DE2232495B2

DE2232495B2 - Schaltung zur Pegelregelung

Info

Publication number: DE2232495B2
Application number: DE19722232495
Authority: DE
Inventors: Dieter Dipl.-Ing. 3000 Hannover Crantz
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1972-07-01
Filing date: 1972-07-01
Publication date: 1974-11-07
Also published as: JPS4938550A; DE2232495A1

Description

ten Transistors (Tl) verbunden sind und daß der Emitter des als Diode geschalteten Transistors (T2) an Masse liegt (Fig. 4 und 5).

Diode geschalteten Transistors (Γ2) mit dem 35 Erfindung besteht die Diode aus einem als Diode Emitter des nur von der Regelspannung gesteuer- geschalteten Transistor. Bei Verwendung eines Transistors vom entgegengesetzten Typ im Vergleich zu dem von der Regelspannung gesteuerten npn-Transistor kann der Emitter des als Diode geschalteten 40 Transistors mit dem Emitter des von der Regelspannung gesteuerten Transistors verbunden und die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors an Masse geschaltet werden. Bei Verwendung eines Transistors vom gleichen Typ 45 kann die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors mit dem Emitter des von der Regelspannung gesteuerten Transistors verbunden werden und der Emitter des als Diode geschalteten Transistors an Masse liegen. Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 2 bis 5 erfindungsgemäße Schaltungen des

Bei elektrischen Verstärkern ist es bekannt, eine Pegelregelung des zu verstärkenden Signals vorzusehen. Dadurch soll erreicht werden, daß bei großem Eingangssignal das Ausgangssignal nicht durch Übersteuerung verzerrt wird und daß bei zu schwachem Eingangssignal das Ausgangssignal genügend groß bleibt, um weiter verstärkt oder hörbar gemacht werden zu können.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur als Diode verwendeten Transistors und

Fig. 6 das Wechselstromersatzschaltbild des

Pegelregelung von Signalen, bei der die Regelspan- 55 Spannungsteilers,
nung der Basis eines nur von der Regelspannung In F i g. 2 ist eine Möglichkeit dargestellt, wie er

gesteuerten Transistors zugeführt wird und bei der zwischen dem Emitter dieses Transistors und dem Bezugspotential (Masse) eine Diode in Durchlaßrichtung geschaltet ist, die als veränderbarer Teil eines Spannungsteilers für die Signalspannung dient.

Bei einer bekannten Regelschaltung dieser Art, die in F i g. 1 dargestellt ist, erfolgt die Pegelregelung in der Weise, daß das zu verstärkende NF-Signal mit Hilfe eines variablen Spannungsteilers geteilt wird, 65 spricht wobei das Teilerverhältnis sich in Abhängigkeit von Strecke der durch Gleichrichtung des NF-Ausgangssignals gewonnenen, am Kondensator C 3 liegenden Regelfindungsgemäß der Transistor Γ 2 in der bekannten Schaltung nach Fig. 1 als Diode geschaltet werden kann.

In Fig. 6 ist das Wechselstromersatzschaltbild des Spannungsteilers dargestellt. Der Widerstand R entspricht der Summe der beiden Widerstände R1 und R 2 und stellt den Innenwiderstand der Wechselspannungsquelle EMK dar. Der Widerstand R 8 entder Parallelschaltung der Basis-Emitterdes Transistors Π und der Diode Dl. Die Diode Dl und die Basis-Emitter-Strecke des Transistors Tl sind bezüglich ihrer Durchlaßrichtung

entgegengesetzt geschaltet. Die positive Halbwelle des NF-Signals fließt zum größten Teil durch die Diode D1, die negative Halbwelle zum größten Teil durch die Basis-Emitter-Strecke des Transistors Tl. Bei unterschiedlichen Kennlinien der Basis-Emitter-Strecke des Transistors Γ1 und der Diode Dl werden die positiven und negativen Halbwellen des NF-Signals verschieden verformt. Durch die erflndungsgemäße Schaltung des Transistors T 2, dessen Kennlinienverlauf dem des Transistors Tl im wesentlichen gleich ist, erfahren beide Halbwellen die gleiche Verformung. Die hierbei auftretenden Verzerrungen durch geradzahlige Harmonische heben sich wie bei einer Gegentaktschaltung auf, so daß der Klirrfaktor wesentlich niedriger wird.

In F i g. 3 bis 5 sind weitere Ausführungsformen der Erfindung dargestellt. Der Emitter des als Diode geschalteten Transistors Tl ist bei Verwendung von Transistoren Tl, T2 vom gleichen Typ nach Fig. 3 mit dem Emitter des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors Tl verbunden, während die Basis des als Diode geschalteten Transistors Γ2 an ίο Masse geschaltet wird. In Fig. 4 und 5 ist gezeigt, wie bei Verwendung von Transistoren vom entgegengesetzten Typ der Transistor Γ2 als Diode geschaltet ist.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltung zur Pegelregelung von Signalen, bei der die Regelspannung der Basis eines nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors zugeführt wird und bei der zwischen dem Emitter dieses Transistors und dem Bezugspotential (Masse) eine Diode in Durchlaßrichtung geschaltet ist, die als veränderbarer Teil eines Spannungsteilers für die Signalspahnung dient, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (D 1) eine solche ist, deren Kennlinienverlauf dem Kennlinienverlauf der wechselstrommäßig parallelliegenden Basis-Emitter-Strecke des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors (T 1) im wesentlichen gleich ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (D 1) aus einem als Diode geschalteten Transistor (Γ2) besteht.

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Transistoren (Tl, Γ 2) vom entgegengesetzten Typ der Emitter des als Diode geschalteten Transistors (T 2) mit dem Emitter des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors (Tl) verbunden ist und daß die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors (T2) an Masse geschaltet sind (Fig. 2 und 3).

4. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verwendung von Transistoren (Tl, T2) vom gleichen Typ die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als spannung ändert. Das NF-Signal wird vom Transistor Γ 3, dessen Arbeitswiderstand mit ill bezeichnet ist, verstärkt und gelangt über den Kondensator Cl, den Widerstand R 2 und den Kondensator C 2 an die Basis des Transistors T 4, dessen Arbeits- und Emitterwiderstand mit R 5 und R 6 und dessen Widerstände zur Erzeugung der Basisvorspannung mit R3 bzw. R4 bezeichnet sind. Die an der Basis des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors Tl liegende Regelspannung öffnet den Transistor Tl und bewirkt dadurch, daß die Diode Dl in Abhängigkeit von der Größe der Regelspannung mehr oder weniger niederohmig wird. Das am Kollektor des Transistors Γ 3 stehende NF-Signal wird durch den Widerstand R 2 und die Diode Dl heruntergeteilt. Diese bekannte Schaltung hat den Nachteil, daß sie einen großen Klirrfaktor besitzt. Bei der in F i g. 1 dargestellten Schaltung ergaben Messungen einen Klirrfaktor bis zu 5 %.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei der beschriebenen Regelschaltung den Klirrfaktor zu verbessern.

Die Lösung dieser Aufgabe geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß die Diode eine solche ist,

as deren Kennlinienverlauf dem Kennlinienverlauf der wechselstrommäßig parallelliegenden Basis-Emitter-Strecke des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors im wesentlichen gleich ist. Der Erfindung liegt nämlich die Erkenntnis zugrunde, daß die Basis-Emitter-Strecke des von der Regelspannung gesteuerten Transistors wechselstrommäßig parallel zur Diode liegt, so daß auch dieser Transistor von Einfluß auf die Spannungsteilung ist.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der