DE2343565A1

DE2343565A1 - DEVICE FOR GENERATING A VARIABLE OUTPUT VOLTAGE

Info

Publication number: DE2343565A1
Application number: DE19732343565
Authority: DE
Inventors: Shunji Minami; Shunzo Oka; Takehide Takemura
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1972-08-29
Filing date: 1973-08-29
Publication date: 1974-03-21
Also published as: CA999936A; US3826970A; DE2343565B2; JPS4943552A

Description

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Anwaltsakte 2k 317 29. August 1973 Lawyer File 2k 317 August 29, 1973

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. JapanMatsushita Electric Industrial Co., Ltd. Japan

Vorrichtung zur Urzeugung einer variablen Ausgangsspannung Device for generating a variable output voltage

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeugung einer variablen Ausgangsspannung, und insbesondere eine Vorrichtung vom kontaktlosen Typ, die man überall dort einsetzen kann, wo eine Ausgangsspannung graduell variiert werden muß.The invention relates to an apparatus for generating a variable output voltage, and more particularly to an apparatus of the non-contact type, which can be used wherever an output voltage has to be varied gradually.

Bisher wurde im allgemeinen ein variabler Widerstand als Vorrichtung zur Urzeugung einer variablen Ausgangsspannung verwendet. Wegen der dabei nötigen mechanischen Kontakte sind jedoch bei einer solchen Vorrichtung häufig Schwierigkeiten aufgetreten; darüber hinaus kann eine solche Vorrichtung bei einigen Anwendungsgebieten nicht eingesetzt werden.Heretofore, a variable resistor has been generally used as a device used to generate a variable output voltage. However, because of the mechanical contacts required for this, difficulties often encountered with such a device; In addition, such a device can be used by some Application areas are not used.

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Der Erfindung liegt deshalb unter anderem die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Erzeugung einer variablen Ausgangsspannung zu schaffen, die die Nachteile der bereits bekannten Vorrichtungen nicht besitzt.The invention is therefore based, inter alia, on the object of providing a device for generating a variable output voltage to create that does not have the disadvantages of the already known devices.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein Kondensator zwischen Erde und dem Tor eines Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistors geschaltet ist, während die Basis eines n-p-n Transistors mit der Quelle des -Feldeffekttransistors und die Basis eines p-n-p Transistors mit der Senke des Feldeffekttransistors verbunden ist. Die Ausgangsspannung von der Vorrichtung nach der Erfindung kann zwischen zwei Klemmen abgenommen werden, von denen eine mit dem Kollektor des p-n-p Transistors und die andere mit dem Kollektor des n-p-n Transistors verbunden ist.This object is achieved according to the invention in that a capacitor is connected between earth and the gate of a metal oxide semiconductor field effect transistor, while the base of a n-p-n transistor with the source of the field effect transistor and the base of a p-n-p transistor with the drain of the field effect transistor connected is. The output voltage from the device according to the invention can be picked up between two terminals one of which is connected to the collector of the p-n-p transistor and the other to the collector of the n-p-n transistor is.

Wenn das Torpbtential des Feldeffekttransistors erhöht wird, wobei gleichzeitig der Kondensator geladen wird, wird das Potential an der Ausgangsklemme des p-n-p Transistors erhöht werden während das Potential an der Ausgangsklemme des n—p-n Transistors sinken wird. Wenn das Torpotential an dem Feldeffekttransistor gesenkt wird, dann werden die Potentiale an den jeweiligen Ausgangsklemmen in der umgekehrten Richtung, wie es oben beschrieben wurde, variiert werden. Daraus ergibt sich, daß die Variation im Ladungsniveau des erwähnten Kondensators zu einer Variation der zwischen den beiden Ausgangsklemmen auftretenden Spannung führen kann.If the Torpbtential of the field effect transistor is increased, while at the same time the capacitor is charged, the potential at the output terminal of the p-n-p transistor will be increased while the potential at the output terminal of the n-p-n transistor will sink. If the gate potential at the field effect transistor is lowered, then the potentials at the respective Output terminals can be varied in the reverse direction as described above. This results in, that the variation in the charge level of the capacitor mentioned leads to a variation between the two output terminals Voltage.

409812/0886409812/0886

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile liegen insbesondere darin, daü man eine Vorrichtung zur Erzeugung einer variablen Ausgangsspannung erhält, die auf vielen Anwendungsgebieten eingesetzt werden kann, einfach im Aufbau ist und sicher im Betrieb.The advantages achieved with the invention are in particular that one has a device for generating a variable Receives output voltage that is used in many fields of application can be, is simple in construction and safe to operate.

Die Erfindung schafft also eine Vorrichtung zur Erzeugung einer variablen Ausgangsspannung, bei der ein Kondensator zwischen Erde und dem Tor eines Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistors geschaltet ist, während die Basis eines n-p-n Transistors mit der Quelle des Feldeffekttransistors und die Basis eines p-n-p Transistors mit der Senke des Feldeffekttransistors verbunden ist. Wenn der Kondensator geladen und damit das Torpotential des Feldeffekttransistors erhöht wird, dann wird das totential an der Ausgangsklemme, die mit dem Kollektor des p-n-p Transistors verbunden ist, erhöht werden, während das Potential an der Ausgangsklemrae, die mit dem n-p-n Transistor verbunden ist, gesenkt werden wird. Λβηή das Torpotential des Feldeffekttransistors niedriger wird, dann wird das Potential an den oben erwähnten, jeweiligen Ausgangsklemmen in die umgekehrte Sichtung, als es oben beschrieben wurde, variiert werden, -daraus ergibt sich, daü die graduelle Variation in dem Ladungsniveau des Kondensators eine graduelle Variation der zwischen den beiden Ausgangsklemmen auftretenden -Spannung zur Folge hat.The invention thus provides a device for generating a variable output voltage, in which a capacitor is connected to earth and the gate of a metal oxide semiconductor field effect transistor is connected, while the base of an n-p-n transistor is connected to the source of the field effect transistor and the base of a p-n-p transistor connected to the drain of the field effect transistor is. If the capacitor is charged and thus the gate potential of the field effect transistor is increased, then the totential at the Output terminal, which is connected to the collector of the p-n-p transistor, while the potential at the output terminal, connected to the n-p-n transistor will be lowered. Λβηή the gate potential of the field effect transistor is lower then the potential at the above-mentioned respective output terminals is viewed in the opposite direction to that described above was varied, - from this it follows that the gradual variation in the charge level of the capacitor a gradual variation of that occurring between the two output terminals -Tension results.

-,'eitere Aufgeben, Merkmale und Vorteile der -Ej.find.ung werden aus der nun folgenden Beschreibung eines AusJührungsbeispiels ersichtlich, in der Jezug auf die beiliegenden Zeichnungen genommen wird.-, 'more abandonment, features and advantages of finding out from the following description of an exemplary embodiment can be seen in the reference to the accompanying drawings will.

4 09812/0886 -4-4 09812/0886 -4-

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine elektrische Schaltung einer Vorrichtung zur Erzeugung einer variablen Ausgangsspannung, wie sie in einer Ausführungsform der Erfindung verwendet wird;Fig. 1 shows an electrical circuit of a device for generating a variable Output voltage as used in an embodiment of the invention;

Fig. 2 ein Diagramm, in dem die Beziehung zwischen der Spannungsänderung und den Torspannungen des Metalloxidhalbleiter-Peldeffekttransistors an den in Fig. 1 gezeigten Punkten A und B dargestellt ist;Fig. 2 is a graph showing the relationship between the voltage change and the gate voltages of the metal oxide semiconductor pelt effect transistor is shown at points A and B shown in Figure 1;

Fig. $ ein Diagramm mit einer Charakteristik eines p-n-p Transistors, wobei der Kollektorstrom über dem Basisstrom aufgetragen ist;Fig. $ Is a diagram showing a characteristic of a p-n-p transistor, wherein the collector current is plotted over the base current;

Fig. 4- ein Diagramm einer Charakteristik eines n-p-n Transistors, wobei der Kollektorstrom über dem Basisstrom aufgetragen ist; undFig. 4- is a diagram showing a characteristic of an n-p-n transistor, where the collector current is plotted over the base current; and

Fig. 5 ein Diagrammen dem die an den Ausgangsklemmen auftretende Spannungsänderung dargestellt wird, wenn die Torspannung an dem Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor in der Schaltung nach Fig. 1 variiert wird.Fig. 5 is a diagram showing the at the output terminals occurring voltage change is represented when the gate voltage on the metal oxide semiconductor field effect transistor is varied in the circuit of FIG.

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In Fig. 1 sind bei 1 und 2 eine positive und eine negative Klemme dargestellt, die mit positiven bzw· negativen (nicht gezeigtem) elektrischen Energiequellen verbunden sind. Mit 3 ist ein Zentralpol bezeichnet, der entweder im Kontakt mit den oben erwähnten Klemmen 1 und 2 sein oder von ihnen getrennt werden kann. Bei 4 ist ein Eingangswiderstand dargestellt, der sich zwischen dem Zentralpol und dem Tor eines Metalloxidhalb— leitejS-Feldeffelcttransistors (MOS Typ FET) 5 befindet. Mit 6 ist ein nicht-polarer Kondensator bezeichnet, von dem ein Ende mit dem Tor des oben erwähnten ^elcfeffekttransistors 5 und das andere Ende mit Erde verbunden ist. Bei 7 ist ein Entladewiderstand dargestellt, der zwischen eine Gleichstrom liefernde elektrische Energiequelle V_D und die Senke des Transistors 5 geschaltet ist, und bei 8 ist ein Ausgangswiderstand zwischen die Quelle des Transistors 5 und Erde geschaltet. Bei 9 ist ein n-p-n Transistor dargestellt, dessen Basis durch einen Widerstand 10 mit der Quelle des Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistors verbunden ist, während sein Kollektor durch einen Widerstand 11 an die oben erwähnte, Gleichstrom liefernde elektrische Energiequelle V_D angeschlossen und sein Emitter geerdet ist. Mit 12 ist ein p-n-p Transistor bezeichnet, dessen Basis durch einen Widerstand 13 mit der Senke des Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistors verbunden ist, während sein Emitter an die Gleichstrom liefernde elektrische Energiequelle V_D angeschlossen ist; sein Kollektor ist über einen Widerstand 14 geerdet. Mit 15 ist eine auf der Kollektorseite des Transistors 9In FIG. 1, at 1 and 2, a positive and a negative terminal are shown, which are connected to positive and negative (not shown) electrical energy sources, respectively. 3 with a central pole is referred to, which can either be in contact with the above-mentioned terminals 1 and 2 or can be separated from them. An input resistance is shown at 4, which is located between the central pole and the gate of a metal oxide half-conductor field effect transistor (MOS type FET) 5. Numeral 6 denotes a non-polar capacitor, one end of which is connected to the gate of the above-mentioned elcfeffect transistor 5 and the other end of which is connected to ground. At 7 a discharge resistor is shown which is connected between a direct current supplying electrical energy source V _D and the drain of the transistor 5, and at 8 an output resistor is connected between the source of the transistor 5 and ground. At 9 an npn transistor is shown, the base of which is connected through a resistor 10 to the source of the metal oxide semiconductor field effect transistor, while its collector is connected through a resistor 11 to the above-mentioned, direct current supplying electrical energy source V _D and its emitter is grounded. With a pnp transistor is designated, the base of which is connected through a resistor 13 to the drain of the metal oxide semiconductor field effect transistor, while its emitter is connected to the direct current supplying electrical energy source V _D ; its collector is grounded via a resistor 14. With 15 is one on the collector side of the transistor 9

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vorgesehene Ausgangsklemme bezeichnet, und 16 ist eine auf der Kollektorseite des Transistors 12 vorgesehene Ausgangsklemme.designated output terminal, and 16 is one on the Collector side of the transistor 12 provided output terminal.

Wenn beim Betrieb der Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor 5 im kurzgeschlossenen Zustand bleibt, wird das Potential am Punkt A auf der Senkenseite des Transistors 5 das Potential auf der Spannung der Gleichstromquelle Vj₃ sein, da durch den Widerstand 7 kein Strom fließt. Andererseits wird das Potential am Punkt B auf der Quellenseite des Transistors 5 Null sein, weil kein Strom durch den Widerstand 8 fließt.If the metal oxide semiconductor field effect transistor 5 remains in the short-circuited state during operation, the potential at point A on the drain side of the transistor 5 will be the potential at the voltage of the direct current source Vj ₃ , since no current flows through the resistor 7. On the other hand, the potential at point B on the source side of transistor 5 will be zero because no current flows through resistor 8.

Wenn anschließend der Zentralpol 3 Bit der positiven Klemme 1 verbunden und so die Spannung +Ψ, auf den Schaltkreis gegeben wird, dann wird der Kondensator 6 durch den Eingangswiderstand 4 aufgeladen werden. Wenn der Kondensator 6 geladen wird, d.h., wenn die Torspannung des Hetalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistors 5 erhöht wird, dann wird der Strom von der Senkenseite des Transistors 5 zu seiner Quellenseite fließen, und zwar in gleicher Höhe wie die erzeugte Torspannung. Aufgrund des von dem Stroadurchfluß durch den Widerstand 7 verursachten Spannungs abfalls wird als Ergebnis davon das Potential im Punkt A auf der Senkenseite des Feldeffekttransistors 5 unter das Potential an der Gleichstrom liefernden elektrischen Energiequelle Vp gesenkt werden. Aufgrund des Stromdurchflusses durch den Widerstand 8 wird inzwischen das Potential an dem Punkt B auf der Quellenseite des Feldeffekttransistors 5 von Null auf ein höheres Niveau gehoben werden. Wenn der Zentralpol 3 unter sol-If the central pole 3 bits of the positive terminal 1 is then connected and the voltage + Ψ is applied to the circuit, then the capacitor 6 will be charged through the input resistor 4. When the capacitor 6 is charged, that is, when the gate voltage of the metal oxide semiconductor field effect transistor 5 is increased, the current will flow from the drain side of the transistor 5 to its source side, namely at the same level as the gate voltage generated. As a result of the voltage drop caused by the current through the resistor 7, the potential at point A on the drain side of the field effect transistor 5 will be lowered below the potential at the direct current electric power source Vp. Due to the current flowing through the resistor 8, the potential at the point B on the source side of the field effect transistor 5 will meanwhile be raised from zero to a higher level. When the central pole 3 is

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chen Bedingungen bei beliebiger zeitlicher Einteilung in einen abgeschalteten Zustand gebracht wird, dann wird der Stromdurchfluß durch den Widerstand unterbrochen werden, wodurch man die elektrische Ladung konstant hält, die bis dahin in dem Kondensator angesammelt worden ist. Mit anderen Worten hält man damit die Potentialdifferenz zwischen den Punkten A und B auf einem konstanten Wert.Chen conditions is brought into a switched-off state at any time division, then the current flow is be interrupted by the resistance, whereby one keeps the electrical charge constant, which until then in the capacitor has been accumulated. In other words, this keeps the potential difference between points A and B at one constant value.

Wenn bei dem anschließenden Schritt der Zentralpol mit der negativen Klemme 2 verbunden und damit eine Spannung -V. auf den Stromkreis gegeben wird, dann wird die elektrische Ladung in dem Kondensator 6 gesenkt werden, d.h. die Torspannung an dem Metalloxidhalbleiter-Felaeffekttransistor 5 wird niedriger werden, während der Strom in der Größe gesenkt werden wird, bis der Transistor 5 in cLen kurzgeschlossenen Zustand gebracht wird. -Das hat zur Folge, daß das Potential am Punkt A bis auf die Höhe der Spannung V_D an der Gleichstrom liefernden elektrischen Energiequelle ansteigt, während das Potential an den|punkt B sich bis _auf das Null-Potential senkt. Wenn bei einer beliebigen zeitlichen Einteilung während des oben zusammengestellten Verlaufs des Betriebs der Zentralpol 3 in den abgeschalteten Zustand gebracht wird, dann werden die Potentiale an den Punkten A und B auf bestimmten Werten gehalten werden, und zwar in gleicher Höhe wie die so erzeugten Spannungen.If in the next step the central pole is connected to negative terminal 2 and thus a voltage -V. is applied to the circuit, then the electrical charge in the capacitor 6 will be lowered, ie the gate voltage on the metal oxide semiconductor field effect transistor 5 will be lower, while the current will be reduced in size until the transistor 5 is brought into a short-circuited state will. -The has the result that the potential at the point A to the level of the voltage V _D on the constant-current supplying electric power source is increased, while the potential at the | point B is lowered to _a uf the zero potential. If the central pole 3 is switched off at any time during the course of operation compiled above, then the potentials at points A and B will be kept at certain values, namely at the same level as the voltages thus generated.

Daraus ergibt sich nun, daß der Senkenstrom in eine Lage zwi-From this it follows that the sink current is in a position between

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sehen dem kurzgeschlossenen Zustand und dem gesättigten Zustand des Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistors 5 gebracht werden kann, indem man eine Spannung von +V. oder -V. an den Zentralpol 5 anlegt oder indem man den Zentralpol 3 in den abgeschalteten Zustand bringt. Nimmt man nun an, daß die Widerstandswerte der Widerstände 7 und 8 gleich R^ und Rg von gleichem Betrag sind, und nimmt man weiter an, daß der innere Widerstand (r) zur Zeit der zwischen der Senke und der Quelle des Metalloxidhalbleiter-Feideffekttransistors 5 erzeugten Sättigung gleich r«IL = Rg,dann kann die Spannung V. an dem Punkt A auf der Senkenseite des Feldeffekttransistors 5 und die Spannung V₃ an dem Punkt B auf seiner Quellenseite durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden, wobei noch der Vorbehalt zu machen; ist »daß öler Feldeffekttransistor 5 sich im Sättigungszustand befindet:see the short-circuited state and the saturated state of the metal oxide semiconductor field effect transistor 5 can be brought about by applying a voltage of + V. or -V. to the central pole 5 or by bringing the central pole 3 into the switched-off state. If one now assumes that the resistance values of the resistors 7 and 8 are equal to R ^ and Rg of the same magnitude, and one further assumes that the internal resistance (r) at the time between the drain and the source of the metal oxide semiconductor field effect transistor 5 generated saturation equal to r «IL = Rg, then the voltage V. at point A on the drain side of the field effect transistor 5 and the voltage V ₃ at point B on its source side can be expressed by the following equation, with the reservation still to be made ; is »that oil field effect transistor 5 is in the saturation state:

R₇VpR ₇ Vp

^VA ^{= V}D β/,+r+Ro · ^VB " Η,Γ,+r+Hg ^V A ^{= V} D β /, + r + Ro · ^V B "Η, Γ, + r + Hg

Da ^D 8 D ' DDa ^ D 8 D 'D

R„+r+R "+ r +

folgt: V_D ^ V_A ^ -§- , tP- =■ V_B = 0.it follows: V _D ^ V _A ^ -§-, tP- = ■ V _B = 0.

Auf diese Weise kann V. und V_B in dem oben angegebenen Bereich variieren. Mit dieser Verbindung zeigt Fig. 2 die Beziehung von V. und Vg mit der Torspannung des Feldeffekttransistors 5· Hier wird die Spannung V. gesenkt, wenn die Torspannung wachst,In this way, V. and V _B can vary in the range given above. With this connection, Fig. 2 shows the relationship of V. and Vg with the gate voltage of the field effect transistor 5. Here the voltage V. is lowered when the gate voltage increases,

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während die Spannung Vg damit erhöht wird.while the voltage Vg is thereby increased.

Anschließend werden die oben erläuterten Spannungen V. und Vg auf die Basen des p-n-p Transistors 12 bzw. des n-p-n Transistors 9 gegeben. Die .H¹Ig. 3 und 4- zeigen Charakteristiken des p-n-p Transistors 12 und des n-p-n Transistors 9» wobei der Kollektorstrom über dem Basisstrom aufgetragen ist. Wenn der Metalloxidhalbleiter-J?eldeffekttransistor 5 im kurzgeschlossenen Zustand bleibt, wird die Spannung V. am Punkt A +V-q sein,' während die Spannung Vg am Punkt B auf dem Nullpotential sein wird. Zu dieser Zeit wird kein Stromdurchfluß durch den Widerstand 14 erfolgen, da sich das Potential am Emitter des p-n-p Transistors 12 auf einem Niveau mit seiner Basis befindet, so daß kein Stromflüß erfolgen kann. Andererseits wird kein Strom durch den Widerstand 11 fließen, da sich das Potential an dem Emitter des n-p-n Transistors 9 auf einem Niveau mit seiner Basis befindet, so daß auch hier kein Strom fließen kann; daraus ergibt sich, daß das Potential an der Ausgangsklemme +V^ sein wird.The voltages V. and Vg explained above are then applied to the bases of the pnp transistor 12 and the npn transistor 9, respectively. The .H ¹ Ig. 3 and 4- show characteristics of the pnp transistor 12 and the npn transistor 9 », the collector current being plotted against the base current. If the metal-oxide-semiconductor J? Elde-effect transistor 5 remains in the short-circuited state, the voltage V. at point A will be + Vq, while the voltage Vg at point B will be at zero potential. At this time, no current will flow through the resistor 14, since the potential at the emitter of the pnp transistor 12 is at the same level as its base, so that no current can flow. On the other hand, no current will flow through the resistor 11, since the potential at the emitter of the npn transistor 9 is at the same level as its base, so that no current can flow here either; it follows that the potential at the output terminal will be + V ^.

Wenn als nächstes die Torspannung an dem Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor 5 erhöht wird, senkt sich die Spannung V., während sich die Spannung Vg statt dessen erhöhen wird. Dadurch wird ein niedrigeres Basispotential an dem p-n-p Transistor 12 verursacht, wodurch ein Strom durch den Emitter und die Basis fließen wird. Daraus ergibt sich, daü eip Strom durch den. Wider- Next, when the gate voltage across the metal oxide semiconductor field effect transistor 5 is increased, the voltage V. will decrease, while the voltage Vg will instead increase. This causes a lower base potential at the pnp transistor 12, as a result of which a current will flow through the emitter and the base . It follows that there is a current through the. Contrary-

4098 12/0886 ^IU 4098 12/0886 ^IU

stand 14 fließt, und das Potential Vq,, an der Ausgangsklemme wird erhöht werden. Das hat weiterhin eine Erhöhung der Basisspannung an dem n-p-n Transistor 9 zur Folge, wodurch ein Strom durch seinen Emitter und seine Basis fließen kann. Weiterhin ergibt sich hieraus, daß ein Strom durch den Widerstand 11 fließt, wodurch das Potential Vq~ an der Ausgangsklemme 15 gesenkt wird. Dazu gilt noch folgendes: Wenn der Widerstand 13 und der Widerstand 10 so eingestellt werden, daß der p—n—p Transistor 12 und der n-p-n Transistor 9 gesättig sind, wenn der Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor 5 gesättigt ist, dann werden die Potentiale Vq^ und Vq^ an den Ausgangsklemmen 16 und 15 den Verlauf haben, wie er in lig. 5 dargestellt ist.Stand 14 flows, and the potential Vq ,, at the output terminal will be increased. This also results in an increase in the base voltage at the npn transistor 9, as a result of which a current can flow through its emitter and its base. It also results from this that a current flows through the resistor 11, as a result of which the potential Vq ~ at the output terminal 15 is lowered. In addition, the following applies: If the resistor 13 and the resistor 10 are set so that the p-n-p transistor 12 and the npn transistor 9 are saturated, when the metal-oxide semiconductor field effect transistor 5 is saturated, then the potentials Vq ^ and Vq ^ at the output terminals 16 and 15 have the course as it is in lig. 5 is shown.

Wenn der Zentralpol 3 mit der positiven Klemme 1 oder der negativen Klemme 2 verbunden wird, dann kann man der hier gegebenen Erläuterung folgende Wirkungsweise entnehmen: Das Potential an einer Ausgangsklemrae wird, von Null ansteigend erhöht werden, und das Potential an der anderen Klemme wird,von +V₀ abfallend, gesenkt werden. Hieraus ergibt sich, dau die Aufladung oder Entladung des Kondensators 6 eine Spannung eines beliebigen Wertes zwischen den beiden Klemmen erzeugen kann. Darüberhinaus kann die zwischen den beiden Klemmen erzeugte Ausgangsspannung mit beliebiger zeitlicher Einteilung auf einem bestimmen Wert gehalten werden.If the central pole 3 is connected to the positive terminal 1 or the negative terminal 2, then the explanation given here shows the following mode of operation: The potential at one output terminal is increased from zero, and the potential at the other terminal is, falling from + V _0. This shows whether the charging or discharging of the capacitor 6 can generate a voltage of any value between the two terminals. In addition, the output voltage generated between the two terminals can be kept at a certain value with any time division.

Wie man der Beschreibung entnehmen kann, ermöglicht die Vor-As you can see from the description, the pre

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richtung zur Erzeugung einer Variablen Ausgangsspannung nach der vorliegenden Erfindung, den Einsatz in einem größeren Feld von Anwendungsgebieten. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß die Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung die gleichen Betriebsarten wie bei den Vorrichtungen vom konventionellen Typ mit einm variablen Widerstand zuläßt, wobei jedoch jetzt ein kontaktloses Verfahren angewandt wird.direction for generating a variable output voltage according to the present invention, the use in a larger field of application areas. Another advantage is that the apparatus of the present invention is the same Modes of operation as in the devices of the conventional type with a variable resistance allows, but now a contactless method is used.

Es versteht sich von selbst, daß die obige Beschreibung nur zur Erläuterung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung dient. Zusätzliche Modifikationen und Verbesserungen, die den Lösungsgedanken der vorliegenden Erfindung verwenden, können von dem Fachmann auf diesem Gebiet leicht der vorliegenden Offenbarung der Erfindung entnommen werden; solche Modifikationen und Verbesserungen liegen jedoch regelmäß im Bereich der Erfindung, wie er durch die nun folgenden Ansprüche definiert wird.It goes without saying that the above description is only intended to illustrate a preferred embodiment of the invention serves. Additional modifications and improvements using the concept of the present invention can be readily understood by those skilled in the art from the present disclosure of the invention; such modifications however, improvements are generally within the scope of the invention as defined by the claims that follow is defined.

Patent ansprüchePatent claims

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Claims

for generating a variable output voltage, characterized by a metal oxide semiconductor field effect transistor (5) i one between earth and the gate of the transistor (5) arranged non-polar capacitor (6), a p-n-p transistor (12), the base of which is connected to the drain of the field effect transistor (5), and through an n-p-n transistor (9), whose base is connected to the source of the field effect transistor (5), the between output terminals (15 »16), the are connected to the collectors of the p-n-p transistor or n-p-n transistor, voltage occurring due to the discharge of the Capacitor (6) can be varied as desired.

2. Device according to claim 1, characterized in that a positive terminal (1) with a positive electrical energy source, a negative terminal (2) with a negative electrical energy source, and that a central pole (3) with the gate of the field effect transistor (5) is connected through a resistor (4 ·).

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Lee on the side