DE19613587A1

DE19613587A1 - Anordnung zur Blockierung der elektromagnetischen Abstrahlung bei Leiterkarten und integrierten Schaltkreisen

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Publication number: DE19613587A1
Application number: DE19613587A
Authority: DE
Inventors: Gunter Dipl Ing Langer
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1996-04-04
Filing date: 1996-04-04
Publication date: 1997-10-09
Anticipated expiration: 2016-04-05
Also published as: DE19613587C2

Description

Die Erfindung betrifft die Reduzierung elektromagnetischer Abstrahlung von Leiterkarten oder anderer Träger elektro nischer Schaltungen durch Maßnahmen am Layout.

Leiterkarten oder andere Träger elektronischer Schaltun gen können auf Grund der Schaltvorgänge ihrer digitalen elektronischen Schaltungen hochfrequente elektromagnetische Wellen abstrahlen. Die Frequenz der Abstrahlung liegt im MHz- bis GHz-Bereich. Besonders hohe Abstrahlungswerte erzeugen schnelle, mit hoher Frequenz (MHz) periodisch arbeitende Digitalschaltungen insbesondere Schaltungen, die Mikrorechner enthalten.

Durch Vorschriften zur elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) werden Grenzwerte für Geräte festgelegt. Um die vom Gesetzgeber geforderten Grenzwerte einzuhalten, sind vom Gerätehersteller an den Geräten bzw. Baugruppen bestimmte Maßnahmen zur EMV erforderlich.

Es sind eine Vielzahl von Maßnahmen zur Schirmung und Filterung bekannt. Maßnahmen, die direkt auf Leiterkarten speziell am Layout angewendet werden, stehen noch an den Anfängen.

Eine Maßnahme, die auf Leiterkarten ausgeführt wird, ist die flächenförmige Ausbildung von Masse-(M), Versorgungs spannungs-(V) und Schirm(S)-Leiterzügen (im weiteren MVS-Leiterzüge). Durch die Verwendung breiter Leiterstreifen verringern sich der Widerstand und die Induktivität für die im Nanosekundenbereich ablaufenden Schaltvorgänge der digitalen integrierten Schaltkreise (IC). Damit werden die hochfrequenten Störspannungen längs des MVS-Systems, die Quelle für die elektromagnetischen Abstrahlungen sind, verringert.

Bei ein- oder zweilagigen Leiterkarten sind der Verbreite rung von MVS-Leitungen praktische Grenzen gesetzt. Die verfügbare Fläche der Leiterkarte muß zwischen Signallei tungen und MVS-Leitungen aufgeteilt werden. An Orten hoher Signalleiterzugdichte, wie Mikrorechner-IC, sind meist nur schmale Leitungen für MVS realisierbar.

In der Praxis kann durch eine engere innere Vermaschung der MVS-Leiterzüge unter Zuhilfenahme von Drahtbrücken eine Verbesserung erzielt werden. Weitere Maßnahmen können nach dem Stand der Technik nur an den Schnittstellen zur Leiterkarte (Filter) oder außerhalb der Leiterkarte z. B. als Schirmung ausgeführt werden.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, wirksame Mittel zur Verringerung der elektromagnetischen Abstrahlung vorzu schlagen, die einen verringerten Flächenbedarf haben und direkt auf Leiterkarten und speziell am Layout anwendbar sind.

Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Patent anspruch 1 angegeben. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Oberfläche von Busleitungssystemen ist besonders stark an der Abstrahlung von elektromagnetischen Wellen betei ligt.

Bei der Untersuchung der Ursache-Wirkungs-Beziehungen wurde folgendes Phänomen gefunden:
Eine vollständige Schirmung des Busleitungssystems ist nicht erforderlich. Es genügt eine einseitige Näherung einer (leitfähigen Fläche) Metallfläche, um die Stör emission zu reduzieren! Bei Näherung auf einen Abstand von 1,5 mm ist der Effekt bereits wirksam. Eine hohe Wirkung bringt die Näherung auf ca. 0,2 mm. Die Metallfläche soll te zumindest an ihren Eckpunkten mit dem GND-System der zugehörigen Baugruppe verbunden sein. Wenn nicht alle Eckpunkte kontaktiert sind, verringert sich die Wirksam keit.

In der Regel kann dieser Effekt für zweilagige Leiter karten ausschließlich mit Mitteln des Layouts nicht aus reichend genutzt werden. Die Abdeckung des Busses kann mit einer Kupferfläche auf der dem Bus gegenüberliegenden Seite der Leiterkarte erfolgen. Der Abstand liegt dann bei zweilagigen Leiterkarten bei 1,5 mm (Leiterkartenstärke). Bei diesem Abstand entfaltet sich noch nicht die volle Wirksamkeit des Effektes. Weiterhin läßt sich der Busbereich durch auf der anderen Kartenseite liegenden Flächen meist nicht vollständig schließen. Im Bereich unterhalb des Busses kreuzender Leitungen verblei ben Öffnungen, die eine vollständige Abdeckung der Busbe reiche verhindern.

Auf Leiterkarten die mehr als zwei Lagen besitzen (Multi layer) können ähnliche Verhältnisse vorliegen.

Davon ausgehend besteht der Kern der Erfindung im einsei tigen Abdecken des Busses von Leiterkarten oder integrier ten Schaltkreisen (IC) mit leitfähigen Flächen (Metall oder Plaste) und deren Kontaktierung mit GND an den Eck punkten und ggf. weiteren Stellen, wie z. B. an den Seiten kanten.

Unter Beachtung des Wirkungsmechanismus und der Herstel lungstechnologie wird für den Abstand der leitfähigen Flächen vorzugsweise ein Bereich von größer Null bis etwa 0,2 mm und in einigen Anwendungen noch ausreichend bis 1,5 mm gewählt.

Für die Busabdeckung von Leiterkarten mit Oberflächen-(SMD) oder Durchsteckmontage wurden spezielle Bauteile entwickelt. So werden z. B. Baugruppen in Oberflächen montage mit speziellen Bauteilen bestückt, die im Reflow prozeß mit den übrigen Bestückungen gemeinsam aufgeschmol zen werden.

Die Teile bestehen aus rechteckigen Metallplättchen in unterschiedlichen, der Geometrie der abzudeckenden Leiter kartenbereiche oder IC und einer automatischen Bestückung angepaßten Abmessungen, die im weiteren als Brücken be zeichnet werden. Die Brücken werden so auf die Oberfläche der Leiterkarte aufgelegt, daß sie auf beiden Seiten den Bus überlappen. Die Eckpunkte oder Seitenkanten der Brücken werden z. B. unter Anwendung des Reflowlötverfah rens mit dem GND-System der Leiterkarte verbunden. Zwi schen den Eckpunkten können weitere Lötflächen angeordnet sein. Zur Abdeckung des gesamten Busbereiches können meh rere Brücken (ähnlich Dominosteinen) dicht aneinanderge reiht werden. (Günstige Abmessungen für SMD-Bestückung sind z. B. 20 × 5 mm, 25 × 7,5 mm oder 10 × 30 mm.)
Eine Brücke oder eine Kette von Brücken (Dominosteine) kann in Form einer leitfähigen Lackschicht oder als Auf kleber direkt auf den Lötstopplack der Leiterkarte (Bau gruppe) aufgebracht werden. Dabei ist die Eckpunktkontak tierung mit GND analog der Dominoanordnung diskreter Brücken auszuführen. Es ist an den Außenkanten des Busses im Abstand von ca. 20 Millimeter zu kontaktieren.

Durch das direkte Auflegen der Brücken auf den Bus wird der für eine hohe Wirksamkeit erforderliche geringe Ab stand von ca. 0,2 mm erreicht.

Im Lötstopüberzug der Leiterkarte müssen Öffnungen zum GND-System vorgesehen werden, die zu den Kontaktierungs punkten der Brücke passen. Die Brücken können auch mit stiftförmigen GND-Anschlüssen für das Durchsteckmontage verfahren ausgeführt werden.

Anstelle bzw. neben geschlossenen Brücken sind auch kurzschlußringartige Brücken anwendbar.

Die erfindungsgemäßen Brücken lassen sich auch innerhalb von IC sowie als externe Brücken für IC anordnen. Die Brückenabmessungen sind den geometrischen Abmessungen des IC angepaßt.

Zu den Brücken innerhalb von IC:
Das Bussystem der Leiterkarte kann sich im IC fortsetzen bzw. auch unter dem IC auf der Leiterkarte geführt sein. Zur Lösung des Emissionsproblems sind die gleichen Prinzi pien, wie oben erläutert, in modifizierter technischer Ausführung anwendbar.

Die Brücken können vorgesehen werden für:

1. Pin-, Bond- und Chipbereiche, d. h. für quellen innerhalb des IC,
2. Für den Leiterkartenbus unterhalb des IC.

Beide Funktionen können je nach Anordnung der leitfähigen Flächen lediglich von einer Brücke oder aber von zwei Brücken übernommen werden.

Mit einer Brücke im unteren Teil des IC werden beide Fälle beherrscht. Denkbar ist eine metallische Schicht im IC, die an den Eckpunkten auf in den Eckpunkten des Gehäuses liegende IC-Pin geführt ist und über diese Eckpunkte mit GND der Leiterkarte verbunden wird (Anspruch 11). Das GND-System des Chips kann mit dieser metallischen Schicht über Bonddrähte in gleicher Weise verbunden werden.

Des weiteren kann auch im Chip eine metallische Schicht als Brücke ausgebildet werden, die über Bonddrähte an den Eckpunkten zu den GND-Eckanschlüssen geführt wird.

Wenn der Chip im IC zu hoch angeordnet ist, werden u. U. zwei Brücken benötigt. Für IC, deren Gehäuse nach Leiter kartentechnologie gefertigt werden und demzufolge aus einer kleinen Leiterkarte bestehen, gibt es vielfältige Anwendungsmöglichkeiten für Brücken.

Nach dem Stand der Technik für Leiterkartengehäuse wird auf der Oberseite (B-Seite) des Leiterkartengehäuses der Chip (Die) aufgeklebt und an die Pad der Oberseite ge bondet. Durchkontaktierungen führen zu Kontaktflächen der Unterseite der Leiterkarte (L-Seite) die als IC-Pin die nen. Der Chip und die Bonddrähte werden mit einem Plop-Top abgedeckt.

Erfindungsgemäß wird der Chip auf eine Brücke aufgebracht, die den Bus des Chips und der Bonddrähte einseitig ab deckt. Die Brücke ist an den Eckpunkten über Durchkontak tierungen und IC-Pin mit GND der Leiterkarte (Baugruppe) verbunden. Die Durchkontaktierungen des Busses (IC-An schlüsse) können auf der B-Seite von einem Kurzschlußring umgeben sein. Auf der L-Seite des IC befindet sich eine weitere Brücke, die einen auf der Leiterkarte (Baugruppe) unter dem IC-Bereich befindlichen Bus durch Aufbringen des IC abdeckt. Der günstige Abstand von 0,2 mm läßt sich einhalten. Die Verbindung der Brücke mit dem GND-System der Leiterkarte (Baugruppe) erfolgt an den Eckpunkten über den gleichen Weg wie die Verbindung der Oberseiten-(B-Sei ten) Brücke des IC (Anspruch 12).

Der Chip kann nach Anspruch 13 auch in das Innere des Leiterkartengehäuses integriert werden.

In einer weiteren Ausführungsform (Anspruch 14) wird der Chip auf der Unterseite des Leiterkartengehäuses angeord net.

Zu den externen Brücken für IC:
Übliche IC-Gehäuse besitzen keine internen Brücken. Um für diese Bauteile eine erfindungsgemäße Wirkung zu erzielen, können über oder unter dem IC-Gehäuse Brücken angeordnet werden, s. Ansprüche 6 bis 10.

Um das Austreten von Randfeldern aus am Rand von Leiter karten befindlichen IC zu blockieren, werden metallische (leitfähige) spangenförmige Brücken auf die Kanten der Leiterkarte aufgeschoben. Diese Brücken sind mit dem GND-System der Leiterkarte kontaktiert und überlappen zungen förmig die am Rand befindlichen IC dicht an ihrer Gehäuse oberseite. Das überlappen der IC muß nicht vollständig in Richtung Zentrum der Leiterkarte erfolgen. Es muß jedoch im Kantenbereich der Leiterkarte eine deutliche Überlappung vorliegen, vgl. Anspruch 16.

IC können auch mit einer aufklebbaren bandförmigen Brücke in der Ausführung als leitfähige Folie mit einer Isola tionsschicht außerhalb der GND-Kontaktbereiche zur Leiter karte (Baugruppe) abgedeckt werden, s. Anspruch 17.

Eine modifizierte Ausführung dieser Klebebrücke kann rechts und links mit elektrisch leitfähigen selbstkleben den Kantenkontaktierungen versehen sein. In der Mitte des Bandes ist sie wie beschrieben isoliert und selbstklebend. In dieser Ausführung ist sie, wie die beschriebene Grund anordnung in inneren Bereichen der Leiterkarte als Brücke anwendbar.

Die Brücke kann mit einer genarbten Oberfläche versehen werden, um damit Dehnbarkeit und Anpassungsfähigkeit an Oberflächenunebenheiten (Bestückung) der Baugruppe zu erreichen.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Patentansprüche verwiesen.

Einzelheiten, weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen. In der zugehörigen Zeichnung zei gen.

Fig. 1 Grundanordnung zur Abdeckung der Bus-Leiterzüge mit leitfähigen Flächen (Brücke(n)),

Fig. 2 verschiedene Brückenvarianten,

Fig. 3 zwei Brückenausführungen (eben und abgekröpft) in Einbauposition,

Fig. 4 IC-Aufbau mit Brücken, wobei der IC aus einer doppelseitigen Leiterkarte besteht,

Fig. 5 IC-Aufbau mit einem in das Leiterkartengehäuse integrierten Chip,

Fig. 6 Darstellung von Brücken, die als externe Brücken für IC eingesetzt werden; Brückenanordnung unter halb des IC,

Fig. 7 wie Fig. 6; Brückenanordnung oberhalb des IC,

Fig. 8 Brücken zum Blockieren von Randfeldern und

Fig. 9 Ausführung einer aufklebbaren bandförmigen Brücke.

Fig. 1 zeigt das Wesen der Erfindung in einer Grundanord nung.

Auf einer Leiterkarte, bestehend aus Trägermaterial 11, GND 3, Bus-Leiterzügen 1 und Lötstoplack 5, liegt in einem Abstand von etwa 0,2 mm von den Bus-Leiterzügen 1 eine Brücke 2 auf. Die Abmessungen der aus einer leitfähigen Fläche gebildeten Brücke 2 sind in den Maßen von bei spielsweise 20 × 5 × 0,2 mm so gewählt, daß die Bus-Leiter züge 1 überdeckt werden.

Öffnungen 6 im Lötstoplack 5 gewährleisten die Oberflä chenmontage durch Verlöten der Brücke 2 mit GND 3 der Leiterkarte.

Fig. 2 veranschaulicht verschiedene Brückenvarianten und Verbindungsmöglichkeiten mit der Leiterkarte über die Eckpunkte oder Seitenkanten der Brücken 2, s. GND-An schlüsse 6.2 in Fig. 2.3 oder stiftförmige Anschlüsse 4.

Die Isolierung zu den Leiterzügen des Bussystems und damit die Einstellung des bevorzugten Abstandes von 0,2 mm erfolgt durch:

1. den Lötstoplack 5 der Leiterkarte (Fig. 1.1 und 3.1) oder
2. durch einen Luftspalt 7, der durch Abstandsnoppen 8 der Brücke 2 vorgegeben wird (Fig. 2.2 und 3.2),
3. durch einen Isolierüberzug 9 der Brücke 2, der Flächen 6.2 für eine Kontaktierung mit GND 3 freilassen muß.

Brücken mit stiftförmigen GND-Anschlüssen 4 können für das Durchsteckmontageverfahren genutzt werden (Fig. 2.4, 2.5, 2.6).

Anstelle geschlossener Brücken können auch Kurzschlußringe (Fig. 2.5) angewendet werden. Die Öffnung der Ringe quer zum Bus sollte klein gehalten werden (< 3 mm). Breitere Kurzschlußringe können durch einen oder mehrere Längsstege ergänzt werden. Durch die Öffnungen der Kurzschlußringe können Anschlußpin von Bauelementen geführt werden. Mit dieser Brückenart lassen sich Anschlußbereiche schützen. Für den Fall, daß zwei gegenüberliegende Seiten eines Kurzschlußringes mit verschiedenen Potentialen beschaltet sind, kann sich gemäß Fig. 2.6 der Kurzschlußring über Kondensatoren 13 schließen.

Fig. 3 zeigt die Querschnittsdarstellung von zwei einge bauten Brücken.

Bei der Ausführung nach Fig. 3.1 liegt die ebene Brücke 2 auf dem Lötstoplack 5, der die Isolation der Leiterzüge 1 zur Brücke 2 übernimmt, auf. Die Verbindung mit dem GND-System 3 erfolgt über die Lötstelle 10.

Bei der Ausführung nach Fig. 3.2 wird eine Brücke 2 mit Abstandsnoppen 8 eingesetzt. Dadurch wird ein Isolierspalt 7 zu freiliegenden Teilen (Durchkontaktierung 15) einge stellt.

Der IC nach Fig. 4 ist aus einer doppelseitigen Leiter karte aufgebaut und besitzt zwei Brücken 2.1 und 2.2.

Das Leiterkartengehäuse 21 beinhaltet die Leiterkar ten-Oberseite 21.1 (Leiterkarte, oberes Leiterbild) und die Leiterkarten-Unterseite 21.2 (unteres Leiterbild). Der Chip 23 wird auf eine unter den Bus-Leiterzügen des Chips befindliche Brücke 2.1 aufgeklebt und deckt dabei die Bus-Leiterzüge und die Bonddrähte 22 ab. An den Eckpunkten ist die Brücke 2.1 über Durchkontaktierungen 15 und IC-Pin 19 mit GND der Leiterkarte (Baugruppe) 20 verbunden.

Die Durchkontaktierungen 15 der Bus-Leiterzüge (IC-An schlüsse) sind auf der Oberseite 21.1 von einem Kurz schlußring 12 umgeben.

Auf der Unterseite 21.2 ist eine zweite Brücke 2.2 angeordnet, die einen auf der Leiterkarte (Baugruppe) 20 unterhalb des IC-Bereiches 21 befindlichen Bus durch Montage des IC 21 abdeckt. Über die IC-Kontaktierung 24 sind die Brücken mit dem GND-System der Leiterkarte (Baugruppe) 20 verschaltet.

Fig. 5 stellt einen IC dar, dessen Chip 23 (Die) in das Innere des Leiterkartengehäuses 21 integriert wurde. Das Gehäuse besteht wie in Fig. 4 aus einer kleinen quadrati schen oder rechteckigen zweiseitigen Leiterkarte. Die Unterseite 21.2 besitzt als Leiterbild die IC-Pin 19, eine Brücke 2.2 und die in den Ecken befindlichen IC-Pin 24 der Brücke zum Anschluß an die Leiterkarte (Baugruppe) 20. Die unteren Flächen (Außenseiten) der Anschlüsse 24 fungieren als IC-Pin, um bei Oberflächenmontage auf Leiterkarten 20 als Lötflächen zu dienen. Die Innenseiten 19 dienen als Kontaktflächen der Bonddrähte 22, die zum Chip 23 führen. Die Brücke 2.2 befindet sich demnach unter dem Busbereich des Chips 23 und über dem Busbereich der darunter liegen den Leiterkarte (Baugruppe) 20.

Zusätzlich könnte in den Außenbereich der unteren Lage 21.1 ein Kurzschlußring vorgesehen werden, ggf. durch Metallisierung der Stirnseiten.

Der Chip 23 (Die) kann auch auf der Unterseite des Leiter kartengehäuses 21 angeordnet werden. Er wird außen auf die Unterseite der Brücke 22 aufgeklebt und von außen (unten) gebondet. Der Chip würde über die Anschlußpin des IC hinausragen. Um das zu verhindern, kann das Layer der Unterseite 21.2 ins Leiterkarteninnere gewölbt ausgeführt sein, so daß der Chip versenkt angeordnet werden kann.

Eine zweite Brücke 2.1 wäre im IC-Leiterkartengehäuse 21 nach Fig. 5 auf der Oberseite (B-Seite) 21.1 anordenbar. Diese Brücke ist nicht unbedingt erforderlich. Sie kann, wenn vorhanden, an den Eckpunkten über Durchkontaktierun gen 15 mit den unteren GND-Pad 24 verbunden werden.

In Fig. 6 sind Brücken dargestellt, die vor der Bestückung des IC eingebaut werden, d. h. unter dem IC angeordnet sind. IC 14 und Brücke 2 werden z. B. gemeinsam in einem Reflow-Prozeß mit der Leiterkarte (Baugruppe) 20 verlötet. Diese Variante kann für Oberflächenmontage und bei Anpassung der Lötpunkte der Brücke für Durchsteckmontage verwendet werden. In Fig. 6 sind bei Oberflächenmontage entsprechende Brücken für SO-Gehäuse (Fig. 6.1, 6.2, 6.3, 6.4) und für QFP- und PLCC-Gehäuse (Fig. 6.6, 6.7) darge stellt.

Auf dem Leiterbild der Leiterkarte (Baugruppe) 20 müssen Lötflächen 6.1 für die an den Eckpunkten oder Seitenkanten der Brücke 2 befindlichen Anschlüsse 6.2 vorgesehen werden. Es ist vorteilhaft, die Brücken 2 auf der Unter seite, ausgenommen die GND-Anschlußpunkte 6.2 in Fig. 6.3 mit einer Isolation 9 zu versehen. Der Lötanschluß 6.2 kann auch einen gesamten Seitenstreifen umfassen (Fig. 6.4).

Die Brücke 2 kann mit Kurzschlußringen 12 erweitert werden (Fig. 6.5, 6.7), die die Pinbereiche der IC umschließen. Mit dieser Brückenart lassen sich zusätzlich die Anschluß bereiche der IC schützen.

Die äußere Kante 17 der Kurzschlußringe 12 läßt sich nach oben abwinkeln (Fig. 6.8 in Verbindung mit Fig. 6.7 und 6.5). Die Abwinklung blockiert zusätzlich Felder, die seitlich aus dem IC austreten.

Der Kurzschlußring 12 kann separat um einen IC 14 geführt werden (Fig. 7.1). In Fig. 7.1 ist eine Variante für Oberflächenmontage mit Reflowlötstellen 10 dargestellt.

Brücken 2, die oberhalb von IC 14 angeordnet werden, sind in Fig. 7.2, 7.3, 7.4 dargestellt. Die Brücken besitzen als GND-Anschluß IC-Pin 19 (für Oberflächen- und Durch steckmontage; im Bild Oberflächenmontage), die an den Eckpunkten oder weiteren an den Außenkanten verteilten Punkten angeordnet sind und die auf der Leiterkarte 20 mit GND verbunden werden.

Die Brücke 2 nach Fig. 7.4 besteht aus mehreren Kurz schlußringen 12, deren Leiter 12.1 in der Mitte knoten förmig verbunden sind und die über das GND-System der Leiterkarte (Baugruppe) 20 geschlossen werden.

Die genannten Kurzschlußringe 12 werden dabei erst über die PIN 19 der Brücke 2 und das GND-System der Leiterkarte (Baugruppe) 20 komplettiert.

In Fig. 8 werden verschiedene Ausführungsformen der Kan tenbrücken 2.3 dargestellt. Ein Aufklemmen oder Verlöten ist denkbar. Für Lötverbindungen ist Oberflächen- (Fig. 8.1, 8.2) und Durchsteckmontage (Fig. 8.3) anwendbar. Die lötfreie Kontaktierung kann mit Kontaktfedern 25 (Fig. 8.1, 8.2) oder Spitzen 26 (Fig. 8.4, 8.5) erfolgen, die in Lötaugen 27 einrasten (s. 26.1) oder gegen eine metallische GND-Fläche drücken. Es sollte nicht nur an den Enden der Brücke 2.3, sondern mehrfach zwischen den Enden kontak tiert werden.

In Fig. 9 ist eine aufklebbare bandförmige Brücke 2.4 dargestellt. Die Brücke ist als leitfähige Folie 28 am Rand mit leitfähigem Kleber auf eine offene GND-Fläche 3 aufgeklebt. Damit ist die Brücke 2.4 an der Kante leitfähig mit dem GND 3 der Leiterkarte 20 (Baugruppe) verbunden. Im Anschluß an den Bereich des leitfähigen Klebers ist die leitfähige Folie 28 auf ihrer Unterseite isoliert. Die Isolation 9 ist mit nichtleitfähigem Kleber beschichtet. Mit diesem Teil werden IC 14 oder Leiterbilder im Rand bereich überklebt. Der für die Anwendung des Verfahrens notwendige geringe Abstand zum Chip des IC wird durch das direkte Aufkleben gewährleistet. Die gewünschte Länge ist von einem Band abschneidbar.

Bezugszeichenliste

1 Bus-Leiterzüge
2 leitfähige Flächen, Brücken
3 GND (Masse)
4 stiftförmige GND-Anschlüsse an 2
5 Lötstoplack
6 Öffnung im Lötstoplack, 6.1 GND-Anschlüsse der Leiterkarte, 6.2 GND-Anschlüsse der Brücke
7 Luftspalt/Isolierspalt
8 Abstandsnoppen der Brücke 2
9 Isolierüberzug
10 Lötstelle
11 Trägermaterial
12 Kurzschlußring
13 Kondensatoren
14 IC-Gehäuse
15 Durchkontaktierung
16 PIN-Bereich
17 Kante des Kurzschlußrings
18 IC-Anschlüsse des über der Brücke liegenden IC
19 IC-PIN
20 Leiterkarte
21 Leiterkartengehäuse für IC-Aufbau
21.1 Leiterkarte, oberes Leiterbild
21.2 Leiterkarte, unteres Leiterbild
22 Bonddrähte
23 Chip
24 Brückenanschluß an Leiterkarte
25 Kontaktfedern
26 Spitzenkontaktierung
26.1 Spitze
27 Lötaugen
28 Metallfolie

Claims

1. Anordnung zur Blockierung der elektromagnetischen Abstrahlung bei Leiterkarten und IC, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung der Bus-Leiter züge (1) von Leiterkarten (20) oder integrierten Schalt kreisen (IC) (14, 21) zweckmäßigerweise mit in einem Abstand von bis zu ca. 0,2 mm, für einige Anwendungen ausreichend bis 1,5 mm, angeordneten leitfähigen Flächen (Brücken) (2) erfolgt, wobei die Brücken (2) mindestens an ihren Eckpunkten mit dem GND-System (3) der zugehörigen Baugruppe verbunden sind.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Brücken (2) so auf der Oberfläche von Leiterkarten oder an/in IC (14, 21) mon tiert sind, daß sie auf beiden Seiten den Bus (1) über decken, wobei entweder die Eckpunkte und/oder Seitenkanten der Brücken (2) beispielsweise durch Anwendung des Reflow lötverfahrens mit dem GND-System (3) der Leiterkarte ver bunden sind, oder die Brücke(n) (2) stiftförmige GND-Anschlüsse (4) das Durchsteckmontageverfahren aufweisen.

3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Brücken (2) durch eine oder mehrere als rechteckige dünne Metallplättchen

a) mit den geometrischen Abmessungen von zweckmäßigerweise 20 × 5 mm, 25 × 7,5 mm oder 30 × 10 mm oder
b) in Maßen, die den abzudeckenden gesamten oder zerglie derten Busbereichen entsprechen,

ausgeführt sind, wobei Brückenelemente zur Abdeckung einer größeren Länge und Breite des Bus-Leitungssystems (1) dicht aneinandergereiht werden können.

4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei direktem Auflegen der Brücke(n) (2) auf den Bus-Leiterzug (1) die Abstandseinstel lung und Isolierung zu den Leiterzügen (1) des Bussystems erfolgt durch

a) den Lötstoplack (5) der Leiterkarte,
b) einen Luftspalt (7), der durch Abstandsnoppen (8) der Brücke (2) vorgegeben ist,
c) durch einen Isolierüberzug (9) der Brücke (2), bei dem die Flächen (6.2) für eine Kontaktierung mit GND (3) freigelassen sind.

5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle der Ausführung der Brücke(n) (2) als geschlossene dünne Metallplatte die Brücke(n) in der Art eines Kurzschlußringes (12) ausgebil det sind, wobei die. Öffnung des Ringes quer zum Bus-Lei terzug (1) klein zu halten ist.

6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß für übliche IC-Gehäuse (14) die Brücken (2) extern über oder unter dem IC-Gehäuse (14) angeordnet sind.

7. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die unter dem IC-Gehäuse (14) angeordnete Brücke (2) mit Kurzschlußringen (12) erweitert ist, wobei die Kurzschlußringe (12) die PIN-Bereiche (16) umschließen und die äußere Kante (17) der Kurzschlußringe nach oben, die Anschlüsse überdeckend, abgewinkelt werden kann.

8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Kurzschlußring (12) separat um einen oder mehrere IC (14) geführt ist.

9. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die oberhalb des IC-Gehäuses (14) angeordnete Brücke (2) als GND-Anschluß (6.2) IC-PIN (19) für eine Oberflächen- und Durchsteckmontage aufweist.

10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Brücke (2) aus mehreren Kurzschlußringsegmenten (12.1) besteht, deren Leiter in der Mitte knotenförmig verbunden sind, wobei sich die Leiter über das GND-System (3) der Leiterkarte (Baugruppe) (20) zu Kurzschlußringen (12) schließen.

11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß für die Ausführung von Brücken (2) innerhalb von IC mindestens eine metallische Schicht (2.2) im IC, ggf. auch im Chip (23), eingebracht ist, die an den Eckpunkten (bei metallischer Schicht im Chip über Bonddrähte) auf in den Eckpunkten des Gehäuses (21) lie gende IC-Pin (19) geführt ist und über diese Eckpunkte mit GND (3) der Leiterkarte (20, 21.2) verbunden ist.

12. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (23) auf eine Brücke (2.1) aufgebracht ist, die die Busleiterzüge (1) des Chips (23) und die Bonddrähte (22) einseitig abdeckt und die Brücke (2.1) an den Endpunkten über Durchkontaktierungen (15) und IC-PIN (19) mit GND (3) der Leiterkarte (Baugrup pe) (20) verbunden ist, sowie die Durchkontaktierungen der Busleiterzüge (1) (IC-Anschlüsse) auf der Oberseite (21.1) von einem Kurzschlußring (12) umgeben ist und auf der Unterseite des IC (21.2) sich eine weitere Brücke (2.2) befindet, die einen auf der Leiterkarte (Baugruppe) (20) unter dem IC-Bereich befindlichen Bus durch Aufbringen des IC abdeckt.

13. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (23) im Inneren des Leiterkartengehäuses (21) auf einer Brücke (2.2) angeord net ist und das Leiterkartengehäuse (21) aus einer kleinen quadratischen oder rechteckigen zweiseitigen Leiterkarte (21.1, 21.2) besteht, wobei die Unterseite (21.2) als Leiterbild die IC-PIN (19), eine Brücke (2.2) und die in den Ecken befindlichen IC-PIN (24) der Brücke aufweist, und die unteren Flächen (Außenseiten) der Brückenanschlüs se (24) als IC-PIN zur Oberflächenmontage auf Leiterkarten (20) dienen und die Innenseiten der IC-PIN (19) Kontakt flächen für die zum Chip (23) führenden Bonddrähte (22) darstellen.

14. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Chip (23) außen auf die Unterseite der Brücke (2.2) (L-Seitenbrücke) aufgebracht und von außen (unten gebondet) ist, wobei das Layer der Unterseite (21.2) in das Leiterkarteninnere gewölbt aus geführt ist und der Chip (23) versenkt angeordnet ist.

15. Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Brücke (2.1) im Leiterkartengehäuse (21) auf der Oberseite (21.1) angeord net ist und diese Brücke (2.1) an den Eckpunkten über Durchkontaktierungen (15) mit den unteren GND-Pad verbunden ist.

16. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Blockierung der Randfelder von Leiterkarten (20) metallische spangenförmige Brücken (2.3) auf der Kante der Leiterkarte (20) befestigt sind, die mit dem GND-System (3) der Leiterkarte (20) kontak tiert sind, wobei die eigentliche Brücke zungenförmig die im Randbereich befindlichen IC (14) dicht an ihrer Gehäu seoberseite überlappt.

17. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Brücke (2.4) in aufklebbarer, bandförmiger Ausführung aufgebracht ist, wobei die Brücke (2.4) als leitfähige Folie (28) am Rand der Leiterkarte (20) mit der offenen GND-Fläche (3) der Leiterkarte (20) kontaktiert ist und die Folie (28) außerhalb der leitfähigen Bereiche auf ihrer Unterseite eine Isolation (9) aufweist.