DE1920925C3 - Halbfestwertspeicher - Google Patents
HalbfestwertspeicherInfo
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
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Description
Die Erfindung betrifft einen Halbfestwertspeicher mit einer Anordnung sich kreuzender elektrischer
Leiter, die Abfrage- und Leseleiter darstellen, und resistiven Koppelelementen, die an den Kreuzungspunkten der Abfrage- und Leseleiter eine galvanische
bzw. elektrisch leitende Kopplung bewirken.
Halbfestwertspeicher sind in der modernen Datentechnik in vielfachen Ausführungen bekanntgeworden.
So zeigt z. B. die deutsche Auslegeschrift 030069 eine Speichertastatur, bei der tastengesteuerte
magnetische Jochelemente über den Kreuzungsstellen sich kreuzender Leiter angeordnet sind. Die
Jochelemente ruhen in gedruckter Lage der Tasten auf Magnetkernen, die sich unter den Kreuzungsstellen
befinden, wodurch ein magnetischer Kreis rings um die sich kreuzenden Leiter geschlossen wird. Eine
solche Anordnung arbeitet relativ zuverlässig, ist jedoch durch die Notwendigkeit, jedes einzelne Joch
verschiebbar lagern zu müssen, sehr aufwendig im Aufbau. Bei einer Leitermatrix nur geringer Größe
muß eine Vielzahl von Parallelführungen für die Tastenstößel geschaffen werden, die darüber hinaus noch
genau mit den auf einer Grundplatte angeordneten Magnetkernen fluchten müssen.
In einer anderen Ausführungsform, die in der deutsehen
Auslegeschrift 1 093 116 näher beschrieben ist, sind die sich kreuzenden Leiter einer Matrix an ihren
Kreuzungsslellen jeweils von Ringkernen umgeben. Hier ist pro Ringkern jeweils ein Permanentmagnet
längsverschiebbar gelagert, wodurch er in einer ersten Stellung vom Ringkern entfernt, in einer zweiten Stellung
jedoch an diesen herangeführt sein kann. Um die gewünschte Information in den Speicher einzuspeisen,
wird zwischen Magnete und Ringkerne eine an den erforderlichen Stellen gelochte Karte einge-
>5 schoben, die die Magnete durch die Löcher an die
Ringkerne herantreten läßt, während sie an nichtgelochten Stel/en die Magnefe fernhält. Nachteilig ist
hier wie bei der erstgenannten Ausführungsform, daß Führungen für jeden Magnet geschaffen werden müs-
a° sen. Die einschiebbare gelochte Karte vereinfacht
zwar den Wechsel eines Programms, jedoch müssen auch hier die Löcher genau mit den Führungen der
Magnete übereinstimmen.
Bei einer weiteren bekannten Speicheranordnung,
a5 deutsche Au&legeschrift 1 133 927, ist unter den sich
kreuzenden Leitern hochpermeables Material angeordnet, über den Leitern eine Metallplatte aus elektrisch
gut leitendem Material und darüber wiederum hochpermeables Material. In der Metallplatte sind an
denjenigen Kreuzungspunkten Schlitze vorgesehen, wo dies für die Verarbeitung der Daten im Speicher
erforderlich ist. Ein Programmwechsel erfolgt hier durch Wechsel der Metallplatte. Diese Anordnung ist
in ihrem Aufbau recht einfach, jedoch ist die Funktionszuverlässigkeitsehr stark von den Materialeigenschaften
der einzelnen Platten abhängig. Bei dicht nebeneinanderliegenden Schlitzen in der Metallplatte
besteht die Gefahr, daß ein zu Fehlern führender magnetischer Fluß durch nicht zusammengehörende Öff-
«o nungen hindurch zustande kommt. Außerdem ist ein
solcher Aufbau wegen der dafür erforderlichen Materialien und besonderen Bearbeitungsverfahren ausschließlich
für in großen Stückzahlen gefertigte Speicher vertretbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen einfachen und billigen Halbfestwertspeicher mit galvanischer
bzw. resistiver Kopplung zwischen Abfrage- und Leseleitung zu schaffen, der starke Lesesignale
gewährleistet, die ohne Verstärkung weiterverarbeitet werden können, und höchste Zuverlässigkeit bietet.
Dabei ist insbeosndere an einen Halbfestwertspeicher mit Gesamtbitänderung gedacht.
Die Lösung der Aufgabe besteht darin, daß der Kopplungsgrad der resistiven Koppelelemente durch
Magnetfeldeinwirkung steuerbar ist.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Halbfestwertspeichers besteht insbesondere darin, daß die Zuordnung
der die Magnefelder erzeugenden Magnete zu den magnetisch steuerbaren Koppelelementen nicht
mit übermäßiger Präzision erfolgen muß. Die sehr große Widerstandserhöhung im Magnetfeld bei Feldplatten
beispielsweise ermöglicht starke, unempfindliche Signale, die unverändert weiter verarbeitet werden
können. Zudem gewährleistet ein mit resistiven Koppelelementen aufgebauter Speicher gegenüber
Ringkernspeicher eine wesentlich schnellere Abfragezeit. Außerdem ist eine sehr einfache und damit billige
Herstellung als gedruckte Schaltung möglich.
Darüber hinaus ist aber auch eine Herstellung als IC
denkbar, wo die Koppelelemente schon gleich mit eingearbeitet sind. Durch eine zusätzliche Anordnung
kann auch eine Einzelbitänderung möglich gemacht werden.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist eine Maskenplatte aus magnetisch leitendem Material zwischen
einer die magnetisch steuerbaren Widerstände tragender* Trägerplatte und einer die Magnete tragenden
Platte angeordnet, die an ausgewählten Stellen über den magnetisch steuerbaren Widerständen mit
Durchbrüchen versehen ist.
Der Vorteil dieser Ausgestaltung liegt darin, daß durch Austausch der Maskenplatte das gespeicherte
Programm mit einem Handgriff gewechselt werden kann. Andererseits ist es aber auch möglich, durch
Anordnung der Magnete nur an ausoewählten Stellen
mit Hilfe von Programmschablonen ein Programm ohne Maskenplatte zu gestalten bzw. zu verändern.
Ausführungsbeispicle des erfindungsgemäßen *°
Halbfestwertspeichers sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend näher erläutert. Es
zeigt
Fig. 1 eine Widerstandsmatrix,
F i g. 2 den Schnitt einer Widerstandsmatrix und ei- »5
ner mit Elektromagneten bestückten Platte,
Fig. 3 eine mit einer Maske abgedeckte Widerstandsmatrix, teilweise aufgebrochen,
Fig. 4 den Schnitt einer Kassette,
Fig. 5 eine mit einer permanente Magnete tragenden
Platte abgedeckte Widerslandsmatrix,
Fig. 6 den Schnitt der Fig. 5,
Fig. 7 den Schnitt einer Kassette für eine permanente
Magnete tragende Platte.
Auf einer Trägerplatte 1 (Fig. 1) befinden sich Abfrage- und Leseleitungen 2 und 3, die an ihren
Kreuzungspunkten durch resistive Koppelelemente 4 galvanisch miteinander gekoppelt sind. Diese Koppelelemente
4 sind magnetisch steuerbare Widerstände, deren Widerstand sich durch Einwirkung eines
magnetischen Kraftfeldes ändert.
In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 wird das für jedes Koppelelement 4 vorgesehene magnetische
Kraftfeld durch Elektromagnete 8 erzeugt. Diese Elektromagnete 8 sind auf einer der Trägerplatte 1
gegenüberliegenden Platte 5 angeordnet und tragen eine Wicklung 9. Zwecks Einspeicherung einer Information
werden die entsprechenden Wicklungen 9 z. B. über Tastenkontakte mit einer Spannung beaufschlagt,
wodurch alle selektierten Elektromagnete 8 erregt werden. Das jeweils im Bereich eines erregten
Elektromagneten 8 liegende Koppelelement 4 verändert seinen Widerstandswert. Das daraus resultierende
geänderte Koppelverhältnis zwischen Abfrage- und Leseleitung 2 und 3 kann nunmehr auf bekannte
Weise abgefragt werden. Dabei entspricht beispielsweise die Abwesenheit eines Magnetfeldes einer binären
Eins, während die Anwesenheit eines Magnetfeldes eine binäre Null bedeutet.
Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 3 und 4 werden die Elektromagnete
ständig im erregten Zustand gehalten. Für die Auswahl der Koppelelemente 4 wird eine Maskenplatte 6
aus magnetisch !eitfähigem Material benutzt. Diese Maskenplatte 6 ist an den Stellen, wo die ausgewählten
Koppelelemente 4 liegen, mit Durchbrüchen 7 versehen. Wie die F i g. 4 zeigt, kann ein solcher erfindungsgemäßer
Halbfestwertspeicher in Form einer Kassette ausgebildet werden. Dabei bilden die Trägerplatte
1 und die Platte 5 die Seitenwände, die durch einen Boden miteinander verbunden sind. Für
die Maskenplatte 6 sind oben am Einschub Führungen 10 und 12 und unten am Boden Führungen 11 und
13 vorgesehen, die den richtigen Abstand von den Elektromagneten 8 und den Koppelelementen 4 vorgeben.
Weitere Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Halbfestwertspeichers zeigen die Fig. 5 und
7. Danach trägt eine Platte 16 eingelassene Permanentmagnete 17, die in ihrer Anordnung eine Information
verkörpern, welche der gespeicherten Information entspricht. Die Fig. 7 zeigt wiederum eine
Kassette aus der Trägerplatte 1 und einer Platte 20, in welche die mit den Permanentmagneten 17 versehene
Platte 16 eingesetzt ist. Eine am Einschub angeordnete Führung 18 und eine Führung 19 am Boden
sorgen für den richtigen Sitz der eingeschobenen Platte 16.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Halbfestwertspeicher mit einer Anordnung sich kreuzender elektrischer Leiter, die Abfrage-
und Leseleiter darstellen, und resistiven Koppelelementen, die an den Kreuzungspunkten der Abfrage-
und Leseleiter eine galvanische bzw. elektrisch leitende Kopplung bewirken, dadurch
gekennzeichnet, daß der Kopplungsgrad der resistiven Koppelelemente (4) durch Magnetfeldeinwirkung
steuerbar ist.
2. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Feidplatten als Koppelelemente
(4) eingesetzt sind.
3. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnef, daß die magnetisch
steuerbaren resistiven Koppelelemente (4) auf einer mit den Abfrage- und Leseleitern (2,3) versehenen
Trägerplatte (1) und die Magnete (8 bzw. 17) auf einer darüber befindlichen Platte (5 bzw.
1.6) angeordnet sind.
4. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maskenplatte (6)
aus magnetisch leitendem Material zwischen Platte (5 bzw. 16) und Trägerplatte (1) angeordnet
ist, die an ausgewählten Stellen über den resistiven Koppelelementen (4) mit Durchbrüchen (7) versehen
ist.
5. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß aus der Trägerplatte
(1) und der darüber angeordneten Platte (5 bzw. 16) eine Kassette gebildet ist, in die die Maskenplatte (6) einschiebbar ist.
6. Halbfestwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung
der Magnetfelder Permanentmagnete (17) vorgesehen sind.
7. Halbfestwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung
der Magnetfelder Elektromagnete (8) vorgesehen sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691920925 DE1920925C3 (de) | 1969-04-24 | 1969-04-24 | Halbfestwertspeicher |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691920925 DE1920925C3 (de) | 1969-04-24 | 1969-04-24 | Halbfestwertspeicher |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1920925A1 DE1920925A1 (de) | 1970-11-12 |
| DE1920925B2 DE1920925B2 (de) | 1974-01-10 |
| DE1920925C3 true DE1920925C3 (de) | 1974-08-08 |
Family
ID=5732234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691920925 Expired DE1920925C3 (de) | 1969-04-24 | 1969-04-24 | Halbfestwertspeicher |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1920925C3 (de) |
-
1969
- 1969-04-24 DE DE19691920925 patent/DE1920925C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1920925A1 (de) | 1970-11-12 |
| DE1920925B2 (de) | 1974-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |