DE1817461B1

DE1817461B1 - Schaltungsanordnung fuer einen elektronischen Ringzaehler

Info

Publication number: DE1817461B1
Application number: DE19681817461
Authority: DE
Inventors: Hachiro Omote
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1968-12-24
Filing date: 1968-12-30
Publication date: 1970-10-01
Also published as: GB1255488A; US3593034A; FR1604194A; NL6818831A

Description

1 2

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung gemacht, der drei bistabile Multivibratoren umfaßt,

für einen elektronischen Ringzähler, insbesondere einen Ein Beispiel eines derartigen bekannten Ringzählers

solchen mit drei Zählstufen, wobei jede Zählstufe aus ist in F i g. 1 veranschaulicht.

einem Transistor und einer Diode besteht und je Stufe Wie aus F i g. 1 ersichtlich, bilden Transistoren Tr₁

mindestens einen Spannungsteiler enthält, der zwischen 5 und Tr₂,Tr_s und Tr₁ sowie Tr₅ und Tr₆ jeweils drei

dem Kollektor des jeweiligen Transistors der Zähl- bistabile Multivibratoren, die in Kaskadenschaltung

stufe und Erde liegt, und mit der gemeinsamen Zähl- miteinander verbunden sind. Durch Anlegen eines

impulsleitung sowie mit der Basis des nächstfolgenden Rücklaufeingangs an eine Rücklaufeingangsklemme R

Transistors verbunden ist. werden die Transistoren Tr₂, Tr₁ und Tr₅ leitend und

Eine derartige Schaltung ist beispielsweise aus der io die Transistoren Tr₁, Tr₃ und Tr₆ nichtleitend. Wenn

deutschen Auslegeschrift 1 274189 bekannt. Der bei einem derartigen Zustand ein positiver Auslöse-

dort gezeigte multistabile elektronische Impulszähler, impuls einer Auslöseeingangsklemme T zugeführt

d. h. Ringzähler mit η Zählstufen, ist insoweit nach- wird, wird er jeweils über Dioden D₄, D₅ und D₆ an

teilig, als bei seiner dreistufigen Ausbildung jeweils die Transistoren Ir₂, Tr₁ und Tr₆ gelegt, so daß der

zwei von drei Transistoren leitend und nur der ver- 15 Transistor Tr₆ umgesteuert bzw. eingeschaltet wird,

bleibende letzte Transistor nichtleitend ist. Dadurch da er sich in nichtleitendem Zustand befand, während

hat der bekannte Zähler einen erhöhten Energiever- die Transistoren Tr₂ und 7V₄ nicht umgesteuert werden,

brauch. da sie sich bereits in leitendem Zustand befinden.

Ähnliche Schaltungen, bei denen jweils zwei der Auf diese Weise wird der bistabile Multivibrator, der drei Transistoren leitend sind, sind auch aus der deut- 20 durch die Transistoren Tr₅ und Tr₆ gebildet ist, umsehen Auslegeschrift 1 218 517 und aus der Zeit- gesteuert, so daß eine Umsteuerung des Transistors Tr₅ Λ Schrift »Funk-Technik«, 1963, S. 877 bis 880, bekannt. erfolgt und an dessen Kollektor ein positiver Ausgang ™ Schließlich ist noch aus der deutschen Auslegeschrift erscheint, der seinerseits dem Transistor Tr₃ über die 1 290 188 eine Schaltung bekannt, die auf die Energie- Diode D₂ zugeführt wird, um auf diese Weise diesen Versorgung durch eine negative und eine positive 25 Transistor einzuschalten. Da der Transistor Tr₃ von Spannungsquelle angewiesen ist. »aus« auf »ein« umgeschaltet worden ist, erscheint

Ausgehend von diesem Stand der Technik stellt nunmehr an dessen Kollektor ein negativer Ausgang,

sich die Erfindung die Aufgabe, den Energieverbrauch der jedoch durch die Diode D₁ daran gehindert wird,

einer dreistufigen Zählkette zu vermindern. Diese zum Transistor 7V₁ zu gelangen. Auf diese Weise

Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß 30 wird der Schaltkreis durch Zufuhr eines Auslöse-

die Dioden jeweils zwischen der Basis des Transistors impulses von einem ersten stabilen Zustand in einen

der ersten Stufe und dem Kollektor des Transistors zweiten stabilen Zustand umgeschaltet und sodann

der zweiten Stufe, zwischen der Basis des Transistors vorbereitet, bei Eintreffen des nächsten Auslöseimpul-

der dritten Stufe und dem Kollektor des Transistors ses einen dritten stabilen Zustand einzunehmen. Nach

der ersten Stufe und zwischen der Basis des Transistors 35 Eintreffen eines weiteren Auslöseimpulses gelangt der

der zweiten Stufe und dem Kollektor des Transistors Schaltkreis in den ersten stabilen Zustand zurück,

der dritten Stufe angeordnet sind und am Spannungs- Somit wird eine tristabile Funktionsweise erzielt,

teiler vorgesehene Teilspannungsabgriffe jeweils über Die vorstehend beschriebene Schaltungsanordnung

einen leitenden Transistors mit der Masse verbinden. ist insofern nachteilig, als sie — bedingt durch die

Durch die erfindungsgemäß verwendeten Dioden 40 Tatsache, daß sechs Transistoren sowie eine beträcht- und ihre Schaltung zwischen jeweils die Basis eines liehe Anzahl anderer Schaltelemente für die tristabile Transistors und die Ausgangselektrode des zwei Zähl- Operation erforderlich sind — verwirklicht ist. ^ stufen vorhergehenden Transistors wird erreicht, daß Es sind weiter andere Schaltungsanordnungen be- f über die Ausgangselektrode des jeweils leitenden Tran- kannt, bei denen drei Transistoren zum Erzielen der sistors die Basis des übernächsten Transistors nahezu 45 drei stabilen Zustände Verwendung finden. Bei diesen auf Massenpotential gelangt und der Transistor ge- Anordnungen sind jedoch immer zwei der drei Transperrt bleibt. Dadurch sind bei der erfindungsgemäßen sistoren leitend, während nur der verbleibende einzige Schaltung jeweils zwei der drei Transistoren gesperrt, Transistor gesperrt ist. Dadurch entsteht ein erhöhter und der Energiebedarf ist entsprechend vermindert. Energiebedarf.

In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise 50 Durch die Erfindung wird angestrebt, eine ververanschaulicht, und zwar zeigt einfachte tristabile Schaltungsanordnung zu scharfen.

F i g. 1 einen Schaltplan einer herkömmlichen drei- In F i g. 2 ist eine tristabile Schaltungsanordnung gestufigen Zählkette, maß einer ersten Ausführungsform der Erfindung ver-

F i g. 2 einen Schaltplan einer erfindungsgemäßen anschaulicht, bei der NPN-Silizium-Transistoren Verdreistufigen Zählkette, 55 Wendung finden. Zunächst sei die Schaltungsanord-

F i g. 3 und 4 Schaltpläne einer zweiten und dritten nung nach F i g. 2 im einzelnen beschrieben. In dieser

Ausführungsform der dreistufigen Zählkette nach Figur bezeichnen die Bezugszeichen 1, 2 und 3 NPN-

der Erfindung, Silizium-Transistoren, die miteinander in Kaskaden-

F i g. 5 einen Schaltplan zur Veranschaulichung schaltung verbunden sind, und die Bezugszeichen 7,

einer dreistufigen Zählkette gemäß einer vierten Aus- 60 8 und 9 jeweils Dioden mit verhältnismäßig geringer

führungsform der Erfindung, Vorwärtsspannung (beispielsweise Germaniumdioden).

F i g. 6a bis 6f Wellenformen zur Erläuterung der Die Bezugszeichen 4, 5 und 6 bezeichnen jeweils KoI-

Schaltungsanordnung nach F i g. 5 und lektorwiderstände für die Transistoren 1, 2 und 3 und

F i g. 7 einen Schaltplan zur Veranschaulichung die Bezugszeichen 10,11,12,13,14 und 15 Spannungseiner dreistufigen Zählkette gemäß einer fünften Aus- 65 teilerwiderstände für die Teilung der Kollektorspanführungsform nach der Erfindung. nungen der Transistoren 1, 2 und 3 und zur Zufuhr

Herkömmlicherweise wird zur Erzielung einer tri- der geteilten Spannungen an die Basen der Transi-

stabilen Funktion von einem Ringzähler Gebrauch stören der darauffolgenden Stufe. Dabei sind die Ver-

bindungssteilen zwischen den Widerständen 10 und 13, zwischen den Widerständen 11 und 14 und zwischen den Widerständen 12 und 15 jeweils mit den Basen der Transistoren 2, 3 und 1 verbunden. Die Dioden 7, 8 und 9 sind zwischen den Kollektor des Transistors 3 und die Basis des Transistors 2, zwischen den Kollektor des Transistors 1 und die Basis des Transistors 3 und zwischen den Kollektor des Transistors 2 und die Basis des Transistors 1 eingeschaltet, wobei die Kathoden mit den Kollektoren und die Anoden mit den Basen verbunden sind.

Nachstehend wird die Funktionsweise der vorstehend beschriebenen Schaltungsanordnung erläutert. Es sei angenommen, daß sich der Transistor 2 in »eingeschaltetem« Zustand befindet. Die Kollektorspannung des Transistors 2 ist dann gleich der Kollektorsättigungsspannung desselben (dargestellt durch VcE(SAT))· Diese Kollektorspannung wird durch die Widerstände 11 und 14 geteilt und dann an die Basis des Transistors 3 gelegt. Wenn die unterteilte Spannung niedriger als die Basis-Emitter-Grenzspannung (dargestellt durch Vbe(cüt)) des Transistors 3 ist, dann bleibt letzterer nichtleitend. In diesem Fall wird die Kollektorspannung des Transistors 3 gleich +E, vermindert um den Spannungsabfall am Kollektorwiderstand infolge des über den Spannungsteiler (Widerstände 16' und 19) fließenden Stromes, und an der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 und folglich an der Basis des Transistors 1 erscheint ein positives Potential. Falls dieses positive Potential höher als Vbe(CUT) ist, neigt der Transistor 1 dazu, leitend zu werden. Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 jedoch mit dem Kollektor des leitenden Transistors 2 über die Diode 9 verbunden, so daß letzterer leitend wird und infolgedessen die Spannung an der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 absenkt. In diesem Fall wird die Spannung an dieser Verbindungsstelle gleich der Summe der Kollektorsättigungsspannung VcE(SAT) und der Vorwärtsspannung (dargestellt durch Vf) der Diode 9. Wird die Spannung niedriger als Vbe(cut) gemacht, dann wird der Transistor 1 nichtleitend. Somit wird die Kollektorspannung des Transistors 1 gleich +E, und infolgedessen erscheint an der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 10 und 13 ein positives Potential, so daß der Transistor leitend bleibt. An dieser Stelle bleibt die Diode 7 nichtleitend, da sie keinen Einfluß auf die Funktionsweise ausübt, bedingt durch die Tatsache, daß deren Kathode mit dem Kollektor des Transistors 3, der sich nun in nichtleitendem Zustand befindet, verbunden ist. Dies gilt auch für die Diode 8.

Auf die vorstehend beschriebene Weise wird der erste stabile Zustand aufrechterhalten. Erfindungsgemäß sind die Widerstände 4, 5 und 6 so gewählt, daß sie den gleichen Widerstandswert (R₁) besitzen. Dies gilt auch für die Widerstände 10, 11, 12 (R₂) sowie die Widerstände 13, 14, 15 (R₃). Durch Anlegen eines positiven Impulses an die Basis des Transistors 3 bzw. an die Basiseingänge aller Transistoren durch ein geeignetes Verfahren wird der Transistor 3 in leitenden Zustand übergeführt, so daß durch einen ähnlichen Vorgang der Transistor 2 abgeschaltet wird. Infolgedessen wird der Schaltkreis veranlaßt, in einen zweiten stabilen Zustand überzugehen. Wird der Basis des Transistors 1 ein nachfolgender positiver Impuls zugeführt, dann wird letzterer leitend, so daß durch die ähnliche Operation die Transistoren 2 und 3 in nichtleitendem Zustand übergeführt werden. Infolgedessen wird die Schaltungsanordnung veranlaßt, in einen dritten stabilen Zustand überzugehen. Auf diese Weise ist es möglich, die drei stabilen Zustände zu erzielen.

Unter Verwendung der vorstehend angegebenen Symbole ergeben sich die Bedingungen für die vorerwähnte tristabile Operation wie folgt:

R₃-E

R₁ + R₂ +

VbE(CUT) >

R₃ · VCE(SAT)

R₂ + R₃

+ Vf < Vbe(cüt) ■

In der Praxis liegt die Kollektorspannung Vce(sat) des Siliziumtransistors bei etwa 0,2 V, die Basis-Emitter-Grenzspannung VcE(C UT) bei etwa 0,7 V und die Vorwärtsspannung Vp der Germaniumdiode bei etwa 0,2 V. Somit können durch geeignete Auswahl der Widerstandswerte R₁, R₂ und R₃ die vorstehenden Bedingungen auf zufriedenstellende Weise erreicht werden.

Andererseits ist es unmöglich, die vorstehend genannten Bedingungen einzuhalten, wenn Germaniumtransistoren eingesetzt werden, deren Kollektorsättigungsspannung VcE(SAT) bei etwa 0,1 V und deren Basis-Emitter-Grenzspannung Vbe(cut) bei etwa 0,2 V liegt. Deshalb kann die tristabile Operation nicht erreicht werden. Gemäß der Erfindung ist es jedoch möglich, die tristabile Operation selbst bei Verwendung von Germaniumtransistoren zu erreichen; Beispiele der Schaltungsanordnung sind in den F i g. 3 und 4 veranschaulicht.

F i g. 3 zeigt den Fall der Verwendung von NPN-Germaniumtransistoren und F i g. 4 den Fall der Verwendung von NPN-Germaniumtransistoren. Nachstehend wird zunächst die Schaltungsanordnung gemaß F i g. 3 beschrieben.

Die mit den Bezugszeichen 1 bis 15 bezeichneten Bauelemente der F i g. 3 entsprechen denen der F i g. 1. Folglich wird deshalb auf eine diesbezügliche Beschreibung verzichtet. Die Bezugszeichen 16, 17 und 18 veranschaulichen Dioden mit hoher Vorwärtsspannung (dargestellt durch Vfh) (beispielsweise Siliziumdioden), deren Anoden mit dem Verbindungspunkt zwischen den Spannungsteilerwiderständen 12 und 15, dem zwischen den Widerständen 10 und 13 und dem zwischen den Widerständen 11 und 14 und deren Kathoden jeweils in Reihe mit den Basen der Transistoren 1, 2 und 3 verbunden sind.

Die Bedingungen für die tristabile Operation dieses Kreises sind durch die folgenden Bedingungen gegeben:

Vbe(cut)

R₃ · VCE(SAT)

R₁+ R₂ + R₃ R₂ + R₃

VcE(SAT) + Vf < Vbe(cut) + Vfh ·

Diesen Bedingungen kann durch Verwendung von Siliziumdioden als Dioden 16, 17 und 18 Rechnung getragen werden, deren Vorwärtsspannung bei etwa 0,6 V liegt. Falls diesen Bedingungen nicht genügt werden kann (beispielsweise im Fall von Germaniumdioden, deren Vorwärtsspannung bei etwa 0,2 V liegt), dann sollte eine Mehrzahl von Dioden mit-

5 6

einander in Reihe geschaltet sein. Auf diese Weise nung des Transistors 1 ist, wird letzterer abgeschaltet, läßt sich den vorstehend genannten Bedingungen Folglich ist die Kollektorspannung des Transistors 1 Rechnung tragen. positiv, und der Transistor 2 bleibt somit leitend. In

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 4, bei der der Praxis liegt die Kollektorsättigungsspannung des PNP-Germanium-Transistoren eingesetzt werden, 5 Transistors bei etwa 0,2 V, die Basis-Emitter-Grenzähnelt derjenigen der F i g. 3, mit der Ausnahme, daß spannung bei etwa 0,7 V und die Vorwärtsspannung die Richtung des Stromflusses in ersterem entgegen- der Germaniumdiode bei etwa 0,2 V, wie vorstehend gesetzt zu demjenigen in letzterem ist, so daß die beschrieben. Auf diese Weise kann die vorstehend Richtungen der Verbindungen zwischen den Dioden 7, dargelegte Operation erreicht werden. 8, 9 und 16, 17, 18 umgekehrt sind. Auf diese Weise io Wenn an die Klemme 31 ein Auslöseimpuls, wie in ist es möglich, eine tristabile Schaltungsanordnung Fig. 6a dargestellt, angelegt wird, tritt an der Verdurch Verwendung von drei Germaniumtransistoren bindungssteile zwischen dem Kondensator 29 und herzustellen, die im Vergleich zu einem Ringzähler dem Widerstand 28 eine durch die Widerstände 28 wesentlich vereinfacht ist, so daß die Herstellungs- und 29 differenzierte Wellenform, wie in F i g. 6 b kosten sowie die Zahl der Fertigungsstufen verringert 15 veranschaulicht, auf, und nur positive Impulse werden können. (F i g. 6 c) gelangen an die Basen der Transistoren 1,

Nachstehend wird eine Schaltungsanordnung be- 2 und 3 über die Dioden 25, 26 und 27 und die Konschrieben, die geeignet ist, die Frequenz eines Ein- densatoren 22, 23 und 24. An dieser Stelle wird jedoch gangs-Auslöseimpulses durch den Faktor 3 unter der Transistor 1 im »ausgeschalteten« Zustand geVerwendung des Kreises gemäß F i g. 2 zu teilen. 20 halten, so daß die Verbindungsstelle zwischen den F i g. 5 zeigt ein Beispiel eines derartigen Kreises. Widerständen 16' und 19 ein positives Potentid an-Teile der F i g. 5, die denen der F i g. 1 entsprechen, nimmt, und der Transistor 3 wird ebenfalls im »aussind mit analogen Bezugszeichen versehen, und eine geschalteten« Zustand gehalten, so daß die Verbin-Beschreibung dieses Teils ist fortgelassen. Eine Aus- dungssteile zwischen den Widerständen 18' und 21 gangsklemme 32 führt über einen Kondensator 30 25 positives Potential besitzt. Die Dioden 25 und 27 zum Kollektor des Transistors 1. Mit der Basis des werden dementsprechend nichtleitend. Deshalb wird Transistors 2 ist die Kathode einer Diode 25 über der Impuls daran gehindert, zu den Basen der Traneinen Kondensator 22 verbunden. Die Verbindungs- sistoren 1 und 2 überzutreten. Andererseits befindet stelle zwischen der Diode 25 und dem Kondensator 22 sich der Transistor 2 in »eingeschaltetem« Zustand, ist mit dem Kollektor des Transistors 1 über einen 30 so daß das Potential an der Verbindungsstelle zwischen Widerstand 16' und auch mit einer Erdklemme über den Widerständen 12 und 15 sowie 17' und 20 prakeinen Widerstand 19 verbunden. Entsprechende Netz- tisch Null ist und der Impuls der Basis des Tranteile sind auch in bezug auf die Basen der Tran- sistors 3 über die Diode 26 und den Kondensator 23 sistoren 3 und 1 unter Verwendung der Dioden 26, zugeführt wird. Auf diese Weise wird der Transistor 3 27, der Kondensatoren 23, 24 und der Widerstände 35 leitend durch das Anlegen eines Impulses an seine 17', 20, 18', 21 vorgesehen. Die Anoden der vor- Basis, während die Transistoren 1 und 2, an die kein erwähnten Dioden 25, 26 und 27 sind miteinander Impuls gelegt wird, ihren vorigen Leitfähigkeitszustand verbunden und an die Auslöseimpulseingangsklemme beibehalten. Da der Transistor 3 nunmehr leitet, sinkt über einen Differenzierkreis angeschlossen, der durch sein Kollektorpotential auf Erdpotential ab, und das einen Widerstand 28 und einen Kondensator 29 ge- 40 Basispotential des Transistors 2 wird wegen der bildet ist. Diode 7 ebenfalls gleich dem Erdpotential, wodurch

Nachstehend wird die Wirkungsweise dieses Kreises der Transistor 2 sperrt. Jetzt ist nur der Transistor 3 beschrieben. leitend, während die Transistoren 1 und 2 gesperrt

Es sei angenommen, daß der Transistor 2 sich in sind. Wenn ein weiterer Impuls angelegt wird eingeschaltetem Zustand befindet (während einer 45 (Periode T₂ in F i g. 6), wird er an einem Übertritt PeriodeT₁ gemäß Fig. 6). Die Kollektorspannung zu den Transistoren2 und 3 gehindert, da die Dioden des Transistors 2 wird dann gleich der Kollektor- 25 und 26 nichtleitend sind; er wird jedoch allein dem Sättigungsspannung desselben. Diese Spannung wird Transistor 1 über die Dioden 27 zugeführt, um den durch die Widerstände 11 und 14 geteilt und dann an Transistor 1 leitend werden zu lassen, so daß ein die Basis des Transistors 3 gelegt. Wenn die geteilte 50 stabiler Zustand aufrechterhalten wird (Periode T₃ Spannung, die an den Transistor 3 gelegt wird, jedoch in Fig. 6). Diese Beziehung ist in den Fig. 6d, niedriger ist als die Basis-Emitter-Grenzspannung 6e und 6f veranschaulicht.

desselben, dann bleibt der Transistors nichtleitend, Wie sich aus vorstehender Darlegung ergibt, wird

so daß dessen Kollektorspannung gleich der Gleich- der leitend zu machende Transistor bei jedem Einspannung E vermindert um den Spannungsabfall am 55 treffen eines Auslöseimpulses nacheinander geschaltet. Kollektorwiderstand infolge des über den Spannungs- Folglich tritt an der Ausgangsklemme 32 eine Ändeteiler fließenden Stromes wird. Somit nimmt die Ver- rung der Kollektorspannung des Transistors 1 mit bindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 einer Frequenz auf, die einem Drittel derjenigen des ein hohes Potential an, so daß der Transistor 1 dazu Eingangsauslöseimpulses entspricht, neigt, eingeschaltet zu werden. Da die Verbindungs- 60 F i g. 5 zeigt den Fall der Verwendung von NPN-stelle zwischen den Widerständen 12 und 15 mit dem Silizium-Transistoren. Die vorliegende Schaltungs-Kollektor des leitenden Transistors 2 über die Diode 9 anordnung kann auch durch Verwendung von PNP-verbunden ist, wird letzterer in diesem Fall jedoch Silizium-Transistoren verwirklicht werden, wenn nur leitend, so daß die Spannung an der Verbindungsstelle die Summe der Kollektorsättigungsspannung des zwischen Widerständen 12 und 15 gleich der Summe 65 Transistors und der Vorwärtsspannung der Diode der Kollektorsättigungsspannung und der Vorwärts- geringer als die Basis-Emitter-Grenzspannung des spannung der Diode 9 wird. Falls diese Summen- Transistors ist. In diesem Fall sind natürlich die spannung niedriger als die Basis-Emitter-Grenzspan- Richtungen der angelegten Gleichspannung und der

Verbindungen der Dioden 7, 8, 9, 25, 26 und 27 umgekehrt.

Im Fall der Verwendung von Germaniumtransistoren ist keine Möglichkeit gegeben, daß die Summe der Kollektorsättigungsspannung des Transistors und der Vorwärtsspannung der Diode geringer als die Basis-Emitter-Grenzspannung des Transistors wird, da es üblich ist, daß die Kollektorsättigungsspannung des Germaniumtransistors bei etwa 0,1 V und die Basis-Emitter-Grenzspannung desselben bei etwa 0,2 liegt. Somit ist es im allgemeinen unmöglich, einen Kreis zu erzielen, der in der Lage ist, eine Frequenz durch einen Faktor 3 zu teilen. Durch Verbindung einer Reihe von Dioden, wie z. B. Siliziumdioden 33, 34 und 25 mit hoher Vorwärtsspannung mit den Basen jeweils der Transistoren 1, 2 und 3 ist es jedoch möglich, den Vorgang der Frequenzteilung durch einen Faktor 3 zu erzielen.

Gemäß der Erfindung können deshalb entweder Siliziumtransistoren oder Germaniumtransistoren für einen Kreis, der eine Frequenzteilung durch einen Faktor 3 erlaubt, verwendet werden. Die Erfindung ist insofern von Vorteil, als sie den Einsatz von Germaniumtransistoren erlaubt. Weiterhin ist die Schaltungsanordnung nach der Erfindung insofern mit einer wesentlichen Vereinfachung verbunden, als sie aus lediglich drei Transistoren und neun Dioden zusammengesetzt ist; und obwohl dennoch kein Zeitkonstantenkreis vorgesehen ist, kann die Frequenzteiloperation stabilisiert werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung für einen elektronischen Ringzähler, insbesondere einen solchen mit drei Zählstufen, wobei jede Zählstufe aus einem Transistor und einer Diode besteht und je Stufe mindestens einen Spannungsteiler enthält, der zwischen dem Kollektor des jeweiligen Transistors der Zählstufe und Erde liegt und mit der gemeinsamen Zählimpulsleitung sowie mit der Basis des nächstfolgenden Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden(7, 8, 9) jeweils zwischen der Basis des Transistors (1) der ersten Stufe und dem Kollektor des Transistors (2) der zweiten Stufe, zwischen der Basis des Transistors (3) der dritten Stufe und dem Kollektor des Transistors (1) der ersten Stufe und zwischen der Basis des Transistors (2) der zweiten Stufe und dem Kollektor des Transistors (3) der dritten Stufe angeordnet sind und die Teilspannungsabgriffe der Spannungsteiler jeweils über einen leitenden Transistor mit der Masse verbinden.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Emitter-Grenzspannung durch Verbindung einer Diode (16, 17, 18) in Reihe mit der Basis jedes Transistors (1, 2, 3) auffallend erhöht wird (F i g. 3).

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Siliziumtransistoren und Verbindung der Ausgangselektrode jedes vorhergehenden Transistors (1, 2, 3) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über Widerstandselemente (10, 11, 12) sowie Erdung der Basis jedes darauffolgenden Transistors über Widerstandselemente (13, 14, 15 in F i g. 2).

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Germaniumtransistoren sowie Verbindung der Ausgangselektrode jedes vorhergehenden Transistors (1,2, 3) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über eine Reihenschaltung eines Widerstandes (10, 11, 12) und einer Diode (17, 18, 19) sowie Erdung des Verbindungspunktes zwischen diesem Widerstand und dieser Diode über einen Widerstand (13, 14, 15 in F i g. 4).

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich drei Spannungsteiler (16', 19, 17', 20, 18', 21) zwischen den Ausgangselektroden der jeweiligen Transistoren (1, 2, 3) und den darauffolgenden Transistoren vorgesehen sind, daß der Teilspannungsabgriff jedes dieser zusätzlichen Spannungsteiler mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors verbunden ist, daß mit den drei Teilspannungsabgriffen jeweils eine Klemme von Dioden (25, 26, 27) verbunden ist, deren andere Klemmen untereinander verbunden sind, und daß der Verbindung ein durch Differenzieren eines Ausleseimpulses gewonnenes Signal zugeführt ist (F i g. 5).

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch Verwendung von Siliziumtransistoren sowie Verbindung der Ausgangselektrode jedes Transistors (1, 2, 3) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über eine Reihenschaltung eines Widerstandes (16', 17', 18') und eines Kondensators (22, 23, 24), wobei die Verbindungsstelle zwischen dem Widerstand und dem Kondensator über einen Widerstand (19, 20, 21) geerdet und außerdem mit der einen Klemme der jeweiligen Diode (25, 26,27) verbunden ist (F i g. 5, Fig. 7).

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilspannungsabgriff jedes der zusätzlichen drei Spannungsteiler (16', 19; 17', 20; 18', 21) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über einen Kondensator (22, 23, 24) verbunden ist (F i g. 5, 7).

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 009540/327