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DE19817767A1 - Halbleiter-Leistungsschaltung - Google Patents

Halbleiter-Leistungsschaltung

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DE19817767A1
DE19817767A1 DE19817767A DE19817767A DE19817767A1 DE 19817767 A1 DE19817767 A1 DE 19817767A1 DE 19817767 A DE19817767 A DE 19817767A DE 19817767 A DE19817767 A DE 19817767A DE 19817767 A1 DE19817767 A1 DE 19817767A1
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Vijay Mangtani
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International Rectifier Corp USA
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Leistungs­ schaltung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art und insbesondere auf eine Gate-Treiberschaltung für eine Transistor-Brückenschaltung.
In Halbleiter-Leistungsschaltungen werden in vielen Fällen Gate-Treiberschaltungen verwendet, wobei zur Ansteuerung einer Brückenschaltungspannungs- und erdseitige Treiberschaltungen verwendet werden, die in einer integrierten Schaltung ausge­ bildet sind.
Ein Beispiel für eine derartige Halbleiter-Leistungsschaltung ist in Fig. 1 gezeigt, die eine typische Halbbrücken-Leistungs­ wandlerschaltung zeigt, die zwei in Serie geschaltete Tran­ sistoren Q1, Q2 verwendet, die längs einer Hochspannungsquelle +Hv, -Hv angeschaltet sind. In diesem Fall sind die Transisto­ ren Q1, Q2 bipolare Transistoren mit isolierter Gateelektrode (IGBT), die jeweils eine antiparallel geschaltete Diode D1 bzw. D2 einschließen, die längs dieser Transistoren angeschaltet ist. Der IGBT Q1 wird typischerweise als der "spannungsseitige" oder "obere" Transistor (oder Schalter) bezeichnet, während der IGBT Q2 typischerweise als der "erdseitige" oder "untere" Tran­ sistor (oder Schalter) bezeichnet wird.
Wie dies bei praktisch ausgeführten Schaltungen der Fall ist, besteht eine gewisse Streuinduktivität Ls zwischen den in Serie geschalteten IGBT-Bauteilen Q1, Q2, wobei Ls in unerwünschter Weise aufgrund von Zwischenverbindungen innerhalb der Gehäuse der IGBT-Bauteile Q1, Q2 und/oder aufgrund von Leiterbahnen der gedruckten Schaltung eingeführt werden kann.
Der Verbindungspunkt U (zwischen den IGBT-Bauteilen Q1, Q2) ist mit einer (nicht gezeigten) Last derart verbunden, daß Strom der Last zugeführt und von dieser empfangen werden kann, wie dies in der Technik bekannt ist.
Wie dies gezeigt ist, wird eine Hochspannungs-Treiberschaltung (oder ein "Treiber") dazu verwendet, den IGBT Q1 und den IGBT Q2 abwechselnd in Abhängigkeit von einem Steuersignal ein- und auszuschalten (beispielsweise durch ein nicht gezeigtes impuls­ breitenmoduliertes Signal). Die Hochspannungs-Treiberschaltung schließt erste und zweite Gate-Treiberschaltungen Drv1 bzw. Drv2 zur Lieferung von Vorstrom an die Gateelektroden von Q1 und Q2 ein. Gate-Widerstände Rg1 und Rg2 können eingefügt sein, um geeignete Ein- und Ausschaltcharakteristiken für die IGBT- Bauteile Q1, Q2 zu erzielen.
Die Hochspannungs-Gatetreiberschaltung gewinnt ihre Betriebs­ spannung aus einer Gleichspannungsversorgung Vcc, wobei der erdseitige Treiber Drv2 seine Betriebsspannung direkt aus Vcc erhält, während der spannungsseitige Treiber Drv1 seine Betriebsspannung über eine Bootstrap-Schaltung gewinnt. Die Bootstrap-Schaltung schließt eine Bootstrap-Diode Dbs ein, die mit ihrer Anode an Vcc angeschaltet ist, während ihre Kathode mit einem Ende eines Bootstrap-Kondensators Cbs verbunden ist, wie dies bekannt ist. Das andere Ende von Cbs ist mit dem Verbindungspunkt U verbunden. Somit erhält Drv1 seine Betriebsspannung längs Cbs.
Ein Reihenwiderstand Rs kann zwischen dem -Hv-Verbindungspunkt und dem Vss-Anschluß der Hochspannungs-Gatetreiberschaltung eingefügt sein.
Die Hochspannungs-Gatetreiberschaltung kann ein "grenzschicht­ isoliertes" Bauteil sein, wobei derartige Bauteile in der ge­ zeigten Weise eine Substratdiode Dsub einschließen. Grenz­ schichtisolierte Hochspannungs-Gatetreiberschaltungen können von der Firma International Rectifier Copr. (El Segundo, Kalifornien) in Form der IR2IXX-Serien, IR22XX-Serien und anderen Bauteilnummern erhalten werden. Alternativ kann die Hochspannungs-Gatetreiberschaltung ein "dielektrisch isoliertes" Bauteil sein, wobei derartige Bauteile keine Substratdiode einschließen. Auch dielektrisch isolierte Hochspannungs-Gate­ treiberschaltungen sind von der Firma International Rectifier Corp. erhältlich.
Wenn die Halbbrückenschaltung nach Fig. 1 eine induktive Last speist, so treten als Ergebnis verschiedene Probleme mit großer Wahrscheinlichkeit auf. Im einzelnen fällt, wenn der IGBT Q1 seinen Zustand ändert (vom eingeschalteten zum ausgeschalteten Zustand) der Strom durch Q1 (Kollektor-Emitter) mit einer Rate von -di/dt ab. Weil die Last induktiv ist, fließt der durch die Last fließende Strom im Freilauf durch die Diode D2. Der Strom in D2 (von Anode zu Kathode) steigt somit mit einer Rate von di/dt an.
Der rampenförmig ansteigende Strom (di/dt) in D2 muß durch Ls fließen, wobei dieser rampenförmig ansteigende Strom dazu führt, daß eine Spannungsspitze Vls längs Ls mit der dargestellten Polarität erzeugt wird. Vls kann in Ausdrücken des rampenförmig ansteigenden Stromes durch D2 wie folgt ausgedrückt werden:
Vls = Ls.di/dt.
Es sei bemerkt, daß Vls ebenfalls induziert werden kann, wenn eine Kurzschlußabschaltung zu einem Zeitpunkt auftritt, zu dem Q2 als Stromsenke für die Last wirkt. Wie dies ausführlicher weiter unten erläutert wird, ist diese Spannungsspitze Vls unerwünscht.
Weil die Diode D2 einen im wesentlichen konstanten Durchlaß­ spannungsabfall Vd2 (ungefähr 0,5 bis 0,7 Volt) hat, wird die Spannung Vs als Ergebnis der Spannungsspitze Vls unter -Hv gedrückt. Tatsächlich kann Vs durch die folgende Gleichung beschrieben werden: Vs = Vd2 - Vls (wobei die Amplitude von Vls typischerweise wesentlich größer als die von Vd2 ist).
Wenn die Hochspannungs-Gatetreiberschaltung vom grenzschicht­ isolierten Typ ist (d. h., wenn sie eine Substratdiode Dsub ein­ schließt), wirkt eine Spannungsspitze Vls derart, daß ein Strom Isub durch die Substratdiode Dsub fließt. Im einzelnen würde Isub von Ls durch D2, durch Dsub und dann durch Cbs zurück zu Ls fließen. Wenn Isub ausreichend hoch ist, so kann eine Fehlfunk­ tion des Treibers auftreten (beispielsweise eine Verriegelung), was zu einem katastrophalen Schaltungsausfall führen könnte (beispielsweise einem Ausfall von Q1, Q2 und/oder der Last usw.). Zusätzlich führt der Strom Isub dazu, daß Cbs auf eine höhere Spannung (Vbs) aufgeladen wird, was zu einer Beschädigung des spannungsseitigen Treibers Drv1 führen könnte (was ebenfalls möglicherweise zu einem katastrophalen Schaltungsausfall führt).
Wenn die Hochspannungs-Gatetreiberschalter von grenzschicht­ isolierten Typ oder vom dielektrisch isolierten Typ ist, wirkt eine Spannungsspitze Vls längs Ls im Sinne eines Induzierens eines zusätzlichen Stromflusses durch die Bootstrap-Diode Dbs. Im Einzelnen würde dies im Sinne eines Stromflusses von Ls durch D2, durch Rs, durch Vcc, durch Dbs und durch Cbs zurück zu Ls führen. Typischerweise ist der von Vls durch Dbs induzierte Strom höher als Isub, weil Vcc und Vls in einer additiven Konfiguration angeordnet sind. Entsprechend könnte ein Anstieg von Vbs zu Schäden an dem spannungsseitigen Treiber Drv1 führen (was möglicherweise ebenfalls einen katastrophalen Schaltungs­ ausfall hervorruft).
Obwohl die Fig. 1 gezeigte Schaltung eine Halbbrückenschaltung ist, treten ähnliche Spannungen in Einphasen-Vollbrücken- Leistungsschaltungen, Dreiphasen-Vollbrücken-Schaltungen, spannungsseitigen Zerhackerschaltungen und dergleichen auf.
Obwohl die bekannte Schaltung nach Fig. 1 zur Verwendung mit kleineren Leistungshalbleiterplättchengrößen geeignet ist, wie z. B. der Halbleiterplättchengröße 3 der Firma International Rectifier, ist sie bei größeren Halbleiterplättchengrößen wie z. B. der Halbleiterplättchengröße 4 und mehr der Firma Inter­ national Rectifier nicht geeignet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter- Leistungsschaltung der eingangs genannten Art mit einer Hoch­ spannungs-Gatetreiberschaltung zu schaffen, die die vorstehend beschriebenen Nachteile beseitigt und nachteilige Auswirkungen von Spannungsspitzen längs Streuinduktivitäten verhindert, die bei einer geschalteten Leistungsschaltung auftreten.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Zur Beseitigung der Nachteile des Standes der Technik schließt die Halbleiter-Leistungsschaltung der vorliegenden Erfindung zumindest einen spannungsseitigen und einen erdseitigen Tran­ sistor mit MOS-Gatesteuerung zur Bildung einer Brückenschaltung längs der Spannungs- und Erdanschlüsse einer Leistungsquelle, eine spannungsseitige Treiberschaltung mit einem Ausgang, der zur Änderung der Leitfähigkeitseigenschaften des spannungs­ seitigen Transistors mit MOS-Gatesteuerung betreibbar ist, und eine Serienschaltung aus einer Diode und einem Kondensator ein, die in einer Bootstrap-Anordnung mit den spannungsseitigen und erdseitigen Transistoren angeordnet ist, um eine Betriebs­ spannung für die spannungsseitige Treiberschaltung zu liefern.
Die Leistungsschaltung schließt weiterhin eine erdseitige Treiberschaltung mit einem Ausgang, der zur Änderung der Leitfähigkeitseigenschaften des erdseitigen Transistors mit MOS-Gatesteuerung betreibbar ist, und eine erdseitige Spannungs­ quelle ein, die mit der erdseitigen Treiberschaltung gekoppelt ist, um dieser eine Betriebsspannung zu liefern, wobei die Serienschaltung aus der Diode und dem Kondensator in Serie mit der erdseitigen Spannungsquelle gekoppelt ist, und wobei eine Streuinduktivität in Serie mit den spannungsseitigen und erdseitigen Transistoren mit MOS-Gatesteuerung liegt und einen Strom durch den erdseitigen Transistor mit MOS-Gatesteuerung in Abhängigkeit von Leitfähigkeitsänderungen in den spannungs­ seitigen und erdseitigen Transistoren mit MOS-Gatesteuerung induziert.
Die Leistungsschaltung schließt weiterhin ein erstes Strom­ begrenzungselement, das in Serie zwischen der erdseitigen Spannungsquelle und der Diode eingekoppelt ist, um das Fließen einer Komponente des von der Streuinduktivität induzierten Stromes durch die Diode in den Kondensator zu verringern, und ein zweites Strombegrenzungselement ein, das in Serie zwischen dem erdseitigen Leistungsanschluß und der erdseitigen Spannungs­ quelle einkoppelbar ist, um das Fließen einer Komponente des induzierten Stromes von der Streuinduktivität durch die Diode in den Kondensator zu verringern.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen noch näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten Halbbrücken- Leistungsschaltung zur Ansteuerung einer Last,
Fig. 2 ein Schaltbild einer Halbbrücken-Leistungs­ schaltung, die Strombegrenzungswiderstände gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet,
Fig. 3a ein Schaltbild, das eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, die zur Verwendung in einer Leistungsschaltung geeignet ist, die mehrfache Bootstrap- Schaltungen einschließt, und
Fig. 3b ein Schaltbild, das eine abgeänderte Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, die zur Ver­ wendung in einer Leistungsschaltung geeignet ist, die mehrfache Bootstrap-Schaltungen einschließt.
In den Zeichnungen, in denen gleiche Bezugsziffern zur Bezeich­ nung gleicher Elemente verwendet werden, ist in Fig. 2 eine Halbbrücken-Leistungswandlerschaltung 10 gezeigt, die im wesentlichen gleich der Halbbrückenschaltung nach Fig. 1 ist, jedoch mit der Ausnahme, daß Strombegrenzungselemente (vorzugsweise Widerstände) Rbs und Re2 eingefügt sind.
Im Einzelnen ist ein erstes Strombegrenzungselement Rbs in Serienverbindung mit Dbs eingefügt, um den durch Vls indu­ zierten Stromfluß zu begrenzen. Rbs ist vorzugsweise so gewählt, daß Rbs.Cbs » t1 ist, worin t1 die Zeitperiode ist, über die hinweg der Strom in D2 mit der Rate von d1/dt ansteigt. Es sei jedoch bemerkt, daß Rbs eine Obergrenze aufweist, die durch die Ladungsanforderungen von Cbs im Normalbetrieb festgelegt ist. Bei einer Anwendung, die die Hochspannungs-Gatetreiberschaltung vom Typ IRPT2056C (er­ hältlich von der Firma International Rectifier Corporation) verwendet, arbeitet ein Widerstand Rbs mit einem Widerstands­ wert von ungefähr 1 Ohm in befriedigender Weise.
Ein zweites Strombegrenzungselement Re2 ist vorzugsweise in Serie mit der Substratdiode Dsub eingefügt. Es wird bevorzugt, daß Re2 zwischen -Hv und dem Vso-Anschluß der Hochspannungs- Treiberschaltung liegt, wie dies dargestellt ist. Es gibt jedoch andere geeignete Stellen für Re2, beispielsweise zwischen dem Vb-Anschluß, der Hochspannungs-Treiberschaltung und dem Ver­ bindungspunkt von Dbs und Cbs.
Re2 ist vorzugsweise so gewählt, daß Re2.Cbs » t1 ist, worin T1 die Zeitperiode ist, über die der Strom in D2 mit der Rate von di/dt rampenförmig ansteigt. Es sei jedoch bemerkt, daß Re2 einen oberen Grenzwert hat, der durch die Gateansteuerungs-Zeitbedingungen von Q2 im Normalbetrieb bestimmt ist. Bei einer Anwendung, die die Hochspannungs- Gatetreiberschaltung vom Typ IRPT2056C verwendet, arbeitete ein Widerstand Re2 mit einem Widerstandswert von ungefähr 2 Ohm in befriedigender Weise.
Unter Bezugnahme auf Fig. 3a ist zu erkennen, daß eine Viel­ zahl (beispielsweise 3) Bootstrap-Schaltungen aus einer ge­ meinsamen Vcc-Versorgung gespeist wird. In einem derartigen
Fall kann eine Vielzahl von Strombegrenzungselementen Rbs1, Rbs2, Rbs3, usw. in Serie mit einer Vielzahl von Bootstrap- Dioden Dbs1, Dbs2, Dbs3, usw. geschaltet werden. Alternativ kann, wie dies in Fig. 3b gezeigt ist, ein einziges Strom­ begrenzungselement Rbs mit einer fächerförmigen Anordnung von Bootstrap-Dioden Dbs1, Dbs2, Dbs3, usw. gekoppelt werden, wobei die Dioden jeweils an ihren Anoden mit dem Rbs-Element gekoppelt sind.
Die Leistungswandlerschaltung, die die Strombegrenzungselemente der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ver­ wendet, begrenzt in vorteilhafter Weise den Substratstrom Isub, wodurch die Immunität der Schaltung gegenüber Spannungsspitzen verbessert wird, die sich längs von Streuinduktivitäten ent­ wickeln. In ähnlicher Weise haben Leistungswandlerschaltungen gemäß der vorliegenden Erfindung eine höhere Immunität gegen­ über di/dt-Raten, was die Verwendung von größeren IGBT-Bauteilen für höhere Nennleistungen ermöglicht. Zusätzlich ermöglicht die vorliegende Erfindung die Verwendung der Bootstrap-Leistungs­ versorgung Vcc in Kombination mit einem spannungsseitigen Treiber, was zu niedrigeren Kosten und Verringerungen der Schaltungsgröße führt.
Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Aus­ führungsformen hiervon beschrieben wurde, sind vielfältige andere Abwandlungen und Modifikationen und andere Anwendungen für den Fachmann ohne weiteres zu erkennen. Die Erfindung wird damit nur durch die beigefügten Patentansprüche begrenzt.

Claims (10)

1. Halbleiter-Leistungsschaltung mit:
zumindest einem spannungsseitigen Transistor mit MOS- Gatesteuerung,
zumindest einem erdseitigen Transistor mit MOS-Gate­ steuerung, der in Serie mit dem spannungsseitigen Transistor mit MOS-Gatesteuerung geschaltet ist, um eine Brückenschaltung längs Spannungs- und Erd-Leistungsanschlüssen einer Leistungs­ quelle zu bilden,
einer spannungsseitigen Treiberschaltung mit einem Ausgang, der zur Änderung der Leitfähigkeitseigenschaften des spannungsseitigen Transistors mit MOS-Gatesteuerung betreibbar ist,
einer Serienschaltung aus einer Diode und einem Kondensator, die in einer Bootstrap-Anordnung mit den spannungsseitigen und erdseitigen Transistoren angeordnet ist, um eine Betriebsspannung an die spannungsseitige Trei­ berschaltung zu liefern,
einer erdseitigen Treiberschaltung mit einem Ausgang, der zur Änderung der Leitfähigkeitseigenschaften des erdsei­ tigen Transistors mit MOS-Gatesteuerung betreibbar ist,
einer erdseitigen Spannungsquelle, die mit der erd­ seitigen Treiberschaltung gekoppelt ist, um dieser eine Betriebsspannung zu liefern, wobei die Serienschaltung aus der Diode und dem Kondensator in Serie mit der erdseitigen Spannungsquelle gekoppelt ist, und
einer Streuinduktivität, die in Serie mit den spannungs­ seitigen und erdseitigen Transistoren mit MOS-Gatesteuerung liegt und einen Strom durch den erdseitigen Transistor mit MOS-Gatesteuerung bei Leitfähigkeitsänderungen in den spannungs­ seitigen und erdseitigen Transistoren mit MOS-Gatesteuerung induziert,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein erstes Strombegrenzungselement (Rbs) in Serie zwischen der erdseitigen Spannungsquelle (Vcc) und der Diode (Dbs) angeordnet ist, um das Fließen einer Komponente des von der Streuinduktivität (Ls) induzierten Stromes durch die Diode (Dbs) in den Kondensator (Cbs) zu verringern, und
daß ein zweites Strombegrenzungselement (Re2) in Serie zwischen dem Leistungs-Erdanschluß (-Hv) und der erdseitigen Spannungsquelle (Vcc) einschaltbar ist, um das Fließen einer Komponente des von der Streuinduktivität (Ls) induzierten Stromes durch die Diode in den Kondensator (Cbs) zu verringern.
2. Leistungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste strombegrenzende Element ein erster Widerstand (Rbs) ist, und daß das zweite Strombe­ grenzungselement ein zweiter Widerstand (Re2) ist.
3. Leistungsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der von der Streuinduktivität (Ls) induzierte Strom eine Zeitdauer aufweist, daß der erste Wider­ stand (Rbs) einen ersten Widerstandswert aufweist, daß der zweite Widerstand (Re2) einen zweiten Widerstandswert aufweist, daß der Kondensator (Cbs) einen Kapazitätswert aufweist, daß das Produkt des ersten Widerstandswertes und des Kapazitäts­ wertes wesentlich größer als die Zeitdauer ist, und daß das Produkt des zweiten Widerstandswertes und des Kapazitätswertes wesentlich größer als die Zeitdauer ist.
4. Leistungsschaltung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Widerstand (Rbs) einen Widerstandswert von ungefähr 1 Ohm aufweist, und daß der zweite Widerstand (Re2) einen Widerstandswert von ungefähr 2 Ohm auf­ weist.
5. Leistungsschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Substratdiode (Dsub) zwischen den erdseitigen und spannungsseitigen Treiberschaltungen (Drv2, Drv1) eingekoppelt ist, wobei eine Kathode der Substratdiode mit dem Verbindungspunkt zwischen der Diode (Dbs) und dem Kondensator (Cbs) angeschaltet ist, und daß ein drittes Strom­ begrenzungselement (Re2) in Serie von dem erdseitigen Leistungs­ anschluß zur Substratdiode (Dsub) eingeschaltet ist, um das Fließen einer Komponente des von der Streuinduktivität (Ls) induziertes Stromes durch die Substratdiode in den Kondensator zu verringern.
6. Leistungsschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Strombegrenzungselement ein erster Widerstand und das zweite Strombegrenzungselement ein zweiter Widerstand ist.
7. Leistungsschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der von der Streuinduktivität (Ls) induzierte Strom eine Zeitdauer aufweist, daß der erste Wider­ stand (Rbs) einen ersten Widerstandswert aufweist, daß der zweite Widerstand (Re2) einen zweiten Widerstandswert aufweist, daß der Kondensator (Cbs) einen Kapazitätswert aufweist, daß das Produkt des ersten Widerstandswertes und des Kapazitäts­ wertes wesentlich größer als die Zeitdauer ist, und daß das Produkt des zweiten Widerstandswertes und des Kapazitätswertes wesentlich größer als die Zeitdauer ist.
8. Leistungsschaltung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Widerstand (Rbs) einen Widerstandswert von ungefähr 1 Ohm aufweist, und daß der zweite Widerstand (Re2) einen Widerstandswert von ungefähr 2 Ohm auf­ weist.
9. Halbleiter-Leistungsschaltung mit:
drei spannungsseitigen Transistoren mit MOS-Gate­ steuerung,
drei erdseitigen Transistoren mit MOS-Gatesteuerung, wobei jeder erdseitige Transistor mit MOS-Gatesteuerung in Serie mit jeweiligen der spannungsseitigen Transistoren mit MOS-Gatesteuerung derart gekoppelt ist, daß drei Brücken­ schaltungen längs Leistungs-Spannungs- und Erdanschlüssen einer Leistungsquelle gebildet werden,
drei spannungsseitigen Treiberschaltungen, die jeweils einen Ausgang aufweisen, der zur Änderung der Leitfähigkeits­ eigenschaften jeweiliger spannungsseitiger Transistoren mit MOS-Gatesteuerung betreibbar ist,
drei Paaren von in Serie geschalteten Dioden- und Kondensatorschaltungen, die in jeweiligen Bootstrap-Konfi­ gurationen mit jeweiligen spannungsseitigen und erdseitigen Transistor-Brückenschaltungen angeordnet sind, um jeweilige Betriebsspannungen für die jeweiligen spannungsseitigen Treiberschaltungen zu liefern,
drei erdseitigen Treiberschaltungen, die jeweils einen Ausgang aufweisen, der zur Änderung der Leitfähigkeitseigen­ schaften der jeweiligen erdseitigen Transistoren mit MOS-Gate­ steuerung betreibbar ist,
einer erdseitigen Spannungsquelle, die mit den erdseiti­ gen Treiberschaltungen gekoppelt ist, um diesen eine Betriebs­ spannung zu liefern, wobei die jeweiligen Serienschaltungen aus Dioden und Kondensatoren in Serie mit der erdseitigen Spannungs­ quelle angeordnet sind,
Streuinduktivitäten, wobei zumindest eine Streuinduk­ tivität in Serie mit jedem spannungsseitigen und erdseitigen Transistor-Brückenkreis mit MOS-Gatesteuerung liegt und einen Strom durch den jeweiligen erdseitigen Transistor mit MOS- Gatesteuerung bei Leitfähigkeitsänderungen in den jeweiligen spannungsseitigen und erdseitigen Transistoren mit MOS-Gate­ steuerung induziert, dadurch gekennzeichnet,
daß zumindest ein erstes Strombegrenzungselement in Serie zwischen der erdseitigen Spannungsquelle und zumindest einer Diode angeordnet ist, um das Fließen einer Komponente des von einer jeweiligen Streuinduktivität induzierten Stromes durch die Diode in den jeweiligen Kondensator zu verringern, und
daß ein zweites Strombegrenzungselement in Serie zwischen dem Leistungs-Erdanschluß und der erdspannungsseitigen Spannungsquelle einschaltbar ist, um das Fließen einer Kompo­ nente des induzierten Stromes von jeweiligen Streuinduktivi­ täten durch die Diode in den Kondensator zu verringern.
10. Leistungsschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsschaltung weiterhin folgende Teile aufweist:
drei Substratdioden, wobei eine Substratdiode zwischen jeweiligen erdseitigen und spannungsseitigen Treiberschaltungen eingekoppelt ist und jeweilige Kathoden der Substratdioden mit jeweiligen Verbindungspunkten zwischen den Dioden und den Kondensatoren verbunden sind,
drei erste Strombegrenzungselemente, wobei jeweilige erste Strombegrenzungselemente in Serie von der erdseitigen Spannungsquelle zu jeweiligen Dioden eingeschaltet sind, um das Fließen jeweiliger Komponenten der von den Streuindukti­ vitäten induzierten Ströme durch die Dioden in die jeweiligen Kondensatoren zu verringern, und
drei dritte Strombegrenzungselemente, wobei jeweilige dritte Strombegrenzungselemente Elemente sind, die in Serie von dem Leistungs-Erdanschluß an jeweilige Substratdioden gekoppelt sind, um das Fließen jeweiliger Komponenten der von den Streuinduktivitäten induzierten Ströme durch die Substrat­ dioden in die jeweiligen Kondensatoren zu verringern.
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