DE2130267A1 - Elektromagnetische Pumpen - Google Patents

Description

Elektromagnetische Pumpen

Die bisherigen elektromagnetischen Strömungsmittelpumpen leiden [ unter einer Anzahl von untereinander abhängigen Mängeln. Um eine ; maximale Abgabe von Strömungsmitteln zu erhalten, wurden die Magj net- oder Zylinderspulen aus einer Höchstzahl hochohaiger Wicklungen gefertigt. Andererseits begrenzte der hohe Widerstand der Leitung den Stromfluß und erschwerte die Ansteuerung eines SchalttransistOTs bei kaltem Wetter oder bei geringer Leistungsaufnahme. Der hohe Widerstand verzögerte auch den Zusammenfall des Magentfeldes und verlangsamte die Freigabe des Tauchkolbens. Die hohe Wicklungszahl erhöhte die durch das zusammenfallende Magnetfeld der Zylinderspule freigegebene Energie, die ohne Zerstörung von Bauteilen vernichtet werden mußte. Diese freigesetzte Energie wurde durch Zenerdioden begrenzt; diese Einrichtungen sind jedoch kostspielig und verteuerten die Pumpe sehr.

-2-

109852/1747

j Um diese Schwierigkeiten zu überwinden, wurde die Magnetspule aus

I einer weniger hochohmigen Wicklung geformt. Dies wiederum bedingte i eine Sicherung zur Vermeidung eines Überstrombedarfs im Falle

! eines kurzgeschlossenen Transistors, einer Sperrstromdiode zum [ Schutz der Einrichtung gegen falsch gepolte Anschlüsse an eine j Quelle, sowie Transistoren mit hoher Strombelastbarkeit. Dadurch

I
wurden die Kosten der Anlage erhöht. Durch die Verwendung von we-

; nigeren und niederohmigen Wicklungen wurde die Einrichtung auch i für Einschaltstöße und Einschwingvorgänge empfindlich, wodurch

• sich die Notwendigkeit für einen Schutz des Transistors gegen diese

! Einschaltstöße ergab.

I Die Erfindung betrifft eine elektromagnetische Strömungsmittel-¹ pumpe, deren Zylinderspule aus einer mittleren Anzahl von relativ [ hochohmigen Wicklungen besteht. Ein mit der Zylinderspule in Reihe

' geschalteter Transistor steuert den Stromfluß durch die Spule.Eine

Abtastspule ist magnetisch mit der Zylinderspule gekoppelt und '■. dient zur Steuerung des Transistors. Die Abtastspule ist so ge- : schaltet, daß am Transistor eine Ansteuerungsvorspannung anliegt,

• wenn sich der Strom in der Zylinderspule erhöht, und eine Ab-

. schaltvorspannung, wenn der Strom abfällt. Im Ergebnis wird der , Transistor somit wechselweise durchgesteuert und schaltet dann ; ab.

Durch Verwendung einer Zylinderspule mit einer relativ hochohmigen Wicklung entsteht keine Notwendigkeit für eine Sicherung,der Stroar dioden sowie Transistoren mit hoher Strombelastbarkeit.

-3-109852/1747

Die Verwendung einer relativ hochohmigen Wicklung erlaubt eine erhöhte Anzahl von Windungen, wodurch die Betriebssicherheit der Einrichtung gegen Einschaltstöße und Einschwingvorgänge verbessert wird.

Damit der Strom von der Zylinderspule durch die Abtastspule zurück zur Zylinderspule während des Zusammenfalls des Magnetfeldes der Zylinderspule fließen kann, sind ein Widerstand und eine Diode in Reihe geschaltet. Die Energie des zusammenfallenden Magnetfeldes der Zylinderspule wird im Widerstand und in der Abtastspule vernichtet, ohne Bauteile der Einrichtung zu beschädigen oder zu zerstören. Der Strompfad sorgt für eine schnelle Entladung der aufgespeicherten Energie und für den Zusammenfall des Feldes, so daß der Pumpenkolben rasch freigegeben wird, wodurch sich eine erhöhte Förderleistung für das Strömungsmittel ergibt.

Mit der Abtastspule ist ein Widerstand in Reihe geschaltet, um die Spannung der Emitter-Basisstrecke des Transistors zu erhöhen sowie;, um die erste Ansteuerung des Transistors zu erleichtern. In Verbindung mit einem anderen Widerstand im Basiskreis des Transistors steuert dieser Widerstand die Abschaltung des Transistors, um die während des Zusammenfalls des Magnetfeldes der Zylinderspule in dieser und der Abtastspule induzierten Gegenspannungen zu begrenzen. Infolge dieser herabgesetzten Gegenspannungen läßt sich ein billigerer Transistor mit einer niedrigen Gegenspannungscharakteristik verwenden, wodurch die Kosten der Anlage herabgesetzt werden.

-4-109852/1747

Dieser erfindungsgemäß ausgelegte Schaltkreis ist unempfindlich

: für Einschaltstoße, billiger als die bisherigen Schaltungen, kann ; bei kalten Temperaturen und niedrigen Spannungen angeschaltet

werden, widersteht Gegenspannungen, besitzt einen niedrigen Kurzj schlußstrom und bewirkt schließlich eine erhöhte Förderleistung gegenüber den früheren Pumpen.

Die Erfindung ist nachstehend näher erläutert. Alle in der Beschreibung enthaltenen Merkmale und Maßnahmen können von erfindungswesentlicher Bedeutung sein. In den Zeichnungen ist:

Fig. 1 die Außenansicht von einer Seite der erfindungsgemäßen elektromagnetischen Pumpe,

Fig. 2 ein Schnitt längs der Linie 1-1 der Fig. 1,

Fign. 3,

4, 5 und 6 Stromlaufplane verschiedener Ausführungsbeispiele der Schaltkreise für die erfindungsgemäße Pumpe der Fig. 1.

Die in den Fign. 1 und 2 gezeigte Pumpe besitzt in dem Sechskantteil 3 einen mit Gewindegänge versehenen Auslaß 1, wobei der Sechskantteil 3 mit einer Seite des U-förmigen Teils 5 verschraubt ist. Das Montagegehäuse 7 ist über den Teil 5 geschoben und bildet ein geschlossenes Gehäuse, in dessen Flansche 9 Bohrungen ausgeformt sind, um die Pumpe auf einer Fläche befestigen zu können. Auf dem Gehäuse 7 ist der Transistor 49 angebracht, und das Klemmenaggregat 13 ist am Teil 5 befestigt, jedoch durch die Isolierung 15

109852/1747

gegen ihn isoliert. Ein mit Gewindegängen versehener Einlaß 17 ist im Sechskantteil 19 ausgeformt, der mit der anderen Seite des U-förmigen Teils 5 verschraubt ist, so daß der Einlaß 17 mit dem Auslaß 1 fluchtet. Der als Führung dienende Hohlzylinder 21 wird durch die zylinderförmige Verlängerung des Teils 3 abgestützt und fluchtet axial mit dem Einlaß 17 und dem Auslaß 1. Zwischen den Seiten des Teils 5 und koaxial zum Teil 21 ist die Zylinderspule

23 und die Abtastspule 25 angeordnet. Die Zylinderspule besteht aus 435 Windungen, so daß sie einen relativ hohen Widerstand und eine hohe Induktivität aufweist. Eine dünne Schicht aus nichtmagnetischem Werkstoff in der Form der Spule 27 trennt die Wicklungen 23 und 25 von der zylinderförmigen Verlängerung des Teils 3 und den Seiten des Teils 5. In der Führung 21 ist der hin- und hergehende und durchbohrte Kolben 29 aus magnetischem Material beweglich angeordnet. In einer Ausnehmung des Teils 3 ist der elastische Ring 22 koaxial fluchtend zur Führung 21 angeordnet und wird dort durch die Führung 21 gehalten. Das Rückschlagventil

24 ist im Einlaß 17 des Teils 19 angebracht, damit das Strömungsmittel nur infeiner Richtung vom Einlaß zum Auslaß durch die Zylinderführung 21 fließen kann. Die Druckfeder 26 befindet sich zwischen dem Kolben 29 und dem Rückschlagventil 24, um den Kolben 29 gegen den Federring 22 und zum Auslaß 1 hin zu drücken. In der Bohrung des Kolbens 29 ist das Rückschlagventil 28 angeordnet, damit das Strömungsmittel nur in der Richtung vom Einlaß 17 zum Auslaß 1 den Kolben 29 durchfließen kann. Im Kolben 29 ist auch die Halterung 30 angeordnet, um das Rückschlagventil 28 fest an

j seinem Platz zu halten. Im Teil 19 ist eine Vertiefung koaxial

,

fluchtend mit dem Einlaß 17 zur Aufnahme eines Teils der Führung !

21 ausgeformt, wobei die Vertiefung eine kreisförmige Nut für _g_

109852/1747

- 6 jeinen O-Ring besitzt, der zur Abdichtung zwischen den Teilen 19 und 21 dient. In der Seite des Gehäuses 7 sind die öffnungen 39

'zur Aufnahme der Zuleitungen des Transistors 11 von der^elektro-

jnischen Schaltung im Raum 41 ausgeformt.

JFig. 3 zeigt den Stromlaufplan der elektronischen Schaltung für

^[die Pumpe. An der Klemme 13 liegt eine positive Gleichspannung von einer Batterie oder einer gleichgerichteten Wechselspannungs- !quelle an. Ein Ende der Zylinderspule 23 ist an die Klemme 13 angeschlossen und das andere Ende an den Emitter 49e des Transistors j49, dessen Kollektor 49c über das Gehäuse 7 an Masse 47 geführt ist. Zwischen die Basis 49b des Transistors 49 und die Klemme 13 tist die aus den Widerständen 51, 53 und 55 sowie der Diode 57 gebildete Reihenschaltung gelegt. Die Kathode der Diode 57 ist mit der Klemme 13 verbunden und die Anode mit einem Ende des Widerstandes 55. Ein Ende des Widerstandes 51 ist an die Basis 49b und das andere Ende an den Widerstand 53 angeschlossen. Der Widerstand 59 ist zwischen die Klemme 45 und den Anschlußpunkt zwischen den Widerständen 51 und 53 geschaltet.

iBevor Spannung an der Klemme 13 anliegt, ist der Transistor 49 abgeschaltet und der Kolben 29 wird durch die Feder 26 gegen den !elastischen Ring 22 gedrückt. Wenn dann eine Gleichspannung an die Klemme 13 gelangt, fließt der Strom über den ersten Weg, der cus !der Zylinderspule 23, der Abtastspule 25 und den Widerständen 53 jund 59 besteht. Der Strom fließt auch über einen zweiten, zum ersten parallel geschalteten Weg, der aus der Zylinderspule 23,der Emitter-Basisstracke des Transistors 49 und den Widerständen 51 und 59 besteht. Da der Widerstand der Spule 25 nicht sehr hoch

-7-109852/1747

I ist, dient der Widerstand 53 zur Absicherung eines genügend starj ken Stromflusses auf dem zweiten Weg, einschließlich der Emitter-

Basisstrecke, zur Ansteuerung des Transistors 49.

! Die Zylinderspule 23 und die Spule 25 sind über den Kolben 29 mag-

ι netisch verbunden, so daß der Anfangsstromfluß durch die Zylinderspule 23 von der Klemme 13 her zum Emitter 49e eine Spannung in ; der Spule 25 induziert, die so gepolt ist, daß der Emitter-Basis-

strom des Transistors 49 erhöht wird. Infolge des erhöhten Basisstroms des Transistors 49 ergibt sich eine höhere Leitfähigkeit des Transistors, wodurch der Stromfluß in der Zylinderspule 23 vergrößert wird, was wiederum eine Erhöhung der in der Spule 25 indu-

! zierten Spannung bewirkt, bis der Transistor 49 gesättigt und i
durchgesteuert ist.

I Der die Zylinderspule 23 durchfließende Sättigungsstrom reicht hin, ι um den Kolben 29 gegen die Feder 26 bis zu einem Punkt zu drücken,

an welchem die Feder 26 voll zusammengedrückt ist. Wenn der Strom I in der Zylinderspule 23 den Sättigungspegel erreicht und sich im Ruhezustand befindet, dann wird in der Spule 25 keine Spannung mehr induziert, und der Emitter-Basisstrora des Transistors 49 reicht nicht aus, den Durchsteuerungszustand des Transistors 49 aufrecht zu erhalten, wodurch der Transistor 49 zu sperren be-

;ginnt, und sich ein verringerter Stromfluß in der Zylinderspule I23 ergibt.

Der herabgesetzte Stromfluß in der Zylinderspule 23 bewirkt einen Zusammenfall des Magnetfeldes, so daß in der Zylinderspule 23 und

der Abtastspule 25 eine Gegenspannung nach der Gleichung e = L i induziert wird. _o_

109852/174 7

2130267 -δ-Ι Die in der Spule 25 induzierte Gegenspannung reduziert die zwischen dem Emitter 49e und der Basis 49b des Transistors 49 anliegende

Gleichspannung als Ergebnis der Tatsache, daß die Gleichvorspannung zur Ansteuerung des Transistors bestrebt ist, ihren Weg über die aus der Zylinderspule 23, der Spule 25 und den Widerständen j und 59 gebildete Serienschaltung zu nehmen und an der Emitter-Kollektorstrecke des Transistors 49 anliegt. Die Summe dieser Spannungen darf nicht die zulässige Emitter-Kollektorspannung des

j Transistors tibersteigen. Daher werden die in der Zylinderspule 23

und der Spule 25 induzierten Gegenspannungen durch Steuerung der j Geschwindigkeit des Stromabfalls in der Zylinderspule 23 begrenzt. ; Ein sofortiges Abschalten des Transistors 49 wird dadurch verhin-{ dert, daß ein Entladungsweg über die Emitter-Basisstrecke des Tran- ; sistors.49, die Widerstände 51, 53 und 55 sowie die Diode 57 vorj gesehen ist. Der auf diesem Weg fließende Strom erhält noch für ', einige Zeit den Ansteuerungszustand des Transistors 49 aufrecht, wodurch die Geschwindigkeit des Stromabfalls inder Zylinderspule 23 sowie die dort induzierte Gegenspannung herabgesetzt werden. Somit bleibt der Transistor 49 für eine kurze Zeit weiterhin angesteuert und erhält einen Teil des EntladungsStroms der Zylinderspule 23.

Durch Verhinderung eines schnellen Abfalls des Stroms der Zylinderspule wird die Gegenspannung begrenzt, wodurch ein billiger Transistor mit einer niedrigen Emitter-Kollektor-Spannungskurve gewählt werden kann. Die Widerstände 51, 53 und 55 dienen zur/richtigen Steuerung der Abschaltung des Transistors 49 und zur Be-

-9- ; 10985 2/1747

-9-grenzung seines Emitter-Basisstroms.

Die in der Spule 25 induzierte Gegenspannung dient zur Erzeugung einer umgekehrten Vorspannung an der Emitter-Basisstrecke des Tr.an- ! sistors 49, um eine vollständige Abschaltung des Transistors sicherzustellen. Jedoch muß diese Gegenspannung begrenzt werden, ! damit nicht die zulässige Emitter-Baäs-Gegenspannung des Transistors überschritten wird. Die Gegenspannung wird, wie vorstehend erwähnt, durch die gesteuerte Abschaltung des Transistors 49 begrenzt.

j Wenn es nur den Strompfad über die Widerstände 51 und 53 zur Entladung des Stroms der Zylinderspule 23 gäbe, dann würde die EntIadung der Zylinderspule viel zu langsam verlaufen, und die Förderj leistung der PumpeVäre nicht befriedigend. Um einen schnellen,

j jedoch gesteuerten Zusammenfall des Magnetfeldes und eine schnelle

; Freigabe des Kolbens zu ermöglichen, ist der zweite Strompfad über

' die Spule 25, den Widerstand 55 und die Diode 57 vorgesehen. Der ■ Stromfluß durch die Spule 25 erfüllt eine nützliche Aufgabe, indem er einen hohen Abfall des Innenwiderstandes an der Spule bewirkt und dadurch die in der Spule induzierte effektive Gegenspannung herabsetzt, wodurch die Emitter-Basis-Gegenspannung auf einen niedrigen Pegel begrenzt wird und somit an einen Transistor mit einer niedrigen Emitter-Basis-Gegenspannungskennlinie angelegt werden kann.

Der Hauptanteil des Entladungsstroms der Zylinderspule 23 fließt durch die Spule 25 und den Widerstand 55, wodurch sich eine schnelle und sichere Vernichtung der von der Zylinderspule frei-

1098 5 2/1747

-10-j gegebenen Energie ergibt. Andererseits steuert der über die Wider-

! stände 51 und 53 fließende Strom die Geschwindigkeit des Zusammenfalls des Magnetfeldes in der Zylinderspule. Somit kann in der Schaltung ein billiger Transistor verwendet werden, der trotzdem eine hohe Betriebsfrequenz und eine größere Strömungsmittelförderung erlaubt.

Der mit der Spule 25 in Reihe geschaltete Widerstand 53 liefert

! eine zusätzliche Emitter-Basisspannung zur sicheren Ansteuerung

des Transistors bei kaltem Wetter und niedriger Spannung.

Durch die Abwesenheit von niederohmigen Nebenschlußstromwegen ist ein Schutz gegen Gegenspannungen gewährleistet wie im Falle einer parallel zur Zylinderspule 23 liegenden Diodenklemmschaltung. Es sind drei Gegenstromwege vorhanden, die bei 12 Volt einen Gegenstrom von ca. 2 Ampere liefern. Der ersie Weg verläuft über die

j Widerstände 59, 53, 55 und die Diode 57, der zweite Weg über die Widerstände 59, 53, die Spule 25 und die Zylinderspule 23 und der

J dritte Weg über die Widerstände 59, 51, die Basis-Emitterstrecke sowie die Zylinderspule 23. Durch den Widerstand 51 und die hochohmige Wicklung der Zylinderspule 23 wird der Gegenstrom auf der Basis-Emitterstrecke in annehmbaren Grenzen gehalten.

Ein Draht mit dünnerem Querschnitt besitzt einen höheren Widerstand und läßt mehr Windungen zu, wodurch sich eine höhere Induktivität ergibt. Die hohe Induktivität liegt mit dem Transistor in

Reihe und verhindert, daß kurzzeitige Einschaltstöße an den Emitter des Transistors gelangen. Wenn die Einschaltstoße länger sind als !

-11-

109852/1747

die Zeitkonstante der Zylinderspule, so bewirkt die hochohmige ■ Wicklung der Zylinderspule eine Vernichtung des Einschaltstoßes. Die Schaltung besitzt keine direkten Wege, auf welchen die Einschaltstoße an den Transistor gelangen können. Tritt ein außer- j

gewöhnlich starker Einschaltstoß auf, so wird die Schaltung ange- j

steuert, und der Einschaltstoß durch den Widerstand der Zylinderspule 23 vernichtet.

In Fig. 4 ist ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung zur Verwendung »it einer Quelle höherer Spannung von etwa 24 V gezeigt. Mit einer höheren Spannung stellt das Anlassen der Pumpe bei niedrigen Teaperaturen kein Problem dar. Der durch das zusammenfallende

Magnetfeld entstehende Strom muß jedoch noch immer vernichtet werden.

Die Vernichtung der in der Zylinderspule gespeicherten Energie

wird wegen der erhöhten Spannung und des erhöhten Stroms sogar ; noch wichtiger. In der Schaltung der Fig. 4 muß der Transistor | für Emitter-Kollektorspannungen bis zu 60 V ausgelegt sein. Die Emitter-Basisspannungskurven dieser Transistoren erreichen ca. 30 V, und daher sind die Widerstände 51 und 53 der Fig. 3 nicht erforderlich.

Um die Vernichtung der\in der Zylinderspule gespeicherten Energie zu fördern, ist ein weiterer Strompfad zur Entladung der Zylinderspule 23 vorgesehen. Der Widerstand 61 ist mit der Diode 57 in Reihe geschaltet und zwischen die Kathode der Diode 57 und die Klemme 13 gelegt. Die Anode der Diode 63 ist an den Emitter 49e angeschlossen und die Kathode an die Kathode der Diode 57. Die Diode 63 stellt einen weiteren Strompfad zur Entladung des Stroes

-12-

109852/1747

-12-

der Zylinderspule 23 dar, und der Widerstand 61 begrenzt den Strom auf diesem Pfad auf einen sicheren Pegel.

Die Diode 65 ist mit der Spannungsquelle in Reihe geschaltet, und ihre Anode an die Klemme 13 angeschlossen, während ihre Kathode mit der Zylinderspule 23 verbunden ist. Wegen des höheren Spannungspegels würde eine angelegte Gegenspannung die Schaltung zerstören, und daher dient die Diode 65 zur Sperrung eines Gegenstroms in der Schaltung.

In Fig. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel ähnlich dem der Fig. 6 gezeigt. In dieser Schaltung wurde der Widerstand 61 und die Diode 63 vertauscht, und zur Unterdrückung von Rundfunkfrequenzen wurde der Kondensator 69 parallel zum Emitter 49e im Kollektor 49c geschaltet. Bei diesem Ausführungsbeispiel liegt eine sehr niedrige Emitter-Basdspannung an, wodurch Transistoren höherer Spannung verwendet werden können, während die Betriebstemperatur des Transistors dadurch herabgesetzt wird, daß über die Basis 49b ein geringerer Entladungsstrom der Zylinderspule abgenommenlwird.

In Fig. 6 ist wie in Fig. 4 eine Schaltung für eine Quelle mit einem höheren Spannungspegel gezeigt. Jedoch ist diese Schaltung für das Anlegen von 100 V für die Dauer von 50 Millisekunden für Militärzwecke ausgelegt. Der Transistor besitzt eine Emitter-Kollektorcharakteristik von 300 V. Doch besitzen diese Transistoren eine sehr niedrige Emitter-Basis-Gegenspannungskurve. Durch Herausnahme der Widerstände 51 und 53 wurde die Schaltung der Fig. 3 geändert, da bei höheren Spannungen eine niedrige Temperatur

To~9852/174 7

keine Schwierigkeiten bietet. Die Diode 67 wurde hinzugefügt, deren Kathode mit dem Emitter 49e und deren Anode mit der Basis 49b verbunden ist. Die Diode 67 dient dazu, die Emitter-Basis-Gegenj spannung auf dem sicheren Pegel von ca. 1 V zu halten. Zur Unterdrückung von Rundfunkfrequenzen ist der Kondensator 69 zwischen
den Emitter und dem Kollektor des Transistors 49 geschaltet.

109852/1747

Claims (12)

1. Patentansprüche

   Ί .^Eine sich hin- und herbewegende durch eine elektrische QueBe gespeiste elektromagnetische Einrichtung mit einer sich hin- und herbewegenden Vorrichtung, einem Transistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor, mit einer zwischen den Emitter und die elektrische Quelle geschalteten Zylinderspule, die magnetisch mit der sich hin- und herbewegenden Vorrichtung verbunden ist, wobei der Transistor den Stromfluß von der elektrischen Quelle über die Zylinderspule steuert, mit einer Vorspannungsschaltung, die in Abhängigkeit von dem sich

   erhöhenden und verringernden Strom der Zylinderspule den Transistor durchsteuert und abschaltet, gekennzeichnet durch Mittel, um die durch die Zylinderspule (23) während des durch die Abschaltung des Transistors (49) bewirkten Zusammenfalls : ihres Magnetfeldes freigegebene Energie gesteuert zu vernichte«.
2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß weitere Steuermittel zur Begrenzung der .anfänglichen Abschalt-

   10 9852/1747

   -15-

   vorspannung des Transistors (49) vorgesehen sind, wodurch die Abschaltung des Transistors (49) gesteuert wird, so daß die durch das zusammenfallende Magnetfeld in der Zylinderspule (23) induzierte Gegenspannung durch die Steuerung der Geschwin digkeit des Zusammenfalls begrenzt wird.
3. 3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ^! Vorspannungsschaltung eine über die sich hin- und herbewegende Vorrichtung (29) mit der Zylinderspule (23) magnetisch gekoppelte Spule(25) enthält, die mit dem Emitter (49e) und der Basis (49b) verbunden ist, sowie dadurch, daß ein erster Widerstand (59) an die Basis (49b) und den Kollektor (49c) angeschlossen ist.
4. 4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Energievernichtung einen zweiten Widerstand (55) sowie einen mit ihm in Reihe geschalteten Gleichrichter (57)

   besitzen, daß diese Reihenschaltung parallel zur Zylinderspule (23) gelegt ist, so daß der durch das zusammenfallende Magnetfeld der Zylinderspule erzeugte Strom durch die Reihenschal-

   tung fließt und die durch die Zylinderspule (23) freigegebene Energie vernichtet wird.
5. 5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Widerstand (51) zwischen die Basis (49b) und den Anschlußpunkt zwischen der Spule (25) und dem ersten Widerstand (59) geschaltet ist.

   109852/1747
6. 6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein

   vierter Widerstand (53) zwischen die Spule (25) und den ersten (59) sowie dem zweiten (5S) Widerstand geschaltet ist.
7. 7. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Vernichtung der Energie einen fünften Widerstand (61) enthalten, mit dem ein Gleichrichter in Serie geschaltet ist, sowie dadurch,daß diese Serienschaltung zur Zylinderspule (23) parallel gelegt ist, so daß die während des Zusammenfalls des Magnetfeldes durch die Zylinderspule (23) freigegebene Energie gesteuert vernichtet wird.
8. 8. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode eines Gleichrichters (67) an den Emitter (49e) und die Anode an die Basis (49b) geführt ist, um die Basis-Emitter-Gegenspannung zu begrenzen.
9. 9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (69) zwischen dem Emitter (49e) und dem Kollektor (49c) geschaltet ist.
10. 10. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (61) zwischen die Mittel zur Vernichtung der Energie (55-57) und die Zylinderspule (23) geschaltet ist, und daß die Kathode eines Gleichrichters (63) mit der aus dem Widerstand (61) und den Mitteln zur Energievernichtung (55-57) verbunden ist und die Anode an den Emitter (49e) geführt ist.

    -17-Ί ögf₈₅₂/ 1 7 A7
11. 11. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die sich hin- und herbewegende Vorrichtung der Kolben (29) einer Strömungsmittelpumpe ist.
12. 12. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die vorstehende Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen.

    109852/1747