DE112022001601T5

DE112022001601T5 - Halbleiterbauteil und herstellungsverfahren für das halbleiterbauteil

Info

Publication number: DE112022001601T5
Application number: DE112022001601.9T
Authority: DE
Inventors: Koshun SAITO
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2021-04-19
Filing date: 2022-04-04
Publication date: 2024-01-11
Also published as: CN117121191A; WO2022224811A1; US20230395451A1; JPWO2022224811A1

Abstract

Ein Halbleiterbauteil weist einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss, einen dritten Anschluss, ein Halbleiterelement, ein Dichtungsharz und eine Beschichtungsschicht auf. Das Dichtungsharz hat eine untere Fläche und eine äußere Seitenfläche. Die untere Fläche des Dichtungsharzes ist mit einer Aussparung versehen, die eine innere Seitenfläche aufweist. Der zweite Anschluss enthält eine Rückfläche, die an der unteren Fläche freiliegt, und eine Seitenfläche, die an der äußeren Seitenfläche freiliegt. Die Beschichtungsschicht weist ein Metallelement auf und bedeckt die Rückfläche und die Seitenfläche. Die Aussparung befindet sich zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss. Der zweite Anschluss und mindestens einer des ersten und des dritten Anschlusses haben innere Endflächen, die an der inneren Seitenfläche freiliegen.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils.
HINTERGRUND
Das Patentdokument 1 offenbart ein Beispiel für ein Halbleiterbauteil. Das Halbleiterbauteil weist einen säulenförmigen Leiter auf, der elektrisch mit einem Halbleiterelement verbunden ist. Der säulenförmige Leiter hat eine rückseitig freiliegende Oberfläche und eine seitlich freiliegende Oberfläche, die von einem Dichtungsharz freigelegt sind. Das Halbleiterbauteil weist ferner eine externe Elektrode auf, die die rückseitig freiliegende Oberfläche und die seitlich freiliegende Oberfläche bedeckt. Wenn das Halbleiterbauteil mit einer solchen Konfiguration auf einer Verdrahtungsplatte montiert wird, steigt Lötmittel auf den Abschnitt der externen Elektrode auf, der die seitlich freiliegende Oberfläche bedeckt. Somit kann der Zustand des Bondings des Halbleiterbauteils mit der Verdrahtungsplatte leicht visuell überprüft werden.
Die Bildung der externen Elektrode des Halbleiterbauteils, das im Patentdokument 1 offenbart ist, erfordert den Schritt der Freilegung der seitlich freiliegenden Oberfläche des säulenförmigen Leiters vom Dichtungsharz. Dies kann die Herstellungseffizienz des Halbleiterbauteils verringern. Da die externe Elektrode ferner durch stromloses Beschichten gebildet wird, dauert die Abscheidung der Metallschicht, die die externe Elektrode wird, relativ lange. Dies kann die Herstellungseffizienz des Halbleiterbauteils weiter verringern.
DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
Patentdokument
Patentdokument 1: JP-A-2020-27850
KURZZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst werden soll
In Anbetracht der obigen Umstände besteht eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung darin, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das so konfiguriert ist, dass es effizient eine Beschichtungsschicht bildet, die die Rückfläche und die Seitenfläche eines Anschlusses bedeckt, die vom Dichtungsharz freigelegt sind, und auch ein Herstellungsverfahren für ein solches Halbleiterbauteil bereitzustellen.
Mittel zur Lösung des Problems
Ein Halbleiterbauteil, das gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist einen ersten Anschluss auf; einen zweiten Anschluss, der neben dem ersten Anschluss in einer Richtung orthogonal zu einer Dickenrichtung des ersten Anschlusses angeordnet ist; einen dritten Anschluss, der neben dem zweiten Anschluss in der Richtung orthogonal zu der Dickenrichtung angeordnet ist; ein erstes Halbleiterelement, das auf dem ersten Anschluss angebracht und elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; ein Dichtungsharz, das jeweils einen Teil des ersten Anschlusses, des zweiten Anschlusses und des dritten Anschlusses sowie das erste Halbleiterelement bedeckt; und eine Beschichtungsschicht, die ein Metallelement aufweist. Das Dichtungsharz weist eine untere Fläche auf, die in die Dickenrichtung weist, und eine äußere Seitenfläche, die mit der unteren Fläche verbunden ist und von dem Dichtungsharz in der zur Dickenrichtung orthogonalen Richtung nach außen weist. Das Dichtungsharz ist mit einer Aussparung versehen, die von der unteren Fläche zurückgesetzt ist. Die Aussparung weist eine innere Seitenfläche auf, die mit der unteren Fläche verbunden ist und in dem Dichtungsharz in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung nach innen weist. Der zweite Anschluss weist eine Rückfläche auf, die an der unteren Fläche freiliegt, und eine Seitenfläche, die mit der Rückfläche verbunden ist und an der äußeren Seitenfläche freiliegt. Die Beschichtungsschicht bedeckt die Rückfläche und die Seitenfläche. Die Aussparung befindet sich zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss. Der zweite Anschluss und mindestens einer von dem ersten Anschluss und dem dritten Anschluss weisen innere Endflächen auf, die an der inneren Seitenfläche freiliegen.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, das gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, weist die folgenden Schritte auf: Montieren eines Halbleiterelements an einem einer Vielzahl von Anschlüssen, die jeweils eine Rückfläche und eine mit der Rückfläche verbundene Seitenfläche aufweisen; und Bilden eines Dichtungsharzes, das einen Teil jedes der Vielzahl von Anschlüssen und das Halbleiterelement bedeckt. Der Schritt des Bildens des Dichtungsharzes weist das Freilegen der Rückfläche und der Seitenfläche von mindestens einem der Vielzahl von Anschlüssen von dem Dichtungsharz auf. Mindestens zwei der Vielzahl von Anschlüssen mit einem Verbindungsstreifen, der die gleiche Zusammensetzung wie die Vielzahl von Anschlüssen aufweist, sind bzw. werden miteinander verbunden. Das Verfahren weist ferner die folgenden Schritte auf: nach dem Schritt des Bildens des Dichtungsharzes, Bilden einer Beschichtungsschicht durch elektrolytisches Plattieren („electrolytic plating“), die die Rückfläche und die Seitenfläche, die von dem Dichtungsharz freigelegt sind, bedeckt und ein Metallelement enthält; und nach dem Schritt des Bildens der Beschichtungsschicht, Schneiden des Verbindungsstreifens durch Entfernen eines Teils des Dichtungsharzes von einer Seite, auf der die Rückfläche freigelegt ist.
Vorteile der Erfindung
Mit der Anordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Beschichtungsschicht, die die Rückfläche und die Seitenfläche eines Anschlusses bedeckt, die von dem Dichtungsharz freigelegt sind, effizient gebildet werden.
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
2 ist eine Draufsicht auf das in 1 dargestellte Halbleiterbauteil, gesehen durch ein Dichtungsharz.
3 ist eine Ansicht von unten auf das in 1 dargestellte Halbleiterbauteil.
4 ist eine rechte Seitenansicht des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
5 ist eine linke Seitenansicht des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
6 ist eine Rückansicht des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII in 2.
8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VIII-VIII in 2.
9 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IX-IX in 2.
10 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 7.
11 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von 9.
12 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
13 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
14 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
15 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
16 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
17 ist eine Ansicht von unten zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
18 ist eine vergrößerte Teil-Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
19 ist eine vergrößerte Teil-Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
20 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
21 ist eine vergrößerte Teil-Schnittansicht einer ersten Variante des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
22 ist eine vergrößerte Teil-Schnittansicht einer zweiten Variante des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
23 ist eine vergrößerte Teil-Schnittansicht einer dritten Variante des in 1 dargestellten Halbleiterbauteils.
24 ist eine vergrößerte Teil-Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 23 dargestellten Halbleiterbauteils.
25 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, gesehen durch ein Dichtungsharz.
26 ist eine Ansicht von unten auf das in 25 dargestellten Halbleiterbauteil.
27 ist eine rechte Seitenansicht des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
28 ist eine Rückansicht des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
29 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XXIX-XXIX in 25.
ist eine vergrößerte Teilansicht von .
31 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
32 ist eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
33 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
34 ist eine Ansicht von unten zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
35 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
36 ist eine Ansicht von unten zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
37 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Herstellungsschritts des in 25 dargestellten Halbleiterbauteils.
38 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, gesehen durch ein Dichtungsharz.
39 ist eine Ansicht von unten auf das in 38 gezeigte Halbleiterbauteil.
40 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XL-XL in 38.
41 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLI-XLI in 38.
ist eine Schnittansicht entlang der Linie XLII-XLII in 38.
ist eine vergrößerte Teil-Ansicht von 40.
44 ist eine Draufsicht auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, gesehen durch ein Dichtungsharz.
45 ist eine Ansicht von unten auf das in 44 dargestellte Halbleiterbauteil.
46 ist eine Ansicht von unten auf ein Halbleiterbauteil gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
47 ist eine Schnittansicht des in 46 dargestellten Halbleiterbauteils.
48 ist eine Schnittansicht des in 46 dargestellten Halbleiterbauteils.
49 ist eine vergrößerte Teil-Ansicht von 48.

MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
Ein Halbleiterbauteil A10 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden anhand der 1 bis 11 beschrieben. Das Halbleiterbauteil A10 ist für die Oberflächenmontage auf einer Verdrahtungsplatte vorgesehen. Das Halbleiterbauteil A10 umfasst eine Vielzahl von Anschlüssen 10, eine Vielzahl von Halbleiterelementen 20, eine Vielzahl von leitenden Elementen 30, ein Dichtungsharz 40 und eine Beschichtungsschicht 50. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 transparent und in 2 durch imaginäre Linien (Zweipunkt-Kettenlinien) dargestellt.
In der Beschreibung des Halbleiterbauteils A10 wird die Dickenrichtung der Vielzahl von Anschlüssen 10 (und somit jedes einzelnen Anschlusses 10) als „Dickenrichtung z“ definiert. Eine Richtung, die orthogonal zur Dickenrichtung z verläuft, wird als „erste Richtung x“ bezeichnet. Die Richtung, die orthogonal zur Dickenrichtung z und zur ersten Richtung x verläuft, wird als „zweite Richtung y“ bezeichnet. Das Halbleiterbauteil A10 ist in der Dickenrichtung z gesehen rechteckig.
Wie in 2 gezeigt, sind die Halbleiterelemente 20 auf den Anschlüssen 10 montiert, und die Anschlüsse 10 bilden Teile der Leitungspfade zwischen der Verdrahtungsplatte, auf der das Halbleiterbauteil A10 montiert ist, und den Halbleiterelementen 20. Die Anschlüsse 10 werden aus einem gemeinsamen Anschlussrahmen gebildet. Daher haben alle Anschlüsse 10 die gleiche Zusammensetzung. Die Zusammensetzung der Anschlüsse 10 schließt Kupfer (Cu) mit ein. (Das heißt, jeder Anschluss 10 enthält Kupfer.) Die Vielzahl der Anschlüsse 10 umfasst einen ersten Anschluss 101, einen zweiten Anschluss 102, einen dritten Anschluss 103 und einen vierten Anschluss 104.
Wie in 2 gezeigt, befindet sich der zweite Anschluss 102 neben dem ersten Anschluss 101 in der ersten Richtung x. Der dritte Anschluss 103 befindet sich neben dem zweiten Anschluss 102 in der zweiten Richtung y. Der vierte Anschluss 104 befindet sich neben dem dritten Anschluss 103 in der ersten Richtung x und neben dem ersten Anschluss 101 in der zweiten Richtung y.
Wie in den 2, 3, 7 und 9 gezeigt, haben der zweite Anschluss 102 und der dritte Anschluss 103 jeweils eine Vorderfläche 112, zwei Rückflächen 122, zwei Seitenflächen 13, eine erste äußere Endfläche 141, eine innere Endfläche 15, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17 („eave portion“), einen äußeren Vorsprung 18 und einen inneren Vorsprung 19.
Wie in den 7 und 9 gezeigt, weisen die Vorderflächen 112 in die Dickenrichtung z. Die Vorderflächen 112 sind mit dem Dichtungsharz 40 bedeckt. Die beiden Rückflächen 122 weisen in Dickenrichtung z von den Vorderflächen 112 weg. Die beiden Vorderflächen 112 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Die beiden Rückflächen 122 sind gegenüber dem Dichtungsharz 40 exponiert. Wie in den 3 und 7 gezeigt, sind die beiden Seitenflächen 13 jeweils mit den beiden Rückflächen 122 verbunden und weisen in die erste Richtung x. Die beiden Seitenflächen 13 sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt.
Wie in den 2, 3, 6 und 9 gezeigt, weist die erste äußere Endfläche 141 von dem Dichtungsharz 40 in die zweite Richtung y nach außen. Die erste äußere Endfläche 141 ist von dem Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Fläche der ersten äußeren Endfläche 141 ist kleiner als die Fläche jeder der beiden Seitenflächen 13. Die erste äußere Endfläche 141 ist mit der Vorderfläche 112 verbunden und von den beiden Rückflächen 122 beabstandet.
Wie in den 2, 3 und 11 gezeigt, weist die innere Endfläche 15 in der zweiten Richtung y nach innen in das Dichtungsharz 40. Die innere Endfläche 15 ist vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Fläche der inneren Endfläche 15 ist kleiner als die Fläche jeder der beiden Seitenflächen 13. Die innere Endfläche 15 ist mit der Vorderfläche 112 verbunden und von den beiden Rückflächen 122 und den beiden Seitenflächen 13 beabstandet.
Wie in den 2, 3, 7 und 9 gezeigt, ist die innere Umfangsfläche 16 mit den beiden Rückflächen 122 verbunden und weist in die Richtungen orthogonal zur Dickenrichtung z. Die innere Umfangsfläche 16 ist mit dem Dichtungsharz 40 bedeckt.
Wie in den 2, 3, 7 und 9 gezeigt, ragt der Traufabschnitt 17 von der inneren Umfangsfläche 16 in den Richtungen orthogonal zur Dickenrichtung z vor. Der Traufabschnitt 17 weist die Vorderfläche 112 auf. Der Traufabschnitt 17 hat eine überstehende Fläche 171, die von der Vorderfläche 112 in der Dickenrichtung z weg weist. Die überstehende Fläche 171 ist mit der inneren Umfangsfläche 16 verbunden und liegt in Dickenrichtung z zwischen der Vorderfläche 112 und den beiden Rückflächen 122. Der Traufabschnitt 17 ist mit dem Dichtungsharz 40 bedeckt.
Wie in den 2, 3 und 9 gezeigt, ragt der äußere Vorsprung 18 von dem Traufabschnitt 17 in Richtung der Außenseite des Dichtungsharzes 40 in der zweiten Richtung y vor. Der äußere Vorsprung 18 weist die Vorderfläche 112 und die erste äußere Endfläche 141 auf. Die untere Fläche des äußeren Vorsprungs 18, die der gleichen Seite wie die beiden Rückflächen 122 in der Dickenrichtung z zugewandt ist, schließt bündig mit der überstehenden Fläche 171 des Traufabschnitts 17 ab.
Wie in den 2, 3 und 11 gezeigt, ragt der innere Vorsprung 19 von dem Traufabschnitt 17 in der zweiten Richtung y nach innen in das Dichtungsharz 40. Der innere Vorsprung 19 weist die Vorderfläche 112 und die innere Endfläche 15 auf. Die untere Fläche des inneren Vorsprungs 19, die der gleichen Seite wie die beiden Rückflächen 122 in der Dickenrichtung z zugewandt ist, schließt bündig mit der überstehenden Fläche 171 des Traufabschnitts 17 ab.
Wie in den 2, 3, 7 und 8 gezeigt, weisen der erste Anschluss 101 und der vierte Anschluss 104 jeweils eine Element-Montagefläche 111, eine Montagefläche 121, eine erste äußere Endfläche 141, zwei zweite äußere Endflächen 142, eine innere Endfläche 15, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17, einen äußeren Vorsprung 18 und einen inneren Vorsprung 19 auf. Die innere Endfläche 15, die innere Umfangsfläche 16, der Traufabschnitt 17, der äußere Vorsprung 18 und der innere Vorsprung 19 haben die gleichen Konfigurationen wie die der inneren Endfläche 15, der inneren Umfangsfläche 16, des Traufabschnitts 17, des äußeren Vorsprungs 18 und des inneren Vorsprungs 19 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103, und die Erklärung dazu entfällt.
Wie in 7 gezeigt, weist die Element-Montagefläche 111 in Dickenrichtung z auf die gleiche Seite wie die Vorderflächen 112 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103. Die Element-Montagefläche 111 ist mit dem Dichtungsharz 40 bedeckt. Eines der Halbleiterelemente 20 ist auf der Element-Montagefläche 111 montiert. Die Montagefläche 121 weist in Dickenrichtung z von der Element-Montagefläche 111 weg. Die Montagefläche 121 ist vom Dichtungsharz 40 freiliegend bzw. freigelegt. Wie in 3 gezeigt, ist die Fläche der Montagefläche 121 größer als die Fläche jeder der beiden Rückflächen 122 jedes zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103.
Wie in den 2, 3, 6 und 8 gezeigt, weist die erste äußere Endfläche 141 jedes der ersten Anschlüsse 101 und des vierten Anschlusses 104 vom Dichtungsharz 40 in der zweiten Richtung y nach außen. Somit unterscheidet sich die Richtung, in die die erste äußere Endfläche 141 weist, von der Richtung, in die die beiden Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 weisen. Die erste äußere Endfläche 141 ist vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Fläche der ersten äußeren Endfläche 141 ist kleiner als die Fläche jeder der beiden Seitenflächen 13. Die erste äußere Endfläche 141 ist mit der Element-Montagefläche 111 verbunden und von der Montagefläche 121 beabstandet.
Wie in den 3 und 7 gezeigt, sind die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 mit der Montagefläche 121 verbunden und weisen in die erste Richtung x. Die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 weisen eine Normalenrichtung auf, die koaxial zu derjenigen der beiden Seitenflächen 13 jedes zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 ist, während sie auch von den beiden Seitenflächen 13 weg weisen. Die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 sind vom Dichtungsharz 40 freigelegt. Die Fläche jeder der beiden zweiten äußeren Endflächen 142 ist größer als die Fläche der ersten äußeren Endfläche 141 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104.
Wie in den 2 und 8 gezeigt, sind die Halbleiterelemente 20 auf der Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101 bzw. der Element-Montagefläche 111 des vierten Anschlusses 104 montiert. In dem Halbleiterbauteil A10 sind die Halbleiterelemente 20 Dioden.
Wie in 10 gezeigt, hat jedes der Halbleiterelemente 20 eine erste Elektrode 21 und eine zweite Elektrode 22. Die erste Elektrode 21 ist auf einer Oberfläche vorgesehen, die der gleichen Seite zugewandt ist wie die Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101. Die erste Elektrode 21 entspricht einer Anodenelektrode.
Wie in 42 gezeigt, ist die zweite Elektrode 22 auf der der gegenüberliegenden Seite der ersten Elektrode 21 in Dickenrichtung z angeordnet. Die zweite Elektrode 22 ist der Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101 oder der Element-Montagefläche 111 des vierten Anschlusses 104 zugewandt. Die zweite Elektrode 22 entspricht einer Kathodenelektrode.
Wie in den 2 und 8 gezeigt, weist die Vielzahl der Halbleiterelemente 20 ein erstes Halbleiterelement 201 und ein zweites Halbleiterelement 202. Das erste Halbleiterelement 201 ist auf der Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101 angebracht. Wie in 10 dargestellt, ist die zweite Elektrode 22 des ersten Halbleiterelements 201 über eine Bondschicht 29 mit der Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101 verbunden. Die Bondschicht 29 ist elektrisch leitfähig. Die Bondschicht 29 besteht beispielsweise aus Lötmittel. Alternativ kann die Bondschicht 29 auch aus einem Sintermetall bestehen, das z. B. Silber (Ag) enthält. So ist die zweite Elektrode 22 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem ersten Anschluss 101 verbunden. Die zweite Elektrode 22 des zweiten Halbleiterelements 202 ist mit der Element-Montagefläche 111 des vierten Anschlusses 104 über eine Bondschicht 29 verbunden. Somit ist die zweite Elektrode 22 des zweiten Halbleiterelements 202 elektrisch mit dem vierten Anschluss 104 verbunden.
Wie in 2 gezeigt, umfasst die Vielzahl der leitenden Elemente 30 zwei erste Elemente 31. Eines der beiden ersten Elemente 31 ist über Bondschichten 29 mit der ersten Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 und der Vorderfläche 112 des zweiten Anschlusses 102 verbunden. Somit ist die erste Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem zweiten Anschluss 102 verbunden. Das andere der beiden ersten Elemente 31 ist über Bondschichten 29 mit der ersten Elektrode 21 des zweiten Halbleiterelements 202 und der Vorderfläche 112 des dritten Anschlusses 103 verbunden. Somit ist die erste Elektrode 21 des zweiten Halbleiterelements 202 elektrisch mit dem dritten Anschluss 103 verbunden. Bei den beiden ersten Elementen 31 handelt es sich um Metallclips. Die Zusammensetzung der beiden ersten Elemente 31 schließt Kupfer mit ein. Alternativ können die beiden ersten Elemente 31 auch Drähte sein.
Wie in den 7 bis 9 gezeigt, bedeckt das Dichtungsharz 40 einen Teil jedes Anschlusses 10, die Halbleiterelemente 20 und die leitenden Elemente 30. Das Dichtungsharz 40 ist elektrisch isolierend. Das Dichtungsharz 40 besteht z. B. aus einem Material, das schwarzes Epoxidharz enthält. Wie in den 4 und 5 gezeigt, hat das Dichtungsharz 40 eine obere Fläche 41, eine untere Fläche 42, eine äußere Seitenfläche 43 und eine Aussparung 44.
Wie in den 7 bis 9 gezeigt, sind die obere Fläche 41 und die untere Fläche 42 in der Dickenrichtung z voneinander abgewandt bzw. weisen voneinander weg. Die untere Fläche 42 weist in Dickenrichtung z auf die gleiche Seite wie die beiden Rückflächen 122 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103. Die beiden Rückflächen 122 und die Montageflächen 121 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 liegen an der unteren Fläche 42 frei.
Wie in den 3 bis 5 gezeigt, ist die äußere Seitenfläche 43 mit der oberen Fläche 41 und der unteren Fläche 42 verbunden und weist vom Dichtungsharz 40 in den Richtungen orthogonal zur Dickenrichtung z nach außen. Die äußere Seitenfläche 43 umfasst ein Paar von ersten Flächen Oberflächen 31 und ein Paar von zweiten Oberflächen 432.
Wie in 3 gezeigt, ist das Paar der ersten Oberflächen 431 in der ersten Richtung x voneinander abgewandt. Wie in 4 und 7 gezeigt, liegen die beiden Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 jeweils an einer des Paares der ersten Oberflächen 431 frei. Wie in den 5 und 7 gezeigt, liegen die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 an der anderen des Paares der ersten Oberflächen 431 frei.
Wie in 3 gezeigt, weist das Paar der zweiten Oberflächen 432 in der zweiten Richtung y voneinander weg. Wie in den 1, 8 und 9 gezeigt, liegen die erste äußere Endfläche 141 des ersten Anschlusses 101 und die erste äußere Endfläche 141 des zweiten Anschlusses 102 an einer des Paares der zweiten Oberflächen 432 frei. Wie in den 6, 8 und 9 gezeigt, liegen die erste äußere Endfläche 141 des vierten Anschlusses 104 und die erste äußere Endfläche 141 des dritten Anschlusses 103 an der anderen des Paares der zweiten Oberflächen 432 frei.
Wie in den 3 bis 5 gezeigt, ist die Aussparung 44 von der unteren Fläche 42 in der Dickenrichtung z ausgespart bzw. zurückgesetzt. Die Aussparung 44 ist eine Nut, die sich in einer Richtung orthogonal zur Dickenrichtung z erstreckt. Im Halbleiterbauteil A10 erstreckt sich die Aussparung 44 in der ersten Richtung x. Die gegenüberliegenden Enden der Aussparung 44 in der ersten Richtung x sind mit dem Paar der ersten Oberflächen 431 der äußeren Seitenfläche 43 verbunden. Somit wird die untere Fläche 42 durch die Aussparung 44 in zwei Bereiche unterteilt.
Wie in 3 gezeigt, ist der vierte Anschluss 104 neben dem ersten Anschluss 101 angeordnet, wobei die Aussparung 44 dazwischen liegt. Der dritte Anschluss 103 befindet sich neben dem zweiten Anschluss 102, wobei die Aussparung 44 dazwischen liegt. Wie in 11 dargestellt, weist die Aussparung 44 eine innere Seitenfläche 441 auf. Die innere Seitenfläche 441 ist mit der unteren Fläche 42 verbunden und weist nach innen in das Dichtungsharz 40 in einer Richtung orthogonal zur Dickenrichtung z. Die innere Seitenfläche 441 umfasst ein Paar von Bereichen, die in der Richtung (der zweiten Richtung y im Halbleiterbauteil A10), die orthogonal zur Dickenrichtung z ist, und der Richtung, in der sich die Aussparung 44 erstreckt, voneinander beabstandet sind. Die inneren Endflächen 15 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 und die inneren Endflächen 15 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 sind an dem Paar von Bereichen freigelegt.
Wie in 11 gezeigt, weist die Aussparung 44 eine Zwischenfläche 442 auf. Die Zwischenfläche 442 weist in Dickenrichtung z auf die gleiche Seite wie die untere Fläche 42 und ist mit der inneren Seitenfläche 441 verbunden. In dem Halbleiterbauteil A10 ist die Zwischenfläche 442 von der unteren Fläche 42 weiter entfernt als die Vorderflächen 112 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 in Dickenrichtung z.
Wie in den 2, 3 und 7 gezeigt, bedeckt die Beschichtungsschicht 50 die beiden Rückflächen 122 und die beiden Seitenflächen 13 jedes zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103. Die Beschichtungsschicht 50 bedeckt auch die Montageflächen 121 und die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104. Die ersten äußeren Endflächen 141 und die inneren Endflächen 15 der Anschlüsse 10 sind nicht mit der Beschichtungsschicht 50 bedeckt. Die Zusammensetzung der Beschichtungsschicht 50 schließt ein Metallelement mit ein. Bei dem Metallelement handelt es sich zum Beispiel um Zinn (Sn). Alternativ kann das Metallelement auch mindestens eines der Elemente Nickel (Ni), Palladium (Pd) und Gold enthalten. Vorzugsweise hat das in der Beschichtungsschicht 50 enthaltene Metallelement die Eigenschaft, die Benetzbarkeit des bei der Montage des Halbleiterbauteils A10 auf einer Verdrahtungsplatte verwendeten Lötmittels zu verbessern.
Ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 wird im Folgenden anhand der 12 bis 20 beschrieben. Es wird bemerkt, dass die 14 und 16 Schnittansichten sind, die entlang derselben Ebene wie 7 vorgenommen wurden. 18 und 19 sind Schnittansichten entlang der gleichen Ebene wie 11.
Zunächst werden, wie in 12 gezeigt, die Halbleiterelemente 20 auf den Element-Montageflächen 111 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 der Vielzahl von Anschlüssen 10 montiert. Die Element-Montageflächen 111 befinden sich auf der gegenüberliegenden Seite der Rückflächen 122 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 in der Dickenrichtung z. Danach wird ein leitendes Element 30 mit der ersten Elektrode 21 eines der Halbleiterelemente 20 und der Vorderfläche 112 des zweiten Anschlusses 102 gebondet, und ein weiteres leitendes Element 30 wird mit der ersten Elektrode 21 des anderen Halbleiterelements 20 und der Vorderfläche 112 des dritten Anschlusses 103 gebondet.
Wie in 12 dargestellt, sind die Anschlüsse 10 über Stege 81 mit einem Rahmen 80 verbunden. Mindestens zwei der Anschlüsse 10 sind über einen Verbindungsstreifen 82 miteinander verbunden. In dem Halbleiterbauteil A10 sind der erste Anschluss 101 und der vierte Anschluss 104 sowie der zweite Anschluss 102 und der dritte Anschluss 103 über einen Verbindungsstreifen 82 miteinander verbunden. Der Rahmen 80, die Stege 81 und die Verbindungsstreifen 82 haben die gleiche Zusammensetzung wie die Anschlüsse 10. Somit sind der Rahmen 80, die Stege 81 und die Verbindungsstreifen 82 insgesamt elektrisch leitfähig.
Als nächstes wird, wie in den 13 und 14 gezeigt, das Dichtungsharz 40 gebildet, das einen Teil jedes Anschlusses 10, der Halbleiterelemente 20 und der leitenden Elemente 30 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 wird durch Spritzgießen 89 („transfer molding“) hergestellt. In diesem Schritt werden die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 von mindestens einem der Anschlüsse 10 (der zweite Anschluss 102 und der dritte Anschluss 103) aus dem Dichtungsharz 40 freigelegt. In diesem Schritt werden auch die Montagefläche 121 und die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 jedes ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 aus dem Dichtungsharz 40 freigelegt.
Als nächstes wird, wie in den 15 und 16 gezeigt, die Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind, bedeckt und ein Metallelement in ihrer Zusammensetzung enthält, durch elektrolytische Beschichtung gebildet. Bei der Beschichtungsschicht 50 handelt es sich zum Beispiel um eine Zinnschicht. In diesem Schritt werden auch die Montagefläche 121 und die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 mit der Beschichtungsschicht 50 bedeckt.
Als nächstes werden, wie in 17 gezeigt, die Verbindungsstreifen 82 durch Entfernen eines Teils des Dichtungsharzes 40 von der Seite, auf der die Rückflächen 122 in Dickenrichtung z freiliegen, geschnitten. Das Schneiden der Verbindungsstreifen 82 erfolgt mit einer Schneidevorrichtung, wie z. B. einer Würfelklinge („dicing blade“) oder einem Laser. 18 zeigt zwei Anschlüsse 10, bevor ein Verbindungsstreifen 82 geschnitten wird. zeigt zwei Anschlüsse 10 nach dem Schneiden des Verbindungsstreifens 82. Wie in 19 gezeigt, wird durch diesen Schritt die Aussparung 44 in dem Dichtungsharz 40 gebildet, und die inneren Endflächen 15 treten aus den beiden Anschlüssen 10 hervor, die durch einen Verbindungsstreifen 82 miteinander verbunden wurden.
Schließlich werden, wie in 20 dargestellt, die Anschlüsse 10 durch Durchtrennen der Stege 81 von dem Rahmen 80 getrennt. Durch diesen Schritt treten die ersten äußeren Endflächen 141 aus den Anschlüssen 10 hervor, die durch die Stege 81 miteinander verbunden waren. Durch die oben beschriebenen Schritte wird das Halbleiterbauteil A10 erhalten.
Ein Halbleiterbauteil A11, das eine erste Variante des Halbleiterbauteils A10 ist, wird im Folgenden anhand von 21 beschrieben. Es wird bemerkt, dass 21 eine Schnittansicht ist, die entlang derselben Ebene wie 11 vorgenommen wurde.
Wie in 21 gezeigt, unterscheidet sich das Halbleiterbauteil A11 von dem Halbleiterbauteil A10 in den Konfigurationen der inneren Endflächen 15 und der inneren Vorsprünge 19 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103. Die unteren Flächen der inneren Vorsprünge 19, die in Dickenrichtung z derselben Seite wie die Rückflächen 122 zugewandt sind, sind in Dickenrichtung z von den überstehenden Flächen 171 der Traufabschnitte 17 in Richtung der Vorderflächen 112 versetzt. Die oberen Flächen der inneren Vorsprünge 19, die in Dickenrichtung z der gleichen Seite wie die Vorderflächen 112 zugewandt sind, entsprechen den Vorderflächen 112. Die inneren Endflächen 15 sind mit den Vorderflächen 112 verbunden. Bei einer solchen Konfiguration ist der Bereich/die Fläche jeder inneren Endfläche 15 kleiner als der Bereich/die Fläche der inneren Endfläche 15 jedes des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 des Halbleiterbauteils A10. Die Konfigurationen der inneren Endflächen 15 und der inneren Vorsprünge 19 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 sind die gleichen wie diese Konfiguration.
Ein Halbleiterbauteil A12, das eine zweite Variante des Halbleiterbauteils A10 ist, wird im Folgenden anhand von 22 beschrieben. Es wird bemerkt, dass 22 eine Schnittansicht ist, die entlang derselben Ebene wie 11 vorgenommen wurde.
Wie in 22 gezeigt, unterscheidet sich das Halbleiterbauteil A12 von dem Halbleiterbauteil A10 in den Konfigurationen der inneren Endflächen 15 und der inneren Vorsprünge 19 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 sowie in der Konfiguration der Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40. Die oberen Flächen der inneren Vorsprünge 19, die in Dickenrichtung z derselben Seite wie die Vorderflächen 112 zugewandt sind, sind in Dickenrichtung z von den Vorderflächen 112 zu den Rückflächen 122 hin versetzt. Die unteren Flächen der inneren Vorsprünge 19, die in Dickenrichtung z der gleichen Seite wie die Rückflächen 122 zugewandt sind, entsprechen den überstehenden Flächen 171 der Traufabschnitte 17. Die inneren Endflächen 15 sind mit den überstehenden Flächen 171 verbunden. Bei einer solchen Konfiguration ist der Bereich/die Fläche jeder inneren Endfläche 15 kleiner als der Bereich/die Fläche der inneren Endfläche 15 jedes des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 des Halbleiterbauteils A10. Die Konfigurationen der inneren Endflächen 15 und der inneren Vorsprünge 19 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 sind die gleichen wie diese Konfiguration.
Wie in 22 gezeigt, befindet sich die Zwischenfläche 442 der Aussparung 44 in der Dickenrichtung z zwischen den Vorderflächen 112 und den Rückflächen 122. Somit ist die Tiefe der Aussparung 44 kleiner als die Tiefe der Aussparung 44 des Halbleiterbauteils A10.
Ein Halbleiterbauteil A13, das eine dritte Variante des Halbleiterbauteils A10 ist, wird im Folgenden anhand der 23 und 24 beschrieben. Es wird bemerkt, dass die 23 und 24 Schnittansichten sind, die entlang derselben Ebene wie 11 vorgenommen wurden.
Wie in 23 gezeigt, unterscheidet sich das Halbleiterbauteil A13 von dem Halbleiterbauteil A10 in den Konfigurationen der inneren Endflächen 15 und der inneren Vorsprünge 19 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103. Die unteren Flächen der inneren Vorsprünge 19, die in Dickenrichtung z der gleichen Seite wie die Rückflächen 122 zugewandt sind, sind bündig mit den Rückflächen 122. Die unteren Flächen der inneren Vorsprünge 19 sind mit der Beschichtungsschicht 50 bedeckt. Die oberen Flächen der inneren Vorsprünge 19, die in Dickenrichtung z der gleichen Seite wie die Vorderflächen 112 zugewandt sind, entsprechen den Vorderflächen 112. Die inneren Endflächen 15 sind mit den Vorderflächen 112 verbunden.
24 zeigt einen Zustand vor dem Schneiden der Verbindungsstreifen 82 in dem in 17 gezeigten Schritt des Schneidens der Verbindungsstreifen 82 in dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A13. Der Verbindungsstreifen 82 ist mit dem Traufabschnitt 17 des zweiten Anschlusses 102 und dem Traufabschnitt 17 des dritten Anschlusses 103 verbunden. Das Halbleiterbauteil A13 wird hergestellt, indem beim Schneiden des Verbindungsstreifens 82 die gegenüberliegenden Enden des Verbindungsstreifens 82 mit den Traufabschnitten 17 verbunden bleiben. Daher ist die Abmessung der langen Seite (die Abmessung in der Dickenrichtung z) jeder inneren Endfläche 15 gleich der Abmessung der langen Seite jeder der beiden Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 und jeder der beiden Seitenflächen 13 des dritten Anschlusses 103. Dementsprechend ist der Bereich/die Fläche jeder inneren Endfläche 15 größer als der Bereich/die Fläche der inneren Endfläche 15 jedes des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 des Halbleiterbauteils A10. Allerdings ist die Abmessung der kurzen Seite jeder inneren Endfläche 15 kleiner als die Abmessung der kurzen Seite jeder der beiden Seitenflächen 13. Infolgedessen ist im Halbleiterbauteil A13 der Bereich/die Fläche jeder inneren Endfläche 15 kleiner als der Bereich/die Fläche jeder der beiden Seitenflächen 13. Die Konfigurationen der inneren Endflächen 15 und der inneren Vorsprünge 19 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 sind die gleichen wie diese Konfiguration.
Die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A10 werden im Folgenden beschrieben.
Das Halbleiterbauteil A10 weist den zweiten Anschluss 102 mit den Rückflächen 122 und den Seitenflächen 13 auf, die von dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind, und die Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 ist mit einer Aussparung 44 ausgebildet, die die innere Seitenfläche 441 aufweist und von der unteren Fläche 42 zurückgesetzt ist. Der zweite Anschluss 102 und mindestens einer von dem ersten Anschluss 101 und dem dritten Anschluss 103, der sich neben dem zweiten Anschluss 102 mit der Aussparung 44 dazwischen befindet, haben die inneren Endflächen 15, die an der inneren Seitenfläche 441 freiliegen.
In dem Schritt des Bildens des Dichtungsharzes 40, der in den 13 und 14 gezeigt ist, in dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 wird das Dichtungsharz 40 so gebildet, dass die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 von dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind. Danach kann die Beschichtungsschicht 50 in dem in den 15 und 16 gezeigten Schritt der Bildung der Beschichtungsschicht 50 durch elektrolytisches Plattieren („electrolytic plating“) gebildet werden. In diesem Schritt werden mindestens zwei Anschlüsse 10 einschließlich des zweiten Anschlusses 102 durch einen Verbindungsstreifen 82 miteinander verbunden, der die gleiche Zusammensetzung wie die Anschlüsse 10 aufweist und daher elektrisch leitfähig ist. Mit einer solchen Konfiguration kann auch ein Anschluss 10, der nicht über einen Steg 81 mit dem Rahmen 80 verbunden ist, elektrisch mit dem Rahmen 80 verbunden werden. Durch das anschließende Schneiden des in 17 gezeigten Verbindungsstreifens 82 wird eine elektrische Isolierung zwischen den beiden Anschlüssen 10 hergestellt, die durch einen Verbindungsstreifen 82 miteinander verbunden wurden. Die inneren Endflächen 15 und die Aussparung 44 des Halbleiterbauteils A10 sind die durch diesen Schritt erhaltenen Ergebnisse/Spuren. Durch den anschließenden Schritt des Schneidens des in 20 gezeigten Stegs 81 werden alle Anschlüsse 10 elektrisch voneinander isoliert.
In dem Halbleiterbauteil A10 kann die Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 bedeckt, auf einfache Weise durch elektrolytische Beschichtung/Plattierung gebildet werden. Das Halbleiterbauteil A10 erfordert nicht den Schritt des Freilegens der Seitenflächen 13 vom Dichtungsharz 40, nachdem das Dichtungsharz 40 gebildet wurde. Außerdem kann die Effizienz der Bildung der Beschichtungsschicht 50 im Vergleich zur Bildung der Beschichtungsschicht 50 durch stromloses Beschichten/Plattieren verbessert werden. Somit ermöglichen das Halbleiterbauteil A10 und das Herstellungsverfahren eine effiziente Bildung der Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 des Anschlusses 10 (die zweiten Anschlüsse 102) bedeckt, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind.
Bei der Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 handelt es sich um eine Nut bzw. Rille, die sich in einer Richtung orthogonal zur Dickenrichtung z erstreckt. Die innere Seitenfläche 441 der Aussparung 44 weist ein Paar von Bereichen auf, die in der Richtung, die orthogonal zur Dickenrichtung z ist, und in der Richtung, in der sich die Aussparung 44 erstreckt, voneinander beabstandet sind. Die Aussparung 44, die eine solche Konfiguration aufweist, wird durch die Verwendung einer Schneidvorrichtung, wie z. B. einer Würfelklinge („dicing blade“), in dem Schritt des Schneidens der in 17 gezeigten Verbindungsstreifen 82 in dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 erhalten. Die Verwendung einer solchen Schneidevorrichtung ermöglicht ein effizientes Schneiden der Verbindungsstreifen 82. Da die untere Fläche 42 des Dichtungsharzes 40 durch die Aussparung 44 in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt ist, können die Verbindungsstreifen 82 gleichmäßig geschnitten werden, ohne die Schneidgeschwindigkeit zu verlangsamen, wodurch eine Verringerung der Herstellungseffizienz des Halbleiterbauteils A10 verhindert wird.
Die innere Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 ist von den Seitenflächen 13 beabstandet. Somit wird in dem Schritt des Schneidens der in 17 gezeigten Verbindungsstreifen 82 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 verhindert, dass die Abschnitte der Beschichtungsschicht 50, die die Seitenflächen 13 bedecken, durch das Schneiden der Verbindungsstreifen 82 beschädigt werden.
Die Fläche der inneren Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 ist kleiner als die Fläche jeder Seitenfläche 13. Somit kann bei dem in 17 gezeigten Schritt des Schneidens der Verbindungsstreifen 82 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 die Erzeugung von Metallgraten an den Kanten der inneren Endfläche 15 reduziert werden. Außerdem ist die innere Endfläche 15 von den Rückflächen 122 beabstandet. Wenn das Halbleiterbauteil A10 auf einer Verdrahtungsplatte montiert wird, wird die Haft-/Bondfestigkeit des Halbleiterbauteils A10 an der Verdrahtungsplatte nicht durch solche Metallgrate verringert.
Die innere Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 ist mit der Vorderfläche 112 verbunden. In dieser Konfiguration ist es bevorzugt, dass die Zwischenfläche 442 der Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 weiter von der unteren Fläche 42 des Dichtungsharzes 40 entfernt ist als die Vorderfläche 112. Mit einer solchen Ausgestaltung können bei dem in 17 gezeigten Schritt des Schneidens der Verbindungsstreifen 82 bei dem Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 die Verbindungsstreifen 82 zuverlässig geschnitten werden.
Der erste Anschluss 101 weist die erste äußere Endfläche 141 auf, die in eine Richtung weist, die sich von der Richtung unterscheidet, in die die Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 weisen, und die an der äußeren Seitenfläche 43 des Dichtungsharzes 40 freigelegt ist. Die erste äußere Endfläche 141 ist ein Ergebnis/eine Spur des Schneidens der in 20 gezeigten Stege 81 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10. Durch das Schneiden der Stege 81 in diesem Schritt werden die Abschnitte der Beschichtungsschicht 50, die die Seitenflächen 13 bedecken, nicht beschädigt.
Die erste äußere Endfläche 141 des ersten Anschlusses 101 ist von der Montagefläche 121 beabstandet. Bei dem in 20 gezeigten Schritt des Schneidens der Stege 81 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 werden an den Rändern der ersten äußeren Endfläche 141 Metallgrate erzeugt. Gemäß der vorliegenden Konfiguration wird bei der Montage des Halbleiterbauteils A10 auf einer Verdrahtungsplatte die Haft-/Bondfestigkeit des Halbleiterbauteils A10 an der Verdrahtungsplatte nicht durch solche Metallgrate verringert.
Der erste Anschluss 101 weist zweite äußere Endflächen 142 auf, die mit der Montagefläche 121 verbunden sind und an der äußeren Seitenfläche 43 des Dichtungsharzes 40 freiliegen. Im Schritt der Bildung der in den 15 und 16 gezeigten Beschichtungsschicht 50 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 kann die Beschichtungsschicht 50, die die Montagefläche 121 und die zweiten äußeren Endflächen 142 bedeckt, einfach durch elektrolytische Beschichtung/Plattierung gebildet werden, solange der erste Anschluss 101 zumindest die erste äußere Endfläche 141 aufweist. Wenn das Halbleiterbauteil A10 auf einer Verdrahtungsplatte montiert ist, kann der Zustand des Bondens auf dem Verdrahtungssubstrat nicht nur am zweiten Anschluss 102, sondern auch am ersten Anschluss 101 leicht visuell überprüft werden.
Die Fläche der Montagefläche 121 des ersten Anschlusses 101 ist größer als die Fläche der Rückflächen 122 des zweiten Anschlusses 102. Das erste Halbleiterelement 201 ist auf dem ersten Anschluss 101 montiert. Dadurch wird die von dem ersten Halbleiterelement 201 erzeugte Wärme effizient nach außen abgeleitet.
Das Halbleiterbauteil A10 weist ferner den vierten Anschluss 104 auf, an dem das zweite Halbleiterelement 202 angebracht ist. Die Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 befindet sich ebenfalls zwischen dem ersten Anschluss 101 und dem vierten Anschluss 104. Sowohl der erste Anschluss 101 als auch der vierte Anschluss 104 weisen die innere Endfläche 15 auf, die an der inneren Seitenfläche 441 der Aussparung 44 freiliegt. Somit kann die Beschichtungsschicht 50, die die Montagefläche 121 und die zweiten äußeren Endflächen 142 bedeckt, in dem in den 15 und 16 gezeigten Schritt der Bildung der Beschichtungsschicht 50 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 auf einfache Weise durch elektrolytische Beschichtung/Plattierung nicht nur für den ersten Anschluss 101, sondern auch für den vierten Anschluss 104 gebildet werden.
Bei dem Halbleiterbauteil A11 und dem Halbleiterbauteil A12 ist der Bereich/die Fläche der inneren Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 kleiner als der Bereich/die Fläche der inneren Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 des Halbleiterbauteils A10. Somit kann bei dem in 17 gezeigten Schritt des Schneidens der Verbindungsstreifen 82 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 die Erzeugung von Metallgraten an den Rändern bzw. Kanten der inneren Endfläche 15 reduziert werden. Außerdem ist im Halbleiterbauteil A12 die Tiefe der Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 geringer als die Tiefe der Aussparung 44 des Halbleiterbauteils A10. Eine solche Konfiguration reduziert das Volumen des Dichtungsharzes 40, das beim Schneiden der in 17 gezeigten Verbindungsstreifen 82 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10 entfernt werden muss. Dies trägt dazu bei, eine Abnahme der Festigkeit des Dichtungsharzes 40 zu verhindern.
Ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden anhand der 25 bis 30 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die mit denen des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10 identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, die auch für das Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und ihre Beschreibungen werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 transparent und in 25 durch imaginäre Linien angedeutet.
Das Halbleiterbauteil A20 unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 durch die Konfiguration der Anschlüsse 10 und des Dichtungsharzes 40.
Wie in den 26 bis 28 gezeigt, umfasst jedes der beiden ersten Oberflächen 431 der äußeren Seitenfläche 43 des Dichtungsharzes 40 einen ersten Bereich 431A, einen zweiten Bereich 431B und einen dritten Bereich 431C. Der erste Bereich 431A ist mit der oberen Fläche 41 des Dichtungsharzes 40 verbunden. Der zweite Bereich 431B ist mit der unteren Fläche 42 des Dichtungsharzes 40 verbunden und ist nach Innen vom ersten Bereichs 431A vorgesehen. Die beiden Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 liegen jeweils im zweiten Bereich 431B einer der beiden ersten Flächen 431 frei. Die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 liegen jeweils im zweiten Bereich 431B des anderen des Paares der ersten Oberflächen 431 frei. Der dritte Bereich 431C befindet sich zwischen der oberen Fläche 41 und der unteren Fläche 42 in der Dickenrichtung z und ist mit dem ersten Bereich 431A und dem zweiten Bereich 431B verbunden. Der dritte Bereich 431C ist in Dickenrichtung z der gleichen Seite zugewandt wie die untere Fläche 42.
Wie in den 29 und 30 gezeigt, befindet sich die Beschichtungsschicht 50 auf der Innenseite des Dichtungsharzes 40 relativ zu den ersten Bereichen 431A des Paares der ersten Oberflächen 431 der äußeren Seitenfläche 43. Wie in 26 gezeigt, überlappen in der Dickenrichtung z gesehen die dritten Bereiche 431C des Paares der ersten Oberflächen 431 mit der Beschichtungsschicht 50. In der Dickenrichtung z sind die dritten Bereiche 431C näher an der oberen Fläche 41 angeordnet als die Vorderflächen 112 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103.
Ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A20 wird im Folgenden anhand der 31 bis 37 beschrieben. Es wird bemerkt, dass die 33, 35 und 37 Schnittansichten sind, die entlang der gleichen Ebene wie 29 vorgenommen wurden.
Zunächst werden, wie in 31 gezeigt, die Halbleiterelemente 20 auf den Element-Montageflächen 111 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 der Vielzahl von Anschlüssen 10 montiert. Danach wird ein leitendes Element 30 mit der ersten Elektrode 21 eines der Halbleiterelemente 20 und der Vorderfläche 112 des zweiten Anschlusses 102 gebondet, und ein weiteres leitendes Element 30 wird mit der ersten Elektrode 21 des anderen Halbleiterelements 20 und der Vorderfläche 112 des dritten Anschlusses 103 gebondet.
Wie in 31 gezeigt, weist der Rahmen 80 eine Vielzahl von ersten Rahmenabschnitten 801 und eine Vielzahl von zweiten Rahmenabschnitten 802. Die ersten Rahmenabschnitte 801 erstrecken sich entlang der ersten Richtung x und sind in der zweiten Richtung y voneinander beabstandet. Die zweiten Rahmenabschnitte 802 erstrecken sich entlang der zweiten Richtung y und sind in der ersten Richtung x voneinander beabstandet. Gegenüberliegende Enden jedes der zweiten Rahmenabschnitte 802 sind mit zwei ersten Rahmenabschnitten 801 verbunden, die in der zweiten Richtung y aneinandergrenzen. Die Stege 81 sind mit den ersten Rahmenabschnitten 801 verbunden. In dem Halbleiterbauteil A20 ist jeder der Anschlüsse 10 mit einem von zwei zweiten Rahmenabschnitten 802 verbunden, die in der ersten Richtung x aneinandergrenzen.
Als nächstes wird, wie in den 32 bis 33 gezeigt, das Dichtungsharz 40 gebildet, das einen Teil jedes Anschlusses 10, der Halbleiterelemente 20 und der leitenden Elemente 30 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 wird durch Formpressen über die Gesamtheit des Rahmens 80 geformt. In diesem Schritt wird die Rückfläche 122 von mindestens einem der Anschlüsse 10 (dem zweiten Anschluss 102 und dem dritten Anschluss 103) vom Dichtungsharz 40 freigelegt. In diesem Schritt werden auch die Montageflächen 121 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 vom Dichtungsharz 40 freigelegt.
Als nächstes werden, wie in den 34 und 35 gezeigt, die zweiten Rahmenabschnitte 802 von der Seite entfernt, auf der die Rückflächen 122 in Dickenrichtung z freigelegt sind. Das Entfernen der zweiten Rahmenabschnitte 802 erfolgt durch Halbschnittschneiden („half-cut dicing“). In diesem Schritt werden Abschnitte der Anschlüsse 10, die sich an der Grenze zu den zweiten Rahmenabschnitten 802 befinden, und Abschnitte des Dichtungsharzes 40, die sich an der Grenze zu den zweiten Rahmenabschnitten 802 befinden, gemeinsam entfernt. Durch diesen Schritt wird in dem Dichtungsharz 40 eine Vielzahl von Nuten bzw. Rillen 83 gebildet, die in der Dickenrichtung z ausgespart sind und sich in der zweiten Richtung y erstrecken. Aus zwei in der ersten Richtung x nebeneinander liegenden Nuten 83 treten jeweils zwei Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 und zwei zweite äußere Endflächen 142 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 hervor.
Als nächstes wird, wie in den 36 und 37 gezeigt, die Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die vom Dichtungsharz 40 freiliegenden Seitenflächen 13 bedeckt, durch elektrolytische Beschichtung/Plattierung gebildet. In diesem Schritt werden auch die Montagefläche 121 und die beiden zweiten äußeren Endflächen 142 des ersten Anschlusses 101 und des vierten Anschlusses 104 mit der Beschichtungsschicht 50 bedeckt. Anschließend werden die Verbindungsstreifen 82 geschnitten, indem ein Teil des Dichtungsharzes 40 von der Seite entfernt wird, auf der die Rückflächen 122 in Dickenrichtung z freiliegen. Die Technik zum Schneiden der Verbindungsstreifen 82 ist die gleiche wie die Schneidetechnik bei dem in den 17 bis 19 gezeigten Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A10.
Schließlich werden die Anschlüsse 10 von dem Rahmen 80 getrennt, indem das Dichtungsharz 40 und die Stege 81 in einem Gittermuster entlang der ersten Richtung x und der zweiten Richtung y geschnitten werden. Durch die oben beschriebenen Schritte wird das Halbleiterbauteil A20 erhalten.
Die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A20 werden im Folgenden beschrieben.
Das Halbleiterbauteil A20 umfasst den zweiten Anschluss 102 mit den Rückflächen 122 und den Seitenflächen 13, die von dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind, und die Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 ist mit einer Aussparung 44 ausgebildet, die die innere Seitenfläche 441 aufweist und von der unteren Fläche 42 zurückgesetzt ist. Der zweite Anschluss 102 und mindestens einer von dem ersten Anschluss 101 und dem dritten Anschluss 103, die sich neben dem zweiten Anschluss 102 mit der Aussparung 44 dazwischen befinden, haben die inneren Endflächen 15, die an der inneren Seitenfläche 441 freiliegen. Somit ermöglicht das Halbleiterbauteil A20 auch die effiziente Bildung der Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 des Anschlusses 10 (die zweiten Anschlüsse 102) bedeckt, die von dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A20 eine ähnliche Konfiguration wie das Halbleiterbauteil A10 auf und hat daher die gleichen Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10.
In dem Halbleiterbauteil A20 umfasst jedes der beiden ersten Oberflächen 431 der äußeren Seitenfläche 43 des Dichtungsharzes 40 einen ersten Bereich 431A, einen zweiten Bereich 431B und einen dritten Bereich 431C. Eine solche Konfiguration wird durch Entfernen der zweiten Rahmenabschnitte 802 nach der Bildung des Dichtungsharzes 40 im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A20 erreicht. Bevor die zweiten Rahmenabschnitte 802 entfernt werden, wird jeder der Anschlüsse 10 mit einem der zweiten Rahmenabschnitte 802 verbunden. Dies ermöglicht es, das Dichtungsharz 40 über den gesamten Rahmen 80 durch Formpressen zu bilden. Auf diese Weise ist die Bildung des Dichtungsharzes 40 einfacher als bei dem Halbleiterbauteil A10.
Ein Halbleiterbauteil A30 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden anhand der 38 bis 43 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die mit denen des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10 identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, die auch für das Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und Beschreibungen derselben werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 in 38 transparent dargestellt. In 38 ist das Dichtungsharz 40 durch imaginäre Linien angedeutet.
Das Halbleiterbauteil A30 unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 durch die Konfigurationen der Anschlüsse 10, der Halbleiterelemente 20, der leitenden Elemente 30 und des Dichtungsharzes 40.
Wie in den 38 und 39 gezeigt, weist die Vielzahl der Anschlüsse 10 einen fünften Anschluss 105 und einen sechsten Anschluss 106 zusätzlich zu dem ersten Anschluss 101, dem zweiten Anschluss 102, dem dritten Anschluss 103 und dem vierten Anschluss 104 auf. Der fünfte Anschluss 105 befindet sich neben dem zweiten Anschluss 102 in der zweiten Richtung y und befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des dritten Anschlusses 103 relativ zu dem zweiten Anschluss 102 in der zweiten Richtung y. Der sechste Anschluss 106 befindet sich neben dem dritten Anschluss 103 in der zweiten Richtung y und befindet sich auf der gegenüberliegenden Seite des zweiten Anschlusses 102 relativ zu dem dritten Anschluss 103 in der zweiten Richtung y.
Wie in den 38, 39 und 41 gezeigt, weisen der fünfte Anschluss 105 und der sechste Anschluss 106 jeweils eine Vorderfläche 112, eine Rückfläche 122, eine Seitenfläche 13, eine erste äußere Endfläche 141, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17 und einen äußeren Vorsprung 18 auf.
Wie in den 38 und 39 gezeigt, haben der zweite Anschluss 102 und der dritte Anschluss 103 jeweils eine Vorderfläche 112, eine Rückfläche 122, eine Seitenfläche 13, eine innere Endfläche 15, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17 und einen inneren Vorsprung 19. Die innere Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 schließt einen Bereich mit ein, der in der ersten Richtung x nach innen in das Dichtungsharz 40 weist, und einen Bereich, der in der zweiten Richtung y nach innen in das Dichtungsharz 40 weist. Dementsprechend weist der innere Vorsprung 19 des zweiten Anschlusses 102 einen Bereich auf, der von dem Traufabschnitt 17 nach innen in die erste Richtung x in das Dichtungsharz 40 ragt, und einen Bereich, der von dem Traufabschnitt 17 nach innen in die zweite Richtung y in das Dichtungsharz 40 ragt.
Wie in den 38 und 39 gezeigt, hat der erste Anschluss 101 eine Element-Montagefläche 111, eine Montagefläche 121, eine erste äußere Endfläche 141, zwei zweite äußere Endflächen 142, eine innere Endfläche 15, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17, einen äußeren Vorsprung 18 und einen inneren Vorsprung 19. Die innere Endfläche 15 des ersten Anschlusses 101 weist einen Bereich auf, der in der ersten Richtung x nach innen in das Dichtungsharz 40 weist, und einen Bereich, der in der zweiten Richtung y nach innen in das Dichtungsharz 40 weist. Dementsprechend weist der innere Vorsprung 19 des ersten Anschlusses 101 einen Bereich auf, der von dem Traufabschnitt 17 nach innen in die erste Richtung x in das Dichtungsharz 40 vorsteht, und einen Bereich, der von dem Traufabschnitt 17 nach innen in die zweite Richtung y in das Dichtungsharz 40 vorsteht. Die Konfiguration des vierten Anschlusses 104 ist die gleiche wie die des vierten Anschlusses 104 des Halbleiterbauteils A10, und die Beschreibung desselben wird weggelassen.
In dem Halbleiterbauteil A30 sind die Halbleiterelemente 20 n-Kanal-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) eines vertikalen Strukturtyps. Zu den Halbleiterelementen 20 gehören Verbund-Halbleitersubstrate. Das Hauptmaterial der Verbund-Halbleitersubstrate ist Siliziumkarbid (SiC). Alternativ kann auch Silizium (Si) als Hauptmaterial für die Verbund-Halbleitersubstrate verwendet werden. Bei den Halbleiterelementen 20 kann es sich um andere Schaltelemente wie IGBTs („Insulated Gate Bipolar Transistors“) handeln. Auch in dem Halbleiterbauteil A30 umfassen die Halbleiterelemente 20 ein erstes Halbleiterelement 201 und ein zweites Halbleiterelement 202.
Wie in 42 gezeigt, hat jedes der Halbleiterelemente 20 eine erste Elektrode 21, eine zweite Elektrode 22 und eine Gate-Elektrode 23. Die erste Elektrode 21 ist auf einer Fläche vorgesehen, die derselben Seite wie die Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101 zugewandt ist. In der ersten Elektrode 21 fließt ein Strom, der der Leistung nach der Umwandlung durch das Halbleiterelement 20 entspricht. Das heißt, die erste Elektrode 21 entspricht einer Source-Elektrode.
Wie in 42 gezeigt, ist die zweite Elektrode 22 auf der gegenüberliegenden Seite der ersten Elektrode 21 in der Dickenrichtung z angeordnet. Die zweite Elektrode 22 ist der Element-Montagefläche 111 des ersten Anschlusses 101 oder der Element-Montagefläche 111 des vierten Anschlusses 104 zugewandt. In der zweiten Elektrode 22 fließt ein Strom, der der Leistung vor der Umwandlung durch das Halbleiterelement 20 entspricht. Das heißt, die zweite Elektrode 22 entspricht einer Drain-Elektrode.
Wie in 42 gezeigt, ist die Gate-Elektrode 23 auf der gleichen Seite wie die erste Elektrode 21 in der Dickenrichtung z und im Abstand von der ersten Elektrode 21 angeordnet. An die Gate-Elektrode 23 wird eine Gate-Spannung zur Ansteuerung des Halbleiterelements 20 angelegt. Wie in 38 gezeigt, ist die Fläche der Gate-Elektrode 23, in Dickenrichtung z gesehen, kleiner als die Fläche der ersten Elektrode 21.
Wie in 38 gezeigt, umfasst die Vielzahl der leitenden Elemente 30 zwei erste Elemente 31 und zwei zweite Elemente 32. Eines der beiden ersten Elemente 31 ist über Bondschichten 29 mit der ersten Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 und der Vorderfläche 112 des fünften Anschlusses 105 gebondet. Somit ist die erste Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem fünften Anschluss 105 verbunden. Das andere der ersten Elemente 31 ist über Bondschichten 29 mit der ersten Elektrode 21 des zweiten Halbleiterelements 202 und der Vorderfläche 112 des sechsten Anschlusses 106 verbunden. Somit ist die erste Elektrode 21 des zweiten Halbleiterelements 202 elektrisch mit dem sechsten Anschluss 106 verbunden.
Wie in 38 gezeigt, ist eines der beiden zweiten Elemente 32 mit der Gate-Elektrode 23 des ersten Halbleiterelements 201 und der Vorderfläche 112 des zweiten Anschlusses 102 gebondet. Somit ist die Gate-Elektrode 23 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem zweiten Anschluss 102 verbunden. Das andere der beiden zweiten Elemente 32 ist mit der Gate-Elektrode 23 des zweiten Halbleiterelements 202 und der Vorderfläche 112 des dritten Anschlusses 103 gebondet. Somit ist die Gate-Elektrode 23 des zweiten Halbleiterelements 202 elektrisch mit dem dritten Anschluss 103 verbunden. Die beiden zweiten Elemente 32 sind Drähte. Die Zusammensetzung der beiden zweiten Elemente 32 schließt Gold mit ein. Alternativ kann die Zusammensetzung der beiden zweiten Elemente 32 auch Aluminium (Al) oder Kupfer aufweisen.
Wie in 38 gezeigt, sind die leitenden Elemente 30, in Dickenrichtung z gesehen, von den inneren Endflächen 15 der Anschlüsse 10 (der erste Anschluss 101, der zweite Anschluss 102 und der dritte Anschluss 103) beabstandet.
Wie in den 39 bis 41 gezeigt, weist die Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 eine erste Nut bzw. Rille 44A und eine zweite Rille 44B auf. Die erste Rille 44A erstreckt sich in der ersten Richtung x. Gegenüberliegende Enden der ersten Rille 44A in der ersten Richtung x sind mit dem Paar von ersten Oberflächen 431 der äußeren Seitenfläche 43 verbunden. Die zweite Rille 44B erstreckt sich in der zweiten Richtung y. Einander gegenüberliegende Enden der zweiten Rille 44B in der zweiten Richtung y sind mit dem Paar der zweiten Oberflächen 432 der äußeren Seitenfläche 43 verbunden. Die zweite Rille 44B kreuzt die erste Rille 44A. Die untere Fläche 42 des Dichtungsharzes 40 ist durch die Aussparung 44 in vier Bereiche unterteilt.
Wie in 39 gezeigt, ist der vierte Anschluss 104 neben dem ersten Anschluss 101 angeordnet, wobei die erste Rille 44A dazwischen liegt. Der dritte Anschluss 103 befindet sich neben dem zweiten Anschluss 102, wobei die erste Rille 44A dazwischen liegt. Der Bereich der inneren Endfläche 15 des ersten Anschlusses 101, der in die zweite Richtung y weist, die innere Endfläche 15 des vierten Anschlusses 104, der Bereich der inneren Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102, der in die zweite Richtung y weist, und die innere Endfläche 15 des dritten Anschlusses 103 liegen an der inneren Seitenfläche 441 der ersten Rille 44A frei. Wie in den 39 und 43 dargestellt, befindet sich der erste Anschluss 101 neben dem zweiten Anschluss 102, wobei die zweite Rille 44B zwischen ihnen verläuft. Der Bereich der inneren Endfläche 15 des ersten Anschlusses 101, der in die erste Richtung x weist, und der Bereich der inneren Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102, der in die erste Richtung x weist, liegen an der inneren Seitenfläche 441 der zweiten Rille 44B frei.
Die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A30 werden im Folgenden beschrieben.
Das Halbleiterbauteil A30 weist den zweiten Anschluss 102 mit der Rückfläche 122 und der Seitenfläche 13 auf, die aus dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind, und die Beschichtungsschicht 50, die die Rückfläche 122 und die Seitenfläche 13 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 ist mit einer Aussparung 44 ausgebildet, die die inneren Seitenflächen 441 aufweist und von der unteren Fläche 42 ausgespart bzw. zurückgesetzt ist. Der zweite Anschluss 102 und mindestens einer von dem ersten Anschluss 101 und dem dritten Anschluss 103, die sich neben dem zweiten Anschluss 102 mit der Aussparung 44 dazwischen befinden, haben die inneren Endflächen 15, die an der inneren Seitenfläche 441 freiliegen. Somit ermöglicht das Halbleiterbauteil A30 auch eine effiziente Bildung der Beschichtungsschicht 50, die die Rückfläche 122 und die Seitenfläche 13 des Anschlusses 10 (der zweite Anschluss 102) bedeckt, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A30 eine ähnliche Konfiguration wie das Halbleiterbauteil A10 und hat daher die gleichen Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10.
In dem Halbleiterbauteil A30 weist die Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 die erste Rille 44A auf, die sich in der ersten Richtung x erstreckt, und die zweite Rille 44B, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Die innere Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 schließt den Bereich mit ein, der in die erste Richtung x weist, und den Bereich, der in die zweite Richtung y weist. Daher kann die Beschichtungsschicht 50, die die Rückflächen 122 und die Seitenflächen 13 des zweiten Anschlusses 102 und des dritten Anschlusses 103 bedeckt, auch in der Konfiguration, in der der zweite Anschluss 102 und der dritte Anschluss 103 nicht die erste äußere Endfläche 141 haben, leicht durch elektrolytische Beschichtung/Plattierung gebildet werden.
In Dickenrichtung z betrachtet, sind die leitenden Elemente 30 von den inneren Endflächen 15 der Anschlüsse 10 beabstandet. Dies verringert das Risiko, dass die leitenden Elemente 30 zusammen mit den Verbindungsstreifen 82 im Schritt des Schneidens des Verbindungsstreifens 82 (siehe 17) im Herstellungsverfahren des Halbleiterbauteils A30 geschnitten werden.
Ein Halbleiterbauteil A40 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden anhand der 44 und 45 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die mit denen des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10 identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, die auch für das Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und Beschreibungen derselben werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 in 44 transparent dargestellt. In 44 ist das Dichtungsharz 40 durch imaginäre Linien dargestellt.
Das Halbleiterbauteil A40 unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Halbleiterbauteil A10 durch die Konfiguration der Anschlüsse 10, der leitenden Elemente 30 und des Dichtungsharzes 40. In dem Halbleiterbauteil A40 ist das Halbleiterelement 20 ein einzelnes Halbleiterelement 201.
Wie in den 44 und 45 gezeigt, umfasst die Vielzahl der Anschlüsse 10 einen ersten Anschluss 101, einen zweiten Anschluss 102, einen dritten Anschluss 103 und einen fünften Anschluss 105. Das Halbleiterbauteil A40 enthält nicht den vierten Anschluss 104. Der erste Anschluss 101 hat eine Element-Montagefläche 111, eine Montagefläche 121, zwei erste äußere Endflächen 141, vier zweite äußere Endflächen 142, eine innere Endfläche 15, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17, zwei äußere Vorsprünge 18 und einen inneren Vorsprung 19. Die innere Endfläche 15 des ersten Anschlusses 101 weist in der ersten Richtung x nach innen in das Dichtungsharz 40. Dementsprechend ragt der innere Vorsprung 19 des ersten Anschlusses 101 vom Traufabschnitt 17 in der ersten Richtung x nach innen in das Dichtungsharz 40. Die Konfiguration des ersten Anschlusses 101 entspricht dem ersten Anschluss 101 und dem vierten Anschluss 104 des Halbleiterbauteils A10, die zu einer einzigen Einheit zusammengefasst sind.
Wie in den 44 und 45 gezeigt, weist der zweite Anschluss 102 eine Vorderfläche 112, eine Rückfläche 122, eine Seitenfläche 13, eine innere Endfläche 15, eine innere Umfangsfläche 16, einen Traufabschnitt 17 und einen inneren Vorsprung 19 auf. Die innere Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 weist in die erste Richtung x. Dementsprechend ragt der innere Vorsprung 19 des zweiten Anschlusses 102 in der ersten Richtung x aus dem Traufabschnitt 17 heraus. Die Konfiguration des dritten Anschlusses 103 ist die gleiche wie die des dritten Anschlusses 103 des Halbleiterbauteils A10, und die Beschreibung desselben entfällt. Auch die Konfiguration des fünften Anschlusses 105 ist die gleiche wie die des fünften Anschlusses 105 des Halbleiterbauteils A30, und die Beschreibung desselben entfällt.
In dem Halbleiterbauteil A40 ist das erste Halbleiterelement 201 (das Halbleiterelement 20) ein n-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) eines vertikalen Strukturtyps, wie bei dem Halbleiterbauteil A30.
Wie in 44 gezeigt, umfasst die Vielzahl der leitenden Elemente 30 ein erstes Element 31, ein zweites Element 32 und ein drittes Element 33. Das erste Element 31 ist über Bondschichten 29 mit der ersten Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 und der Vorderfläche 112 des dritten Anschlusses 103 gebondet. Somit ist die erste Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem dritten Anschluss 103 verbunden. Das zweite Element 32 ist mit der Gate-Elektrode 23 des ersten Halbleiterelements 201 und der Vorderfläche 112 des fünften Anschlusses 105 gebondet. Somit ist die Gate-Elektrode 23 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem fünften Anschluss 105 verbunden. Das dritte Element 33 ist mit der ersten Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 und der Vorderfläche 112 des zweiten Anschlusses 102 verbunden. Somit ist die erste Elektrode 21 des ersten Halbleiterelements 201 elektrisch mit dem zweiten Anschluss 102 verbunden. Das dritte Element 33 ist ein Draht. Die Zusammensetzung des dritten Elements 33 schließt Gold mit ein. Alternativ kann die Zusammensetzung des dritten Elements 33 auch Aluminium oder Kupfer aufweisen.
Wie in 45 gezeigt, ist die Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 eine Nut bzw. Rille, die sich in der zweiten Richtung y erstreckt. Gegenüberliegende Enden der Aussparung 44 in der zweiten Richtung y sind mit dem Paar von zweiten Oberflächen 432 der äußeren Seitenfläche 43 verbunden. Der erste Anschluss 101 befindet sich neben dem zweiten Anschluss 102, wobei die Aussparung 44 dazwischen liegt. Die innere Endfläche 15 des ersten Anschlusses 101 und die innere Endfläche 15 des zweiten Anschlusses 102 liegen an der inneren Seitenfläche 441 der Aussparung 44 frei.
Die Wirkung und die Vorteile des Halbleiterbauteils A40 werden im Folgenden beschrieben.
Das Halbleiterbauteil A40 weist den zweiten Anschluss 102 mit der Rückfläche 122 und der Seitenfläche 13 auf, die von dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind, und die Beschichtungsschicht 50, die die Rückfläche 122 und die Seitenfläche 13 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 ist mit einer Aussparung 44 versehen, die die innere Seitenfläche 441 aufweist und gegenüber der unteren Fläche 42 zurückgesetzt bzw. ausgespart ist. Der zweite Anschluss 102 und mindestens einer von dem ersten Anschluss 101 und dem dritten Anschluss 103, die sich neben dem zweiten Anschluss 102 mit der Aussparung 44 dazwischen befinden, haben die inneren Endflächen 15, die an der inneren Seitenfläche 441 freiliegen. Somit ermöglicht das Halbleiterbauteil A40 auch eine effiziente Bildung der Beschichtungsschicht 50, die die Rückfläche 122 und die Seitenfläche 13 des Anschlusses 10 (des zweiten Anschlusses 102) bedeckt, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A40 einen ähnlichen Aufbau wie das Halbleiterbauteil A10 und hat daher die gleichen Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10.
In dem Halbleiterbauteil A40 ist das Halbleiterelement 20 ein einzelnes Halbleiterelement 201. Auf diese Weise ist die vorliegende Offenbarung unabhängig von der Anzahl der Halbleiterelemente 20 anwendbar.
Ein Halbleiterbauteil A50 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Folgenden anhand der 46 bis 49 beschrieben. In diesen Figuren sind die Elemente, die mit denen des oben beschriebenen Halbleiterbauteils A10 identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, wie sie für das Halbleiterbauteil A10 verwendet werden, und Beschreibungen derselben werden weggelassen. Zum besseren Verständnis ist das Dichtungsharz 40 in 46 transparent dargestellt. In 46 ist das Dichtungsharz 40 durch imaginäre Linien angedeutet. Es wird bemerkt, dass 47 eine Schnittansicht entlang derselben Ebene wie 8 ist, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt. 48 ist eine Schnittansicht entlang der gleichen Ebene wie 9, die das Halbleiterbauteil A10 zeigt.
Das Halbleiterbauteil A50 unterscheidet sich von dem Halbleiterbauteil A10 dadurch, dass das Halbleiterbauteil A50 ferner einen Isolator 60 aufweist.
Wie in den 46 bis 49 gezeigt, füllt der Isolator 60 die Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 aus. Bei dem Isolator 60 kann es sich beispielsweise um ein Harz handeln, das für ein Underfill-Verfahren verwendet wird. Die innere Endfläche 15 jedes der Anschlüsse 10 ist mit dem Isolator 60 bedeckt. Der Isolator 60 wird in Kontakt mit der Zwischenfläche 442 der Aussparung 44 gehalten. Der Isolator 60 kann von der Zwischenfläche 442 beabstandet sein, solange der Isolator 60 zwei innere Endflächen 15 bedeckt, die einander mit der Aussparung 44 dazwischen gegenüberliegen.
Das Halbleiterbauteil A50 weist den zweiten Anschluss 102 mit der Rückfläche 122 und der Seitenfläche 13 auf, die von dem Dichtungsharz 40 freigelegt sind, und die Beschichtungsschicht 50, die die Rückfläche 122 und die Seitenfläche 13 bedeckt. Das Dichtungsharz 40 ist mit einer Aussparung 44 ausgebildet, die die innere Seitenfläche 441 aufweist und von der unteren Fläche 42 zurückgesetzt ist. Der zweite Anschluss 102 und mindestens einer von dem ersten Anschluss 101 und dem dritten Anschluss 103, die sich neben dem zweiten Anschluss 102 mit der Aussparung 44 dazwischen befinden, haben die inneren Endflächen 15, die an der inneren Seitenfläche 441 freiliegen. Somit ermöglicht das Halbleiterbauteil A50 auch eine effiziente Bildung der Beschichtungsschicht 50, die die Rückfläche 122 und die Seitenfläche 13 des Anschlusses 10 (des zweiten Anschlusses 102) bedeckt, die vom Dichtungsharz 40 freigelegt sind. Darüber hinaus hat das Halbleiterbauteil A50 eine ähnliche Konfiguration wie das Halbleiterbauteil A10 und hat daher die gleichen Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10.
Das Halbleiterbauteil A50 weist ferner den Isolator 60 auf, der die Aussparung 44 des Dichtungsharzes 40 ausfüllt. Wenn das Halbleiterbauteil A50 auf einer Verdrahtungsplatte montiert wird, haftet daher kein Lötmittel an den inneren Endflächen 15 von zwei Anschlüssen 10, die mit der Aussparung 44 dazwischen nebeneinander liegen. Dadurch wird ein Kurzschluss zwischen zwei benachbarten Anschlüssen 10 verhindert, die mit der Aussparung 44 dazwischen aneinandergrenzen.
Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die vorgenannten Ausführungsformen beschränkt. Die spezifische Konfiguration jedes Teils der vorliegenden Offenbarung kann in der Ausführung auf viele Arten variiert werden.
Die vorliegende Offenbarung umfasst die in den folgenden Abschnitten beschriebenen Ausführungsformen.
Klausel 1.
Ein Halbleiterbauteil mit:

einen ersten Anschluss;
einen zweiten Anschluss, der neben dem ersten Anschluss in einer Richtung orthogonal zu einer Dickenrichtung des ersten Anschlusses angeordnet ist;
einen dritten Anschluss, der sich neben dem zweiten Anschluss in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung befindet;
ein erstes Halbleiterelement, das an dem ersten Anschluss angebracht und elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist;
ein Dichtungsharz, das jeweils einen Teil des ersten Anschlusses, des zweiten Anschlusses und des dritten Anschlusses sowie das erste Halbleiterelement bedeckt; und
eine Beschichtungsschicht, die ein Metallelement aufweist, wobei
das Dichtungsharz eine in Dickenrichtung weisende untere Fläche und eine äußere Seitenfläche aufweist, die mit der unteren Fläche verbunden ist und von dem Dichtungsharz in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung nach außen weist,
das Dichtungsharz mit einer Aussparung ausgebildet ist, die von der unteren Fläche zurückgesetzt bzw. ausgespart ist,
die Aussparung eine innere Seitenfläche aufweist, die mit der unteren Fläche verbunden ist und in dem Dichtungsharz in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung nach innen weist bzw. gerichtet ist,
der zweite Anschluss eine Rückfläche aufweist, die an der unteren Fläche freiliegt, und eine Seitenfläche, die mit der Rückfläche verbunden ist und an der äußeren Seitenfläche freiliegt,
die Beschichtungsschicht die Rückfläche und die Seitenfläche bedeckt,
die Aussparung sich zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss befindet, und
der zweite Anschluss und mindestens einer von dem ersten Anschluss und dem dritten Anschluss innere Endflächen aufweisen, die an der inneren Seitenfläche freiliegen.

Klausel 2.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 1, wobei die Aussparung eine Rille ist, die sich in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung erstreckt,
die innere Seitenfläche ein Paar von Bereichen enthält, die in einer Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und der Richtung, in der sich die Aussparung erstreckt, voneinander beabstandet sind, und
die inneren Endflächen an dem Paar von Bereichen freiliegen bzw. freigelegt sind.
Klausel 3.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei die untere Fläche durch die Aussparung in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt ist.
Klausel 4.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 3, wobei die Aussparung eine erste Rille und eine zweite Rille aufweist, und
die zweite Rille die erste Rille kreuzt.
Klausel 5.
Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 4, wobei die innere Endfläche des zweiten Anschlusses von der Seitenfläche beabstandet ist.
Klausel 6.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 5, wobei ein Bereich der inneren Endfläche des zweiten Anschlusses kleiner ist als ein Bereich der Seitenfläche.
Klausel 7.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei die innere Endfläche des zweiten Anschlusses von der Rückfläche beabstandet ist.
Klausel 8.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 6 oder 7, wobei der zweite Anschluss eine Vorderfläche aufweist, die von der Rückfläche in Dickenrichtung abgewandt ist, und
die innere Endfläche mit der Vorderfläche verbunden ist. Klausel 9.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 8, wobei die Aussparung eine Zwischenfläche aufweist, die in Dickenrichtung zur gleichen Seite wie die untere Fläche weist und mit der inneren Seitenfläche verbunden ist, und
die Zwischenfläche weiter von der unteren Fläche entfernt ist als die Vorderfläche.
Klausel 10.
Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 9, wobei der erste Anschluss eine erste äußere Endfläche aufweist, die an der äußeren Seitenfläche freiliegt, und
eine Richtung, in die die erste äußere Endfläche weist, sich von einer Richtung unterscheidet, in die die Seitenfläche weist.
Klausel 11.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 10, wobei der erste Anschluss eine Montagefläche aufweist, die an der unteren Fläche freiliegt, und
die erste äußere Endfläche von der Montagefläche beabstandet ist.
Klausel 12.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei ein Bereich der Montagefläche größer ist als ein Bereich der Rückfläche.
Klausel 13.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 11 oder 12, wobei der erste Anschluss eine zweite äußere Endfläche aufweist, die mit der Montagefläche verbunden ist und an der äußeren Seitenfläche freiliegt, und
die Beschichtungsschicht die Montagefläche und die zweite äußere Endfläche bedeckt.
Klausel 14.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 13, wobei eine Normalenrichtung der zweiten äußeren Endfläche koaxial mit einer Normalenrichtung der Seitenfläche ist, und
die zweite äußere Endfläche von der Seitenfläche abgewandt ist.
Klausel 15.
Das Halbleiterbauteil nach Klausel 14, wobei ein Bereich der zweiten äußeren Endfläche größer ist als ein Bereich der ersten äußeren Endfläche.
Klausel 16.
Das Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 1 bis 15, ferner aufweisend:

einen vierten Anschluss, der neben dem ersten Anschluss in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung angeordnet ist; und
ein zweites Halbleiterelement, das an dem vierten Anschluss angebracht und elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist, wobei
das Dichtungsharz einen Teil des vierten Anschlusses und das zweite Halbleiterelement bedeckt,
die Aussparung sich auch zwischen dem ersten Anschluss und dem vierten Anschluss befindet, und
der erste Anschluss und der vierte Anschluss die inneren Endflächen mit aufweisen.

Klausel 17.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:

Montieren eines Halbleiterelements auf einem einer Vielzahl von Anschlüssen, die jeweils eine Rückfläche und eine mit der Rückfläche verbundene Seitenfläche aufweisen; und
Bilden eines Dichtungsharzes, das einen Teil jedes der Vielzahl von Anschlüssen und das Halbleiterelement bedeckt,
wobei der Schritt des Bildens des Dichtungsharzes das Freilegen der Rückfläche und der Seitenfläche von mindestens einem der Vielzahl von Anschlüssen von dem Dichtungsharz umfasst,
wobei mindestens zwei der Vielzahl von Anschlüssen mit einem Verbindungsstreifen, der die gleiche Zusammensetzung wie die Vielzahl von Anschlüssen aufweist, miteinander verbunden werden,
wobei das Verfahren ferner die folgenden Schritte aufweist: nach dem Schritt des Bildens des Dichtungsharzes, Bilden einer Beschichtungsschicht durch elektrolytisches Plattieren, die die Rückfläche und die Seitenfläche, die von dem Dichtungsharz freigelegt sind, bedeckt und ein Metallelement enthält; und
nach dem Schritt der Bildung der Beschichtungsschicht, Schneiden des Verbindungsstreifens durch Entfernen eines Teils des Dichtungsharzes von einer Seite, auf der die Rückfläche freigelegt ist.

BEZUGSZEICHEN
A10, A20, A30: Halbleiterbauteil 10: Anschluss
101: Erster Anschluss 102: Zweiter Anschluss
103: dritter Anschluss 104: vierter Anschluss
105: Fünfter Anschluss 106: Sechster Anschluss
111: Element-Montagefläche 112: Vorderfläche
121: Montagefläche 122: Rückfläche
13: Seitenfläche 141: Erste äußere Endfläche
142: Zweite äußere Endfläche 15: Innere Endfläche
16: Innere Umfangsfläche 17: Traufabschnitt („eave portion“) 171: Überstehende Fläche 18: Äußerer Vorsprung
19: Innerer Vorsprung 20: Halbleiterelement
201: Erstes Halbleiterelement
202: Zweites Halbleiterelement
21: Erste Elektrode 22: Zweite Elektrode
23: Gate-Elektrode 29: Bondschicht
30: Leitendes Element 31: Erstes Element
32: Zweites Element 33: Drittes Element
40: Dichtungsharz 41: Obere Fläche
42: untere Fläche 43: Äußere Seitenfläche
431: Erste Oberfläche 431A: Erster Bereich
431B: Zweiter Bereich 431C: Dritter Bereich
432: Zweite Oberfläche 44: Aussparung
441: Innere Seitenfläche 442: Zwischenfläche
50: Beschichtungsschicht 60: Isolator
80: Rahmen 801: Erster Rahmenabschnitt
802: Zweiter Rahmenabschnitt 81: Steg („tie bar“)
82: Verbindungsstreifen („connecting strip“) 83: Rille
z: Dickenrichtung x: Erste Richtung y: Zweite Richtung
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2020027850 A [0004]

Claims

Halbleiterbauteil, aufweisend: einen ersten Anschluss; einen zweiten Anschluss, der neben dem ersten Anschluss in einer Richtung orthogonal zu einer Dickenrichtung des ersten Anschlusses angeordnet ist; einen dritten Anschluss, der sich neben dem zweiten Anschluss in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung befindet; ein erstes Halbleiterelement, das an dem ersten Anschluss angebracht und elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; ein Dichtungsharz, das jeweils einen Teil des ersten Anschlusses, des zweiten Anschlusses und des dritten Anschlusses sowie das erste Halbleiterelement bedeckt; und eine Beschichtungsschicht, die ein Metallelement aufweist, wobei das Dichtungsharz eine in Dickenrichtung weisende untere Fläche und eine äußere Seitenfläche aufweist, die mit der unteren Fläche verbunden ist und von dem Dichtungsharz in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung nach außen weist, das Dichtungsharz mit einer Aussparung ausgebildet ist, die von der unteren Fläche zurückgesetzt ist, die Aussparung eine innere Seitenfläche aufweist, die mit der unteren Fläche verbunden ist und in dem Dichtungsharz in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung nach innen weist, der zweite Anschluss eine Rückfläche aufweist, die an der unteren Fläche freiliegt, und eine Seitenfläche, die mit der Rückfläche verbunden ist und an der äußeren Seitenfläche freiliegt, die Beschichtungsschicht die Rückfläche und die Seitenfläche bedeckt, die Aussparung sich zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss befindet, und der zweite Anschluss und mindestens einer von dem ersten Anschluss und dem dritten Anschluss innere Endflächen aufweisen, die an der inneren Seitenfläche freiliegen.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei die Aussparung eine Rille ist, die sich in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung erstreckt, die innere Seitenfläche ein Paar von Bereichen aufweist, die in einer Richtung orthogonal zur Dickenrichtung und der Richtung, in der sich die Aussparung erstreckt, voneinander beabstandet sind, und die inneren Endflächen an dem Paar von Bereichen freiliegen.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei die untere Fläche durch die Aussparung in eine Vielzahl von Bereichen unterteilt ist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei die Aussparung eine erste Rille und eine zweite Rille aufweist, und die zweite Rille die erste Rille kreuzt.
Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die innere Endfläche des zweiten Anschlusses von der Seitenfläche beabstandet ist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, wobei ein Bereich der inneren Endfläche des zweiten Anschlusses kleiner ist als ein Bereich der Seitenfläche.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei die innere Endfläche des zweiten Anschlusses von der Rückfläche beabstandet ist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 6 oder 7, wobei der zweite Anschluss eine Vorderfläche aufweist, die von der Rückfläche in Dickenrichtung abgewandt ist, und die innere Endfläche mit der Vorderfläche verbunden ist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, wobei die Aussparung eine Zwischenfläche aufweist, die in Dickenrichtung auf die gleiche Seite wie die untere Fläche weist und mit der inneren Seitenfläche verbunden ist, und die Zwischenfläche weiter von der unteren Fläche entfernt ist als die Vorderfläche.
Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der erste Anschluss eine erste äußere Endfläche aufweist, die an der äußeren Seitenfläche freiliegt, und eine Richtung, in die die erste äußere Endfläche weist, sich von einer Richtung unterscheidet, in die die Seitenfläche weist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 10, wobei der erste Anschluss eine Montagefläche aufweist, die an der unteren Fläche freiliegt, und die erste äußere Endfläche von der Montagefläche beabstandet ist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei ein Bereich der Montagefläche größer ist als ein Bereich der Rückfläche.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 11 oder 12, wobei der erste Anschluss eine zweite äußere Endfläche aufweist, die mit der Montagefläche verbunden ist und an der äußeren Seitenfläche freiliegt, und die Beschichtungsschicht die Montagefläche und die zweite äußere Endfläche bedeckt.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 13, wobei eine Normalenrichtung der zweiten äußeren Endfläche koaxial mit einer Normalenrichtung der Seitenfläche ist, und die zweite äußere Endfläche von der Seitenfläche abgewandt ist.
Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, wobei ein Bereich der zweiten äußeren Endfläche größer ist als ein Bereich der ersten äußeren Endfläche.
Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 15, ferner aufweisend: einen vierten Anschluss, der neben dem ersten Anschluss in der Richtung orthogonal zur Dickenrichtung angeordnet ist; und ein zweites Halbleiterelement, das an dem vierten Anschluss angebracht und elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist, wobei das Dichtungsharz einen Teil des vierten Anschlusses und das zweite Halbleiterelement bedeckt, die Aussparung sich auch zwischen dem ersten Anschluss und dem vierten Anschluss befindet, und der erste Anschluss und der vierte Anschluss die inneren Endflächen mit aufweisen.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Montieren eines Halbleiterelements auf einem einer Vielzahl von Anschlüssen, die jeweils eine Rückfläche und eine mit der Rückfläche verbundene Seitenfläche aufweisen; und Bilden eines Dichtungsharzes, das jeweils einen Teil jedes der Vielzahl von Anschlüssen und das Halbleiterelement bedeckt, wobei der Schritt des Bildens des Dichtungsharzes das Freilegen der Rückfläche und der Seitenfläche von mindestens einem der Vielzahl von Anschlüssen von dem Dichtungsharz umfasst, wobei mindestens zwei der Vielzahl von Anschlüssen mit einem Verbindungsstreifen, der die gleiche Zusammensetzung wie die Vielzahl von Anschlüssen aufweist, miteinander verbunden werden, wobei das Verfahren ferner die folgenden Schritte aufweist: nach dem Schritt des Bildens des Dichtungsharzes, Bilden einer Beschichtungsschicht durch elektrolytisches Plattieren, die die Rückfläche und die Seitenfläche, die von dem Dichtungsharz freigelegt sind, bedeckt und ein Metallelement enthält; und nach dem Schritt der Bildung der Beschichtungsschicht, Schneiden des Verbindungsstreifens durch Entfernen eines Teils des Dichtungsharzes von einer Seite, auf der die Rückfläche freigelegt ist.