DE19920475A1 - Oberflächenbefestigte Chipschutz-Schmelzsicherung - Google Patents
Oberflächenbefestigte Chipschutz-SchmelzsicherungInfo
- Publication number
- DE19920475A1 DE19920475A1 DE19920475A DE19920475A DE19920475A1 DE 19920475 A1 DE19920475 A1 DE 19920475A1 DE 19920475 A DE19920475 A DE 19920475A DE 19920475 A DE19920475 A DE 19920475A DE 19920475 A1 DE19920475 A1 DE 19920475A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- fuse
- copper
- photoimageable
- fusible link
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 53
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 53
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000011536 re-plating Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/0411—Miniature fuses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H69/00—Apparatus or processes for the manufacture of emergency protective devices
- H01H69/02—Manufacture of fuses
- H01H69/022—Manufacture of fuses of printed circuit fuses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/046—Fuses formed as printed circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49107—Fuse making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fuses (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Eine oberflächenbefestigte Schmelzsicherung 58 umfaßt zwei Materialteilanordnungen. Die erste Teilanordnung umfaßt eine schmelzbare Verbindung 42 mit zugehörigem Tragesubstrat 13 und Anschlußflächen 34, 36. Die zweite Teilanordnung umfaßt eine schützende, fotoabbildungsfähige Schicht 56, die die schmelzbare Verbindung 42 überdeckt, um so Schutz gegen Stoß und Oxidation zu bieten. Die fotoabbildungsfähige Schicht bildet eine Beschichtung 56 mit falschem Profil.
Description
Die Erfindung betrifft allgemein die Verwendung von
fotografischen Materialien als konforme Beschichtungen für
oberflächenbefestigte Schmelzsicherungen. Derartige Schmelz
sicherungen werden in einer elektrischen Schaltung einer
gedruckten Schaltplatine eingesetzt und zu deren Schutz
verwendet.
Gedruckte Schaltplatinen (Printed circuit PC-Platinen)
haben zunehmende Anwendung in allen Arten von elektrischen und
elektronischen Vorrichtungen gefunden. Die auf diesen PC-
Platinen ausgebildeten elektrischen Schaltungen, wie herkömm
liche elektrische Schaltungen in größerem Maßstab, bedürfen
eines Schutzes gegen elektrische Überlasten. Dieser Schutz
wird typischerweise durch Subminiatur-Schmelzsicherungen
vorgesehen, die physisch an der PC-Platine befestigt sind.
Ein Beispiel einer solchen oberflächenbefestigten
Subminiatur-Schmelzsicherung ist in der US-PS 5 166 656 ('656-
Patent) beschrieben. Das schmelzbare Verbindungsglied dieser
oberflächenbefestigten Schmelzsicherung ist als durch einen
Dreilagen-Aufbau überdeckt, der eine Passivierungslage, eine
Isolierungsdecke und eine Epoxidlage zum Verbinden der Passi
vierungslage mit der Isolierungsdecke enthält, offenbart,
siehe '656-Patent, Spalte 6, Zeilen 4-7. Typischerweise
besteht die Passivierungslage entweder aus chemisch aus der
Dampfphase abgeschiedenem Siliziumoxid oder einer dicken Lage
bedrucktem Glas, siehe '656-Patent, Spalte 3, Zeilen 39-41.
Die Isolierungsdecke kann eine Glasabdeckung sein, siehe '656-
Patent, Spalte 4, Zeilen 43-46.
Ein anderes Gerät nach dem Stand der Technik ist in der
US-PS 5 552 757 ('757-Patent) beschrieben. Bei dieser Erfin
dung ist, anders als gemäß dem '656-Patent, das schmelzbare
Verbindungsglied nur mit einer statt mit drei Lagen ge
schützt. Bei dem '757-Patent ist diese eine Schutzlage 56
jedoch ein Polycarbonatkleber oder dergleichen. Diese Schutz
lage 56 erstreckt sich im wesentlichen über die allgemeinen
Begrenzungen der in Fig. 12 des '757-Patents gezeigten, ober
flächenbefestigten Schmelzsicherung. Als ein Ergebnis konnte
die in Fig. 12 des '757-Patents gezeigte Schmelzsicherung nur
so auf eine Schaltplatine aufgesetzt werden, daß die Schutz
lage 56 nach oben, also von der Platine weg, gerichtet ist.
Diese Erfindung liefert eine oberflächenbefestigte
Dünnfilm-Schmelzsicherung, die zwei Materialteilanordnungen
umfaßt. Die erste Teilanordnung umfaßt ein schmelzbares Ver
bindungsglied, sein Tragesubstrat und Anschlußflächen. Die
zweite Teilanordnung umfaßt eine fotoabbildungsfähige Schutz
lage, welche das schmelzbares Verbindungsglied so überdeckt,
daß sie einen Schutz gegen Stoß und Oxidation liefert. Die
zweite Teilanordnung ist bei der vorliegenden Erfindung ein
fotoabbildungsfähiges Material.
Das fotoabbildungsfähige Material kann entweder als
Flüssigkeit oder als feste Substanz aufgebracht werden. Das
flüssige Material wird nach dem Auftragen getrocknet. Die
feste Substanz kann ein Film sein, der unter Vakuum aufge
bracht wird. Unabhängig davon, ob das fotoabbildungsfähige
Material als Flüssigkeit oder als feste Substanz vorhanden
ist, werden Anteile des Materials durch Fotobelichtung auf dem
Substrat ausgehärtet. Ungehärtete oder nichtbelichtete Anteile
des Materials werden während eines Entwicklungsvorgangs von
dem Substrat selektiv entfernt. Dieser Vorgang führt zu einer
gezielten Aufbringung des fotoabbildungsfähigen Materials.
Fotolithografische, mechanische und Laser-Bearbeitungs
techniken können benutzt werden, um sehr kleine, ausgeklügelte
und komplexe Geometrien des schmelzbaren Verbindungsglieds zu
schaffen. Diese Fähigkeit ermöglicht in Kombination mit dem
Auftragen von ultradünnen, fotoabbildungsfähigen, konformen
Beschichtungen diesen Subminiatur-Schmelzsicherungen, den
Schmelzbereich des Elements zu steuern und Schaltungen zu
schützen, die Ströme im Mikroampère- und im Ampère-Bereich
durchlassen.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer kupfer
plattierten FR4-Epoxidlage, die zur Herstellung einer erfin
dungsgemäßen oberflächenbefestigten Subminiatur-Schmelz
sicherung verwendet wird.
Fig. 2 ist eine Ansicht eines Teils der Lage aus Fig. 1,
entlang der Linien 2-2 der Fig. 1 genommen.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht der FR4-
Epoxidlage der Fig. 1, jedoch mit abgenommener Kupferplat
tierung und einer Vielzahl von Schlitzen mit jeweils einer
Breite W und einer Länge L, die in die getrennten Quadranten
dieser Lage angebracht sind.
Fig. 4 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht eines
Anteils der mit Schlitzen versehenen Lage der Fig. 3, bei der
jedoch die Kupferplattierung wieder aufgebracht wurde.
Fig. 5 ist eine Draufsicht auf verschiedene Abschnitte
der ebenen, nach oben gewandten, Oberflächen der wieder
plattierten Kupferlage, nachdem jeder dieser Abschnitte mit
einer quadratischen Platte einer für Ultraviolettlicht (UV-
Licht) undurchlässigen Substanz maskiert worden war.
Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht der Rückseite der
Lage aus Fig. 5, jedoch nach Entfernen eines streifenartigen
Abschnittes der Kupferplattierung von der neuplattierten Lage
der Fig. 5.
Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht der Oberseite 38
des Streifens 26 der Fig. 6, und zeigt durch gestrichelte
Linien bestimmte Linearbereiche 40.
Fig. 8 ist eine Ansicht eines Einzelstreifens 26, nach
Eintauchen in ein Kupferplattierungsbad und darauffolgend in
ein Nickelplattierungsbad, mit dem Ergebnis, daß Kupfer- und
Nickellagen auf der Grund-Kupferlage der Anschlußflächen
abgeschieden sind.
Fig. 9 ist eine perspektivische Ansicht des Streifens aus
Fig. 8, jedoch vor der UV-Licht-Aushärtung, und zeigt einen
Abschnitt 50 an dem Zentrum eines schmelzbaren Ver
bindungsglieds 42, der mit einer für UV-Licht undurchlässigen
Substanz maskiert ist.
Fig. 10 zeigt den Streifen der Fig. 9, jedoch nach
Eintauchen in ein Zinnplattierungsbad, um eine weitere Lage
über den Kupfer- und Nickellagen zu schaffen, und nach
Abscheiden von Zinn auf dem Zentralabschnitt der schmelzbaren
Verbindung.
Fig. 11 zeigt den Streifen aus Fig. 10, jedoch mit einer
auf die Oberseite des Streifens 26 aufgesetzten fotoabbil
dungsfähigen Zusatzlage.
Fig. 12 zeigt die endgültig hergestellte erfindungsgemäße
Einzel-Schmelzsicherung nach einem sogenannten würfelartigen
Zerteilvorgang, bei dem eine Diamantscheibe zum Zerschneiden
der Streifen längs parallelen Ebenen benutzt wird, um diese
einzelnen, oberflächenbefestigbaren Schmelzsicherungen zu
bilden.
Obwohl diese Erfindung jede einer Vielzahl von Aus
führungsformen enthalten kann, beschreiben die Zeichnungen
eine bevorzugte Ausführungsform. Die Beschreibung begrenzt
aber die Erfindung nicht auf die dargestellte Ausführungsform.
Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
ist in Fig. 12 gezeigt. Die oberflächenbefestigte Dünnfilm-
Schmelzsicherung ist eine Subminiatur-Schmelzsicherung, die in
einer oberflächenbefestigten Gestalt auf einer PC-Platine oder
auf einer Dickfilm-Hybrid-Schaltung benutzt wird. Diese
Schmelzsicherungen sind dem Fachmann typischerweise als
Schmelzsicherungen der "A"-Art bekannt. Die Standard-
Industriegröße für diese Schmelzsicherungen weist eine Länge
von 3,175 mm (125 mil) mal einer Breite von 1,524 mm (60 mil)
auf. Derartige Schmelzsicherungen werden abgekürzt als 1206-
Schmelzsicherungen bezeichnet. Es ist jedoch zu verstehen, daß
die vorliegende Erfindung auch bei allen anderen Standard
größen derartiger Schmelzsicherungen, wie Schmelzsicherungen
der Größen 1210, 0805, 0603 und 0402 angewandt werden kann,
wie auch bei nicht standardmäßigen Größen.
In der breitesten Auslegung umfaßt die Erfindung zwei
Materialteilanordnungen. Wie zu sehen ist, enthält die erste
Teilanordnung das Schmelzsicherungselement oder die schmelz
bare Verbindung 42, ihr Tragesubstrat oder ihren Kern 13, und
Anschlußflächen 34 und 36 zum Anschließen der Schmelzsicherung
58 an der PC-Platine. Die zweite Teilanordnung ist eine neu
artige Schutzlage 56 aus fotoabbildungsfähigem Material, wel
che die schmelzbare Verbindung 42 und einen wesentlichen
Anteil des oberen Abschnitts der Schmelzsicherung überdeckt,
um so Schutz gegen Stöße, die während des automatisierten
Zusammenbaus auftreten können, und Schutz gegen Oxidation
während des Gebrauchs zu schaffen.
Die erste Teilanordnung enthält und trägt zwei Metall
elektroden oder -flächen und das schmelzbare Element, die
jeweils mit dem Substrat als ein einzelner kontinuierlicher
Film verbunden sind. Die Flächen sind an dem Boden und an den
Seiten des Substrats oder Kerns angeordnet, während die
schmelzbare Verbindung sich an der Oberseite des Substrats
oder Kerns befindet.
Wie zu sehen ist, sind in der bevorzugten Ausführungsform
die Flächen aus verschiedenen Lagen aufgebaut, einschließlich
einer Grund-Kupferlage, einer Ergänzungs-Kupferlage, einer
Nickellage und einer Zinnlage. Die Grund-Kupferlage der
Flächen und der schmelzbaren Dünnschicht-Verbindung werden
gleichzeitig abgelagert durch (1) elektrochemische Vorgänge,
wie das bei der bevorzugten Ausführungsform nachstehend
beschriebene Plattieren; oder (2) durch physische Dampf
abscheidung (physical vapor deposition PVD). Derartiges
gleichzeitiges Abscheiden sichert einen guten Leitweg zwischen
der schmelzbaren Verbindung und den Anschlußflächen. Diese Art
von Abscheidung erleichtert auch die Herstellung und erlaubt
eine sehr genaue Steuerung der Dicke der schmelzbaren
Verbindung.
Nach dem anfänglichen Aufsetzen der schmelzbaren Ver
bindung und des Grundkupfers auf das Substrat oder den Kern
werden zusätzliche Lagen aus einem leitfähigen Metall auf die
Anschlußflächen aufgesetzt. Diese zusätzlichen Lagen können
auf diese Flächen durch Fotolithographie- oder Abscheide
techniken bestimmt und aufgesetzt werden.
Diese Schmelzsicherung kann durch den nachfolgenden
Vorgang hergestellt werden:
In Fig. 1 und 2 ist eine massive Lage 10 aus einem FR-4-
Epoxidharz mit einer Kupferplattierung 12 gezeigt. Die
Kupferplattierung 12 und der FR-4-Epoxidkern 13 dieser mas
siven Lage 10 sind am besten in Fig. 2 zu sehen. Diese
kupferplattierte FR-4-Epoxidlage 10 kann von Allied Signal
Laminate Systems, Hoosick Falls, New York, als Teil mit der
Nummer 0200BED130C1/C1GFN0200 C1/C1A2C bezogen werden. Wenn
auch FR-4-Epoxid ein bevorzugtes Material ist, so gehören zu
anderen geeigneten Materialien alle Materialien, die mit den
Materialien kompatibel, das heißt von chemischer, physika
lischer und strukturell gleichartiger Natur, wie die Materia
lien sind, aus denen die PC-Platinen gemacht werden. So ist
Polyamid ein anderes geeignetes Material für diese massive
Lage 10. FR-4-Epoxidharz und Polyamid gehören zu der Klasse
von Materialien, die physikalische Eigenschaften aufweisen,
die nahezu identisch mit denen des Standard-Substratmaterials
sind, wie es in der PC-Platinen-Industrie benutzt wird. Als
Ergebnis ist die erfindungsgemäße Schmelzsicherung und die PC-
Platine, auf der die Schmelzsicherung zu befestigen ist, mit
extrem gut aneinander angepaßten thermischen und mechanischen
Eigenschaften versehen. Das Substrat der Schmelzsicherung der
vorliegenden Erfindung sorgt auch für die gewünschten
Bogenspur-Eigenschaften und zeigt gleichzeitig ausreichende
mechanische Flexibilität, um das bei Bogenbildung auftretende
rasche Auslösen von Energie intakt zu überstehen.
Im nächsten Herstellungsschritt der erfindungsgemäßen
Schmelzsicherungen wird durch einen herkömmlichen Ätzvorgang
die Kupferplattierung 12 von der massiven Lage 10 abgeätzt.
Bei diesem herkömmlichen Ätzvorgang wird das Kupfer von dem
Substrat durch eine Eisenchlorid-Lösung abgeätzt.
Es ist zwar zu verstehen, daß nach dem Abschluß dieses
Schrittes die gesamte Kupferlage 12 von Fig. 2 von dem FR-4-
Epoxidkern 13 dieser massiven Lage 10 abgeätzt ist, dennoch
ist der verbleibende Epoxidkern 13 dieser FR-4-Epoxidlage 10
gegnüber einer "reinen" Schicht aus FR-4-Epoxid unterschied
lich, die nicht anfangs mit einer Kupferlage behandelt worden
ist. Insbesondere bleibt eine chemisch geätzte Oberflächen
behandlung an der Oberfläche des Epoxidkerns 13 bestehen,
nachdem die Kupferlage 12 durch Ätzen entfernt worden ist.
Diese behandelte Oberfläche des Epoxidkerns 13 ist empfäng
licher für die nachfolgenden Vorgänge, die bei der Herstellung
der vorliegenden oberflächenbefestigten Subminiatur-Schmelz
sicherung notwendig sind.
Die FR-4-Epoxidlage 10 mit dieser so behandelten kupfer
freien Oberfläche wird dann gefräst oder gestanzt, um Schlitze
14 längs Quadranten der Lage 10 zu schaffen, wie in Fig. 3 zu
sehen ist. Gestrichelte Linien trennen diese vier Quadranten
in Fig. 3 sichtbar voneinander. Die Breite W der Schlitze 14
(Fig. 4) beträgt etwa 1,59 mm (0,0625 inch). Die Länge L jedes
Schlitzes 44 (Fig. 3) beträgt annähernd 130,2 mm (5,125 inch).
Wenn das Fräsen oder Stanzen fertig ist, wird die geätzte
und gefräste oder gestanzte Lage 10, wie in Fig. 3 gezeigt,
wieder mit Kupfer plattiert. Diese Neuplattierung mit Kupfer
geschieht durch das Eintauchen der geätzten und gefrästen
Platte von Fig. 3 in ein autokatalytisches Kupferplattierungs
bad. Dieses Verfahren des Kupferplattierens ist auf diesem
Fachgebiet wohl bekannt.
Dieser Schritt des Kupferplattierens ergibt das Auf
bringen einer Kupferlage mit einer gleichmäßigen Dicke längs
der jeweils freigelegten Oberfläche der Lage 10. Beispiels
weise bedeckt, wie in Fig. 4 zu sehen ist, die sich aus diesem
Schritt ergebende Kupferplattierung 18 sowohl (1) die ebenen,
oberen Flächen 22 der Lage 10 als auch (2) die vertikalen
Zwischenbereiche 16, die mindestens einen Anteil der Schitze
14 bestimmen. Diese Zwischenbereiche 16 müssen kupferplattiert
werden, weil sie schließlich einen Anteil der Anschlußflächen
der fertiggestellten Schmelzsicherung bilden.
Die gleichförmige Dicke der Kupferplattierung hängt von
den endgültigen Bedürfnissen des Benutzers ab. Insbesondere
hat, wie in Fig. 4 zu sehen ist, bei einer Schmelzsicherung,
die bei 1/16 A öffnen soll, die Kupferplattierung 18 eine
Dicke von 250 nm (2500 Å). Bei einer Schmelzsicherung, die bei
5 A öffnen soll, hat die Kupferplattierung 18 eine Dicke von
ca. 7500 nm (75000 Å)
Nachdem der Plattierungsvorgang fertiggestellt wurde, um
zu einer kupferplattierten Struktur nach Fig. 4 zu kommen,
wird die gesamte freigelegte Oberfläche dieser Struktur mit
einem sog. Fotoresist-Polymer bedeckt.
Eine ansonsten klare Maske wird über die wiederplattierte
Kupferschicht 20 aufgebracht, nachdem diese mit dem Photo
resist bedeckt wurde. Quadratische Tafeln sind ein Teil dieser
klaren Maske und sind mit gleichen Abständen voneinander
darüber angeordnet. Diese quadratischen Tafeln bestehen aus
einer für UV-Licht undurchlässigen Substanz und haben eine
Größe, die der Größe des in Fig. 5 gezeigten Rechtecks 30
entspricht. Im wesentlichen werden durch Auflegen dieser Maske
mit diesen Tafeln auf die wiederplattierte Kupferschicht 20
verschiedene Abschnitte der ebenen, nach oben gewandten Ober
fläche 22 der wiederplattierten Kupferschicht 20 wirksam vor
den Einwirkungen von UV-Licht abgeschirmt.
Es wird aus dem Nachfolgenden verstanden werden, daß
diese quadratischen Tafeln im wesentlichen die Form und Größe
der sogenannten schmelzbaren Verbindung 42 und der breiten
Anschlußbereiche 60 und 62 auf dem oberen Abschnitt 22 der
Schmelzsicherung bestimmen. Die schmelzbare Verbindung 42
steht in elektrischer Verbindung mit den breiten Anschluß
bereichen 60 und 62. Es ist einzusehen, daß die Breite, Länge
und Form sowohl der schmelzbaren Verbindung 42 als auch dieser
breiten Anschlußbereiche 60 und 62 durch Ändern der Größe und
Form dieser für UV-Licht undurchlässigen Tafeln geändert wer
den kann.
Zusätzlich wird die Rückseite der Schicht mit einem
Fotoresist-Material bedeckt, und eine ansonsten klare Maske
wird über die wiederplattierte Kupferschicht 20 gesetzt,
nachdem sie mit dem Fotoresist überdeckt wurde. Eine recht
winklige Tafel ist ein Teil dieser klaren Maske. Die recht
winkligen Tafeln bestehen aus einer für UV-Licht undurch
lässigen Substanz und sind von einer Größe, die der Größe der
Tafel 28, die in Fig. 6 gezeigt ist, entspricht. Im wesent
lichen werden durch Aufsetzen dieser Maske mit diesen Tafeln
auf die wiederplattierte Kupferschicht 20 verschiedene Strei
fen der ebenen, nach unten gewandten Flächen 28 der wieder
plattierten Kupferschicht 20 wirksam gegen die Einflüsse des
UV-Lichts abgeschirmt.
Die rechtwinkligen Tafeln bestimmen im wesentlichen die
Formen und Größen der breiten Anschlußbereiche 34 und 36 auf
dem unteren Mittelabschnitt 28 der Unterseite des Streifens
26.
Die Kupferplattierung von einem Teil der Unterseite eines
Streifens 26 ist durch eine Fotoresist-Maske bestimmt. Insbe
sondere wird die Kupferplattierung von dem unteren Mittel
abschnitt 28 der Unterseite des Streifens 26 abgenommen. Der
untere Mittelabschnitt 28 der Unterseite des Streifens 26 ist
der Teil des Streifens längs einer Linie unmittelbar unter den
Bereichen 30 aus klarem Epoxid. Eine perspektivische Ansicht
dieses Abschnitts dieser wiederplattierten Lage 20 ist in Fig.
6 gezeigt.
Die gesamte wiederplattierte, fotoresist-bedeckte Lage
20, das heißt die Oberseite, die Unterseite und die Seiten
fläche dieser Lage, wird dann UV-Licht ausgesetzt. Die wieder
plattierte Lage 20 wird dem UV-Licht für eine Zeitdauer aus
gesetzt, die ausreicht, um Aushärten all des Fotoresists
sicherzustellen, der nicht durch die quadratischen Tafeln und
rechtwinkligen Streifen der Maske bedeckt wird. Danach werden
die Masken, welche diese Quadrattafeln und rechtwinkligen
Streifen enthalten, von der wiederplattierten Tafel 20 abge
nommen. Der Fotoresist, der sich vorher unter diesen quadra
tischen Tafeln befand, bleibt ungehärtet. Dieser ungehärtete
Fotoresist ist noch in flüssiger Form und kann so von der
wiederplattierten Lage 20 abgewaschen werden.
Der ausgehärtete Fotoresist auf dem Rest der wieder
plattierten Lage 20 sorgt für Schutz im nächsten Schritt in
dem Verfahren. Insbesondere verhindert der gehärtete Foto
resist das Entfernen des Kupfers unter diesen Bereichen des
gehärteten Fotoresists. Die vorher unter den quadratischen
Tafeln gewesenen Bereiche haben keinen gehärteten Fotoresist
und keinen solchen Schutz. Damit kann das Kupfer von diesen
Bereichen durch Ätzen entfernt werden. Dieser Ätzvorgang wird
mit einer Eisenchloridlösung durchgeführt.
Nachdem das Kupfer entfernt worden ist, wie in den
Fig. 5 und 6 gesehen werden kann, sind die vorher durch die
quadratischen Tafeln und die rechtwinkligen Streifen der Maske
bedeckten Bereiche überhaupt nicht mehr bedeckt. Stattdessen
umfassen diese Bereiche nun Flächen 28 und 30 aus reinem
Epoxid.
Die wiederplattierte Lage 20 wird dann in ein chemisches
Bad eingesetzt, um den gesamten ausgehärteten Fotoresist von
den vorher ausgehärteten Bereichen dieser Lage 20 zu ent
fernen.
Für diese Beschreibung ist der Abschnitt der Lage 20
zwischen benachbarten Schlitzen 14 als ein Streifen 26 be
kannt. Dieser Streifen hat eine Abmessung D, wie sie in Fig.
4 gezeigt wird, welche die Länge des Gegenstands bestimmt.
Nach der Fertigstellung verschiedener, in dieser Beschreibung
beschriebener Vorgänge wird der Streifen 26 schließlich in
eine Vielzahl von Stücken zertrennt, und jedes dieser Stücke
wird zu einer erfindungsgemäßen Schmelzsicherung.
Wie auch aus Fig. 6 gesehen werden kann, besitzt die
Unterseite 32 des Streifens 26 Bereiche längs seines Umfangs,
die noch eine Kupferplattierung enthalten. Diese Umfangs
bereiche 34 und 36 der Unterseite 32 des Streifens 26 bilden
Teile der Anschlußflächen. Diese Flächen werden schließlich
als das Mittel zum Befestigen der gesamten fertiggestellten
Schmelzsicherung an der PC-Platine dienen.
Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht der Oberseite 38
der Streifen 26 aus Fig. 6. Direkt gegenüber und sich deckend
mit den unteren Mittelabschnitten 28 dieser Streifen 26 sind
Linearbereiche 40 an dieser Oberseite 38 vorhanden. Diese
Linearbereiche 40 werden durch die gestrichelten Linien der
Fig. 7 begrenzt.
Auf Fig. 7 ist in Verbindung mit dem nächsten Herstell
schritt der Erfindung zu verweisen. In diesem nächsten Schritt
wird ein Fotoresist-Polymer längs jedem Linearbereich 40 der
Oberseite 38 der Streifen 26 aufgetragen. Durch die Bedeckung
dieser Linearbereiche 40 wird Fotoresist-Polymer auch längs
der relativ dünnen Abschnitte angebracht, welche die schmelz
baren Verbindungen 42 umfassen werden. Diese schmelzbaren Ver
bindungen 42 bestehen aus einem leitenden Metall, hier aus
Kupfer. Das Fotoresist-Polymer wird dann mit UV-Licht behan
delt, so daß sich ein Aushärten des Polymers auf dem Linear
bereich 40 und auf dessen schmelzbarer Verbindung 42 ergibt.
Als ein Ergebnis des Aushärtens dieses Polymers auf dem
Linearbereich 40 und seiner schmelzbaren Verbindungen 42 wird
kein Metall an diesem Linearbereich 40 anhaften, wenn der
Streifen 26 in ein Elektrolytbad eingetaucht wird, das ein
Metall für Plattierungszwecke enthält.
Zusätzlich wird auch, wie vorstehend erklärt wurde, der
Mittelabschnitt 28 der Unterseite 32 des Streifens 26 keiner
Plattierung unterworfen, wenn der Streifen 26 in das elektro
lytische Plattierungsbad eingetaucht wird. Das vorher diesen
Metallabschnitt bedeckende Kupfermetall war entfernt worden,
was das bloße Epoxid, welches die Basis der Lage 20 bildet,
freisetzt. Kein Metall wird auf diesem bloßen Epoxid anhaften
oder unter Einsatz eines Elektrolyt-Plattierungsvorgangs plat
tieren.
Der gesamte Streifen 26 wird in ein elektrolytisches
Kupferplattierungsbad und dann in ein elektrolytisches Nickel
plattierungsbad getaucht. Als Ergebnis werden, wie in Fig. 8
zu sehen ist, eine Kupferlage 46 und eine Nickellage 8 auf der
Grund-Kupferlage 44 abgeschieden. Nach Abscheiden dieser
Kupfer- und Nickellagen 46 und 48 wird das ausgehärtete
Fotoresist-Polymer an dem Linearbereich 40 einschließlich des
Fotoresist-Polymers an den schmelzbaren Verbindungen 42 von
diesem Bereich 40 entfernt.
Unmittelbar darauf wird Fotoresist-Polymer wieder längs
des gesamten Linearbereichs 40 aufgetragen. Wie jedoch in Fig.
9 gesehen werden kann, wird ein Abschnitt 50 im Zentrum der
schmelzbaren Verbindung 42 mit einer für UV-Licht undurch
lässigen Substanz maskiert. Der gesamte Linearbereich 40 wird
dann UV-Licht unterworfen mit dem Ergebnis, daß ein Aushärten
des Fotoresist-Polymers in der Gesamtheit des Bereichs auf
tritt, mit Ausnahme des maskierten Zentralabschnitts 50 der
schmelzbaren Verbindung 42. Diese Maske wird von dem Zentral
abschnitt 50 der schmelzbaren Verbindung entfernt und der
Streifen gespült. Als Ergebnis dieser Spülung wird der unaus
gehärtete Fotoresist über dem Zentralabschnitt 50 der schmelz
baren Verbindung 42 von der schmelzbaren Verbindung entfernt.
Der ausgehärtete Fotoresist längs des Rests des Linearbereichs
40 verbleibt jedoch.
An dem Abschnitt des Streifens 26, der mit dem ausgehär
teten Fotoresist bedeckt ist, tritt dann keine Metallplat
tierung ein. Wegen der Abwesenheit von Fotoresist von dem Zen
tralabschnitt 50 der schmelzbaren Verbindung 42 kann jedoch
auf diesen Zentralabschnitt Metall plattiert werden.
Wenn der in Fig. 9 gezeigte Streifen in ein elektro
lytisches Zinnplattierungsbad getaucht wird, wird eine Zinn
lage 52 (Fig. 10) aufgebracht, die die Kupfer- und Nickellagen
46 und 48 überdeckt. Eine Zinnfläche 54 wird auch auf die
Oberfläche der schmelzbaren Verbindung 42 aufgebracht, das
heißt im wesentlichen durch einen elektrolytischen Plattie
rungsvorgang auf den Zentralabschnitt 50 der schmelzbaren Ver
bindung 40 aufgesetzt. Dieser elektrolytische Plattierungs
vorgang ist im wesentlichen ein Dünnfilm-Abscheidevorgang. Es
ist jedoch zu verstehen, daß dieses Zinn der Oberfläche der
schmelzbaren Verbindung 42 auch durch einen Fotolithographie-
Vorgang oder mittels einer physikalischen Dampfabscheidung
hinzugefügt werden kann, wie Sprühen oder Verdampfen in einer
Hochvakuum-Abscheidungskammer.
Diese Fläche 54 besteht aus einem zweiten leitenden
Metall, das heißt Zinn, das dem Kupfermetall der schmelzbaren
Verbindung 42 unähnlich ist. Dieses zweite leitende Metall in
Form der Zinnfläche 54 wird in Form eines Rechtecks auf der
schmelzbaren Verbindung 42 abgeschieden.
Die Zinnfläche 54 an der schmelzbaren Verbindung 42 er
gibt für die Verbindung 42 gewisse Vorteile. Zunächst schmilzt
die Zinnfläche 54 bei Stromüberlastungsbedingungen und schafft
eine schmelzbare Verbindung 42, die zu einer Zinn/Kupfer-
Legierung wird. Diese Zinn/Kupfer-Legierung ergibt eine
schmelzbare Verbindung 42 mit einer niedrigeren Schmelz
temperatur, als wenn sie nur aus Zinn oder nur aus Kupfer
bestehen würde. Die niedrigere Schmelztemperatur setzt die
Betriebstemperatur des Schmelzsicherungsgerätes der Erfindung
herab, und das ergibt ein verbessertes Verhalten des Gerätes.
Zwar wurde bei diesem Ausführungsbeispiel Zinn auf der
aus Kupfer bestehenden schmelzbaren Verbindung 42 abgeschie
den, es ist jedoch von Fachmännern zu verstehen, daß auch
andere leitende Metalle auf die schmelzbare Verbindung 42
aufgebracht werden können, um ihre Schmelztemperatur herab
zusetzen, und daß die schmelzbare Verbindung 42 selbst aus
einem anderen leitenden Metall als Kupfer hergestellt weden
kann. Zusätzlich braucht das Zinn oder das andere auf der
schmelzbaren Verbindung 42 abgelagerte Metall nicht unbedingt
von rechtwinkliger Form zu sein, sondern kann eine Anzahl
zusätzlicher Gestaltungen annehmen.
Das zweite leitende Metall kann in einen genuteten Ab
schnitt der Verbindung oder in Öffnungen oder Leerstellen in
dieser Verbindung eingesetzt werden. Es sind auch parallele
Schmelzsicherungs-Verbindungen möglich. Als Ergebnis dieser
Flexibilität können bestimmte elektrische Kennwerte in die
Schmelzsicherung eingebaut werden, um unterschiedlichen Bedarf
des Endverbrauchers entgegenzukommen.
Wie vorstehend angezeigt, ist eine der möglichen Gestal
tungen der schmelzbaren Verbindung eine Serpentinenform. Durch
Benutzen einer Serpentinenform kann die effektive Länge der
schmelzbaren Verbindung erhöht werden, obwohl der Abstand
zwischen den Anschlußflächen an den gegenüberliegenden Enden
dieser Verbindung gleich bleibt. Auf diese Weise sorgt eine
Serpentinengestaltung für eine längere schmelzbare Verbindung,
ohne die Abmessungen der Schmelzsicherung selbst zu erhöhen.
Der nächste Schritt bei der Herstellung des erfindungs
gemäßen Gerätes ist das Aufsetzen einer neuartigen Schutzlage
56 (Fig. 11 und 12) über die Länge des gesamten oberen Ab
schnitts 38 des Streifens. Diese Schutzlage 56 ist die zweite
Teilanordnung der vorgestellten Schmelzsicherung und bildet
eine relativ gute Abdichtung über dem oberen Abschnitt 38 des
Streifens 26, einschließlich der schmelzbaren Verbindung 42.
Auf diese Weise verhindert die Schutzlage 56 eine Korrosion
der schmelzbaren Verbindung 42 während ihrer nutzbaren Lebens
dauer. Die Schutzlage 56 ergibt auch Schutz gegen Oxidation
und Stoß während des Anbringens an der PC-Platine. Die Schutz
lage 56 der vorliegenden Erfindung ist gegenüber bekannten
Schutzlagen deswegen von Vorteil, da die hier vorgestellte
Schutzlage sich nicht über die Abmessungen der Umfangsbereiche
34 und 36 der Schmelzsicherung hinaus erstreckt.
Diese Schutzlage 56 hilft bei der Steuerung des Schmel
zens, Ionisierens und der Bogenbildung, die während Strom
überlastungszuständen in der schmelzbaren Verbindung 42 auf
treten. Die Schutzlage 56 oder das Deckbeschichtungsmaterial
ergibt die gewünschten Bogen-Quencheigenschaften, die be
sonders beim Unterbrechen der schmelzbaren Verbindung 42
wichtig sind.
Die neuartige Schutzlage 56 kann aus einem Polymer zu
sammengesetzt sein, vorzugsweise einer fotoabbildungsfähigen
Substanz, wie der flexiblen fotoabbildungsfähigen Decklage
DUPONT Pyralux® PC 2000, oder einer fotoabbildungsfähigen
Flüssigkeit. Andere in gleicher Weise fotoabbildungsfähige
Materialien sind ebenfalls für die Erfindung geeignet.
Die gesamte freigesetzte Oberfläche der Struktur der Fig.
10 wird mit einem sogenannten fotoabbildungsfähigen Material
der neuartigen konformen Beschichtung bedeckt. Es gibt min
destens zwei Arten, dieses fotoabbildungsfähige Material auf
die Struktur der Fig. 10 aufzubringen.
Die erste Art ist das Aufsprühen eines flüssigen foto
abbildungsfähigen Materials (liquid photoimageable material
LPI) auf die Struktur der Fig. 10. Dieses LPI wird dann einem
kurzen Trocknungsschritt unterworfen, in dem eine Trocknung
bis zur Haftfähigkeit stattfindet.
Die zweite Art geschieht durch ein trockenes foto
abbildungsfähiges Material oder eine fotoabbildungsfähige
Deckschicht (photoimageable coverlay PIC), wie einen Film, der
durch durch Vakuumlaminierung aufgetragen wird. Da diese
Schicht vakuumlaminiert wird, braucht sie keinen Trocknungs
schritt bis zur Erreichung einer Klebefähigkeit.
In der US-PS 5 552 757 wird kein Bildblendenmaterial
benutzt, um das Ausmaß der Überdeckung der konformen Beschich
tung zu begrenzen. Bei der vorliegenden Anmeldung wird Bild
blendenmaterial benutzt, um das Ausmaß der Überdeckung der
fotoabbildungsfähigen konformen Beschichtung zu bestimmen.
Ein bestimmter Vorteil der vorliegenden Erfindung
gegenüber der Lehre der US-PS 5 552 757 ist die überlegene
Höhenbeeinflussung für die konforme Beschichtung. Die Ver
wendung von fotoabbildungsfähigem Material als konforme
Beschichtung ergibt eine Beschichtungshöhe, die nur etwa 2,5%
der Beschichtungshöhe der konformen Beschichtung in dem '757-
Patent beträgt. Insbesondere ist in dem '757-Patent die Höhe
der konformen Beschichtung (56 in Fig. 11 und 12 des '757-
Patents) annähernd 508 mm (20 mil). Bei den Fig. 11 und 12
der vorliegenden Erfindung beträgt die Höhe der konformen
Beschichtung 56 ca. 12,7 mm (0,5 mil).
Das verleiht der vorliegenden Erfindung einen bedeutsamen
Vorteil gegenüber der Struktur des '757-Patents. Wegen der
Höhe der konformen Beschichtung in dem '757-Patent muß die mit
der konformen Beschichtung versehene Seite dieser Struktur
nach oben gewandt angeordnet werden. Wenn man die Seite mit
der konformen Beschichtung nach unten gewandt, das heißt der
Schaltplatine zugewandt, anordnet, kann die Höhe der Beschich
tung die Anschlüsse auf dieser Struktur von der Schaltplatine
abheben lassen, wodurch ein Kontakt zwischen den Anschlüssen
und der Schaltplatine verhindert wird. Es besteht noch ein
anderer Nachteil bei der Beschichtung des '757-Patents. In dem
Gerät nach dem '757-Patent ist es möglich, daß bei dem An
sprechen der Schmelzsicherung unter Stromüberlastungsbedingun
gen die Metallschmelze von dem Schmelzsicherungs-Element nach
oben oder nach außen ausgetrieben wird. Wenn sich dieses Me
tall ansetzt, kann es andere metallische Elemente an der PC-
Platine berühren. Als Ergebnis können diese metallischen
Elemente Kurzschlüsse erleiden.
Im Gegensatz dazu hat die vorliegende Erfindung eine sehr
dünne konforme Beschichtung, die es ermöglicht, die Seite der
oberflächenbefestigten Schmelzsicherung mit dieser Beschich
tung nach unten anzuordnen, das heißt der Schaltplatine zuge
wandt und mit ihr in Berührung. Als Ergebnis ist die schmelz
bare Verbindung zu der PC-Platine gewandt, statt nach oben
gewandt zu sein. So wird beim Ansprechen der Schmelzverbindung
unter Stromüberlastungsbedingungen die nach unten gewandte
Schmelzverbindung ihre Metallschmelze nicht nach oben aus
senden und wird so andere empfindliche metallische Elemente an
der Schaltplatine nicht in Gefahr bringen.
Die dünne konforme Beschichtung der vorliegenden Erfin
dung und das zugehörige Herstellverfahren haben noch einen
anderen bedeutsamen Vorteil. Insbesondere war die relativ
dicke konforme Beschichtung des Gerätes nach dem '757-Patent
dem "Saugen" unterworfen. Dieses "Saug"-Phänomen ließ einen
Anteil der Beschichtung Teile der Anschlüsse der oberflächen
befestigten Schmelzsicherung nach dem '757-Patent bedecken.
Das offensichtliche Ergebnis davon war eine Störung des elek
trischen Kontakts zwischen den Anschlüssen und der entspre
chenden Befestigungsfläche an der gedruckten Schaltplatine.
Das "Saug"-Phänomen wird bei der vorliegenden Erfindung
vermieden, wodurch maximaler Kontakt zwischen den Anschlüssen
der vorgestellten oberflächenbefestigten Schmelzsicherung und,
der Befestigungsfläche der gedruckten Schaltplatine sicher
gestellt ist. "Saugen" wird vermieden, sowohl wegen der mini
malen Dicke der konformen Beschichtung als auch aufgrund der
Tatsache, daß die Anschlüsse während der Herstellung durch
Blendenmaterial bedeckt werden.
Wie vorher bemerkt, gibt es zwei Verfahren zum Aufbringen
eines fotoabbildungsfähigen Materials. Beide Verfahren, das
Aufbringen einer flüssigen fotoabbildungsfähigen (LPI-)
Beschichtung und einer trockenen fotoabbildungsfähigen
Beschichtung ergeben im wesentlichen das gleiche Fertig
produkt.
Die gesamte freigelegte Oberfläche der Struktur nach Fig.
10 wird mit einem sogenannten fotoabbildungsfähigen Material
als konforme Beschichtung bedeckt. Es bestehen mindestens zwei
Arten des Aufbringens des fotoabbildungsfähigen Materials auf
die Struktur der Fig. 10. Die erste Art geschieht durch Sprü
hen eines flüssigen fotoabbildungsfähigen Materials (LPI) auf
die Struktur nach Fig. 10.
Das LPI wird durch Mischen verschiedener Bestandteile
hergestellt. Ein Gemisch aus zwei Teilen wird bereitet. Die
erste Komponente dieser zweiteiligen Mischung besteht aus
Hysol und wird als HYSOL SR 8400 LPI Lötresist verkauft. Die
zweite Komponente dieser zweiteiligen Mischung wird auch aus
Hysol gebildet und wird als HYSOL Lötresistkatalyt verkauft.
Diese beiden Komponenten werden in einem Verhältnis von 85
Teilen LPI Lötresist zu 15 Teilen Lötresistkatalyt gemischt.
Nach dem Mischungsvorgang ist die Masse etwas viskos mit
der Konsistenz von Gelatine. Um das Aufsprühen des Gemischs
auf die Struktur nach Fig. 10 zu ermöglichen, wird bevorzugt
ein Lösungsmittel hinzugefügt. Das bevorzugte Lösungsmittel
für diese Erfindung ist das Lösungsmittel UCAR PM Lösungs
mittel, das ein Methoxy-2-Propanol, verpackt von Produceos
Chemical Co., Batavia, Illinois, ist. Etwa 0,4 bis 0,5 g UCAR
PM Lösungsmittel wird zu jedem Gramm der viskosen Masse hin
zugefügt, die aus HYSOL Lötresist/Lötresistkatalyt besteht.
Diese mit dem Lösungsmittel verdünnte Masse ist nun für
das Aufsprühen auf die Struktur nach Fig. 10 bereit. Sie wird
hier nur auf eine Seite der Struktur aufgesprüht, sie kann
jedoch auch auf beide Seiten der Struktur aufgesprüht werden.
Danach wird die Tafel in einen auf etwa 185°C erwärmten Ofen
eingesetzt und dort 30-45 min gehalten, bis die Oberfläche
"klebrig trocken" ist.
Die klebrig trockene Tafel wird dann dem Ofen entnommen
und eine Maske wird über die gesamte Tafel gelegt. Die Maske
bedeckt Abschnitte der Tafel mit einem lichtundurchlässigen
Abschnitt, der den Durchtritt von UV-Strahlen verhindert. Der
lichtundurchlässige Abschnitt der Maske bedeckt die Anschlüs
se.
Die maskenbedeckte Tafel wird dann in eine Accuprint AP-
30-6000-Titan UV-Kammer eingesetzt. Sie wird einer Ultra
violett-Strahlung mit annähernd 250 mJ/cm3 für 45 s ausgesetzt.
Die Tafel wird nun aus der UV-Kammer entnommen. Die
unbedeckten Abschnitte der Tafel sind weitgehend durch die
Ultraviolett-Strahlung ausgehärtet worden. Die Abschnitte der
Tafel unter den undurchlässigen Abschnitten der Maske, das
heißt die Anschlüsse, bleiben unausgehärtet.
Die unausgehärtete Masse ist zur Entfernung von den
Anschlüssen der Tafel bereit, so daß die Metallisierung unter
dem lichtundurchlässigen Abschnitt freigelegt wird. Die unaus
gehärtete Masse wird durch Bearbeiten mittels eines
Beschichtungs-ASI-Förders entfernt unter Einsatz von Druck
düsen, die eine Lösung von 1-½% Natriumcarbonat in Wasser
ausgeben. Die Tafel wird durch diese verdünnte Natrium
carbonat-Lösung mit einer Geschwindigkeit von 0,457 m/min
(1,5 ft/min) hindurchbewegt und dann in einem Reinwasserbad
gespült. Von diesem Wasserbad verläßt die Tafel die Einheit.
Die nasse Tafel wird nun aus dem Wasserbad entnommen. Ein
Abschlußschritt trocknet die Tafel und härtet das flüssige
fotoabbildungsfähige Material vollständig aus. In diesem
Schritt wird die Tafel während ca. einer (1) Stunde in einen
Ofen mit 120 bis 150°C eingesetzt.
Als Alternative zum Aufbringen eines flüssigen foto
abbildungsfähigen Materials kann ein trockenes fotoabbil
dungsfähiges Material aufgebracht werden. Wie vorher bemerkt,
kann die gesamte freigelegte Fläche der Struktur der Fig. 10
mit einem flüssigen fotoabbildungsfähigen Material 56 als kon
forme Beschichtung bedeckt werden. Die Alternative oder die
zweite Art des Aufbringens des fotoabbildungsfähigen Materials
als eine konforme Beschichtung geschieht durch Aufbringen
eines trockenen fotoabbildungsfähigen Materials, das durch
Vakuumlaminierung zum Anhaften gebracht wird.
Wie vorher bemerkt, wurde die LPI durch Mischen einer
zweiteiligen Zusammensetzung hergestellt. Im Gegensatz dazu
kann man das trockene fotoabbildungsfähige Material in einer
gebrauchsfertigen Form erhalten. Das bevorzugteste trockene,
fotoabbildungsfähige Material ist von DuPont Electronics
Materials, 14 T. W. Alexander Drive, Research Triangle Park,
North Carolina 27709-4425, erhältlich. Es wird unter der
eingetragenen Handelsmarke Pyralux® PC 2000 verkauft. Die
Produktbezeichnung für die bevorzugteste flexible, Pyralux®-
Mischung ist PC2010, das eine Dicke von 25 mm (1,0 mil)
aufweist.
Ein Blatt Pyralux® PC2010 wird nur auf die eine Seite der
in Fig. 10 gezeigten Struktur aufgelegt, kann jedoch auch auf
beide Seiten aufgelegt werden. Die zusammengesetzte Struktur
wird dann in einen Vacrel 100 Vakuumlaminator eingesetzt, der
auf etwa 70-83°C eingestellt ist, und diese Struktur bleibt
während einer Verweilzeit von 30-60 s in der Vakuumkammer mit
einer Auflegungs- oder Laminierungszeit von 5 bis 10 s.
Die Tafel wird dann aus der Vakuumkammer entfernt, und
eine Maske wird über die gesamte Tafel aufgelegt. Die Maske
bedeckt Abschnitte der Tafel mit einem lichtundurchlässigen
Teil, der den Durchtritt von Ultraviolettstrahlen verhindert.
Die maskenbedeckte Tafel wird in eine Accuprint AP-30-6000
Titan UV-Kammer eingesetzt. Sie wird einer Ultraviolett
bestrahlung mit ca. 250 mJ/cm3 für 45 s unterzogen.
Die Tafel wird dann aus der UV-Kammer entnommen, und die
nicht abgedeckten Abschnitte der Tafel sind durch die Ultra
violettstrahlung in hohem Maße ausgehärtet. Die Abschnitte der
Tafel unter dem lichtundurchlässigen Teils der Figuren-Maske,
das heißt die Anschlüsse, bleiben unausgehärtet.
Das unausgehärtete fotoabbildungsfähige Material mit
flexibler Zusammensetzung ist bereit zum Entfernen von der
Tafel, so daß das Metall der Anschlüsse unter dem licht
undurchlässigen Abschnitt, der durch die Maske geschaffen
wurde, freigelegt wird. Die ungehärtete Masse wird durch
Verarbeitung durch ein Beschichtungs-ASI-Fördersystem unter
Einsatz von Druckdüsen verarbeitet, die eine Lösung von 1½%
Natriumcarbonat in Wasser abgeben. Die Tafel wird durch diese
verdünnte Natriumcarbonat-Lösung mit 0,457 m/min (1,5 ft/min)
hindurchbewegt und dann in einem Reinwasserbad gespült. Aus
diesem Wasserbad verläßt die Tafel die Einheit.
Ein Abschlußschritt trocknet die Tafel und härtet das
fotoabbildungsfähige Material, das heißt die flexible Masse,
vollständig aus. In diesem Schritt wird die Tafel für ca. eine
(1) Stunde in einen Ofen bei 120 bis 150°C eingesetzt.
Zwar ist ein farbloses, klares, fotoabbildungsfähiges
Material ästhetisch zufriedenstellend, es können jedoch auch
andere Arten von Materialien eingesetzt werden. Beispielsweise
können gefärbte, klare Materialien benutzt werden. Diese
Materialien können an dem Boden und der Oberseite der ober
flächenbefestigten Schmelzsicherung verwendet werden. Diese
gefärbten, fotoabbildungsfähigen Materialien können einfach
durch Zusatz einer Farbe zu einem klaren, fotoabbildungs
fähigen Material hergestellt werden. Eine Farbkodierung kann
durch die Verwendung dieser gefärbten, fotoabbildungsfähigen
Materialien erreicht werden. Mit anderen Worten, es können
unterschiedliche Farben von fotoabbildungsfähigen Materialien
den unterschiedlichen Ampère-Stufen entsprechen, so daß dem
Benutzer ein einfaches Mittel bereitgestellt wird, die Ampère-
Zahl einer bestimmten Schmelzsicherung zu bestimmen. Die Trans
parenz aller dieser Beschichtungen erlaubt es dem Benutzer,
die schmelzbare Verbindung 42 vor dem Einsetzen und während
der Verwendung des elektronischen Geräts, in dem die Sicherung
verwendet wird, visuell zu überprüfen.
Die Verwendung dieser Schutzlage 56 hat bedeutsame
Vorteile gegenüber dem Stand der Technik, einschließlich dem
sogenannten "Abdeck"-Verfahren nach dem Stand der Technik.
Infolge des Einsetzens der Schutzlage 56 über den gesamten
oberen Abschnitt 38 des Sicherungskörpers ist der Ort der
Schutzlage relativ zum Ort der schmelzbaren Verbindung 42
nicht kritisch.
Sowohl wenn das fotoabbildungsfähige Material nun als
Flüssigkeit oder als feste Substanz aufgelegt worden ist, sind
die Streifen 26 dann bereit für einen sogenannten Teilungs
vorgang, der die Streifen 26 in einzelne Sicherungen unter
teilt. Bei diesem Teilungsvorgang wird eine Diamantsäge o. ä.
benutzt, um die Streifen 26 längs parallelen Ebenen 57 (Fig.
11) in einzelne oberflächenbefestigte Dünnfilm-Sicherungen 58
(Fig. 12) zu unterteilen. Die Schnitte schneiden die breiten
Anschlußbereiche 60 und 62 der Dünnfilm-Kupfermuster ausein
ander. Diese breiten Anschlußbereiche 60 und 62 erscheinen an
den beiden Seiten der schmelzbaren Verbindung 42.
Dieser Schneidvorgang vollendet die Herstellung der ober
flächenbefestigten Dünnfilm-Sicherung 58 (Fig. 12) nach der
vorliegenden Erfindung.
Schmelzsicherungen gemäß dieser Erfindung werden mit
Spannungs- und Stromwerten bewertet, die höher als die
Bewertungen bei Geräten nach dem Stand der Technik sind.
Prüfungen haben gezeigt, daß Schmelzsicherungen gemäß dieser
Erfindung eine Sicherungs-Spannungsbewertung von 60 VAL und
eine Sicherungs-Strombewertung zwischen 1/16 A und 5 A er
geben. Obwohl die erfindungsgemäßen Schmelzsicherungen auch
Schaltungen in einem breiten Bereich von Stromwerten schützen
können, bleibt die tatsächliche körperliche Größe dieser
Sicherungen konstant.
Zusammengefaßt zeigt die erfindungsgemäße Schmelz
sicherung eine verbesserte Steuerung von Sicherungsansprech
werten durch Regeln der Spannungsabfälle über der schmelzbaren
Verbindung 42. Konsistente Löschzeiten werden gesichert durch
(1) die Fähigkeit, durch Ablagerungs- und Fotolithographie-
Vorgänge die Abmessungen und Formen der schmelzbaren Ver
bindung 42 und der breiten Anschlüsse 60 und 62 zu steuern;
und (2) die richtige Auswahl der Materialien für die schmelz
bare Verbindung 42. Rückschlag-Tendenzen werden minimiert
durch Auswahl eines optimierten Materials für das Substrat 13
und die Schutzlage 56.
Eine andere bevorzugte Ausführungsform umfaßt eine ein
wenig andere erste Teilanordnung als Grundlage der Erfindung.
Diese unterschiedliche erste Teilanordnung enthält Löcher oder
Bohrungen 14 und wird in der am 7. Juni 1995 eingereichten US-
Patentanmeldung Nr. 08/472 563 beschrieben. Der wichtige Teil
dieser Beschreibung, welcher diese unterschiedliche erste
Teilanordnung beschreibt, und das dazugehörige Herstellver
fahren erscheinen auf den Seiten 12-28 dieser Beschreibung,
und es wird hiermit zu Vergleichszwecken auf sie verwiesen.
Die Figuren, welche diese Ausführungsform darstellen, erschei
nen in der Anmeldung als Fig. 4-12, worauf ebenfalls hier
zu Vergleichszwecken verwiesen wird.
Besondere Ausführungsformen wurden dargestellt und
beschrieben. Der Schutzbereich wird nur durch den Geltungs
bereich der beigefügten Ansprüche begrenzt.
Claims (6)
1. Oberflächenbefestigte Dünnfilm-Schmelzsicherung (58),
wobei die Schmelzsicherung zwei Materialteilanordnungen
wie folgt umfaßt:
- a) die erste Teilanordnung umfaßt eine schmelzbare Verbindung (42), deren Tragesubstrat (13) und Anschlußflächen (34, 36); und
- b) die zweite Teilanordnung umfaßt ein fotoabbildungs fähiges Material als eine konforme, die schmelzbare Verbindung (42) überdeckende Beschichtung (56).
2. Oberflächenbefestigte Schmelzsicherung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das fotoabbildungsfähige
Material in flüssiger Form aufgebracht ist.
3. Oberflächenbefestigte Schmelzsicherung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das fotoabbildungsfähige
Material in fester Form aufgebracht ist.
4. Oberflächenbefestigte Schmelzsicherung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das feste, fotoabbildungs
fähige Material ein Film (56) ist.
5. Oberflächenbefestigte Schmelzsicherung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das fotoabbildungsfähige
Material klar und gefärbt ist.
6. Oberflächenbefestigte Schmelzsicherung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das fotoabbildungsfähige
Material klar und gefärbt ist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/072,964 US6002322A (en) | 1998-05-05 | 1998-05-05 | Chip protector surface-mounted fuse device |
| US072964 | 1998-05-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19920475A1 true DE19920475A1 (de) | 1999-12-16 |
| DE19920475B4 DE19920475B4 (de) | 2006-03-23 |
Family
ID=22110861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19920475A Expired - Lifetime DE19920475B4 (de) | 1998-05-05 | 1999-05-04 | Oberflächenbefestigte Dünnfilm-Schmelzsicherung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6002322A (de) |
| JP (1) | JP4316729B2 (de) |
| DE (1) | DE19920475B4 (de) |
| GB (1) | GB2340317B (de) |
| TW (1) | TW514946B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005024346B4 (de) * | 2005-05-27 | 2012-04-26 | Infineon Technologies Ag | Sicherungselement mit Auslöseunterstützung |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7436284B2 (en) | 2002-01-10 | 2008-10-14 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| US7570148B2 (en) * | 2002-01-10 | 2009-08-04 | Cooper Technologies Company | Low resistance polymer matrix fuse apparatus and method |
| JP2004047375A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Yazaki Corp | 連鎖ヒューズ及びヒューズ組み込み方法 |
| DE112005000517T5 (de) | 2004-03-05 | 2007-03-01 | Littelfuse, Inc., Des Plaines | Flachprofilsicherung für Kraftfahrzeuge |
| DE102004033251B3 (de) * | 2004-07-08 | 2006-03-09 | Vishay Bccomponents Beyschlag Gmbh | Schmelzsicherung für einem Chip |
| US7477130B2 (en) * | 2005-01-28 | 2009-01-13 | Littelfuse, Inc. | Dual fuse link thin film fuse |
| DE112006002655T5 (de) * | 2005-10-03 | 2008-08-14 | Littelfuse, Inc., Des Plaines | Sicherung mit Hohlraum bildendem Gehäuse |
| US8717777B2 (en) * | 2005-11-17 | 2014-05-06 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor with a thin film fuse |
| USD559203S1 (en) | 2006-11-14 | 2008-01-08 | Littelfuse, Inc. | Indicator for a fuse |
| US20090009281A1 (en) * | 2007-07-06 | 2009-01-08 | Cyntec Company | Fuse element and manufacturing method thereof |
| US8154376B2 (en) * | 2007-09-17 | 2012-04-10 | Littelfuse, Inc. | Fuses with slotted fuse bodies |
| TW200929310A (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-01 | Chun-Chang Yen | Surface Mounted Technology type thin film fuse structure and the manufacturing method thereof |
| US9190235B2 (en) * | 2007-12-29 | 2015-11-17 | Cooper Technologies Company | Manufacturability of SMD and through-hole fuses using laser process |
| USD575746S1 (en) | 2008-01-14 | 2008-08-26 | Littelfuse, Inc. | Blade fuse and fuse element therefore |
| US8077007B2 (en) | 2008-01-14 | 2011-12-13 | Littlelfuse, Inc. | Blade fuse |
| USD575745S1 (en) | 2008-01-14 | 2008-08-26 | Littelfuse, Inc. | Blade fuse and fuse element therefore |
| US20090189730A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Littelfuse, Inc. | Low temperature fuse |
| US8525633B2 (en) * | 2008-04-21 | 2013-09-03 | Littelfuse, Inc. | Fusible substrate |
| US8203420B2 (en) * | 2009-06-26 | 2012-06-19 | Cooper Technologies Company | Subminiature fuse with surface mount end caps and improved connectivity |
| TW201142891A (en) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | Icp Technology Co Ltd | Chip fuse and method for batchwise production of the chip fuse |
| JP5505142B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-05-28 | 富士通株式会社 | ヒューズおよびその製造方法 |
| PL2408277T3 (pl) * | 2010-07-16 | 2016-08-31 | Schurter Ag | Element bezpiecznikowy |
| JP2012164756A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| JP5622654B2 (ja) | 2011-05-23 | 2014-11-12 | 住友理工株式会社 | 車両用スタビライザブッシュとその製造方法 |
| US9378917B2 (en) | 2012-02-20 | 2016-06-28 | Matsuo Electric Co., Ltd. | Chip-type fuse |
| KR101706875B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2017-02-14 | 가마야 덴끼 가부시끼가이샤 | 칩 퓨즈 및 그 제조 방법 |
| KR102423944B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2022-07-21 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 병목 구간이 형성된 회로 패턴을 구비한 인쇄 회로 기판 |
| US11404372B2 (en) * | 2019-05-02 | 2022-08-02 | KYOCERA AVX Components Corporation | Surface-mount thin-film fuse having compliant terminals |
| EP3926647A3 (de) * | 2020-06-15 | 2022-03-16 | Littelfuse, Inc. | Verfahren zur dünnfilmbeschichtung einer vorrichtung mit schmelzbaren und benetzenden verbindungen |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3629036A (en) * | 1969-02-14 | 1971-12-21 | Shipley Co | The method coating of photoresist on circuit boards |
| US4069076A (en) * | 1976-11-29 | 1978-01-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Liquid lamination process |
| US4506004A (en) * | 1982-04-01 | 1985-03-19 | Sullivan Donald F | Printed wiring board |
| US4698294A (en) * | 1986-09-12 | 1987-10-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lamination of photopolymerizable film onto a substrate employing an intermediate nonphotosensitive liquid layer |
| US5213945A (en) * | 1988-02-26 | 1993-05-25 | Morton International, Inc. | Dry film photoresist for forming a conformable mask and method of application to a printed circuit board or the like |
| US4946524A (en) * | 1989-03-02 | 1990-08-07 | Morton International, Inc. | Applicator and method for applying dry film solder mask on a board |
| US5214406A (en) * | 1992-02-28 | 1993-05-25 | Littelfuse, Inc. | Surface mounted cartridge fuse |
| US5166656A (en) * | 1992-02-28 | 1992-11-24 | Avx Corporation | Thin film surface mount fuses |
| GB2265021B (en) * | 1992-03-10 | 1996-02-14 | Nippon Steel Chemical Co | Photosensitive materials and their use in forming protective layers for printed circuit and process for preparation of printed circuit |
| US5405731A (en) * | 1992-12-22 | 1995-04-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous processable, multilayer, photoimageable permanent coatings for printed circuits |
| US5552757A (en) * | 1994-05-27 | 1996-09-03 | Littelfuse, Inc. | Surface-mounted fuse device |
| US5726621A (en) * | 1994-09-12 | 1998-03-10 | Cooper Industries, Inc. | Ceramic chip fuses with multiple current carrying elements and a method for making the same |
| ATE173355T1 (de) * | 1995-06-07 | 1998-11-15 | Littelfuse Inc | Verbessertes verfahren und gerät für oberflächenmontierte sicherungsvorrichtung |
| US5777540A (en) * | 1996-01-29 | 1998-07-07 | Cts Corporation | Encapsulated fuse having a conductive polymer and non-cured deoxidant |
-
1998
- 1998-05-05 US US09/072,964 patent/US6002322A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-03 TW TW088107159A patent/TW514946B/zh active
- 1999-05-04 DE DE19920475A patent/DE19920475B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-05 GB GB9910249A patent/GB2340317B/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-06 JP JP12608199A patent/JP4316729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005024346B4 (de) * | 2005-05-27 | 2012-04-26 | Infineon Technologies Ag | Sicherungselement mit Auslöseunterstützung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2340317A (en) | 2000-02-16 |
| GB2340317B (en) | 2002-09-11 |
| DE19920475B4 (de) | 2006-03-23 |
| JP2000030601A (ja) | 2000-01-28 |
| TW514946B (en) | 2002-12-21 |
| JP4316729B2 (ja) | 2009-08-19 |
| US6002322A (en) | 1999-12-14 |
| GB9910249D0 (en) | 1999-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19920475B4 (de) | Oberflächenbefestigte Dünnfilm-Schmelzsicherung | |
| DE69512519T2 (de) | Oberflächenmontierte sicherungsvorrichtung | |
| DE69504333T2 (de) | Elektrisches bauteil mit einem ptc-widerstandselement | |
| DE112006002516B4 (de) | Chip-Widertand und Befestigungsstruktur für einen Chip-Widerstand | |
| DE60305734T2 (de) | Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| EP0239158B1 (de) | Leiterplatte für gedruckte Schaltungen und Verfahren zur Herstellung solcher Leiterplatten | |
| DE68910385T3 (de) | Herstellungsverfahren einer elektronischen Speicherkarte und elektronische Speicherkarte, die nach diesem Verfahren hergestellt ist. | |
| DE69434557T2 (de) | Schaltungsschutzvorrichtung, elektrische Anordnung und Herstellungsverfahren | |
| DE19544980A1 (de) | Lichtemittierendes Bauelement und Herstellverfahren für dieses | |
| DE19615395A1 (de) | Elektrostatische Schutzvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2911660C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE19940633A1 (de) | IC-Gehäuse | |
| DE69402247T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Sicherung für eine Leiterplatte und danach hergestellter Sicherung | |
| DE4242408A1 (en) | Connecting liquid crystal displays to IC substrate - using patterned conducting photoresist and UV hardened resin to prevent electrodes from being short-circuited | |
| DE4340718A1 (de) | Elektronikkomponente | |
| DE102019134049A1 (de) | Leiterplatte mit integrierter absicherung und lichtbogenunterdrückung | |
| EP0841668B1 (de) | Elektrischer Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69600974T2 (de) | Verbessertes verfahren und gerät für oberflächenmontierte sicherungsvorrichtung | |
| DE69608440T2 (de) | Verfahren und vorrichtung für ein smd-element zum schützen der elektrischen komponenten gegen esd | |
| DE10117291B4 (de) | Variabler Induktor | |
| DE69935963T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines ptc-chip-varistors | |
| WO2006063822A2 (de) | Mehrschichtaufbau mit temperierfluidkanal und herstellungsverfahren | |
| DE102018215689A1 (de) | Leiterplatte und Planer Transformatorgebiet der Erfindung | |
| DE2840278A1 (de) | Einstellbare daempfungsvorrichtung | |
| DE3622223A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektronischen netzwerkbausteins |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, 28209 BREMEN |
|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R071 | Expiry of right |