DE1614250A1

DE1614250A1 - Integrierte Schaltung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen

Info

Publication number: DE1614250A1
Application number: DE1967N0030518
Authority: DE
Inventors: Albert Schmitz
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1966-05-19
Filing date: 1967-05-17
Publication date: 1970-08-13
Also published as: GB1182325A; AT272409B; CH472785A; DE1614250B2; DE1614250C3; DK117512B; BE698654A; NO120537B; ES340625A1; US3525020A; NL6606912A; SE334677B

Description

"integrierte Schaltung mii Gruppen van sich kreuzenden Verbindungen".

■Die Erfindung;.bezieht eich auf eine HalbleiterYor-

.richtung mit einem Halbleiterkörper_s ä®t wenigstens einseitig mit einer isolierschicht_s z.B.süs Siliciumoxid, versehen ist_s auf / welcher Seite zwei sich kreuzende" Gruppen angt for acht /sind ._s dl© je aus ein©^ fiölaahl .sueiiiaM©r .praktisch paralleler, streifeafBrmiger elgktriseh-leitanöer ¥erfeiii4uag©n 'bestshanp wobei -©ine v&ruppas aus auf der Isolierschicht aagfWaohteii ununterbrochenta Metallsehichten. besteht und wobei am dos· Stell© ©insr £r©uzting di© zur andsrÄ-Sruppe g(shfe@Me Verbindung durch eift® uater des⁵ Isolierschicht lie·

einen öebiet dea
Seite

g ₈ öl© im ^ !©ituiigstyps. umgeben;ist_s wSte^ad; auf

im S

©ia«m.

auf wenigstens einigen Kreuzungen mit beiden sich kreuzenden Verbin_r düngen verbunden sind.

Halbleitervorrichtungen der obenerwähnten Art sind als integrierte Schaltungen in der Halbleitertechnik allgemein bekannt und bilden u.a. feste Speicher oder Kreuzschienensysteme.

Unter einem Schaltelement werden hier und im nachstehenden nicht nur einzelne Elemente wie Transistoren, Dioden usw. verstanden, sondern auch z.B. bistabile Elemente, die an sieh wieder aus einer Anzahl einzelner Elemente aufgebaut sind., wie Flip-i'lopschaltungen usw.

In der Praxis war oian bisher bestrebt, beide sich

kreuzenden Verbindungen in Form von Metallschichten auszubilden, die als Vorteil einen äusserst geringen elektrischen widerstand zwischen den Kreuzungen haben. Man hat bereits versucht, diese sich kreuzenden Bietallschichten mittels Isoliepachichten an den Kreuzungen voneinander zu trennen um Kurzschluss zu vermeiden; es zeigte sich jedoch in der Prassis, dass diese niöglichkeit viele Schwierigkeiten mit sich bringt.

Darum hat man bisher in ü@t Praxis die Kreuzungen

imner derart ausgebildete dass ei&g Sffuppt aus auf der Isolierschicht angebrachtenj, ununterbrooksnan iSietalia'eii-5.Giit@Ei besteht. Eine zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung besteht dann ebenfalls aus einer kte tails chi eht ρ di© ^©dooh as· tier ötell® einer !kreuzung unterbrochen ist und sieh an ein© unter dar Isolierschicht litsgeaäe eindiffundierte Oberflächengüte ansciiliesst, di@ mittels ©ines ader mehrerer pn-Uebsrgäft^o von. -übrigen Seil des Halbleitsrko.f^sfs isoliert ist. -I>ie zweit© 6ruppe von Verbindungen -wird als© im .vjesisitlionen ebenfalls dm ch ..iefcallaohlchten- gebildet, all©in alt dos. UntGrschied, dass

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sie nur in der Mähe der Kreuzungen· unterbrochen sind und durch nur an diesen Stellen angebrachte eindiffundierte Zonen im .Halbleiter-It or per verlaufen.

V -"_- Die Erfindung bezweckt, eine Halbleitervorrichtung der eingangs beschriebenen Art zu"schaffen, die sich einfacher herstellen lasst und zu elektrischen Vortedlen führen kann.

Dazu ist eine Halbleitervorrichtung der eingangs beschriebenen Art nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die zijp zweiten Gruppe "-gehörenden. Verbindungen auch zwischen den Kreuzungen eine vorzugsweise eindiffundierte., im Halbleiterkörper (| von einem Gebiet des anderen Iieitungstyps umgebene Oberflächenzone des einen Leitungstyps enthalten, wodurch jede Verbindung-der zweiten Gruppe eine ununterbrochene, sich mit den Verbindungen der ersten Gruppe kreuzende Oberflächenzone enthält, Auch bei Ausführungen, bei denen eine zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung eine JEetallschicht enthält, die an der Stelle der Kreuzungen unterbrochen ist und sich dort an eine unter der Isolierschicht liegende, unter der kreuzenden Verbindung der ersten Gruppe hindurchgehende leitende, vorzugsweise eindiffundierte Oberflächenzone· des einen Leitungstyps anschliesst, die im Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben ist, gehen deshalb nach der Erfindung, wenn diese Massnahme auch wegen des Vorhandenseins der besser leitenden Metallschicht überflüssig scheint, die vorzugsweise eindiffundierten Oberflächenzonen bei den Kreuzung«»..auch unter der unterbrochenen Metallschicht hindurch"und bilden dadurch eine einzigen durchgehendes vorzugsweise eindif fundierte Zone,.-.wobei die unterbrochene file tall schicht zum grosstea Teil der Lange einar eindiffundierten Zone zwischen zwei Kreuzungen und zum grassten feil der Breite dieser Zone auf dieser ·

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Zone lli?gt. Dadurch erhält man nämlich.fertigungstechnisch den Vorteil, dass sich die Maske, mit deren hilfe die eindiffundierten Ober flächrenzonen erhalten werden, einfacher herstellen lässt, da nun an. stelle von Inseln eine durchgehende Zone eindiffundiert wird, und dass zugleich das an der richtigen Stelle Anbringen der zur betreffenden Verbindunggehörenden Metallschicht* die mit der kreuzenden Verbindung keinen Kurzschluss bilden darf, weniger kritisch wird.

Weiter wird in denjenigen Fällen, in denen die Gruppen leitender Ver b'indungen und die Schaltelemente mit Hilfe gesonderter Basken angebracht werden, der Vorteil erhalten, dass für die Auftragung der betreffenden Maske in Richtung der eindiffundierten otraifen eine gröösere Toleranz erlaubt ist.

Die Erfindung ist von besonderer Bedeutung in jenen ü'ällen, in denen der Abstand zwischen Na.chbarverbindungen der ersten Gruppe liicht zu gross ist.'In diesen JfSllen lässt sich durch Anwendung der Erfindung gegenüber bekannten Konstruktionen eine beträchtliche Herabsetzung de3 Ge samtuji fangs der Oberflächer.zonen erreichen. La der Oberflächenleckutrom duroh die pn-UebergEr-e:«? die durch die Qberfläc'honzonen mit dein unter ihnen liegenden Halbleiterkörper cebildet werden, dem Gesamtumfang praktisch propo:ticnftl ist, IKi=St ulcli iiuf diese »/eise eine erhebliche Herabsetzung dieses crperr£tro«e5 «rzieLen. Dies wird umso wichtiger, Je «critet'tM* vlie Ancahl der λΓ^ύΓ-ungori tat.

lie 1 bekannten Ronetrukti^nen cre-treefcer. pio!; .*ie üt-Liohen f»ind I Tfmidierten luaeLn i;.. «Dgeifleinen über einen Abstund von un_o« fiihr ein- bia zweimal ihrer Breite aueaerhulb dea aal der Ieolierschicht angebrachten kreuzenden Leiters. Idee iat in der iTaxit gewünscht, um Kurzschluss zwiachtn den aich kreuttiulen Verbindungen;

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. zu vermeiden und um genügend Plata für dia Kontaktierung der auf der Isolierschicht liegenden anschliessenden jietallachicht zu schaffen.

Deswegen ist eine wichtige bevorzugte Ausführungs-

forai der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen benachbarten Verbindungen der ers-ten Gruppe höchstens das Fünffache vorzugsweise höchstens das Dreifache de.r Breite der zur zweiten Gruppe gehörenden leitenden Oberflächenzone beträgt. In diesem Pail wird in der Praxis eine effektive Herabsetzung-des Gesamtumfangs der eindiffundierten Zonen'und damit des Qberflächenlecfc3troms erhalten.

Wie/bereits bemerkt wurde, ist die einfiddundierte Oberflächenzone ix Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben, wobei im Betrieb der auf diese Weise gebildete pn-Uebergang zur Erhaltung einer guten Isolierung in Sperrichtung vorgespannt wird. In der Praxis ist es jedoch damit die Oberflächenzonen unter allen Umständen vom unter ihnen liegenden Halbleiterkurper isoliert aind oft vorteilhaft, dass die Oberflächenzone im Halbleiterkörper von einer zweiten, vorzugsweise eindiffundierten Zone des anderen Leitungatypa umgeben ist, die in einem Teil dea einen leitungstypa im Halbletterkärper angebracht ist.-"In diesem Pail bilden die Oberflächenzone, die zweite Zone und der unterliegende Halbleiterkörper eine pnp- oder npn-Struktur, wobei im Betrieb immer einer der beiden in Reihe geschalteten pn-Uebergänge gegenüber etwaigen Leclcatrömen in Sperrichtung steht.

Die zur zweiten Gruppe von Verbinduiigen gehörenden eindiffundierten Oberflächenzonen lassen sich durch eine gesonderte Diifueion anbringen. Sie Konzentration der diffundierenden Vtrun- rtinigung wird in der Praxis so hoch' wie möglich gewählt, damit ein· möglichst gut leitende Verbindung erbalten wird« Wenn die

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Halbleitervorrichtung ^Schaltelemente mit einer Transistorstruktur enthält, kann die Ob'erflachenzone mit Vorteil gleichzeitig mit der Emitterzone einer Transistorstruktur, die im allgemeinen eine hohe Konzentration an Donatoren und Akzeptoren enthält, angebracht werden.

Eine weitere bevorzugte Ausführungaform der Erfindung ist soni-t dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung Schaltelemente mit einer Transistorstruktur enthält und dass die Obsrflächenzone hinsichtlich; der Dicke,- des Leitungstyps und der Leit-.fähigkeit mit der Emitterzone mindestens einer der Transiatorstrukturen übereinstimmt.

Von besonderer Bedeutung ist in diesem Zusammenhang der obenbeschriebene Pail, bei dem die einciiffundierte Oberflächenzone im Körper von einer zweiten eindiffundierten Zone 'des anderen Leitungstyps umgeben wird. Gemäss einer- anderen bevorzugten Ausführung^ stimmen deswegen die Qberflächenaone und die zweite Zone hinsichtlich der Dicke', des Leitungstyps und der Leitfähigkeit mit der Emitterτ bzw. Basiszone mindestens einer der Transistorstrukturen überain.

Wenn, bei Ausführungen der Halbleitervorrichtung,

bei. denen die Qtferflächenzone von einer zweiten eindiffundierten Zon« umgeben ist, im Betrieb der Schaltung einer der beiden durch die Oberflächenzone, die zweite Zone und den Halbleiterkörper gebildeten pn-üebergänge ständig in Sperrichtung vorgespannt ist, ist es erwünscht, den anderen pn-üebergang kurzzuschliesaen, um Leckatröme, die durch Transistorwirkung der durch die QberflMchenzone, die zweit« ^one und den Halbleiterkörper gebildeten Struktur verstärkt werden können, zu vermeiden.

Deswegen ist nach einer bevorzugten Ausführung bei-• · ' . Q 0 9 8 3 3 / 1 5 8 1 SADORiGiNAL

mindestens einer Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der zweiten Gruppe und 'dem. unterliegenden Teil des' Halbleiterkörpers vor handene ; pn-Uebergangpraktisch kurzgeschlossen und nach einer anderen bevorzugten Ausführung ist bei mindestens einer .Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der GberflächenzOne und-der zweiten Zone vorhandene pn-Uebergang praktisch kurzgeschlossen.

Qbschon, wie bereits beschrieben, die zur zweiten

Gruppe gehörenden Verbindungen meistens sieh an die eindiffundierten äoiien anschliessende Metallschichten enthalten, ist es unter umständen auch möglich, diese Metallschichten wegzulassen. Dies ist dann der fall, wenn die zur zweiten Gruppe gehörenden V?rοiri-iuiiä.·?n--. nur kleine 3fci-öiae führ^ri, wie %.B. denBasisstrora eines Transistors, wobei ein etwas grösserer spezifischer "Aiders tand der leitenden Verbindungen, wie er z.B. bei eindiffundierten Streifen vorhanden ist, erlaubt ist.

Weiter wird es, obschon im obenstehenden iiiliiau La^e von ulcer ein! if fundiert en OberflächenzOn^ri 2 le Ua de gewesen ist, klar sein, dass in Strukturen, bei denen an der Oberfläche bereits örtlich nicht durch Diffusion erhaltene, gut leitende Zonen vorhan- _; den sind, z.B. in -Form,-einer epitaxial iirigetr-vchten oc"ai':ht, diese schicht ebenfallö .als Ob-rrfläcn^azone La öirvn-? τ?γ iri'indung verwendbar ist«,

Ein Auafuhrungabeispiel der hrfindang int in den

Zeichnungen dargeatellt und wird irr; folgender, näher bedf;hri^{i-beri.«. ca zeigen. : - - !

- Fig. 1 das Schaltbild «tner Integrierten arftyr Anwendung der Erfindung hergeötellten üpeicheröcnaltung, ■ ""-..- i'ig. 2 eine Iranaiatoratrulitur an einer Kreuzung

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der Schaltung nach Fig, T_r .- ·

F.ig. 3» 4- und 5 querschnitte durch die Iraneistoratruktur nach Fig. 2 geoiSss den Linien I-I, II-II bzw. III-III.

Fig. 1 zeigt das Schaltbild einer Speichermatrix mit zwei Gruppen von Leitern V₁ - V, und H₁ - H.. Dabei sind an bestimmten Kreuzungen zu verschiedenen Gruppen gehörende Leiter durch Transistoren I₁₁I I|2 usw. miteinander gekoppelt, wobei die Basiselektroden mit den Leitern V/",bis V. und-die Emitter mit den Leitern E₁ bis H. verbunden sind, während die Kollektoren miteinander und mit einer Spannungsquelle +Y verbunden sind. So ist z.B. der leiter V₁ mit den Leitern H₁--, H₂ und H, Über die Transistoren I₁₁I I₂I ^un(* L₅₁ ; aer Leiter V₂ mit den Leitern H₁, H, und H. über die Transistoren T₁₂, H,₂ und T^₂ usw. gekoppelt.

Die Wirkungsweise dieser Matrix ist .vie folgt, Wenn ein positiver Impuls einem-der Leiter V₁ bis V., die al3 Eingangsleiter wirksam sind, z/B. V₂, zugeführt wird, werden die mit diesen Leitern verbundenen Transistoren leitend, in diesem Fall T₁₂, Ix₂ und I;,2» ^w0V^e:i- ^ein Impuls an die Ausgangsleiter H₁, H, und H. weiter gegeben ..wird' Infolge der in den Transistoren auftretenden Stromverstärkung sind die⁷ Kollektor ströme.,, die den Leitern H₁ - H. zugeführt werden, grosser als die Basisatröme, so dass eine relativ kleine . Steuerenergie an den Leitern V₁ - Y. ausreicht.

Abhängig vom gewählten Koppelmuster entstehen also bestimmte Kodekombinationen von Auagangsimpulsen, wenn einem £ingangsleiter ein Im₁uls zugeführt wird.

In der Praxis wird die Leiterzahl beider Gruppen

grosser sein, z.B. je TO, während es selbstverständlich nicht notwendig ist, dass die Eingangsleiterzahl der Ausgangsleiterzahl gleici ist. 0 0-98 33/1581

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Die J¹I₀.. 2 bis 5 zeigen, wie eine derartige -"Schaltung unter Anwendung der. Erfindung integriert-werden.kann. Dabei ist nur derjenige I*il, 1<·>* -.ten-Transistor Tp₁ und die Verbindungen H₁, Hp, V₁ und Vg enthält, angegeben. Die Grenzen der eindiffundierten Gebiete und der Fensterin der Isolierschicht sind dabei durch ausgezogene Linien dargestellt, während die'Begrenzung der auf ihnen angebrachten Läetallschichten durch gestrichelte Linien dargestellt ist.

Pig. 2 zeigt einen Teil eines Halbleiterlcörpers, der aus einer n\-le it enden Siliziumplatte 1 (siehe Fig.. 3) besteht, deren Oberseite mit einer Isolierschicht 2- aus Siliziumoxid versehen ist. Zugleich sind auf der Oberseite der Platte zwei sich kreuzende Gruppen H₁, H-2 usw. und V₁, Vp usw. angebracht, die je aus einer Vielzahl zueinander praktisch paralleler, streifenförmiger, elektrisch leitender Verbindungen bestehen. Von jeder dieser Gruppen sind hier nur zwei Verbindungen dargestellt. Dabei besteht die eine Gruppe (H₁, Η« uaw,) aus auf der Isolierschicht angebrachten ununterbrochenen Metallschiehten 3 (siehe E Ig. t> bis 5)» während an der Stelle einer Kreuzung (z.B. H₂y V₁) die zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung V| durch eine (siehe. 5ig, 5) unter der Isolierschicht 2 liegende^ eindiffundierte η-leitende Oberflächenzone 4 gebildet wird, die im Halbleiterkörper von einem Gebiet .5 des anderen (p) Leitungstype umgeben ist. Die Verbindungen V₁,i.V'g.- ^usw· enthalten auch eine Metallschicht 1.1, die an der Stelle der Kreuzungen unterbrochen ist und zum gröseten Teil der Länge einer* eindiffundierten Zone 4- zwi-•ohen zwei Kreuzungen und zum grösaten Teil der Breite dieser Zone, •uf dtr 2one 4 liegt.

Auf derselben sielte dtr Halbleiterplatte ist weiter iilltueion «int- Anzahl Transistoren wie T₂₁ Is Körper ange-

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bracht. An der dargestellten Kreuzung-ist (siehe J?ig. 2) der Basiskontakt 9 des Transistors Tp₁ (siehe Fig, 4) mit der Verbindung V₁ verbunden, während der Emitterkentakt 10 mit der Verbindung H« verbunden ist. Die .zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung V₁. enthält dabei auch zwischen den Kreuzungen H₁ - V₁ und Hp - V₁ eine ununterbrochenen, eindif fundierte , von einem.p-leitenden Gebiet 5 umgebene, n-lei'tende Oberflächenzone 4.

Zum Anbringen der e'indif fundierten Verbindungen V unc -der Transistoren -wendet man die in der Halbleitertechnik üblichen Maskierungs- und Diffusionetechniken^van. Dabei wird auf der Halbleiterplatte 1 zunächst durch Oxydation eine Siliziumoxidschicht angebracht, in der danach unter Anwendungen sich bekannter Hiotoresistverfahren Oeffnungen angebracht werden. *Venn die ilatte danach einer'p-Diffusion, z.B. von Bor, unterworfen wird, wird örtlich, wie in Pig.x-2 bis 5 dargestellt ist, eine p-leitende Schicht 5 in einer Tiefe von ca. 3/um und mit einem Schichtwiderstand von ca. 180 Chm/ Quadrat eindiffundiert. Diese Schieht bildet ausser den zu den Verbindungen V gehörenden Gebieten 5 auch die Basiszone des Transistors Ti

In der während dieser p-Diffueion wieder geschlossenen Oxidschicht werden danach aufs neue ffenster geätzt, dort, wo· die n-le.itende Schicht 4 angebracht werden muss. Diei.erfolgt durch Diffusion, z.B. von Phosphor, wobei ebenso wie bei der vorher durchgeführten Diffusion der Schicht 5 das Siliziumoxid als Maske wirksam ist. Diese Schicht 4 hat einen Schichtwiderstand von ca. 1,5 0ha/*uft' drat und eine liefe von z.B. 2/um, und bildet, sowohl die au den Verbindungen V gehörenden OberflMchenzonen 4 als auoh den Emitter dtt

Transistors Tg₁-. " .■ "■ '-

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ORi-QWAL INSPECTED

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Zum Schluss werden "in der Oxyd schicht noch die fenster b» 7 und 8 geatzt.· ,

Aus der εuf diese »«'eise erhaltenen Struktur wird nun. eine lietailschicht 3 angebracht? z.B. durch Aufdampfen .einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von 5000 S. Diese bildet in den Penstern 6, 7 und 8 einen ohmschen Kontakt mit d-en unterliegenden Halbleitergebieten. Die Schicht 3 wird danach durch setzen örtlich entfernt, so dass nur die Leiter H, die Basiskontakte 9 und die Emitterkontakte TO, sowie die Streifen 1T übrigbleiben.

Die iilasken oder Ma&kenteile, die bei dieser Technik

zum Anbringen der eindiffundierrtenZonen V₁ , V₂ usw. verwendet werden lassen sieh einfach herstellen und enthalten nur streifenförinige Gebiete, im Gegensatz zur üblichen Technik, bei.der, wie bereits früher beschrieben wurde, von eindiffundierten Inseln ausgegangen wird. Weiter ist das Auftragen der Metalischicht 11 (J?ig. 2 und 5), cie suit

äe^i Basiskr.ntakt 9 susammenhiingt und mit der dieser Basiskontakt an den Leiter V« angeschlossen ist, weniger kritisch al3 wenn diese Metalls chicht zwischen Inseln mit begrenzten Abmessungen in xiichtung von V₁' angesohlo.ssen werden müsste.

Im vorliegenden^^ Beispiel "beträgt der Abstand zwischen den benachbarten Verbindungen E₁ und' Ho de^r ersten Gruppe ungefähr das Vierfache der Breite der zu den Leitern V₁ und Vp der zweiten Gruppe kehSrenden leitenden Oberfrächenzonen 4. Dabei wird, wie gesagt, £^eg^emlber der bekannten Inselstruktur eine Herabsetzung des Umfangs der Oberflachenzonen erhalten. Bei schaltungen, bei denen der Abstand zwischen den Leitern E noch kleiner ist, vorzugsweise kleiner als d.aa Dreifache der Breite der Cberflächenzonen, wird dieser Effekt in noch stärkere..: jiasse erreicht. .

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nie aus der Mg» 3 hervorgeht, ist bei den Xreuzunge der zwischen der leitenden. Qberflächenzone 4 und der aweiten Sone 5 yorhandene pn-Uebergang praktisch zur Verringerung von Leckströmen kurzgeschlossen, wie im vorstehenden erwähnt wurde. Bei. anderen Schaltungen könnte es- vorteilhaft sein, den pn-Uebergang zwischen der Schicht; 5 und dem unterliegenden Körper T- an dieser ätelle kurz-3US Chileans en.,, abhängig von der· Richtung- und der Grosse der- am diesen pn-ü'e:berg.ängen au-f-tretencTerr Betriebsspannungen;.

Obschom in diesem: Be:is.p.iel die eindiffundlierten Zone w,elcl.e öxe Terblnd'ungert. VT.. , TT₂. usw.·. bilden,, zugleich mit dier B'aaisuiid ümitterz-one der üTranais-toren angebracht sind> können diiese Lonen au.ter Qmstäiidett auch durch gesonderte Diffusionen, angebracht werden. Babei kamm gegeaenenfaOLls beim Anbringen, der Leiter T die Schicht 4 weggelassen, werden, in welchem Falle ;Jed"acii die p-leitende dchicht 5 bedeutest stärker dotiert werden muss als die Basis dea Transistors, damit eine ausreichende' Leitfähigkeit gewährleistet wir«!.

weiter dürfte es einleuchten, dass die Erfindung

nicht auf das im obenstehenden beschriebene Beispiel beschränkt ist, sondern .-dass im Rahmen der Erfindung viele Abänderungen möglich sind So können namentlich die obenerwähnten Halbleitermaterialien, Isolierschichten und Metalle innerhalb weiter Grenzen variiert werden. Leiter 3ind als Schaltelemente, ausser Transistoren, auch Dioden, Widerstände und Elemente, die an sich aus einer Anzahl einseiner Transistarstrugturen, Dioden, Widerstände usw. aufgebaut sind, verwendbar. Anstelle von eindiffundierten Zonen können unter Umständen auch andere, z.B. epitaxial angebrachte, gut leitende Zonen des Halbleiterkörpers wirksam sein, während, wie gesagt, in gewissen Fällen, in denen die Leiter V nur kleine Ströme führe*., die unter-· •brochenen üetallschichten .11 •i-eggelassen werden können.

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Claims

- ■*

I. halbleitervorrichtung mit eineia Halbleiterkörper, der

wenitiiitens einseitig mit einer Isolierschicht, z.B. aus Siliziumoxid, versehen ist, aufweicher Seite zwei sich kreuzende Gruppen von Verbindungen angebracht sind, die je aus einer Vielzahl zueinander praktisch paralleler, strei'fenf Srmiger, elektrisch leitender Verbindungen bestehen, wobei eine Grupße aus auf der Isolierschicht angebrachten ununterbrochenen Metallschichten besteht und wobei an der Stelle einer Kreuzung die zur anderen Gruppe gehörende Verbindung durch eine unter der Isolierschicht liegende> leitende Vorzugs-· weise eindiffundierte Oberflächenzone des einen Leitungstyps gebildet wird, die im Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstyps umgeben ist, während auf dieserSeite auch eine Anzahl Schaltelemente im Körper angebracht ist, die auf wenigstens einigen Kreuzungen mit beiden sich kreuzenden Verbindungen verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die zur zweiten Gruppe gehörenden Verbindungen auch zwischen den Kreuzungen eine vorzugsweise eindiffundierte.., ix Halbleiterkörper von einem Gebiet des anderen Leitungstype umgebene Oberflächenzone des einen Leitungetyp» enthalten, wodurch jede Verbindung der zweiten Gruppe eine ununterbrochene, sich mit den Verbindungen der ersten Gruppe kreuzende Oberflächenzone enthält.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch t, bei der eine

zur zweiten Gruppe gehörende Verbindung eine Metallschicht enthält, die an dir Stell· der Kreuzungen unterbrochen ist und sich dort an, eine unter der leolieraohicht liegende, unter der kreuzenden Verbindung der ersten Gruppe hindurchgehende, leitende, vorzugsweise elndlffundierte OberflSchenzone des einen Leitungatype anaohliaset, die in Halbleiterkörper von einem Sebiet dee anderen Ltitungatyps ufflgebesr let,- dadurch gtkennzeichnet, dass die vorzugsweise 9indiffundierten

OberfläGhe&zonej& 2?tf3c:ien den Kreuzungen auch .unter der unterbrochen

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nen Metallschicht hindurchgehen und dadurch eine einzige durchgehende, vorzugsweise eindiffundierte Zone bilden, wobei die unterbrochene Metallschicht zum grossten leil der Länge einer eindiffundierten Zone zwischen zwei Kreuzungen und zum gröeaten Teil der Breite dieser Zone auf dieser Zone liegt.
3. "· ' Halbleitervorrichtung, nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daes der Abstand zwischen zwei benachbarten Verbindungen der ersten Gruppe höchstens das fünffache, vorzugsweise höchstens das Dreifache der üreite der zur zweiten Gruppe gehörenden leitenden Oberflächenzone beträft.
4. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche» dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzone im Halbleiterkörper von einer zweitön, vorzugsweise eindiffundierten Zone des anderen Jueitungstyps umgeben ist, die in einem Seil des einen Leitung©type im Halbleiterkörper angebracht ist.
5. Halbleitervorrichtung nach einem oder aehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, das» die Vorrichtung Schaltelemente mit einer Transistorstruktur enthält und dass die

Oberflächenzone hinsichtlich der Dicke, des Leitung3type und

'■-■/■ ■ ■ -.

Leitfähigkeit mit der ümitterssone mindeetene einer der Tranaistor-

atrukturen übtreinetisiffit. .
6. , iialbleittrvorrichtung nach dta Ansprachen 4 und 5_t

dadurch gtktnnieiohn«t_t äßes dit Ob«rflächtDaoiit und die sfttit· hinaiohtlich dtr Dick», des Ltitu»g»type und dtr L«itfIhigktit elt der üailtUr- baw, Baei»R9ßt sind β* tent einer dtr TrÄÄ»i**O3pitruktute» Übtrtinatiamt.
7. H»lbl«it»rYorriohtußg a*oh «int» oitr β»ητ«Γ§η ätr Anspruch· 4 bla 6, dadurch g«kenn2«ichhst_s d*ae h*i aind««st«n» Verbindung der 2wtittn Gruppe der zwlaohtn dar i»eitea Mttt und

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unterliegenden Teil des Halbleiterkörpers vorhandene pn-Uefiergang
praktisch kurzgeschlossen ist.
8. Halbleitervorrichtung nach einem oder mehreren der

Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass bei mindestens einer Verbindung der zweiten Gruppe der zwischen der Oberflächenzone und der aweiten Zona Torhan.Jene pn-üebergang praktisch kurzgeschlossen ist. . ■■'.'"■ · ^!

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