DE19820442A1 - Verfahren zum Prüfen von Speicheroperationen unter Verwendung einer Selbstreparaturschaltung und zum Sperren von Speicherstellen auf Dauer - Google Patents
Verfahren zum Prüfen von Speicheroperationen unter Verwendung einer Selbstreparaturschaltung und zum Sperren von Speicherstellen auf DauerInfo
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Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet digitaler elek
tronischer Speichereinrichtungen und insbesondere ein Verfahren
zum Prüfen dieser Einrichtungen während des Herstellungsprozes
ses.
Für Hersteller von Speicherchips ist es gängige Praxis, die
Funktionalität der Speicher am Herstellungsort zu prüfen. Nach
dem die Chips getestet und für den Versand nach Verkauf an die
Anwender zertifiziert worden sind, hängen die Anwender im all
gemeinen von der Zuverlässigkeit der Chips ab, damit ihr eige
nes System richtig funktioniert. Da die Dichte und Leitungs
breite von Speicherzellen in einem Speicherbereichs- bzw. Spei
cherfelchip fortgesetzt kleiner wird (nun weniger als ein hal
ber Mikrometer) wird es schwieriger, diese Zuverlässigkeit zu
erreichen. Eine der Herausforderungen für die Hersteller von
Speichereinrichtungen besteht dann darin, die Speicherkapazität
zu erhöhen, ohne die Chipausbeuten aufgrund nicht funktionie
render Teile zu verringern.
Bevor die Speicherchips für den Versand freigegeben werden,
durchlaufen sie üblicherweise eine Kontrolle, um nachzuprüfen,
daß jede der Speicherzellen in der Speicheranordnung richtig
funktioniert. Dieses Testverfahren wird routinemäßig durchge
führt, da es nicht unüblich ist, daß ein großer Prozentsatz der
Speicherzellen im Chip entweder aufgrund von Herstellungsdefek
ten oder von Degradationsfehlern versagt.
In der Vergangenheit sind Chipspeicher unter Verwendung eines
externen Speicherprüfgeräts oder eines Meßautomaten (ATE) [Au
tomatic Test Equipment] am Herstellungsort geprüft worden. Die
se Prüftechnik steht Anwendern nicht zur Verfügung, sowie die
Chips versandt worden sind, was es schwierig macht, fehlerhafte
Speicherzellen vor Ort beim Anwender festzustellen. Selbst wenn
den Anwendern eine Prüfanlage zur Verfügung steht, sind Feldre
paraturen kostspielig, zeitaufwendig und unpraktisch.
Aufgrund der Kompliziertheit der Bereichs- bzw. Feldreparaturen
sind einige Speicherchips mit eingebauten Selbstprüf (BIST)- und
eingebauten Selbstreparatur (BISR)-Schaltungen versehen.
Vorliegend bezieht sich der Begriff "BIST" beim Gebrauch auf
die tatsächliche Prüfung, während "BIST-Einheit" und "BIST-
Schaltung" sich auf die Schaltung beziehen, die die BIST aus
führt. In gleicher Weise bezieht sich "BISR" auf den Prozeß der
eingebauten Selbstreparatur, während sich "BISR-Einheit" und
"BISR-Schaltung" auf die Schaltung beziehen, die die BISR durch
führt. Die BIST arbeitet, indem sie bei Inbetriebnahme bzw.
Einschalten des Chips verschiedene Muster liest und in den
Speicher schreibt, wobei sie so fehlerhafte Speicherzellen be
stimmt. Wenn ausfallende Zellen vorhanden sind, weist die BISR-
Schaltung die Zeile oder Spalte, die die fehlerhafte Zelle ent
hält, einer Ersatzzeile oder -spalte im Speicherbereich neu zu.
Der Chip ist daher in der Lage zu funktionieren, selbst wenn
nicht sämtliche Zellen betriebsbereit sind. Da die BIST und
BISR jedes Mal ausgeführt werden, wenn eine Stromversorgung auf
das System gegeben wird, können latente Ausfälle im Feld gefun
den werden, die zwischen aufeinanderfolgenden Systemeinschal
tungen auftreten.
Da die BIST und BISR bei den Betriebsbedingungen ausgeführt
werden, die zu der Zeit vorliegen, zu der das die Speicherein
richtung enthaltene System in Betrieb gesetzt wird, können sie
nicht Speicherzellen identifizieren, die bei verschlechterten
Bedingungen für einen Ausfall anfällig sind. Beispielsweise ist
das Auffrischintervall einer dynamischen Speicherzelle eine
starke Funktion der Temperatur derart, daß das notwendige Auf
frischintervall der Zelle kleiner wird, wenn die Temperatur zu
nimmt. Während die BIST und BISR bei der Inbetriebnahme eine
Auffrischintervallprüfung durchführen können, kann die Tempera
tur des Systems zu dieser Zeit nicht ausreichend sein, um einen
Ausfall herbeizuführen. Anschließend kann jedoch die Temperatur
des Systems bis zu einem Punkt zunehmen, bei dem dann eine oder
mehrere Speicherzellen ausfallen. Da die BIST und BISR bereits
bei der Inbetriebnahme des Systems ausgeführt worden sind, lei
tet die BISR Zugriffe auf diese Zellen nicht um, was zu einem
katastrophalen Systemfehler führen kann.
Es wäre daher erwünscht, ein Prüfverfahren zu haben, das Spei
cherstellen identifiziert und sperrt, die bei verschlechterten
Bedingungen zu einem Ausfall neigen, während es noch die Fähig
keit beibehält, dynamisch am Ort des Kunden Ausfälle festzu
stellen und zu reparieren.
Die oben dargestellten Probleme sind bei einem Prüfverfahren ge
mäß der vorliegenden Erfindung gelöst, wie es in den Ansprüchen
1 und 6 angegeben ist. Vorteilhafte Verfahrensvarianten sind
Gegenstand der Unteransprüche.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Prüfen einer Speicherein
richtung mit einem eine Anzahl von Zeilen bzw. Spalten enthal
tenen Speicherbereich, d. h. einer Speicheranordnung, umfaßt so
mit die Schritte: Es wird eine gegebene Prüfung, d. h. ein Test,
an der Anzahl der Zeilen (Spalten) unter einem speziellen Satz
bzw. einer Festlegung von Funktionsbedingungen ausgeführt; es
wird in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung be
stimmt, daß eine spezielle Zeile (Spalte) in der Anzahl von
Zeilen (Spalten) fehlerhaft funktioniert; die Speicherzugriffe
zu der speziellen Zeile (Spalte) werden auf Dauer gesperrt; es
wird an dem Speicherbereich während normaler Betriebsbedingun
gen eine Selbsttestfunktion in Reaktion auf das Aufbringen ei
ner Versorgung an die Speichereinrichtung ausgeführt, wobei die
Selbsttestfunktion jegliche fehlerhaft funktionierenden Zeilen
(Spalten) in dem Speicherbereich einschließlich der speziellen
Zeile (Spalte) identifiziert und wobei die Selbsttestfunktion
anschließend an das Sperren von Speicherzugriffen auf die spe
zielle Zeile (Spalte) auf Dauer ausgeführt wird; und es wird
eine redundante Zeile (Spalte) für jede der fehlerhaft funktio
nierenden Zeilen (Spalten) freigegeben.
Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Prüfverfah
ren für eine Speichereinrichtung vorgesehen, bei dem Ausfälle,
die lediglich unter spezifizierten kritischen Bedingungen, d. h.
für den ungünstigsten Betriebsfall, auftreten können, in erzwun
gene Funktionsausfälle umgewandelt werden. Diese Stellen werden
anschließend durch die eingebaute Selbstprüf (BIST)- und einge
baute Selbstreparatur (BISR)-Schaltung festgestellt und neu zu
geordnet bzw. umdefiniert. Als erstes wird an einem Speicherbe
reich, der redundante Zeilen- und Spaltenstellen enthält, eine
Prüfreihe durchgeführt. Üblicherweise wird diese Prüfreihe un
ter Bedingungen ausgeführt, die höchstwahrscheinlich einen Aus
fall herbeiführen. Zeilen und Spaltenstellen, bei denen eine
fehlerhafte Funktion bestimmt wird, werden aus der Speicherein
richtung heraus abgetastet zusammen mit der Zahl der verfügba
ren redundanten Zeilen und Spalten. Wenn es ausreichend redun
dante Stellen gibt, werden die ausfallenden Zeilen und Spalten
auf Dauer gesperrt, indem jede der entsprechenden Sicherungen
bzw. Sicherungsverbindungen durchgebrannt wird. Wenn anschlie
ßend eine Spannungsversorgung auf die Speichereinrichtung gege
ben wird, stellt dann die BIST die Zeilen und Spalten ein
schließlich der auf Dauer gesperrten mit erzwungenen Funktions
ausfällen fest. Zugriffe auf diese Stellen können dann durch
die BISR-Schaltung umgeleitet werden. Die Testreihe kann dann
wieder ausgeführt werden und die Einrichtung wird als defekt
erachtet, wenn zusätzliche Fehler gefunden werden.
Zeilen und Spalten in der Speicheranordnung, die zu einem Aus
fall neigen, werden so niemals freigegeben. Außerdem liefern
die BIST- und BISR-Schaltung die Möglichkeit, die grundlegende
Speicherfunktionalität zu überprüfen und ausfallende Adressen
bei jedem Anlegen einer Spannung an die Einrichtung neu zuzu
ordnen. Das erfaßte Prüfgebiet der Speicheranordnung ist vor
teilhaft vergrößert.
Allgemein gesprochen, die vorliegende Erfindung befaßt sich mit
einem Prüfverfahren für eine Speichereinrichtung mit einer Spei
cheranordnung bzw. Speichermatrix, die weiter eine Anzahl von
Zeilen enthält. Das Verfahren umfaßt die Ausführung einer vor
gegebenen Prüfung an der Anzahl der Zeilen unter einem speziel
len Satz von Funktionsbedingungen und die Bestimmung, daß eine
spezielle Zeile innerhalb der Anzahl der Zeilen fehlerhaft funk
tioniert, in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung.
Das Verfahren umfaßt weiter, daß Speicherzugriffe auf die spe
zielle Zeile auf Dauer gesperrt werden. Außerdem umfaßt das
Verfahren, daß eine Selbstprüfoperation an der Speicheranord
nung in Reaktion auf das Anlegen einer Spannung an die Spei
chereinrichtung während normaler Funktions- bzw. Betriebsbedin
gungen ausgeführt wird, wobei die Selbstprüfoperation jegliche
fehlerhaft funktionierenden Zeilen innerhalb der Speicheranord
nung einschließlich der speziellen Zeile identifiziert.
Schließlich umfaßt das Verfahren, daß eine redundante Zeile für
jede der fehlerhaft funktionierenden Zeilen freigegeben wird.
Die vorliegende Erfindung befaßt sich weiter mit einem Verfah
ren zum Prüfen einer Speichereinrichtung mit einer Speicheran
ordnung bzw. einer Speichermatrix, die weiter eine Anzahl von
Spalten enthält. Das Verfahren umfaßt, daß eine vorgegebene Prü
fung an der Anzahl der Spalten unter einem speziellen Satz von
Funktionsbedingungen ausgeführt wird und bestimmt wird, daß ei
ne spezielle Spalte in der Anzahl der Spalten fehlerhaft funk
tioniert, in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung.
Das Verfahren umfaßt weiter, daß Speicherzugriffe auf die spe
zielle Spalte auf Dauer gesperrt werden. Außerdem umfaßt das
Verfahren, daß eine Selbstprüfoperation an der Speicheranord
nung in Reaktion auf das Anlegen einer Spannung an die Spei
chereinrichtung während normaler Funktions- bzw. Betriebsbedin
gungen ausgeführt wird, wobei die Selbstprüfoperation jegliche
fehlerhaft funktionierenden Spalten in der Speicheranordnung
einschließlich der speziellen Spalte identifiziert. Schließlich
umfaßt das Verfahren, daß eine redundante Spalte für jede der
fehlerhaft funktionierenden Spalten freigegeben wird.
Weitere Ziele und Vorteile der Erfindung gehen beim Lesen der
nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf
die begleitenden Zeichnungen weiter hervor. In diesen zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer
Speichereinrichtung,
Fig. 2 ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer
eingebauten Selbstprüf- und Kontrollschaltung in
einer Speichereinrichtung,
Fig. 3 ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer
eingebauten Selbstreparaturschaltung in einer Spei
chereinrichtung,
Fig. 4 ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer
Speicheranordnung mit Zeilen- und Spaltenredundanz,
und
Fig. 5 ein Flußdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zum Prüfen einer Speichereinrichtung.
Während die Erfindung zahlreiche Abänderungen und alternative
Formen annehmen kann, sind spezielle Ausführungsbeispiele von
ihr zu Beispielszwecken in der Zeichnung gezeigt und werden
nachfolgend im einzelnen beschrieben. Selbstverständlich sollen
die Zeichnung und deren detaillierte Beschreibung jedoch nicht
die Erfindung auf die offenbarte spezielle Form einschränken,
sondern im Gegenteil, die Erfindung soll sämtliche Abwandlun
gen, Äquivalente und Alternativen abdecken, die in den Bereich
und den Umfang der Erfindung wie durch die beigefügten Ansprü
che definiert, fallen.
Es wird nun auf Fig. 1 Bezug genommen, in der ein Blockdiagramm
eines Ausführungsbeispiels einer Speichereinrichtung 100 ge
zeigt ist. Wie dargestellt, enthält die Speichereinrichtung 100
eine eingebaute Selbstreparatur (BISR)-Einheit 110, die mit ei
ner eingebauten Selbsttest bzw. Selbstprüf (BIST)-Einheit 120
und einem Steuerblock 130 gekoppelt ist. Der Steuerblock 130
empfängt zahlreiche Eingaben zur Speichereinrichtung 100:
Adresse 132, Schreibfreigabe 134 und Dateneingabesignal 136.
Ein Zeilenadressierungsimpuls (Strobesignal) 150 und Spalten
adressierungsimpuls (Strobesignal) 152 sind ebenfalls Eingaben
zur Speichereinrichtung 100, aber ihre internen Verbindungen
sind zur Vereinfachung in Fig. 1 nicht gezeigt. Der Steuerblock
130 übermittelt auch das Datenausgabesignal 138 als Ausgabe der
Speichereinrichtung 100. Die BISR-Einheit 110 ist durch korri
gierte Adressenauswahl (Select) 112, korrigierte Adresse 114
und unkorrigierte Adresse 116 mit dem Steuerblock 130 und durch
den Fehlerbus 122 mit der BIST-Einheit 120 gekoppelt. Die BIST-
Einheit 120 ist durch mehrere Signale einschließlich BIST-Aus
wahl (Select) 124 mit dem Steuerblock 130 gekoppelt. Die Spei
cheranordnung 140 empfängt mehrere Eingaben aus dem Steuerblock
130 und übermittelt eine Ausgabe an die BIST-Einheit 120 sowie
an den Steuerblock 130.
Allgemein gesprochen, die BIST und BISR können in einer Spei
chereinrichtung 100 dazu verwendet werden, ein verbessertes
Prüfgebiet für fehlerhafte Speicherzellen zu liefern. Bei einem
Ausführungsbeispiel durchläuft die BIST-Einheit 120 bei Inbe
triebnahme zyklisch die Speicheranordnung 140 durch verschiede
ne Prüfmuster. Jedesmal, wenn eine ausfallende Zeile oder Spal
te festgestellt wird, wird diese Information an die BISR-Ein
heit 110 übermittelt, die versucht, Zugriffe zu der ausfallen
den Stelle zu einer redundanten Zeile oder Spalte innerhalb des
Bereichs neu zuzuweisen. Die BISR-Einheit 110 überwacht sämtli
che ankommenden Adressen (übermittelt auf der unkorrigierten
Adresse 116), um zu bestimmen, ob irgendeine zu der von der
BIST erfaßten fehlerhaften Adresse paßt. Wenn eine Übereinstim
mung festgestellt worden ist, übermittelt die BISR-Einheit 110
die korrigierte Adresse 114 zum Steuerblock 130, so daß auf die
neu zugewiesene Zeile oder Spalte statt auf die ursprünglich
adressierte Stelle zugegriffen wird. Diese Kombination, daß die
BIST und BISR jede Zelle in der Speicheranordnung prüfen und
Adressen umleiten, wird bei jeder Spannungsanlegung an den
Speicherchip ausgeführt.
Wie oben beschrieben, erfassen die BIST und BISR lediglich Spei
cherstellen, die bei Inbetriebnahme ausfallen, und nicht dieje
nigen, die nach einer vorgegebenen Zeit auftreten können (z. B.
temperaturbezogene Ausfälle, die auftreten können, nachdem sich
das System erwärmt). Diese Stellen können jedoch erfaßt und
während der Herstellungskontrolle auf Dauer gesperrt werden.
Bei einem Ausführungsbeispiel werden fehlerhafte Zeilen oder
Spalten durch Durchbrennen einer Sicherungsverbindung gesperrt,
die in einer an der Speicherzelle angebrachten Steuerleitung
implementiert ist. Die BIST und BISR sind dann in der Lage,
diese Speicherstellen im Feld zu identifizieren, da sie nun
permanente Funktionsausfälle sind. Zugriffe auf diese Adressen
werden durch die BISR-Einheit 110 auf funktionierende Stellen
umgeleitet.
Zum Zugriff auf die Speicheranordnung 140 in der Speicherein
richtung 100 wird eine Zeilenadresse auf die Adresse 132 in Ver
bindung mit dem Zeilenadreßstrobesignal 150 getrieben, wobei
eine spezielle Zeile in der Speicheranordnung 140 ausgewählt
wird. Für einen Schreibvorgang wird auch die Schreibfreigabe
134 angesteuert bzw. aktiviert, wobei die zu schreibenden Daten
auf dem Dateneingabesignal 136 eingespeist werden. Für einen
Lesevorgang wird die Schreibfreigabe 134 deaktiviert, wobei kei
ne Daten auf dem Dateneingabesignal 136 getrieben werden. Als
nächstes wird eine Spaltenadresse auf der Adresse 132 in Ver
bindung mit dem Spaltenadreßstrobesignal 152 getrieben, wobei
eine spezielle Spalte in der Speicheranordnung 140 ausgewählt
wird. Für einen Schreibvorgang wird der Wert auf dem Datenein
gabesignal 136 in die Speicherzelle am Schnittpunkt der ausge
wählten Zeile und Spalte in der Speicheranordnung 140 geschrie
ben. Für einen Lesevorgang wird der Wert der Speicherzelle an
der sich schneidenden Zeile und Spalte auf dem Datenausgabesig
nal 138 übermittelt.
Die BIST-Einheit 120 kann auch Eingaben zur Speicheranordnung
140 durch den Steuerblock 130 steuern bzw. treiben. Wie unten
beschrieben wird, liest und schreibt die BIST-Einheit 120
Muster in die Speicheranordnung 140, um die Zellen darin auf
verschiedene Fehlertypen zu testen. Die Adressen- und Steuer
signale werden über die auf dem externen Anschluß (Pin) über
mittelten mittels des BIST-Auswahlsignals 124 ausgewählt. Wenn
die BIST-Einheit 120 einen Fehler feststellt, wird die Ausfall
information auf dem Fehlerbus 122 zur BISR-Einheit 110 übermit
telt. Die BISR-Einheit 110 speichert die Ausfalladresse und lei
tet Zugriffe auf diese Stellen zu einer redundanten Zeile oder
Spalte in der Speicheranordnung 140 um. Die BISR überwacht ein
kommende unkorrigierte Adressen 116, um eine Überprüfung auf
Zugriffe auf Adressen vorzunehmen, die neu zugeordnet werden
müssen. Wenn eine solche Bedingung festgestellt wird, wird die
korrigierte Adresse auf der korrigierten Adresse 114 übermit
telt, wobei die Auswahlsteuerung durch das korrigierte Adreß
auswahlsignal 112 geliefert wird.
Es wird nun auf Fig. 2 Bezug genommen. Ein Blockdiagramm von
Abschnitten der in Fig. 1 gezeigten Speichereinrichtung 100 ist
mehr im einzelnen gezeigt. Schaltungsabschnitte, die denjenigen
von Fig. 1 entsprechen, sind identisch numeriert.
In Fig. 2 gezeigte Abschnitte der BIST-Einheit 120 umfassen ei
ne Automatensteuereinrichtung 210, einen BIST-Adreßgenerator
220, einen BIST-Datengenerator 230 und einen Komparator 240.
Die Automatensteuereinrichtung 210 treibt ein BIST-Schreibfrei
gabesignal 234 sowie Eingaben zum BIST-Adreßgenerator 220 und
BIST-Datengenerator 230. Der BIST-Adreßgenerator 220 treibt ei
ne BIST-Adresse 232, während der BIST-Datengenerator 230 ein
BIST-Dateneingabesignal 236 treibt. Ein BIST-Dateneingabesignal
236 ist auch eine Eingabe zum Komparator 240, der auch ein Da
tenausgabesignal 138 aus der Speicheranordnung 140 empfängt.
Die Ausgabe des Komparators 240, ein Fehlersignal 248, wird als
Teil eines Fehlerbusses 122 zusammen mit der BIST-Adresse 232
zur BISR-Einheit 110 übermittelt. Die BIST-Adresse 232, BIST-
Schreibfreigabe 234 und das BIST-Dateneingabesignal 236 werden,
zum Steuerblock 130 zusammen mit dem Multiplexersteuersignal
BIST-Auswahl 124 getrieben bzw. angesteuert.
Abschnitte des in Fig. 2 gezeigten Steuerblocks 130 enthalten
einen Adressenmultiplexer 250, einen Multiplexer für die korri
gierten Adressen (Korrekturadressenmultiplexer) 252, einen
Schreibfreigabemultiplexer 254 und einen Dateneingabemultiple
xer 256. Der Adressenmultiplexer 250 wählt zwischen der Adresse
132 aus den externen Anschlüssen (Pins) und der BIST-Adresse
232 (basierend auf der BIST-Auswahl 124) und übermittelt eine
unkorrigierte Adresse 116 zu dem Korrekturadressenmultiplexer
252 und zur BISR-Einheit 110. Der Multiplexer 252 empfängt auch
die korrigierte Adresse 114 aus der BISR-Einheit 110 zusammen
mit der korrigierten Adressenauswahl 112 als Steuersignal. Die
Ausgabe des Korrekturadressenmultiplexers 252 ist die Bereichs
adresse 242, die der Speicheranordnung 140 zur Verfügung ge
stellt wird. Der Schreibfreigabemultiplexer 254 wählt zwischen
der Schreibfreigabe 134 aus den externen Anschlüssen und der
BIST-Schreibfreigabe 234 (basierend auf der BIST-Auswahl 124)
und übermittelt eine Bereichschreibfreigabe 244 an die Spei
cheranordnung 140. In gleicher Weise wählt der Dateneingabemul
tiplexer 256 zwischen dem Dateneingabesignal 136 aus den exter
nen Anschlüssen und dem BIST-Dateneingabesignal 236 (basierend
auf der BIST-Auswahl 124) und übermittelt Bereichsdaten im Bus
246 zur Speicheranordnung 140.
Wenn eine Spannungsversorgung an die Speichereinrichtung 100
angelegt wird, beginnt die BIST-Einheit 120 einen Prüfalgorith
mus, um die Funktion der Speicheranordnung 140 zu überprüfen.
Übliche Prüfmuster können die Speicheranordnung 140 auf Haften,
Bridging und Datenerhaltungs- oder Speicherfehler kontrollie
ren. Haftfehler zeigen an, daß eine spezielle Zelle bei einem
bestimmten Wert "hängenbleibt", während ein Bridging-Fehler an
zeigt, daß eine Zelle zu einer benachbarten Zelle kurzgeschlos
sen ist. Datenerhaltungsfehler zeigen an, daß die Zelle bei der
Auffrischintervallspezifikation versagt hat.
Bei einem Ausführungsbeispiel der Speichereinrichtung 100 ist
die BIST-Einheit 110 einfach ein Automat, der programmiert ist,
zyklisch verschiedene Prüfmuster zu durchlaufen. Der BIST-
Adreßgenerator 220 erzeugt Adressen in einer durch den Prüfal
gorithmus spezifizierten Reihenfolge. Bei einem Ausführungsbei
spiel kann der Adreßgenerator 220 einfach ein Zählerstromkreis
sein, der initialisiert wird, um die erste Adresse in der Spei
cheranordnung 140 anzuzeigen, und anschließend sämtliche ver
fügbaren Adreßstellen in Reaktion auf geeignete Eingabesignale
aus der Automatensteuereinrichtung 210 zyklisch durchläuft. Au
ßerdem treibt die Automatensteuereinrichtung 210 das BIST-
Schreibfreigabesignal 234, um entweder eine Lese- oder Schreib
operation zu der Speicheranordnung 140 auszuwählen, wie sie
durch den Prüfalgorithmus festgelegt ist. Der BIST-Datengenera
tor 230 erzeugt einen Datenwert auf dem BIST-Dateneingabesignal
236 in Reaktion auf zusätzliche Steuersignale aus der Automa
tensteuereinrichtung 210. Dieser Wert wird zur Speicheranord
nung 140 auf dem Bereichsdateneingabesignal 246 während eines
Schreibzyklus übermittelt. Bei einem Lesezyklus wird dieser
Wert auf dem BIST-Dateneingabesignal 236 zum Komparator 240
übermittelt, der auch die Ausgabe der Speicheranordnung 140 auf
dem Datenausgabesignal 138 empfängt. Der Komparator 240 ver
gleicht dann die Werte auf dem BIST-Dateneingabesignal 236 und
dem Datenausgabesignal 138, wobei das Fehlersignal 248 akti
viert wird, wenn eine Nichtübereinstimmung (Mismatch) festge
stellt wird. Dieses Signal und die BIST-Adresse 232, die die
fehlerhafte Adresse anzeigt, werden als Fehlerbus 122 der BISR-
Einheit 110 übermittelt.
Nachdem die BIST-Einheit 120 die Prüfung abgeschlossen hat,
wird die Automatensteuereinrichtung 210 inaktiv, wobei sie die
BIST-Auswahl 124 nicht weiter aktiviert. An dieser Stelle kann
nun die Speichereinrichtung 100 Anforderungen nach einer Spei
cheranordnung 140 von externen Anschlüssen her befriedigen. Da
die BIST-Auswahl 124 inaktiv ist, wird die Adresse 132 beim
Adressenmultiplexer 250 ausgewählt, die Schreibfreigabe 134
wird beim Schreibfreigabemultiplexer 254 ausgewählt und das
Dateneingabesignal 236 wird beim Dateneingabemultiplexer 256
ausgewählt. Diese Signale werden so über ihre entsprechenden
Multiplexer zur Speicheranordnung 140 übermittelt.
Es wird nun Fig. 3 betrachtet, in der ein Blockdiagramm eines
Ausführungsbeispiels einer BISR-Einheit 110 gezeigt ist. Schal
tungsabschnitte entsprechend denjenigen von Fig. 1 sind iden
tisch numeriert.
Wie veranschaulicht ist, umfaßt die BISR-Einheit 110 eine Zei
lenselbstreparatureinheit 310, eine Spaltenselbstreparaturein
heit 320, einen BISR-Steuerlogikblock 330, einen Zeilen/Spal
ten-Adressenkorrekturmultiplexer 340 und einen Fehlerdetekti
onslogikblock 350. Eine nicht korrigierte Adresse 116 wird zur
Zeilenselbstreparatureinheit 310 und ebenso zur Spaltenselbst
reparatureinheit 320 übermittelt. In der Zeilenselbstreparatur
einheit 310 indiziert die unkorregierte Adresse 116 in die Zei
lenfehlersignaturspeicherung 312, die ein Zeilentreffersignal
316 an die BISR-Steuerlogik 330 übermittelt. Die Zeilenselbst
reparatureinheit 310 enthält auch eine Zeilenadressenkorrektur
speicherung 314, die einen entsprechenden Eingang für jede Stel
le in der Zeilenfehlersignaturspeicherung 312 enthält. Wenn er
durch eine Eingabe aus der Fehlerdetektionslogik 350 ausgewählt
worden ist, wird einer dieser Eingänge auf der Zeilenadressen
korrektur 334 zum Zeilen/Spalten-Adressenkorrekturmultiplexer
340 übermittelt. Ebenso indiziert die nichtkorrigierte Adresse
116 in der Spaltenselbstreparatureinheit 320 in eine Spalten
fehlersignaturspeicherung 322, die ein Spaltentreffersignal 326
an die BISR-Steuerlogik 330 übermittelt. Die Spaltenselbstrepa
ratureinheit 320 enthält auch eine Spaltenadressenkorrektur
speicherung 324, die einen entsprechenden Eingang für jede Stel
le in der Spaltenfehlersignaturspeicherung 322 enthält. Wenn er
durch eine Eingabe aus der Fehlerdetektionslogik 350 ausgewählt
worden ist, wird einer dieser Eingänge auf der Spaltenadressen
korrektur 336 zum Zeilen/Spalten-Adressenkorrekturmultiplexer
340 übermittelt. Der BISR-Steuerlogikblock 330 empfängt aus dem
Steuerblock 130 ein Zeilen/Spalten-Auswahlsignal zusammen mit
einem Zeilentreffersignal 316 und einem Spaltentreffersignal
326 und übermittelt die korrigierte Adressenauswahl 114 zum
Steuerblock 130 und die Zeilen/Spalten-Adressenkorrekturauswahl
332 zum Zeilen/Spalten-Adressenkorrekturmultiplexer 340. Der
Zeilen/Spalten-Adressenkorrekturmultiplexer 340 wählt zwischen
der Zeilenadressenkorrektur 334 und der Spaltenadressenkorrek
tur 336 basierend auf der Zeilen/Spalten-Adressenkorrekturaus
wahl 332 aus und übermittelt die korrigierte Adresse 112. Die
Fehlerdetektionslogik empfängt den Fehlerbus 122, umfassend das
Fehlersignal 248 und die BIST-Adresse 232, und übermittelt eine
Fehleradresse an die Zeilenselbstreparatureinheit 310 und die
Spaltenselbstreparatureinheit 320.
Wie oben unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschrieben ist, wird die
BIST bei der Inbetriebnahme der Speicheranordnung 140 durchge
führt. Wenn durch den Komparator 240 ein Fehler festgestellt
wird, wird ein Fehlersignal 248 aktiviert und zum Fehlerdetek
tionslogikblock 350 zusammen mit der BIST-Adresse 232 übermit
telt. Wenn das Fehlersignal 248 gültig ist, wird die entspre
chende BIST-Adresse 232 an die Zeilenselbstreparatureinheit 310
und ebenfalls an die Spaltenselbstreparatureinheit 320 übermit
telt. Abhängig von den vom Kontrollblock 130 übermittelten Zei
len/Spalten-Auswahllogiksignalen (nicht gezeigt) speichert dann
eine dieser Einheiten die Fehleradresse. Wenn die Fehleradresse
eine Zeilenadresse ist, ist dann die Speicherstelle innerhalb
der Zeilenfehlersignaturspeicherung 312. Wenn hingegen die Feh
leradresse eine Spaltenadresse ist, ist dann die Speicherstelle
innerhalb der Spaltenfehlersignaturspeicherung 322.
Wenn eine fehlerhafte Zeilenadresse festgestellt und in der Zei
lenfehlersignaturspeicherung 312 gespeichert wird, wird der feh
lerhaften Stelle eine redundante Zeilenadresse (falls verfüg
bar) zugewiesen und in der Zeilenadreßkorrekturspeicherung 314
gespeichert. Wenn eine fehlerhafte Spaltenadresse festgestellt
und in der Spaltenfehlersignaturspeicherung 322 gespeichert
wird, wird in gleicher Weise eine redundante Spaltenadresse
(falls verfügbar) der fehlerhaften Stelle zugewiesen und in der
Spaltenadreßkorrekturspeicherung 324 gespeichert. In einem Aus
führungsbeispiel ist die Zeilenselbstreparatureinheit 310 wäh
rend einer Spaltenprüfung der Speicheranordnung 140 aktiv, wäh
rend die Spaltenselbstreparatureinheit 320 während einer Zei
lenprüfung aktiv ist. Dies verhindert, daß ein Spaltenausfall
die Ergebnisse einer Zeilenprüfung beeinträchtigt und umge
kehrt. Wenn eine redundante Stelle nicht verfügbar ist, kom
muniziert dann in beiden obigen Fällen die BISR mit der BIST,
um anzuzeigen, daß eine Adresse nicht neu zugewiesen werden
konnte. Die BIST wird dann einen fatalen Fehler oder Total
ausfall anzeigen, der anzeigt, daß die Speichereinrichtung 100
defekt ist.
Nachdem die BIST abgeschlossen ist, beginnt die Speicherein
richtung 100 dann den Normalbetrieb. Anforderungen an die Spei
cheranordnung 140 werden auf der Adresse 132, Schreibfreigabe
134 und Dateneingabesignal 136 statt der korrespondierenden
BIST-erzeugten Signale ausgeführt. In diesem Fall wird die
Adresse 132 durch den Adreßmultiplexer 250 ausgewählt und auf
der nichtkorrigierten Adresse 116 zur Zeilenselbstreparatur
einheit 310 sowie zur Spaltenselbstreparatureinheit 320 inner
halb der BISR-Einheit 110 übermittelt. Welche Einheit ausge
wählt wird, hängt davon ab, ob der Zugriff zu einer Zeilen- oder
Spaltenadresse ist.
Wenn die Adresse eine Zeilenadresse ist, wird die nichtkorri
gierte Adresse 116 in die Zeilenfehlersignaturspeicherung 312
indizieren. Wenn eine Übereinstimmung gefunden wird, wird das
Zeilentreffersignal 316 zum BISR-Steuerlogikblock 330 akti
viert. Das Spaltentreffersignal 326 ist dann nicht aktiv, da
der Zugriff nicht zu einer Spaltenadresse erfolgt. Es wird dann
auch ein Eingang in der Zeilenadressenkorrekturspeicherung 314
entsprechend der bei der Zeilenfehlersignaturspeicherung 312
gefundenen Übereinstimmung zum Zeilen/Spalten-Adressenkorrek
turmultiplexer 340 bei der Zeilenadressenkorrektur 334 über
mittelt. Die BISR-Steuerlogik 330 treibt dann die Zeilen/Spal
ten-Adressenkorrekturauswahl 332 zum Multiplexer 340, wodurch
ausgewählt wird, daß die Zeilenadressenkorrektur 334 als korri
gierte Adresse 112 übermittelt wird. Außerdem aktiviert die
BISR-Steuerlogik 330 eine korrigierte Adressenauswahl 114 in
Reaktion darauf, daß das Zeilentreffersignal 316 aktiv ist. Wie
oben beschrieben, wird die korrigierte Adressenauswahl 114
durch die Steuerlogik 130 verwendet, um entweder die korrigier
te Adresse 114 oder die nicht korrigierte Adresse 116 zur Über
mittlung an die Speicheranordnung 140 auszuwählen.
Wenn die Adresse eine Spaltenadresse ist, wird in gleicher Wei
se die unkorrigierte Adresse 116 in die Spaltenfehlersignatur
speicherung 322 indizieren. Wenn eine Übereinstimmung gefunden
ist, wird das Spaltentreffersignal 326 zum BISR-Steuerlogik
block 330 aktiviert. Das Zeilentreffersignal 316 ist dann nicht
aktiv, da der Zugriff nicht zu einer Zeilenadresse ist. Auch
wird ein Eingang in die Spaltenadressenkorrekturspeicherung 324
entsprechend der bei der Spaltenfehlersignaturspeicherung 322
gefundenen Übereinstimmung an den Zeilen/Spalten-Adressenkor
rekturmultiplexer 340 bei der Spaltenadressenkorrektur 336
übermittelt. Die BISR-Steuerlogik 330 treibt die Zeilen/Spal
ten-Adressenkorrekturauswahl 332 zum Multiplexer 340, wodurch
die als korrigierte Adresse 112 zu übermittelnde Spaltenadres
senkorrektur 334 ausgewählt wird. Außerdem aktiviert die BISR-
Steuerlogik 330 die korrigierte Adressenauswahl 114 in Reaktion
darauf, daß das Spaltentreffersignal 316 aktiv ist. Wie oben
beschrieben wird die korrigierte Adressenauswahl 114 durch die
Steuerlogik 130 dazu verwendet, entweder die korrigierte Adres
se 112 oder die unkorrigierte Adresse 116 für die Übermittlung
zur Speicheranordnung 140 auszuwählen.
Wie oben beschrieben erfassen die BIST-Einheit 120 und die
BISR-Einheit 110 ausfallende Speicherzellen in der Speicheran
ordnung 140 zur Zeit der Inbetriebnahme. Zugriffe zu diesen
Adressen können dann zu anderen Stellen umgesteuert werden, wo
durch eine fortgesetzte Funktion der Speichereinrichtung 100
ermöglicht ist. Wenn eine spezielle Zeile oder Spalte in der
Speicheranordnung 140 anschließend auf die Durchführung der
BIST ausfällt, wird sie jedoch durch die BISR-Einheit 110 nicht
neu zugeordnet. Daher können die BIST und BISR einige Spei
cherausfallarten, insbesondere diejenigen nicht feststellen,
die leicht nach einer Zeitdauer oder unter verschlechterzen Be
triebsbedingungen auftreten. Zugriffe zu einer Zeile oder Spal
te, die gegen solche Ausfälle empfindlich ist, können zu einem
möglichen Datenverlust führen. Obwohl es schwierig und unprak
tisch ist, diese marginalen Speicherzellen zu identifizieren,
sowie eine Speichereinrichtung zum Ort eines Kunden versandt
worden ist, können derartige Zellen leichter während des Her
stellungsprozesses festgestellt werden. Marginale Speicherzei
len und -spalten können identifiziert und auf Dauer gesperrt
werden, derart, daß anschließende Iterationen der am Ort des
Kunden ausgeführten BIST und BISR Zugriffe zu diesen Zeilen und
Spalten feststellen und neu zuordnen können. Wie unten be
schrieben, können diese Zeilen und Spalten dadurch gesperrt
werden, daß eine Sicherungsverbindung durchgebrannt wird, die
an der ausfallenden Zeile oder Spalte angeschlossen bzw. ange
fügt ist.
Es wird nun zur Fig. 4 übergegangen, in der ein Blockdiagramm
eines Ausführungsbeispiels der Speicheranordnung 140 und dessen
entsprechender Schreibstromkreis gezeigt ist. Der Lesestrom
kreis in der Speicheranordnung 140 ist zur Vereinfachung fort
gelassen worden. Stromkreisabschnitte entsprechend denjenigen
von Fig. 1 sind identisch numeriert.
Wie veranschaulicht enthält die Speicheranordnung 140 eine An
zahl von Speicherzellen 430A-430Q (auf die im folgenden als
Zellen 430 Bezug genommen wird), die mit einem Zeilendekodierer
410, einem Spaltendekodierer 420 und einem Leseverstärkerblock
440 gekoppelt sind. Die Zellen 430 enthalten auch eine Reserve- oder
Ersatzreihe 412, umfassend Zellen 430M, 430N, 430P und
430Q. Außerdem enthalten die Zellen 430 eine Reserve- oder Er
satzspalte 422 umfassend Zellen 430D, 430H, 430L und 430Q. Die
Zellen 430 sind mit dem Zeilendekodierer 410 durch Schreibwort
leitungen 432A-D gekoppelt, auf die im folgenden als Schreib
wortleitungen 432 Bezug genommen wird. Jede Schreibwortleitung
432 enthält eine entsprechende Zeilensicherungsverbindung 436A-D,
auf die im folgenden als Zeilensicherungsverbindungen 436
Bezug genommen wird. Jede der Zeilensicherungsverbindungen 436
ist so konfiguriert, daß das Durchbrennen einer der Sicherungs
verbindungen die Zeile vom Zeilendekodierer 410 isoliert, was
die Zeile unbenutzbar macht. In gleicher Weise sind die Zellen
430 mit dem Spaltendekodierer 420 und dem Leseverstärkerblock
440 durch Schreibbitleitungen 434A-D verbunden, auf die im fol
genden als Schreibbitleitungen 434 Bezug genommen wird. Jede
Schreibbitleitung 434 enthält eine entsprechende Spaltensiche
rungsverbindung 438A-D, auf die im folgenden als Spaltensiche
rungsverbindungen 438 Bezug genommen wird. Jede der Spaltensi
cherungsverbindungen 438 ist so konfiguriert, daß das Durch
brennen einer der Sicherungsverbindungen die Spalte vom Spal
tendekodierer 420 isoliert, was die Spalte unbenutzbar macht.
Der Zeilendekodierer 410 und der Spaltendekodierer 420 empfan
gen die Bereichsadresse 242 aus dem Steuerblock 130 zusammen
mit weiteren Steuersignalen, die zur Vereinfachung in Fig. 4
nicht gezeigt sind. Der Spaltendekodierer 420 empfängt weiter
Eingabedaten auf dem Bereichsdateneingabebus 246 und übermit
telt das Datenausgabesignal 138 als Ausgabe.
Zum Schreiben eines Werts zu einer speziellen Zelle im Spei
cherbereich 140 wird eine erste Zeilenadresse auf der Bereichs
adresse 242 zusammen mit einem geeigneten Steuersignal über
mittelt, das einen Zeilenzugriff anzeigt. Der Zeilendekodierer
410 wird eine spezielle Schreibwortleitung 432 aktiv setzen,
wobei sämtliche Zellen in der Zeile aktiviert werden. Als näch
stes wird eine Spaltenadresse zum Spaltendekodierer 420 auf der
Anordnungsadresse 242 zusammen mit einem geeigneten Steuersig
nal vorgesehen, das einen Spaltenzugriff anzeigt. Auch wird der
zu schreibende gewünschte Datenwert auf dem Bereichsdateneinga
besignal 246 übermittelt. Der Spaltendekodierer 420 wählt eine
spezielle Schreibbitleitung 434 in Reaktion auf die Spalten
adresse aus und aktiviert den entsprechenden Leseverstärker im
Leseverstärkerblock 440, so daß der gewünschte Datenwert auf
der geeigneten Schreibbitleitung 434 angesteuert wird. Es sei
festgestellt, daß, wenn die Zeilensicherungsverbindung 436
entsprechend der ausgewählten Zeile oder die Spaltensicherungs
verbindung 438 entsprechend der ausgewählten Spalte durch
gebrannt sind, ein anschließender Schreibzugriff auf diese
Stelle versagen wird. Wie unten beschrieben wird, können diese
Sicherungsverbindungen durchgebrannt werden, um vorteilhaft
Stellen in der Speicheranordnung 140 zu sperren, die marginale
Funktionseigenschaften haben können.
Es sei festgestellt, daß weitere Ausführungsbeispiele der in
der Speicheranordnung 140 gezeigten Sicherungsverbindungen mög
lich sind. Beispielsweise können die Zeilen- und Spaltensiche
rungsverbindungen in den Lesewortleitungen und Lesebitleitungen
der Bereichsanordnung mit ähnlicher Wirkung implementiert wer
den.
Wie oben beschrieben führen die BIST-Einheit 120 und die BISR-
Einheit 110 eine Folge von Prüfungen bzw. Tests an der Spei
cheranordnung 140 aus, um ihre korrekte Funktion zu überprüfen.
Eine typische Prüfsequenz kann das Schreiben eines logischen
Niedrigstwerts auf jede Zelle 430 in der Anordnung 140 einbe
greifen, gefolgt vom Lesen des Werts aus jeder Zelle, um zu be
stimmen, ob das Schreiben erfolgreich war. Dieselbe Prüfung
kann unter Verwendung eines logischen Höchstwerts durchgeführt
werden. Sämtliche Zeilen und Spalten werden üblicherweise auf
diese Weise geprüft, einschließlich der redundanten. Wenn ein
Fehler gefunden wird, wird die Adresse der ausfallenden Stelle
zur BISR-Einheit 110 berichtet. Wenn der Zugriff zu einer nicht
redundanten Zeile oder Spalte (in Fig. 4) den Zeilen entspre
chend den Schreibwortleitungen 432A-C und den Spalten entspre
chend den Schreibbitleitungen 434A-C erfolgt, versucht die
BISR-Einheit 110 die ausfallende Stelle zu einer redundanten
Zeile oder Spalte (in Fig. 4) der Ersatzreihe 412 oder Ersatz
spalte 422 neu zuzuordnen. Wenn eine redundante Zeile oder
Spalte als defekt herausgefunden worden ist, wird sie für die
Neuzuordnung nicht verwendet. Wenn eine einzelne Zelle aus
fällt, kann entweder die Zeile oder die Spalte neu zugeordnet
werden. Wenn mehrere Zellen in einer Zeile ausfallen (mögli
cherweise auf Grund einer schlechten Schreibwortleitung 432),
wird die Zeile neu zugeordnet; ebenso wird die Spalte bei
mehreren in einer Spalte ausfallenden Zellen neu zugeordnet.
Solange redundante Zeilen und Spalten verfügbar sind, kann die
BISR-Einheit 110 ausfallende Stellen weiter neu zuordnen. Wenn
mehr Ausfälle festgestellt werden, als neu zugeordnet werden
können, zeigt die BIST-Einheit einen schweren Fehler (Totalaus
fall) an.
Die BISR-Einheit 110 speichert ausfallende Zeilen/Spalten-
Adressen zusammen mit den entsprechenden neu zugeordneten
Adressen wie oben beschrieben. Nachfolgende Zugriffe auf feh
lerhafte Adressen werden durch die BISR festgestellt, die sämt
liche Speicheranforderungen über die unkorrigierte Adresse 116
überwacht. Die BISR-Einheit 110 liefert dann der Steuerlogik
130 die korrigierte Adresse 114 zusammen mit der korrigierten
Adressenauswahl 112. Auf diese Weise wird eine fehlerhafte
Adresse durch eine neu zugeordnete Adresse ersetzt, bevor sie
der Speicheranordnung 140 zur Verfügung gestellt wird.
Es wird nun zur Fig. 5 übergegangen, in der ein Flußdiagramm
eines Prüfverfahrens 500 für die Speichereinrichtung 100 ge
zeigt ist. Wie dargestellt ist, beginnt das Verfahren 500 mit
einem Schritt 510, in dem eine spezielle Prüffolge an der Spei
cheranordnung 140 in der Speichereinrichtung 100 durchgeführt
wird. Als nächstes werden in einem Schritt 520 die Ergebnisse
verarbeitet und es wird eine Bestimmung durchgeführt, ob es
irgendwelche fehlerhaften Zeilen oder Spalten gibt. Wenn keine
fehlerhaften Zeilen oder Spalten vorliegen, wird ein Schritt
580 durchgeführt, der anzeigt, daß die Speichereinrichtung
funktionsfähig ist. Wenn fehlerhafte Zeilen und Spalten vorhan
den sind, werden diese Adressen aus der Speichereinrichtung 100
heraus in einem Schritt 530 zusammen mit der Anzahl verfügbarer
redundanter Zeilen und Spalten in der Speicheranordnung 140 ab
getastet. In einem Schritt 540 wird die Anzahl verfügbarer re
dundanter Zeilen und Spalten mit der Anzahl von fehlerhaften
Zeilen und Spalten verglichen. Wenn eine ausreichende Anzahl
von Zeilen oder Spalten nicht verfügbar ist, wird ein Schritt
590 durchgeführt, der anzeigt, daß der Teil defekt ist. Wenn
eine ausreichende Anzahl von Zeilen und Spalten vorhanden sind,
wird jedoch ein Schritt 550 durchgeführt, bei dem die Stellen,
die bei der im Schritt 510 durchgeführten speziellen Prüffolge
ausgefallen sind, durch Durchbrennen einer der Zeile oder Spal
te zugeordneten Sicherungsverbindung gesperrt werden. Dies wan
delt Ausfälle, die lediglich unter einem speziellen Satz von
Betriebsbedingungen vorhanden sind, in einen Funktionsausfall
um, der stets durch die BIST und BISR bei Inbetriebnahme fest
gestellt werden kann. Diese spezielle Prüffolge wird erneut un
ter Verwendung der BISR in einem Schritt 560 ausgeführt. Wenn
eine ausreichende Anzahl redundanter Zeilen und Spalten übrig
geblieben sind, werden die beim Schritt 550 gesperrten Zeilen
und Spalten zu den redundanten Stellen umgeleitet. Wieder wird
in einem Schritt 570 eine Bestimmung von fehlerhaften Ergebnis
sen durchgeführt. Wenn fehlerhafte Zeilen oder Spalten (die ge
sperrten Zeilen und Spalten sollten durchgehen, da sie neu zu
geordnet worden sind) vorhanden sind, wird der Schritt 590
durchgeführt, wobei der Teil als defekt betrachtet wird. Wenn
keine fehlerhaften Zeilen oder Spalten vorhanden sind, wird der
Schritt 580 durchgeführt, wobei die Einrichtung als funktions
fähig angesehen wird.
Bei einer Implementierung wird eine wie oben beschriebene Prüf
folge an der Speichereinrichtung 100 durchgeführt, nachdem als
erstes Standardgleichstromtests auf Durchgang und Verlust aus
geführt worden sind. Die Testfolge beginnt mit einem Funktions
gesamttest, der sowohl bei einer hohen als einer niedrigen Ver
sorgungsspannung ausgeführt wird. Dieser Test bringt verschie
dene Schreib- und Lesemuster mit lediglich einer losen Zeit- bzw.
Zeiteinteilungseinschränkung mit sich (d. h. die grundsätz
liche Funktionalität der Einrichtung befindet sich im Test,
nicht notwendigerweise ihre Geschwindigkeit). Jegliche Aus
fälle, die während dieses Tests festgestellt werden, werden
heraus abgetastet und für eine spätere Verwendung aufgezeich
net. Als nächstes wird ein Test "bei Geschwindigkeit" durchge
führt. Dieser ist ähnlich dem Gesamtfunktionstest, er wird
lediglich bei der Nenngeschwindigkeit der Einrichtung durchge
führt. Wieder werden jegliche Ausfallstellen heraus abgetastet
und gesichert. Als nächstes wird ein "Spannungsstoß (Bump)"-
Test ausgeführt, bei dem die Einrichtung 100 bei niedriger
Spannung beschrieben, bei hoher Spannung gelesen wird, etc.
Ergebnisse dieses Tests werden ebenso gesichert. Als letztes
wird ein Auffrischtest ausgeführt, bei dem jede Speicherzelle
kontrolliert wird, um ihre Datenhalteeigenschaften zu über
prüfen. Ausfallende Stellen werden heraus abgetastet wie oben
beschrieben. Diese Tests können bei hoher Temperatur oder
Spannung zur Simulation von kritischen Bedingungen, d. h. für
den ungünstigsten Fall, durchgeführt werden.
Als nächstes wird eine Nachverarbeitungsroutine durchgeführt,
die die Gesamtzahl der fehlerhaften Zeilen und Spalten mit der
verfügbaren Zahl von Ersatzzeilen und -spalten vergleicht. Wenn
es keine ausreichende Anzahl von Ersatzstellen zur Handhabung
der bei der obigen Testfolge festgestellten Ausfälle gibt, wird
die Einrichtung als nicht verwendbar angesehen. Wenn ausreichend
Ersatzzeilen und -spalten verfügbar sind, können jedoch die
ausfallenden Zeilen und Spalten durch Durchbrennen der entspre
chenden Sicherungsverbindung gesperrt werden. Die fehlerhaften
Stellen werden einer Einrichtung zugeführt, die einen Laser
strahl zum Schmelzen der gewünschten Sicherungsverbindungen
verwendet. Bei einem Ausführungsbeispiel sind die Sicherungs
verbindungen in der oberen Metallschicht der integrierten
Schaltung implementiert, die die Speicheranordnung enthält.
Als nächstes wird die Prüfreihe wieder unter normalen Arbeits
bedingungen durchgeführt. Die Stellen, die gesperrt worden
sind, sollten durch die BISR-Einheit 110 identifiziert und neu
zugeordnet werden. Wenn noch fehlerhafte Stellen gefunden
werden, wird der Teil als defekt angesehen. Wenn sämtliche
Stellen durchgehen, wird jedoch der Teil als funktionsfähig an
gesehen.
Die Erfindung läßt sich wie folgt zusammenfassen: Sie betrifft
ein Prüfverfahren für eine Speichereinrichtung, bei dem Ausfäl
le, die unter spezifizierten kritischen Bedingungen, d. h. für
den ungünstigsten Fall, lediglich auftreten können, in zwangs
weise Funktionsausfälle umgewandelt werden. Diese Stellen wer
den anschließend festgestellt und durch eine eingebaute Selbst
prüf (BIST)- und eingebaute Selbstreparatur (BISR)-Schaltung
neu zugeordnet. Als erstes wird eine Prüfreihe an einem Spei
cherbereich durchgeführt, der redundante Zeilen- und Spalten
stellen enthält. Üblicherweise wird diese Prüfreihe unter Be
dingungen durchgeführt, die höchstwahrscheinlich einen Ausfall
herbeiführen. Die Zeilen- und Spaltenstellen, die als schlecht
funktionierend bestimmt werden, werden aus der Speichereinrich
tung heraus ausgetastet, zusammen mit der Zahl der verfügbaren
redundanten Zeilen und Spalten. Wenn es ausreichend redundante
Stellen gibt, werden die fehlerhaften Zeilen und Spalten auf
Dauer gesperrt, indem jede der entsprechenden Sicherungsverbin
dungen durchgebrannt wird. Wenn anschließend die Versorgung auf
die Speichereinrichtung gegeben wird, erfaßt die BIST Zeilen
und Spalten einschließlich der auf Dauer gesperrten mit zwangs
weisen Funktionsausfällen. Zugriffe auf diese Stellen können
dann durch die BISR-Schaltungsanordnung umgeleitet werden. Die
Prüfreihe kann dann erneut ausgeführt werden und die Einrich
tung wird als defekt angesehen, wenn zusätzliche Fehler gefun
den werden. Die Zeilen und Spalten in der Speicheranordnung,
die zu einem Ausfall neigen, werden so niemals freigegeben.
Außerdem liefert die BIST- und BISR-Schaltungsanordnung die
Möglichkeit, die grundlegende Speicherfunktionalität zu über
prüfen und Ausfalladressen neu zuzuordnen jedesmal, wenn eine
Versorgung an die Einrichtung gegeben wird. Der Erfassungs
bereich der Prüfung der Speicherordnung ist vorteilhaft ver
größert.
Es sind für den Fachmann zahlreiche Änderungen und Abwandlungen
bei völliger Würdigung der obigen Offenbarung ersichtlich.
Sämtliche derartigen Änderungen und Abwandlungen sollen von dem
Umfang der beigefügten Ansprüche mit umfaßt sein.
Claims (15)
1. Verfahren zum Prüfen einer Speichereinrichtung, wobei die
Speichereinrichtung einen Speicherbereich mit einer Anzahl von
Zeilen enthält, umfassend die Schritte, daß
eine gegebene Prüfung an der Anzahl der Zeilen unter einem speziellen Satz von Betriebsbedingungen durchgeführt wird; in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung be stimmt wird, daß eine spezielle Zeile in der Anzahl von Zeilen fehlerhaft funktioniert;
Speicherzugriffe zu der speziellen Zeile auf Dauer gesperrt werden;
eine Selbstprüffunktion an dem Speicherbereich in Reaktion auf das Anlegen einer Versorgung an die Speichereinrichtung während normaler Betriebsbedingungen durchgeführt wird, wobei die Selbstprüfoperation jegliche fehlerhaft funktionierenden Zeilen in dem Speicherbereich einschließlich der speziellen Zeile identifiziert und wobei die Selbstprüfoperation anschlie ßend an das Sperren von Speicherzugriffen auf die spezielle Zeile auf Dauer durchgeführt wird; und
eine redundante Zeile für jede der fehlerhaft funktionie renden Zeilen freigegeben wird.
eine gegebene Prüfung an der Anzahl der Zeilen unter einem speziellen Satz von Betriebsbedingungen durchgeführt wird; in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung be stimmt wird, daß eine spezielle Zeile in der Anzahl von Zeilen fehlerhaft funktioniert;
Speicherzugriffe zu der speziellen Zeile auf Dauer gesperrt werden;
eine Selbstprüffunktion an dem Speicherbereich in Reaktion auf das Anlegen einer Versorgung an die Speichereinrichtung während normaler Betriebsbedingungen durchgeführt wird, wobei die Selbstprüfoperation jegliche fehlerhaft funktionierenden Zeilen in dem Speicherbereich einschließlich der speziellen Zeile identifiziert und wobei die Selbstprüfoperation anschlie ßend an das Sperren von Speicherzugriffen auf die spezielle Zeile auf Dauer durchgeführt wird; und
eine redundante Zeile für jede der fehlerhaft funktionie renden Zeilen freigegeben wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Selbstreparatur
schaltung die Freigabe der redundanten Zeile durchführt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß die spezielle Zeile eine Sicherungsver
bindung enthält und das Durchbrennen der Sicherungsverbindung
die spezielle Zeile sperrt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Sperren der Speicherzugriffe auf die
spezielle Zeile auf Dauer durchgeführt wird, indem die Siche
rungsverbindung unter Verwendung eines Lasers durchgebrannt
wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß in Reaktion darauf, daß die Ge
samtzahl der fehlerhaft funktionierenden Zeilen größer als die
Gesamtzahl der redundanten Zeilen ist, bestimmt wird, daß die
Speichereinrichtung nicht verwendbar ist.
6. Verfahren zum Prüfen einer Speichereinrichtung, wobei die
Speichereinrichtung einen Speicherbereich mit einer Anzahl von
Spalten enthält, umfassend die Schritte, daß
eine gegebene Prüfung an der Anzahl der Spalten unter einem speziellen Satz von Betriebsbedingungen durchgeführt wird;
in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung be stimmt wird, daß eine spezielle Spalte in der Anzahl von Spal ten fehlerhaft funktioniert;
Speicherzugriffe zu der speziellen Spalte auf Dauer ge sperrt werden;
eine Selbstprüffunktion an dem Speicherbereich in Reaktion auf das Anlegen einer Versorgung an die Speichereinrichtung während normaler Betriebsbedingungen durchgeführt wird, wobei die Selbstprüfoperation jegliche fehlerhaft funktionierenden Spalten in dem Speicherbereich einschließlich der speziellen Spalte identifiziert und wobei die Selbstprüfoperation an schließend an das Sperren von Speicherzugriffen auf die spe zielle Spalte auf Dauer durchgeführt wird; und
eine redundante Spalte für jede der fehlerhaft funktionie renden Spalten freigegeben wird.
eine gegebene Prüfung an der Anzahl der Spalten unter einem speziellen Satz von Betriebsbedingungen durchgeführt wird;
in Reaktion auf Ergebnisse aus der gegebenen Prüfung be stimmt wird, daß eine spezielle Spalte in der Anzahl von Spal ten fehlerhaft funktioniert;
Speicherzugriffe zu der speziellen Spalte auf Dauer ge sperrt werden;
eine Selbstprüffunktion an dem Speicherbereich in Reaktion auf das Anlegen einer Versorgung an die Speichereinrichtung während normaler Betriebsbedingungen durchgeführt wird, wobei die Selbstprüfoperation jegliche fehlerhaft funktionierenden Spalten in dem Speicherbereich einschließlich der speziellen Spalte identifiziert und wobei die Selbstprüfoperation an schließend an das Sperren von Speicherzugriffen auf die spe zielle Spalte auf Dauer durchgeführt wird; und
eine redundante Spalte für jede der fehlerhaft funktionie renden Spalten freigegeben wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Selbstreparaturschaltung die Frei
gabe der redundanten Spalte durchführt.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die spezielle Spalte eine Sicherungsver
bindung enthält und das Durchbrennen der Sicherungsverbindung
die spezielle Spalte sperrt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Sperren der Speicherzugriffe auf die
spezielle Spalte auf Dauer dadurch durchgeführt wird, daß die
Sicherungsverbindung unter Verwendung eines Lasers durchge
brannt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch ge
kennzeichnet, daß in Reaktion darauf, daß die Ge
samtzahl der fehlerhaft funktionierenden Spalten größer als die
Gesamtzahl der redundanten Spalten ist, bestimmt wird, daß die
Speichereinrichtung nicht verwendbar ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß der spezielle Satz von Betriebs
bedingungen als kritische (Worst-case-) Bedingungen spezifi
ziert werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Speichereinrichtung auf ei
nem integrierten Schaltkreis hergestellt wird und die Selbst
prüfoperation durch eine Selbstprüfschaltung durchgeführt wird,
die auch auf dem integrierten Schaltkreis implementiert ist.
13. Verfahren nach Anspruch 2 oder 7 und 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Selbstreparaturschaltung
auch auf dem integrierten Schaltkreis implementiert ist.
14. Verfahren nach Anspruch 3 oder 8 und 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Sicherungsverbindung in ei
ner oberen Metallschicht des integrierten Schaltkreises imple
mentiert ist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch ge
kennzeichnet, daß die gegebene Prüfung für das
Auffrischintervall der Speichereinrichtung dient.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/852,692 US5987632A (en) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | Method of testing memory operations employing self-repair circuitry and permanently disabling memory locations |
Publications (1)
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