DE19756325A1 - Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterscheibe, ein Verfahren zum Einhüllen einer Halbleiter­ scheibe sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.

Unter den bekannten Verfahren zum Einhüllen oder Einhäusen von Halbleiterbauelementen ist in letzter Zeit besonders ein Verfahren unter dem Stichwort "Chip-Scale-Package" (CSP) interessant geworden. Bei dieser Einhülltechnik sind die Abmessungen des Gehäuses nur um etwa 20% größer als die Größe des integrierten Bausteins (IC). Diese Bauform steht heute in Konkurrenz mit anderen Formen wie dem sogen. Ball-Grid-Array oder der sogen. Flip-Chip-Technik. Bei der Herstellung von CSP und BGA werden die integrierten Bausteine werden dann auf Zwischenträger, wie z. B. flexible Schaltungsträger, starre Substrate, insbesondere aus Keramik, oder eine Kunststoffunterlage montiert. Eine kostengünstige Alternative dazu sind Bauformen, die direkt auf dem Prozeß der IC-Herstellung auf einer Halbleiterscheibe aufbauen.

Das Ziel solcher Entwicklungen ist einerseits eine weitere Miniaturisierung vor allem im Bereich der elektrischen Kontakte zwischen Leadframe und Schaltung, zum anderen werden Konzepte verfolgt, das auf kostengünstig bearbeitbaren, großflächigen Siliziumträgern ba­ siert und auch bei großen Stückzahlen den Aufbau von dreidimensionalen integrierten Sy­ stemen aus Standardschaltungen ermöglicht. Weiterhin kann hierdurch eine größere Ferti­ gungstiefe und damit auch eine höhere Wertschöpfung in der Wafer-Fertigung erreicht wer­ den.

Die derart verpackten integrierten Bausteine sind nur geringfügig größer als die ungehäusten integrierten Bausteine. Die zu ihrer Herstellung und Verarbeitung entwickelten Verfahren sollen als Aufbautechnik für zukünftige integrierte Bausteine und Einzelhalbleiter dienen, welche hochfrequenztauglich, klein, robust, gewichts- und platzsparend sowie für portable Geräte und Chipkarten geeignet sein sollen. Zwar sind Lösungen bekannt, bei denen Silizi­ umwafer oder Glasscheiben zur Abdeckung eines aktiven Wafers verwendet werden, wobei der Verbund anschließend in eine Mehrzahl von Einzel-Bauelementen zerteilt werden kann. Ein Nachteil hierbei ist jedoch der bisher nicht zufriedenstellend gelöste Klebeprozeß der Bauteile.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, Halbleiterscheiben, insbesondere mit integrierten mikro­ elektronischen Bauelementen, raumsparend und kostengünstig zu kapseln, wobei die Haf­ tung der Kapselmasse verbessert ist und Umwelteinflüsse die Lebensdauer eines Bauele­ ments so wenig wie möglich beeinflussen sollen und auf Zwischenträger verzichtet werden kann.

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen der unabhängigen Ansprüche aufgeführten Merkmale gelöst. Weiterführende und vorteilhafte Ausgestaltungen sind den weiteren An­ sprüchen und der Beschreibung zu entnehmen.

Eine erfindungsgemäße Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen weist im Be­ reich von Zwischenräumen zwischen den Einzelbauelementen metallisierte Löcher und längs der Kanten der Einzelbauelemente unterbrochene Schlitze auf, die jeweils von der Oberseite zur Unterseite der Halbleiterscheibe reichen, wobei die Halbleiterscheibe zumin­ dest an der Oberfläche mit einer Kunststoffmasse bedeckt ist, die Einkerbungen aufweist, die über Zwischenräumen zwischen den Einzelbauelementen angeordnet sind.

Vorzugsweise weist die Halbleiterscheibe Markierungen am Rand und/oder in der Mitte auf, die als Positionierhilfe bei einem etwaigen Zerteilen in Einzelbauelemente vorgesehen sind. Zweckmäßig ist, wenn die Markierungen von der Oberseite bis zur Unterseite der Halblei­ terscheibe reichen.

Eine bevorzugte Kunststoffmasse weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 10^-5 K^-1 auf. In einer bevorzugten Ausführung weist die Kunststoffmasse ein Epoxid­ harz auf der Basis von Biphenyl auf. In einer weiteren bevorzugten Ausführung weist die Kunststoffmasse ein multifunktionelles Epoxidharz auf, insbesondere mit einem Gehalt von mindestens 80% anorganischen Füllstoffen, besonders bevorzugt SiO₂.

In einer weiteren bevorzugten Ausführung weist die Kunststoffmasse ein flüssigkristallines Polymer auf.

Die Halbleiterscheibe ist vorzugsweise aus Silizium gebildet.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Kapseln einer Halbleiterscheibe mit einer Vielzahl gleicher Einzelbauelemente, wobei die Einzelbauelemente durch parallel zueinander verlau­ fende und sich senkrecht kreuzende Zwischenräume voneinander getrennt sind, besteht dar­ in, daß in den Zwischenräumen zwischen den Einzelbauelementen an zur elektrischen Kon­ taktierung der Schaltungen der Einzelbauelemente vorgesehenen Stellen Löcher und/oder in den Zwischenräumen unterbrochene Schlitze erzeugt werden, daß die Löcher metallisiert werden, daß auf der Oberseite der Halbleiterscheibe Metallbrücken von den metallisierten Löchern zu Schaltungsanschlüssen der Einzelbauelemente gelegt werden, daß die Halbleiter­ scheibe anschließend auf eine Aufnahmefläche in einem Spritzwerkzeug gelegt wird, daß die Halbleiterscheibe auf der Aufnahmefläche fixiert wird und dort mit einer Kunststoffmasse beschichtet wird, wobei im Bereich der Schlitze Einkerbungen in die Kunststoffmasse ein­ geprägt werden.

Zweckmäßigerweise werden Löcher zum elektrischen Verbinden und unterbrochene Schlitze in einem Arbeitsgang durch Trockenätzen hergestellt und anschließend die Löcher mit phy­ sikalischen, chemischen und/oder elektrochemischen Beschichtungsverfahren metallisiert. Es ist günstig, die Metallisierung der Löcher galvanisch zu verstärken, indem am Durchtritt der metallisierten Löcher auf der Unterseite der Halbleiterscheibe erhabene Metallkontakte aufgebracht werden. Dies erleichtert die Ankontaktierung von etwaigen Bonddrähten.

In einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens weist ein Spritz­ werkzeug eine Aufnahmefläche auf, die zum orientierten Aufnehmen der Halbleiterscheibe vorgesehen ist, wobei Mittel zur Fixierung der Halbleiterscheibe auf der Aufnahmefläche vorgesehen sind, und wobei die der Halbleiterscheibenoberfläche unmittelbar gegenüberlie­ gende Fläche des Spritzwerkzeugs gitterartige Stege aufweist, die dazu vorgesehen sind, Kunststoffmasse im Bereich von Schlitzen der Halbleiterscheibe einzukerben.

Es ist zweckmäßig, Mittel vorzusehen, von der Kunststoffmasse verdrängtes Gas von der Unterseite und/oder der Oberseite der Halbeiterscheibe aus dem Werkzeug abzuführen.

Insbesondere für großflächige Halbleiterscheiben ab etwa 3 Zoll Durchmesser ist es sehr vorteilhaft, daß im Spritzwerkzeug ein Anspritzpunkt in der Mitte der Halbleiterscheibe vor­ gesehen ist.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt die Figur eine Halbleiterscheibe (Wafer) in einem erfindungsgemäßen Fertigungsschritt vor dem Zer­ teilen in Draufsicht und im Schnitt.

Erfindungsgemäß geschieht die Herstellung eines eingehäusten integrierten Halbleiterbau­ elements (IC) mit den folgenden Schritten. Zunächst wird auf einer Halbleiterscheibe 2, ins­ besondere einer Siliziumscheibe mit 3 Zoll Durchmesser, ein Array einer Mehrzahl von Ein­ zel-Halbleiterbauelementen 3, die vorzugsweise auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe 2 angeordnet sind, mittels üblicher Maskentechnik hergestellt.

Zur Vorbereitung der elektrischen Kontaktierung der Einzel-Bauelemente 3 werden gemäß der Erfindung an jeder der Stellen der Halbleiterscheibe 2, die als elektrische Kontaktstellen vorgesehen sind, kleine, vorzugsweise kreisrunde Löcher 4 in die Halbleiterscheibe 2 geätzt. Die Löcher weisen einen kleineren Durchmesser auf als dem Abstand benachbarter Einzel­ bauelemente 3 entspricht, der Durchmesser muß jedoch groß genug sein, damit eine Metalli­ sierung in die Löcher eingebracht werden kann, die von der Oberseite zur Unterseite der Halbleiterscheibe 2 durchgehend ist. Vorzugsweise ist der Durchmesser der Löcher groß genug, um ein Befüllen der Löcher bei dem späteren Schritt des Einhüllens oder Beschich­ tens mit der Kunststoffmasse zu ermöglichen, insbesondere beträgt der Durchmesser zwi­ schen 200 µm und 300 µm. Der Vorteil dabei ist, daß die Dichtigkeit der Kapselung der Halbleiterscheibe dadurch verbessert wird.

Es ist zweckmäßig, im gleichen Prozeßschritt Markierungen in die Halbleiterscheibe einzu­ bringen, die für einen späteren Kapselschritt der Halbleiterscheibe als Positionierungshilfe vorgesehen sind. Zweckmäßig sind Einkerbungen im Randbereich der Halbleiterscheibe und/oder Löcher in der Scheibenmitte. Diese Markierungen sind auch als Positionierungshil­ fen beim etwaigen Zersägen der Halbleiterscheibe geeignet.

Diese durchgehende Metallisierung bildet elektrische Leiterbahnen in den Löchern über die die Oberseite der Halbleiterscheibe mit der Unterseite verbunden werden kann. Vorzugswei­ se werden diese elektrischen Leiterbahnen in den Löchern 4 durch Sputtern oder CVD-Verfahren und/oder nachfolgende chemische Verstärkung durchmetallisiert. Bei einer nach­ folgenden chemischen Verstärkung vor dem Umhüllen ist es vorteilhaft vorzusehen, daß die Kunststoffmasse in die Löcher 4 eindringen kann, so daß keine Feuchtigkeit, insbesondere aus der umgebenden Atmosphäre oder aus etwaigen Rückständen einer chemischen Be­ handlung, nicht in die Nähe der zu schützenden Einzelbauelemente 3 gelangen kann.

Nach einer etwaigen chemischen Verstärkung der Metallisierung in den Löchern kann vor­ gesehen sein, die Metallisierung vorzugsweise mit einer hügelartigen Verstärkung 6, die als Bond- und/oder Schweißstützpunkt für eine spätere Ankontaktierung von elektrischen Ver­ bindungen an Einzelbauelemente 3 geeignet ist, an der Unterseite der Halbleiterscheibe 2 zu verstärken, vorzugsweise mit dem sogen. Bump-Verfahren. Die Verstärkung 6 ist bevorzugt aus einem schweißbaren Metall, besonders bevorzugt einem schweißbaren Edelmetall wie Au oder einer Mischung von Sn und Pb, hergestellt und befindet sich auf der Unterseite der Halbleiterscheibe 2. Auf der Oberseite wird die elektrische Verbindung mittels einer Kon­ taktierungsbrücke 5 zum Einzel-Bauelement 3 hergestellt.

Während die Kontaktierungsbrücke 5 auf jeden Fall vor dem Aufbringen der Kunststoffma­ sse auf die Halbleiterscheibe erfolgen muß, kann das Aufbringen etwaiger Lötstützpunkte und auch eine chemische Verstärkung der Metallisierung in den Löchern 4 nach dem Auf­ bringen der Kunststoffmasse erfolgen. Erfolgt dieser oder erfolgen diese Schritte vor dem Aufbringen der Kunststoffmasse, ist dafür zu sorgen, daß das Werkzeug, in dem die Kunst­ stoffmasse aufgebracht werden soll, entsprechend angepaßt ist, um zu verhindern, daß Kunststoffmasse wegen der durch die Verstärkung 6 verursachten Unebenheiten und Ab­ stände zu der Auflagefläche der Halbleiterscheibe im Werkzeug unter die Halbleiterscheibe kriecht.

Das Ätzen der Löcher 4 zum Durchkontaktieren wird vorzugsweise mit an sich bekannten anisotropen Trockenätzprozessen durchgeführt. Vorteilhaft für die Vereinfachung des Her­ stellprozesses und die Verkürzung der Prozeßzeit ist es, mit diesem Prozeß gleichzeitig un­ terbrochene Schlitze 9 in die Zwischenräume zwischen den Einzelbauelementen 3 zu ätzen. Infolge des Durchätzens erhält man auf der Unterseite der Halbleiterscheibe 2 bereits Mar­ kierungen, entlang derer die Halbleiterscheibe in Einzelbauelemente 3 später zerteilt werden kann. Die Markierungen können für das Ansetzen einer Säge in einem späteren Prozeßschritt als Orientierungshilfe zum Ausrichten der Halbleiterscheibe 2 verwendet werden. Ein weite­ rer Vorteil ist, daß die Einzel-Bauelemente 3 (Chips) mechanisch voneinander entkoppelt sind und außer der Oberfläche insbesondere auch die Kanten der integrierten Bauelemente 3 freiliegen und in einem folgenden Prozeßschritt für die aufzubringende Kapselmasse zugäng­ lich sind.

Eine günstige Ausführung ist, die Schlitze 9 ebenso wie die Löcher 4 zu metallisieren. Be­ sonders vorteilhaft ist hier, daß die Flanken der Schlitze ähnlich wie metallische Abschir­ mungen für die Einzelbauelemente 3 ausgenutzt werden können.

Eine günstige Ausführungsart für eine Halbleiterscheibe mit niederpoligen Einzelbauele­ menten 3 besteht darin, daß nur Schlitze 9 und keine zusätzlichen Löcher 4 geätzt und me­ tallisiert werden. Besonders vorteilhaft ist dies insbesondere bei Einzelbauelementen mit bis zu 5 Anschlüssen pro Bauelementkante bei einer Kantenlänge von jeweils etwa 5 mm oder einer entsprechenden Anschlußzahl bei größeren oder kleineren Kantenlängen.

Nach dem Ätzen und Metallisieren werden die Bauelemente 3 auf der Halbleiterscheibe 2 mit einer Kapselmasse, insbesondere einer Kunststoffmasse, eingehüllt. Dazu wird die Halbleiterscheibe 2 in einem Werkzeug zum Aufbringen einer Kunststoffmasse positioniert. Als Positionsmarkierungen dienen vorzugsweise Markierungen, die auf der Halbleiterschei­ be angebracht sind oder in die Halbleiterscheibe eingearbeitet sind. Während bei Durchmes­ sern der Halbleiterscheibe von höchstens 3 Zoll ein Anspritzpunkt für die Kunststoffmasse im Randbereich der Scheibe liegen kann, da die Fließfähigkeit der Kunststoffmasse beim Einbringen in das Werkzeug noch ausreichend ist, um die ganze Halbleiterscheibe zu über­ decken, ist es günstig, bei Halbleiterscheiben mit einem Durchmesser von mehr als 3 Zoll eine solche Markierung in der Scheibenmitte anzubringen. Besonders günstig ist es, diese Markierung gleichzeitig als Anspritzpunkt für das Einbringen der Kunststoffmasse zu ver­ wenden.

Vorzugsweise wird die Halbleiterscheibe 2 mit ihrer Unterseite auf die Aufnahmefläche des Werkzeugs gepreßt, um zu verhindern, daß Kunststoffmasse unter die Halbleiterscheibe kriecht. Dies kann sowohl durch mechanische Preßkontakte als auch durch eine Vakuuman­ saugung erfolgen. Da die Halbleiterscheibe 2 durch die Scheibe durchgehende Löcher 4 und Schlitze 9 aufweist, sind Mittel vorzusehen, die es ermöglichen, beim Einbringen der Kunst­ stoffmasse verdrängte Luft auch auf der Scheibenunterseite abzuführen. Dies kann zweck­ mäßigerweise über eine Vakuumabsaugung und/oder über übliche Auswerferstifte in der Aufnahmefläche des Werkzeugs erfolgen und/oder über geeignete Luftkanäle in der Auf­ nahmefläche.

Die der mit Einzelbauelementen 3 versehene Oberseite der Halbleiterscheibe 2 unmittelbar gegenüberliegende Fläche des Werkzeugs weist eine gitterartige Struktur mit Stegen auf, welche in ihrer Lage mit den vorher beschriebenen unterbrochenen Schlitzen 9 in der Halb­ leiterscheibe 2 korrespondieren. Am Einspritzpunkt wird die Kunststoffmasse auf die Halb­ leiterscheibe geführt. Von dort verteilt sich die Masse auf der Oberfläche der Halbeiterschei­ be und dringt in die Zwischenräume wie Löcher 4 und Schlitze 9 ein. Die Stege erzeugen eine Profilierung in der aufgebrachten Kunststoffmasse.

Nach Entfernen des Werkzeugs verbleiben daher in der aufgespritzen Kunststoffschicht Ein­ kerbungen 8, welche einerseits das Zerteilen der einzelnen Bauelemente 3 besser ermögli­ chen, die aber hauptsächlich zur Vermeidung von thermischen Stressbeanspruchungen beim Abkühlen der aufgebrachten Kunststoffschicht dienen. Besonders vorteilhaft ist, daß zusätz­ lich die Schnittiefe beim späteren Sägen zum Vereinzeln der Bauelemente 3 nur gering ist.

Durch die unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten der Kunststoffmasse und der Halb­ leiterscheibe schrumpft die Kunststoffmasse nach dem Aufbringen stärker als die Halbleiter­ scheibe 2. Dies unterstützt die Ausbildung von Einkerbungen 8 in der Kunststoffmasse im Bereich der Schlitze 9, so daß die Kunststoffmasse über die Fläche der Halbleiterscheibe 2 in eine gitterartige Anordnung von Einkerbungen 8 zwischen den Einzel-Bauelementen 3 und Kunststoffabdeckungen 7 über den Bauelementen 3 unterteilt ist.

In der Figur ist dieser Zwischenschritt anhand der Draufsicht auf einen mit Kunststoffmasse überzogenen Wafer 1 dargestellt. Durch die Einbuchtungen 8, die nahezu bis auf die Halb­ leiterscheibe 2 heruntergehen können, werden die einzelnen Kunststoffabschnitte 7 nicht viel größer als die Bauelemente 3. Wegen ihrer geringen Länge wirken sich unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten der unterschiedlichen Materialien von Halbleiterscheibe und Kunststoffmasse weniger stark aus. Bei stark unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten könnte leicht der Fall eintreten, daß sich der Kunststoff von der ganzen Scheibe - vom Rand ausgehend - beim Abkühlen entweder ablöst, oder bei besserer Haftung der Kunststoffmasse sich die Halbleiterscheibe 2 verbiegt oder sogar zerbricht. Bei großflächigen Halbleiter­ scheiben verstärkt sich dieses Problem noch zusätzlich. Durch die Unterteilung und Anord­ nung des Kunststoffs in den Einkerbungen 8 zwischen den einzelnen Chips 3 gemäß der Erfindung wird dies vorteilhaft vermieden.

Als Kunststoffmassen sind insbesondere Epoxidharze geeignet. Vorzugsweise werden Kunststoffmassen eingesetzt, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient sich von dem Aus­ dehnungskoeffizienten des Halbleiters möglichst wenig unterscheiden, insbesondere sogen. Low-Stress- oder Super-Low-Stress-Massen mit minimalen thermischen Ausdehnungs­ koeffizienten von etwa 10^-5 K^-1.

Weitere wichtige Auswahlkriterien sind der Elastizitätsmodul (E-Modul), das Schrumpfver­ halten bei der Härtung, die Glasübergangstemperatur sowie die Verarbeitungseigenschaften wie Viskosität, Gelierzeit und Fließverhalten des Kunststoffs. Dabei haben sich verschiedene Kunststoffmassen als besonders vorteilhaft herausgestellt: sogen. multifunktionelle Epoxid­ harze auf der Basis von Novolak-Systemen (Epoxy-Kresol-Novolak und Phenol-Novolak), z. B. mit dem Handelsnamen Aratronic 2211 von Ciba Geigy und/oder KE 1000 von Toshiba, vorzugsweise mit mindestens 80% anorganischen Füllstoffen, insbesondere SiO₂. Multi­ funktionelle Epoxidharze haben die Eigenschaft, daß sie einen besonders hohen Füllstoffge­ halt erlauben, bei gleichbleibend guter Fließfähigkeit des Harzes. Der organische Anteil be­ steht neben dem Novolak-System aus üblichen Additiven wie Stabilisatoren, Flammschutz­ mittel, Gleit- und Trennmittel, Beschleuniger und Flexibilisatoren. Weitere geeignete Kunst­ stoffmassen sind Epoxid-Harze auf der Basis von Biphenyl und flüssigkristalline Polymere, die eine ausreichende Fließfähigkeit aufweisen.

Nach dem Erstarren der Kunststoffmasse kann die Halbleiterscheibe aus dem Werkzeug ge­ nommen werden, und die Einzelbauelemente 3 können durch Sägen oder Brechen des Halbleiterscheiben-Kunststoffverbundes 1 vereinzelt werden. Besonders vorteilhaft ist, daß nur noch die unempfindliche, nicht aktive Unterseite der integrierten Bauelemente 3 den Umgebungsbedingungen ausgesetzt ist, während sowohl die empfindlichen Halbleiterstruk­ turen der Bauelemente 3 wie auch die Kanten des Halbleitersubstrates vollständig und dicht in die Kapselmasse eingebettet sind.

Claims (20)

1. Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe (2) im Bereich von Zwischenräumen (8) zwischen den Einzelbauelementen (3) metallisierte Löcher (4) und/oder längs der Kanten der Ein­ zelbauelemente (3) unterbrochene Schlitze (9) aufweist, die jeweils von der Oberseite zur Unterseite der Halbleiterscheibe reichen, und daß die Halbleiterscheibe (2) zu­ mindest an der Oberfläche mit einer Kunststoffmasse bedeckt ist, die Einkerbungen (8) aufweist, die über Zwischenräumen (8) zwischen den Einzelbauelementen (3) an­ geordnet sind.

2. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe (2) Markierungen am Rand und/oder in der Mitte aufweist, die als Positionierhilfe vorgesehen sind.

3. Halbleiterscheibe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Markierungen von der Oberseite bis zur Unterseite der Halbleiterscheibe (2) reichen.

4. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffmasse einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 10^-5 K^-1 aufweist.

5. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffmasse ein Epoxidharz auf der Basis von Biphenyl aufweist.

6. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffmasse ein multifunktionelles Epoxidharz aufweist.

7. Halbleiterscheibe nach einem oder mehreren der Ansprüche 1, 4, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffmasse einen Gehalt von mindestens 80% anorganischen Füllstof­ fen aufweist.

8. Halbleiterscheibe nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der anorganische Füllstoff SiO₂ aufweist.

9. Halbleiterscheibe nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kunststoffmasse ein flüssigkristallines Polymer aufweist.

10. Halbleiterscheibe nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe (2) Silizium aufweist.

11. Verfahren zum Kapseln einer Halbleiterscheibe mit einer Vielzahl gleicher Einzel­ bauelemente, wobei die Einzelbauelemente durch parallel zueinander verlaufende und sich senkrecht kreuzende Zwischenräume voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß in die Zwischenräume zwischen den Einzelbauelementen (3) an zur elektrischen Kontaktierung der Schaltungen der Einzelbauelemente (3) vorgesehenen Stellen Lö­ cher (4) und/oder in den Zwischenräumen unterbrochene Schlitze (9) erzeugt werden, daß die Löcher (4) metallisiert werden, daß auf der Oberseite der Halbleiterscheibe (2) Metallbrücken (5) von den metallisierten Löchern (4) zu Schaltungsanschlüssen der Einzelbauelemente (3) gelegt werden, daß die Halbleiterscheibe (2) anschließend auf eine Aufnahmefläche in einem Spritzwerkzeug gelegt wird, daß die Halbleiterscheibe auf der Aufnahmefläche fixiert wird und dort mit einer Kunststoffmasse beschichtet wird, wobei im Bereich der Schlitze (9) Einkerbungen (8) in die Kunststoffmasse eingeprägt werden.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Löcher (4) zum elektrischen Verbinden und unterbrochene Schlitze (9) in einem Arbeitsgang durch Trockenätzen hergestellt sind.

13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12 dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher mit physikalischen, chemischen und/oder elektrochemischen Beschichtungsverfahren metallisiert werden.

14. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierung der Löcher (4) galvanisch verstärkt wird.

15. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß am Durchtritt der metallisierten Löcher (4) auf der Unterseite der Halbleiterscheibe (2) erhabene Metallkontakte (6) aufgebracht werden.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die erhabenen Metallkontakte (6) nach dem Aufbringen der Kunststoffmasse aufgebracht werden.

17. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe (2) in Einzelbauelemente (3) zerteilt wird.

18. Vorrichtung zum Kapseln einer Halbleiterscheibe mit Einzelbauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß ein Spritzwerkzeug eine Aufnahmefläche aufweist, die zum orientierten Auf­ nehmen der Halbleiterscheibe (2) vorgesehen ist, daß Mittel zur Fixierung der Halb­ leiterscheibe (2) auf der Aufnahmefläche vorgesehen sind, daß die der Halbleiter­ scheibenoberfläche unmittelbar gegenüberliegende Fläche des Spritzwerkzeugs git­ terartige Stege aufweist, die dazu vorgesehen sind, Kunststoffmasse im Bereich von Schlitzen (9) der Halbleiterscheibe (2) einzukerben.

19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, von der Kunststoffmasse verdrängtes Gas von der Unter­ seite und/oder der Oberseite der Halbeiterscheibe (2) aus dem Werkzeug abzuführen.

20. Vorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anspritzpunkt in der Mitte der Halbleiterscheibe (2) vorgesehen ist.