DE19742403A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer Halbleiterstruktur, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur auf einer Hauptflä­ che eines Substrats mit einer Mehrzahl von Gräben mit ent­ sprechenden Grabenkronen, Grabenböden und Grabenwänden.

Obwohl prinzipiell auf die verschiedensten Halbleiterstruktu­ ren anwendbar, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik anhand einer Festwert-Speicher­ zellenanordnung mit vertikalen MOS-Transistoren beschrieben.

Aus der DE 195 10 042 C2 ist eine Festwert-Speicherzellenan­ ordnung bekannt, bei der in einer Hauptfläche des Halbleiter­ substrates Längsgräben vorgesehen sind, die im wesentlichen parallel zu den Zeilen verlaufen. Quer zu den Zeilen verlau­ fen die Wortleitungen, die jeweils mit den Gateelektroden von entlang unterschiedlichen Zeilen angeordneten MOS-Transisto­ ren der Speicherzellen verbunden sind.

Durch solch eine Festwert-Speicherzellenanordnung mit paral­ lelen Längsgräben ist es möglich, die Projektion der Spei­ cherzellen auf die Hauptfläche um bis zu 50% zu reduzieren. So kann eine Packungsdichte von 3,125 Bit/µm² bei einer mini­ malen photolithograpischen Strukturbreite von 0,4 µm erzielt werden.

Die DE 195 14 834 C1 schlägt vor, bei solch einer Festwert- Speicherzellenanordnung Speicherzellen vorzusehen, welche ei­ nen vertikalen MOS-Transistor aufweisen, der zwischen einer Grabenkrone und einem Grabenboden über eine dazwischenlie­ gende Grabenwand verläuft. Dabei liegt der Sourcebereich auf der Grabenkrone, der Kanalbereich auf der Grabenwand und der Drainbereich auf dem Grabenboden. Zwischen den vertikalen Grabenwänden und dem Polysilizium der Wortleitungen befindet sich ein Gateoxid über dem Kanalbereich des vertikalen MOS-Transistors, also der Grabenwand.

Zur Herstellung der vertikalen MOS-Transistoren werden die Gräben zunächst mit elektrisch isolierendem Material gefüllt. Dann wird entsprechend des gewünschten Informationsmusters der Festwert-Speicherzellenanordnung das isolierende Material in den Gräben in Form vertikaler Löcher, sogenannter Program­ mierlöcher, entlang der Grabenkanten entfernt. Schließlich werden die Löcher nach einer Gateoxidation mit dem Polysili­ zium der Wortleitungen gefüllt. Die Justierung der Program­ mierlochmaske und das Ätzen der Löcher sind bei diesem Prozeß äußerst kritisch.

Die DE 196 09 678 offenbart die Herstellung der Source- und Drainbereiche der vertikalen MOS-Transistoren durch senk­ rechte Implantation parallel zu den Grabenwänden vorzunehmen.

Es ist möglich, die Programmierung der vertikalen MOS-Transi­ storen über die Einstellung der Einsatzspannungen durch schräge Implantation von geeigneten Dotierstoffen in den Ka­ nalbereich vorzunehmen. Eine solche Implantation kann die Einsatzspannung des vertikalen Transistors derart verschie­ ben, daß er bei den verwendeten Gate-Spannungen nicht öffnet. Die Implantation kann unter Verwendung einer jeweiligen Lack­ maske in zwei Schritten erfolgen, einmal für die rechten und einmal für die linken Grabenwände.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Problematik besteht allgemein darin, daß einerseits die schräge Implanta­ tion zur Dotierung der Kanalbereiche die Source- und Drainbe­ reiche auf den waagrechten Grabenkronen und Grabenböden und andererseits die senkrechte Implantation zur Dotierung der Source- und Drainbereiche die Kanalbereiche auf den senkrech­ ten Grabenwänden möglichst wenig beeinflussen soll. Zudem soll der Prozeß möglichst unaufwendig sein, d. h. wenige Mas­ kenebenen aufweisen.

Fig. 5 stellt eine schematische Darstellung zur Illustration der Problematik beim Stand der Technik dar.

In Fig. 5 bezeichnet 1 ein Halbleiter-Substrat mit einer Mehrzahl von Gräben 2, 3, 4 mit entsprechenden Grabenkronen 5a, 5b, 5c, 5d; Grabenböden 2a, 3a, 4a und Grabenwänden 2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c. In den Grabenkronen 5a, 5b, 5c, 5d sind obere Bitleitungen 10a, 10b, 10c, 10d eingebracht, und in den Grabenböden 2a, 3a, 4a sind untere Bitleitungen 20a, 20b, 20c eingebracht.

A bezeichnet die Hauptflächennormale des Halbleiter-Substrats 1. Wie durch die Pfeile in Fig. 5 dargestellt, kann eine schräge Implantation unter einem maximalen Winkel α zur Hauptflächennormalen durchgeführt werden, ohne daß es eine Abschattung der Grabenwände 2b, 3b, 4b durch die Lackmaske 70 gibt. Für eine schräge Implantation der Grabenwände 2c, 3c, 4c unter einem Winkel -α gilt dasselbe.

Das Problem hierbei ist, daß die schräge Programmierimplanta­ tion nicht nur die vertikalen Grabenwände 2b, 3b, 4b er­ reicht, sondern auch einen Teil der Grabenböden 2a, 3a, 4a und die gesamten Grabenkronen 5a, 5b, 5c, 5d, in denen die jeweiligen Bitleitungen liegen.

Da der Dotierstoff der Programmierungsimplantation normaler­ weise einen der Bitleitungsdotierung entgegengesetzten Lei­ tungstyp aufweist, kann der Widerstand der Bitleitungen durch solch eine Programmierungsimplantation zunehmen. Außerdem kann der Dotierstoff der Programmierungsimplantation, insbe­ sondere wenn Bor als Dotierstoff verwendet wird, im Laufe des Herstellungsprozesses aus den Bitleitungen herausdiffundieren und die Einsatzspannung der vertikalen MOS-Transistoren uner­ wünschterweise verändern.

Um dem entgegenzuwirken, wurde bisher nach dem Einbringen der oberen Bitleitungen und vor der Grabenätzung eine Schutz­ schicht abgeschieden, die nach der Grabenstrukturierung auf den Grabenkronen belassen wurde und ein Eindringen von Do­ tierstoffin die oberen Bitleitungen bei der Program­ mierungsimplantation verhinderte.

Allerdings kann in diesem Fall die Implantation von den obe­ ren und den unteren Bitleitungen nicht mehr gleichzeitig er­ folgen, und zudem passen solche Zusatzschichten nicht in mo­ derne Prozeßabläufe, bei denen hohe Planarität und wenige Maskenebenen gefordert sind.

Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbes­ sertes Verfahren zur Herstellung der eingangs erwähnten Halb­ leiterstruktur anzugeben, welches eine sichere Abdeckung nicht zu implantierender Bitleitungsbereiche gewährleistet und ökonomisch durchführbar ist.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 1 angegebene Verfahren gelöst, also durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur auf einer Hauptfläche eines Substrats mit einer Mehrzahl von Gräben mit entspre­ chenden Grabenkronen, Grabenböden und Grabenwänden, welches die Schritte aufweist: Bilden von Spacern an den Grabenwän­ den; Bilden erster Leitungsgebiete in bestimmten Grabenböden und/oder in den Grabenkronen; Bilden eines Stoppoxids derart, daß sich auf den ersten Leitungsgebieten in den Grabenböden und/oder in den Grabenkronen das Stoppoxid mit einer Soll­ dicke bildet; und Wegätzen der Spacer; wobei die Solldicke derart gewählt wird, daß die Oxiddicke des Stoppoxids auf den ersten Leitungsgebieten in den Grabenböden und/oder in den Grabenkronen nach dem Wegätzen der Spacer einen vorbestimmten Wert erreicht.

Das erfindungsgemäße Verfahren weist gegenüber den bekannten Lösungsansätzen den Vorteil auf, daß nach der Ausbildung der oberen und/oder unteren Bitleitungen auf einfache Art und Weise eine Schutzschicht erzeugt werden kann, welche verhin­ dert, daß die oberen und/oder unteren Bitleitungen bei der folgenden schrägen Implantation umdotiert werden. Dabei bil­ det sich auf den Spacern vorteilhafterweise im wesentlichen kein Stoppoxid.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende allgemeine Idee besteht darin es auszunutzen, daß das Oxidwachstum auf den Spacern bei geeigneter Wahl der Aufwachsbedingungen we­ sentlich geringer ist als auf den hochdotierten Bitleitungs­ bereichen.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildun­ gen und Verbesserungen des in Anspruch 1 angegebenen Verfah­ rens.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung wird ein dünnes Streuoxid auf dem Substrat vor dem Bilden der Spacer gebil­ det. Die Spacer werden dann unter Stehenlassen des Streu­ oxids an den Grabenwänden weggeätzt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird eine Im­ plantation unter einem ersten Winkel zur Hauptflächennormalen zum Ausbilden der ersten Leitungsgebiete in bestimmten Gra­ benböden und/oder in bestimmten Grabenkronen durchgeführt. Dies hat den Vorteil, daß alle ersten Leitungsgebiete gleich­ zeitig implantiert werden können.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der erste Winkel als im wesentlichen zur Hauptflächennormalen gewählt wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird eine Im­ plantation unter einem zweiten Winkel zur Hauptflächennorma­ len zum Ausbilden entsprechender zweiter Leitungsgebiete in bestimmten Grabenwänden durchgeführt. Dabei wird der vorbe­ stimmte Wert der Oxiddicke des Stoppoxids nach dem nach dem Wegätzen der Spacer derart gewählt, daß die Implantation un­ ter einem zweiten Winkel nicht in die ersten Leitungsgebiete in den Grabenböden und/oder in den Grabenkronen gelangt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird der zweite Winkel derart zur Hauptflächennormalen gewählt, daß gerade noch keine Abschattung der freigelegten Grabenwände auftritt. Dies bringt den Vorteil minimaler Implantations­ zeit.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Halbleiterstruktur vertikale MOS-Transistoren auf, deren Sourcebereich an einer jeweiligen Grabenkrone oder einem je­ weiligen Grabenboden, deren Kanalbereich an einer jeweiligen Grabenwand und dessen Drainbereich an einem jeweiligen Gra­ benboden oder an einer jeweiligen Grabenkrone liegt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die er­ sten Leitungsgebiete die Source- und/oder Drainbereiche.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die zwei­ ten Leitungsgebiete die Kanalbereiche.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist das Bil­ den von den Spacern an den Grabenwänden folgende Schritte auf: Abscheiden einer Siliziumnitridschicht einer vorbestimm­ ten Dicke; und anisotropes Trockenätzen der Siliziumnitrid­ schicht. Vorteilhafterweise bleibt bei der Erzeugung des Stoppoxids die Dicke der Siliziumnitridschicht konstant, wo­ hingegen die Oxiddicke auf den hochdotierten Bitleitungen an­ steigt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das ani­ sotrope Trockenätzen mit CHF₃/O₂-Plasma durchgeführt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Streuoxid mit einer Dicke von 10-40 nm gebildet.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist das Bil­ den des Stoppoxids folgende Schritte auf: Durchführen einer thermischen Oxidation bei niedrigen Temperaturen unterhalb von 1000°C. Solche niedrigen Temperaturen fördern die Selek­ tivität des Oxidwachstums. Das Oxidwachstum erfolgt somit selbstjustiert nur auf den Bitleitungen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er­ läutert.

Es zeigen:

Fig. 1 bis 4 eine schematische Darstellung verschiedener Schritte bei der Durchführung einer ersten Ausfüh­ rungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; und

Fig. 5 eine schematische Darstellung zur Illustration der Problematik beim Stand der Technik.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Elemente.

Fig. 1 bis 4 zeigen eine schematische Darstellung verschiede­ ner Schritte bei der Durchführung einer ersten Ausführungs­ form des erfindungsgemäßen Verfahrens.

In Fig. 1 ist eine Substrat 1 mit einer Mehrzahl von Gräben 2, 3, 4 mit entsprechenden Grabenkronen 5a, 5b, 5c, 5d; Gra­ benböden 2a, 3a, 4a und Grabenwänden 2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c gezeigt, wobei die Gräben eine Breite B und eine Tiefe T auf­ weisen. Die Gräben 2, 3, 4 weisen einen streifenförmigen Querschnitt parallel zur Hauptfläche des Substrats 1 auf. Ihre Breite B beträgt üblicherweise 0,2-0,6 µm, ihre Länge 100-150 µm und ihre Tiefe T 0,4-0,8 µm. Der Abstand von Graben zu Graben beträgt ebenfalls typischerweise 0,2-0,6 µm.

In dem so gestalteten Substrat 1 soll nun eine Halbleiter­ struktur mit vertikalen MOS-Transistoren gebildet werden, de­ ren Sourcebereich an einer jeweiligen Grabenkrone oder einem jeweiligen Grabenboden, deren Kanalbereich an einer jeweili­ gen Grabenwand und dessen Drainbereich an einem jeweiligen Grabenboden oder an einer jeweiligen Grabenkrone liegt.

Wie in Fig. 2 dagestellt, wird auf dem Substrat 1 zunächst eine Streuoxidschicht 7 von typischerweise 10-40 nm Dicke abgeschieden.

Dann werden an den senkrechten Grabenwänden 2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c gemäß einem üblichen Verfahren Spacer 6a, 6b; 6c, 6d; 6e, 6f aus Siliziumnitrid erzeugt.

Als nächstes folgt der Schritt des Bildens oberer Bitleitun­ gen 10a, 10b, 10c, 10d in den Grabenkronen 5a, 5b, 5c, 5d und unterer Bitleitungen 20a, 20b, 20c in den Grabenböden 2a, 3a, 4a. Dies geschieht durch Durchführen einer Implantation unter einem ersten Winkel zur Hauptflächennormalen A, wobei der er­ ste Winkel als im wesentlichen 0° zur Hauptflächennormalen A gewählt wird. Anschließend kann ein Temperschritt zur Diffu­ sion der Bitleitungen durchgeführt werden. Dabei sind die Grabenwände 2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c durch die Spacer 6a, 6b; 6c, 6d; 6e, 6f aus Siliziumnitrid geschützt.

Als nächstes erfolgt, wie in Fig. 3 dargestellt, ein Bilden eines Stoppoxids 8 derart, daß sich auf den Spacern 6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f im wesentlichen kein Stoppoxid 8 bildet und sich auf dem Streuoxid 7 über den Bitleitungen 20a, 20b, 20c in den Grabenböden 2a, 3a, 4a und auf dem Streuoxid 7 über den Bitleitungen 10a, 10b, 10c, 10d in den Grabenkronen 5a, 5b, 5c, 5d das Stoppoxid 8 mit einer Solldicke bildet.

Dabei wird die Solldicke derart gewählt, daß die Oxiddicke des Stoppoxids auf den Bitleitungen 10a, 10b, 10c, 10d sowie 20a, 20b, 20c nach dem (nachstehend beschriebenen) Wegätzen der Spacer 6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f einen vorbestimmten Wert erreicht.

Wie in Fig. 4 gezeigt, erfolgt dann ein Wegätzen der Spacer 6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f unter Stehenlassen des Streuoxids 7 an den Grabenwänden 2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c.

Als nächstes wird eine Implantation unter dem Winkel α' zur Hauptflächennormalen A durchgeführt. Der Winkel α' wird da­ bei derart zur Hauptflächennormalen A gewählt, daß gerade noch keine Abschattung der Grabenwände 2b, 3b, 4b auftritt.

Der zuvor erwähnte vorbestimmte Wert der Oxiddicke des Stopp­ oxids 8' nach dem nach dem Wegätzen der Spacer 6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f wird derart gewählt, daß die Implantation unter dem zweiten Winkel α' nicht in die Bitleitungen 10a, 10b, 10c, 10d sowie 20a, 20b, 20c gelangt.

Somit sind die Kanalbereiche der vertikalen MOS-Transistoren durch Implantation fertiggestellt, ohne daß die Bitleitungen 10a, 10b, 10c, 10d sowie 20a, 20b, 20c dadurch beeinträchtigt werden.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzug­ ter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modi­ fizierbar.

So können mit dem erfindungsgemäßen Verfahren statt der ver­ tikalen MOS-Transistoren auch andere Halbleiterbauelemente, welche sich entlang der Grabenwände erstrecken, gebildet wer­ den.

Die Spacer müssen nicht aus Siliziumnitrid gebildet werden, sondern können auch aus Siliziumdioxid oder Polysilizium o. ä. gebildet werden.

Auch müssen nicht alle Spacer entfernt werden, sondern es kön­ nen nur ausgewählte Spacer durch eine geeignete Phototechnik entfernt werden.

Die Verwendung des Streuoxid schließlich ist zweckmäßig, aber nicht zwingend notwendig.

Obwohl bei der illustrierten Ausführungsform der zweite Win­ kel derart zur Hauptflächennormalen gewählt wird, daß gerade noch keine Abschattung der freigelegten Grabenwände auftritt, kann unter Umständen eine gewisse Abschattung der unteren Eckpunkte der freigelegten Grabenwände akzeptabel sein.

Bezugszeichenliste

1

Substrat

2

,

3

,

4

Gräben

2

a,

3

a,

4

a Grabenböden

2

b,

2

c,

3

b,

3

c,

4

b,

4

c Grabenwände

5

a,

5

b,

5

c,

5

d Grabenkronen
B; T Grabenbreite; Grabentiefe

6

a,

6

b,

6

c,

6

d,

6

e,

6

f Spacer

7

Streuoxid

8

Stoppoxid

8

' zurückgeätztes Stoppoxid

10

a,

10

b,

10

c,

10

d obere Bitleitungen

20

a,

20

b,

20

c untere Bitleitungen
α',, α'' Implantationswinkel
A Normale zur Fläche des Substrats

1

Claims (13)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur auf ei­ ner Hauptfläche eines Substrats (1) mit einer Mehrzahl von Gräben (2, 3, 4) mit entsprechenden Grabenkronen (5a, 5b, 5c, 5d), Grabenböden (2a, 3a, 4a) und Grabenwänden (2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c), welches die Schritte aufweist:

• - Bilden von Spacern (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f) an den Graben­ wänden (2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c);
• - Bilden erster Leitungsgebiete in bestimmten Grabenböden (2a, 3a, 4a) und/oder in den Grabenkronen (5a, 5b, 5c, 5d);
• - Bilden eines Stoppoxids (8) derart, daß sich auf den ersten Leitungsgebieten in den Grabenböden (2a, 3a, 4a) und/oder in den Grabenkronen (5a, 5b, 5c, 5d) das Stoppoxid (8) mit einer Solldicke bildet; und
• - Wegätzen der Spacer (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f);

wobei die Solldicke derart gewählt wird, daß die Oxiddicke des Stoppoxids (8') auf den ersten Leitungsgebieten in den Grabenböden (2a, 3a, 4a) und/oder in den Grabenkronen (5a, 5b, 5c, 5d) nach dem Wegätzen der Spacer (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f) einen vorbestimmten Wert erreicht.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Schritte:

• - Bilden eines dünnen Streuoxids (7) auf dem Substrat (1) vor dem Bilden der Spacer (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f); und
• - Wegätzen der Spacer (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f) unter Stehen­ lassen des Streuoxids (7) an den Grabenwänden (2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c).

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Schritte:
Durchführen einer Implantation unter einem ersten Winkel zur Hauptflächennormalen (A) zum Ausbilden der ersten Leitungsge­ biete in bestimmten Grabenböden (2a, 3a, 4a) und/oder in be­ stimmten Grabenkronen (5a, 5b, 5c, 5d).

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Winkel als im wesentlichen 0° zur Hauptflächennormalen (A) gewählt wird.

5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Schritte:

• - Durchführen einer Implantation unter einem zweiten Winkel (α') zur Hauptflächennormalen (A) zum Ausbilden entspre­ chender zweiter Leitungsgebiete in bestimmten Grabenwänden (2b, 3b, 4b);
• - wobei der vorbestimmte Wert der Oxiddicke des Stoppoxids (8') nach dem nach dem Wegätzen der Spacer (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f) derart gewählt wird, daß die Implantation unter ei­ nem zweiten Winkel (α') nicht in die ersten Leitungsgebiete in den Grabenböden (2a, 3a, 4a) und/oder in den Grabenkro­ nen (5a, 5b, 5c, 5d) gelangt.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Winkel (α') derart zur Hauptflächennormalen (A) ge­ wählt wird, daß gerade noch keine Abschattung der freigeleg­ ten Grabenwände (2b, 3b, 4b) auftritt.

7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halb­ leiterstruktur vertikale MOS-Transistoren aufweist, deren Sourcebereich an einer jeweiligen Grabenkrone oder einem je­ weiligen Grabenboden, deren Kanalbereich an einer jeweiligen Grabenwand und dessen Drainbereich an einem jeweiligen Gra­ benboden oder an einer jeweiligen Grabenkrone liegt.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die er­ sten Leitungsgebiete die Source- und/oder Drainbereiche sind.

9. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei­ ten Leitungsgebiete die Kanalbereiche sind.

10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bil­ den von den Spacern (6a, 6b; 6c; 6d; 6e, 6f) an den Graben­ wänden (2b, 2c; 3b, 3c; 4b, 4c) folgende Schritte aufweist:

• - Abscheiden einer Siliziumnitridschicht einer vorbestimmten Dicke; und
• - anisotropes Trockenätzen der Siliziumnitridschicht.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das an­ isotrope Trockenätzen mit CHF₃/O₂-Plasma durchgeführt wird.

12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Streuoxid (7) mit einer Dicke von 10-40 nm gebildet wird.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bil­ den des Stoppoxids (8) folgende Schritte aufweist:

• - Durchführen einer thermischen Oxidation bei niedrigen Tem­ peraturen unterhalb von 1000°C.