DE2164660B2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Description

ist, um positive Abschrägungen für die jeweiligen leiterbauelement, und zwar einen rückwärts sperrenden PN-Übergänge zu erzeugen, wie z. B. die deutsche Thyristor. Eine Halbleiterscheibe 1 hat eine solche Offenlegungsschrift 1 564 146 (F i g. 1 und 12) zeigt. Gestalt, daß sie von einem Paar gegenüberliegender Hieraus ist es auch bekannt, im Verlauf des Seilrollen- paralleler Hauptoberflächen 11 und 12 und einer querschnitts nahe dem ersten PN-Übergang und dem 5 Seilrollenquerschnitt-Seilenoberfläche 13 begrenzt zweiten PN-Übergang Wendepunkte zu bilden. Es wird, die die beiden Hauptoberflächen 11 und 12 verwurden jedoch nur wenige Untersuchungen hinsieht- bindet, und umfaßt zusammenhängend vier Schichten lieh des Abschrägungsaufbaus von Seilrollenquer- von abwech dnd verschiedenem Leitungstyp, die mit schnitt Oberflächen vorgenommen, darunter solche, P_E, Nb, Pb unc Ne bezeichnet sind. Wenigstens die um zu zeigen, daß infolge Steigern¹= der Tiefe der Tal- io PN-Übergänge J₁ und J₂, die zwischen den Schichten sohle des Seilrollenquerschnitts in gewissem Grad, P_E und N_B bzw. N_B und" Pb gebildet sind, reichen bis d. h. Verringerung des Abschrägungswinkels der zur Seitenoberfläche. Weiter ist die Talsohle 131 des PN-Übergangsfläche und dadurch Verringerung der Seilrollenquerschnitts so angeordnet, daß sie in der Stärke des elektrischen Oberflächenfeldes, die Durch- Schicht N_n liegt. Diese Schichten P_E, N_ß, P_B und Ne bruchsspannung eines Halbleiterbauelements durch 15 sind eine P-Emitter-, eine N-Basis-, eine P-Basis- und diejenige innerhalb der Halbleiterunterlage bestimmt eine N-Emitterschicht, die in dieser Reihenfolge werden kann und daß es einen geeigneten Bereich für übereinandergeschichtet s:nd. Dabei ist die N-Emitterdie Tiefe der Talsohle geben muß, da eine übermäßige schicht Ne in der P-Basisschicht Pb eingebettet, und Tiefe einen Anstieg der elektrischen Oberflächenfeld- die P-Basisschicht Pr und die P-Emittersc'nicht Pe stärke in der Talsohle sowie Verringerungen der Fläche 20 haben eine höhere Veru^r ;einigungskonzentration als des Stromflusses und der mechanischen Festigkeit die der N-Basisschicht Nn- Eine Anodenelektrode 2 herbeiführt. Es war daher schwiewg, die Seilrollen- ist in ohmschen Kontakt mit einer Hauptoberfläche 12 querschnitt-Abschrägungsstruktur anzuwenden und der Scheibe 1, und zwar der Oberfläche der P-Emitter-Halbleiterbauelemente mit bestimmten Durchbruchs- schicht Pe gebracht. Eine Kathodenelektrode 3 ist in spannungen für verschiedene Anforderungen zu ent- 2:- ohmschen Kontakt mit der anderen Hauptoberfläche werfen und herzustellen und eine optimale Ausnutzung 11, d. h. der Oberfläche der N-Emitterschicht Ne geder Halbleiterunterlagen für einen bestimmten Strom- bracht. An der anderen Hauptoberfläche 11 ist noch fluß zu erreichen. eine Steuerelektrode 4 in ohmschem Kontakt mit der

Weiter ist es an sich bekannt (britische Patentschrift P-Basisschicht Pn angeordnet. Die Halbleiterscheibe 1

1 188 872) auf den abgeschrägten Seitenflächen von 30 ist auf einem Träger 5 befestigt, der eine angenäherte

Thyristoren einen Passivierungsüberzug anzubringen. gleiche Wärmeausdehnungskonstante wie die HaIb-

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein leiterscheibe 1 aufweist, wobei die Anodenelektrode 2

Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art so als Klebmittel dient.

auszubilden, daß mit der Abschrägungsform der Die Seitenoberfläche dieser Halbleiterscheibe 1 ist

Seitenkantenoberfläche des Halbleiterbauelements in 35 mit einem derartigen Seilrollenquerschnitt ausgebildet,

eindeutiger Weise erreicht wird, daß die Durch- daß die Formel
bruchsspannung des Bauelements von der innerhalb

der Halbleiterunterlage bestimmt wird, wobei eine . η m-n 1 _n-mi <r ai <- 1

möglichst hohe Durchbruchsspannung, eine große » {0,428 ■ (log e)- + 0,0133 · log ε - 0,783} ύ d/w ϊ 1

Stromkapazität, ein hoher Ausnutzungsfaktor der 40 (1)
Halbleiterunterlage für eine bestimmte Stromkapazität,

möglichst kompakte Abmessungen des Bauelements erfüllt wird, worin w die Dicke Jer Scheibe (d. h. den

und dessen Herstellbarkeit zu niedrigen Fertigungs- Abstand zwischen den beides. Hauptoberflächen), ddie

kosten ermöglicht werden sollen. Tiefe der Talsohle des Seilrollenquerschnitts, ε die

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge- 45 spezifische Dielektrizitätskonstante der Umgebungs-

Iöst, daß die Tiefe d der Talsohle der Bedingung atmosphäre und log den Logarithmus zur Basis 10

bedeuten. Der Grund, aus dem die Seitenoberfläche

i„ {0,428 · (log ε)² + 0,0133 · log ε — 0,783} 5Ξ — der Scheibe 1 mit einem solchen Seilrollenquerschnitt

^>v ausgebildet ist, der die Gleichung (1) erfüllt, wird in

genügt, worin w die Dicke der Halbleiterscheibe und ε 5° der folgenden Beschreibung offenbar,

die spezifische Dielektrizitätskonstante der Atmo- Nach im Rahmen der Erfindung durchgeführten

Sphäre um die Talsohle bedeutet. Experimenten wurde bestätigt, daß im Fall der Aus-

Die Erfindung wird an Hand der in der Zeichnung bildung der Seitenoberfläche einer Halbleiterscheibe

veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher er- als Seilrollenquerschnitt das Spitzenobeiflächenfeld

läutert; darin zeigt 55 in einer gewissen Tiefe der Talsohle konstant wird,

F i g. 1 einen schematischen Querschnitt zur Er- wenn man zu immer tieferen Niveaus der Talsohle 131

läuterung eines Ausführungsbeispiels eines Halb- übergeht. Diese Tatsache ist in F i g. 2 angedeutet,

leiterbauelements, F i g. 2 zeigt das normalisierte Spitzenoberflächen-

F i g. 2 Kurven zur Erläuterung der Beziehung feld E_sp in Abhängigkeit vom Verhältnis der Talsohle d

zwischen dem normalisierten Spitzenoberflächenfeld 60 des Seilrollenquerschnitts zur Dicke w der Halbleiter-

E_ap und dem Verhältnis der Tiefe der Talsohle des scheibe in Form von Kurven bei verschiedenen spe-

Seilrollenquerschnitts el zur Dicke der Halbleiter- zifischen Dielektrizitätskonstanten ε für die Um-

scheibe u> für verschiedene Werte der spezifischen gebungsatmosphäre als Parameter. Das normalisierte

Dielektrizitätskonstante ε der Umgebungsatmosphäre Spitzenflächenfeld E,_v erhält man aus der folgenden

als Parameter und 65 Beziehung:

F i g. 3 und 4 schematische Querschnitte anderer

Ausführungsbeispiele der Halbleiterbauelemente. £ — ^p * "'*

F i g. 1 zeigt ein Vierschicht-Dreianschluß-Halb- V„

worin E₁, das tatsächliche Spitzenoberflächenfcld in Volt je Zentimeter, w, die Verarmungsschichtclicke des PN-Überganges und V_a die angelegte Spannung bedeutet.

Es läßt sich aus diesen Kurven ablesen, daß das normalisierte Spitzenobcrflächenfeld E_sp angenähert konstant wird, wenn das Verhältnis der Talsohle ei zur Dicke der Halbleiterscheibe ir, d. h. d/w bestimmte Werte überschreitet (und zwar solche Werte an den Punkten A, B, C und D für die jeweiligen Kurven). Das Mindestverhältnis (d/w)_m\_n der Talsohle d und der Unterlagendicke w, d. h. solche Werte an den Punkten A, B, C und D und die spezifische Dielektrizitätskonstante e der Umgebungsatmosphäre um die Scitenoberfläche, so findet man, genügen der Beziehung

, {0,428 · (löge)³ + 0,0133 · löge - 0,783} ™ (--) min

worin der Logarithmus zur Basis 10 genommen ist. So wählt man zum Herabdrücken der Oberflächenfeldstärke an der Seitenoberfläche der Halbleiterscheibe von Seilrollenquerschnitt auf einen bestimmten ^a5 Wert mit guter Reproduzierbarkeit das Verhältnis der Talsohle d zur Scheibendicke w, d. h. d/w so, daß die Gleichung

₁₀ {0,428 · (löge)² + 0,0133 -löge - 0,783} ^ (-£)min S d/w (3)

erfüllt wird.

Andererseits wurde gefunden, daß die Sandblasmethode, bei der Schleifpulver, wie z. B. Aluminiumoxydpulver, aus einer dünnen Düse gegen eine Scheibenseitenoberfläche geblasen wird, zur Bildung einer Seitenoberfläche mit Seilrollenquerschnitt in der Hinsicht am geeignetsten ist, daß sie eine gute Reprodu- *o zierbarkeit gewährleistet. Nach diesem Verfahren sind, bis die Talsohle d angenähert gleich der Unterlagendicke vv wird, sowohl die Reproduzierbarkeit als auch die Wirksamkeit gut, wenn jedoch die Talsohle d größer als die Scheibendicke w wird, ist die Reproduzierbarkeit des SeilroIIenqiierschnitts schlechter, und außerdem werden solche Teile, wo die Seitenoberfläche die Hauptoberflächen erreicht, sehr dünn und mechanisch schwach und können daher leicht brechen.

Ein weiteres Vertiefen der Talsohle führt zu einer Verringerung der Querschnittsfläche für den Stromfluß, und so gehen die guten Wirkungen der Verwendung der Seilrollenquerschnitt-Abschrägungsstruktur an Stelle des Doppelabschrägungsaufbaus weitgehend verloren.

Deshalb wählt man, wenn diese SeilroIIenquerschnitt-Abschrägungsstruktur verwendet wird, das Verhältnis der Talsohlentiefe d zur Scheibendicke w unter Berücksichtigung der Reproduzierbarkeit, der Wirksamkeit und des Erhaltens eines gewünschten Seilrollenquerschnitts mit einer ausreichend weiten Querschnittsfläche für den Stromfluß vorzugsweise im Bereich d/w ^ 1.

Auf Grund vorstehender Überlegungen wählt man, wenn man in industriellem Maßstab Halbleiterbauelemente mit einer Halbleiterscheibe von Seilrollenquerschnitt - Seitenoberflächenaufbau herstellt, das Verhältnis der Talsohlentiefe des Seilrollenquerschnitts il zur Dicke einer Halbleiterscheiben· vorzugsweise in dem Bereich

_l0 {0,428 -(log*)²

0,0133 · log ε - 0,783} ί d/w

worin « die spezifische Dielektrizitätskonstante der Atmosphäie um die Seitenoberflächc herum bedeutet.

Gemäß der vorstehend erläuterten Erfindung läßt sich ein Halbleiterbauelement hoher Durchbruchsspannung und großer Stromkapazität im Verhältnis zur Abmessung der Halbleiterscheibe schaffen. Zum Beispiel ist bei der Fertigung eines Thyristors der Durchbruchsspanriung von 4000 V unter Verwendung einer Siliziumscheibe eines Duichmessers von 40 mm und einer Dicke von 1 mm die Stromkapazität nach dem bekannten Zweistufenschrägungsaufbau 35OA, während sie nach dem erfindungsgemäßen Seilrollenquerschnitt-Abschrägungsaufbau 500 A, d. h. das 1,4-fache gegenüber dem bekannten wird.

Wenn die Durchbruchsspannung erhöht, d. h. die Dicke der Halbleiterscheibe gesteigert wird, erweist sich der Unterschied in der Stromkapazität für die beiden Fälle, d. h. das bekannte Bauelement einerseits und das erfindungsgemäße Bauelement andererseits, noch größer.

So lassen sich zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit bestimmter Durchbruchsspannung und Stromkapazität erfindungsgemäß kleineie Halbleiterscheiben verwenden, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten und gleichzeitig zu einem verbesserten Fertigungswirkungsgrad führt.

Weiter wurde im Fall der Auslegung des Oberflächenaufbaus eines Halbleiterbauelementcs mit einer bestimmten hohen Durchbruchsspannung nach dem bekannten Aufbau nur der Abschrägungswinkel verringert, um die Oberflächenfeldstärke herabzusetzen, während nach dem erfindungsgemäßen Aufbau die Tiefe der Talsohle unter gleichzeitiger Berücksichtigung der Dielektrizitätskonstante der Atmosphäre um die Seitenoberfläche bestimmt werden kann. So läßt sich der Oberflächenaufbau unter Berücksichtigung des Herstellwirkungsgrades vorteilhaft bestimmen, und dadurch läßt sich der letztere im Vergleich mit dem des bekannten Aufbaus steigern.

F i g. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispial eines Halbleiterbauelements mit einer Halbleiterscheibe des Seilrollenquerschnitt-Seitenflächenaufbaus, der der Beziehung der Gleichung (1) genügt, wobei Wendepunkte nahe der an die Oberfläche tretenden PN-Übergangsoberflächen liegen. In F i g. 3 bezeichnen gleiche Bezugszeichen wie in F i g. 1 gleiche Teile.

Ein solcher AVendepunkt 132 ist nahe eines an die Seitenoberfläche tretenden PN-Übergangs gebildet, und der Abschrägungswinkel an der Hauptoberflächenseite ist größer als an der Talseite ausgebildet.

Wenn man die Seilrollenquerschnitte nach F i g. 1 und 3 vergleicht, so ergibt sich, daß das Spitzcnoberflächenfeld im Fall von F i g. 3 kleiner als das nach F i g. 1 gemacht werden kann. Dies kommt daher, daß in F i g. 1 der Maximalpunkt des Oberflächenfeldes nur an dem Talteil existiert, während nach F i g. 3 ein anderes Maximum am Wendepunkt auftritt, von dem ein erheblicher Betrag von Spannung aufgenommen wird. Weiter ist auch die mechanische Festigkeit der Halbleiterscheibe im Fall von F i g. 3

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größer als nach Fig. 1. So ermöglicht der Aufbau bestimmt, und es wird unmöglich, eine Anordnung

nach F i g. 3 eine leichtere mechanische Behandlung mit einer höheren Durchbruchsspannung als der der

und führt zu einer besseren Ausbeute. umgebenden dielektrischen Atmosphäre zu schaffen.

F i g. 4 zeigt noch ein weiteres Ausführungsbeispiel Der leichteste Weg, dieses Problem zu lösen, wäre die

eines Halbleiterbauelements mit Seilrollenquerschnitt- 5 Anordnung des Halbleiterbauelements in einer At-

Seitenobei fläche, die der Gleichung (1) genügt und mit mosphäre hoher dielektrischer Durchschlagsspannung

einer Schicht niedriger Dielektrizitätskonstante 6 und oder die Abdeckung der Seitenoberfläche des Bau-

eintr weiteren Schicht hoher Dielektrizitätskonstante 7 elements mit einem dielektrischen Material hoher

bedeckt ist. dielektrischer Durchschlagsspannung. Bei dem lctzte-

Wie oben beschrieben wurde, ist die Oberfläche einer io ren Verfahren ist festzustellen, daß man einen Leck-Halbleiterscheibe aktiv und daher empfindlich gegen- strom durch die Scheibenoberfläche fließen lassen über dem Einfluß der Umgebungsatmosphäre. So kann, wenn sie mit einem dielektrischen Stoff hoher wird allgemein die Oberfläche von Halbleiterbau- dielektrischer Durchschlagsspannung bedeckt ist. Das elementen mit einem Dielektrikumsfilm, wie z. B. in F i g. 4 gezeigte Bauelement löst dieses Problem. Siliziumdioxyd oder Siliziumnitrid bedeckt, um den 15 Und zwar ist zunächst eine Überzugsschicht 6 ge-Oberflächenzustand zu passivieren. In Leistungshalb- ringerer Dielektrizitätskonstante, z. B. Siliziumdioxyd leiterbauelementen ist außer der Passivierung der (spezifische Dielektrizitätskonstante 4,5), auf der Oberfläche eine Vergleichmäßigung der Oberflächen- Seitenoberfläche der Halbleiterscheibe angebracht und feldverteilung und Verringet ung der Oberflächenfeld- dann ein Mantelteil 7 höherer Dielektrizitätskonstärke erforderlich. ao stante, z. B. eine Mischung von Bariumtitanat (spe-

In der Beschreibung der Bauelemente nach F i g. 1 zifische Dielektrizitätskonstante 10 bis 18) mit Silikon- und 3 wurde angenommen, daß die dielektrische Festig- gummi über der Überzugssschicht 6 so angeordnet, keit der Umgebungsatmosphäre größer als die Oberflä- daß dadurch das Tal des Seilrollenquerschnitts auschenfeldstärke der Unterlage ist. In Bauelementen gefüllt ist. Die Überzugsschicht 6 wirkt zur Verhoher Durchbruchsspannungen kann jedoch die Umge- as ringerung des Leckstroms, und der Mantel teil 7 verbungsatmosphäre, z. B. Luft, einen dielektrischen ringen die Oberflächenfeldstärke und macht das Auf-Durchschlag bewirken. Dann wird ohne Rücksicht treten einer Raumentladung durch Verlängerung des auf die Gestalt der Seitenoberfläche die Durch- Entladungsweges schwierig.

brxhsspannung des Bauelements allein durch die Die Erfindung läßt sich in gleicher Weise auch auf

elektrische Durchschlagsspannung der Atmosphäre 30 Vierschicht-Zweianschluß-Bauelemente anwenden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Halbleiterbauelements durch den Oberflächenzustand Patentansprüche: der Halbleiterunterlage beeinflußt. Zum Erreichen einer guten Reproduzierbarkeit der

1. Halbleiterbauelement mit einer zwei gegen- Durchbruchsspannung von Halbleiterbauelementen überliegende Hauptoberflächen aufweisenden Halb- 5 ist es erforderlich, Vorsorge zu treffen, daß die Durchleiterscheibe, die eine erste Schicht eines ersten bruchsspannung eines Halbleiterbauelements durch Leitungstyps, eine zweite Schicht des anderen die der Halbleiterunterlage bestimmt wird, die einfach Leitungstyps mit geringerer Verunreinigungskon- durch die Verunreinigungskonzentration festgelegt zentration als der der daran unter Bildung eines wird. Um dies zu erreichen, soll die Oberflächenfeldersten PN-Überganges angrenzenden ersten Schicht io stärke einer Halbleiterunterlage ausreichend geringer und die eine an die zweite Schicht unter Bildung als die Feldstärke in der Unterlage sein. Es ist bekannt, eines zweiten PN-Überganges angrenzende dritte daß zur Verringerung der Oberflächenfeldstärke unter Schicht des ersten Leitungstyps mit höherer Ver- die Innenfeldstärke die Seitenoberfläche einer HaIbunreinigungskonzentration als der der zweiten leiterunterlage, an der ein PN-Übergang frei liegt, mit Schicht enthält oder die zusätzlich zu diesen drei 15 Erfolg diesem gegenüber abgeschrägt werden kann. Schichten eine vierte, mit einer Oberfläche in der Es ist ebenfalls bekannt, daß im Fall einer positiven dritten Schicht frei liegend eingebettete und mit Abschrägung, wo die Zone höherer Verunreinigungsdieser einen dritten PN-Übergang bildende Schicht konzentration einen größeren Querschnitt hat, wenn des anderen Leitungstyps mit höheier Verunreini- sie sich von einem PN-Übergang entfernt, der Winkel gungskonzcntration als der der dritten Schicht ent- ac zwischen der PN-Übergangsoberfläche und der Seitenhält, bei der der erste und der zweite PN-Übergang kantenoberfiäche an der Seite niedrigerer Verunreinibis zu ihrer Seitenfläche reichen, die einen Seil- gungskonzentration vorzugsweise 15 bis 60° beträgt, roüenquerschnitt aufweist und bei der die Talsohle und daß im Fall einer negativen Abschrägung, wo die des Seilrollenquerschnitts der Seitenfläche in der Zone höherer Verunreinigungskonzenti ation einen zweiten Schicht liegt, dadurch gekenn- 25 geringeren Querschnitt hat, wo sie sich von einem zeichnet, daß die Tiefe d der Talsohle (131) PN-Übergang entfernt, der Winkel zv/ischen der der Bedingung PN-Übergangsoberfläche und der Seitenkantenober-

,. ... ., ., „„,,, , rv-,0-,1^ d fläche an der Seite niedrigerer Verunreinigungskonzen-

„ {0,428 · (löge)- -r 0,0133 -löge - 0,783} ^ - _{tration vorzugsweise 170 bis 180}o _beträgt (_{d h 0 bis}

30 10\ wenn auf der Seite höherer Verunreinigungskon-

genügt, worin ir die Dicke der Halbleiterscheibe (1) zentration betrachtet). Entsprechende Einzelheiten

und ε die spezifische DieltKtrizitätskonstante der sind in den USA.-Patentschriften 3 179 860 und

Atmosphäre um die Yaisoh't (131) bedeutet. 3 361943 bzw. in den deutschen Patentschriften

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, da- 1 464 o22 und 1 212 215 beschrieben.

durch gekennzeichnet, daß das Verhältnis cljw 35 Bei bekannten Thyristoren hoher Durchbruchs-

nicht größer als 1 ist (d/w g 1). spannung werden sowohl Vorwärts- als auch Rück-

3. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 wärtssperreigenschaften benötigt, und ein PN-Über- und 2, dadurch gekennzeichnet, daß im Verlauf gang zwischen einer P-Emiüerschicht und einer des Seilrollenquerschnitts (13) nahe dem ersten N-Basisschicht wird mit einer positiven Abschrägung PN-Übergang [J₁) und dem zweiten PN-Übergang 40 von 15 bis 60° und ein weiterer PN-Übergang zwischen (J₂) Wendepunkte (132) gebildet sind (F i g. 3). der N-Basisschicht und der P-Basisschicht mit nega-

4. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 tivcr Abschrägung von 0 bis 10° gebildet. Solche und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Seih ollen- Strukturen, wo eine positive und eine negative Abquerschnitt-Seitenfläche (13) von einer Überzugs- schrägung in der Seitenoberfläche einer Halbleiterschicht (6) niedriger Dielektrizitätskonstante be- 45 unterlage gebildet werden, nennt man auch Doppeldeckt ist und daß ein die Talsohle (131) des Seil- abschrägungsstrukturen, da die abgeschrägte Oberrollenquerschnitts ausfüllender weiterer Über- fläche in zwei Stufen gebildet wird. Beim Doppelzug (7) höherer Dielektrizitätskonstante als der abschrägungsaufbau wird die Fläche der Hauptder Überzugsschicht (6) vorgesehen ist. oberfläche, die auf der N-Emitterschichtseite ist, viel

5c kleiner als die der P-Emitterschichtseite, und daher

bestimmt sich die Maximalstromkapazität nach der

Fläche der N-Emitterschicht. So haben Halbleiterbauelemente der Doppelabschrägungsstruktur einen

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter- Nachteil dadurch, daß die maximale Stromkapazität

bauelement mit den im Oberbegriff des Haupt- 55 für eine Halbleiterunterlage bestimmter Abmessung

anspruchs genannten Merkmalen. gering ist. Weiter muß bei der Doppelabschrägungs-

Allgemein besteht zur Erhöhung der Durchbruchs- struktur, wenn die Vorwärts- und Rückwärts-Durch-

spannung von Halbleiterbauelementen, wie z. B. bruchsspannungen von gleicher Größe sein sollen, der

Dioden und Thyristoren, ein sehr wesentliches Pro- Winkel für die negative Abschrägung etwa 10° oder

blem im Oberflächenzustand von Halbleiterunterlagen, 60 geringer sein. Dies führt zu einem anderen Nachteil,

an denen ein PN-Übergnng frei liegt. Ein" Halbleiter- indem nämlich Hochqualitätstechniken zum Erhalten

Unterlagenoberfläche ist sehr aktiv und wird leicht solcher Abschrägungswinkel mit guter Reproduzier-

durch die umgebende Atmosphäre beeinflußt. Wenn barkeit erforderlich sind.

Feuchtigkeit und/oder ionisierbares Material in der So hat man zur Beseitigung solcher Nachteile Halb-Atmosphärevorhanden sind, haften sie an der Unter- 65 leiterbauelemente der eingangs genannten Alt belagenoberfläche und machen die Oberflächenfeld- schrieben, bei denen die Seitenoberfläche einer Halbstärke größer als die Feldstärke in der Halbleiter- leiterscheibe in Seilrollenform oder V-Forrn (im folunterlage. So wird die Durchbruchsspannung eines genden als Seilrollenquerschnitt bezeichnet) gebildet