DE19630316A1 - Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauelements - Google Patents
Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines BauelementsInfo
- Publication number
- DE19630316A1 DE19630316A1 DE19630316A DE19630316A DE19630316A1 DE 19630316 A1 DE19630316 A1 DE 19630316A1 DE 19630316 A DE19630316 A DE 19630316A DE 19630316 A DE19630316 A DE 19630316A DE 19630316 A1 DE19630316 A1 DE 19630316A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- hollow body
- component
- holder
- spacer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
- G01R31/275—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements for testing individual semiconductor components within integrated circuits
-
- H10P74/207—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
Die Messung der Kenndaten (Durchbruchspannung, Leckstrom) von
Hochvolt-Leistungshalbleiter-Bauelementen (IGBT und Diode)
wird heute während der laufenden Produktion auf Waferebene
mit Hilfe sogenannter Wafer-Prober und zugeordneter Tester
weitgehend vollautomatisch durchgeführt. Erfolgt die Messung
an Luft, kommt es regelmäßig zu elektrischen Überschlägen
zwischen dem auf einem hohen Potential von bis zu 3500 Volt
liegenden Säge- oder Ritzrahmen und den auf Masse gehaltenen
Emitter- bzw. Gate-Pads. Um die zur Beschädigung oder Zerstö
rung des Bauelements führenden Überschläge zu vermeiden, pas
siviert man den Sägerahmen durch Spülung mit einem schweren
inerten Gas. In der Fertigung kommt üblicherweise SF₆ als
Schutzgas zum Einsatz. Es ist vergleichsweise teuer in der
Anschaffung und erfordert einen geschlossenen Kreislauf, da
im Falle von Überschlägen toxische Komponenten entstehen.
Das im Labor praktizierte Eintauchen des Wafers in eine pas
sivierende Flüssigkeit (beispielsweise Flurinert FC 43) bzw.
das Überziehen der Waferoberfläche mit einer solchen Flüssig
keit eignet sich wegen des den Durchsatz an Wafern begrenzen
den Aufwandes nicht für das fertigungsnahe Hochspannungste
sten von Leistungshalbleiter-Bauelementen. Darüber hinaus
würde der Einsatz dieser Passivierungstechnik durch den Ver
brauch des gesundheitsschädlichen Flurinert relativ hohe Ko
sten verursachen (Preis ca. 300,- DM/Liter, Bedarf ≈ 2 Liter
pro 50 Wafer).
Die Erfindung hat eine Vorrichtung zur elektrischen Kontak
tierung eines Bauelements zum Gegenstand. Die Vorrichtung
soll elektrische Überschläge beim Testen von Hochvolt-Lei
stungshalbleiter-Bauelementen auch ohne Verwendung von
Schutzgasen und Passivierungsflüssigkeiten sicher verhindern.
Angestrebt wird ein einfacher Aufbau, der es ermöglicht, be
stehende Prüfanlagen kostengünstig nachzurüsten. Eine Vor
richtung mit den in Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen
besitzt diese Eigenschaften. Die abhängigen Ansprüche betref
fen Ausgestaltungen und vorteilhafte Weiterbildungen der Vor
richtung.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ersetzt die in konventionel
len Prüfanlagen verwendeten Nadeladapter, so daß man auf den
Einsatz des teuren und gesundheitsschädlichen Schutzgases SF₆
verzichten kann. Die Kosten für den Betrieb der Anlagen sin
ken dadurch erheblich. Je nach Anzahl der in der Produktion
vorhandenen Prüfanlagen liegt das Einsparvolumen bei bis zu
mehreren 100.000 DM pro Jahr. Dem stehen Zusatzkosten für die
Umrüstung einer Prüfanlage von etwa DM 80,- gegenüber. In
neuen Prüfanlagen können die den Schutzgasbetrieb betreffen
den Komponenten und Einrichtungen entfallen, was sich günstig
auf den Anschaffungspreis auswirkt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Fig. 1 erläutert.
Dargestellt ist ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Kontaktierungsvorrichtung im Querschnitt.
Die in der Figur im Querschnitt dargestellte und gemäß der
Erfindung modifizierte Nadelkarte 1 wird als mechanische Kon
taktiereinheit in den sog. Wafer-Prober (Modell 2001 CK der
Fa. Elektroglas, Santa Clara, CA/USA) eingebaut. Der Prober
hat die Aufgabe, den zu überprüfenden Wafer 2 aus einem Vor
ratsbehälter zu entnehmen, ihn anhand optischer Marken bezüg
lich der Nadelkarte 1 auszurichten, die elektrischen An
schlüsse 2 (Pads) der auf dem Wafer 1 vorhandenen Bauelemente
4/4′/4′′ nacheinander mit den Nadeln 5 in Kontakt zu bringen,
fehlerhafte Bauelemente 4/4′/4′′ zu markieren und den Wafer 2
schließlich wieder im Vorratsbehälter abzulegen. Eine als
DUT-Board bezeichnete Einheit speist die erforderlichen Be
triebs- und Testspannungen in das jeweils kontaktierte Bau
element 4 ein. Die Auswertung der gemessenen Bauelementpara
meter erfolgt in einem Rechner, der auch das DUT-Board an
steuert. Entsprechende Tester liefert die Fa. Hewlett Pack
ard, Santa Clara, USA. Mit Hilfe der aus der Nadelkarte 1,
dem Waferprober und dem Tester bestehenden Anlage läßt sich
beispielsweise innerhalb von nur etwa 1-1½ Minuten über
prüfen, ob die auf einem 5-Zoll-Wafer 2 derzeit vorhandenen
40-50 IGBT-Bauelemente 4/4′/4′′ (3500 Volt, 50 A) den ge
stellten Anforderungen hinsichtlich Sperrspannung, Sätti
gungsspannung, Leckstrom, Qualität des Gateoxids usw. genü
gen.
Die Fig. 1 zeigt die auf dem Wafer 2 aufsitzende Nadelkarte
1. Der Kontakt zwischen den Nadeln 5 der Karte 1 und den An
schlüssen 3 des jeweiligen Bauelements 4 wird dadurch herbei
geführt, daß der auf einem Positioniertisch angeordnete Wafer
2 von unten an die Nadelkarte 1 heranfährt. Da insbesondere
Hochvolt-IGBTs neben dem Gate-Anschluß häufig mehrere Emit
terpads besitzen, muß die Karte 1 über eine entsprechende An
zahl von Nadeln 5 verfügen. Um den in einer Nadel 5 fließen
den Strom auf maximal etwa 2 A zu begrenzen, ist es häufig
notwendig, die einzelnen Pads 3/3′ jeweils mit mehreren Na
deln 5 zu kontaktieren.
Die Nadeln 5 sind an einer Leiterplatte 6 befestigt und je
weils über einen Metallring 7/7′ mit einer als Leiterbahn
ausgebildeten Metallisierung 8/8′ verbunden. Eine einen Ab
standshalter 9/10 und einen federbelasteten Hohlkörper 11
aufweisende elektrische Abschirmung umschließt die Kontaktna
deln 5 ring- oder rahmenförmig, wobei der in einer wafersei
tigen Öffnung des Abstandhalters 9/10 axial verschiebbar ge
lagerte und mit einer Auskragung 12 versehene Hohlkörper 11
vorzugsweise aus Teflon besteht. Da der insbesondere zylin
der- oder ringförmige Hohlkörper 11 (Höhe: h = 10 mm, Innen
radius: ri = 5 mm, Außenradius: ra = 7 mm ) innerhalb des dem
jeweiligen Bauelement 4 zugeordneten Ritz- oder Sägerahmens
13 aufliegt, kann das im Bereich des Rahmens 13 austretende
elektrische Streufeld keinen Überschlag zwischen dem Rahmen
13 und den Nadeln 5, bzw. zwischen benachbarten Bauelementen
4/4′ auslösen. Eine abschirmende Wirkung entfaltet auch der
wie die Leiterplatte 6 aus einem Epoxidharz gefertigte ring
förmige Teil 9 des Abstandshalters, den kreisförmig angeord
nete Metallstege 10 mechanisch starr mit der Leiterplatte 6
verbinden. Die am ringförmigen Teil 9 befestigten Federele
mente 14/14′ erzeugen den den Hohlkörper 11 auf der Wafer
oberfläche fixierenden Anpreßdruck, wobei der in einer wa
ferseitigen Nut angeordnete O-Ring 15 eine ganzflächige Auf
lage des Hohlkörpers 11 gewährleistet. Als Federelemente
14/14′ finden im einfachsten Fall bis zu vier axialsymme
trisch angeordnete, die Auskragung 12 belastende Stahlfedern
Verwendung. Sie verschieben den Hohlkörper 11 nach dem Lösen
des Kontaktes so weit nach unten, bis die Auskragung 12 auf
dem ringförmigen Teil 9 aufliegt. Da die waferseitige Beran
dung des Hohlkörpers 11 in dieser Stellung unterhalb der
durch die Nadelspitzen definierten Ebene liegt, setzt er
stets vor den Kontaktnadeln 5 auf.
Die Erfindung beschränkt sich selbstverständlich nicht auf
das oben beschriebene Ausführungsbeispiel. So ist es ohne
weiteres möglich,
- - den Hohlkörper 11 nicht aus Teflon, sondern aus Gummi, ei nem Elastomer oder einem anderen, dielektrisch isolieren den, mechanisch stabilen Material zu fertigen,
- - den Querschnitt des Hohlkörpers 11 quadratisch oder recht eckförmig auszubilden,
- - die Metallstege 10 durch einen mit dem ringförmigen Teil 9 und der Leiterplatte 6 verklebten/verschweißten und aus ei nem elektrisch nichtleitenden Material bestehenden Ring zu ersetzen,
- - den ringförmigen Teil 9 und die Auskragung 12 des Hohlkör pers 11 durch ein Federelement zu verbinden, wobei das ge dehnte Federelement eine in Richtung des Wafers 1 wirkende Rückstellkraft erzeugt und
- - das jeweilige Bauelement 4 durch Absenken der Nadelkarte 1 auf den Wafer 2 zu kontaktieren, wobei der Hohlkörper 11 immer zwischen den Emitter-/Gate-Pads 3 und dem jeweiligen Sägerahmen 13 aufsetzen muß.
Claims (10)
1. Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauele
ments (4) mit einer an einer Halterung (6) befestigten mecha
nischen Kontaktiereinheit (5) und einer bauelementseitig of
fenen, die mechanische Kontaktiereinheit (5) ring- oder rahmen
förmig umschließenden elektrischen Abschirmung (9, 10, 11).
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Abschirmung einen an der Halterung (6) befestigten
Abstandhalter (9, 10) und einen in einer bauelementseitigen
Führung des Abstandhalters (9, 10) axialverschiebbar angeord
neten, aus einem elektrisch nicht leitenden Material beste
henden Hohlkörper (11) aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
gekennzeichnet durch
mindestens ein auf den Hohlkörper (11) wirkendes Federelement
(14, 14′).
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Federelement (14, 14′) einer Verschiebung des Hohl
körpers (11) in Richtung der Halterung (6) entgegenwirkt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Anschlag (12) die Verschiebung des Hohlkörpers (11)
in Richtung des Bauelements (4) begrenzt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Auskragung (12) des Hohlkörpers (11) als Anschlag
dient.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die lateralen Abmessungen des Hohlkörpers (11) in einer
senkrecht zu seiner Symmetrieachse orientierten Ebene kleiner
oder höchstens gleich groß sind wie die entsprechenden Abmes
sungen des Bauelements (4).
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 7,
gekennzeichnet durch
einen Hohlkörper (11) mit kreisförmigen oder rechteckförmigen
Querschnitt.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Hohlkörper (11) aus einem dielektrisch isolierenden
Material besteht.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die auf dem Bauelement (4) aufsitzende Berandung des
Hohlkörpers (11) eine mit einem elastischen, elektrisch iso
lierenden Material (15) gefüllte Nut aufweist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19630316A DE19630316A1 (de) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauelements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19630316A DE19630316A1 (de) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauelements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19630316A1 true DE19630316A1 (de) | 1998-01-29 |
Family
ID=7801013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19630316A Withdrawn DE19630316A1 (de) | 1996-07-26 | 1996-07-26 | Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauelements |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19630316A1 (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19819570A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer |
| DE10024165A1 (de) * | 2000-05-17 | 2001-11-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Kontaktiersystem |
| DE102008048879A1 (de) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement und Vorrichtung zum Prüfen eines Halbleiterbauelements mit Hochspannung |
| DE102004061099B4 (de) * | 2004-12-18 | 2010-11-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit ESD-Schutzbeschaltung |
| WO2012122578A1 (de) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Rainer Gaggl | Vorrichtung zum hochspannungsprüfen von halbleiterbauelementen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2708640A1 (de) * | 1977-02-28 | 1978-08-31 | Siemens Ag | Anordnung zur pruefung einer flachen integrierten schaltung |
-
1996
- 1996-07-26 DE DE19630316A patent/DE19630316A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2708640A1 (de) * | 1977-02-28 | 1978-08-31 | Siemens Ag | Anordnung zur pruefung einer flachen integrierten schaltung |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Thyristoren, in Z.: Radio Mentor Electronic, 12/1977, S. 506-507 * |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19819570A1 (de) * | 1998-04-30 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer |
| DE19819570C2 (de) * | 1998-04-30 | 2000-06-15 | Siemens Ag | Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer |
| US6529028B1 (en) | 1998-04-30 | 2003-03-04 | Infineon Technologies Ag | Configuration for testing a plurality of memory chips on a wafer |
| EP0953986A3 (de) * | 1998-04-30 | 2005-05-11 | Infineon Technologies AG | Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer |
| DE10024165A1 (de) * | 2000-05-17 | 2001-11-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Kontaktiersystem |
| DE102004061099B4 (de) * | 2004-12-18 | 2010-11-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit ESD-Schutzbeschaltung |
| DE102008048879A1 (de) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement und Vorrichtung zum Prüfen eines Halbleiterbauelements mit Hochspannung |
| DE102008048879B4 (de) * | 2008-09-25 | 2017-04-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Anlegen einer Hochspannung an ein Halbleiterbauelement und Vorrichtung zum Prüfen eines Halbleiterbauelements mit Hochspannung |
| WO2012122578A1 (de) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Rainer Gaggl | Vorrichtung zum hochspannungsprüfen von halbleiterbauelementen |
| US9291664B2 (en) | 2011-03-17 | 2016-03-22 | Rainer Gaggl | Device for high voltage testing of semiconductor components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE112017007108T5 (de) | Prüfsystem | |
| DE2548173C3 (de) | Einrichtung zur Erfassung eines Hochspannungspotentials in metallgekapselten Hochspannungsschaltanlagen und -geräten | |
| DE4012839A1 (de) | Pruefvorrichtung zum pruefen von elektrischen oder elektronischen prueflingen | |
| EP1186898B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Leiterplatten | |
| DE10039928A1 (de) | Vorrichtung zum automatisierten Testen, Kalibrieren und Charakterisieren von Testadaptern | |
| DE19630316A1 (de) | Vorrichtung zur elektrischen Kontaktierung eines Bauelements | |
| EP1012613B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur gepulsten hochstrombelastung integrierter schaltungen und strukturen | |
| DE60217619T2 (de) | Vorrichtung zur Abtastprüfung von Leiterplatten | |
| EP0322607B1 (de) | Ansteuereinrichtung für die Vorrichtung zur elektrischen Funktionsprüfung von Verdrahtungsfeldern | |
| EP1739440A2 (de) | Elektrisches Prüfverfahren und -vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Kontaktiervorrichtung | |
| DE102019102457B3 (de) | Prüfvorrichtung mit sammelschienenmechanismus zum testen einer zu testenden vorrichtung | |
| DE69927126T2 (de) | Abtastprüfgerät zum Testen der Kontinuität von unbestückten gedruckten Schaltungen | |
| DE4234856A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung von Nadelkarten für die Prüfung von integrierten Schaltkreisen | |
| DE10116823C2 (de) | Verfahren zur Kalibirierung von Prüfkarten mit nichtfedernden Kontaktelementen | |
| DE3807488C1 (de) | ||
| DE102021105605B4 (de) | Verfahren zum erfassen eines übergangswiderstands einer berührsicheren schnittstelle und schnittstelle | |
| DE102010033705B4 (de) | Testsystem und Verfahren zur Charakterisierung von Magnetfeldsensoren im Verbund mit Halbleiterscheiben | |
| DE102006044962A1 (de) | Messeinrichtung zum elektrischen Vermessen | |
| DE10207878B4 (de) | Vorrichtung zum Erfassen, Haltern und Prüfen von elektronischen Baugruppen | |
| EP1020732B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion einer Vielzahl von aktiven Mikrostrukturbauelementen | |
| DE102019000167A1 (de) | Prüfkarte zum Messen von integrierten Schaltungen auf einer Halbleiterscheibe und Prüfverfahren | |
| DD251650A1 (de) | Positionierelement | |
| DE102005057508B4 (de) | Dockingvorrichtung zum Kuppeln einer Handhabungsvorrichtung mit einem Testkopf für elektronische Bauelemente | |
| DE202014105674U1 (de) | Kontaktiervorrichtung für Platinen | |
| DD271760A1 (de) | Vorrichtung zur hochspannungspruefung von elektrischen bauteilen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |