DE2111732C3 - Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen durch Kathodenzerstäubung mit Ionenaufprall - Google Patents
Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen durch Kathodenzerstäubung mit IonenaufprallInfo
- Publication number
- DE2111732C3 DE2111732C3 DE2111732A DE2111732A DE2111732C3 DE 2111732 C3 DE2111732 C3 DE 2111732C3 DE 2111732 A DE2111732 A DE 2111732A DE 2111732 A DE2111732 A DE 2111732A DE 2111732 C3 DE2111732 C3 DE 2111732C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cathode
- objects
- auxiliary electrode
- engraving
- protective ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen durch Kathodenzerstäubung
mit Ionenaufprall in einer zwischen einer Anode und einer kalten Kathode gezündeten Entladung, bei der
die zu gravierenden Gegenstände auf der Stirnfläche der scheibenförmig ausgebildeten Kathode angeordnet
sind, bei der die Kathode von einem metallischen Schutzring umgeben ist und bei der in der Nähe der
Kathode eine mit einer Spannungsquelle verbundene Hilfselektrode angeordnet ist.
Eine derartige Vorrichtung ist z. B. aus der US-PS 74 021 bekannt. Sie dient zum Gravieren von
Gegenständen durch Kathodenzerstäubung mit Ionenaufprall, und zwar in einer Entladung mit offenbar kalter
Kathode. Die bekannte Vorrichtung weist eine erste Elektrode zum Haltern der Gegenstände und eine
zweite Elektrode auf. Die Kathodenelektrode ist seitlich von einem Metallelement umgeben. Weiterhin ist in der
Nähe dieser Kathode eine Elektrode angeordnet, die mit einer Spannungs- oder Potentialquelle verbindbar
ist. Das Metallelement ist durch einen Metallkragen gebildet, der die Kathode seitlich in einem gleichen
Abstand von dieser umgibt und mechanisch sowie elektrisch mit einer Grundplatte des Zerstäubuagsraumes
in Verbindung steht Weiterhin ist der Metailkragen mit einer Verlängerung aus Metall versehen, die sich
gegenüber der Rückseite der Kathode erstreckt Die zu gravierenden Gegenstände sind auch dort bereits auf
einer metallenen Stütze angeordnet
Aus der DE-AS 14 40 666 ist es bereits ganz allgemein im Zusammenhang mit Kathodenzerstäubungsanlagen
bekannt, die Gleichmäßigkeit großflächiger Schichten dadurch zu fördern und zu beeinflussen, daß in der Nähe
der Kathode eine Hilfselektrode angeordnet ist, die elektrisch gegen die Gesamtheit der Obigen Vorrichtung
isoliert ist, damit diese Elektrode auf zweckmäßige Spannungen gelegt werden kann.
Eine Gravur mit Hilfe lediglich eines Schutzringes um die Kathode herum ergibt im Endergebnis eine im
zentralen Bereich etwa gleichmäßig abgetragene Fläche, während in den Randbereichen, also auf dem
äußeren Umfang, der meist eine Kreisfläche bildenden Kathoden, eine ringförmige Ausnehmung entsteht, die
eine erheblich größere Tiefe der Gravur zeigt. Dieser Bereich ist sowohl nach außen als auch nach innen hin
nicht sdiarf begrenzt Deswegen muß später dieser Bereich abgetrennt werden und ist als Ausschuß zu
bezeichnen.
Eine wesentliche Verbesserung brachte bereits die Einführung oben genannter Hilfselektrode. Diese
vermeidet die Ausnehmungen am Rande der Kathode auf dem zu bearbeitenden Substrat Aber nun erfolgte
wieder ein allmählicher Übergang der abgetragenen Flächen zu völlig unberührten Flächen, so daß in diesen
Randbereichen geringere Tiefen abgetragen wurden, wobei die Randbereiche nicht scharf begrenzt waren
und ebenso wie oben genannte Ausnehmungen später bearbeiteten Stück abgetrennt und als Ausschuß
betrachtet wurden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine ' Vorrichtung zum Gravieren der eingangs genannten
Art so zu verbessern, daß die Gravur unter Vermeidung der Ausnehmungen über einen möglichst großen
Bereich auf der betreffenden Fläche des Substrates bzw. der Kathode ganz gleichmäßig wird. Diese Aufgabe
wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der die Kathode umgebende Schutzring in seiner axialen
Richtung parallel zur Mantelfläche der Kathode verschiebbar angeordnet ist.
Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, zwar die Randzone nicht zu vermeiden, aber einen sehr scharfen
bzw. steilen Übergang zwischen einer gravierten Fläche mit gleichmäßiger Tiefe und der nicht von der Gravur
erfaßten Fläche zu schaffen, so daß die Randzone, die bisher als Ausschuß betrachtet werden mußte, wesentlich
verkleinert wird und damit im Endeffekt eine wesentlich größere Fläche bei sonst gleichen Abmessungen
mit einer gleichmäßigen Gravur erhalten werden kann.
Vorteile ergeben sich auch, wenn der Schutzring aus einem die Kathode seitlich in gleichem Abstand
umgebenden Metallzylinder besteht, der durch drei in der Höhe von außerhalb des Raumes einstellbaren
Haltestangen gehalten ist, oder wenn die in den übrigen Unteransprüchen beschriebenen Mittel vorgesehen
sind. Wenn z. B. der Schutzring gegen einen auf der
Grundplatte befestigten Führungszylinder gleitend anliegt, wird ein Verkippen des Schutzringes gegenüber
der Kathodenfläche bzw. der Kathode selbst verhindert
Ein Ausführungsbeispiel ist ■'.! den Zeichnungen
dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
F i g. 1 einen schematischen, senkrechten Schnitt durch eine Vorrichtung zum Gravieren durch Ionenaufprall
der beschriebenen Art,
F i g. 2,3 und 4 einen Substratträger,
Fig. 5 den Einfluß des Schutzringes auf die Äquipotentialebenen,
F i g. 6 das durch die Schutzring-Substratträger-Anordnung nach F i g. 5 erhaltene Gravurprofil,
Fig.7, 9 und It Anordnungen ähnlich der nach
F i g. 5, jedoch bei anderen gegenseitigen Lagen usw.,
F i g. 8,10 und 12 die durch die Anordnungen nach den
F i g. 7,9 und 11 erhaltenen Gravurprofile.
Die Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen mittels Kathodenzerstäubung durch Ionenaufprall nach
F i g. 1 ist in einem Raum 10 angeordnet, der durch eine zylindrische Glaswand 11 begrenzf. wird, die auf einer
metallenen Grundplatte 12 ruht und auf der Oberseite mit einer Abdeckplatte 13 abgeschlossen ist. Der Raum
10 ist mit einer Pumpanlage durch die Leitung 14, die durch die Grundplatte 12 hindurchragt, und mit einer
Glasquelle durch die Leitung 15, die durch die Abdeckplatte 13 verläuft, verbunden.
Im Raum 10 sind eine Kathode 16, ein Schutzring 17, ein Führungszylinder 18 und eine Hilfselektrode 19
angeordnet
Die Kathode 16 besteht aus einer kreisförmigen und hohlen Platte der in der Kathodenzerstäubungstechnik
häufig benutzten Art. Sie kann mit Wasser gekühlt werden. Dieses tritt durch die Leitung 20 ein, umströmt,
die kreisförmige Scheibe 21 im Innern der Kathude 16 und verläßt diese durch eine zur Leitung 20 konzentrisch
angeordnete ringförmige Leitung 22. Diese Leitungen 20 Lnd 22 sind in der Grundplatte durch einen
Ring 23 gehalten.
Der Schutzring 17 besteht aus einem zylindrischen Metallkragen, der in vertikaler Richtung derart
verschiebbar ist, daß seine Höhe in axialer Richtung in bezug auf die der Kathode 16 veränderbar ist. Der
Schutzring 17 ist hierzu auf z. B. drei Haltestangen 24 befestigt, die auf dem Umfang der Kathode um 120°
versetzt angeordnet sind, die durch die Grundplatte 12 luftdicht geführt sind und am unteren Ende 25 ein
Einstellgewinde aufweisen. Um eine axiale Ausrichtung des Schutzringes 17 ohne ein Verkippen zu ermöglichen,
liegt er innen gleitend gegen einen Führungszylinder aus Metall an. Der Führungszylinder 18 ist auf der
Grundplatte 12 befestigt Diese liegt ihrerseits innen gegen ein metallenes Abschirmblech 27 an, aas in einem
bestimmten Abstand von einigen mm hintei der Kathode 16 angeordnet ist und das verhindert, daß die
Entladung sich auf der Rückseite der Kathode 16 fortsetzt.
Die metallene Hilfselektrode 19 ist ringförmig ausgebildet. Der innere Durchmesser dieser entspricht
nahezu dem des Schutzrinee '.~ Die Hilfselektrode 19
wird von einem Metallarm 28 getragen, der isoliert und luftdicht durch die Grundplatte 12 bei 29 geführt ist.
Auf der freien Stirnseite der Kathode 16, gegenüber der Hilfselektrode 19, ist der Substratträger mit den zu
gravierenden Gegenständen angeordnet. Dieser ist wie folgt ausgebildet (siehe F i g. 2,3 und 4):
Auf einer metallenen Stützplatte 30, z. B. aus rostfreiem Stahl, werden Halter 31 (siehe Fig.2) der gleichen Abmessungen wie die zu bearbeitenden Gegenstände angeordnet Eine Aluminiumoxydschicht 32 (siehe F i g. 3) mit einer Stärke von 0,5 bis 1 mm wird auf die Haiter 31 und auf der Oberfläche 30a der Platte 30 z. B. mittels einer Plasmaröhre aufgebracht Danach werden die Halter 31-durch die Gegenstände ersetzt. Ein Gegenstand 33 ist in Fig.4 an der Stelle des zentralen Halters 31 dargestellt
Auf einer metallenen Stützplatte 30, z. B. aus rostfreiem Stahl, werden Halter 31 (siehe Fig.2) der gleichen Abmessungen wie die zu bearbeitenden Gegenstände angeordnet Eine Aluminiumoxydschicht 32 (siehe F i g. 3) mit einer Stärke von 0,5 bis 1 mm wird auf die Haiter 31 und auf der Oberfläche 30a der Platte 30 z. B. mittels einer Plasmaröhre aufgebracht Danach werden die Halter 31-durch die Gegenstände ersetzt. Ein Gegenstand 33 ist in Fig.4 an der Stelle des zentralen Halters 31 dargestellt
Die Aluminiumoxydschicht 32 schützt die Stützplatte 30 vor einer Zerstäubung und verhindert das Auftreten
des Malter-Effektes, der bei jedem mit einer sehr dünnen Oxydschicht überzogenen Metall auftreten
kann. Sie verhindern außerdem die Ablagerung einer Metallhaut auf der Glaswand 11, wodurch die optische
Kontrolle unmöglich gemacht würde.
Ein Hochfrequenz-Wechselspannungsgenerator 34 (siehe Fig. 1) ist mit seinem einen Ausgang 35 in
bekannter Weise über einen Kondensator 36 mit der Kathode 16 verbunden. Der andere Ausgang 37 liegt an
Masse, an der auch die Grundplatte 12, das Abschirmblech 27, der Führungszylinder 18, der Schutzring 17 und
die Abdeckplatte 13 liegen.
Beim Gravieren leitfähiger Gegenstände kann 34 auch ein Gleichspannungsgenerator sein. Dann braucht
die Stützplatte 30 nicht mit Aluminiumoxyd bedeckt zu werden.
Die Hilfselektrode 19 ist über den Metallarm 28 mit einer Spannungsquelle 38, z. B. einer Gleichspannungsquelle, verbunden. Diese Spannung kann, wie in F i g. 1
gezeigt, einstellbar ausgebildet sein, und zwar mit einem Potentiometer, von dessen Abgriff 39 über ein
Amp-Meter 40 die Spannung auf den Metallarm 28 gelangt. Ein Kondensator 41 sorgt dafür, daß hier keine
Wechselspannungen auftreten können. Die in richtiger Höhe angeordnete Hilfselektrode 19 ermöglicht einen
Aufprall senkrecht zur Oberfläche des zu gravierenden Gegenstandes.
In F i g. 5 stellt das horizontale, schraffierte Rechteck ein zu gravierendes Substrat 50 dar, das die Gesamtoberfläche
einer Kathode bedeckt, die von einem Schutzring 51 umgeben ist. Die oberen Flächen des
Substrates 50 und des Schutzringes 51 liegen in der gleichen Ebene. Die Linie 52 gibt die Zwischenfläche
zwischen dem Entladungsplasma 53 und der dunklen Kathodenzone 54 an, die also eine Äquipotentialebene
entsprechend dem Potential des Plasmas darstellt, während die Linie 55 eine 55 eine Äquipotentialebene
mit Nullpotential angibt. Die Ionenbahnen werden durch die Pfeile Fangedeutet.
Die meisten Pfeile F treffen das Substrat 30 in senkrechter Richtung, während am Umfang des
Subtrates 30 die Bahnen infolge der Krümmung der Äquipotentialebenen schräg verlaufen. Das Gravierprofil
bei einer solchen Verteilung ist in F i g. 6 dargestellt, die deutlich eine Fokussierung der Ionen in Richtung auf
den Rand des Substrates 30 zeigt, die sich in einer Ausnehmung 56 äußert.
Der Zusatz einer Hilfselektrode 57 zu der Struktur nach F i g. 5 nahezu in Höhe der Trennfläche zwischen
dem Plasma und der dunklen Zone ermöglicht bei einem geeigneten Potential (siehe F i g. 7) die Äquipotentialebene 52 insbesondere am Umfang zu beeinflussen und
ditse Ebene abzuflachen. Dies ergibt ein besseres Gleichgewicht der Ionendichte pro Oberflächeneinheit
des Substrates 30 und eine Korrektur der Ionenbahnen an den Teilen, wo die Bahnen schräg verliefen, wodurch
in der Praxis ein eleichmäßieeres Gravierorofil (siehe
F i g. 8) ohne tiefe Ausnehmungen 56 erhalten wird. Am Rand des Subtrates 30 über eine Breite von etwa 2 bis
5 mm ist die Graviertiefe geringer und am Rande selber ist sogar keine Gravur mehr vorhanden.
F i g. 9 zeigt schematisch die Geometrie der Graviervorrichtung, in der der obere Rand des Schutzringes 51
höher ist als die zu gravierende Fläche des Substrates 50. Diese Anordnung ändert nicht wesentlich die Form
und den Abstand der Äquipotentialebenen 52 und 55 im Vergleich zu Fig.5. Der Pegel des Nullpotentials ist
jedoch weiter entfernt von der Oberfläche des Substrates 50. Die Richtung der Ionen sind auch
senkrecht zum Substrat 30 im zentralen Gebiet und verlaufen schräg am Umfang des Substrates 30. Bei
Abwesenheit einer Hilfselektrode 57 ergibt sich dann beim Gravierprofil eine von der nach F i g. 6 verschiedene
Konfiguration. Der Schutzring 51 erzeugt einen Schatten und isoliert von dem Aufprall einen Teil 58 mit
einer Breite von etwa 1 bis 5 mm am Rande des
Substrates 30, während die zwar geschwächte Fokussierung nun Ausnehmungen 59 mit geringerer Tiefe (siehe
Fig. 10) hervorruft. Die Gesamtbreite der gestörten Zone, in der die Gravur im Vergleich zu der in der Mitte
des Substrates 30 ungleichmäßig ist, ist etwa 10 mm, also
nahezu gleich der Breite der Zone im Profil nach F i g. 6.
Die Hilfselektrode 57, die auf ein geeignetes Potential gebracht und, wie gesagt, auf einer Höhe nahe der
Trennfläche zwischen dem Plasma und der dunklen Zone (siehe Fig. 11) angeordnet ist, ermöglicht, die
lonenbahnen in der gewünschten Weise zu korrigieren, wodurch das Gravierprofil nach Fig. 12 erhalten wird.
Die Graviertiefe ist über eine sehr große Oberfläche des Substrates 50 gleichmäßig, aber nahezu Null in einem
Umfangsband 60 mit einer Breite von 1 bis 5 mm, wobei
die Verbindung zwischen den zwei Gebieten steil verläuft.
Durch Änderung der Höhe des Schutzringes 57 und durch gleichzeitige Änderung des Wertes des der
Hilfselektrode 51 zugeführten Potentials kann in einfacher Weise und schnell, unabhängig von den
Entladungsverhältnissen, sichergestellt werden, daß die Qualität der Gravur nahezu über die ganze Oberfläche
der Kathode gleichmäßig ist.
Beispielsweise bei einer Geometrie nach Fig. 11 mit
einer Kathode mit einem Durchmesser von 150 mm, wobei der obere Rand des Schutzringes 51 in einem
Abstand von 5 mm über der oberen Fläche des Substrates 30 liegt und der Schutzring 51 in einem
Abstand von 5 mm von dem Umfang der Kathode angeordnet ist, während der Abstand zwischen der
Hilfselektrode 57 und dem Schutzring 15 35 mm beträgt, und das Gravieren durch Hochfrequenz-Wechselspannung
erfolgt (Leistungsdichte 1,2 W/cm2, Frquenz 14 MHz) mit einem Argondruck von 2 - 10-2mm Hg,
muß der Hilfselektrode 57 ein Gleichspannungspotential von +40 V gegen Masse zugeführt werden, um ein
Gravierprofil nach F i g. 12 zu erhalten, wobei die Breite des nicht gravierten Umfangsbandes 5 mm beträgt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen
durch Kathodenzerstäubung mit Ionenaufprall in einer zwischen einer Anode und einer kalten
Kathode gezündeten Entladung, bei der die zu gravierenden Gegenstände auf der Stirnfläche der
scheibenförmig ausgebildeten Kathode angeordnet sind, bei der die Kathode von einem metallischen
Schutzring umgeben ist und bei der in der Nähe der Kathode eine mit einer Spannungsquelle verbundene
Hilfselektrode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der die Kathode (16)
umgebende Schutzring (17) in seiner axialen Richtung parallel zur Mantelfläche der Kathode
verschiebbar angeordnet ist
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schutzring (17) aus einem die Kathode seitlich in gleichem Abstand umgebenden
Metallzylinder besteht, der durch drei in der Höhe von außerhalb des Raumes (10) einsteilbaren
Haltestangen (24) gehalten ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schutzring (17) gegen einen
auf der Grundplatte (12) befestigten Führungszylinder (18) gleitend anliegt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Führungszylinder (18) innen gegen
ein auf der Ruckseite der Kathode angeordnetes metallenes Abschirmblech (27) anliegt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine auf der Stirnfläche
der Kathode angeordnete und zur Aufnahme der zu gravierenden Gegenstände dienende metallene
Stützplatte (30) eine Aluminiumoxydschicht aufweist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützplatte (30) aus rostfreiem
Stahl besteht.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfselektrode (19)
in Form eines Ringes gegenüber der wirksamen Fläche der Kathode (16) angeordnet ist und daß der
Innendurchmesser der Hilfselektrode (19) mindestens gleich dem äußeren Durchmesser der Kathode
(16) ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7009665A FR2082505A5 (de) | 1970-03-18 | 1970-03-18 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2111732A1 DE2111732A1 (de) | 1971-10-07 |
| DE2111732B2 DE2111732B2 (de) | 1979-08-09 |
| DE2111732C3 true DE2111732C3 (de) | 1980-05-22 |
Family
ID=9052447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2111732A Expired DE2111732C3 (de) | 1970-03-18 | 1971-03-11 | Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen durch Kathodenzerstäubung mit Ionenaufprall |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3730873A (de) |
| JP (1) | JPS5145435B1 (de) |
| DE (1) | DE2111732C3 (de) |
| FR (1) | FR2082505A5 (de) |
| GB (1) | GB1342513A (de) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2241229C2 (de) * | 1972-08-22 | 1983-01-20 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum Ätzen von Substraten durch eine Glimmentladung |
| FR2232832A1 (en) * | 1973-06-06 | 1975-01-03 | Radiotechnique Compelec | Discharge control in cathodic sputtering - using voltage variation on auxiliary insulated electrode to adjust gas supply |
| US3984301A (en) * | 1973-08-11 | 1976-10-05 | Nippon Electric Varian, Ltd. | Sputter-etching method employing fluorohalogenohydrocarbon etching gas and a planar electrode for a glow discharge |
| US3943047A (en) * | 1974-05-10 | 1976-03-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Selective removal of material by sputter etching |
| US4169031A (en) * | 1978-01-13 | 1979-09-25 | Polyohm, Inc. | Magnetron sputter cathode assembly |
| JPS5687672A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-16 | Anelva Corp | Dry etching apparatus |
| US4333814A (en) * | 1979-12-26 | 1982-06-08 | Western Electric Company, Inc. | Methods and apparatus for improving an RF excited reactive gas plasma |
| US4309267A (en) * | 1980-07-21 | 1982-01-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Reactive sputter etching apparatus |
| DE3045922A1 (de) * | 1980-12-05 | 1982-07-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von strukturen von aus siliziden oder aus silizid-polysilizium bestehenden schichten durch reaktives sputteraetzen |
| US4362611A (en) * | 1981-07-27 | 1982-12-07 | International Business Machines Corporation | Quadrupole R.F. sputtering system having an anode/cathode shield and a floating target shield |
| US4392938A (en) * | 1981-11-12 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Radio frequency etch table with biased extension member |
| US4392932A (en) * | 1981-11-12 | 1983-07-12 | Varian Associates, Inc. | Method for obtaining uniform etch by modulating bias on extension member around radio frequency etch table |
| US4384938A (en) * | 1982-05-03 | 1983-05-24 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching chamber |
| FR2550681B1 (fr) * | 1983-08-12 | 1985-12-06 | Centre Nat Rech Scient | Source d'ions a au moins deux chambres d'ionisation, en particulier pour la formation de faisceaux d'ions chimiquement reactifs |
| US4496448A (en) * | 1983-10-13 | 1985-01-29 | At&T Bell Laboratories | Method for fabricating devices with DC bias-controlled reactive ion etching |
| US4600489A (en) * | 1984-01-19 | 1986-07-15 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization for non-permeable targets utilizing permeable stop ring |
| GB2159753B (en) * | 1984-03-06 | 1988-09-07 | Asm Fico Tooling | Method and apparatus for cleaning lead pins before soldering operations |
| US4938859A (en) * | 1984-07-31 | 1990-07-03 | Vacuum Optics Corporation Of Japan | Ion bombardment device with high frequency |
| JP2515731B2 (ja) * | 1985-10-25 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| US4595484A (en) * | 1985-12-02 | 1986-06-17 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching apparatus |
| WO1988001435A1 (en) * | 1986-08-13 | 1988-02-25 | The Australian National University | Improvements in reactive ion etching apparatus |
| JPS6454733A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Toshiba Corp | Production device for semiconductor |
| JP3033104B2 (ja) * | 1989-11-17 | 2000-04-17 | ソニー株式会社 | エッチング方法 |
| DE4025396A1 (de) * | 1990-08-10 | 1992-02-13 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die herstellung eines plasmas |
| US5662770A (en) * | 1993-04-16 | 1997-09-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks |
| JP2659919B2 (ja) * | 1994-01-13 | 1997-09-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | プラズマの不均一性を補正するプラズマ装置 |
| WO1996031997A1 (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
| US7528386B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-05-05 | Board Of Trustees Of University Of Illinois | Submicron particle removal |
| US20090095095A1 (en) * | 2006-11-02 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Limited | Microstructure inspecting apparatus, microstructure inspecting method and substrate holding apparatus |
| CN113561689A (zh) * | 2021-07-28 | 2021-10-29 | 薛烁 | 一种合成珠宝加工专用雕刻装置 |
-
1970
- 1970-03-18 FR FR7009665A patent/FR2082505A5/fr not_active Expired
-
1971
- 1971-03-11 DE DE2111732A patent/DE2111732C3/de not_active Expired
- 1971-03-17 JP JP46014706A patent/JPS5145435B1/ja active Pending
- 1971-03-18 US US00125731A patent/US3730873A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-04-19 GB GB2440371*A patent/GB1342513A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3730873A (en) | 1973-05-01 |
| JPS5145435B1 (de) | 1976-12-03 |
| DE2111732B2 (de) | 1979-08-09 |
| FR2082505A5 (de) | 1971-12-10 |
| GB1342513A (en) | 1974-01-03 |
| DE2111732A1 (de) | 1971-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2111732C3 (de) | Vorrichtung zum Gravieren von Gegenständen durch Kathodenzerstäubung mit Ionenaufprall | |
| EP0242826B1 (de) | Magnetron-Zerstäubungskathode | |
| EP0235770B1 (de) | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten in einer durch Hochfrequenz angeregten Plasmaentladung | |
| DE4117518C2 (de) | Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem Target | |
| EP0416241B1 (de) | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats | |
| EP2018653B1 (de) | Arcquelle und magnetanordnung | |
| DE3506227A1 (de) | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung | |
| DE2106850C3 (de) | Verfahren zur Behandlung von Werkstücken in einer Glimmentladung und Apparatur zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE1116015B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kathodischen Spruehen eines Filmes auf ein Werkstueck | |
| DE4039930A1 (de) | Vorrichtung fuer plasmabehandlung | |
| DE3047113A1 (de) | Katodenanordnung und regelverfahren fuer katodenzerstaeubungsanlagen mit einem magnetsystem zur erhoehung der zerstaeubungsrate | |
| DE3612071A1 (de) | Targetanordnung fuer die zerstaeubungsbedampfung | |
| EP0493647A1 (de) | Zerstäubungskathode für die Beschichtung von Substraten in Katodenzerstäubungsanlagen | |
| DE3012935C2 (de) | Zerstäubungsvorrichtung mit magnetischer Verstärkung | |
| DE2208032A1 (de) | Zerstäubungsvorrichtung | |
| DE3835153A1 (de) | Vorrichtung zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung | |
| DE1914747A1 (de) | Vorrichtung zum mehrseitigen Aufstaeuben | |
| DE4202349A1 (de) | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung | |
| DE102004007813A1 (de) | Sputtervorrichtung mit einem Magnetron und einem Target | |
| EP0316523A2 (de) | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip | |
| DE2115590A1 (en) | Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim | |
| DE3241391A1 (de) | Hochfrequenz-aetztisch mit elektrisch vorgespanntem einfassungteil | |
| DE69020553T2 (de) | Elektrische Lichtbogenbehandlung von Teilchen. | |
| DE3411536A1 (de) | Magnetronkatode fuer katodenzerstaeubungsanlagen | |
| DE69501139T2 (de) | Kathodenzerstäubungs-Drehkathode mit mehreren Targets |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |