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DE2012796A1 - Halbleitervorrichtung und damit aufgebautes Schaltnetzwerk - Google Patents

Halbleitervorrichtung und damit aufgebautes Schaltnetzwerk

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Publication number
DE2012796A1
DE2012796A1 DE19702012796 DE2012796A DE2012796A1 DE 2012796 A1 DE2012796 A1 DE 2012796A1 DE 19702012796 DE19702012796 DE 19702012796 DE 2012796 A DE2012796 A DE 2012796A DE 2012796 A1 DE2012796 A1 DE 2012796A1
Authority
DE
Germany
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semiconductor device
field effect
switching
zone
effect control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702012796
Other languages
English (en)
Inventor
Walter West Orange N.J. Rosenzweig (V.St.A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE2012796A1 publication Critical patent/DE2012796A1/de
Pending legal-status Critical Current

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Description

p 2012798
Patentanwalt
Dipf.-lng. Walter Jackiccft
etutifla/t N, Menzelstraße 40
Western Electric Company Incorporated
195, Broadway A 31 555 - Br
New York 1OOO7 /USA . 17.3.1970
Halbleitervorrichtung und damit aufgebautes Schaltnetzwerk
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit
einem Halbleiterkörper der vier aufeinanderfolgende Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitetype aufweist, wobei an den beiden Endzonen ohmsche Elektroden angeordnet sind und wobei Mittel zur Erzeugung eines Leitungskanal
Über eine der mittleren Zonen und damit zur Umschaltung
der Halbleitervorrichtung aus einem Zustand hoher Impedanz zu einem solchen niedriger Impedanz vorgesehen sind. Zum I
Gefenstand der Erfindung gehört ferner ein mit solchen Halbleitervorrichtungen aufgebautes Schaltnetzwerk.
Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf eine kombinierte Bipolaritäts-Feldeffekt-Balbleitervorrichtung, mittels deren Konzidenzschaltungen durchgeführt werden können und die für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Schaltnetzwer!!*) und Informationsspeicher eingesetzt werden kann.
00SS41/1191
Vierschicht- bzw. PNPN- Halbleitervorrichtungen sind sowohl in Ausführungen mit zwei wie auch mit drei Elektroden bekannt» und zwa^in Form von Schaltern wie auch von stetigen Steuerelementen· Bei PNPN-Vorrichtungen mit drei Elektroden ist es ferner bekannt, eine isolierte Steuerelektrode zur Bee'>-* Ins sung der zwischen den Endelektroden herr schere ϊλ* Impedanz zu verwerfen.
Aufgabe der Erfindung ist inldiesem Zusammenhang die Schaffung einer Viere hlcht- Halbleitervorrichtung, die eich durch einfachen Aufbau und leichte Herstellbarkeit auszeichnet und eine insbesondere für die Verwirklichung von logischen Schaltfunktionen zweckmässige Isolierung zwischen den steuernden und gesteuerten Schaltungezweigen erjtnuglicht. Die erfindungsgemässe lösung dieser Aufgabe kennzeichnet sich bei einer Halbleitervorrichtung der eingangs erwähnten Art hauptsächlich dadurch, daß die Mittel zur Erzeugung einea Leitungskanals wenigstens ein Paar von gesonderten, isolierten Feldeffekt-Steuerelektroden auf einem Oberflächenabschnitt der betreffenden mittleren Zone aufweisen. Mit Hilfe einer solchen Halbleitervorrichtung können insbesondere KoAzidenzschaltungen ausgeführt werden, und zwar nicht nur Zweifach- sondern auch Mehrfach-
Konzidenzschaltungen, da die erfindungsgemässe Halbleitervorrichtung gegebenenfalls auch mit mehr als zwei Steuerelektroden versehen werden kann. Ein weiterer Vorteil der «trfindungsgemässen Kalbleitervorrichtung besteht darin, daß sie in planarer Foxra herstellbar 1st und ohne Schwierigkeit In integrierte Schaltungen einbezogen werden kann.
0 0 9 8 4 1 / 1 1 α 1 BAD ORIGINAL
Unter Verwendung solcher Halbleitervorrichtungen lassen sich auch besonders vorteilhafte Schaltnet«werke aufbauen. Demgemäss besieht sich dieErfindung ebenfalls auf ein Schaltnetswerk, welches Mittel zur Auswahl eines Übertragungskanals mit mindestens einer Halleitervorrichtung der vorgenannten Art aufweist und sich dadurch kennzeichnet, das Mittel zur Beaufschlagung der isolierten Feldeffekt-Steuerelektroden der Halbleitervorrichtung mit Steuerpotentialen vorgesehen sind. Ferner gehört zum Gegenstand der Erfindung ein Schaltnetzwerk umfassend eine aus einer Anordnung von Schaltkreuzungen bestehende Steuermatrix und eine aus einer Anordnung von Schaltkreuzungen bestehende Signalmatrix, wobei Mittel fttr die gegenseitige Zuordnung einer ausgewählten Steuermatrix-Schaltkreuzung und einer entsprechenden Signalmatrix-Schaltkreuzung mit einer Halbleitervorrichtung MQCgesehea sind· Das erflndungegenlasse Kennzeichen eines Schaltnetzwerks der letztgenannten Art besteht hierbei darin, daß eine Verbindung zwischen der Signalmatrix einerseits iodverbindungen der Leiter der ausgewählten eteuermatrix-Schaltkreüsung und der Isolierten Steuerelektroden der Halbleitervorrichtung andererseits vorgesehen ist.
Die Wirkungsweise der erflndungsgerattssen Halbleitervor*Jditung erklärt sich dadttcch, dafi die PNPH-Sfcruktur bei rxhtig besessener Spannung an den Elektroden in einen Sustand niedriger Impedanz umgeschaltet werden kann» wenn etromfluss Ober ein· der mit Steuerelektroden versehenen mittleren Halbleiterzone swiftritt. Die Halbleitervorrichtung
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bleibt sodann In diesem Leitzustand, bis der Strom unter einen zur Aufrechterhaltung der Leitfähigkeit ausreichenden Mindestwert abfällt. Da jede der isolierten Steuerelektroden lediglich einen Abschnitt des erzeugten Leitungskanals beeinflusst, ist zur Unschaltung in den Leitzustand eine entsprechende Spannung an beiden Steuerelektroden erforderlich, woraus sich die Möglichkeit zur Ausführung von Koinz idenAschaltuncfergib t ·
Heitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen· Hierin zeigt«
Fig. 1 die Aufbaureihenfolge einer erfindungsgemässen Halbleitervorrichtung In schematlscher Form, während
Fig. 2 und 3 eine Teil-Flächendraufeioht bzw. einen Teil-Querschnitt einer erfindungsgemässen , Halbleitervorrichtung und die
Fig. 4,5,6 den prinzipiellen Aufbau von Schaltnetzwerken mit erflndungsgepässen Halbleitervorrichtungen wiedergeben.
Fig. 1 zeigt In schematlscher Form einen PNPN-Schalter mit doppelter Steuerelektrode gemäss der Erfindung. Diese Halbleitervorrichtung umfasst vier aufeinanderfolgende Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitetype mit ohaschen Anschlüssen 21 und 22 an den Bndzonen 11 bzw. 14 . Die mittlere! Zonen 12 und 13, auch Basiszonen genannt, dienen
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zur Umschaltung des Leitzustandes zwischen den Anschlüssen 21 und 22. Bei der Vorrichtung gemäss Fig. 1 wird die Impedanzumschaltung mit Hilfe einer zweifachen Feldeffekt-Koinzidenzstruktur in Verbindung mit einer zusätzlichen Halbleiterzone erreicht, welch letztere innerhalb einer der mittleren Halbleiterzonen gebildet ist. In der schematischen Darstellung gemäss Fig. 1 liegt eine P-leitende Zone 15 von geringeren Abmessungen vollständig innerhalb einer hinsichtlich ihres Leitfähigkeitstyps mit Nj bezeichneten Zone 12, übergreift jedoch nicht die Breite der letztgenannten Zone. Der Abstand zwischen der Zone 15 und den benachbarten PN-Ubergängen 16 und sind durch isdierte Feldeffekt-Steuerelektroden 19 und überbrückt.
Durch anlegen einer geeigneten Spannung, im Beispielsfall einer negativen Spannung, an die Elektroden 19 und 20 wird ein P-leitender Kanal unmittelbar benachbart zur Oberfläche erzeugt, wodurch Stromfluss über die N,-Basiszone durch einen die beiden Kanäle und die P-leitende Zone 15 umfassenden Strompfad ermöglicht wird. Das Umschalten der Halbleitervorrichtung aus ihrem Zustand hoher Impedanz in denjenigen niedriger Impedanz erfolgt aomit in der Welse, als ob durch eine äussere Verbindung niedrigen Widerstandes an der Basiszone 12 eine Steuerspannung unmittelbar an diese Basiszone gelegt worden wäre, I-ndessen bewirkt die Anwendung einer Feldeffekt-Struktur in der Anordnung geraäes Fig. 1 eine Gleichspannungsisolierung zwischen den Steuersignalen und den gesteuerten Stromsignalen
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über die Hableitervorrichtung· Ausserdem lassen sich auf diese Weise Koinzidenzschaltungen und damit logische Schaltfunktionen ausführen, «de dies bisher mit normalen Dreielektroden-Thyristoren nicht möglich war.
Die Halbleitervorrichtung 10 gemäss Fig. 1 besitzt den im einzelnen aus Fig 2 wiä 3 ersichtlichen Planaraufbau. In diesen Figuren ist ein Abschnitt der Halbleitervorrichtung dargestellt, welcher ein einzelnes Vierschicht-Mehrfachkoinzidenz-Schaltungselement gemüse der Erfindung darstellt. Die Vertikalabmessungen in Fig. 3 sind hierbei der Deutlichkeit halber stark übertrieben wiedergegeben. In der Darstellung gemäss Fig. 2 deuten unterbrochene Linien sowohl die Grenzen der Diffusionszonen wie auch die Abwesenheit eines Qxjiduberzuges auf den Kontaktabschnitten solcher Zonen an.
Die Halbleitervorrichtung gemäss Fig. 1 weist ein vorzugsweise aus Silizium bestehendes, P-leitendes Substrat mit einer durch epitaxiale Abscheidung hergestellten, N-leitenden Siliziumschicht auf. Eine P-leitende Endzone 31 (Xn Fig. 1 mit P1 bezeichnet) stellt eine isolierende Diffusionszone dar, die durch mit dem P-leitenden Substratabschnitt des Halbleiterkörper verbundene Grenzflächen 32 und 34 umschrieben ist. Die durch Epitaxialablagerung N^ gebildete mittlere Zone 33 liegt zwischen den Grenzflächen 34 und 40, die mit P. bezeichnete mittlere Zone 38 zwischen Grenzflächen 39 und 40 und die mit N2 be»<öichnö£a Endzone 49 innerhalb der Grenzfläche 39, Innerhalb d&r mittleren Eon« 33 ir.t
O O 9 8 4 1 Π 1 3 1 BAD ORJGiNAL
eine P-leitende Zone 44 mit Grenzfläche 56 angeordnet. Diese P-leitende Zone wird tiusammen mit der mittleren Pj-Zone 38 in einem Diffuaionevorgang hergestellt und bildet lediglich eine Hei!überbrückung der N1 - Zone zwischen der P^-Zone 31 und der P2-Zone 38.
Eine im Querschnitt Ü-förraige, N-leitende Zone 54, die eine im Vergleich zu der übrigen N^Zone 33 höhere Dotierung aufweist und durch die unterbrochenen Linien 36 und 37 begrenzt ist» stösst an die Zone 44 innerhalb der mittleren Nj-Zone. Die Zone 54 wird während des Diffusionsvorganges zur Herstellung der ^-Emitterzone 49 gebildet und stellt einen Schirmring aus höher dotiertem Material innerhalb der N^-Zone dar, welche eine unerwünschte Überbrückung der Zone durch Feldeinwirkung seitens der darüberliegenden Metallkontakte an der Oxidoberfläche Über der mittleren Nj-Zone 33 verhindern soll.
Ohmsehe Kontakte 50 und 41 sind an den Pl- und N2-Endzonen vorgesehen? während isolierte Feldeffekt-Steuerelektroden über denjenigen Oberflächenabschnitten der Nl-Zone gebildet sind» innerhalb deren die Oxidschicht 45 verdünnte Abschnitte 46 Und 47 aufweist. Die Elektroden 42 und 43 werden über diesen verdünnten Oocidschichtabschnitten aufgebracht, Wie insbesondere aus Fig. 2 ersichtlich Jet, sind darüberliegende Koitekte zur Herstellung von äusseren Verbindungen mit den isolierten Steuerelektroden die auch mit den ohwschen Elektroden 35 und 41 vorgesehen.
Für das Substrat der Ausführung gemäss Fig. 2 und 3
kommt beispielsweise P-leitendes, monokttstallines Silizium
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mit einem spezifischen Widerstand von o.ol Ohm.can in Betracht· Auf einer Oberfläche dieses Substrats wird durch epitaxiale Abscheidung eine Schicht aus N-leitendem Einkristall-Silizium mit einer Schichtdicke von 10-12 Mikron und mit einem spezifischen Widerstand von o,7 Ohm.can gebildet.
Innerhalb des so hergestellten Siliziumkristalls werden die verschiedenen Leitfähigkeitszonen gemäes Fig. und 3 durch aufeinanderlegende Festkörperdiffusion mit Hilfe der Photo- und Oxidmaskierungstechnik hergestellt. Beispielsweise kann die Pl-Endzone 33 unter Anwendung eines Vorabschmaldungs- und Eintreibe-Diffusionsverfahrens mit Bor als wesentlichem Donator hergestellt werden. Wie aus dem Querschnitt gemäss Fig. 3 ersichtlich ist, wird eine isolierte Diffusion angewendet, um eine Durchdringung des P-leitenden Substrats zu erreichen.
Die mittlere P2-Zone 38 und die P-leitende Zone 44 können in entsprechender Weise durch Bordiffusion gebildet werden. In einem speziallen Ausführungsbeispiel wurden diese Zonen bis zu einer Tiefe von 1,5 Mikron eindiffundiert und hatten einen auf eine Quadratfläche bezogenen Widerstand von etwa 450 Ohm. Die Na-Endzone und der N-leitende Schirmring werden durch Phosphordiffusion gebildet, und zwar wiederum mit Hilfe der Photo- und Oxidmaskierungstechnik .
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Ein Überzug aus Silicium-Oxid wird im allgemeinen durch Erhitzung in einer Dampfatmosphäre erzeugt. Durch Photo-Maskierung und übliche Ätztechnik werden in diesem Oxidüberzug bis auf das darunterliegend Silicium durchgehende Fenster für die ohmschen Kontakte in den Bereichen 35 und 48 gebildet.Weiterhin wird der Oxidüberzug in den Bereichen 46 und 47 auf etwa 2 000 A° vardünnt, um die Bildung der Feldeffekt-Strukturen zu ermöglichen. ^
Die Metallisierung der Halbleitervorrichtung kann beispielsweise unter Anwendung der in der US-Patentschrift 3 287 612 beschriebenen Technik mit Mehrfachschichten aus Platin, Titan und Gold sowie unter Anwendung der Traganschlusstechnik durchgeführt werden.
In elektrischer Hinsicht ist die Wirkungsweise einer solchen Halbleitervorrichtung mit doppelter Feldeffekt-Steuerelektrode mit einem Thyristor vergleichbar. Die Thyristoreigenschaften werden durch die Anwesenheit der Feldeffekt-Elektroden nicht beeinträchtigt. Bei einer typmischen Ausführungsform ergab sich ein^r I
Haltestrom von etwa o,6 mA, während der Einschaltstrom etwa 0, 2 mA betrug. Die Schwellspannung für jede der Steuerelektroden kann etwa 2 V betragen und ist negativ bezüglich des Potentials des Anodenkontaktes 50 an der Nl-Zone 33. Die Einschaltung, da8 heJtetfder übergang zu einem Zustand niedriger Impedanz, erfolgt nur dann, wenn an beiden Steuerelektroden 42 und 43 ein der Schwellspannung entsprechender Spannungswert gleichzeitig anliegt.
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- ίο -
PNPN-Vorrichtungen mit doppelter Steuerelektrode werden vorteilhaft in Matrix-Netzwerken eingesetzt, und zwar paarweise mit einem gemeinsamen Satz von Feldeffekt-Steuerelektroden für die Umschaltung von abgeglichenen Leitungspaaren.
Bei einem vielstufigen Schalten kann z.B. ein Übertragungskanal durch gleichzeitige MariLrung aller r-: c ausgewählten Schaltkreuzungen innerhalb der Matrix gebildet werden. Eine Schaltungsanordnung dieser Art ist in Fig. 4 angedeutet, welche die ausgewählten Schaltkreuzungen entsprechend einem bestimmten Übertragungskanal durch ein vierstufiges, erdsymmetrisches Netzwerk zeigt. Ein ausreichend hohes negatives Potential an einem X-Y-Steuerleitungspaar erzeugt Leitungskanäle in den mittleren N-Zonen der zugehörigen Halbleitervorrichtungen. In dieser Weise werden die Halbleitervorrichtungen 61 und 62 d urch das Leitungspaar Xl-Yl und die Halbleitervorrichtungen 63 und 64 durch das Leitnngspaar X2-Y2 gesteuert. Spannungen entsprechender Grosse und Polarität an allen vier X-Y-Steuerleitungen führen demgemäss zum Einschalten aller acht Halbleitervorrichtungen, womit der Übertragungskanal vom Eingang zum Ausgang in Form eines Aderpaares durchgeschaltet ist.
Das mehrstufige Schaltkrvazungsnetzverk gemäss Fig. kann mit Hilfe von Ableitungswiderständen xwischen den einzelnen Stufen gemäss der schematischen Darstellung in Fig. 5 zu einer progressiv^ wirkenden Markierschaltung
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- li -
ausgestaltet werden. Ba Befepielsfall ist lediglich eine Ader des erdsymmetrischen Aderpaares bzw. der entsprechenden Schaltung angedeutet. Die Ableitungswiderstände IL zwischen den einzelnen PHPN-Halbleitervorrichtungen 81, 82, 83 und 84 sorgen dafür, daß die Markierung mit der Zuführung von Steuerspannungen zu den X-Y-Steuerleitungen von links nach rechts
fortschreitet. Die Durchschaltung des Obertragungs- I
kanals erfolgt nur nach progressiver Markierung beginnend mit der Halbleitervorrichtung 81 und fortschreitend zu den BaHeitervorrichtungen 82u 83 und Jede dieser Halbleitervorrichtungen ist sinngemäss zu Fig. 4 Bestandteil einer paarigen Schaltung mit zwei derartigen Halbleitervorrichtungen, die. in gleicher Weise fortschreitend disrchgesehaltet werden.
Bei dem Schaltnetzwerk gemäss Fig. 4 ermöglichen erfindungsgemässe Halbleitervorrichtungen eine Endmarkierung zur BLldüng eines Ubertragungskanals in
einem Steuernetzwerk, von dem die entsprechenden λ
Informationen sodann mit Hilfe der Feldeffekt-Elektroden (auch kurz "FeldsteueidLektroden" genannt) zu einem parallel angeordneten Signalnetzwerk übertragen werden. Die Qleichepannungsisolierung zwischen diesen beiden Netzwerken bleibt dabei erhalten. In Fig.6 ist wiederum nur eine Ader der zweiadrigen, erdsymmetrischen Aderpaare angedeutet. Die Reihenleiter, d.h. Zeilen- oder Spaltenleiter des endmarkierten Steuernetzwerkes sind, mit CX bzw· CY, diejenigen des Signalnetzwerkes/SX bzw. SY bezeichnet. Die Umschaltung der Schaltkreuzungen zur Bildung
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eines Ubertragungskanals in» Signalnetzwerk erfolgt durch selektive Beaufschlagung der entsprechenden PNPN-HaIbleitervorrichtungen 101, 102, 103 usw.
Im Betrieb erfolgt die Endmarkierung der Reihenleiter des Steuernetzwerkes mit positiven Potentialen. Beispielsweise sei angenommen, daB die Leiter CX2 und CY. durch ein passendes Potential markiert werden. Nach der BildungÖes betreffenden CX-,-CYo-ÜBertragungskanals wird diese Information zum Signalnetzwerk übertragen, in dem die markierten Reihenleiter des Steuernetzwerkes an negatives Potential gelegt werden. Hierdurch wird nur die Halbleitervorrichtung
105 und das zugehörige, nicht dargestellte Paar von Halbleitervorrichtungen in den Leitzustand umgeschaltet« d.h. eingeschaltet. Nenn somit das Potential an SX2 ansteigt, do wird ein vollständiger Ubertragungskanal durch die Halbleitervorrichtung 105 gebildet, während die Leiter SX2 und SY2 miteinander verbunden werden. Halbseitig durchgeechaltete Kanäle liegen hierbei an den Halbleiterelementen 102 und 108 längs des Leiters CX2 und an den Halbleiterelementen 104 sowie
106 längs des Leiters CY2, wobei diese Halleiterelemente jedoch nicht eingeschaltet werden. Nach dem Durchschalten des Ubertragungskanals werden die Reihenleiter des Steuernetzwerkesauf positives Potential angehoben und die Rdbenleiter des Signalnetzwerkes auf negatives Potential abgesenkt. Dielvorangehend beschriebene Auswahl von Schaltkreuzungen kann bei einer Mehrzahl von Verbindungen innerhalb des Netzwerkes zur Bildung^ ineβ Ubertragungskanals
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durchgeführt werden. Die Vorteile der Koinzidenzschaltung mit zweifacher Feldsteuerelektrode, insbesondere die vorteilhafte Gleichspannungsisolierung, ergeben sich aus der beispielsweise angedeuteten Schaltung.
Heiterhin ist zu beachten, daß ähnliche Schaltungen mit Doppelsteuer-Halbleiterelementen Über die beschriebenen Ausführungsbeispiele von PNPN-Strukturen hinaus auch auf abgewandelte PNPN-Schalter angewendet werden können, z.B. auf Halbleitervorrichtungen mit kurzgeschlossenem Emitter.
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Claims (8)

  1. A 31 555 - Br 17.3J.97O
    Ansprüche
    ( 1.)/Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der vier aufeinanderfolgende Zonen (11,12,13,14) abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstype aufweist, wobei an den beiden Ehdzonen (11,14) ohmsche Elektroden (21,22) angeordnet sind und wobei Mittel zur Erzeugung eines Leitungskanals über eine (12) der mittleren Zonen und damit zur Umschaltung der Halbleitervorrichtung aus einem Zustand hoher Impedanz zu einem solchen niedriger Impedanz vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Erzeugung eines Leitungskanals wenigstens ein Paar von gesonderten, isolierten Feldeffekt-Steuerelektroden (19,20) auf einem Cberflächenabschnitt der betreffenden Mittleren Zone (12) aufweisen.
  2. 2.) Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierten Feldeffekt-Steuerelektroden (42,43) auf einer gemeinsamen, ebenen Oberfläche der mittleren Zone (N) angeordnet sind.
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    4ίΓ
  3. 3.) Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mittlere Zone (N) eine Zone entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps (44) aufweist, die zwischen den Feldeffekt-Steuerelektroden angeordnet ist.
  4. 4.) Schaltnetzwerk, welches eine Einrichtung zur Auswahl eines Übertragungskanals mit mindestens einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 I
    bis 3 innerhalb des Ubertragungskanals aufweist, gekennzeichnet durch Mittel (Xl Yl bis X2, Y2; usw.) zur Beaufschlagung der isolierten Feldeffekt-Steuerelektroden der Halbleitervorrichtung (61,62,63,64 usw.) mit Steuerpotentialen.
  5. 5.) Schaltnetzwerk nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß jede isolierte Feldeffekt-Steuerelektrode an ein gesondertes Steuerpotential angeschlossen ist (Fig. 5),
  6. 6.) Schaltnetzwerk, welches eine Einrichtung zur Auswahl λ
    eines Paarers von Ubertragungskanälen mit einem Paar von Halbleitervorrichtungen nach einem der Ansprüche IbLs 3 aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Ubertragungekanal ein Paar dieser Halbleitervorrichtungen aufweist und daß Mittel zur Beaufschlagung der isolierten Feldeffekt-Steuerelektroden des Paares von Halbleitervorrichtungen mit Steuerpotentialen vorgesehen sind (Fig. 4).
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  7. 7·) Schaltnetzwerk nach Anspruch 6r dadurch gekennzeichnet, daß «ine isolierte Feldeffekt-Steuerelektrode eine« jeden Paares "von Halbleitervorrichtungen an ein gemeinsames Steuerpotential angeschlossen ist. (Flg. 4)
  8. 8.) Schaltnetfcwerk umfassend eine aus einer Anordnung von Schaltkreuzungen bestehende Steuermatrix und eine aus einer Anordnung von Schaltkreuzungen bestehende Signalmatrix, wobei Mittel für die gegenseitige Zuordnung einer ausgewählten Steuermatrix-Schaltkreuzung und einer entsprechenden Signalmatrix-Schaltkreuzung mit einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet» das eine Verbindung zwischen der Signalmatrix einerseits und Verbindungen der Leiter du: ausgewählten Steuermatrix-Schaltkreuzung und der isolierten Steuerelektroden der Halbleitervorrichtung andererseits vorgesehen ist» (Fig· 6)
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DE19702012796 1969-03-19 1970-03-18 Halbleitervorrichtung und damit aufgebautes Schaltnetzwerk Pending DE2012796A1 (de)

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