DE2818080A1

DE2818080A1 - Verkapselte halbleitereinrichtung

Info

Publication number: DE2818080A1
Application number: DE19782818080
Authority: DE
Inventors: Shigeru Komatsu; Satoshi Takahashi; Masao Wakatsuki
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1977-04-26
Filing date: 1978-04-25
Publication date: 1978-11-09
Also published as: JPS53132975A; US4298883A; DE2858087C2; DE2818080C2

Description

Die Erfindung betrifft eine verkapselte Halbleitereinrichtung mit einer Halbleiter-Pastille. Insbesondere betrifft die Erfindung einen Kompaktbau-Halbleiterbaustein aus Kunststoff, der eine Befestigungseinheit aus Metall enthält, auf der eine IC-Pastille befestigt ist.

Verkapselte Halbleiter sind bereits bekannt. In Fig. 1 ist beispielsweise ein solcher bekannter verkapselter Halbleiter 2 dargestellt. Der Halbleiter 2 wird im allgemeinen durch dio folgenden Verfahrensschritte hergestellt. Zunächst wird eine flache Metallplatte ausgestanzt oder ausgeätzt, um einen Metallrahmen 4 zu bilden, wie er in Fig. 2 dargestellt ist. Der Metallrahmen 4 weist eine größere Zahl von Metallrahmeneinheiten 6 auf, die durch Bänder 8 bzw. 10 verbunden sind und welche eine Halbleitereinrichtung 2 bilden. Beispielsweise kann auf der Metallrahmeneinheit 6 eine IC-Pastille (in Fig. 2 nicht gezeirrt) befestigt werden. Die Metallrahmeneinheit 6 weist weiterhin einen Befestigungsteil 12 für die IC-Pastille auf, die sicher an Ort und Stelle gehalten werden muß und weiterhin mehrere Leiterstreifen 14, die ausgehend von der Kante des Befestigungsteils 12 nach außen ragen. Die Enden der Leiterstreifen 14, die dem Befestigungsteil 12 benachbart liegen, sind freie Enden. Die anderen Enden der Leiterstreifen 14 sind alle mit einem gemeinsamen Band 10 verbunden. Die Leiterstreifen 14 sind weiterhin untereinander durch einen gemeinsamen Verbindungsstreifen 16 verknüpft. Vom Befestigungsteil 12 läuft ein Stützstreifen 18 zu den Verbindungsbändern 8 und ist an' diesen befestigt. Die Metallrahmeneinheit 6 ist daher mittels der Bänder 8 und 10 sicher gehalten bzw. unterstützt.

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Auf der flachen Oberfläche des Befestigungsteils 12 der Metallrahmeneinheit 6 ist eine IC-Pastille befestigt. Mehrere sich auf der IC-Pastille befindende Anschlußstreifen sind mittels entsprechender Verbindungsleitungen mit den T.eiterstreifen 14 elektrisch verbunden. Zur Herstellung der Verbindung wird eine besondere Vorrichtung verwendet. Beim Einformen der Befestigungseinheit wird die IC-Pastille, das Befestigungsteil 12 und die Endbereiche der Leiterstreifen 14, die dem Befestigungsteil benachbart sind, in Kunststoff eingeschlossen. Als letzter Schritt wird das Verbindungsband 10, die Verbindungsstreifen 16 und die Stützstreifen 18 durchtrennt, um den Metallrahmen 4 in einzelne Metallrahmeneinheiten 6 aufzuteilen. Die Leiterstreifen 14 werden,wie in Fig.

1 gezeigt, abgebogen und damit eine Halbleitereinrichtung 2 geschaffen, deien IC-Pastille im Kunststoff verkapselt ist.

Bei der Herstellung derartiger Halbleiter trat jedoch ein Problem auf. Beim Aufsetzen der IC-Pastillen auf den flachen Befestigungsteil 12 und beim Einkapseln der Pastille in Kunststoff verlieren die Pastillen etwas von ihren ursprünglichen elektrischen Eigenschaften, auch dann, wenn die IC-Pastille ursprünglich Eigenschaften aufwies, die im erlaubten Toleranzbereich lagen.

Dies führt dazu, daß schließlich die Eigenschaften des Halbleiters außerhalb des vorgeschriebenen Bereiches lagen. Dieser Nachteil tritt bei integrierten Schaltungen hoher Komplexität noch stärker auf als bei einzelnen Halbleitern.

Untersuchungen haben nun ergeben, daß infolge der Schrumpfung des Kunststoffs der Verkapselung der IC-Pastille

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bestimmte innere Spannungen übermittelt werden, das Befestigungsteil 12 wird infolge dieser inneren Spannungen verformt und damit auch die IC-Pastille. Die Verformung der Pastille ändert jedoch ihre elektrischen Eigenschaften.

Die Veränderung der elektrischen Eigenschaften eines Halbleiters, dessen IC-Pastille in Kunststoff verkapselt ist und der in Massenproduktion hergestellt wird, wirft sehr schwerwiegende Probleme auf. Der Grund dafür liegt darin, daß das Form- bzw. Preßverfahren, das zur Massenproduktion von Halbleitern notwendigerweise eingesetzt werden muß, infolge des hohen Prozentsatzes von auszuscheidenden Halbleitern, erhebliche Nachteile aufweist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiter zu schaffen, d"r so ausgebildet ist, daß seine elektrischen Eigenschaften nicht verändert werden, wenn seine IC-Pastille mit Kunststoff verkapselt wird. Der Halbleiter soll darüberhinaus eine mechanisch-stabile Befestigungseinheit aufweisen, auf welcher die IC-Pastille befestigt ist.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der Halbleiter, der eine Halbleiterpastille und eine Befestigungseinheit mit einem flachen Befestigungsteil zur Lagerung der Halbleiter-Pastille aufweist, flache Seitenbereiche bzw. Seitenwände aufweist, die im wesentlichen rechtwinklig von der Kante des flachen Teils ausgehen, daß weiterhin die Verkapselung aus einem elektrisch isolierenden Kunstharz besteht, mit welchem die Halbleiter-Pastille und die Befestigungseinheit umgeben werden

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und daß mehrere einzelne voneinander getrennte Leiterstreifen an der Verkapselung befestigt werden, deren eines Ende in der Nähe des Befestigungsteils liegt und mit der Halbleiter-Pastille elektrisch verbunden ist und deren anderes Ende aus der Verkapselung hinausragt.

Mit der Erfindung wird ein verkapselter Halbleiter geschaffen, dessen Befestigungseinheit so aufgebaut ist, daß sie eine hohe mechanische Stabilität und hohe Biegesteifigkeit aufweist, so daß der Halbleiter seine guten elektrischen Eigenschaften behält.

Der verkapselte erfindungsgemäße Halbleiter hat sich als außergewöhnlich wirksam erwiesen, wenn als integrierte Schaltung eine SSI-, MSI- oder LSI-Schaltung verwendet wird (single-, medium-, large-scale integration). Die Erfindung ist jedoch nicht nur auf die Verwendung von IC-Einrichtungen beschränkt, auch einzelne Halbleiter entsprechend hoher Effizienz können verwendet werden.

Ein Vorteil der Erfindung ist weiterhin noch darin zu sehen, daß die Halbleitereinrichtung so aufgebaut ist, daß sie in der Lage ist, eine hohe Wärmemenge abzustrahlen.

Nachfolgend sind Ausführungsformen der Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung beispielsweise beschrieben.* Darin zeigen:
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Fig. 1 die perspektivische Ansicht einer verkapselten Halbleitereinrichtung,

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— O ~

Fig. 2 eine Draufsicht auf den Metallrahmen einer bekannten Halbleiteroinrichtung, ·

Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch eine Halbleitereinrichtunq- einer ersten Ausfüh

rungsform der Erfindung,

Fig. 4 die perspektivxsche Ansicht einer Befestigungseinheit zur Befestigung einer IC-Pastil-Ie bei der Halbleitereinrichtung nach Fig. 3,

Fig. 5 die perspektivische Ansicht der Befestigungseinheit einer IC-Pastille in einer verglichen mit Fig. 4 geänderten Ausführungsform,
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Fig. 6 die unvollständige Draufsicht auf eine Metallplatte zur Herstellung eines Metallrahmens mit den Befestigungseinheiten für IC-Pastillen nach Fig. 5,
20

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform einer Befestigungseinheit zur Halterung von IC-Pastillen,

Fig. 8 einen schematischen Querschnitt durch eine

Halbleitereinrichtung mit der in Fig. 7
gezeigten Befestigungseinheit, die von
elektrisch isolierendem Kunststoff umhüllt ist,

'

Fig. 9 einen Querschnitt durch eine gegenüber den Fig. 4, 5 und 7 vereinfachte Form einer
Befestigungseinheit zur Halterung von IC-Pastillen,

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Fig. 10 dif"· perspektivische Ansicht einer Befestigungseinueit, die in -tor Lage ist, große
Wärmemengen abzuleiten,

Fig. 11 einen Querschnitt durch eine Halbleitejeinrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform unter Verwendung der Befestigungseinheit nach rig. 10, und

Fig. 12 die teilweise Draufsicht auf eine Metallplatte zur Herstellung eines Befestigungsrahmens für eine Befestigungseinheit nach
Fig. 10.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Zeichnung eine bevorzugte Ausfünrungsform fier erfindungsgemäßen Halbleitereinrichtung beschrieben.

Fig. 3 stellt einen Längsschnitt durch eine erfindungsgemäße Halbleitereinrichtung 21 dar, die im wesentlichen den gleichen Umriß aufweist, wie die in Fig. 1 gezeigte Einrichtung. Ein Bauteil bzw. die Verkapselung 20 besteht aus Kunststoff, beispielsweise Epoxy- oder Siliconharz. Etwa in der Mitte des Bauteils 20 ist eine Pastille oder Chip, beispielsweise eine IC-Pastille 22, in welcher die Schaltungselemente ausgeformt sind, eingebettet. Die IC-Pastille
22 ist auf der flachen Oberfläche eines Befestigungsteils 34 einer Befestigungseinheit 24 mittels eines
Klebers, beispielsweise ein Epoxidkunstharz oder ein
AU-Si-Eutektikum befestigt und mittels der Übertragungsmethode verkapselt. Wie sich aus Fig. 3 ergibt, befindet sich die IC-Pastille 22 im wesentlichen in der Mitte des

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Bauteils 20.

Die IC-Pastille 22 ist mit anderen Worten in dem Bauteil so angeordnet, daß die Entfernung zwischen der oberen Fläche nur Pastille 22 und der oberen Fläche des Bauteils 20 gleich der Entfernung zwischen der unteren Fläche der Pastille 22 und der unteren Fläche des Bauteils 20 ist; beide Seitenkanten des Bauteils 20 haben vom Mittelpunkt der Pastille 20 die gleiche Entfernung; und beide Querkanten des Bauteils 20 sind vom Mittelpunkt ebenfalls eine gleiche Strecke entfernt. Im Bauteil 20 sind Stiitzstreifen 26 eingebettet, die vom flachen Befestigungsteil 34 der Befestigungseinheit 24 ausgehen und weiterhin ein Teil der Leiterstreifen 28, deren eines Ende jeweils nahe dem Befestigungsteil· der Befestigungseinheit 24 und in derselben Ebene wie das Befestigungsteil liegt. Die Leiterstreifen ragen mit ihrem anderen Ende aus dem Bauteil 20 heraus. Auf der Oberfläche der IC-Pastille 22 sind Anschlußstreifen 30 vorgesehen, die mittels Anschlußleitungen 32 elektrisch mit den Leiterstreifen 28 verbunden sind (vereinfachend ist lediglich eine Anschlußleitung in der Zeichnung dargestellt).

Wenn die Befestigungseinheit 24 und die Leiterstreifen 28 im Bauteil 20 verkapselt sind, werden sie durch die Wirkung des Kunststoffs, aus dem der Bauteil 20 geformt ist, sicher an ihrem vorgesehenen Platz gehalten. Das bekannte Befestigungsteil 12, wie es in Fig. 2 dargestellt ist, bestand einfach aus einer flachen Platte. Demgegenüber weist dio erfindungsgemäße Befestigungseinheit 24, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, nicht

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nur einen flachen ßefestigungsteil 34 zur Befestigung der IC-Pastille 22 auf, sondern darüberhinaus ein Paar Verstärkungswände 36, die vorzugsweise im rechten Winkel zum flachen Befestigungsteil 34 abgebogen sind. Dir Befestigungseinheit ,!4 nach Fig. 4 weist lediglich seitliche Verstärkungswände 36 von gleicher Höhe auf, die Befestigungseinheit 38 gemäß der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform weist nicht nur ähnliche seitliche Verstärkungswände 36 auf, sondern darüberhinaus noch quer verlaufende Verstärkungswände 40. Die Befestigungseinheit 39 nach einer in Fig. 6 gezeigten Ausführungsform isi-, wie in Fig. 5 gezeigt, geformt und wird durch Stanzen oder Ätzen einer Metallplatte 42, beispielsweise einer Kovar-Platte hergestellt und die Kantenbereiche mittels einer Presse entsprechend umgebogen. In Fig. 6 bezeichnen die dicken ausgezogenen Linien den Umriß der ausgeschnittenen Bereiche der Befestigungseinheit 39. Die gestrichelten Linien bezeichnen den Umriß der abgebogenen Bereiche. Wenn die Platte 4 2 zur Herstellung der Befestigungseinheit 39 ausgestanzt wird, bleiben Plattensegmente 44 und 46 zur Bildung der Verstärkungswände und 4 0 um das Befestigungsteil 34 herum stehen, das von den gestrichelten Linien eingeschlossen ist. Die Befestigungseinheit, die ausgehend von dem Befestigungsrahmen 4 der Fig. 2 hergestellt wird, weist keine solchen Befestigungswände 36 bzw. 4 0 auf. In Fig. 6 sind diejenigen Teile, die später ausgehend von der Metallplatte 42 hergestellt werden und in den anderen Figuren dargestellt sind in Klammern aufgeführt. Die Verbindungsstreifen 16, mit welchen die Leiterstreifen 28 (Fig. 6) miteinander verbunden sind, werden entfernt, nachdem die Leiterstreifen 28 an einem Ende verkapselt

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sind. Die Leiterstreifen 28 werden am anderen Ende ebenfalls nach dem Verkapseln von den Verbindungsbändern abgeschnitten. Die IC-Pastille 22 ist in Fig. 6 strichpunktiert angedeutet.
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Die Befestigungseinheit 50, die in Fig. 7 gezeigt ist, ist schalenförmig ausgebildet und stellt eine Modifikation der Befestigungsr nheiten 24 und 38 dar, wie sie in den Fig. 4 und ^r< gezeigt sind. Wie die Befestigungseinheiten 24 und 38 besteht auch die Befestigungseinheit 50 nach Fig. 7 aus einem Befestigungsteil 52, um dessen gesamten Umfang herum eine Verstärkungswand 54 herumläuft, die nach oben ragt. Während der flache Befestigungsteil der B^festigungseinheiten 24, 38 mit den Leiterstreifen 28 und den Stützstreifen 26 ausgefluchtet ist, liegt dr>q Befestigungsteil· 52 der >iefestigungseinheit 50 iuf einer anderen Ebene ais die Leiterstreifen 28 und die Stützstreifen 26 (siehe Fig. 8). Die Entfernung zwischen der Ebene, auf welchen die Leiterstreifen und Stützstreifen 26 ausgebildet sind, und dem flachen Befestigungsteil· 52 der Befestigungseinheit 50, nämiich die Höhe H der Verstärkungswände 54, ist so bemessen, daß sie mit der oberen Fiäche der IC-Pasti^e 22 und damit auch der Ebene, in weicher die Leiterstreifen 28 liegen, abschließt bzw. fluchtet, wenn die Pastille auf das flache Befr^r'tigungsteil 52 der Befestigungseinheit 50 aufgesetzt ist- Das Anordnen der Leiterstreifen 28 und der oberen Fläche der IC-Pastille 22 in ein und derselben Ebene hat den Vorteil, daß die Anschlußstreifen 30 auf der IC-Pasti^e 22 und je ein Ende der Leiterstreifen 28 durch die eiektrischen Verbindungsieitungen 32 zuveriässig verknüpft v/erden können.

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Wie auch bei der Befestigungseinheit 34 nach Fig. 6 werden die Verbindungsstreifen, welche die Leiterstreifen miteinander koppeln, das Befestigunqsteil und die Verbindungsbänder, die gemeinsam die Befestigungseinheit 50 nach Fig. 7 bilden, aus einer Metallplatte, welche den Befestigungsrahmen bildet, ausgeätzt oder ausgestanzt. Anschließend wird allein das Befestigungsteil beispielsweise durch Schrumpfung niedergedrückt. Die innere Grundfläche der Aushöhlung, welche durch das niedergedrückte flache Teil gebildet wird, entspricht dem Befestigungsteil 52 der Befestigungseinheit 50 nach Fig. 7, auf welchem die IC-Pastille 22 befestigt wird. Da die Vertiefung bzw. Aushöhlung mittels Schrumpfung hergestellt wird, bildet sich an der Oberseite der Viand 54 der Befestigungseinheit 50 ein Flansch 56 aus. Die vorstehend beschriebenen Befestigungseinheiten 24, 38 und 50 sind mechanisch stabil und werde : durch Spannungen nur geringfügig beeinflußt. Die Spannungen werden vom Kunststoff erzeugt, wenn die Einheit verkapselt wird.

Da die Befestigungseinheit im verkapselten Zustand keinerlei Spannungen auf die IC-Pastille ausübt, behält die fertiggestellte Halbleitereinrichtung ihre ursprünglichen elektrischen Eigenschaften.

Unter Bezugnahme auf Fig. 9 soll nun eine vereinfachte Form der Befestigungseinheit erklärt werden, wobei der Grund für die mechanische Stabilität der Befestigungseinheiten 24, 38 und 50 klar wird. Wenn auf eine Befestigungseinheit mit dem in Fig. 9 gezeigten Querschnitt ein Biegemoment M ausgeübt wird, wird sich dieses bogenförmig verformen mit einer Durchbiegung vom Radius P . Die Durchbiegung ergibt sich aus der folgenden Gleichung:

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_ bh ²

Ebh² _ΓΛ 8Η^{3 IZlil} 2 '

1 ? ' ^u2 [4

wobei: E = Elastizitätsmodul der Metallplatte, aus welcher die Befestigungseinheit hergestellt wird, H= Höhe der Verstärkungswand,

h = Dicke dnr Verstärkungswand und des flachen

Teils der Befestigungseinheit, b = Breite rior Befestigungseinheit bedeuten.
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Die rechte Seite der Gleichung (1) bezeichnet den Widerstand gegen Durchbiegung bzw. Verformung, nämlich die Biegesteifigkeit. Je größer der Ausdruck auf der rechten Seite der Gleichung wird, desbo höher wird auch die mechanische Stabilität der Befestiyungseinheit. Da die bisher bekannten Befestigungsteile keine Verstärkungswände aufwiesen, muß dementsprechend II gleich Null gesetzt werden. Für bekannte Befestigungseinheiten nach dem Stand der Technik ergibt sich damit die folgende Gleichung:

ρ Ebh ,_o»

JM= (2)

(H = 0).

Die Veränderung der Biegesteifigkeit in Abhängigkeit der Größe von H sind nachstehend in Tabelle 1 angegeben, wobei die Biegesteifigkeit für den Fall, daß H gleich Null ist, mit 1 angenommen wurde, b = 2,5 mm und h = 0,25 mm gesetzt wurde.

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- 15 Tabelle 1

H (mm) Verhältnis zur Steifigkeit für H=O

0,00 1,00

0,20 2,44

0,25 3,20

0,30 4,16

0,40 6,74

Die vorstehende Tabelle 1 zeigt, daß eine leichte Steigerung der Höhe H der Verstärkungswand die Biegesteifigkeit der Befestigungseinheit erhöht.

Die in Fig. 10 gezeigte Befestigungseinheit 58 ist nicht nur mechanisch stabil, sondern strahlt darüberhinaus wirksam die in der IC-Pastille erzeugte Wärme ab. Die Befestigungseinheit 58 besteht aus einem flachen Befestigungsteil 60, Verstärkungswänden 62 und Wärmeabstrahlfüßen 64, dio vorzugsweise im wesentlichen parallel zum Befestigungsteil 60 abgebogen sind. Wenn die Befestigungseinheit 58 im Bauteil 20 verkapselt ist, wie in Fig. 11 gezeigt, liegen an der Unterfläche des Bauteils 20 die wärmeabstrahlenden Füße 64 frei. Diese untere Fläche braucht jedoch nicht mit der Außenfläche des Bauteils 20 zu fluchten.

Die Bodenfläche kann sehr nahe an der Innenwand des Bauteils 20 angeordnet sein. Die wärmeabstrahlenden Füße 64 können in das Bauteil 20 so eingebettet sein, daß die untere Fläche der Füße 64 einige Millimeter oder Zehntel Millimeter von der Innenfläche des Bauteils 20 entfernt sind. Die in der IC-Pastille erzeugte Wärme wird dann durch das Befestigungsteil 60, die Verstärkungswände 62, die wärmeabstrahlenden Füße 64 und weiter durch

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die dünnen Wände des Bauteils 20 nach außen abgeleitet. Eine Halbleitereinrichtung der gezeigten Art, bei der die Unterfläche der wärmeanstrahlenden Füße 64 am Boden des Bauteils 20 freiliegt, kann eine etwa zweimal so große Wärmemenge ableiten, als dies mit bekannten Halbleitereinrichtungen möglich ist. Wenn die wärmeabstrahlenden Füße 6 4 in dem Bauteil 20 eingebettet sind, wobei die Unterfläche der Füße 64 sehr nahe an der Innenfläche des Bauteils 20 liegen soll, kann etwa 1 1/2 mal so viel Wärme zur Außenseite abgeleitet werden als dies mit bekannten Halbleitereinrichtungen möglich ist.

Der Befestigungsrahmen 68, der die Befestigungseinheiten 58 nach Fig. 10 enthält, kann aus einer Metallplatte 66, wie in Fig. 12 gezeigt, hergestellt werden, indem aus der Metallplatte 66 ein Umriß der mit durchgezogenen Linien angedeuteten Art ausgestanzt oder ausgeätzt wird und anschließend die ausgestanzten Teile entlang der gestrichelten Linien abgebogen werden. In Fig. 12 entsprechen die Plattensegmente, die mit dem Bezugszeichen 70 bezeichnet sind, den seitlichen Verstärkungswänden 62 in Fig. 10. Die Plattensegmente, die mit der Bezugsziffer 72 bezeichnet sind, entsprechen den wärmeabstrahlenden Füßen 64 in Fig. 10.

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Claims

PATENT WWÄTTE DR.KADOR &DR.KJLUNkER

K 12 325/7S

TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO., LTD. 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku

Kawasaki-shi, Japan

Verkapselte Halbleitereinrichtung

Patentansprüche

Verkapselte Halbleitereinrichtung mit einer Befestigungseinheit in Form eines plattenähnlichen Befestigungsteils, auf welchem eine Halbleiter-Pastille angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet , daß von der Kante des Befestigungsteils (34) seitliche Verstärkungswände (36) quer zum Befestigungsteil (34) wegragen, daß die Halbleiter-Pastille (22) im wesentlichen im Mittelpunkt der aus einem elektrisch isolierenden Kunststoff bestehenden Verkapselung und der Befestigungseinheit angeordnet ist und daß an der Verkapselung eine große Anzahl einzelner voneinander getrennter Leiterstreifen (28) befestigt sind, deren eines Ende nahe dem flachen Befestigungsteil (34) angeordnet ist und mit der Halbleiter-Pastille (22) elektrisch verbunden ist und deren anderes Ende aus der Verkapselung nach außen ragt.
2. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß sich die Verstärkungswände (36) im wesentlichen rechtwinklig zur Ebene des Befestigungsteils (34) erstrecken.

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3. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Befestigungseinheit

(24) neben den Verstärkungswänden (36) weitere Verstärkungswände (40) aufweist, die ebenfalls an der Kante der Befestigungseinheit (24) ansetzen und den Verstärkungswänden (36) entgegengesetzt gerichtet sind.
4. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Befestigungseinheit (50) Tellerform aufweist und einen Befestigungsteil (52) zur Lagerung der Halbleiter-Pastille (22) aufweist, daß vom Umfang des Befestigungsteils (52) eine Verstärkungswand (54) um eine bestimmte gleichförmige Höhe H nach oben ragt und daß an der oberen Kante der Verstärkungswand

(54) ein umlaufender Flansch (56) ausgebildet ist.
5. Halbleitereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß die in der Verkapselung eingebettete Befestigungseinheit (58) wärmeabstrahlende Füße (64) aufweist, die an der Unterkante der seitlichen Verstärkungswände (6 2) ansetzen.
6. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die untere Fläche der wär- meabstrahlenden Füße (64) nahe der unteren Fläche der Verkapselung angeordnet sind.
7. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die wärmeabstraalenden Füße (64) aus der Verkapselung teilweise nach außen ragen.

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8. Halbleitereinrichtung nach Anspruch 5, dadurch g e kennzeichnet , daß die wärmeabstrahlenden Füße (64) parallel zur Ebene des Befestigungsteils (60) gerichtet sind.

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