und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen NPN-Transistors.

Fig. 1 der Zeichnung stellt einen NPN-Transistor bekannter Ausführung im Schnitt dar. Zur Herstellung solcher Transistoren werden N-leitende Siliziumplättchen verwendet, diese sind mit der allgemeinen Hinweiszahl 2 gekennzeichnet. Zunächst einmal wird bordotiertes Silikatglass (BSG) in Form einer Schicht auf die freiliegende Fläche des Plättchens aufgetragen, woraufhin dann während der Wärmebehandlung das Bor aus der Schicht in das Halbleiterplättchen diffundiert und in diesem Halbleiterplättchen einen P-leitenden Basisbereich 3 entstehen läßt. Auf die gesamte Oberfläche des Halbleiterplättchens wird eine Schicht 8 aus Siliziumoxid aufgetragen, aus der über dem kurz zuvor hergestellten P-leitenden Basiszonenbereich 3 ein Teil wieder entfernt wird. Das Halbleiterplättchen wird nun wieder einer weiteren Wärmebehandlung unterworfen, und zwar in einem gasförmigen Gemisch aus Arsen und Phosphor, während dieser Wärmebehandlung entstehtn in dem P-leitenden Basisbereich ein N-leitender Emitterbereich 4. Mit dem Emitterbereich und mit dem Basisbereich werden jeweils die Elektroden 6 und 7 verbunden.

Wenn die Transistoren in der zuvor beschriebenen Weise hergestellt werden, dann entsteht im Basiszonenbereich des Transistors ein Emitter-Tauchbereich. Dieser Emitter-Tauchbereich ist in Fig. 1 mit der allge-

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meinen Hinweiszahl 5 gekennzeichnet. Die Bildung dieses Bereiches wird wie folgt erklärt:-

Beim Eindiffundieren von Phophor und Arsenik in das Halbleiterplättchen zwecks Herstellung des Emitterzonenbereiches 4 verbinden sich die Gitterlöcher V, die als Fehler in der Oberfläche des N-leitenden Si-1 izium-Halbleiterplättchens vorhanden sind, mit dem Phosphor (P) zu (P - V⁼)-Paaren, und diese (P - V⁼)-Paare, die aus dem Gitterloch/Defektelektron V" und aus Phosphor (P) bestehen, werden in die Tiefe des N-leitenden Halbleiterplättchens aus Silizium eindiffundiert, in die der Phosphor (P) eindiffundiert wird. In der Nähe der Grenze des P-leitenden Basiszonenbereiches 3, in der die Phosphor-Konzentration gering ist, und in der Nähe der Grenze zur Emitterzone 4, zerfallen diese (P - V~)-Paare in (P - 7")-Paare, die ihrerseits dann weiterhi η wiederum derart zerfallen, daß P und V" entstehen.Wenn sich die Anzahl solcher dissoziierter Gitterlöcher oder Defektelektronen V— in der unmittelbaren Nachbarschaft des Grenzbereiches zwischen der Basiszone 3 und der Emitterzone 4 vermehrt,dann wird auch der Eindiffundierungskoeffizient des Bors (B) im P-leitenden Basiszonenbereich 3 groß, d.h. im Endbereich, und es entsteht die Emitter-Tauchzone 5 im Basiszonenbereich des Transistors. In der Emitter-Tauchzone kommt es leicht zu einer Konzentration des elektrischen Feldes, wodurch wiederum auch die Spannungsfestigkeit dieses NPN-Transistors beeinträchtigt wird. Darüber hinaus werden viele Gitterlöcher oder Defektelektronen, die im Basiszonenbereich und in der Nachbarschaft des

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Emitter-Tauchzonenbereiches vorhanden sind^ zu Rekombinationszentren, so daß es zu einem "Fluktuationseffekt" kommt, der den in diesem NPN-Transistor fließenden Strom beständig schwanken läßt und aus diesem Grunde die Ursache für das Rauschen ist.

Ziel dieser Erfindung ist somit die Schaffung eines NPN-Transistors, bei dem das Phänomen der Emitter-Tauchzone vermieden wird,der weiterhin auch noch zufriedenstellende elektrische Eigenschaften hat.

Ein zweites Ziel dieser Erfindung ist die Schaffung und Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung eines NPN-Transistors ohne Emitter-Tauchzoneneffekt.

Der mit dieser Erfindung geschaffene Transistor besteht aus einem Plättchen aus N-leitendem Halbleitermaterial, das einen N-leitenden Kollektorzonenbereich hat, das einen P-leitenden Basiszonenbereich hat, der gegenüber dem vorerwähnten N-leitenden Kollektorzonenbereich durch einen sich zur Oberfläche des Halbleiterplättchens hin erstreckenden PN-überganges getrennt ist, und aus einem N-leitenden Emitterzonenbereich, der sich von der vorerwähnten Fläche aus derart bis in den Basiszonenbereich erstreckt, daß er von diesem Basiszonenbereich umgeben und dadurch gekennzeichnet ist, der Basiszonenbereich eine Bor-Dotierung aufweist, desgleichen auch noch eine Verunreinigung durch N-leitendes Halbleitermaterial, welches gegenüber Gitterlöchern und Defektelektronen eine hohe Rekombinationsenergie hat. Darüber hinaus enthält der Emitterzonenbereich auch noch Verunreinigungen durch phopsphorhaltige und arsenhaltige Stoffe,

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Das mit dieser Erfindung entwickelte und geschaffene Verfahren zur Herstellung der angeführten Transistoren ist dadurch gekennzeichnet, daß zu ihm die nachstehend angeführten Einzelschritte gehören:-

a) Das Eindiffundieren von Bor und einer N-leitenden Verunreinigung, deren Rekombinationsenergie gegenüber Gitterlöchern/Defektelektronen groß ist, in den Kollektorzonenbereich eines Plättchens aus N-leitendeni Halbleitermaterial - und zwar durch eine Ausnehmung in eine den vorerwähnten N-leitenden Kollektorzonenbereich überdeckenden Isolierschicht - zur Bildung eines P-leitenden Basiszonenbereiches.der an einer zu iner Fläche des Halbleiterplättchens führenden PN-übergangsschicht mit dem vorerwähnten N-leitenden Kollektorzonenbereich in Kontakt steht.

b) Das überziehen des zuvor angeführten N-leitenden Kollektorzonenbereiches und des zuvor angeführten P-leitenden Basiszonenbereiches mit einer Isolierschicht und die Herbeiführung eines freiliegenden und gegenüber der vorerwähnten Ausnehmung oder öffnung kleineren Teiles auf dem P-leitenden Basiszonenbereich.

c) Schließlich auch noch das Eindiffundieren von Phosphor und Arsen durch den vorerwähnten freiliegenden Teil in den bereits genannten P-leitenden Basiszonenbereich, wobei eine N-leitende Emitterzonen-Schicht entsteht, die an der PN-übergangszone - diese ist bis zu einer Fläche des Halbleiterplättchens geführt - dem vorerwähnten P-leitenden Basiszonenbereich benachbart ist.

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Diese Erfindung wird nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in:-

Fig. 1 Einen Schnitt durch einen NPN-Transistor bekannter Ausführung.

Fig. 2 Ein Diagramm, welches das Eindiffundierungsprofil der Basis eines NPN-Transistors bekannter Ausführung wiedergibt.

Fig. 3 Ein Diagramm, welches das Eindiffudierungsprofil für die Basis und den Emitter eines Transistors bekannter Ausführung darstellt.

Fig. 4 Ein Diagramm, welches die Sperrspannungsfestigkeit von Basis und Emitter eines Transistors bekannter Ausführung wiedergibt.

Fig. 5 Ein Diagramm, aus dem das Eindiffundierungsprofil der Basis eines NPN-Transistors dieser Erfidnung zu erkennen ist.

Fig. 6 Ein Diagramm, aus dem das Eindiffundierungsprofile für Basis und Emitter eines NPN-Transistors dieser Erfindung hervorgeht.

Fig. 7 Ein Diagramm, welches die Sperrspannungsfestigkeit zwischen Emitter und Basis eines NPN-Transistors dieser Erfindung wiedergibt.

Ein N-leitendes Halbleiterplättchen mit einer im wesentlichen ebenen Oberfläche wird vorbereitet. Die Fläche wird dann mit einer Oxidfilmschicht überzogen, woraufhin dann in dem Bereich des Halbleiterplättchen, in dem nachher die P-leitende Basiszone hergestellt werden soll, der Oxidfilm wieder entfernt wird. In

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einem gasförmigen Gemisch aus Bor (B) und Arsen (As) - dieses Gasgemisch wird mit einem Strömungsgeschwindigkeitsverhältnis von ungefähr 4 : 1 zum Fließen gebracht - wird eine bor-dotierte Silikatglas-Schicht auf die vorerwähnte freiliegende Fläche des Halbleiterplättchens aufgetragen, diese Schicht ist ungefähr 5000 8 dick. Sodann wird der Gasfluß gestoppt, wird weiterhin auf dieser bor-dotierten Silikatglas-Schicht eine undotierte Schicht aufgebracht. Das mit der bor-dotierten Silikatglas-Schicht oder BSG-Schicht versehene Halbleiterplättchen wird nach dem Aufbringen dieser Schicht für die Dauer von dreißig Minuten und länger einer Wärmebehandlung unterworfen und dabei auf 1200⁰C erhitzt, wobei zur Bildung eines P-leitenden Basiszonenbereiches mit einer Tiefe von 2.5,u oder mehr das in der BSG-Schicht enthaltene Bor und Arsen gleichzeitig und gemeinsam in das Halbleiterplättchen eindiffundiert werden. Nach diesem Eindiffundierungsvorgang werden die bor-dotierte Silikatglas-Schicht/BSG-Schicht und die nichtdotierte Schicht wieder entfernt.

Alternativ kann der Basiszonenbereich aber auch in der nachstehend angeführten Weise hergestellt werden:-

Auf ein Halbleiterplättchen, und zwar in dem Bereich, in dem der Basiszonenbereich hergestellt werden soll, wird eine bor-dotierte Silikatglas-Schicht oder BSG-schicht auftragen, während eine Arsen enthaltende BSG-Schicht auf den Bereich des Halbleiterplättchens aufgetragen wird, in dem der Emitterzonenbereich hergestellt werden soll. Auf den BSG-Schichten, die diese Verunreinigungen enthalten wird eine nichtdotierte Schicht abgelagert. Das Haitleiterplättchen wird dann

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einer Wärmebehandlung unterzogen, was wiederum zur Folge hat, daß zur Bildung der P-leitenden Basiszone Bor und Arsen, die in den BSG-Schichten enthalten sind, in das Halbleiterplättchen eindiffundiert werden. Nach diesem Eindiffundierungsvorgang werden die BSG-Schichten, welche die zuvor angeführten Verunreinigungen enthalten wieder von der gesamten Oberfläche des Halbleiterplättchens entfernt. Auf die freiliegende Oberfläche des Halbleiterplättchens wird eine Oxidschicht aufgebracht, woraufhin dann ein Teil dieser Oxidschicht zum Freilegen eines Teiles des P-leitenden Basiszonenbereiches, in dem der Emitterzonenbereich hergestellt werden soll, wieder entfernt wird.

Bei der Herstellung des Emitterzonenbereiches wird wie folgt verfahren:-

Gleichzeitig mit dem chemischen Aufdampfen einer CVD-Schicht wird eine gasförmige Mischung aus Phosphor und Arsen mit einem Gasströmungsverhältnis von ungefähr 4 : 1 zum Fließen gebracht , wobei auf der freiliegenden Oberfläche des P-leitenden Basiszonenbereiches eine CVD-Schicht entsteht, die Phosphor und Arsen enthält, d.h. eine sogenannte PSG-Schicht.Das mit dieser PSG-Schicht versehene Halbleiterplättchen wird einer Wärmebehandlung unterworfen und dabei zur Bildung eines rund 1.5,u tiefen Emitterzonenbereiches für die Dauer von 10 Minuten auf eine Temperatur von rund HOO⁰C erhitzt. In den N-leitenden Kollektorzonenbereich, in den P-leitenden Basiszonenbereich sowie in den N-leitenden Emiterzonenbereich werden jeweils Elektroden eingearbeitet, so daß ein Halbleiterelement entsteht, das als ein Transistor der NPN-Ausführung mit N-leitender Kollektorzone, mit P-leitender Basiszone und mit N-leitender Emitterzone ausgeführt ist.

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In die mit Fig. 2 und mit Fig. 3 dargestellten Diagramme sind die vor der Herstellung des N-leitenden Emitterzonenbereiches gegebenen Störstoffkonzentrationen als Funktion der Störstoff-Eindiffundierungstiefe eingetragen, und zwar für den bekannten Transistor und auch für den mit dieser Erfindung geschaffenen Transistorvergleicht man die beiden Transistor-Ausführungen, so weist der mit dieser Erfindung geschaffene Transistor in den geringen Eindiffundierungstiefen innerhalb des Basiszonenbereiches eine gleichmäßigere Störstoffkonzentration auf, welche fast stufenförmig ist, weil der P-leitende Basiszonenbereich Arsen enthält, und Arsen ist ein N-leitender Störstoff/Verunreinigungsstoff mit einer großen Kombinationsenergie im Hinblick auf Gitterlöcher.

In die mit Fig. 3 und mit Fig. 6 dargestellten Diagramme sind die Verunreinigungskonzentrationen oder Störstoffkonzentrationen des N-leitenden Emitterzonenbereiches und des P-leitenden Basiszonenbereiches als Funktion der Eindiffundierungstiefe eingetragen, und zwar für den bekannten Transistor und auch für den Transistor, der mit dieser Erfindung geschaffen worden ist. Der Hinweis I steht für das Eindiffundierungsprofil der Basis für solche Stellen, die sich nicht direkt unter der Emitterschicht befinden, während mit dem Hinweis II das Eindiffungdierungsprofil des Emitterzonenbereiches und auch des Basiszonenbereiches direkt unter dem Emitter gekennzeichnet ist. Bei dem Basis-Eindiffundierungsprofil der bisher bekannten Ausführung ist zwischen I und II

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eine Abweichung zu verzeichnen, die die Emitter-Tauchzone ausmacht, während in dem Basis-Eindiffundierungsprofi1 dieser Erfindung keine Abweichung zwischen I und II festzustellen ist. Das aber bedeu tet, daß mit dieser Erfindung der Emitter-Taucheffekt vermieden wird. Weil bei der Herstellung der P-leitenden Basiszone das N-leitende Arsen (As) als Störstoff oder Verunreinigung verwendet wird, hat der mit dieser Erfindung geschaffene Emitter in Richtung auf die Eindiffundierungstiefe einen flacheren Verlauf.

Fig. 4 und Fig. 7 zeigen nun das Sperrspannungsverhalten, d.h. die zwischen Sperrstrom und Sperrspannung gegebene Zuordnung zwischen dem Emitter und der Basis, und zwar für den bekannten Transistor und auch für den mit dieser Erfindung geschaffenen Transistor.

Es hat den Anschein, als ob die Kristalldefekte oder Kristal!störstellen in der Nähe des PN-überganges zwischen dem Emitter und der Basis des mit dieser Erfindung geschaffenen Transistors dadurch verringert werden, daß (As - V)-Paare entstehen, deren N-leitende Verunreinigung oder deren N-I ei tender Störstoff im Hinblick auf die Gitterstörstellen eine hohe Kombinationsenergie haben, wobei damit auch dasSperrspannungsverhalten verbessert wird. Dieses ist auch nicht nur auf den Bereich um den PN-Übergang zwischen Emitter und Basis beschränkt, ähnliches gilt auch für den Grenzbereich zum PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor. Verringert wird auch der GR-Strom der Kombinationsstrom, der in diesem PN-Übergang erzeugt wird.

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Das hat zur Folge, daß ein rauscharmer Transistor hergestellt werden kann, der in dieser Hinsicht besser als die bisher bekannten Transistoren ist. So kann beispielsweise ein rauscharmer Transistor mit 1 dB bis 4 dB hergestellt werden, gegenüber den bisher bekannten Transistoren, die 6 dB haben.

Nachstehend soll nun als ein weiteres Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes ein Fall beschrieben werden, bei dem während der Herstellung des P-leitenden Basiszonenbereiches der P-leitende Störstoff Bor (B) und der N-leitende Störstoff Arsen (As) jeweils separat eindiffundiert werden. Dazu wird ein N-leitendes Halbleiterplättchen vorbereitet und mit einem Oxidfilm überzogen, der in einem Bereich wieder entfernt und weggenommen wird.. Dann wird im strömenden Arsin oder Arsenwasserstoff (AsHo) unter Anwendung des CVD-Verfahrens oder des chemischen Aufdampfverfahrens eine arsen-dotierte Schicht auf die freiliegende Oberfläche dieses N-leitenden Haibieiterplättchens aufgetragen, woraufhin das in dieser arsen-dotierten Schicht enthaltene Arsen (As) dadurch in das N-leitende Halbleiterplättchen eindiffuniert wird, daß dies Halbleiterplättchen in Durchführung einer Wärmebehandlung auf eine Temperatur von rund 1000° erhitzt wird. Nach diesem Wärmebehandlungsvorgang wird die arsen-dotierte Schicht wieder entfernt, wird im strömenden Diboran-Gas (B2Hg) eine bor-dotierte Schicht auf der freileigenden Oberfläche des N-leitenden Halbleiterplättchen angelagert. Das mit dieser bor-dotierten Schicht

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versehene N-leitende HalbleiterpVättchen durchläuft eine Wärmebehandlung, in der es für die Dauer von dreißig Minuten und länger zur Bildung des P-leitenden Basiszonenbereiches. Die auf dem P-leitenden Basiszonenbereich des Halbleiterplättchens befindliche bor-dotierte Schicht wird wieder entfernt. In dem Halbleiterplättchen der N-leitenden Ausführung, im dem sich der P-leitende Basiszonenbereich nunmehr befindet, wird ein N-leitender Emitterzonenbereich hergestellt. Dieser wird jedoch so hergestellt, wie dies bei dem früher beschriebenen Ausführungsbeispiel des Erfindungegegenstandes der Fall ist.

Nachstehend soll nun ein wiederum anderes Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes beschrieben und erläutert werden:

Eine im wesentlichen ebene Oberfläche eines N-leitenden Halbleiterplättchens wird mit einem Oxidfilm beschichtet. Auf die Oberfläche dieses Oxidfilmes wird mit Ausnahme des Bereiches, in dem die P-leitende Basiszone hergestellt werden Soll, Deckmaterial aufgetragen. Nach dem Aufbringen dieser aus Deckmaterial bestehenden Maske werden unter Anwendung des Ionen-Implantationsverfahrens Bor (B) und dann Arsen (As) derart in den Oxidfilm eingegeben, daß eine dotierte Oxidschicht entsteht,Während der Ionen-Implantation der Störstoffe in den Oxidfilm, kann jeder Störstoff zuerst derart in den Oxidfilm eingegeben werden, daß die dotierte Oxidschicht entsteht. Nach dem Aufbringen der dotierten Oxidschicht wird das Halbleiterplättchen während einer Wärmebehandlung erhitzt.

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Der P-leitende Basiszonenbereich entsteht dadurch, daß das Bor (B) und das Arsen (As) von der dotierten Oxidschicht aus gleichzeitig und gemeinsam eindiffundiert werden. Alternativ ist jedoch auch möglich, daß über eine arsen-dotierte Oxidfilmschicht zunächst einmal eine Arsen enthaltende N-leitende Schicht in dem Halbleiterplättchen hergestellt wird, und dann über eine durch Ionen-Implantation hergestellte bor-dotierte Schicht der P-leitende Basiszonenbereich. Zudem können zur Herbeiführung der dotierten Schicht das Ionen-Implantationsverfahren und das chemische Aufdampfverfahren/CVD-Verfahren zur Herbeiführung der dotierten Schicht kombiniert eingesetzt werden, woraufhin dann eine Wärmebehandlung zur Herstellung des P-leitenden Basiszonenbereiches durchzuführen ist.

In der bisher gegebenen Beschreibung handelte es sich bei der N-leitenden Verunreinigung oder bei dem N-leitenden Störstoff,die/der bei der Herstellung des P-leitenden Basiszonenbereiches Verwendung gefunden hat, um Arsen (As). Dieser Störstoff ist jedoch nicht nur auf Arsen beschränkt. Als eine N-leitende Verunreinigung oder als N-leietender Störstoff, die/der im Hinblick auf die im Halbleiterplättchen vorhandenen Gitterlöcher eine hohe Kombinationsenergie hat, ist Antimon (Sb) geeignet. Das Antimon (Sb) bildet mit den Gitterlöchern/Defektelektronen (Sb-V)-Paare.

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Bei Anwendung dieser Erfindung wird der Emitter-Taucheffekt vermieden. Der N-leitende Störstoff, dessen Kombinationsenergie im Hinblick auf die Gitterlöcher/Defektelektronen groß ist, diffundiert tief in den Basiszonenberiehc, dieser ist P-leitend, ein. Es hat den Anschein, als ob durch das tiefe Eindiffundieren des N-leitenden Störstoffes die (P - V~)-Paare dabei entstehen, den N-leitenden Emitterzonenbereich daran hindern, zu tief in das Halbleiterplättchen zu diffundieren. Weil zudem die Störstellen tief hereingenommen werden, desgleichen auch die zu diesen Störstellen gehörenden Paare, wird das Emitter-Tauchphänomen durch den "Saugeffekt" verhindert. Weil die Bildung des Emitter-Taucheffektes verhindert und vermieden wird, kommt es so leicht auch nicht mehr zu Konzentrationen des elektrischen Feldes in dieser Halbleitervorrichtung, so daß aus diesem Grunde auch die Sperrspannungsfestigkeit dieser Halbleitervorrichtung verbessert wird. Nunmehr ist ein N-leitender Störstoff, insbesondere aber Arsen, dessen Kombinationsenergie im Hinblick auf die Störstellen/Defektelektronen groß ist, innerhalb des P-leitenden Basiszonenbereiches in geringer Konzentration enthalten, wobei in Richtung der Tiefe des P-leitenden Basiszonenbereiches der P-leitende Störstoff in gleichmäßiger Verteilung vorhanden ist, wobei die Störstellen von dem N-leitenden Störstoff aufgefangen werden, was wiederum zur Folge hat, daß der Einfluß der Störstellen/

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Defektelektronen auf den Strom, der im P-leitenden Basiszonenbereich der Halbleitervorrichtung fließt, reduziert ist, und aus diesem Grunde auch das Rauschen der Halbleitervorrichtung.

Weiterhin können dann, wenn Arsen (As) als N-1 ei tender Störstoff Verwendung findet, die Kristall-Stränge wegen der unterschiedlich großen Durchmesser der zum Halbleiter gehörenden Siliziumatome und der zum N-leitenden Störstoff gehörenden Phosphoratome deswegen gelockert werden, weil die Halbleitervorrichtung Arsen enthält. Darüber hinaus verbindet sich die im P-leitenden Basiszonenbereich enthaltene N-leitende Störstoffverunreinigung mit den Gitterlöchern/Defektelektronen und läßt Paare entstehen, was wiederum zur Folge hat, daß die Sperrspannungsfestigkeit im Emitter-Basis-Übergang und im Basis-Kollektor-übergang dieses Transistors verbessert wird, und dies bei Vrringerung der Erzeugung von Rekombinationsströmen in den vorerwähnten PN-übergängen des Transistors.

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Claims

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Patentansprüche

(Ein N-leitfähiges Halbleiterplättchen aufweisender NPN-Transistor mit einem N-leitfähigen Kollektorzonenbereich und einem von diesem durch einen sich in eine Fläche des Halbleiterplättchens erstreckenden PN-Übergang getrennten P-leitfähigen Basiszonenbereich sowie einem von der Fläche sich in den Basiszonenbereich erstreckenden und von diesem umgebenen N-leitfähigen Emitterzonenbereich, dadurch gekennzeichnet, daß der Basiszonenbereich sowohl Bor aufweist als auch einen N-leitfähigen Störstöff, der gegenüber den Gitterlöchern eine hohe Kombinationsenergie hat, und daß im Emitterzonenbereich Phosphor und Arsen als Störstoffe enthalten sind.

2. Transistor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration der besagten P-leitfähigen Störstellen in Richtung der Tiefe des P-leitfähigen Basiszonenbereiches durch die Konzentrationsverteilung des N-leitfähigen Störstoffes im wesentlichen in Tiefenrichtung gleichförmig gehalten ist.

3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß als N-leitfähiger Störstoff hoher Kombinationsenergie gegenüber Gitterlöchern Arsen vorgesehen ist.

4. Transistor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß als N-leitfähiger Störstoff hoher Kombinationsenergie gegenüber Gitterlöchern Antimon vorgesehen ist.

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OBlGiNAt INSPECTED

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5. Verfahren zum Herstellen eines Transistors nach Ansprüchen 1 bis 4,
gekennzeichnet durch die nachstehend angeführten Einzelschritte: das Eindiffundieren von Bor und von einem N-leitfähigen Störstoff mit einer in Hinblick auf Gitterlöcher hohen Kombinationsenergie in einen Kollektorzonenbereich eines N-leitenden Halbleiterplättchens durch eine Ausnehmung in einer den erwähnten N-leitfähigen Kollektorzonenbereich abdeckenden Isolierschicht unter Bildung eines P-leitfähigen Basiszonenbereiches, der mit dem P-leitfähigen Kollektorzonenbereich über einen sich in eine Fläche des Halbleiterplättchens erstreckenden PN-Übergang in Kontakt steht; das Abdecken des N-leitfähigen Kollektorzonenbereiches sowie des P-leitfähigen Basiszonenbereiches mit einer Isolierschicht, wobei ein Oberflächenteil des Basiszonenbereiches von dieser freigelegt wird, der kleiner ist als die oben erwähnte Ausnehmung;

und daß durch den freigelegten Oberflächenteil in den P-leitfähigen Basiszonenbereich Phosphor und Arsen eindiffundiert werden, so daß ein N-leitfähiger Emitterzonenbereich formiert wird, der mit dem P-leitfähigen Basiszonenbereich durch einen sich in den Oberflächenteil erstreckenden PN-Übergang in Verbindung steht.

6. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der in den P-leitfähigen Basiszonenbereich eindiffundierte, eine in Hinblick auf die Gitterlöcher hohe Kombinationsenergie aufweisende Störstoff Arsen ist.

7. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der in den P-leitfähigen Basiszonenbereich eindiffundierte, eine im Hinblick auf die Gitterlöcher hohe Kombinationsenergie aufweisende Störstoff Antimon ist.

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8. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach einem der Ansprüche 5 bis 7,

dadurch gekennzeichnet, daß in den in einem N-leitfähigen Halbleiterplättchen gebildeten N-leitfähigen, im wesentlichen eine ebene Oberfläche aufweisenden Kollektorzonenbereich ein N-leitfähiger Störstoff mit einer im Hinblick auf die Gitterstörstellen großen Kombinationsenergie sowie Bor als P-leitfähiger Störstoff durch die Ausnehmung in der Isolierschicht über dem N-leitfähigen Kollektorzonenbereich eindiffundiert werden, daß die Verteilung der Konzentration der P-leitfähigen Störstellen in Richtung zur Tiefe des P-leitfähigen Basiszonenbereiches durch die Konzentrationsverteilung des erwähnten N-leitenden Störstoffes in Richtung der Eindiffundierungstiefe im wesentlichen gleichförmig gehalten wird, und daß schließlich ein P-leitender Basiszonenbereich formiert wird, der im Bereiche des in die erwähnte Fläche geführten PN-überganges mit dem bereits genannten N-leitenden Kollektorzonenbereich in Kontakt steht.

9. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach einem der Ansprüche 5 bis 8,

dadurch gekennzeichnet, daß ein gasförmiges Gemisch auf einem N-leitfähigen sowie einem P-leitfähigen Störstoff über die Isolierschicht geführt wird, wobei die vorerwähnten N-leitfähigen und P-leitfähigen Störstoffe durch die in der den N-leitfähigen Kollektorzonenbereich überdeckenden Isolierschicht vorgesehene Ausnehmung in den Kollektorzonenbereich eindiffundiert werden und ein P-leitfähiger Basiszonenbereich gebildet wird, der über einen sich in die Oberfläche des Halbleiterplättchens erstreckenden PN-Übergang mit dem N-leitfähigen Kollektorzonenbereich in Kontakt steht.

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lo. Verfahren zur Herstellung eines Transistors nach einem der Ansprüche 5 bis 9,

dadurch gekennzeichnet, daß ein N-leitender Störstoff durch eine Ausnehmung in der Isolierschicht über dem erwähnten N-leitenden Kollektorzonenbereich in diesen eindiffundiert wird, daß dann in gegenüber der des N-leitfähigen Störstoffes höherer Konzentration ein P-leitender Störstoff durch diese Ausnehmung eindiffundiert wird, so daß ein P-leitfähiger Basiszonenbereich entsteht, der an einem sich in die Fläche des HaIbleiterplättchens erstreckenden PN-Übergang mit dem bereits angeführten N-leitfähigen Kollektorzonenbereich in Kontakt steht.

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