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DE1920925C3 - Halbfestwertspeicher - Google Patents

Halbfestwertspeicher

Info

Publication number
DE1920925C3
DE1920925C3 DE19691920925 DE1920925A DE1920925C3 DE 1920925 C3 DE1920925 C3 DE 1920925C3 DE 19691920925 DE19691920925 DE 19691920925 DE 1920925 A DE1920925 A DE 1920925A DE 1920925 C3 DE1920925 C3 DE 1920925C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semi
plate
fixed value
value memory
coupling elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19691920925
Other languages
English (en)
Other versions
DE1920925A1 (de
DE1920925B2 (de
Inventor
Ortwin 6240 Koenigstein Feustel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympia Werke AG
Original Assignee
Olympia Werke AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympia Werke AG filed Critical Olympia Werke AG
Priority to DE19691920925 priority Critical patent/DE1920925C3/de
Publication of DE1920925A1 publication Critical patent/DE1920925A1/de
Publication of DE1920925B2 publication Critical patent/DE1920925B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1920925C3 publication Critical patent/DE1920925C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards

Landscapes

  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Lock And Its Accessories (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbfestwertspeicher mit einer Anordnung sich kreuzender elektrischer Leiter, die Abfrage- und Leseleiter darstellen, und resistiven Koppelelementen, die an den Kreuzungspunkten der Abfrage- und Leseleiter eine galvanische bzw. elektrisch leitende Kopplung bewirken.
Halbfestwertspeicher sind in der modernen Datentechnik in vielfachen Ausführungen bekanntgeworden. So zeigt z. B. die deutsche Auslegeschrift 030069 eine Speichertastatur, bei der tastengesteuerte magnetische Jochelemente über den Kreuzungsstellen sich kreuzender Leiter angeordnet sind. Die Jochelemente ruhen in gedruckter Lage der Tasten auf Magnetkernen, die sich unter den Kreuzungsstellen befinden, wodurch ein magnetischer Kreis rings um die sich kreuzenden Leiter geschlossen wird. Eine solche Anordnung arbeitet relativ zuverlässig, ist jedoch durch die Notwendigkeit, jedes einzelne Joch verschiebbar lagern zu müssen, sehr aufwendig im Aufbau. Bei einer Leitermatrix nur geringer Größe muß eine Vielzahl von Parallelführungen für die Tastenstößel geschaffen werden, die darüber hinaus noch genau mit den auf einer Grundplatte angeordneten Magnetkernen fluchten müssen.
In einer anderen Ausführungsform, die in der deutsehen Auslegeschrift 1 093 116 näher beschrieben ist, sind die sich kreuzenden Leiter einer Matrix an ihren Kreuzungsslellen jeweils von Ringkernen umgeben. Hier ist pro Ringkern jeweils ein Permanentmagnet längsverschiebbar gelagert, wodurch er in einer ersten Stellung vom Ringkern entfernt, in einer zweiten Stellung jedoch an diesen herangeführt sein kann. Um die gewünschte Information in den Speicher einzuspeisen, wird zwischen Magnete und Ringkerne eine an den erforderlichen Stellen gelochte Karte einge-
>5 schoben, die die Magnete durch die Löcher an die Ringkerne herantreten läßt, während sie an nichtgelochten Stel/en die Magnefe fernhält. Nachteilig ist hier wie bei der erstgenannten Ausführungsform, daß Führungen für jeden Magnet geschaffen werden müs-
a° sen. Die einschiebbare gelochte Karte vereinfacht zwar den Wechsel eines Programms, jedoch müssen auch hier die Löcher genau mit den Führungen der Magnete übereinstimmen.
Bei einer weiteren bekannten Speicheranordnung,
a5 deutsche Au&legeschrift 1 133 927, ist unter den sich kreuzenden Leitern hochpermeables Material angeordnet, über den Leitern eine Metallplatte aus elektrisch gut leitendem Material und darüber wiederum hochpermeables Material. In der Metallplatte sind an denjenigen Kreuzungspunkten Schlitze vorgesehen, wo dies für die Verarbeitung der Daten im Speicher erforderlich ist. Ein Programmwechsel erfolgt hier durch Wechsel der Metallplatte. Diese Anordnung ist in ihrem Aufbau recht einfach, jedoch ist die Funktionszuverlässigkeitsehr stark von den Materialeigenschaften der einzelnen Platten abhängig. Bei dicht nebeneinanderliegenden Schlitzen in der Metallplatte besteht die Gefahr, daß ein zu Fehlern führender magnetischer Fluß durch nicht zusammengehörende Öff-
«o nungen hindurch zustande kommt. Außerdem ist ein solcher Aufbau wegen der dafür erforderlichen Materialien und besonderen Bearbeitungsverfahren ausschließlich für in großen Stückzahlen gefertigte Speicher vertretbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen einfachen und billigen Halbfestwertspeicher mit galvanischer bzw. resistiver Kopplung zwischen Abfrage- und Leseleitung zu schaffen, der starke Lesesignale gewährleistet, die ohne Verstärkung weiterverarbeitet werden können, und höchste Zuverlässigkeit bietet. Dabei ist insbeosndere an einen Halbfestwertspeicher mit Gesamtbitänderung gedacht.
Die Lösung der Aufgabe besteht darin, daß der Kopplungsgrad der resistiven Koppelelemente durch Magnetfeldeinwirkung steuerbar ist.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Halbfestwertspeichers besteht insbesondere darin, daß die Zuordnung der die Magnefelder erzeugenden Magnete zu den magnetisch steuerbaren Koppelelementen nicht mit übermäßiger Präzision erfolgen muß. Die sehr große Widerstandserhöhung im Magnetfeld bei Feldplatten beispielsweise ermöglicht starke, unempfindliche Signale, die unverändert weiter verarbeitet werden können. Zudem gewährleistet ein mit resistiven Koppelelementen aufgebauter Speicher gegenüber Ringkernspeicher eine wesentlich schnellere Abfragezeit. Außerdem ist eine sehr einfache und damit billige Herstellung als gedruckte Schaltung möglich.
Darüber hinaus ist aber auch eine Herstellung als IC denkbar, wo die Koppelelemente schon gleich mit eingearbeitet sind. Durch eine zusätzliche Anordnung kann auch eine Einzelbitänderung möglich gemacht werden.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist eine Maskenplatte aus magnetisch leitendem Material zwischen einer die magnetisch steuerbaren Widerstände tragender* Trägerplatte und einer die Magnete tragenden Platte angeordnet, die an ausgewählten Stellen über den magnetisch steuerbaren Widerständen mit Durchbrüchen versehen ist.
Der Vorteil dieser Ausgestaltung liegt darin, daß durch Austausch der Maskenplatte das gespeicherte Programm mit einem Handgriff gewechselt werden kann. Andererseits ist es aber auch möglich, durch Anordnung der Magnete nur an ausoewählten Stellen mit Hilfe von Programmschablonen ein Programm ohne Maskenplatte zu gestalten bzw. zu verändern.
Ausführungsbeispicle des erfindungsgemäßen *° Halbfestwertspeichers sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Widerstandsmatrix,
F i g. 2 den Schnitt einer Widerstandsmatrix und ei- »5 ner mit Elektromagneten bestückten Platte,
Fig. 3 eine mit einer Maske abgedeckte Widerstandsmatrix, teilweise aufgebrochen,
Fig. 4 den Schnitt einer Kassette,
Fig. 5 eine mit einer permanente Magnete tragenden Platte abgedeckte Widerslandsmatrix,
Fig. 6 den Schnitt der Fig. 5,
Fig. 7 den Schnitt einer Kassette für eine permanente Magnete tragende Platte.
Auf einer Trägerplatte 1 (Fig. 1) befinden sich Abfrage- und Leseleitungen 2 und 3, die an ihren Kreuzungspunkten durch resistive Koppelelemente 4 galvanisch miteinander gekoppelt sind. Diese Koppelelemente 4 sind magnetisch steuerbare Widerstände, deren Widerstand sich durch Einwirkung eines magnetischen Kraftfeldes ändert.
In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 wird das für jedes Koppelelement 4 vorgesehene magnetische Kraftfeld durch Elektromagnete 8 erzeugt. Diese Elektromagnete 8 sind auf einer der Trägerplatte 1 gegenüberliegenden Platte 5 angeordnet und tragen eine Wicklung 9. Zwecks Einspeicherung einer Information werden die entsprechenden Wicklungen 9 z. B. über Tastenkontakte mit einer Spannung beaufschlagt, wodurch alle selektierten Elektromagnete 8 erregt werden. Das jeweils im Bereich eines erregten Elektromagneten 8 liegende Koppelelement 4 verändert seinen Widerstandswert. Das daraus resultierende geänderte Koppelverhältnis zwischen Abfrage- und Leseleitung 2 und 3 kann nunmehr auf bekannte Weise abgefragt werden. Dabei entspricht beispielsweise die Abwesenheit eines Magnetfeldes einer binären Eins, während die Anwesenheit eines Magnetfeldes eine binäre Null bedeutet.
Bei einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung nach Fig. 3 und 4 werden die Elektromagnete ständig im erregten Zustand gehalten. Für die Auswahl der Koppelelemente 4 wird eine Maskenplatte 6 aus magnetisch !eitfähigem Material benutzt. Diese Maskenplatte 6 ist an den Stellen, wo die ausgewählten Koppelelemente 4 liegen, mit Durchbrüchen 7 versehen. Wie die F i g. 4 zeigt, kann ein solcher erfindungsgemäßer Halbfestwertspeicher in Form einer Kassette ausgebildet werden. Dabei bilden die Trägerplatte 1 und die Platte 5 die Seitenwände, die durch einen Boden miteinander verbunden sind. Für die Maskenplatte 6 sind oben am Einschub Führungen 10 und 12 und unten am Boden Führungen 11 und 13 vorgesehen, die den richtigen Abstand von den Elektromagneten 8 und den Koppelelementen 4 vorgeben.
Weitere Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Halbfestwertspeichers zeigen die Fig. 5 und 7. Danach trägt eine Platte 16 eingelassene Permanentmagnete 17, die in ihrer Anordnung eine Information verkörpern, welche der gespeicherten Information entspricht. Die Fig. 7 zeigt wiederum eine Kassette aus der Trägerplatte 1 und einer Platte 20, in welche die mit den Permanentmagneten 17 versehene Platte 16 eingesetzt ist. Eine am Einschub angeordnete Führung 18 und eine Führung 19 am Boden sorgen für den richtigen Sitz der eingeschobenen Platte 16.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbfestwertspeicher mit einer Anordnung sich kreuzender elektrischer Leiter, die Abfrage- und Leseleiter darstellen, und resistiven Koppelelementen, die an den Kreuzungspunkten der Abfrage- und Leseleiter eine galvanische bzw. elektrisch leitende Kopplung bewirken, dadurch gekennzeichnet, daß der Kopplungsgrad der resistiven Koppelelemente (4) durch Magnetfeldeinwirkung steuerbar ist.
2. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Feidplatten als Koppelelemente (4) eingesetzt sind.
3. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnef, daß die magnetisch steuerbaren resistiven Koppelelemente (4) auf einer mit den Abfrage- und Leseleitern (2,3) versehenen Trägerplatte (1) und die Magnete (8 bzw. 17) auf einer darüber befindlichen Platte (5 bzw. 1.6) angeordnet sind.
4. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maskenplatte (6) aus magnetisch leitendem Material zwischen Platte (5 bzw. 16) und Trägerplatte (1) angeordnet ist, die an ausgewählten Stellen über den resistiven Koppelelementen (4) mit Durchbrüchen (7) versehen ist.
5. Halbfestwertspeicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß aus der Trägerplatte (1) und der darüber angeordneten Platte (5 bzw. 16) eine Kassette gebildet ist, in die die Maskenplatte (6) einschiebbar ist.
6. Halbfestwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Magnetfelder Permanentmagnete (17) vorgesehen sind.
7. Halbfestwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der Magnetfelder Elektromagnete (8) vorgesehen sind.
DE19691920925 1969-04-24 1969-04-24 Halbfestwertspeicher Expired DE1920925C3 (de)

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Publication Number Publication Date
DE1920925A1 DE1920925A1 (de) 1970-11-12
DE1920925B2 DE1920925B2 (de) 1974-01-10
DE1920925C3 true DE1920925C3 (de) 1974-08-08

Family

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DE1920925B2 (de) 1974-01-10

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