DE1116015B - Verfahren und Vorrichtung zum kathodischen Spruehen eines Filmes auf ein Werkstueck - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum kathodischen Spruehen eines Filmes auf ein WerkstueckInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf das kathodische Sprühen von Metallen und dielektrischen Filmen und
hat Verfahren und Vorrichtungen für diesen Zweck zum Gegenstand. Insbesondere betrifft die Erfindung
die Verbesserung eines Verfahrens, bei dem das Werkstück in eine Vakuumkammer gebracht wird, die mit
zwei oder mehreren Kathoden bzw. Elektroden versehen ist, die den zu sprühenden Stoff oder die Stoffe
enthalten oder daraus bestehen und durch Sprühen einen Film der Stoffe oder des Stoffes auf das Werkstück
aufbringen, und zwar unter gleichzeitiger relativer Drehbewegung der Kathode bzw. Elektrode und
des Werkstückes gegeneinander.
Wichtige Anwendungen der Ablagerung durch kathodisches Sprühen, z. B. bei der Herstellung von
optischen Interferenzfiltern, erfordern die Ablagerung von mehrschichtigen Überzügen verschiedener Substanzen.
Bei den eingangs erwähnten bekannten Verfahren arbeitet man dabei mit Vorrichtungen, in denen das
Werkstück konzentrisch zu den Kathoden rotiert. Dabei ergeben sich häufig Fehlergebnisse auf Grund
nicht genügender Gleichmäßigkeit der aufgesprühten Schichten. Wegen dieser Ungleichmäßigkeit ist das
bekannte Verfahren in vielen Fällen überhaupt nicht anwendbar. Wenn man dann das andere, gleichfalls
bekannte Verfahren anwendet, bei dem das Werkstück auf einer festen Unterlage innerhalb einer Vakuumkammer
liegt und eine ortsfeste Kathode aus der zu sprühenden Substanz oberhalb des Werkstückes
aufgehängt ist, kann zwar der mehrschichtige Überzug auch, aber nur durch Änderung der Kathode für jede
einzelne Schicht erzeugt werden. Dabei ist es notwendig, bei jedem Kathodenwechsel das Vakuum
aufzuheben und es dann wieder auf den gewünschten Wert zu bringen. Die Arbeit wird dadurch sehr kompliziert,
zeitraubend und somit kostspielig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile zu überwinden.
Gemäß der Erfindung wird bei Anwendung eines Verfahrens der eingangs erwähnten Art die Aufgabe
dadurch gelöst, daß die Kathode bzw. Elektrode und das Werkstück in Ebenen angeordnet sind, die längs
der Achse der Drehbewegung in einer gewissen Entfernung voneinander Hegen.
Um nach dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Schicht von Filmen verschiedener Substanzen zu
bilden, ist es notwendig, daß sich unter den Kathoden und Elektroden mindestens eine Kathode oder Elektrode
der verschiedenen Substanzen befindet.
Die Kathoden oder Elektroden haben vorzugsweise die Form von Segmenten, deren eingeschlossener
Verfahren und Vorrichtung
zum kathodischen Sprühen eines Filmes
auf ein Werkstück
Anmelder:
Edwards High Vacuum Limited,
Crawley, Sussex (Großbritannien)
Crawley, Sussex (Großbritannien)
Vertreter: Dipl.-Ing. H.Marsch, Patentanwalt,
Schwelm, Drosselstr. 31
Schwelm, Drosselstr. 31
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 28. Oktober 1955 (Nr. 30 944/55)
Großbritannien vom 28. Oktober 1955 (Nr. 30 944/55)
Leslie Arthur Holland, Crawley, Sussex
(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Winkel innerhalb weiter Grenzen verschieden sein, z. B. 10 bis 180° betragen kann, während die Entfernung
der Elektroden voneinander, im Winkel gemessen, so gewählt sein muß, daß die gleichmäßige
Verteilung der Entladung nicht gestört wird. Die gewünschte Entfernung kann für die jeweils erforderliche
Anzahl von Kathoden oder Elektroden durch wenige einfache Versuche bestimmt werden.
Die Erfindung sieht ferner die Kombination des kathodischen Sprühens mit Dampfablagerungen vor,
also der Bildung von zusammengesetzten Schichten aus aufgesprühten Filmen und Filmen aus Dampfablagerungen,
und zu diesem Zweck kann ein beheizter Schmelztopf mit einer zu verdampfenden Substanz
innerhalb der Kammer vorgesehen und gegenüber der Drehachse so eingestellt sein, daß der erforderliche
Film auf das Werkstück niedergeschlagen wird.
Die Zeichnung zeigt beispielsweise eine Ausführungsform der Erfindung, und zwar ist
Fig. 1 ein schematischer Aufriß einer kathodischen Sprühvorrichtung gemäß der Erfindung im Schnitt;
Fig. 2 ist ein Grundriß der Vorrichtung nach Fig. 1;
Fig. 3 ist ein schematischer Aufriß einer bekannten Form einer kathodischen Sprühvorrichtung im
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Schnitt und zeigt in starker Vergrößerung die Ände- liehe Größe hat, um eine größtmögliche Gleiehmäßig-
rung der Stärke eines damit hergestellten Filmes; keit des Überzuges zu erzielen.
Fig. 4 a und 4 b zeigen zwei Formen von bei der Auf diese Weise ist es möglich, abwechselnd
Vorrichtung gemäß der Erfindung verwendbaren Ka- Schichten durch Sprühen von den Kathoden und
thoden; 5 durch Vakuumverdampfung aufzutragen.
Fig. 5 und 6 zeigen mehrschichtige Ablagerungen, Bisher war es üblich, bei Sprühvorrichtungen die
die durch die Vorrichtung nach der Erfindung herge- zugeführte Hochspannung gleichzurichten, damit ein
stellt sind; Sprühen nur von der gewünschten Elektrode aus er-
Fig. 7 bis 10 sind graphische Darstellungen der folgen kann und nicht von sonstigen in der Vorrich-Charakteristiken
von Filmen, die gemäß der Erfin- io tung befindlichen Metallteilen. Es hat sich nun ge-
dung unter verschiedenen Bedingungen aufgebracht zeigt, daß zur Vermeidung positiver Ionenbeschießung
sind; von geerdeten Metallteilen es nicht notwendig ist, die
Fig. 11 ist ein schematischer Aufriß einer weiteren zugeführte Hochspannung gleichzurichten, wenn die
Anordnung zur Kombination des kathodischen beiden Seiten einer Wechselstromquelle gegenüber
Sprühens mit der Dampfablagerung, und 15 der Erde isoliert mit je einer isolierten Elektrode in
Fig. 12 ist ein Grundriß von Fig. 11 entlang der der Vakuumkammer verbunden sind. Diese wirken
Linie XII-XII. dann abwechselnd als Kathoden und Anoden. Ein
Bei der kathodischen Sprühvorrichtung, wie sie in solches System ist bei einem großen ebenen Werkstück
Fig. 1 und 2 dargestellt ist, hat eine zylindrische Va- schwer zu verwirklichen, da, wenn die Elektrode aus
kuumkammer 1 an ihrem Boden einen Auslaß 2 zur 20 zwei Hälften von etwa halbkreisförmiger Gestalt beVerbindung
mit einer nicht dargestellten Vakuum- steht, infolge der Veränderung der Stärke der entlang
pumpe. Nahe dem unteren Ende der Kammer ist ein der Ebene des Werktisches abgelagerten Schicht ein
flacher, kreisrunder Arbeitstisch 3 angeordnet, der Sprühmuster auf dem Werkstück erzeugt wird. Wenn
um eine mit der Achse der Kammer zusammen- der Werkstück umläuft, ist dieses Muster nicht mehr
fallende Achse 4 umlaufen kann, und es ist für den 25 lokalisiert, und die Ablagerung ist, entlang eines zu
Antrieb des Tisches eine beliebige, nicht dargestellte der Mitte der Elektrode und des Tisches konzen-Einrichtung
vorgesehen. trischen Kreises gemessen, eine gleichmäßige. Die
An die Decke der Kammer und elektrisch von ihr Verteilung des Filmes entlang einer radialen Linie
isoliert sind zwei Kathoden 5 und 6 aus verschiedenen von der Mitte des Tisches aus kann dadurch gleich-
Materialien angehängt, die in mehreren Schichten auf 30 mäßig gemacht werden, daß die Elektrode etwas ge-
ein ebenes Werkstück 7 auf dem Arbeitstisch nieder- formt oder ihr Winkel geändert wird,
geschlagen werden sollen. Die Kathoden haben die Die Vorrichtung gemäß der Erfindung kann also
Form von Segmenten, die einen Winkel Θ ein- mit nicht gleichgerichteter Spannung arbeiten, indem
schließen und sind voneinander um einen Winkel Φ zwei Elektrodensegmente verwendet werden, die mit
entfernt. Die Kathoden sind über einen Umschalter 8 33 je einer Seite einer Wechselstromhochspannung ver-
mit dem negativen Pol 10 einer Gleichstromhoch- bunden sind.
Spannungsquelle verbunden, deren positiver Pol bei 9 Natürlich kann ein solches System auch mit drei
mit der Vakuumkammer 1 und der Erde verbun- Phasen arbeiten, indem man drei Elektroden ver-
den ist. einigt, wobei eine ähnliche Ersparnis an Kosten für
Zur Verhinderung einer Entladung von der dem 40 Gleichrichter vorhanden ist.
Werkstück abgekehrten Fläche der Kathoden nach Gewöhnlich werden beim Überziehen von Werk-
der Decke der Kammer hin sind die Kathoden von stücken Filme von gleicher Stärke benötigt, gelegent-
der Decke der Kammer um den Betrag entfernt, der lieh ist es aber auch notwendig, Filme herzustellen,
geringer ist als der »Kathodendunkelraum«, wie er deren Stärke sich nach einem bestimmten Gesetz
in der Patentschrift 610 559 beschrieben ist. 45 ändert. Für die Vorrichtung gemäß der Erfindung
Mit Hilfe des Umschalters 8 kann abwechselnd die folgt daraus, daß, da es möglich ist, durch geeignete
eine oder die andere Kathode erregt und das daran Formgebung der Kathoden oder Elektroden eine
befindliche Material in Form eines Filmes von etwa gleichmäßige Schicht zu erzielen, es ebenfalls möglich
gleichmäßiger Stärke auf das auf dem umlaufenden sein muß, durch entsprechende Gestaltung der Ka-Tisch
liegende Werkstück gesprüht werden. Wenn der 50 thoden oder Elektroden die Fihnstärke entlang einer
Film die gewünschte Dicke erreicht hat, wird die radialen Linie zu ändern. Bei den bekannten Sprühandere
Kathode an die Hochspannung angeschaltet vorrichtungen (Fig. 3) mit einer Kathode 13 in Form
und ein weiterer Film aus dem Material der zweiten einer großen Scheibe und einem festen Tisch ist der
Elektrode auf dem bereits vorhandenen Film gebildet, aufgebrachte Film 14 innerhalb einer kleinen mittleren
so daß sich ein mehrschichtiger Überzug ergibt. 55 Fläche gleichmäßig, nimmt dann aber nach dem Rand
Es ist ferner eine schematisch dargestellte und mit der Kathode zu ab, wie bei 15 gezeigt. Dies ist die
11 bezeichnete Dampfquelle vorgesehen, die dazu be- Folge von Kantenverlusten an gesprühtem Material
stimmt ist, durch Verdampfung Schichten abzulagern durch seitliche Diffusion, wie bei 16 gezeigt, und es
und die aus einem Behälter oder Schmelztopf für das ist nicht möglich, die Art dieser Filmverteilung zu
zu verdampfende Material und einer elektrischen 60 ändern, d. h. ihn vollständig gleichförmig zu machen,
Heizung besteht, deren Zuleitungen durch die Wand oder überhaupt die Verteilung des Filmes in einer
der Kammer hindurchgehen und zu einer Wechsel- Vorrichtung mit einer Kathodenscheibe zu ändern,
Stromquelle 12 führen. da die Verteilung der Ablagerung durch die Geometrie
Infolge der Form und des Abstandes der Kathoden des Systems festgelegt ist.
voneinander ist es möglich, den Schmelztopf in der 65 Bei Vorrichtungen gemäß der Erfindung mit geKammer
in eine solche Stellung zu bringen, daß das formten Kathoden oder Elektroden und einem umVerhältnis,
der senkrechte Abstand h des Schmelz- laufenden Werktisch ist es möglich, die Änderungstopfes von der Drehachse des Tisches, die erforder- geschwindigkeit der Kathodenfläche, von der Mitte
der Kathode nach ihrem äußeren Ende gemessen, gemäß Fig. 4 a und 4 b zu ändern. Es wird dann eine
Ablagerung erzeugt, deren Dicke sich in radialer Richtung, ungefähr entsprechend der radialen Änderungsgeschwindigkeit
der Kathodenfläche, ändert.
Für gewisse optische Zwecke ist es notwendig, auf einer kreisförmigen Glasplatte einen metallischen
Überzug herzustellen, dessen optische Dichte allmählich entlang einem Radius zunimmt, aber entlang
eines zum Mittelpunkt der Platte konzentrischen Kreises gemessen gleichmäßig ist. Dies kann dadurch
gemacht werden, daß man die Filmstärke allmählich nach der Peripherie der Platte zu vergrößert, indem
man die Kathode in der bei 17 in Fig. 4 a gezeigten Art formt. Umgekehrt, durch Formung der Kathode,
wie bei 18 in Fig. 4 b gezeigt, nimmt die Filmstärke nach dem Umfang der Platte zu allmählich ab.
Die unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschriebene Vorrichtung ist von besonderem Wert für die Erder
zu verdampfenden Substanz in verschiedenem Grade die Breite oder Divergenz des Dampfstrahles
begrenzen. Zur Erzeugung eines gleichmäßigen Niederschlages ergeben alle drei erwähnten Arten von
Dampfquellen innerhalb vernünftiger Grenzen einen gleichmäßigen Überzug, wenn die Quelle in der oben
angegebenen Weise gegenüber dem Werktisch aufgestellt ist, unter der Voraussetzung, daß in dem Falle
einer Quelle nach c) der Dampfstrahl nicht innerhalb
ίο eines so kleinen festen Winkels begrenzt ist, daß die
Arbeitsebene dem ausgesandten Dampf nicht vollständig ausgesetzt ist.
Wenn ein Drehtisch und eine Dampfquelle in Verbindung mit V-Elektroden verwendet wird, wie in
Fig. 11 gezeigt, verhindern sowohl die Elektroden 41 als auch der zugehörige geerdete Glühentladeschirm
42, daß Dampf den Werktisch erreicht, und wenn, wie sich aus Fig. 11 ergibt, die Dampf quelle sich an
der mit B bezeichneten Stelle befindet, ist ein abge-
zeugung eines Filmes von gleicher Stärke auf einem 20 stufter Rand an dem Dampfschatten vorhanden, der
Werkstück, das beispielsweise den ganzen umlaufenden Tisch bedeckt, und dies würde wesentlich sein,
wenn das Werkstück oder der zu überziehende Gegenstand die Form eines einzelnen großes Blattes hat.
durch die Elektrode und ihren Schirm erzeugt wird. Diese abgestufte Schatten besteht aus einem Halbschatten
und einem Kernschatten, und wenn der Werktisch umläuft, werden die in dem Halbschatten
Kleinere Gegenstände, z. B. kleine Scheiben, können 25 liegenden Teile des Werkstückes ständig dem Dampfin
einem Ring auf dem umlaufenden Tisch angeordnet sein, und in diesem Fall können die nach innen
gerichteten Enden der Kathoden durch Entfernung
eines kleinen Teiles des spitzen Endes der Elektrode
verkürzt werden, so daß an den inneren Enden der 30 in der Stärke des abgelagerten Filmes, die sich von
gerichteten Enden der Kathoden durch Entfernung
eines kleinen Teiles des spitzen Endes der Elektrode
verkürzt werden, so daß an den inneren Enden der 30 in der Stärke des abgelagerten Filmes, die sich von
strahl ausgesetzt sein, während der Teil des Werkstückes, der der Drehachse abgekehrt ist, während
eines Teiles der Umdrehung des Tisches abgeschirmt sein wird. Hieraus ergibt sich eine Verschiedenheit
Elektroden eine konkave Kantenfläche vorgesehen ist, deren Achse mit der Drehachse des Werktisches
zusammenfällt. Die Scheiben können z. B. Sonnengläser sein, auf welche mit Hilfe der beschriebenen
Vorrichtung ein absorbierender Eisenoxydfilm aufgesprüht ist. Bei der Herstellung von Sonnengläsern ist
es üblich, die Gläser mit einer abgestuften Schicht zu versehen, die wahlweise Licht absorbiert, so daß das
stärkere Licht berücksichtigt wird, das vom Himmel einem Größtwert in der Mitte des Werkstückes auf
ungefähr die Hälfte des Größtwertes an der Kante des Werkstückes ändert. Wenn jedoch die Dampfquelle
an der Stelle A liegt, wird die Größe des Halbschattens durch die Abmessungen des Bezirks, in dem
die Dampfausstrahlung erfolgt, begrenzt, und dieser Bezirk ist viel kleiner, als wenn die Quelle an der
Stelle B liegt, und durch sorgfältige Anordnung der Quelle an der Stelle A ist es möglich, einen sehr
oder von der Sonne auf den oberen Teil der Gläser 40 gleichmäßigen Film zu erzielen.
fällt. Solche abgestufte Schichten können dadurch er- In gewissen Fällen ist es jedoch wünschenswert, die
halten werden, daß die Gläser in einem Kreis auf den Werktisch aufgelegt werden, der mit dem Tisch
gleichachsig ist, und Kathoden verwendet werden, die Dampfquelle an die Stelle B zu setzen oder an eine
Stelle zwischen A und B. Es ist z. B. bekannt, daß gewisse Substanzen bei ihrer Ablagerung aus Dampf
die in Fig. 4 a oder 4 b gezeigte Form haben. Nach 45 eine körnige Struktur annehmen, wenn die Dampf -
dem Aufsprühen des Eisenoxydfilmes werden die Gläser dann durch Dampfablagerung mit einem Film
von Magnesiumfluorid oder von Siliziummonoxyd überzogen, um ihre Reflexion zu verringern.
Wie in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben, können V-förmige Kathoden dazu verwendet werden, aufgesprühte
Filme in Verbindung mit Schichten herzustellen, die durch Verdampfung niedergeschlagen werden.
Wenn keine Kathoden vorhanden sind, würde atome auf die sie aufnehmende Fläche unter einem
großen Einfallswinkel auftreffen, das ist der Winkel des Strahles gegenüber der Senkrechten auf die beaufschlagte
Fläche. Diese Wirkung entsteht dadurch, daß die schräg auffallenden Atome sich an den Außenflächen
vorher niedergeschlagener Kerne oder an Vorsprüngen der Flächen verdichten, die dann in einer
gegenüber der beaufschlagten Ebene geneigten Richtung rascher anwachsen als in einer zu dieser paralle-
die günstigste Stellung der Dampfquelle zur Erzielung 55 len Richtung. Wenn sich die Dampfquelle in der Steleiner
größtmöglichen Gleichmäßigkeit der Dicke des lung A befindet und h = r ist, kann sich der Einfallswinkel
zwischen 0 und etwa 60° ändern, und bei dem
Dampfniederschlages ungefähr einer Entfernung von der Drehebene des Werkstückes entsprechen, die
gleich dem Radius des Drehtisches ist, d. h. r — h, wie in Fig. 11 angegeben. Diese günstigste Lage ist
von einer Anzahl von Faktoren einschließlich der Dampfabgabecharakteristik der Dampfquelle abhängig.
Es sind drei Hauptarten von Dampf abgabequellen bekannt, nämlich a) eine punktförmige Quelle, die
den Dampf gleichmäßig nach allen Richtungen aussendet, b) eine Fläche, die Dampf innerhalb eines
festen Winkels 2 π aussendet, und c) eine gerichtete Quelle, in welcher die Seiten eines Schmelztopfes mit
höheren Wert kann der Dampf einen Film von körniger Struktur bilden. Es kann sich dabei ergeben,
daß der aus dem Dampf entstehende Niederschlag in der Mitte der Werkstückebene hart und dicht, an den
Kanten weich und porös ist. Durch Aufstellen der Dampfquelle an der Stellung B oder zwischen A
und B wird der Größtwert des Einfallswinkels verringert und dadurch die Bildung von körnigen Teilen
verhindert oder mindestens erheblich verringert. Andererseits ist es bei solcher Einstellung der Dampfquelle
schwieriger, die Entfernung der Elektroden
und der Dampfquelle gegenüber dem Werkstücktisch so zu wählen, daß die Dicke des Dampffilmes in der
Mitte nicht größer ist als an den Kanten, wie schon vorher auseinandergesetzt. Wenn jedoch die Werkstücke
kleine Gegenstände sind, die ringförmig auf dem Werkstückträger angeordnet sind, ist die vergrößerte
Stärke des Niederschlages in der Mitte des Werkstückträgers nicht so störend, und man kann die
Stärke des Filmes auf den einzelnen kleinen Gegenständen als etwa gleichmäßig ansehen.
Die Erfindung wird im allgemeinen auf dem Gebiete der elektronischen Ablagerung von Metall
und Dielektriken verwendet. Zwei besondere Beispiele für eine solche Anwendung sind die folgenden:
a) Herstellung von mehrschichtigen Interferenzfiltern
Interferenzfilter mit verschiedenen Spektralcharakteristiken
werden laufend durch aufeinanderfolgende Ablagerung von dielektrischen Stoffen von verschiedener
optischer Dicke hergestellt. Zum Beispiel kann ein Spiegel, der in einem Wellenlängenbereich eine hohe
Reflektierfähigkeit und in einem anderen Wellenlängenbereich eine hohe Durchlaßfähigkeit aufweist,
in der Weise hergestellt werden, daß man der Reihe nach Schichten aus Stoffen mit hohem und geringem
Brechungsindex ablagert, wobei jede Schicht die gleiche optische Dicke hat. Es ist schwierig, mit den
erhältlichen Stoffen durch Verdampfung im Vakuum besonders haltbare Filter dieser Art herzustellen. Die
Erfindung macht es nun möglich, die haltbarsten Schichten, die man sowohl bei der Verdampfung im
Vakuum als auch bei der kathodischen Sprühung erhalten kann, zu verwenden. Den meisten Stoffen mit
hohem Brechungsindex, die im Vakuum verdampft werden können, mangelt entweder die Dauerhaftigkeit,
oder sie sind optisch absorbierend. Man kann aber Stoffe mit hohem Brechungsindex dadurch herstellen,
daß man nach der bekannten Technik ein Metall in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre aufsprüht,
so daß sich ein Oxydniederschlag bildet. Diese Technik ist als »Reaktivsprühen« bekannt, sie ist aber
zur Herstellung dauerhafter Oxydüberzüge von niedrigem Brechungsindex (—1,3) nicht geeignet, da diese
anscheinend natürlich nicht vorkommen. Es kann aber ein außerordentlich dauerhafter Stoff von niedrigem
Brechungsindex (Magnesiumfluorid) durch Verdampfung im Vakuum als Film hergestellt werden.
Es wird also bei einer Anwendungsform der Erfindung die Kathode aus Titan hergestellt, und die
Dampfquelle wird mit Magnesiumfluorid beschickt. Die Vorrichtung ist mit einem Pumpensystem verbunden,
welches es ermöglicht, zuerst bei Zwischendrücken für das Sprühen eine Gasentladung in einer
sauerstoffhaltigen Atmosphäre vorzunehmen und dann den Druck auf einen für die Verdampfung im
Vakuum geeigneten (—0,1 μ Hg) zu verringern. Dieses
Verfahren kann dann mehrfach wiederholt werden, so daß ein mehrschichtiger Überzug entsteht, wie
er in Fig. 5 zu sehen ist, in dem eine Glasgrundlage 19 mit einem Überzug versehen ist, in dem durch
Sprühen niedergeschlagene Schichten 20 aus Tritaniumoxyd mit einem hohen Brechungsindex mit
Schichten 21 aus Magnesiumfluorid wechseln, die durch Verdampfung im Vakuum niedergeschlagen
sind und einen niedrigen Brechungsindex haben. Bei der bekannten Technik würde es notwendig sein, die
Titaniumoxydschicht in einer bestimmten Vorrichtung durch Sprühen herzustellen und alsdann das Werkstück
in eine andere Vorrichtung zu bringen, um das Magnesiumfluorid durch Verdampfung niederzuschlagen,
usw., bis die erforderliche Anzahl wechselnder Schichten aufgebracht ist, so daß sich eine mühevolle
und sehr zeitraubende Arbeit ergibt.
Mehrschichtige Filter, die aus Schichten von gesprühtem Titaniumoxyd und verdampftem Magnesiumfluorid
gebildet werden, sind außerordentlich haltbar, und um Titaniumdioxyd innerhalb einer vernünftigen
Zeit aussprühen zu können, müssen sehr hohe Stromdichten verwendet werden. Ein sehr dauerhafter
Überzug kann nun leichter durch Verwendung des leichter zu sprühenden Wismutoxyds hergestellt
werden, das auf einer dünnen durch Verdampfung hergestellten Magnesiumfluoridschicht versehen ist.
Solche Überzüge werden zweckmäßig bei Spiegeln in optischen Systemen verwendet, die zur Vereinigung
oder Trennung farbiger Bilder dienen, z. B. für optische Systeme, die bei Prüf- und Sendevorrichtungen
beim Farbfernsehen benutzt werden. Schichten aus verdampftem Magnesiumfluorid und gesprühtem
Wismutoxyd werden auch auf den Oberflächen von Edelsteinimitationen verwendet, um ein Funkeln
durch Interferenz und Farbe zu erzeugen.
b) Herstellung von leitenden Metallfilmen
Es ist bekannt, daß die elektrische Leitfähigkeit und die optische Durchsichtigkeit von dünnen Filmen
gewisser Metalle größer sind, wenn die darunterliegende Glasschicht vor der Ablagerung des Metallfilmes
mit einem Film von gewissen Oxyden überzogen ist. Es ist ferner bekannt, daß die Metallablagerung
entweder durch Verdampfung im Vakuum oder durch Aufsprühen hergestellt werden kann. Der Metalloxydfilm
muß indessen gewöhnlich durch kathodisches Sprühen hergestellt werden, wenn eine Reduktion
des Oxyds vermieden werden soll.
Bei der Vorrichtung gemäß der Erfindung werden zwei Kathoden verwendet, nämlich eine aus Metall,
durch die das erforderliche Oxyd gebildet wird, und die andere aus Gold. (Bei einem Wechselstrom hoher
Spannung würde jede »Kathode« zwei Elektroden enthalten.) Es ist dann möglich, auf eine Glasgrundlage
22 (Fig. 6) zuerst die Metalloxydschicht 23 aufzusprühen und dann die Goldschicht 24, so daß ohne
mechanische Änderung der Kathoden oder seitliche Verschiebung des Werkstückträgers gegenüber den
Kathoden gleichmäßige Niederschläge erhalten werden.
In den Fig. 7 bis 10 sind Kurven dargestellt, die durch Versuche bei der Ausführung der Erfindung
erhalten wurden und die bei durch Sprühen niedergeschlagenen Filmen erhaltene Charakteristiken darstellen.
So zeigen die Kurven in Fig. 7 die Beziehung zwischen dem elektrischen Widerstand eines Nickelfilmes
in »Ohm pro Quadrat« (Ordinate) und dem radialen Abstand von der Mitte einer kreisförmigen
Platte, auf die der Film niedergeschlagen ist, in Zoll (Abszisse). Unter der Bezeichnung »Ohm pro Quadrat«
wird der Widerstand eines quadratischen Teiles des Filmes verstanden, wenn er mit Elektroden gemessen
wird, die sich vollständig entlang zweier gegenüberliegender Seiten des Quadrates erstrecken.
Eine solche Messung hängt nicht von den Abmessungen des Quadrates ab, weil, wenn die Größe des Quadrates
z. B. zunimmt, zwar die Entfernung zwischen den Elektroden ebenfalls zunimmt, aber auch die
Länge der Elektroden in entsprechender Weise
wächst, so daß der gemessene tatsächliche Widerstand zwischen den Elektroden konstant bleibt. Die
verwendete Kathode ist eine einfache halbkreisförmige Kathode, die in einer Entfernung d oberhalb
eines kreisförmigen Werktisches liegt, der mit 30 Umdrehungen pro Minute umläuft. Das Sprühen erfolgt
in Argon bei einer Spannung von 3 kV und einem Strom von 0,5 Amp. während einer Zeit von 30 bis
60 Sekunden. Die Kurven 25, 26, 27, 28 und 29 zeigen die Charakteristik des erhaltenen Nickelfilmes,
wenn die Entfernung d = 3U" (19,05 mm), 1",
(25,4 mm), I1A" (31,75 mm), 1 1It" (38,1 mm) und
1 sh" (44,45 mm) ist. In Fig. 8 sind Kurven dargestellt,
die die Lichtdurchlaßcharakteristiken von Nickelfilmen zeigen, die unter ähnlichen Bedingungen
wie die unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschriebenen aufgesprüht sind, wobei die Ordinate die Lichtdurchlaßprozente
darstellt, gemessen bei λ = 5460 Ao. Die Kurven 30,31 bzw. 32 stellen die Lichtdurchlaßcharakteristik
des Nickelfilmes dar, der nach einem 30 Sekunden lang währendem Aufsprühen bei Entfernungen
d von 3A" (19,05 mm), 1" (25,4 mm) und
IV4" (31,75 mm) erhalten wird, während die Kurve . 33 die Charakteristik des Filmes angibt, der nach
einminütlichem Besprühen und bei einer Entfernung von d = 1 1It" (38,1 mm) erhalten wird.
Die Kurven von Fig. 9 wurden unter ähnlichen Bedingungen wie bei Fig. 7 erhalten, es wurde jedoch
eine Kathode in Form eines 90°-Segmentes eines Kreises verwendet. Die Kurven 34, 35 und 36 ergaben
sich bei einem Aufsprühen von 30 Sekunden Zeitdauer und Entfernungen d = 3U" (19,05 mm), 1"
(25,4 mm) bzw. I1A" (31,75 mm), während die Kurve
37 bei einem Aufsprühen von einer Minute Dauer und einer Entfernung d von 1 1It" (38,1 mm) erhalten
wurde.
Schließlich zeigen die Kurven von Fig. 10 den elektrischen Widerstand eines durch ein 2 Minuten
langes Reaktivbesprühen in einer Argon-Sauerstoff-Mischung niedergeschlagenen kreisförmigen Filmes
von Kadmiumoxyd, wobei die Kathode ähnlich der zur Herstellung der Kurven in Fig. 9 verwendeten
war, d. h. ein 90°-Sektor, bei dem aber die Spitze ausgerundet war. Die Drehgeschwindigkeit des Werktisches
ist 30 Umdrehungen pro Minute, die Spannung 3 kV und der Strom 0,5 Amp. Die Kurven 38,
39 und 40 wurden bei Entfernungen d = 3U" (19,05 mm), 1" (25,4 mm) bzw. 1W (38,1 mm) erhalten.
Es ist ersichtlich, daß es mit Hilfe eines kathodisehen
Sprühsystems gemäß der Erfindung möglich ist, entweder gesprühte Metallfilme oder gesprühte
Metalloxyde mit oder ohne zwischengeschalteten, durch Verdampfung im Vakuum erhaltene Schichten
hintereinander auf die Oberfläche eines Werkstückes aufzubringen, wobei die gesprühten Filme gegebenenfalls
von etwa gleicher Stärke sein oder bei geeignet geformten Kathoden eine bestimmte wechselnde Stärke
haben können. Die geometrische Form der Kathoden-Elektroden eignet sich zur Verwendung von Wechselstrom
hoher Spannung, da hierbei die Notwendigkeit eines teuren Gleichrichters erspart wird.
Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen besonderen Verfahren und Vorrichtungen beschränkt,
vielmehr können z. B. statt eines umlaufenden Werktisches und fester Elektroden auch ein ortsfester Tisch
und um die Achse des Tisches umlaufende Elektroden verwendet werden.
Claims (13)
1. Verfahren zum kathodischen Sprühen eines Filmes eines oder mehrerer gegebener Stoffe auf ein
Werkstück, wobei das Werkstück in eine Vakuumkammer gebracht wird, die mit zwei oder mehreren
Kathoden bzw. Elektroden versehen ist, die den zu sprühenden Stoff oder die Stoffe enthalten
oder daraus bestehen und durch Sprühen einen Film des Stoffes oder der Stoffe auf das Werkstück
aufbringen unter gleichzeitiger relativer Drehbewegung der Kathode bzw. Elektrode und des
Werkstückes gegeneinander, dadurch gekennzeich net, daß die Kathode bzw. Elektrode und das
Werkstück in Ebenen angeordnet sind, die längs der Achse der Drehbewegung in einer gewissen
Entfernung voneinander liegen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück auf einem umlaufenden
Werktisch liegt und die Kathoden oder Elektroden Segmentform haben und in einem
Winkelabstand voneinander in einer parallel zu dem Tisch, aber in einer axialen Entfernung von
ihm angeordneten Ebene liegen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Elektrodensystem aus zwei oder mehreren Elektroden oder zwei oder mehreren
Sätzen von Elektroden besteht, die je mit einem Pol einer Wechselstromzuführung hoher
Spannung verbunden sind.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß weitere Elektroden oder Sätze
von Elektroden aus einem anderen Stoff vorhanden sind, die einen Film dieses anderen Stoffes
auf das Werkstück sprühen, indem die Hochspannung von den einen Elektroden oder Elektrodensätzen
auf die anderen Elektroden oder Elektrodensätze umgeschaltet wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem
Werkstück ein weiterer Film durch Niederschlagen von Dampf aus einer Dampfquelle hergestellt
wird, die innerhalb der Vakuumkammer aufgestellt ist.
6. Vorrichtung zum kathodischen Sprühen eines Filmes eines oder mehrerer gegebener Stoffe auf
ein Werkstück nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1 bis 5, wobei eine Vakuumkammer (1),
ein in dieser zum Tragen des Werkstückes dienender Werktisch (3), zwei oder mehrere Kathoden
bzw. Elektroden (5, 6), die aus dem betreffenden Stoff oder den Stoffen bestehen und in einem
senkrechten Abstand zu dem Tisch (3) angeordnet sind, vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet,
daß Mittel vorgesehen sind, die eine relative Drehbewegung der Kathode bzw. Elektrode (5, 6) gegenüber
dem Werktisch (3) in Ebenen bewirken, die im Abstand voneinander längs der Achse der
relativen Drehbewegung liegen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Tisch (3) um eine Achse
(4) umläuft, die senkrecht durch seine Mitte geht, die Kathoden oder Elektroden (5, 6) fest in einer
parallel zu dem Tisch, aber entlang der Tischachse (4) in einer Entfernung von dem Tisch angeordneten
Ebene liegen und die einzelnen Kathoden oder Elektroden in verschiedenen Winkelstellungen
gegenüber der Achse angeordnet sind.
109 710/296
8. Vorrichtung nach Anspruch?, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathoden oder Elektroden
segmentartig gestaltet sind, wobei der eingeschlossene Winkel der Segmente so gewählt ist, daß ein
von der Kathode oder Elektrode auf ein auf dem Tisch liegendes und mit ihm umlaufendes Werkstück
aufgesprühter Film etwa gleichmäßige Stärke hat.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die einzelnen Kathoden oder Elektroden so geformt sind, daß sie einen Film von über die Fläche des Werkstückes wechselnder
Stärke erzeugen.
10. Verfahren nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Tisch mehrere
Werkstücke aufnehmen kann, die in einem zur Drehachse des Tisches konzentrischen Ring angeordnet
sind.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb der
Vakuumkammer eine Dampfquelle zum Nieder-
schlagen eines Filmes auf einem oder mehreren auf dem Tisch liegenden und mit ihm umlaufenden
Werkstücken angeordnet ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfquelle aus einem
beheizten Schmelztopf zur Aufnahme des zu verdampfenden Stoffes besteht und gegenüber dem
Tisch und den Kathoden oder Elektroden so angeordnet ist, daß der aus dem Dampf niedergeschlagene
Film etwa gleichmäßige Stärke hat.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodensystem
zwei oder mehrere Elektroden oder zwei oder mehrere Sätze von Elektroden enthält,
die mit den betreffenden Polen eines Wechselstromes von hoher Spannung verbunden werden
können.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 542404.
Deutsche Patentschrift Nr. 542404.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
© 109 710/296 10.61
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB30944/55A GB830391A (en) | 1955-10-28 | 1955-10-28 | Improvements in or relating to cathodic sputtering of metal and dielectric films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1116015B true DE1116015B (de) | 1961-10-26 |
Family
ID=10315555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEE13491A Pending DE1116015B (de) | 1955-10-28 | 1956-10-27 | Verfahren und Vorrichtung zum kathodischen Spruehen eines Filmes auf ein Werkstueck |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2886502A (de) |
| DE (1) | DE1116015B (de) |
| FR (1) | FR1167761A (de) |
| GB (1) | GB830391A (de) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1765582B1 (de) * | 1967-06-15 | 1971-12-16 | Ibm | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung und zum anschliessenden bedampfen |
| DE1690276B1 (de) * | 1966-06-30 | 1972-05-04 | Texas Instruments Inc | Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE1515314B1 (de) * | 1966-02-04 | 1973-05-30 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung mit Ringentladung |
| DE2359893A1 (de) * | 1972-11-29 | 1974-07-04 | Triplex Safety Glass Co | Verfahren und vorrichtung zum niederschlagen einer durchsichtigen elektrisch leitenden metalloxidschicht |
| DE2417288A1 (de) * | 1974-01-31 | 1975-08-14 | Airco Inc | Zerstaeubungsvorrichtung |
| DE2902848A1 (de) * | 1978-04-13 | 1979-10-18 | Litton Systems Inc | Verfahren zur herstellung von optischen mehrfachschichten |
| DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3039952A (en) * | 1959-03-25 | 1962-06-19 | Western Electric Co | Apparatus for depositing films on article surfaces |
| US3220938A (en) * | 1961-03-09 | 1965-11-30 | Bell Telephone Labor Inc | Oxide underlay for printed circuit components |
| US3257305A (en) * | 1961-08-14 | 1966-06-21 | Texas Instruments Inc | Method of manufacturing a capacitor by reactive sputtering of tantalum oxide onto a silicon substrate |
| BE634012A (de) * | 1961-10-03 | |||
| US3271488A (en) * | 1961-11-21 | 1966-09-06 | Itt | Method of making masks for vapor deposition of electrodes |
| US3324019A (en) * | 1962-12-11 | 1967-06-06 | Schjeldahl Co G T | Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes |
| US3450581A (en) * | 1963-04-04 | 1969-06-17 | Texas Instruments Inc | Process of coating a semiconductor with a mask and diffusing an impurity therein |
| GB1054660A (de) * | 1963-09-16 | |||
| LU45647A1 (de) * | 1964-03-12 | 1965-09-13 | ||
| US3351543A (en) * | 1964-05-28 | 1967-11-07 | Gen Electric | Process of coating diamond with an adherent metal coating using cathode sputtering |
| US3369989A (en) * | 1964-07-22 | 1968-02-20 | Ibm | Cathode sputtering apparatus including precision temperature control of substrate |
| US3457614A (en) * | 1964-09-29 | 1969-07-29 | Gen Instrument Corp | Process and apparatus for making thin film capacitors |
| US3716472A (en) * | 1966-02-04 | 1973-02-13 | Siemens Ag | Cathode atomization apparatus |
| US3350293A (en) * | 1966-11-14 | 1967-10-31 | Components Inc | Passivating silicon semiconductor devices with sputtered tungsten oxide at low temperatures |
| US3660180A (en) * | 1969-02-27 | 1972-05-02 | Ibm | Constrainment of autodoping in epitaxial deposition |
| US4797527A (en) * | 1985-02-06 | 1989-01-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electrode for electric discharge machining and method for producing the same |
| US4626336A (en) * | 1985-05-02 | 1986-12-02 | Hewlett Packard Company | Target for sputter depositing thin films |
| EP0429905B1 (de) * | 1989-11-30 | 1995-06-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Verringerung der Reflektivität von Sputter-Schichten |
| US6328856B1 (en) | 1999-08-04 | 2001-12-11 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multilayer film deposition utilizing rotating multiple magnetron cathode device |
| JP4167833B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2008-10-22 | 株式会社ユーテック | 成膜装置、酸化物薄膜成膜用基板及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE542404C (de) * | 1929-03-06 | 1932-01-23 | Steatit Magnesia Akt Ges | Verfahren zur Herstellung hochohmiger Widerstaende |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US929017A (en) * | 1906-02-14 | 1909-07-27 | James K Reynard | Metal-depositing apparatus. |
| US1917271A (en) * | 1932-01-28 | 1933-07-11 | James G Potter | Method of forming coatings of metal and product thereof |
| US2160981A (en) * | 1935-10-19 | 1939-06-06 | O'brien Brian | Method and apparatus for producing thin wedges |
| US2189580A (en) * | 1937-05-29 | 1940-02-06 | Gen Electric | Method of making a photoelectric cell |
| GB541739A (en) * | 1940-07-16 | 1941-12-09 | Gabor Adam Veszi | Improvements in or relating to photo electric cells |
| US2373639A (en) * | 1943-01-23 | 1945-04-10 | Bausch & Lomb | Method and apparatus for forming films |
| FR1107451A (fr) * | 1949-11-08 | 1956-01-03 | Materiel Telephonique | Perfectionnements à la fabrication des redresseurs secs, notamment au sélénium |
-
1955
- 1955-10-28 GB GB30944/55A patent/GB830391A/en not_active Expired
-
1956
- 1956-10-23 US US617867A patent/US2886502A/en not_active Expired - Lifetime
- 1956-10-27 DE DEE13491A patent/DE1116015B/de active Pending
- 1956-10-27 FR FR1167761D patent/FR1167761A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE542404C (de) * | 1929-03-06 | 1932-01-23 | Steatit Magnesia Akt Ges | Verfahren zur Herstellung hochohmiger Widerstaende |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1515314B1 (de) * | 1966-02-04 | 1973-05-30 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung mit Ringentladung |
| DE1690276B1 (de) * | 1966-06-30 | 1972-05-04 | Texas Instruments Inc | Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE1765582B1 (de) * | 1967-06-15 | 1971-12-16 | Ibm | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung und zum anschliessenden bedampfen |
| DE2359893A1 (de) * | 1972-11-29 | 1974-07-04 | Triplex Safety Glass Co | Verfahren und vorrichtung zum niederschlagen einer durchsichtigen elektrisch leitenden metalloxidschicht |
| DE2417288A1 (de) * | 1974-01-31 | 1975-08-14 | Airco Inc | Zerstaeubungsvorrichtung |
| DE2417288C2 (de) * | 1974-01-31 | 1986-03-20 | BOC Technologies Ltd., London | Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
| DE2902848A1 (de) * | 1978-04-13 | 1979-10-18 | Litton Systems Inc | Verfahren zur herstellung von optischen mehrfachschichten |
| DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US2886502A (en) | 1959-05-12 |
| FR1167761A (fr) | 1958-11-28 |
| GB830391A (en) | 1960-03-16 |
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| Publication | Publication Date | Title |
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