DE2031017A1 - Photoleitfahige Zusammensetzung - Google Patents

Description

Patentanwälte Dipl^-Ing. F. Weicimann, 2031017

Dipl.-Ing. H. Weickmann, Dipl-Phys. Dr. K. Fincke Dipl.-Ing. F. A.Weickuann, Dipl.-Chem. B. Huber

I MÜNCHEN 16, DEN POSTFACH KO120 MDHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 4t 3»21/22

Yi/ τη Z.402 (XD/2599)

Xerox Corporation, Rochester, N.Y., USA

Photole.itfiihige Zusammensetzung

Die !Erfindung betrifft Verbesserungen in der Xerographie, eie "beiriff-fc insbesondere eine neue photoleitfähige Zusammensetzung.

Beim Xerographieren wird eine xerographische Platte, die eine · photoleitfähige Isolierschicht besitzt, mit einem Bild vergehen, indem man zuerst ihre Oberfläche gleichmässig elektrostatisch auflädt. Die Platte wird dann mit einem Bildmotiv von aktivierender, elektromagnetischer Strahlung, wie Licht, belichtet, welche die Ladung in den belichteten Gebieten des photoleitfähigen Isolators selektiv auflöst und ein latentes, elektrostatisches Bild auf dem nicht-belichteten Gebiet'zurücklässt. Dieses latente, elektrostatische Bild kann dann unter Bildung eines sichtbaren Bildes entwickelt werden, indem man feinverteilte elektroskopische Partikel auf der Oberfläche der photoleitfähigen Isolierschicht abscheidet. Die Grundlinien der Xerographie wurden von Carleon in der US-Patentschrift 2 297 691 niedergelegt, die weiteren Ausbauarbeiten führten zu vielen Patenten.

009882/1991

Die Feststellung des photoleitfähigen Isoliervermögens von hoch-. gereinigtem glasartigem Selen hat dazu geführt, dass diesets '!.fa-• terial zu einem Standard in der technischen, wiederverwendbaren Xerographie geworden ist. Die US-Patentschrift 2 970 906 "beschreibt die Verwendung von glasartigem Selen in der Xerographie, Eine hervorstechende Eigenschaft von glasartigem Selen ist seine Fähigkeit, eine elektrostatische Ladung relativ lange Zeit au halten und zu bewahren, solange es nicht dein Licht ausgesetzt wird, und dass es relativ lichtempfindlich ist im Vergleich ζυ. vielen anderen photoleitfähigen Materialien. Ausserdem ist glasartiges Selen fest und stabil genug, um viele tausend Kaie verwendet werden zu können.

Man fand, dass die Zugabe von Arsen zu Selen die Anfälligkeit von Selen für schädliches Kristallwachstum während des Gebrauches signifikant verringert. Die US-Patentschriften 2 803 542 -und 2 822 300 beschreiben die Verbesserung der Eigenschaften von glasartigem Selen durch die Einverleibung von elementarem Arsen in Mengen von etwa 0,1 bis 50 Gew.fi. Ausser der Erhöhung der Krisballisationsbeständigkeit'durch die Verwendung von Arsen wurden auch Halogene, wie Jod und Chlor, den Selen-Arsenlegierungen zugesetzt, um ihre elektrischen Eigenschaften, wie die Empfindlichkeit und spektrale Ansprache, zu verbessern. Dieses. Konzept ist in der US-Patentschrift 3 312 548 enthalten.

Beim Abbilden mit xerographischen Platten, die Legierungen des Selsn-Arsensystems benutzen, wie die oben beschriebenen, ist, as bei der Entwicklung wichtig, dass die xerographische Platte, die daa latente, elektrostatische Bild trägt, in den Bildregionen (das sind diejenigen Gebiete, in denen die Tonerpartikel festgehalten werden sollen) ein ausreichendes Potential besitzt damit Kopien von gut^r Qualität mit hoher Auflösung und Dichte gleichbleibend erhalten werden. Das Potential, welches für die Entwicklung eines latenten, elektrostatischen Bildes verfügbar ist, wird das Kontraatpotential genannt und kann als die Differenz zwischen der scheinbaren. Spannung an der Oberfläche der xerographischen Platte und dam Hivaau der Restspararang auf der

009882/1931

Platte definiert werden. Die Restspannung oder das Restpotential kann als die scheinbare Oberflächenspannung bezeichnet werden, die auf den belichteten Gebieten der photoleitfähigen Oberfläche zurückbleibt. Hohe Restpotentiale sind ein besonderes Problem bei der wiederverwendbaren Xerographie, da eine photoleitfähige Platte, die tausendfach benutzt wird* von Katur aus ein gewisses Restpotential aufgrund der tausendfachen Belichtungsvorgänge, die während des xerographic;chef! Prozesses stattfinden,, aufbaut. Die Besiehung zwischen Restpotential tsnd Kontrastpotential kann durch ein einfaches Beispiel veranscha-alicht werden, Wenn in einem Falle eine xerographische Platte auf ein festgehaltenes Oberfiächenpotential von 500 YoIt aufgeladen wird und eine theoretisch vollkommene Entladung zeigt, so besitzt sie ein Restpotential ~ 0. Die für die Entwicklung verfügbare effektive Spannung oder das Kontrasΐροtential beträgt somit 300 Volt (unter der Annahme, dass keine Dunkel ent lo.dung stattfindet). Wenn andererseits eine andere xerographische Platte zu Beginn auf ein festgehaltenes Potential von 300 YoIt aufgeladen wird, aber ein Restpotential von 200 YoIt besitzt, so ist ersichtlich, dass die Differenz zwischen der Rest- und Anfangsspannung nur 100 YoIt ' beträgt. Diese 100 YoIt sind die effektive Spannung, die für die Entwlelilung: (d.h. das Kontrastpotential) des latenten, elektro» statisahen Bildes verfügbar ist. Es ist klar· ersichtlich, dass dies bei der Herstellung von Bildern auf xerographisehen Platten bei der wiederverwendbaren Xerographie von grosser "Bedeutung ist, etR&B die Restsiparuaung auf dem niedrigstmöglichen Minimum gehalten werden urass, damit eiiie gegebene xerographische Platte ein maximales Kontrastpotential besitzen kann.

Siel der vorliegenden Erfindung ist daher die Schaffung einer photoleitfähigen Zusammensetzung, die ein niedriges Restpotential besitzt und die Schaffung eines Abbildungssystemes, welches eine neue photoleitfähige Zusammensetzung mit verbesserten elektrischen Eigenschaften benutzt sowie eine verbesserte xerographische Platte, die Legierungen des Selen-Arsen-Systems verwendet, die eine geringe Menge Indium enthalten. -.-■·'..

009882/1991

BADORlQiNAL

Erfindungsgemäss werden diese und andere Ziele durch die "Schaffung einer xerographischen Platte verwirklicht, die eine neue, glasartige Selen-Arsenlegierung einschliesst, die einen gerin~ geren Gewichtsteil Indium enthält. Es wurde gefunden, dass die Zugabe von Indium zu Selen-Arsenlegierungen besonders hervorragende Ergebnisse im Hinblick auf die Erniedrigung des Restpo- , tentiales liefert und somit das für die xerographische Entwicklung verfügbare Kontrastpotential erhöht. Weiter sei darauf hingewiesen¹, dass andere elektrische Eigenschaften, wie die Dunkelontladung und die Spektralempfindlichkeit,in keiner Weise durch die Indium-Dotierung beeinträchtigt werden und in der Tat in einigen Fällen sogar erhöhte Spektralempfindlichkeit auftritt. Die Vorteile dieses verbesserten Photorezeptors ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der vorliegenden Erfindung, insbesondere in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen..-

Pig. 1 ist ein schematisches Schnittbild einer Form einer erfindungsgemässen xerogra.phischeh Platte.

Pig. 2 stellt eine charakteristische Aufladungs- und Entladungskurve für eine Ausführungsform einer xerographi sehen Platte dar, die in den Rahmen der vorliegenden Erfindung fällt.

Pig. 1 veranschaulicht eine Ausführungsform einer verbesserten, erfindungsgemäasen xerographischen Platte 10. Die !Bezugszahl Vl bezeichnet einen Träger, der vorzugsweise ein elektrisch leitfähiges Glied ist. Dies ist üblicherweise eine Metallplatte, wie Messing, Aluminium, Gold, Platin, Stahl oder dergleichen. Der Träger kann irgendeine zweckmässige Dicke besitzen; starr, flexibel,in Form einer Folie, eines Gewebes, eines Zylinders oder dergleichen sein und mit einer dünnen Kunststoffschicht beschichtet sein. Er kann auch andere Materialien einschliessen, wie metallisiertes Papier, Kunststoffolien, die mit einem dünnen Überzug aus Aluminium beschichtet sind oder Kupferiodid, oder Glas* das mit einer dünnen, leitfähigen Schicht aus Chrom öder oxyd beschichtet ist. Ein wichtiger Gesichtspunkt ist der;»

BAD ORlQlNAt

_ 5 — ■

das Trägerglied etwas elektrisch leitfähig ist oder eine leitfähige Oberfläche oder Beschichtung besitzt und dass es so fest ißt, dass die Handhabung in gewissem Umfange möglieh ist. In einigen Fällen kann man auf den Träger 11 sogar völlig verzichten. Die Bezugszahl'12 bezeichnet eine photoleitfähige Isolier-. Schicht, die auf dem Trägerglied 11 aufgetragen ist. Die neue Zusammensetzung der Schicht 12 enthält eine glasartige Selen-. Arsenlegierung, die Arsen in einer Menge im Bereich von etwa 0,1 bis 50 Gew.$ enthält und eine genügende Menge Indium enthält, um ihre elektrischen Eigenschaften zu verbessern. Arsen im Bereich von etwa 0,1 bis 20 fo ist bevorzugt, da niedrige Arsenkonzentrationen bei der Dotierung mit Indium die besten elektrischen Eigenschaften liefern . Optimale Ergebnisse erhält man mit Arsen in einer noch bevorzugteren Konzentration von etwa 0,1 bis 0,5 $>* ■ Das Indium sollte in einer Menge im Bereich von etwa 1 bis 2000 ppm vorhanden sein. Ein Bereich für Indium von etwa 1 bis 200 ppm ist bevorzugt, v/obei etwa 15 bis 50 ppm besonders bevor-' zugte Ergebnisse liefern.

Die Dicke der photoleitfähigen Schicht 12 ist nicht besonders kritisch, da sie in jeder zweckdienlichen Dicke verwendet werden kann, je nach ihrer xerographischen Anwendung. Beispielsweise beträgt bei allgemeinen technischen Anwendungen einer photoleitfähigen Schicht für die Xerographie die Dicke im allgemeinen etwa 20 bis 80 Ai, Es können jedoch auch Dicken bis zu etwa 300 p. verwendet werden und solche unterhalb 20 yu liegen auch im Hahmen der vorliegenden Erfindung,

Platten, welche die neue photoleitfähige Zusammensetzung der-vorliegenden Erfindung enthalten, können nach jeder geeigneten Technik hergestellt worden. Beispielsweise können dio paEJseriden Anteile Araen und ^Jelen zusammengemischt werden und die gewünschte Indiummenge au der Mi ω ο hung hinzugefügt v/erden. Diene Wi schling kann darm über ihren Schmelzpunkt erhi tab werden und In geschmolzenem Zustand auf eine leib fähige. Unterlage auf ^; ^ brach b werden* Eino besondere sufr Lederin b eil ende Technik betrifft' die¹¹ Vakuumverdampfung,- wobei eine VOr-Logierum* oder i)tiuiw\-Lv<^f,Levung_t

v 0098 82/ 1991

welche die gewünschten Anteile an Arsen, Selen und Indium enthält, zuerst hergestellt wird. Diese Starasi-Legierung wird dann in einen inerten Tiegel gebracht, der sich in einer Vakuumkammer befindet, und erhitzt, um einen dünnen, glasartigen Film der mit Indium dotierten Selen-Arsenlegierung auf ein Trägersubstrat aufzudampfen, das gewöhnlich über dem Verdampfungstiegel aufgehängt ist. Bei dieser Technik können die typischen Vakuumbedingungen

-4-7

von etwa 10 bis 10 Torr schwanken. Eine andere typische Verdampf ungsmetho de betrifft die SclmelULverdampfung unter ähnlichen Vakuumbedingungen, wie sie oben definiert wurden, wobei ein Pulver, das eine legierungsmischung der gevTünschten Proportionen umfasst, selektiv in einen erhitzten Tiegel getropft wird, der bei erhöhter Temperatur gehalten wird. Der gebildete_Dampf wird nach oben auf ein Substrat aufgedampft, das ülber dem Tiegel gehalten wird. Bei beiden obigen Methoden der Yaloiupiverdampfung wird das Substrat, auf welches das photoleitfähige Material aufkondensiert wird, gewöhnlich bei einer Temperatur im" Bereich von etwa 50 bis 80⁰Cj für geringe Arsenkonzentrationeiij gehalten. Enthält die legierung Arsen in Mengen, die 4-0 <& Arsen erreichen, so kann die Substrattemperatur bis zu'180 bis 200⁰C betragen. G-ewünschtenfalls kann eine wassergekühlte Platte oder eine andere geeignete Kühlvorrichtung verwendet werden, van eine konstante Substrattemperatur aufrechtzuerhalten.

Die Tiegel, die für die Verdampfung der Photorezeptorschiehten der vorliegenden Erfindung verwendet werden, können aus irgendeinem Inerten Material, wie Quarz, molybdän, rostfreiem Stahl etc., bestehen. Die US-Patentschriften 2 803 542; 2 822 300; 2 901 548; 2 963 376 und 2 970 906 schildern allesamt typische Vakuumverdampfungstechniken, die für die Bildung von photcleit-r fähigen Schichten der vorliegenden Erfindung geeignet sind.

Pig. 2 stellt eine typische Aufladungs- und Entladungskurve für eine xerography.sehe Platte dar, die in den liahraen der vorliegenden Erfindung fällt» Wi.e die' Figur seigt, ist das Potential du ν Pl ab tu für verschiedene .Zeitpunkte während dos yerographi-Zyklus dai?£:t.£j tell't. Die Platte wird su Beginn im Dunkeln

O0^;ff8^:8-2/-19.91

_ π

auf ein gegebenes Potential aufgeladen, das sogenannte ■"Annahmepotential" (acceptance potential). Nachdem die Platte aufgeladen worden ist, tritt ein relativ geringer Spannungsverlust, die sogenannte "Dunkelentladung",auf. Wird die Platte durch belichten mit einem Bild versehen, so findet in den belichteten Gebieten eine rasche Entladung äer Platte statt, wie es die nahezu vertikale Linie der Entladungskurve zeigt. Der grösste Teil der Spannung geht in den-belichteten Gebieten durch Defektleitung oder Elektronenleitung durch die photoleitfähige Schi'cht, die während der Belichtung elektrisch leitfähig'wird, verloren. Die Platte entlädt sich jedoch normalerweise nicht bis zum Jtfullpotential, sondern die Entladung läuft auf einem Potential aus, dein sogenannten "Restpotential", ein liiveau unterhalb dem eine gegebene Platte normalerweise nicht entladen werden kann. Y/ie νοχ-her schon definiert, ist das Restpotential die scheinbare Oberflächenspannung, die in den belichteten Gebieten der pho toi ei tfäliigen Oberfläche zurückbleibt. Es ist Wünschenswert, eine möglichst niedrige Restpotentialspannung (d.h. eine Spannung in der Sähe von O) zu erreichen. Bezogen auf die xero— graphisehe Entwicklung, kann der für die Entwicklung verfügbare Spannungsbetrag als "Iiontrastpotential" bezeichnet werden und er ist als die Spannungsdifferenz definiert, die zwischen derjenigen, die vor dem Belichten auf der Platte verblieben ist und " dem Restpotential besteht.

V/ie vorher bereits ausgeführt, wurde gefunden, dass die Zugabe von Indium in geringen aber entscheidenden Mengen zu Selen-Arsenlegierungen den Effekt hat, dass das Restpotential erniedrigt wird und somit das für die Entwicklung von xerographi-Bchen Bildern verfügbare Kontraetpotential erhöht wird»

Die folgenden Beispiele erläutern die vorliegende Erfindung speziell im Hinblick auf eine Methode zur Herstellung und zum Testen eines Selen-Arsen-Photorezeptors, der eine geringe aber entscheidende Menge Indiuia enthält. Die in der Beschreibung, den Beispielen land Ansprüchen genannten Prozentsätze stellen GewichtsprozentsätiJe αε:ι·, wenn nichts anderes angegeben ist. Die fölgen-

•GÖ9882/1S01

ι ■ - ■ -

BADORfQINAL

2Q31017

den Beispiele und Daten sollen verschiedene bevorzugte Ausfüh rungsformen dei? vorliegenden Erfindung erläutern.

Eine Mischung aus einer Selen-Arsenzusammensetzung, die 1/2 $ Arsen und die Ausgleichsmenge Selen in Form von Pillen mit einen Durchmesser im Bereich von etwa 3,175 mm bis 4,762 mm (1/8 bis 3/16 inch) enthält, wird physikalisch mit Indium in einer Konzentration von etwa 30 ppm vermischt. Diese Mischung wird in eine Pyrexampulle gebracht, die evakuiert und verschlossen wird. Die Ampulle, welche das legierungsgemisch enthält, wird dann in einen Muffelofen gestellt 'und bei einer Temperatur von etwa 260⁰O 24 Stunden lang umgesetzt, wobei sie in einer im Ofen befindlichen Vorrichtung bewegt wird, um eine homogene LegierungBmischung zu gewährleisten, Kach 24 Stunden wird die Ampulle, welche die Legierungsmisclnmg enthält, aus dem Ofen entfernt und sofort in flüssigem Stickstoff abgeschreckt. Aus der Glasampulle wird eine glasartige Selen-Arsenlegierung, die mit 30 ppm Indium dotiert ist, entnommen, aufgebrochen und in relativ kleine Stückchen zerstossen, die für die Vakuumverdampfung geeignet sind,

Beispiel 2

Eine xerographische Trommel mit einer glasartigen Schicht einer Selen~Ars^Q,nlegierung, die 1/2 $ Arsen enthält und mit 30 ppm Indium dotiert ist, wird auf folgende Weise hergestellt;, Ein hohler Aluminiumzylinder mit 12 cm (4 3/4 inch) Durehmesser und 26 cm (10 1/4 inch) Länge wird etwa 30,5 cm (12 inch) über einem mit SiOo beschichteten Tiegel aus .rostfreiem Stahl_t der eine Probe der mit Indium dotierten Selen-Arsenlegierung des Beispieles 1 enthält, drehbar befestigt. Der Tiegel und die Trommel befinden sich in einer Vaku*umverdampfungskammer und die Kammer wird auf

-5
ein Vakuum von etwa 5 χ 10 Torr evakuiert* Das Schiffchen, welches die mit Indium dotierte Selen-^raenleglerung enthält,, wird dann erhitzt, indem man das Schiffchen auf eine Temperatur von etwa' 35O⁰O aufheizt, während clie Oberfläche der Aluminium^ trommel bei einer Temperatur von etwa 6O^Ö0 gehalten wir<|* lie*

BAD

Schiffchentesperatur wird über einem Zeitraum von etwa 1-Stunde aufrechterhalten, während das Aluminiumsubstrat mit etwa 10 bis 15 Umdrehungen pro Hinute gedreht wird, v/obei ein glasartiger Legierungsüberzug auf der Trommeloberfläche ausgebildet wird. Im Anschluss an die Vakuumverdampfung wird die Kammer auf Raum™ tempe.ratur abgekühlt, das Vakuum weggenommen und die legierungs™ beschichtete Trommel aus der Kammer entfernt.

Eine-Reihe von 11 Aluminiumtrommeln, die Selen_/legiert mit 1/2 fo Arsen und dotiert mit verschiedenen Indiummengen,enthalten, werden nach den oben in den Beispielen 1 und 2 angegebenen Techniken hergestellt. Diese Trommeln.werden dann getestet, um die Restspannung und das Kontrastpotential zu messen. Die Ergebnisse dieser Tests sind in der nachstehenden Tabelle zusammengefasst:

	c/> Indium	Tabelle	V e (Rests p-annung)
Trommel Wr.	(ppm)	O.Pv (Kontrast-
(Se+1/2 Aa)	1	potentia])	20
1	10	710	40
2	15	720	VJl
3	30	580 '	0
4	30	690	10 ■ . ;
5	50	750	0
6	50	680	20
7	100	690	50
8	100	720	40
9	•200	710	Ul
IO	200	675	15
11	675

Die oben in der Tabelle angegebenen Werte werden nach dem folgendem Testverfahren erhalten:

00988271901

BAD QRKSiNAL

-ΙΟΙ.) Die photoieitfähige Oberfläche der Trommel wird mit einer Koronaaufladungsvorrichtung bis zu einem gleichmäseigen Oberflächenpotential von etwa 800 Volt positives Potential aufgeladen. Die Ladung auf der Oberfläche der Trommel wird dann durch Belichten mit einer weissen Löschlampe gelöscht, um die elektrostatische Ladung auf der Oberfläche der Trommel zu beseitigen. Der Aufladungs- und Löschzyklus wird 50mal wiederholt. Diese Kreisprozess- oder Gev/öhnungstechnik simuliert den Ermüdungseffekt von Licht a,uf der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht bei zyklischem Betrieb.

2.) Im Anschluss an die 50 Zyklen wird die Trommel dann auf ein festgehaltenes Oberflächenpotential von 800 Volt aufgeladen. Die Korοtronaufladungsvorrichtung wird ausgeschaltet und die Oberfläche der Trommel gleich-massig mit der weissen Löschlampe belichtet. Das Potential auf der Trommeloberfläche nach dem Belichten mit weissem Licht wird dann als das Restpotential, das noch auf der Oberfläche der Platte nach dem Belichten mit Licht zurückbleibt, bestimmt.

3.) Di ο Trommel wird dann wieder auf ein positives Potential von 800 Volt aufgeladen. Die Differenz zwischen den 800 Volt und den Restpotential, gemessen nach (2) oben ist das Konbrestpotential oder die tatsächliche, für die Entwicklung einet latenten, elektrostatischen Bildes verfügbare Spannung.

Die DuiRelentladung kann bestimmt werden, indem man die Trommel im Dunkeln hält und die Spannung auf der Oberfläche der Platte nach 30 Sekunden und dann nach 3 Minuten misst. Der Anteil des gegenüber dem Anfangspotential von 800 Volt verlorenen Spannungsbetrages^könnte als Prozentsatz Dunkelentladung bei Sekunden und bei 3 Minuten ausgedrückt werden.

Aus den Testergebnissen der Tabelle ist ersichtlich, dass die mit Indium dotierte Selen-Arsenlegierung extrem niedrige Restep&imungen besitzt und daher entsprechend hohe Kontrastpotentiale

009882/1991 ^J

"bei: Konzentrationen, von etwa 1 bis . 200 ppm Indium und besonders hervorragende Ergebnisse im Bereich von etwa 15 "bis 50 ppm besitzt. 3Sine Prüfung der Daten zeigt, dass die .Re st spannung im Mittel irgendwo zwischen 5 und 50 Volt liegt. Es sei darauf hingewiesen, dass die von den mit Indium dotierten Selen-Arsenlegierungen der vorliegenden Erfindung gezeigten Verbesserungen die Hestspannung auf ein niedrigeres Niveau herabsetzen, als es die nicht-dotierten Selen-Arsenlegierungen zeigen. Beispielsweise liegen die typischen Werte für Restspannungen für nicht-dotioste Selen-Arsenlegierungen, die 1/2 <;·> Arsen enthalten, in der llähe von 100 Volt, während die Restspannung für indiumdotierte Legierungen der gleichen Zusammensetzung in einigen Fällen bis zu 0 herabgeht und die mittlere Restsparmuiig deutlich unter 50 Volt liegt«

Ausser den oben angegebenen Vorteilen besitzt die photosensitive ^raeainmeiisetzung der vorliegenden Erfindung die ausgezeichnete Empfindlichkeit und spektrale Ansprache, die für die Selen-Arsenlegierung, die in den oben genannten US-Pat.entsGhriften beschrieben sind * charakteristisch ist» ■

Obgleich spezifische Komponenten und Proportionen in der obigen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, angegeben worden sind, können auch andere geeignete I.IR^ terialien und Verfahren, als die oben angegebenen, mit ähnliehen Ergebnissen verwendet werden.. Ausserdem können auch andere Materialien und Modifikationen benutzt werden, die synergistisch wirken, fördern oder auf andere \7eise die Photor.ezeptorschieht modifizieren« .

Andere Modifikationen töid Variationen der vorliegenden Erfindung werden dem PachmarAi durch die vorliegende Beschreibung nahegelegt, -

Claims (9)

1. /1. Photosensitive Zusammensetzung, dadurch gekennzeichnet, dass ^-■ sie eine glasartige Selen-Arsenlegierung umfasst, die "einen geringeren Gewichtsanteil Indium enthält,
2. 2. Zusammensetzung nach Anspruch 1., dadurch gekennzeichnet, dass das Indium in einer Menge von 1 bis 2000 Gewichts-ppm vorliegt.
3. 3. Zusammensetzwng nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Indium in einer Menge von 1 bis 200 Gewichts-ppm vorliegt.
4. 4. Zusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Indium in einer Menge von 15 bis 50 Gewichts-ppm vorliegt*
5. 5. Zusammensetzung nach einem der Anspräche 1 bis 4-, dadurch gekennzeichnet, dass das Arsen in einer· Menge von 0,1 bis 50 Gew//$ vorliegt.
6. 6. Zusammensetzung nach Anspruch 5» da.durch gekennzeichnet, dass das Arsen in einer Menge von 0,1 bis 20 Gew.$ vorliegt.
7. 7. Zusammensetzung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Arsen in einer Menge von 0,1 bis 0,5 Gew.$ vorliegt.
8. 8. Photosensitives Element, gekennzeichnet durch

   a) ein Tr-ägersubstrat,

   b) eine photosensitive Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden*Ansprüche, die dieses Substrat bedeckt.
9. 9. Abbildungsverfahren, dadurch gekennzeichnet, dass

   a) ein photosensitives Element nach Anspruch 8 verwendet wird,

   b) ein latentes, elektrostatisches Bild auf eier Oberfläche

   dieser Platte gebildet wird und

   c) dieses Bild entwickelt v/ird, vm es sichtbar zu machon.

   009882/1991