DE19927299C2 - Schaltnetzteilübertrager hoher Leistung - Google Patents
Schaltnetzteilübertrager hoher LeistungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Übertrager für ein Schaltnetz
teil mit einem einen Innenraum aufweisenden Magnetkern, auf
den wenigsten zwei Wicklungen aufgebracht sind, wobei die au
ßenliegende Wicklung von einem trogförmigen, in Umfangsrich
tung dem Magnetkern folgenden Gehäuse gebildet ist und der
Magnetkern aus einer weichmagnetischen Legierung mit einer
Sättigungsinduktion BS < 1 Tesla hergestellt ist.
Ein derartiger Schaltnetzteilübertrager ist beispielsweise
aus der EP 0 490 438 A1 bekannt. Ferner ist aus der DE 42 10 748 C1
die Verwendung von nanokristallinen weichmagnetischen
Legierungen in der Leistungselektronik bekannt.
Ferner ist ein Übertrager aus der EP-A 0 875 908 bekannt,
welcher einen ringförmigen Magnetkern aufweist, der in ein
Schutzgehäuse eingebettet ist, das den Magnetkern bis auf ei
nen ringförmigen Spalt vollständig umgibt. Auf das Schutzge
häuse ist eine zweite Wicklung aus Draht aufgebracht. Durch
die große räumliche Nähe der beiden Wicklungen zum Magnetkern
ergeben sich geringe Streuinduktivitäten, so daß sich der be
kannte Übertrager insbesondere für Taktfrequenzen im Hochfre
quenzbereich eignet.
Neuere Entwicklungen bei der Stromversorgung in Automobilen
gehen davon aus, das Bordnetz auf 42 V anzuheben, um die e
lektrischen Verluste, bedingt durch große Ströme, zu reduzie
ren und die Massen der Kabelbäume durch dünnere Drahtquer
schnitte zu verkleinern. Da aber die meisten Verbraucher und
die Batterie, zumindest in einer Übergangszeit, noch auf 12 V
ausgelegt sind, müssen beide Spannungsebenen parallel existieren.
Diese zweite Spannungsebene soll nun von Schaltnetz
teilen erzeugt werden, die Leistungen bis etwa 2 kW umsetzen.
Der Anspruch an die dazu verwendeten Übertrager ist insbeson
dere im Hinblick auf die hohen Arbeitstemperaturen, Gewicht
und mechanische Robustheit sehr groß. Insbesondere müssen die
Übertrager in der Lage sein, Ströme im Bereich von 100 A um
zusetzen. Die bekannten Leistungsübertrager sind jedoch nicht
in der Lage, trotz kleiner Bauform derart große Ströme mit
geringen Verlusten zu übertragen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung
die Aufgabe zugrunde, einen Übertrager kleiner Bauform mit
einem neuartigen Gehäuse zu schaffen, welches einfach herzu
stellen ist.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß das Gehäuse aus einem
Blech mit einer Dicke zwischen 0,4 und 0,6 mm gefertigt ist.
Da ein Magnetkern mit einer Sättigungsinduktion < 1 T verwen
det wird, kann zum einen der Querschnitt des Magnetkerns
klein gewählt werden und zum anderen die Windungszahl der
Wicklung bis auf eins reduziert werden. Außerdem kann die
Taktfrequenz ≦ 100 kHz gewählt werden. In diesem Frequenzbe
reich sind die Verluste im Magnetkern sehr gering.
Zudem werden erfindungsgemäß für das Gehäuse Bleche mit einer
Dicke von 0,4 bis 0,6 mm verwendet, ohne daß sich durch die
Wirbelströme allzu große Verluste im Blech ergeben. Da bei
Frequenzen unterhalb von 100 kHz nur geringe Verluste im Mag
netkern anfallen, wird bei einem Übertrager gemäß der Erfin
dung der Entstehungsort der Verlustleistung vom Magnetkern
ins Gehäuse verlagert. Das Gehäuse befindet sich außen und
kann mit einfachen Mitteln wirksam gekühlt werden.
Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der
abhängigen Ansprüche.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand
der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht von unten auf ein erstes Ausführungs
beispiel eines Übertragers für die Automobiltechnik;
Fig. 2 eine Seitenansicht des Übertragers aus Fig. 1; und
Fig. 3 eine Draufsicht von unten auf ein weiteres Ausfüh
rungsbeispiel eines Übertragers.
In Fig. 1 ist eine Draufsicht von unten auf einen Übertrager
1 dargestellt. Der Übertrager 1 weist einen Magnetkern 2 auf.
Bei dem Magnetkern 2 handelt es sich um einen gewickelten
Ringbandkern aus einer weichmagnetischen nanokristallinen Le
gierung auf Eisenbasis. Auf den Magnetkern 2 ist eine innere
Wicklung 3 aus einer Litze mit isolierten Adern aufgebracht.
Die innere Wicklung 3 ist über Anschlußstifte 4 herausge
führt. Die innere Wicklung 3 und der Magnetkern 2 sind ferner
in einem trogförmigen Gehäuse 5 angeordnet, das mit einer
Kunststoffmasse 6 vergossen ist. Wie in Fig. 2 deutlich er
kennbar ist sind an das Gehäuse 5 Kontaktbügel 7, die ebenso
1 wie die Anschlußstifte 4 in eine Platine eingelötet werden
können, angebracht.
Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel bei dem das
Gehäuse 5 aus gestanzten Teilen zusammengesetzt ist, wobei
die Anschlußstifte 8 zusammen mit den Gehäuse aus Blech aus
gestanzt wurden.
Bei einem weiteren nicht dargestellten Ausführungsbeispiel
ist das Gehäuse 5 mit Kühlrippen ausgebildet, wodurch eine
größere Oberfläche zur Kühlung zur Verfügung steht. Durch
diese Maßnahme kann die Bauform weiter verkleinert werden.
Schließlich ist es auch möglich, ein zweites äußeres Gehäuse
vorzusehen, das das Gehäuse 5 umschließt. Durch ein entspre
chendes Verschalten des Gehäuses 5 und des äußeren Gehäuses
kann dann eine Mittelanzapfung an der Primärwicklung bewerk
stelligt werden.
Bei einem abgewandelten nicht dargestellten Ausführungsbei
spiel ist schließlich auch die innere Wicklung 3 durch ein
elektrisch leitendes inneres Gehäuse ersetzt. Dieses innere
Gehäuse kann auch geteilt sein, um eine anderes Übersetzungs
verhältnis als 1 : 1 zu erlauben.
Als Material für das Gehäuse 5 kommen insbesondere dünne Kup
ferbleche mit einer Stärke von 0,4 bis 0,6 mm in Frage. Der
artige Kupferbleche können ohne großen Aufwand durch Kalt
fließpressen umgeformt werden.
Die weichmagnetische Legierung des Magnetkern 2 ist eine
nanokristalline Legierung mit der Zusammensetzung
FexCuyMzSivBw, wobei M ein Element aus der Gruppe Nb, W, Ta,
Zr, Hf, Ti, Mo oder eine Kombination aus diesen bezeichnet
und x + y + z + v + w = 100 at% ist, mit
Fe: x = 100 at% - y - z - v - w,
Cu: y = 0,5-2 at%, vorzugsweise = 1 at%,
M: z = 1-5 at%, vorzugsweise = 2-3 at%,
Si: v = 5,5-18 at%, vorzugsweise = 14-17 at%,
B: w = 5-14 at%,
Cu: y = 0,5-2 at%, vorzugsweise = 1 at%,
M: z = 1-5 at%, vorzugsweise = 2-3 at%,
Si: v = 5,5-18 at%, vorzugsweise = 14-17 at%,
B: w = 5-14 at%,
wobei v + w < 18 at%, vorzugsweise v + w = 12-24 at% ist.
Bei der bevorzugten Zusammensetzung der Legierung kann durch
eine entsprechende Wärmebehandlung des gewickelten Ringband
kerns die Sättigungsmagnetostriktion auf einen Wert nahe Null
eingestellt werden. In diesem Fall kann das Gehäuse 5 mit ei
ner die Wärme gut leitenden, in der Regel sehr harten Kunst
stoffmasse, beispielsweise einem Epoxidharz, vergossen wer
den. Dadurch wird der Magnetkern 2 thermisch an das Gehäuse 5
angebunden. Von Vorteil ist weiterhin, daß sich das Gehäuse
5, das die Wicklung mit dem größten Stromfluß darstellt, au
ßen befindet. Dadurch ergeben sich ideale Bedingungen für ei
ne Wärmeabfuhr durch Luftkühlung.
Da die für den Magnetkern 2 verwendete Legierung darüber hin
aus im Frequenzbereich unterhalb von 100 kHz nur eine geringe
spezifische Verlustleistung von etwa 5 W/kg im Gegensatz zu
10 W/kg bei Ferriten aufweist, wird der Übertrager 1 mit
Taktfrequenzen im Bereich zwischen 10 kHz und 100 kHz betrie
ben. Bei diesen Frequenzen können sinnvollerweise für das Ge
häuse 5 auch Blechdicken oberhalb von 0,4 mm verwendet wer
den. Das bedeutet, daß die vom Gehäuse 5 gebildete äußere
Wicklung einen großen Leitungsquerschnitt aufweist. Dies hat
jedoch einen niedrigen Ohmschen Widerstand des Gehäuses 5 zur
Folge. Da bei Frequenzen unterhalb von 100 kHz auch die Wir
belstromverluste, im Gehäuse gering sind, ergeben sich insge
samt im Gehäuse 5 nur geringe Verluste.
Ein weiterer Vorteil der verwendeten Legierung ist deren hohe
Sättigungsinduktion, die im allgemeinen oberhalb von 1 T
liegt. Dies läßt sich leicht anhand der folgenden Gleichung
erkennen. Gemäß dieser Gleichung gilt für die Flußdichte B im
Magnetkern B = Uτ/(NAFef), wobei U die anliegende Span
nung, τ das Tastverhältnis von Einschaltzeit zu Periodendau
er, N die Zahl der Windungen, AFe der Eisenquerschnitt des
Magnetkerns und f die Taktfrequenz bedeutet. Da ein möglichst
großer Leitungsquerschnitt des Gehäuses 5 angestrebt wird,
ist die Windungszahl N = 1. Ein kleiner und leichter Übertra
ger 1 mit einen kleinen Eisenquerschnitt AFe ergibt sich dann
nur, wenn die Flußdichte B oder die Taktfrequenz f besonders
groß ist. Letzteres bewirkt jedoch unnötig große Verluste im
Magnetkern 2 und in den Halbleiterbauelementen die zum Be
schalten des Übertragers 1 verwendet werden. Außerdem machen
sich dann Wirbelstromeffekte und Streukapazitäten bemerkbar.
Insofern sind die obengenannten Materialien mit hoher Sätti
gungsinduktion von Vorteil.
Es sei angemerkt, daß auf einer Platine, in die der Übertra
ger 1 eingelötet wird, eine großflächige Leiterbahn ausgebil
det sein kann, die das trogförmige Gehäuse 5 bis auf eine
ringförmige Lücke schließt. Dadurch entsteht zwischen dem Ge
häuse 5 und den inneren Wicklung eine optimale elektromagne
tische Verkoppelung mit kleinen Streuinduktivitäten, was ins
besondere wegen der kleinen Schaltpausen beim Schalten großer
Ströme von Vorteil ist. Die vollständige Umhüllung des Ma
gnetkerns 2 ist auch vorteilhaft für die Funkentstörung, da
kaum Störfelder nach außen dringen können.
Weiterhin sei angemerkt, daß mit den hier vorgestellten Über
tragern trotz kleiner Spannung im Bereich von 12 V große
Ströme im Bereich von 100 A geschaltet werden können. Damit
eignen sich die Übertrager 1 insbesondere für den Einsatz in
Schaltnetzteilen, die die Stromversorgung in Automobilen si
cherstellen.
Ein derartiges Schaltnetzteil weist primärseitig mindestens
einen in Reihe zu der Primärwicklung geschalteten Schalter
auf, der von einer Steuerelektronik mit der Taktfrequenz ge
schaltet wird. Sekundärseitig sind Mittel vorhanden, die dazu
dienen, die Sekundärspannung zu glätten. Dabei handelt es
sich um herkömmliche von Dioden, Drosseln und Kondensatoren
gebildete Schaltungsanordnungen.
Claims (13)
1. Übertrager für ein Schaltnetzteil mit einem einen Innen
raum aufweisenden Magnetkern (2), auf den wenigstens zwei
Wicklungen (3, 5) aufgebracht sind, wobei die außenlie
gende Wicklung von einem trogförmigen, in Umfangsrichtung
dem Magnetkern folgenden Gehäuse (5) gebildet ist und der
Magnetkern (2) aus einer weichmagnetischen Legierung mit
einer Sättigungsinduktion BS < 1 Tesla hergestellt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (5) aus
einem Blech mit einer Dicke zwischen 0,4 und 0,6 mm ge
fertigt ist.
2. Übertrager nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Permeabilität des Magnetkerns (2) zwischen 15.000
und 30.000 liegt.
3. Übertrager nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Übertrager mit Frequenzen zwischen 10 kHz und 100 kHz
betreibbar ist.
4. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
für die Legierung eine nanokristalline Legierung auf Ei
senbasis mit der Zusammensetzung FexCuyMzSivBw ist, wobei
M ein Element aus der Gruppe Nb, W, Ta, Zr, Hf, Ti, Mo
oder eine Kombination aus diesen bezeichnet und
x + y + z + v + w = 100 at% ist mit
Fe: x = 100 at% - y - z - v - w,
Cu: y = 0,5-2 at%,
M: z = 1-5 at%,
Si: v = 6,5-18 at%,
B: w = 5-14 at %,
wobei v + w < 18 at% gilt.
x + y + z + v + w = 100 at% ist mit
Fe: x = 100 at% - y - z - v - w,
Cu: y = 0,5-2 at%,
M: z = 1-5 at%,
Si: v = 6,5-18 at%,
B: w = 5-14 at %,
wobei v + w < 18 at% gilt.
5. Übertrager nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Legierung die Beziehung gelten:
Cu: y = 1 at%,
M: z = 2-3 at%,
Si: v = 14-17 at%,
wobei v + w = 22-24 at% gilt.
Cu: y = 1 at%,
M: z = 2-3 at%,
Si: v = 14-17 at%,
wobei v + w = 22-24 at% gilt.
6. Übertrager nach einem der Ansprüch 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Magnetkern (2) ein gewickelter Ringbandkern ist.
7. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse (5) mit einem Epoxidharz vergossen ist.
8. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse (5) aus Kupfer angefertigt ist.
9. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß am Gehäuse (5) in Platinen einlötbare Drahtbügel (7)
befestigt sind.
10. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß am Gehäuse (5) in eine Platine einlötbare Anschluß
stifte (8) ausgebildet sind.
11. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die innere Wicklung (3) aus einer Litze mit isolier
ten Adern gefertigt ist.
12. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß die innere Wicklung (3) von einem weiteren trogförmi
gen, in Umfangsrichtung dem Magnetkern folgenden Gehäuse
gebildet ist.
13. Übertrager nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse (5) von einem weiteren trogförmigen, im
Umfangsrichtung dem Magnetkern folgenden äußeren Gehäuse
umgeben ist.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE1999127299 DE19927299C2 (de) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Schaltnetzteilübertrager hoher Leistung |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19927299A1 DE19927299A1 (de) | 2000-12-28 |
| DE19927299C2 true DE19927299C2 (de) | 2001-10-04 |
Family
ID=7911326
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1999127299 Expired - Fee Related DE19927299C2 (de) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Schaltnetzteilübertrager hoher Leistung |
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| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19927299C2 (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0490438A1 (de) * | 1990-12-14 | 1992-06-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Induktive Anordnung mit einem Ringformkern |
| DE4210748C1 (de) * | 1992-04-01 | 1993-12-16 | Vacuumschmelze Gmbh | Stromwandler für pulsstromsensitive Fehlerstromschutzschalter, Fehlerstromschutzschalter mit einem solchen Stromwandler, und Verfahren zur Wärmebehandlung des Eisenlegierungsbandes für dessen Magnetkern |
| EP0875908A1 (de) * | 1995-12-28 | 1998-11-04 | Suzhen Hu | Hochfrequenztransformator |
-
1999
- 1999-06-15 DE DE1999127299 patent/DE19927299C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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| EP0875908A1 (de) * | 1995-12-28 | 1998-11-04 | Suzhen Hu | Hochfrequenztransformator |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| DE 539311 VIII d/21h - 25.05.1954 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19927299A1 (de) | 2000-12-28 |
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