DE19504378A1 - Mehrfach-Substrat - Google Patents
Mehrfach-SubstratInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Mehrfach-Substrat gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1 oder
15.
Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf ein Mehrfach-Substrat, welches nach Abschluß
einer Bearbeitung in eine Vielzahl von Einzel-Substraten für elektrische Schaltkreise zertrennt
werden kann, und zwar durch Brechen an hierfür vorgesehenen Sollbruchlinien.
Ein derartiges Mehrfach-Substrat ist bekannt (EP 0 149 923).
Insbesondere Keramik-Substrate, auch solche, die als Einzel-Substrate eines Mehrfach-Substrates
hergestellt werden, werden in elektrischen Schaltkreisen, insbesondere auch in
elektrischen Leistungsschaltkreisen verwendet, wobei die Herstellung der Einzel-Substrate in
Mehrfach-Nutzen bzw. als Einzel-Substrate eines Mehrfach-Substrates nicht nur eine besonders
rationelle Fertigung der Einzel-Substrate ermöglicht, sondern es auch ermöglicht, die Einzel-Substrate
noch vor dem Trennen des Mehrfach-Substrates mit den elektrischen Bauelementen
zu bestücken, so daß die Fertigung von elektrischen Bauelementen wesentlich vereinfacht wird.
Problematisch ist insbesondere bei Substraten, die als Einzel-Substrate eines Mehrfach-Substrates
gefertigt wurden, das spätestens nach der Vereinzelung, d. h. nach dem Zertrennen
des Mehrfach-Substrates in die Einzel-Substrate an jedem Einzel-Substrat Anschlußelemente
vorgesehen werden müssen, die von dem das Einzel-Substrat bildenden Teilstück der
ursprünglichen, d. h. zertrennten isolierenden Schicht wegstehen, und zwar zum Anschluß des
von dem Einzel-Substrat gebildeten elektrischen Schaltkreises an eine beispielsweise auf einer
Printplatte ausgebildeten elektrischen Schaltung. Das Anbringen dieser Anschlußelemente oder
Anschlußfahnen ist relativ aufwendig und erfordert auch zusätzliche relativ große Löt- oder
Kontaktflächen, so daß der für andere Strukturen, beispielsweise für Leiterbahnen zur
Verfügung stehende Platz reduziert wird.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Mehrfach-Substrat aufzuzeigen, welches die vorgenannten
Nachteile vermeidet und es ermöglicht, insbesondere äußere Anschlußelemente für die Einzel-Substrate
bereits bei der Herstellung des Mehrfach-Substrates mitzufertigen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Mehrfach-Substrat entsprechend dem kennzeichnenden Teil
des Patentanspruches 1 oder des Patentanspruches 15 ausgebildet.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß das nachträgliche Anbringen von
Anschlußelementen oder Anschlußfahnen nach der Herstellung der Einzel-Substrate an diesen
entfällt.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an Ausführungsbeispielen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 in vereinfachter Darstellung und in Draufsicht ein Mehrfach-Substrat gemäß der
Erfindung;
Fig. 2 in vergrößerter Darstellung und in Draufsicht ein Einzel-Substrat des Mehrfach-Substrates,
und zwar zusammen mit den angrenzenden Stabilisierungsbereichen oder
Stegen;
Fig. 3 einen Schnitt entsprechend der Linie I-I der Fig. 2;
Fig. 4 eine ähnliche Darstellung wie Fig. 3, jedoch bei einer etwas abgewandelten
Ausführungsform;
Fig. 5 in Einzeldarstellung ein vereinzeltes Einfach-Substrat;
Fig. 6 und 7 ähnliche Darstellungen wie Fig. 2, jedoch bei weiteren Ausführungsformen;
Fig. 8 eine weitere Variante des erfindungsgemäßen Mehrfach-Substrates;
Fig. 9 und 10 in Teildarstellung und Draufsicht sowie im Teilschnitt eine weitere mögliche
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Mehrfach-Substrates.
Die Fig. 1-3 zeigen eine erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Mehrfach-Substrates.
Dieses Substrat ist unter Verwendung einer großformatigen, rechteckförmigen oder
quadratischen Keramikplatte oder Keramikschicht 1 hergestellt, deren Schichtdicke
beispielsweise im Bereich zwischen 0,2-1,5 mm liegt und die mit einer Vielzahl von
Durchbrüchen 2 versehen ist, welche bei der dargestellten Ausführungsform rechteckförmig
ausgebildet sind, und zwar mit ihren längeren Seiten parallel zu den Umfangsseiten 1′ und mit
ihren kürzeren Seiten parallel zu den Umfangsseiten 1′′ der Keramikschicht 1. Die
Durchbrüche 2 sind weiterhin in mehreren jeweils parallel zu den Umfangsseiten 1′ sich
erstreckenden Reihen R angeordnet. Die Keramikschicht 1 ist vorzugsweise eine
Aluminiumoxid-Keramik (Al₂O₃) oder eine Aluminiumnitrid-Keramik (AlN). Anstelle der
Keramikschicht 1 kann aber auch eine Schicht aus einem anderen, isolierenden Material mit
hoher Wärmeleitfähigkeit, beispielsweise eine Schicht aus Diamant verwendet sein.
Auf der Keramikschicht 1 ist eine Vielzahl von Einzel-Substraten 3 gebildet, und zwar jeweils
zwischen zwei in einer Reihe R aufeinanderfolgenden Durchbrüchen 2. Jedes Einzel-Substrat 3
besteht jeweils im wesentlichen aus dem zwischen diesen beiden Durchbrüchen 2 liegenden
Teilstück 4 der Keramikschicht 1, an welchem (Teilstück) an der Oberseite des Mehrfach-Substrates
bzw. der Keramikschicht 1 aus einer Metallisierung, beispielsweise aus einer
Kupferschicht 5 durch Strukturierung hergestellte streifenförmige Anschlußelemente 6
vorgesehen, die mit ihrer Längserstreckung in Richtung der Reihe R bzw. parallel zu den
Umfangsseiten 1′′ liegen, mit einer Teillänge auf der Oberseite der Keramikschicht bzw. auf
der Oberseite des Teiles 4 flächig befestigt sind und mit einer größeren Teillänge über den Rand
des Durchbruches 2 in diesen vorstehen. Zusätzlich zu den Anschlußelementen 6 weist jedes
Einzel-Substrat 3 an der Oberseite der Keramikschicht 1 noch Leiterbahnen sowie
Kontaktflächen 7 und 8 auf. Es versteht sich, daß an sich die Strukturierung bzw. das Layout
der Metallisierung an der Oberseite der Keramikschicht 1 für die Einzel-Substrate 3 auf dem
jeweiligen Anwendungsfall entsprechend anders als in den Fig. 1-3 dargestellt, ausgeführt
sein kann.
An der Unterseite des Mehrfach-Substrates ist im Bereich jedes Einzel-Substrates 3 auf die
Keramikschicht 1 bzw. auf den das Einzel-Substrat bildenden Teil 4 dieser Keramikschicht eine
Metallfläche 9 aufgebracht.
Zwischen den einzelnen Reihen R sind auf der Keramikschicht 1 durchgehende, sich parallel zu
den Umfangsseiten 1′′ erstreckende, das Mehrfach-Substrat stabilisierende Streifen 10 gebildet,
und zwar insbesondere dadurch, daß an diesen Streifen 10 die Keramikschicht 1 an ihrer Ober- und
an ihrer Unterseite jeweils mit einer streifenförmigen Metallfläche 11 versehen ist.
In jeder Reihe R sind weiterhin noch stabilisierende Bereiche 12 auf der Keramik gebildet, und
zwar dadurch, daß auf die Ober- und Unterseite der Keramikschicht 1 streifenförmige
Metallflächen 13 aufgebracht sind, die mit ihrer Längserstreckung parallel zu den
Umfangsseiten 1′ liegen und in jeder Reihe R mit ihren Enden deckungsgleich mit den parallel
zu den Umfangsseiten 1′′ verlaufenden Rändern der Durchbrüche 2 liegen.
Entlang der Umfangsseiten 1′ und 1′′ ist die Keramikschicht 1 weiterhin mit stabilisierenden
Randbereichen 14 (jeweils entlang der Umfangsseiten 1′) und 15 (jeweils der Umfangsseiten
1′′) versehen, die ebenfalls dadurch gebildet sind, daß die Keramikschicht dort an der Oberseite
und Unterseite mit einer streifenförmigen Metallschicht 16 (Randbereiche 14) bzw. 17 versehen
ist, wobei die Metallflächen 16 an der Oberseite und Unterseite ebenso wie die Metallflächen 17
an der Oberseite und Unterseite jeweils gleich groß sind und deckungsgleich liegen und bei der
dargestellten Ausführungsform sich die Metallflächen 16 entlang der beiden Umfangsseiten 1′
sich über die gesamte Länge dieser Umfangsseiten erstrecken, während die Metallflächen 17
zwischen den oberen und unteren Enden der Metallflächen 16 angeordnet sind und mit Abstand
von den Metallflächen 16 enden.
Mit 18-20 sind Sollbruchlinien bezeichnete die beispielsweise durch Laser-Ritzen oder mittels
einer anderen geeigneten Technik in der Keramikschicht 1 erzeugt sind und die nach
Fertigstellen der Einzel-Substrate 3 oder nach Abschluß von anderen Bearbeitungsschritten,
beispielsweise nach einer Bestückung der Einzelsubstrate 3 mit elektrischen Bauteilen usw. ein
Trennen des Mehrfach-Substrates in die Einzel-Substrate durch Brechen ermöglichen.
Die mit 18 bezeichneten Sollbruchlinien verlaufen entlang der Randbereiche 14 und 15, d. h.
diese Sollbruchlinien definieren die Randbereiche, wobei bei der dargestellten
Ausführungsform die Sollbruchlinien 18 parallel zu den Umfangsseiten 1′ von der der Fig. 1
oberen Umfangsseite 1′′ bis an die in dieser Figur untere Umfangsseite 1′′ reichen und sich die
Sollbruchlinien 19 parallel zu den Umfangsseiten 1′′ jeweils an der Sollbruchlinie 18 enden.
Die Sollbruchlinien 20 verlaufen bei der gezeigten Ausführungsform parallel zu den
Umfangsseiten 1′′, wobei jeder Reihe R zwei derartige Sollbruchlinien 20 zugeordnet ist und
diese Sollbruchlinien 20 exakt an dem parallel zu den Umfangsseiten 1′′ liegenden Rändern der
Durchbrüche 2 verlaufen.
Das für die Anschlußelemente 6, Leiterbahnen 7, Kontaktflächen 8, sowie die Metallflächen 9,
11, 13, 16 und 17 verwendete Material, beispielsweise Kupfer oder Kupferlegierung besitzt eine
Schichtdicke, die im Bereich zwischen 0,1 und 0,5 mm liegt, wobei die Verbindung zwischen
Keramik und Metall mit Hilfe einer dem Fachmann bekannten Technik hergestellt ist,
beispielsweise mittels des DCB- oder AMB-Verfahrens.
Mit der beschriebenen Ausbildung weist das Mehrfach-Substrat eine ausreichende Festigkeit
auf, die bei der üblichen Handhabung (beispielsweise beim Strukturieren der Anschlußelemente
6, Leiterbahnen 7, Kontaktflächen 8 und/oder beim Bestücken usw.) ein unerwünschtes
Zerbrechen des Mehrfach-Substrates in die Einzel-Substrate 3 wirksam verhindert.
Ein besonderer Vorteil besteht darin, daß die Einzel-Substrate 3 über ihre elektrisch isolierende
Schicht (Teilstück 4) seitlich wegstehende Anschlußelemente 6 aufweisen, so daß hierdurch
sowohl beim Hersteller des Mehrfach-Substrates und ggf. der Einzel-Substrate 3, als auch beim
Weiterverarbeiter des Mehrfach-Substrates oder der Einzel-Substrate 3 Kosten gesenkt werden
können. So entfallen durch die überstehenden Anschlußelemente 6 beispielsweise beim
Weiterverarbeiter Kosten für das Anbringen (z. B. Anlöten) äußerer Anschlußelemente.
Weiterhin läßt sich durch die überstehenden Anschlußelemente 6 auch die verfügbare Fläche
auf der Keramik-Teilschicht (Teilstück 4) jedes Einzel-Substrates 3 vergrößern, da
beispielsweise zum Anlöten von Anschlußelementen erforderliche Kontakt- oder Lötflächen
entfallen.
Die Herstellung des Mehrfach-Substrates 1 erfolgt beispielsweise in mehreren Schritten
dadurch, daß zunächst auf die mit den Durchbrüchen 2 versehene Keramikschicht 1 auf der
Unterseite des Substrates eine Metallschicht, beispielsweise eine Kupferschicht 21 mit Hilfe der
bekannten DCB-Technik flächig aufgebracht wird. Aus dieser Kupferschicht werden dann
durch Ätztechnik oder mit einem anderen, bekannten Strukturierverfahren die an der Unterseite
des Mehrfach-Substrates vorgesehenen Metallflächen 9, 11, 13, 16 und 17 erzeugt.
Im Anschluß daran wird auf die Oberseite der Keramikschicht 1 ebenfalls eine Metallschicht,
beispielsweise Kupferschicht aufgebracht, die dann ebenfalls mittels einer geeigneten und
bekannten Technik zur Erzeugung der Anschlußelemente 6, Leiterbahnen 7, Kontaktflächen 8,
Metallflächen 11, 13, 16, 17 strukturiert wird.
Die Fig. 4 zeigt eine Abwandlung des Mehrfach-Substrates der Fig. 1-3, bei der die
überstehenden Anschlußelemente 6 bei den Einzelsubstraten 3a S-förmig derart umgebogen
sind, daß sie mit ihren freien Enden in einer gemeinsamen Ebene mit der Unterseite der
Metallflächen 9 liegen.
Fig. 5 zeigt nochmals in Einzeldarstellung das Einzel-Substrat 3 bzw. 3a nach dem Vereinzeln,
d. h. nach dem Zertrennen des Mehrfach-Substrates.
Fig. 6 zeigt in vergrößerter Teildarstellung einen Bereich eines Mehrfach-Substrates, welches
sich von dem Mehrfach-Substrat der Fig. 1 im wesentlichen dadurch unterscheidet, daß mit
Ausnahme des ersten und letzten Durchbruchs 2 in jeder Reihe R beidseitig von jedem
Durchbruch zwei Einzel-Substrate 3b gebildet und derart vorgesehen sind, daß die
Anschlußelemente 6 der beiden Einzel-Substrate 3b, die in einen gemeinsamen Durchbruch 2
vorstehen, in Richtung der Umfangsseiten 1′, d. h. quer zur jeweiligen Reihe R versetzt sind.
Dementsprechend sind auch die in der Reihe R aufeinanderfolgenden Einzel-Substrate 3b
jeweils versetzt. Um beim Zertrennen des Mehrfach-Substrates gleiche Einzel-Substrate 3b zu
erhalten, sind zusätzliche Sollbruchlinien 20′ vorgesehen, an denen nach dem Trennen an den
Sollbruchlinien 20 an jedem Einzel-Substrat 3b noch der durch den Versatz bedingte Abschnitt
des jedem Einzel-Substrat 3b zugeordneten Teil des 4b der Keramikschicht abgetrennt werden
kann.
Das Mehrfach-Substrat der Fig. 6 gestattet eine höhere Ausbeute, d. h. dieses Mehrfach-Substrat
enthält auf gleicher Fläche eine größere Anzahl von Einzel-Substraten 3b, wobei die Funktion
der stabilisierenden Bereiche 12 jeweils von den Einzel-Substraten 3b bzw. deren
Metallisierungen (insbesondere Leiterbahnen 7, Kontaktflächen 8 und Metallflächen 9)
übernommen wird.
Fig. 7 zeigt eine aus drei Einzel-Substraten 3c bestehende Einheit 22. Diese Einheit 22 ist in
einem Mehrfach-Substrat beispielsweise in gleicher Weise gebildet, wie dies vorstehend für die
Einzel-Substrate 3a und 3b beschrieben wurde, d. h. anstelle dieser Einzel-Substrate befindet
sich dann im Mehrfach-Substrat die Einheit 22 mit den zusätzlichen Sollbruchlinien 21′
zwischen den Einzel-Substraten 3c.
Fig. 8 zeigt schließlich als weitere mögliche Ausführungsform der Erfindung ein Mehrfach-Substrat,
welches aus einer rechteckförmigen Keramikschicht 23 mit zwei längeren
Umfangsseiten 23′ und zwei kürzeren Umfangsseiten 23′′ besteht. Entlang der kürzeren
Umfangsseiten 23′′ ist jeweils ein stabilisierender Umfangsbereich gebildet, und zwar dadurch,
daß an der Ober- und Unterseite der Keramikschicht jeweils eine streifenförmige Metallfläche
24 aufgebracht ist, die sich über die gesamte Länge der Umfangsseite 23′′ erstreckt.
Entlang der beiden Umfangsseiten 23′ sind aufeinanderfolgend mehrere Einzel-Substrate 25
gebildet, die jeweils aus einem jedem Einzel-Substrat 25 zugeordneten und bei der dargestellten
Ausführungsform quadratischen Teilstück 26 der Keramikschicht 23, aus einer an der Oberseite
des Mehrfach-Substrates vorgesehenen Metallschicht 27 sowie aus Anschlußelementen 28
bestehen, die mit ihrer Längserstreckung parallel zu den Umfangsseiten 23′′ liegen und mit
dem größeren Teil ihrer Länge über die jeweilige Umfangsseite 23′ wegstehen.
An der Unterseite des Mehrfach-Substrates ist jedes Einzel-Substrat 25 vorzugsweise ebenfalls
mit einer Metallfläche versehen.
Zwischen den Einzel-Substraten 25 an den beiden Umfangsseiten 23′ bildet die Keramikschicht
23 einen stabilisierenden Bereich 29, der beispielsweise ebenfalls an der Oberseite und
Unterseite der Keramikschicht mit einer Metallfläche versehen ist, die mit Abstand von den
Einzel-Substraten 25 bzw. den dortigen Metallisierungen sowie auch mit Abstand von den
Metallflächen der verstärkten Umfangsbereiche 24 endet.
Zum Zerbrechen des Mehrfach-Substrates in die Einzel-Substrate 25 dienen wiederum
Sollbruchlinien 31-34, und zwar die beiden die Umfangsbereiche 24 definieren und parallel zu
den Umfangsseiten 23′′ verlaufenden Sollbruchlinien 31, die im Bereich 29 definierenden und
diesen Bereich gegenüber den Einzel-Substraten 25 abgrenzenden und parallel zu den
Umfangsseiten 23′ verlaufenden Sollbruchlinien sowie die senkrecht zu den Umfangsseiten 23′
verlaufenden Sollbruchlinien zwischen den Einzel-Substraten 25.
Die Anschlußelemente 28 sowie sämtliche Metallflächen sind beispielsweise wiederum dadurch
hergestellt, daß die Keramikschicht 23 beidseitig mit einer Metallfläche versehen wird, und
dabei an der Oberseite mit einer über die Umfangsseiten 23′ vorstehenden Metallflächen, z. B.
Kupferschicht unter Verwendung bekannter Techniken, z. B. des DCB-Verfahrens.
Anschließend erfolgt mit einer ebenfalls bekannten Technik (z. B. Ätztechnik) die
Strukturierung der beiden Metallschichten.
Die Fig. 9 und 10 zeigen in Teildarstellung und in Draufsicht sowie im Schnitt eine weitere
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Mehrfach-Substrates, welches sich von dem
Mehrfach-Substrat der Fig. 6 im wesentlichen nur dadurch unterscheidet, daß die
Einzelsubstrate 3d nicht versetzt vorgesehene sind und die die Anschlußelemente 6a dieser
Substrate bildenden streifenförmigen Metallisierungen die jeweilige Durchbrechung 2
überbrücken. Das Mehrfach-Substrat wird in der oben in Zusammenhang mit den Fig. 1-7
beschriebenen Weise durch Brechen der Keramikschicht 1 entlang der Sollbruchlinien 18-20
getrennt. Nach diesem Trennen werden Streifen erhalten, in denen mehrere Einzelsubstrate 3d
über die die Anschlußelemente 6a bildenden Metallisierungen noch miteinander verbunden
sind. Im Anschluß erfolgt dann mechanisch, beispielsweise durch einen Stanzvorgang das
Durchtrennen dieser Metallisierungen.
Die Schichtdicke der Keramikschicht liegt bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen
vorzugsweise im Bereich zwischen 0,2-1,5 mm. Die Schichtdicke der Metallflächen
vorzugsweise im Bereich zwischen 0,1 und 0,5 mm.
Die stabilisierenden streifenförmigen Bereiche besitzen jeweils eine Breite von mindestens 2
mm, maximal eine Breite von etwa 20 mm.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen beschrieben. Es versteht sich, daß
Änderungen sowie Abwandlungen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung
zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird. So ist es beispielsweise möglich, daß
insbesondere die Sollbruchlinien 18-20 sowie 31-34 auch leicht schräg zu den Umfangsseiten
der jeweiligen Keramikschicht verlaufen. Weiterhin ist es möglich, auf die Metallisierungen der
stabilisierenden Bereiche ganz oder teilweise zu verzichten, und zwar insbesondere dann, wenn
die jeweilige Keramikschicht 1 bzw. 23 eine ausreichende mechanische Festigkeit besitzt.
Weiterhin ist es auch möglich, daß auch die stabilisierenden Bereiche mit ihren
Metallisierungen als Einzelsubstrate genutzt werden, wobei dann bevorzugt die dortigen
Metallisierungen ein entsprechendes Layout aufweisen.
Bezugszeichenliste
1 Keramikschicht
2 Durchbrechung
3, 3a, Einzel-Substrat
3b, 3c, 3d Einzel-Substrat
4, 4b Teilstück
5 Kupferschicht
6, 6a Anschlußelement
7 Leiterbahn
8 Kontaktfläche
9 Metallfläche
10 stabilisierender Bereich
11 Metallfläche
12 stabilisierender Bereich
13 Metallfläche
14, 15 stabilisierender Randbereich
16, 17 Metallfläche
18-20 Sollbruchlinie
20′ Sollbruchlinie
21 Kupferschicht
23 Keramikschicht
24 stabilisierender Umfangsbereich
25 Einzel-Substrat
26 Teilstück
27 Metallschicht
28 Anschlußelement
29 stabilisierender Bereich
30 Metallschicht
31-34 Sollbruchlinie
2 Durchbrechung
3, 3a, Einzel-Substrat
3b, 3c, 3d Einzel-Substrat
4, 4b Teilstück
5 Kupferschicht
6, 6a Anschlußelement
7 Leiterbahn
8 Kontaktfläche
9 Metallfläche
10 stabilisierender Bereich
11 Metallfläche
12 stabilisierender Bereich
13 Metallfläche
14, 15 stabilisierender Randbereich
16, 17 Metallfläche
18-20 Sollbruchlinie
20′ Sollbruchlinie
21 Kupferschicht
23 Keramikschicht
24 stabilisierender Umfangsbereich
25 Einzel-Substrat
26 Teilstück
27 Metallschicht
28 Anschlußelement
29 stabilisierender Bereich
30 Metallschicht
31-34 Sollbruchlinie
Claims (25)
1. Mehrfach-Substrat bestehend aus einer großflächigen isolierenden Basis-Schicht (1), auf
der jeweils durch Sollbruchlinien (18-20) in der Basis-Schicht (1) definiert eine Vielzahl
von Einzel-Substraten (3, 3a, 3b) für elektrische Schaltkreise gebildet sind, und zwar
bestehend jeweils aus einem Teilstück (4, 4b) der Basis-Schicht sowie aus jeweils
wenigstens einer zumindest an einer Oberflächenseite des jeweiligen Teilstückes (4, 4b)
vorgesehenen Metallisierung (6, 7, 8, 9), und auf der das Mehrfach-Substrat insbesondere
gegen ein ungewolltes Brechen stabilisierenden Bereiche (12, 13, 14, 15) vorgesehen sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Schicht (1) eine Vielzahl von Durchbrüchen (2)
aufweist, daß wenigstens eine Randlinie des Teilstückes (4, 4b) jedes Einzel-Substrates (3,
3a, 3b) jeweils von dem Rand einer Durchbrechung (2) gebildet ist, und daß wenigstens
eine Metallisierung (6) jedes Einzel-Substrates über diesen Rand in den Bereich der
Durchbrechung (2) vorsteht.
2. Mehrfach-Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in die
Durchbrechung (2) vorstehende Metallisierung jedes Einzel-Substrates (3, 3a, 3b)
wenigstens ein Anschlußelement (6) bildet.
3. Mehrfach-Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß beidseitig von
dem Teilstück (4, 4b) jedes Einzel-Substrates (3, 3a, 3b) jeweils eine Durchbrechung (2)
vorgesehen ist.
4. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Durchbrechungen (2) in wenigstens einer Reihe (R) an der isolierenden Schicht (1)
vorgesehen sind, und daß jeweils zwei Durchbrechungen (2) einem Einzel-Substrat (3, 3a)
zugeordnet sind, und daß in der Reihe der Durchbrechungen (2) jeweils nach wenigstens
zwei Durchbrechungen (2) ein stabilisierender Bereich (12) folgt.
5. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Durchbrechungen (2) in wenigstens einer Reihe aufeinanderfolgend in der Basis-Schicht
(1) gebildet sind, und daß beidseitig von jeder Durchbrechung, allenfalls ausgenommen die
erste und letzte Durchbrechung (2) in der Reihe (R) ein Einzel-Substrat (1b) gebildet ist.
6. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-5, gekennzeichnet durch stabilisierende
Randbereiche (14, 15) entlang wenigstens einer Umfangsseite (1′, 1′′) der Basis-Schicht
(1).
7. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Durchbrechungen (2) und die Einzel-Substrate (3, 3a, 3b) in mehreren Reihen (R) an der
isolierenden Schicht (1) gebildet sind, wobei jede Reihe (R) wenigstens zwei Einzel-Substrate
(3, 3a, 3b) aufweist, und daß zwischen benachbarten Reihen jeweils ein
stabilisierender streifenförmiger Bereich (10) vorgesehen ist.
8. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis-Schicht eine Dicke von etwa von 0,2-1,5 mm aufweist.
9. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schichtdicke der Metallisierungen etwa zwischen 0,1-0,5 mm beträgt.
10. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die
Durchbrechungen (2) einen quadratischen oder rechteckförmigen Querschnitt aufweisen.
11. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis-Schicht eine Keramikschicht, beispielsweise eine Aluminiumoxid- oder
Aluminiumnitrid-Keramik ist.
12. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-11, dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis-Schicht zumindest teilweise aus Diamant besteht.
13. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnet, daß die
Metallisierungen von einer Kupferschicht (5, 21), vorzugsweise von einer strukturierten
und/oder oberflächenbehandelten Kupferschicht gebildet sind.
14. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 1-13, dadurch gekennzeichnet, daß die
Metallisierungen jeweils großflächig mit der Basis-Schicht beispielsweise durch DCB-Technik
oder durch Aktiv-Lötverfahren.
15. Mehrfach-Substrat bestehend aus einer großflächigen isolierenden Basis-Schicht (1), auf
der jeweils durch Sollbruchlinien (31-34) in der Basis-Schicht (1) definiert eine Vielzahl
von Einzel-Substraten (25) für elektrische Schaltkreise gebildet sind, und zwar bestehend
jeweils aus einem Teilstück (26) der Basis-Schicht sowie aus jeweils wenigstens einer
zumindest an einer Oberflächenseite des jeweiligen Teilstückes (26) vorgesehenen
Metallisierung (27, 28), und auf der das Mehrfach-Substrat insbesondere gegen ein
ungewolltes Brechen stabilisierenden Bereiche (24, 29) vorgesehen sind, dadurch
gekennzeichnet, daß entlang wenigstens zweier Umfangsseiten (23′) der Basis-Schicht
(23) mehrere Einzel-Substrate (25) gebildet sind, und daß jedes Einzel-Substrat (25) an
dem ihm zugeordneten Teilstück (26) der Basis-Schicht (23) wenigstens eine über die
Umfangsseite (23′) wegstehende Metallisierung (28) aufweist.
16. Mehrfachsubstrat nach Anspruch 15, gekennzeichnet durch einen stabilisierenden Bereich
(29) in der Mitte der Basis-Schicht (23).
17. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15 oder 16, gekennzeichnet durch
stabilisierende Randbereiche (24) entlang wenigstens einer Umfangsseite (23′′) der Basis-Schicht
(1).
18. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15-17, dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis-Schicht eine Dicke von etwa von 0,2-1,5 mm aufweist.
19. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15-18, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schichtdicke der Metallisierungen etwa zwischen 0,1-0,5 mm beträgt.
20. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15-19, dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis-Schicht eine Keramikschicht, beispielsweise eine Aluminiumoxid- oder
Aluminiumnitrid-Keramik ist.
21. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15-20, dadurch gekennzeichnet, daß die
Basis-Schicht zumindest teilweise aus Diamant besteht.
22. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15-21, dadurch gekennzeichnet, daß die
Metallisierungen von einer Kupferschicht (5, 21), vorzugsweise von einer strukturierten
und/oder oberflächenbehandelten Kupferschicht gebildet sind.
23. Mehrfach-Substrat nach einem der Ansprüche 15-22, dadurch gekennzeichnet, daß die
Metallisierungen jeweils großflächig mit der Basis-Schicht beispielsweise durch DCB-Technik
oder durch Aktiv-Lötverfähren.
24. Mehrfach-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die stabilisierenden Bereiche (10, 29) ebenfalls als verwendbare Einzelsubstrate
ausgebildet sind.
25. Mehrfach-Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens eine Metallisierung (6a) jedes Einzelsubstrates die Durchbrechung (2)
überbrückt.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19504378A DE19504378A1 (de) | 1995-02-09 | 1995-02-10 | Mehrfach-Substrat |
| US08/599,234 US5721044A (en) | 1995-02-09 | 1996-02-09 | Multiple substrate |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19504187 | 1995-02-09 | ||
| DE19504378A DE19504378A1 (de) | 1995-02-09 | 1995-02-10 | Mehrfach-Substrat |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19504378A1 true DE19504378A1 (de) | 1996-08-14 |
Family
ID=7753496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19504378A Withdrawn DE19504378A1 (de) | 1995-02-09 | 1995-02-10 | Mehrfach-Substrat |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19504378A1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3211666A1 (de) | 2016-02-26 | 2017-08-30 | Infineon Technologies AG | Mehrfachsubstrat |
| EP3217428A1 (de) | 2016-03-07 | 2017-09-13 | Infineon Technologies AG | Substrat und mehrere dieser umfassendes mehrfachsubstrat sowie verfahren zu dessen herstellung |
| EP3361839A1 (de) | 2017-02-14 | 2018-08-15 | Infineon Technologies AG | Mehrfachsubstrat und verfahren zu dessen herstellung |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE8711851U1 (de) * | 1987-09-02 | 1987-10-15 | Deutsche Fernsprecher Gesellschaft Mbh Marburg, 3550 Marburg | Schaltungsplatine |
| DE4319944A1 (de) * | 1993-06-03 | 1994-12-08 | Schulz Harder Juergen | Mehrfach-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5382758A (en) * | 1993-02-11 | 1995-01-17 | General Electric Company | Diamond substrates having metallized vias |
-
1995
- 1995-02-10 DE DE19504378A patent/DE19504378A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE8711851U1 (de) * | 1987-09-02 | 1987-10-15 | Deutsche Fernsprecher Gesellschaft Mbh Marburg, 3550 Marburg | Schaltungsplatine |
| US5382758A (en) * | 1993-02-11 | 1995-01-17 | General Electric Company | Diamond substrates having metallized vias |
| DE4319944A1 (de) * | 1993-06-03 | 1994-12-08 | Schulz Harder Juergen | Mehrfach-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JP 3-196592 (A). In Patent Abstracts of Japan, E-1136, 21. November 1991, Bd. 15/Nr. 459 * |
| JP 3-80590 (A). In Patent Abstracts of Japan, E-1082, 26. Juni 1993, Bd. 15/Nr. 250 * |
| JP 4-139789 (A). In Patent Abstracts of Japan, E-1257, 2. September 1992, Bd. 16/Nr. 415 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3211666A1 (de) | 2016-02-26 | 2017-08-30 | Infineon Technologies AG | Mehrfachsubstrat |
| EP3217428A1 (de) | 2016-03-07 | 2017-09-13 | Infineon Technologies AG | Substrat und mehrere dieser umfassendes mehrfachsubstrat sowie verfahren zu dessen herstellung |
| US10206279B2 (en) | 2016-03-07 | 2019-02-12 | Infineon Technologies Ag | Substrate and multiple substrate, and method for producing thereof |
| EP3361839A1 (de) | 2017-02-14 | 2018-08-15 | Infineon Technologies AG | Mehrfachsubstrat und verfahren zu dessen herstellung |
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