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DE2114648A1 - Speicherelement - Google Patents

Speicherelement

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DE2114648A1
DE2114648A1 DE19712114648 DE2114648A DE2114648A1 DE 2114648 A1 DE2114648 A1 DE 2114648A1 DE 19712114648 DE19712114648 DE 19712114648 DE 2114648 A DE2114648 A DE 2114648A DE 2114648 A1 DE2114648 A1 DE 2114648A1
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storage element
organic resin
lead dioxide
film
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Application number
DE19712114648
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English (en)
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DE2114648B2 (de
DE2114648C3 (de
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Takashi Ibaragi Kinugasa Terukazu Hirakata Hozumi Shiro Sugihara Kanji Sakai Osaka Wakabayashi (Japan) P GlIc 11 04
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of DE2114648B2 publication Critical patent/DE2114648B2/de
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Description

IBERLIN 33 8 MUNCH1EN
AuQuHe-Vlktorla-SfraB· βΒ Dr.-Ιπα. HANS RUSCHKE PlanzanauarStraB.2
Pat.-Anw. Dr. RuscMca , , ,.-....-, .._... . n Pat.-Anwalt Agular TM..PMBSS Dipl.-lng. HEINZ AGULAR Tategramii-Adrett·: PATENTANWÄLTE Talegramm-Adrau·: Quadratur Berlin Quadratur München
M 2970
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 1006 Kadoma, Osaka, Japan
Speicherelement
Diese Erfindung betrifft ein Speicherelement, welches ein elektrisches Signal speichert, und behandelt insbesondere ein Speicherelement, welches aus einem Film eines organischen Harzes besteht, in dem Bleioxydteilchen dispergiert sind.
Es sind verschiedene leitende Materialien bekannt, bei denen leitende Teilchen in einem organischen Harz dispergiert sind. Diese leitenden Materialien wurden entwickelt zur Verwendung in herkömmlichen ohmschen Widerständen oder elektrisch leitenden Verbindern zwischen elektrischen Bauelementen.
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-Z-
Der Stand der Technik zeigt nicht die Möglichkeit, ein Speicherelement aus organischem Harz mit darin dispergierten leitenden Teilchen herzustellen. Die "bekannten Speicherelemente, die einen hochohmigen und einen niederohmigen Zustand besitzen, sind Elemente mit negativem Widerstand auf Kristallbasis. Diese bekannten Speicherelemente sind schwer in der Form eines Filmkörpers herzustellen.
Bei Überlagerung einer Vorspannung mit einem elektrischen Signal können die vorhandenen Speicherelemente von einem hochohmigen in einen niederohmigen Zustand gebracht werden. Wenn die Vorspannung weggenommen wird, kehrt das Element in den hochohmigen Zustand zurück. Bei vielen Speicherelementen ist es erwünscht, daß der niederohmige Zustand selbst beim Fehlen einer Vorspannung noch lange Zeit erhalten bleibt.
Ein Ziel dieser Erfindung ist ein Speicherelement aus einem Film eines organischen Harzes, in dem fein zerteilte Bleidioxydteilchen dispergiert sind und das ein elektrisches Signal beim Fehlen eines elektrischen Feldes für lange Zeit speichert.
Diese und andere Ziele werden erreicht durch Schaffung eines Speicherelementes, welches aus einem Film eines organischen Harzes, in dem Bleidioxydteilchen dispergiert sind, und einer positiven sowie einer negativen Elektrode, die an den beiden gegenüberliegenden Oberflächen des Filmes angebracht sind, besteht und einen hochohmigen und einen niederohmigen Zustand aufweist. Ein Verfahren zum Speichern eines elektrischen Signals unter Verwendung eines solchen SpeicheisLementes besteht darin, daß ein elektrisches Signal mit einer kritischen Spannung zwischen der positiven und der negativen Elektrode in Durchlaßrichtung angelegt wird, während sich das Speicherelement im hochohmigen Zustand befindet, wodurch der hochohmige in den niederohmigen Zustand umgeformt wird, und daß ein Löschsignal mit vorbestirnmter Spannung zwischen der positiven und der
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negativen Elektrode in Sperrichtung angelegt wird, während sich das Speicherelement im niederohmigen Zustand befindet, wodurch der niederohmige Zustand in den hochohmigen Zustand zurückgeführt wird.
Diese und andere Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden genauen Beschreibung in Verbindung mit der beiliegenden Zeichnung deutlich werden, in der
Fig. 1 eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform eines Speicherelementes gemäß der Erfindung ist,
Fig. 2 eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform eines Speicherelementes gemäß der Erfindung ist,
Fig. 3 eine .vergrößerte Ansicht eines Teilquerschnittes eines Filmes eines organischen Harzes gemäß der Erfindung ist, in dem Bleidioxydteilchen dispergiert sind, und
Fig. 4- eine graphische Darstellung einer beispielhaften Spannungs-Strom-Kennlinie eines Speicherelementes gemäß der Erfindung zeigt.
Die von dieser Erfindung beabsichtigte Konstruktion eines Speicherelementes wird jetzt unter Bezugnahme auf die Figuren ' 1 und 2 beschrieben. Ein Film 2 eines organischen Harzes enthält Bleidioxydteilchen 3· Eine positive Elektrode 4- und eine negative Elektrode 5 sind leitend an den beiden gegenüberliegenden Oberflächen des Filmes 2 angebracht. Anschlußleitungen 6 und 7 sind entsprechend mit den Elektroden 4- und 5 nach irgendeinem geeigneten Verfahren verbunden.
Das Speicherelement 1 gemäß dieser Erfindung hat zwei elektrische Leitzustände seines Widerstandes, einen hochohmigen und einen niedGrohmifren Zustand, die von der Spannung und ihrer t^t üwiscüon den beiden Elektroden 1I- und 5 gemäß Fig.
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abhängen. Wenn die Spannung V (Fig. 1 und 2), die in Durchlaßrichtung an das Speicherelement im hochohmigen Zustand angelegt wird entsprechend der Kurve 20 bis zu einer kritischen Spannung
21 ansteigt, wird der Leitzustand des Speicherelementes 1 schnell vom hochohmigen Zustand 20 in den niederohmigen Zustand
22 gebracht. Nach der Umformung in den niederohmigen Zustand 22 bewirkt ein Anstieg der Spannung V einen hohen Strom I ("Fig. 1 und 2), der fast linear von der positiven Elektrode 4 zur negativen"Elektrode 5 fließt. Im niederohmigen Zustand 22 ergibt eine Abnahme der Spannung V eine Abnahme des Stromes I kontinuierlich bis auf Null. Der niederohmige Zustand 22 wird auch bei wiederholten Perioden von ansteigender und abfallender Spannung V in Durchlaßrichtung über dem Speicherelement 1 beibehalten und kann für eine lange Periode selbst dann aufrecht- . erhalten werden, wenn die Spannung V fehlt. Der niederohmige Zustand 22 kann in den hochohmigen Zustand 20 transformiert werden durch eine Spannung in Sperrichtung zwischen den Elektroden 4 und 5 mit einem Pegel, der etwa gleich der kritischen Spannung 21 ist. In diesem Fall wird der niederohmige Zustand 22 spontan in den hochohmigen Zustand 20 transformiert. Nach einer Erhöhung der in Sperrichtung angelegten Spannung V bis zu einer Löschspannung 24, die etwa gleich der kritischen Spannung 21 ist, ergibt eine Abnahme der Spannung Y eine fast lineare Abnahme des von der negativen (5) zur positiven Elektrode 4 fließenden Stromes auf Null. Dann bewirkt eine Erhöhung der Spannung in Durchlaßrichtung einen geringen Anstieg des Stromes gemäß dem hochohmigen Zustand, der in Fig. 4 gezeigt wird. Der hochohmige Zustand 20 wird selbst bei wiederholten Perioden einer bis wenig unter die kritische Spannung 21 ansteigenden Spannung Y und einer bis zur Löschspannung 24 absinkenden Spannung V beibehalten. Der hochohmige Zustand 20 kann beim Fehlen der an das Speicherelement angelegten Spannung dauernd beibehalten werden.
Das Speicherelement gemäß dieser Erfindung kann durch eine Kombination elektrischer Impulse betrieben werden. Wenn ein
vi: -: i ^ 109851/1561
Spannungsimpuls, dessen Pegel höher ist als die kritische
-6 -·5 Spannung 21 und dessen Breite zwischen 10 und 10 y Sekunden liegt, in Durchlaßrichtung über dem Speicherelement im hochohmigen Zustand angelegt wird, wird das Speicherelement 1 in ■ den niederohmigen Zustand gebracht. Wenn ein Spannungsimpuls mit dem Pegel der Löschspannung 24- und mit einer Breite
-6 —5
zwischen 10 und 10 Sekunden in Sperrichtung an das niederohmige Speicherelement 1 angelegt wird, dann wird das Element hochohmig (20).
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und J wird die Schaffung des Filmes 2 des organischen Harzes 9 mit den darin dispergierten fein zerteilten Bleidioxydteilchen beschrieben.
Jedes geeignete und erhältliche Harz kann verwendet werden. Verarbeitbare Harze sind in der Wärme aushärtende und thermoplastische Harze, wie Phenolformaldehyd-, Xylolformaldehyd-, Harnstofformaldehyd-, Polyimid-, Polyurethan-, Polysulfid-, Polyäthylen-, Polystyrol-, Polycarbonat-, Polyacetyl-, Polyamid-, Polyphenylenoxid-, Phenoxy-, Silizium-, Polyvinylhalogenid-, wie Polyvinylchlorid-, Polyvinylidenchlorid-, chlorierter Kautschuk.
Wenn es notwendig ist, kann das Harz mit einer Substanz mit niedrigem Molekulargewicht, wie einem oberflächenaktiven Mittel und einem Weichmacher, vermischt werden.
Von den genannten Harzen liefert ein Halogen enthaltendes Harz, wie chlorierter Naturkautschuk, die besten Ergebnisse hinsichtlicn der Stabilität des Lipeicherelementes 1 weihrend wiederholter Perioden des speicher- und Löschvorganges mit dem üpeicherolement 1.
ύ-1-β ίί.:ίη ijert'.-Llton bleidioxydteilchen 3 haben vor;;uv—wei ze eine d.uxch3C':£ix>,ciicr.o -"!/eilchen^robe von 0,1 bis "> /u. Die
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kritische Spannung 21 und der Widerstand im niederotimigen Zustand 22 werden instabil während der wiederholten Perioden, wenn die durchschnittliche Teilchengröße geringer als 0,1 /U ist. Wenn demgegenüber die durchschnittliche Teilchengröße über •5 /U liegt, dann weicht die erhaltene kritische Spannung 21 weit von der gewünschten Spannung ab. Die durchschnittliche Teilchengröße wird durch die Sedimentationsanalyse und die Elektronenmikroskopie bestimmt.
Gemäß Fig. 3 hat der Abstand zwischen den einzelnen- Teilchen eine Wirkung auf die Umwandlung vom hochohmigen in den niederohmigen Zustand (20 und 22 in Fig. 4) des Speicherelementes 1 gemäß der Erfindung. Die Bleidioxydteilchen 3, die miteinander in Berührung stehen, leisten keinen Beitrag zu einer solchen Umwandlung. Wenn ein durchschnittlicher Abstand zwischen den Teilchen erhöht wird, hat der Film 2 aus dem organischen Harz (Fig. 1 und 2) einen höheren elektrischen Widerstand. Im Elektronenmikroskop ist zu sehen, daß ein durchschnittlicher Abstand von 500 bis 5000 A geeignet ist, um die Umwandlung vom hochohmigen Zustand 20 in den niederohmigen Zustand 22 und umgekehrt zu erzielen und eine lange Haltezeit des niederohmigen Zustandes 22 zu erreichen.
Der Abstand ist abhängig von der durchschnittlichen Teilchengröße und dem Volumenprozentsatz der Teilchen gegenüber dem Harz. Wenn z.B. die Bleidioxydteilchen 3 mit einer durchschnittlichen Größe von 1,0 ,u in einem Harz 9 dispergiert sind, weisen die Bleidioxydteilchen einen Volumenprozentsatz von 22 bis 63 gegenüber dem Harz auf. In diesem Fall beträgt der durchschnittliche Abstand zwischen den 'l'eilchen 500 bis 5000 A. In der Recnnung wurden die spezifischen Gewichte der Jileidioxydteilchon 3 und des Harzes 9 mit ν,4 bzw. 1,2 angesetzt.
BAD ORIQINM
i ο s α s ι / j s s ι
Der Film 2 des organischen Harzes (Fig. 1) hat vorzugsweise eine Dicke von 5 "bis 500 /U. Wenn die Dicke geringer als 5 /U ist, werden die kritische Spannung 21 und der niederohmige Zustand 22 instabil während der wiederholten Perioden des Speicher- und Löschvorganges selbst unter der Bedingung einer konstanten Löschspannung 24. Wenn demgegenüber die Dicke größer, als 500 /U ist, kann das erhaltene Speicherelement 1 nicht in den niederohmigen Zustand 22 gebracht werden.
Die für die positive Elektrode 4- und die negative Elektrode 5 verwendeten Materialien haben eine Wirkung auf die Arbeitsweise des Speicherelement es 1 gemäß der Erfindung.
Ein bevorzugtes Material für die positive Elektrode 4 ist eines aus der.Gruppe, die Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Gu), Kohlenstoff oder Graphit (0), Bleidioxyd (PbO2), Zinnoxyd (SnO2) und Cadmiumoxyd (GdO) umfaßt.
Ein bevorzugtes Material für die negative Elektrode 5 ist eines aus der Gruppe, die Aluminium (Al), Titan (Ti), Tantal (Ta) und Zink (Zn) umfaßt.
Gemäß dieser Erfindung wurde entdeckt, daß eine negative Elektrode 5 mit einer Metalloxydschicht in Berührung mit dem Film 2· des organischen Harzes die Durchbruchsspannung in Sperrichtung erhöht. Gemäß Fig. 2 hat eine negative Elektrode 5 eine Oxydschicht 8 auf der Oberfläche, die mit dem Film 2 in Berührung steht. Eine größere Dicke der Cxydschicht 8 ergibt eine höhere Durchbruchsspannung. Die bevorzugte Dicke beträgt 1000 S. V/enn die Dicke größer als 1000 £ ist, dann zeigt das erhaltene Speicherelement 1 keine Umwandlung in den niederohmigen Zustand 22. Die Oxydschicht ö auf dem Metall der negativen Elektrode kann auf jede geeignete und gängige Weise hergestellt werden, wie Anodisierung in einem Elektrolyten und/oder Oxydation in einer ijau;erst«f!'atmosphäre.
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Von den oben beschriebenen Elektromaterialien ergibt eine Kombination von Silber für die positive Elektrode 4- und Aluminium für die negative Elektrode 5 die besten Ergebnisse in der Arbeitsweise des Speicherelementes 1 gemäß der vorliegenden Erfindung.
Das Speicherelement 1 kann auf jede gangbare und geeignete Weise hergestellt werden. Eine gegebene Harzmenge wird in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst. Die Menge des Lösungsmittels wird so gewählt, daß die erhaltene Lösung eine Viskosität· von etwa 10 Poises hat. Fein zerteilte Bleidioxydteilchen in-einer gewünschten Menge werden zu der Lösung hinzugegeben. Die Menge der Bleidioxydteilchen kann durch einen gewünschten Volumenprozentsatz gegenüber dem Harz bestimmt werden. Die Mischung wird auf irgendeine geeignete Weise gut gemischt, z.B. in einer Kugelmühle, um eine homogene Farbe, mit in der Lösung gleichmäßig dispergierten fein zerteilten Bleidioxydteilchen herzustellen. Die homogene Farbe wird auf einen geeigneten Träger aufgebracht, der als positive und/oder negative Elektrode 4 bzw. 5 dient. Wenn es notwendig ist, ist der Träger auf einer Oberfläche durch irgendein Verfahren oxydiert. Die auf den Träger aufgebrachte Farbe wird zur Verdampfung des Lösungsmittels erwärmt. Das in der homogenen Farbe enthaltene Harz wird ausgehärtet, um den Film 2 des organischen Harzes zu bilden. Eine andere Elektrode wird auf dem Film 2 auf irgendeine geeignete Weise hergestellt, wie durch Vakuumablagerung eines Metalls und/oder eine Aufbringung einer leitenden Farbe, in der die fein zerteilten Elektrodenmaterxalteilchen dispergiert sind.
Ein anderes Verfahren zur Herstellung des Speicherelementes 1 gemäß der Erfindung besteht im Erwärmen einer homogenen Farbe zum Verdampfen des Lösungsmittels. Die erwärmte homogene Farbe ist ein viskoses homogenes Gemisch der fein zerteilten Bleidioxydteilchen und des Harzes. Dieses Gemisch wird nach der
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bekannten Technologie der Kunststoffilmherstellung zu einem Film verarbeitet. Der Film wird mit der positiven und der negativen Elektrode 4- und 5 auf gegenüberliegenden Oberflächen auf irgendeine Weise versehen, wie z.B. durch Vakuumablagerung eines Elektrodenmaterials und/oder das Aufbringen einer leitenden Farbe mit darin dispergierten fein zerteilten Elektrodenmaterial eilchen.
Beispiel 1
Dieses Beispiel betrifft eine Reihe von Elementen mit verschiedenen Gewichtsprozenten der Bleidioxydteilchen in einer gegebenen Teilchengröße. Ein Gewichtsteil von chloriertem Naturkautschuk mit 60 Gew.-^ darin enthaltenem Chlor wird in 10 Gewichtsteilen o-Dichlorbenzol gelöst. Die Bleidioxydteilchen mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,5 /U sind gleichförmig in der Lösung dispergiert, um eine homogene Farbe zu bilden. Die Gewichtsprozentsätze der Bleidioxydteilchen und des Harzes werden zwischen 30 und 80 % bzw. 70 und 20 % eingestellt. Die homogene Farbe wird auf eine Aluminiumunterlage aufgebracht, die als negative Elektrode dient, und eine Stunde lang auf 160 °0 erwärmt, um einen Film eines organischen Harzes mit einer Dicke von etwa 30 ,u zu bilden. Der Film wird durch Vakuumablagerung von Silber mit einer positiven Elektrode versehen. Die Flächen der positiven und der negativen Elektrode
betragen etwa 0,75 mm . Mit den Elektroden werden zwei Zuführungsdrähte mit Hilfe herkömmlichen leitenden Klebstoffes verbunden .
Eine Verwendung von mehr als 70 Gew.-?6 Bleidioxydteilchen ergibt keine Umwandlung. Eine Verwendung von weniger als 35 Gew.-^ Bleidioxydteilchen bildet einen isolierenden Körper mit hohem Widerstand ähnlich dem chlorierten Naturkautschuk. Die Menge der Bleidioxydteil^hen von 35 bis 70 Gew.-^ bildet ein Speicherelement mit einem hochohmigen und einem niederohmigen Zustand
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- ίο. -
gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Tabelle 1 zeigt die ölektrischen Eigenschaften der oben beschriebenen Speicherelemente.
Tabelle Λ
Gewichtsprozentsatz der kritische elektrischer Widerstand Bleidioxydteilchen Spannung im niederohmigen Zustand
(V)
35 4-0 55 70
60 4 5 X 10^-
30 1, X 105
8 8 X 10^
3 1 X 104
Diese Speicherelemente haben elektrische Widerstände von mehr als Λ0 0hm in ihrem hochohmigen Zustand. Sie halten ihren niederohmigen Zustand über Zeiträume von mehr als einigen Stunden beim Pehlen der angelegten Spannung bei Raumtemperatur. Jeder der niederohmigen Zustände wird in Jeden hochohmigen Zustand durch das Anlegen eines Spannungsimpulses umgeformt, dessen Größe der kritischen Spannung gleicht und der eine Breite von 10"-5 Sekunden in Sperrichtung aufweist.
Beispiel 2
Bleidioxydteilchen mit verschiedenen durchschnittlichen Teilchengrößen werden verwendet, wie es Tabelle 2 zeigt. Der Gewi-chtsprozentsatz dieser Bleidioxydteilchen ändert sich mit der Teilchengröße, wie es Tabelle 2 zeigt. Eine homogene Farbe und Speicherelemente werden auf ähnliche Weise wie im Beispiel 1 hergestellt.
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Tabelle 2
Durchschnittliche Teil
chengröße ( u)		 0,2 0,5« 1,0 5
Gewichtsprozentsatz (%) 38 45 57 80
Kritische Spannung (V) 20 10 15 6
Elektrischer Widerstand
(Λ) niederohmig
hochohmig		 3x105
2x1010 		5x10
5X1010 		1,5x1o5
3x1010 		1,3x1O5
8x1010
Die elektrischen Eigenschaften dieser Speicherelemente werden in der Tabelle 2 gezeigt.
Beispiel 3
Dieses Beispiel betrifft eine Reihe von Speicherelementen mit verschiedenen Materialien für die positiven und negativen Elektroden, wie es in der Tabelle 3 gezeigt wird. Eine homogene ffarbe wird hergestellt durch Dispergieren von 45 Gew.-^ Bleidioxydteilchen mit durchschnittlicher Teilchengröße von 0,5 /U ' in 55 Gew.->ä chlorierten Naturkautschuks, der im Beispiel 1 verwendet wird, in einer Weise, die der des Beispiels 1 ähnlich ist. Die homogene Farbe wird auf eine negative Elektrode aufgebracht und in ähnlicher Weise wie im Beispiel 1 erwärmt. Die Speicherelemente mit verschiedenen Arten von Elektroden haben fast die gleiche Dicke des Harzfilmes und die gleiche Elektroäonflache wie im Beispiel 1. Liie positiven Elektroden der .Speicherelemente der Proben Hr. 1 bis Nr. 5 sind durch Vakuumabl&rerun?; hergestellt. Die positiven Elektroden der Proben j.r. V blB j\r. y sind durch Auftragen leitender l'inten herge-. ujer.rj leitungen Tinten worden auf folgende Weise hor-
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BAD ORIGINAL
gestellt: fein zerteilte Elektrodenmaterialien mit einer , durchschnittlichen Teilchengröße von etwa 0,2 /U werden in chloriertem Naturkautschuk dispergiert, der in einem Toluol gelöst ist. In allen Fällen werden 90 YoI.-$ des fein zerteilten Elektrodenmaterials in 10 Vol.-# von chloriertem Naturkautschuk dispergiert. Die negative Elektrode der Probe Nr. hat eine Aluminiumoxydschicht mit einer Dicke von 100 A-auf der Oberfläche, die durch Anodisierung von Aluminiummetall in' einer Ammoniumboratlösung hergestellt ist. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Speicherelemente werden in der Tabelle 3 gezeigt.
Tabelle 3
Elektrode negativ kritische Elektrischer Widerstand
Nr. positiv Al Spannung
(V)		 niederohmig hochohmig
1 Ag Ti 8 3x104 5x1010
2 Ag · Ta 6 3,5x10^ 3xio10
3 Ag Zn VJl 4x104 3x1010
H- Ag Al2O5-Al
Al		 6 1x105 6x1010
5
6		 Ag
Au		 Al 10
H- 		6x1 O^
1x104 		1x1011
5x1010
7 Graphit Al 3 6x104 6x1010
8 PbO2 Al 15 5x105 ^\ (*\
/I *y^l C*\ ^^ I
9 CdO H- 2x10 3x1010
Beispiel H-
Ein homogene Farbe wird hergestellt durch Dispersion von Gew.-^ Bleidioxydteilchen mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,5 /U in 55 Gew.-^ der in Tabelle 4 aufgeführten Harze. Ein anderes J.arz wird, in eineij ;mdoren Lößunpsmi Dtel
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OBIGiNAU
gelöst, wie es !Tabelle 4- zeigt. Die solche Harze enthaltenden Speicherelemente werden auf eine dem Beispiel 1 gleichende Weise hergestellt. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Speicherelemente werden in der Tabelle 4- angegeben.
Tabelle 4
Harz Lösungsmittel kritische
Spannung
(V)		 Elektrischer '
Widerstand (-ß-)
niederohmig
Polyimid N-methyl-2
pyrrolidon		 15
iarnstofformaldehyd Methylalkohol 7 3x104
Polystyrol Toluol 5 2x104
Polyvinylchlorid Toluol 10 5x1 O^
Polystyrol 75 Gew.-%
Chloriertes Paraffin		 o-Dichlor-
^ benzol		 3 1,5x1O^
Patentansprüche

Claims (11)

Patentansprüche
1. Speicherelement, bestehend aus einem Film eines organischen Harzes mit darin dispergierten Bleidioxydteilchen, einer positiven Elektrode und einer negativen Elektrode, die an beiden gegenüberliegenden Oberflächen des Filmes aus organischem Harz angebracht sind.
2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bleidioxydteilchen eine durchschnittliche Teilchengröße von 0,1 bis 5 /Η» aufweisen.
3. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bleidioxydteilchen in dem Film aus organischem Harz mit einem durchschnittlichen Abstand von 500 bis 5000 A* dispergiert sind.
4-, Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die positive Elektrode im wesentlichen aus einem Mitglied der aus Gold, Silber, Kupfer, Kohlenstoff oder Graphit, Zinnoxyd, Oadmiumoxyd und Bleidioxyd gebildeten Gruppe besteht.
5. Speicherelement nach Anspruch 5> dadurch gekennzeichnet, daß die negative Elektrode im wesentlichen aus einem Metall der aus Aluminium, Titan, Tantal und Zink gebildeten Gruppe besteht.
6. Speicherelement nach Anspruch 5j dadurch gekennzeichnet, daß die negative Elektrode eine Oxydschicht aufweist in Berührung mit dem Film aus organischem Harz.
7. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch ^kennzeichnet, daß der Film aus organischem Harz eine Dicke von 5 bi.a ;;<0G u 'mf'VK'i^t.
1 0 J *-; S 1 / 1 S b 1 BAD ORIGINAL
8. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Harz im wesentlichen ein in der Wärme aushärtendes Harz ist.
9. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Harz im wesentlichen ein thermoplastisches
Harz ist.
10. Speicherelement nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß das organische Harz aus einem chlorierten Kautschuk besteht.
11. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die positive Elektrode und die negative Elektrode aus Silber bzw. Aluminium bestehen.
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