[go: up one dir, main page]

DE1817461B1 - Circuit arrangement for an electronic ring counter - Google Patents

Circuit arrangement for an electronic ring counter

Info

Publication number
DE1817461B1
DE1817461B1 DE19681817461 DE1817461A DE1817461B1 DE 1817461 B1 DE1817461 B1 DE 1817461B1 DE 19681817461 DE19681817461 DE 19681817461 DE 1817461 A DE1817461 A DE 1817461A DE 1817461 B1 DE1817461 B1 DE 1817461B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
base
voltage
stage
circuit arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19681817461
Other languages
German (de)
Inventor
Hachiro Omote
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US786636A priority Critical patent/US3593034A/en
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to FR182027A priority patent/FR1604194A/fr
Priority to GB61775/68A priority patent/GB1255488A/en
Priority to NL6818831A priority patent/NL6818831A/xx
Priority to DE19681817461 priority patent/DE1817461B1/en
Publication of DE1817461B1 publication Critical patent/DE1817461B1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/29Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator multistable
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K23/00Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
    • H03K23/002Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

1 21 2

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung gemacht, der drei bistabile Multivibratoren umfaßt,The invention relates to a circuit arrangement made which comprises three bistable multivibrators,

für einen elektronischen Ringzähler, insbesondere einen Ein Beispiel eines derartigen bekannten Ringzählersfor an electronic ring counter, in particular an example of such a known ring counter

solchen mit drei Zählstufen, wobei jede Zählstufe aus ist in F i g. 1 veranschaulicht.those with three counting levels, each counting level being off in FIG. 1 illustrates.

einem Transistor und einer Diode besteht und je Stufe Wie aus F i g. 1 ersichtlich, bilden Transistoren Tr1 consists of a transistor and a diode and per stage As from F i g. 1, transistors Tr 1 form

mindestens einen Spannungsteiler enthält, der zwischen 5 und Tr2,Trs und Tr1 sowie Tr5 und Tr6 jeweils dreicontains at least one voltage divider between 5 and Tr 2 , Tr s and Tr 1 and Tr 5 and Tr 6 each three

dem Kollektor des jeweiligen Transistors der Zähl- bistabile Multivibratoren, die in Kaskadenschaltungthe collector of the respective transistor of the counting bistable multivibrators, which are connected in cascade

stufe und Erde liegt, und mit der gemeinsamen Zähl- miteinander verbunden sind. Durch Anlegen eineslevel and earth, and with the common counting are connected to each other. By creating a

impulsleitung sowie mit der Basis des nächstfolgenden Rücklaufeingangs an eine Rücklaufeingangsklemme R pulse line as well as with the base of the next return input to a return input terminal R.

Transistors verbunden ist. werden die Transistoren Tr2, Tr1 und Tr5 leitend undTransistor is connected. the transistors Tr 2 , Tr 1 and Tr 5 are conductive and

Eine derartige Schaltung ist beispielsweise aus der io die Transistoren Tr1, Tr3 und Tr6 nichtleitend. WennSuch a circuit is, for example, from the IO, the transistors Tr 1 , Tr 3 and Tr 6 non-conductive. if

deutschen Auslegeschrift 1 274189 bekannt. Der bei einem derartigen Zustand ein positiver Auslöse-German Auslegeschrift 1 274189 known. In such a state, a positive release

dort gezeigte multistabile elektronische Impulszähler, impuls einer Auslöseeingangsklemme T zugeführtMultistable electronic pulse counter shown there, pulse fed to a triggering input terminal T.

d. h. Ringzähler mit η Zählstufen, ist insoweit nach- wird, wird er jeweils über Dioden D4, D5 und D6 anie ring counter with η counting steps, if it is, it is switched on via diodes D 4 , D 5 and D 6

teilig, als bei seiner dreistufigen Ausbildung jeweils die Transistoren Ir2, Tr1 und Tr6 gelegt, so daß derpart, as in its three-stage training, each of the transistors Ir 2 , Tr 1 and Tr 6 placed, so that the

zwei von drei Transistoren leitend und nur der ver- 15 Transistor Tr6 umgesteuert bzw. eingeschaltet wird,two of three transistors are conductive and only the transistor Tr 6 that is switched on is reversed or switched on,

bleibende letzte Transistor nichtleitend ist. Dadurch da er sich in nichtleitendem Zustand befand, währendremaining last transistor is non-conductive. Because he was in a non-conductive state while

hat der bekannte Zähler einen erhöhten Energiever- die Transistoren Tr2 und 7V4 nicht umgesteuert werden,the known counter has an increased energy consumption - the transistors Tr 2 and 7V 4 are not reversed,

brauch. da sie sich bereits in leitendem Zustand befinden.need. since they are already in a conductive state.

Ähnliche Schaltungen, bei denen jweils zwei der Auf diese Weise wird der bistabile Multivibrator, der drei Transistoren leitend sind, sind auch aus der deut- 20 durch die Transistoren Tr5 und Tr6 gebildet ist, umsehen Auslegeschrift 1 218 517 und aus der Zeit- gesteuert, so daß eine Umsteuerung des Transistors Tr5 Λ Schrift »Funk-Technik«, 1963, S. 877 bis 880, bekannt. erfolgt und an dessen Kollektor ein positiver Ausgang ™ Schließlich ist noch aus der deutschen Auslegeschrift erscheint, der seinerseits dem Transistor Tr3 über die 1 290 188 eine Schaltung bekannt, die auf die Energie- Diode D2 zugeführt wird, um auf diese Weise diesen Versorgung durch eine negative und eine positive 25 Transistor einzuschalten. Da der Transistor Tr3 von Spannungsquelle angewiesen ist. »aus« auf »ein« umgeschaltet worden ist, erscheintSimilar circuits in which two of the In this way the bistable multivibrator, the three transistors are conductive, are also made of the German 20 is formed by the transistors Tr 5 and Tr 6 , look around Auslegeschrift 1 218 517 and from the time controlled, so that a reversal of the transistor Tr 5 Λ document "Funk-Technik", 1963, pp 877 to 880, known. takes place and at its collector a positive output ™. Finally, it appears from the German Auslegeschrift, which in turn knows the transistor Tr 3 via the 1 290 188 a circuit which is fed to the energy diode D 2 in order to supply this in this way by turning on a negative and a positive 25 transistor. Since the transistor Tr 3 is dependent on the voltage source. "Off" has been switched to "on" appears

Ausgehend von diesem Stand der Technik stellt nunmehr an dessen Kollektor ein negativer Ausgang,Based on this state of the art, a negative output is now at its collector,

sich die Erfindung die Aufgabe, den Energieverbrauch der jedoch durch die Diode D1 daran gehindert wird,the invention has the task of reducing the energy consumption, which is prevented by the diode D 1

einer dreistufigen Zählkette zu vermindern. Diese zum Transistor 7V1 zu gelangen. Auf diese Weisea three-stage counting chain. This to get to transistor 7V 1. In this way

Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß 30 wird der Schaltkreis durch Zufuhr eines Auslöse-The object is achieved according to the invention in that the circuit is 30 by supplying a trigger

die Dioden jeweils zwischen der Basis des Transistors impulses von einem ersten stabilen Zustand in einenthe diodes each pulse between the base of the transistor from a first stable state in a

der ersten Stufe und dem Kollektor des Transistors zweiten stabilen Zustand umgeschaltet und sodannthe first stage and the collector of the transistor switched to the second stable state and then

der zweiten Stufe, zwischen der Basis des Transistors vorbereitet, bei Eintreffen des nächsten Auslöseimpul-of the second stage, prepared between the base of the transistor, when the next trigger pulse arrives

der dritten Stufe und dem Kollektor des Transistors ses einen dritten stabilen Zustand einzunehmen. Nachthe third stage and the collector of the transistor ses to assume a third stable state. To

der ersten Stufe und zwischen der Basis des Transistors 35 Eintreffen eines weiteren Auslöseimpulses gelangt derthe first stage and between the base of the transistor 35 the arrival of a further trigger pulse arrives

der zweiten Stufe und dem Kollektor des Transistors Schaltkreis in den ersten stabilen Zustand zurück,the second stage and the collector of the transistor circuit return to the first stable state,

der dritten Stufe angeordnet sind und am Spannungs- Somit wird eine tristabile Funktionsweise erzielt,the third stage are arranged and at the voltage. Thus, a tristable mode of operation is achieved,

teiler vorgesehene Teilspannungsabgriffe jeweils über Die vorstehend beschriebene Schaltungsanordnungdivider provided partial voltage taps each via the circuit arrangement described above

einen leitenden Transistors mit der Masse verbinden. ist insofern nachteilig, als sie — bedingt durch dieconnect a conductive transistor to ground. is disadvantageous in that it - due to the

Durch die erfindungsgemäß verwendeten Dioden 40 Tatsache, daß sechs Transistoren sowie eine beträcht- und ihre Schaltung zwischen jeweils die Basis eines liehe Anzahl anderer Schaltelemente für die tristabile Transistors und die Ausgangselektrode des zwei Zähl- Operation erforderlich sind — verwirklicht ist. ^ stufen vorhergehenden Transistors wird erreicht, daß Es sind weiter andere Schaltungsanordnungen be- f über die Ausgangselektrode des jeweils leitenden Tran- kannt, bei denen drei Transistoren zum Erzielen der sistors die Basis des übernächsten Transistors nahezu 45 drei stabilen Zustände Verwendung finden. Bei diesen auf Massenpotential gelangt und der Transistor ge- Anordnungen sind jedoch immer zwei der drei Transperrt bleibt. Dadurch sind bei der erfindungsgemäßen sistoren leitend, während nur der verbleibende einzige Schaltung jeweils zwei der drei Transistoren gesperrt, Transistor gesperrt ist. Dadurch entsteht ein erhöhter und der Energiebedarf ist entsprechend vermindert. Energiebedarf.Due to the diodes 40 used according to the invention, the fact that six transistors and a considerable and their connection between each the base of a borrowed number of other switching elements for the tristable Transistor and the output electrode of the two counting operation are required - realized. ^ stages preceding transistor it is achieved that there are further other circuit arrangements be f via the output electrode of the respective conductive transistors, in which three transistors are used to achieve the sistor, the base of the transistor next but one can be used for almost 45 three stable states. With these arrives at ground potential and the transistor becomes. Arrangements, however, are always two of the three transblocks remain. As a result, the transistor according to the invention is conductive, while only the remaining one Circuit two of the three transistors blocked, transistor blocked. This creates an increased and the energy requirement is correspondingly reduced. Energy requirements.

In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise 50 Durch die Erfindung wird angestrebt, eine ververanschaulicht, und zwar zeigt einfachte tristabile Schaltungsanordnung zu scharfen.In the drawing, the invention is shown, for example, 50. The aim of the invention is to illustrate a namely shows simple tristable circuit arrangement too sharp.

F i g. 1 einen Schaltplan einer herkömmlichen drei- In F i g. 2 ist eine tristabile Schaltungsanordnung gestufigen Zählkette, maß einer ersten Ausführungsform der Erfindung ver-F i g. 1 is a circuit diagram of a conventional three- In FIG. 2 is a tristable circuit arrangement stepped Counting chain, measured a first embodiment of the invention

F i g. 2 einen Schaltplan einer erfindungsgemäßen anschaulicht, bei der NPN-Silizium-Transistoren Verdreistufigen Zählkette, 55 Wendung finden. Zunächst sei die Schaltungsanord-F i g. 2 shows a circuit diagram of an illustrative according to the invention, in which NPN silicon transistors have three stages Counting chain, find 55 turns. First, let the circuit arrangement

F i g. 3 und 4 Schaltpläne einer zweiten und dritten nung nach F i g. 2 im einzelnen beschrieben. In dieserF i g. 3 and 4 circuit diagrams of a second and third embodiment according to FIG. 2 described in detail. In this

Ausführungsform der dreistufigen Zählkette nach Figur bezeichnen die Bezugszeichen 1, 2 und 3 NPN-Embodiment of the three-stage counting chain according to the figure denote the reference numerals 1, 2 and 3 NPN-

der Erfindung, Silizium-Transistoren, die miteinander in Kaskaden-of the invention, silicon transistors that are cascaded with one another

F i g. 5 einen Schaltplan zur Veranschaulichung schaltung verbunden sind, und die Bezugszeichen 7,F i g. 5 is a circuit diagram illustrating circuitry connected, and the reference numerals 7,

einer dreistufigen Zählkette gemäß einer vierten Aus- 60 8 und 9 jeweils Dioden mit verhältnismäßig geringera three-stage counting chain according to a fourth output 60 8 and 9 each with relatively less diodes

führungsform der Erfindung, Vorwärtsspannung (beispielsweise Germaniumdioden).embodiment of the invention, forward voltage (e.g. germanium diodes).

F i g. 6a bis 6f Wellenformen zur Erläuterung der Die Bezugszeichen 4, 5 und 6 bezeichnen jeweils KoI-F i g. 6a to 6f waveforms for explaining the reference numerals 4, 5 and 6 each denote KoI-

Schaltungsanordnung nach F i g. 5 und lektorwiderstände für die Transistoren 1, 2 und 3 undCircuit arrangement according to FIG. 5 and lector resistors for transistors 1, 2 and 3 and

F i g. 7 einen Schaltplan zur Veranschaulichung die Bezugszeichen 10,11,12,13,14 und 15 Spannungseiner dreistufigen Zählkette gemäß einer fünften Aus- 65 teilerwiderstände für die Teilung der Kollektorspanführungsform nach der Erfindung. nungen der Transistoren 1, 2 und 3 und zur ZufuhrF i g. 7 shows a circuit diagram to illustrate the reference numerals 10, 11, 12, 13, 14 and 15 voltages of a three-stage counting chain according to a fifth divider resistance for the division of the collector chip guide form according to the invention. voltages of transistors 1, 2 and 3 and the supply

Herkömmlicherweise wird zur Erzielung einer tri- der geteilten Spannungen an die Basen der Transi-Conventionally, in order to achieve a tri-

stabilen Funktion von einem Ringzähler Gebrauch stören der darauffolgenden Stufe. Dabei sind die Ver-stable function of a ring counter use disrupt the next stage. Here are the

bindungssteilen zwischen den Widerständen 10 und 13, zwischen den Widerständen 11 und 14 und zwischen den Widerständen 12 und 15 jeweils mit den Basen der Transistoren 2, 3 und 1 verbunden. Die Dioden 7, 8 und 9 sind zwischen den Kollektor des Transistors 3 und die Basis des Transistors 2, zwischen den Kollektor des Transistors 1 und die Basis des Transistors 3 und zwischen den Kollektor des Transistors 2 und die Basis des Transistors 1 eingeschaltet, wobei die Kathoden mit den Kollektoren und die Anoden mit den Basen verbunden sind.connecting parts between the resistors 10 and 13, between the resistors 11 and 14 and between the resistors 12 and 15 are connected to the bases of the transistors 2, 3 and 1, respectively. The diodes 7, 8 and 9 are between the collector of transistor 3 and the base of transistor 2, between the collector of transistor 1 and the base of transistor 3 and between the collector of transistor 2 and the base of transistor 1 switched on, the cathodes with the collectors and the anodes with the bases are connected.

Nachstehend wird die Funktionsweise der vorstehend beschriebenen Schaltungsanordnung erläutert. Es sei angenommen, daß sich der Transistor 2 in »eingeschaltetem« Zustand befindet. Die Kollektorspannung des Transistors 2 ist dann gleich der Kollektorsättigungsspannung desselben (dargestellt durch VcE(SAT))· Diese Kollektorspannung wird durch die Widerstände 11 und 14 geteilt und dann an die Basis des Transistors 3 gelegt. Wenn die unterteilte Spannung niedriger als die Basis-Emitter-Grenzspannung (dargestellt durch Vbe(cüt)) des Transistors 3 ist, dann bleibt letzterer nichtleitend. In diesem Fall wird die Kollektorspannung des Transistors 3 gleich +E, vermindert um den Spannungsabfall am Kollektorwiderstand infolge des über den Spannungsteiler (Widerstände 16' und 19) fließenden Stromes, und an der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 und folglich an der Basis des Transistors 1 erscheint ein positives Potential. Falls dieses positive Potential höher als Vbe(CUT) ist, neigt der Transistor 1 dazu, leitend zu werden. Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ist die Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 jedoch mit dem Kollektor des leitenden Transistors 2 über die Diode 9 verbunden, so daß letzterer leitend wird und infolgedessen die Spannung an der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 absenkt. In diesem Fall wird die Spannung an dieser Verbindungsstelle gleich der Summe der Kollektorsättigungsspannung VcE(SAT) und der Vorwärtsspannung (dargestellt durch Vf) der Diode 9. Wird die Spannung niedriger als Vbe(cut) gemacht, dann wird der Transistor 1 nichtleitend. Somit wird die Kollektorspannung des Transistors 1 gleich +E, und infolgedessen erscheint an der Verbindungsstelle zwischen den Widerständen 10 und 13 ein positives Potential, so daß der Transistor leitend bleibt. An dieser Stelle bleibt die Diode 7 nichtleitend, da sie keinen Einfluß auf die Funktionsweise ausübt, bedingt durch die Tatsache, daß deren Kathode mit dem Kollektor des Transistors 3, der sich nun in nichtleitendem Zustand befindet, verbunden ist. Dies gilt auch für die Diode 8.The mode of operation of the circuit arrangement described above is explained below. It is assumed that transistor 2 is in the "on" state. The collector voltage of transistor 2 is then equal to its collector saturation voltage (represented by VcE (SAT)) .This collector voltage is divided by resistors 11 and 14 and then applied to the base of transistor 3. If the divided voltage is lower than the base-emitter limit voltage (represented by Vbe (cüt)) of the transistor 3, then the latter remains non-conductive. In this case, the collector voltage of transistor 3 is equal to + E, reduced by the voltage drop across the collector resistor as a result of the current flowing through the voltage divider (resistors 16 'and 19), and at the junction between resistors 12 and 15 and consequently at the base of the Transistor 1 appears a positive potential. If this positive potential is higher than Vbe (CUT) , the transistor 1 tends to become conductive. In the circuit arrangement according to the invention, however, the junction between the resistors 12 and 15 is connected to the collector of the conductive transistor 2 via the diode 9, so that the latter becomes conductive and consequently the voltage at the junction between the resistors 12 and 15 is lowered. In this case, the voltage at this junction becomes equal to the sum of the collector saturation voltage VcE (SAT) and the forward voltage (represented by Vf) of diode 9. If the voltage is made lower than Vbe (cut) , transistor 1 becomes non-conductive. Thus, the collector voltage of the transistor 1 is equal to + E, and as a result, a positive potential appears at the junction between the resistors 10 and 13, so that the transistor remains conductive. At this point, the diode 7 remains non-conductive, since it has no influence on the mode of operation, due to the fact that its cathode is connected to the collector of the transistor 3, which is now in the non-conductive state. This also applies to diode 8.

Auf die vorstehend beschriebene Weise wird der erste stabile Zustand aufrechterhalten. Erfindungsgemäß sind die Widerstände 4, 5 und 6 so gewählt, daß sie den gleichen Widerstandswert (R1) besitzen. Dies gilt auch für die Widerstände 10, 11, 12 (R2) sowie die Widerstände 13, 14, 15 (R3). Durch Anlegen eines positiven Impulses an die Basis des Transistors 3 bzw. an die Basiseingänge aller Transistoren durch ein geeignetes Verfahren wird der Transistor 3 in leitenden Zustand übergeführt, so daß durch einen ähnlichen Vorgang der Transistor 2 abgeschaltet wird. Infolgedessen wird der Schaltkreis veranlaßt, in einen zweiten stabilen Zustand überzugehen. Wird der Basis des Transistors 1 ein nachfolgender positiver Impuls zugeführt, dann wird letzterer leitend, so daß durch die ähnliche Operation die Transistoren 2 und 3 in nichtleitendem Zustand übergeführt werden. Infolgedessen wird die Schaltungsanordnung veranlaßt, in einen dritten stabilen Zustand überzugehen. Auf diese Weise ist es möglich, die drei stabilen Zustände zu erzielen.In the manner described above, the first stable state is maintained. According to the invention, the resistors 4, 5 and 6 are chosen so that they have the same resistance value (R 1 ) . This also applies to resistors 10, 11, 12 (R 2 ) and resistors 13, 14, 15 (R 3 ). By applying a positive pulse to the base of the transistor 3 or to the base inputs of all transistors by a suitable method, the transistor 3 is switched to the conductive state, so that the transistor 2 is switched off by a similar process. As a result, the circuit is caused to enter a second stable state. If a subsequent positive pulse is applied to the base of transistor 1, the latter becomes conductive, so that transistors 2 and 3 are switched to a non-conductive state by the similar operation. As a result, the circuit arrangement is caused to change into a third stable state. In this way it is possible to achieve the three stable states.

Unter Verwendung der vorstehend angegebenen Symbole ergeben sich die Bedingungen für die vorerwähnte tristabile Operation wie folgt:Using the symbols given above, the conditions for the aforesaid result tristable operation as follows:

R3-ER 3 -E

R1 + R2 +R 1 + R 2 +

VbE(CUT) > VbE (CUT) >

R3 · VCE(SAT)R 3 VCE (SAT)

R2 + R3 R 2 + R 3

+ Vf < Vbe(cüt) ■ + Vf < Vbe (cüt) ■

In der Praxis liegt die Kollektorspannung Vce(sat) des Siliziumtransistors bei etwa 0,2 V, die Basis-Emitter-Grenzspannung VcE(C UT) bei etwa 0,7 V und die Vorwärtsspannung Vp der Germaniumdiode bei etwa 0,2 V. Somit können durch geeignete Auswahl der Widerstandswerte R1, R2 und R3 die vorstehenden Bedingungen auf zufriedenstellende Weise erreicht werden.In practice, the collector voltage Vce (sat) of the silicon transistor is around 0.2 V, the base-emitter limit voltage VcE (C UT) around 0.7 V and the forward voltage Vp of the germanium diode around 0.2 V. Thus By properly selecting the resistance values R 1 , R 2 and R 3, the above conditions can be satisfactorily achieved.

Andererseits ist es unmöglich, die vorstehend genannten Bedingungen einzuhalten, wenn Germaniumtransistoren eingesetzt werden, deren Kollektorsättigungsspannung VcE(SAT) bei etwa 0,1 V und deren Basis-Emitter-Grenzspannung Vbe(cut) bei etwa 0,2 V liegt. Deshalb kann die tristabile Operation nicht erreicht werden. Gemäß der Erfindung ist es jedoch möglich, die tristabile Operation selbst bei Verwendung von Germaniumtransistoren zu erreichen; Beispiele der Schaltungsanordnung sind in den F i g. 3 und 4 veranschaulicht.On the other hand, it is impossible to meet the above-mentioned conditions if germanium transistors whose collector saturation voltage VcE (SAT) is about 0.1 V and whose base-emitter cut-off voltage Vbe (cut) is about 0.2 V are used. Therefore, the tristable operation cannot be achieved. According to the invention, however, it is possible to achieve the tristable operation even using germanium transistors; Examples of the circuit arrangement are shown in FIGS. 3 and 4 illustrated.

F i g. 3 zeigt den Fall der Verwendung von NPN-Germaniumtransistoren und F i g. 4 den Fall der Verwendung von NPN-Germaniumtransistoren. Nachstehend wird zunächst die Schaltungsanordnung gemaß F i g. 3 beschrieben.F i g. 3 shows the case of using NPN germanium transistors and F i g. 4 the case of using NPN germanium transistors. The circuit arrangement is first shown below F i g. 3 described.

Die mit den Bezugszeichen 1 bis 15 bezeichneten Bauelemente der F i g. 3 entsprechen denen der F i g. 1. Folglich wird deshalb auf eine diesbezügliche Beschreibung verzichtet. Die Bezugszeichen 16, 17 und 18 veranschaulichen Dioden mit hoher Vorwärtsspannung (dargestellt durch Vfh) (beispielsweise Siliziumdioden), deren Anoden mit dem Verbindungspunkt zwischen den Spannungsteilerwiderständen 12 und 15, dem zwischen den Widerständen 10 und 13 und dem zwischen den Widerständen 11 und 14 und deren Kathoden jeweils in Reihe mit den Basen der Transistoren 1, 2 und 3 verbunden sind.The components of FIG. 3 correspond to those of FIG. 1. Consequently, a description thereof is omitted. Reference numerals 16, 17 and 18 illustrate high forward voltage diodes (represented by Vfh) (e.g. silicon diodes) whose anodes are connected to the junction between voltage dividing resistors 12 and 15, that between resistors 10 and 13, and that between resistors 11 and 14 and the cathodes of which are each connected in series with the bases of the transistors 1, 2 and 3.

Die Bedingungen für die tristabile Operation dieses Kreises sind durch die folgenden Bedingungen gegeben: The conditions for the tristable operation of this circle are given by the following conditions:

Vbe(cut)Vbe (cut)

R3 · VCE(SAT)R 3 VCE (SAT)

R1+ R2 + R3 R 1 + R 2 + R 3 R2 + R3 R 2 + R 3

VcE(SAT) + Vf < Vbe(cut) + Vfh · VcE (SAT) + Vf < Vbe (cut) + Vfh

Diesen Bedingungen kann durch Verwendung von Siliziumdioden als Dioden 16, 17 und 18 Rechnung getragen werden, deren Vorwärtsspannung bei etwa 0,6 V liegt. Falls diesen Bedingungen nicht genügt werden kann (beispielsweise im Fall von Germaniumdioden, deren Vorwärtsspannung bei etwa 0,2 V liegt), dann sollte eine Mehrzahl von Dioden mit-These conditions can be met by using silicon diodes as diodes 16, 17 and 18 with a forward voltage of around 0.6V. If these conditions are not sufficient (for example in the case of germanium diodes, the forward voltage of which is around 0.2V then a plurality of diodes with

5 65 6

einander in Reihe geschaltet sein. Auf diese Weise nung des Transistors 1 ist, wird letzterer abgeschaltet, läßt sich den vorstehend genannten Bedingungen Folglich ist die Kollektorspannung des Transistors 1 Rechnung tragen. positiv, und der Transistor 2 bleibt somit leitend. Inbe connected in series. In this way the voltage of transistor 1 is switched off, The above conditions can be met. Consequently, the collector voltage of the transistor 1 Take into account. positive, and the transistor 2 thus remains conductive. In

Die Schaltungsanordnung nach F i g. 4, bei der der Praxis liegt die Kollektorsättigungsspannung des PNP-Germanium-Transistoren eingesetzt werden, 5 Transistors bei etwa 0,2 V, die Basis-Emitter-Grenzähnelt derjenigen der F i g. 3, mit der Ausnahme, daß spannung bei etwa 0,7 V und die Vorwärtsspannung die Richtung des Stromflusses in ersterem entgegen- der Germaniumdiode bei etwa 0,2 V, wie vorstehend gesetzt zu demjenigen in letzterem ist, so daß die beschrieben. Auf diese Weise kann die vorstehend Richtungen der Verbindungen zwischen den Dioden 7, dargelegte Operation erreicht werden. 8, 9 und 16, 17, 18 umgekehrt sind. Auf diese Weise io Wenn an die Klemme 31 ein Auslöseimpuls, wie in ist es möglich, eine tristabile Schaltungsanordnung Fig. 6a dargestellt, angelegt wird, tritt an der Verdurch Verwendung von drei Germaniumtransistoren bindungssteile zwischen dem Kondensator 29 und herzustellen, die im Vergleich zu einem Ringzähler dem Widerstand 28 eine durch die Widerstände 28 wesentlich vereinfacht ist, so daß die Herstellungs- und 29 differenzierte Wellenform, wie in F i g. 6 b kosten sowie die Zahl der Fertigungsstufen verringert 15 veranschaulicht, auf, und nur positive Impulse werden können. (F i g. 6 c) gelangen an die Basen der Transistoren 1,The circuit arrangement according to FIG. 4, in practice the collector saturation voltage is the PNP germanium transistors are used, 5 transistors at about 0.2V, which is similar to the base-emitter boundary of those of FIG. 3, except that voltage is around 0.7V and the forward voltage the direction of the current flow in the former opposite to the germanium diode at about 0.2 V, as above set to the one in the latter is so that the described. In this way, the above Directions of connections between the diodes 7, operation set forth can be achieved. 8, 9 and 16, 17, 18 are reversed. In this way, if a trigger pulse is sent to terminal 31, as in it is possible to apply a tristable circuit arrangement shown in Fig. 6a, occurs at the passage Use of three germanium transistors connecting parts between the capacitor 29 and produce which, compared to a ring counter, the resistor 28 a through the resistors 28 is substantially simplified so that the manufacturing and 29 differentiated waveform as shown in FIG. 6 b costs as well as the number of production stages reduced 15 illustrated, on, and only positive impulses can be. (F i g. 6 c) get to the bases of the transistors 1,

Nachstehend wird eine Schaltungsanordnung be- 2 und 3 über die Dioden 25, 26 und 27 und die Konschrieben, die geeignet ist, die Frequenz eines Ein- densatoren 22, 23 und 24. An dieser Stelle wird jedoch gangs-Auslöseimpulses durch den Faktor 3 unter der Transistor 1 im »ausgeschalteten« Zustand geVerwendung des Kreises gemäß F i g. 2 zu teilen. 20 halten, so daß die Verbindungsstelle zwischen den F i g. 5 zeigt ein Beispiel eines derartigen Kreises. Widerständen 16' und 19 ein positives Potentid an-Teile der F i g. 5, die denen der F i g. 1 entsprechen, nimmt, und der Transistor 3 wird ebenfalls im »aussind mit analogen Bezugszeichen versehen, und eine geschalteten« Zustand gehalten, so daß die Verbin-Beschreibung dieses Teils ist fortgelassen. Eine Aus- dungssteile zwischen den Widerständen 18' und 21 gangsklemme 32 führt über einen Kondensator 30 25 positives Potential besitzt. Die Dioden 25 und 27 zum Kollektor des Transistors 1. Mit der Basis des werden dementsprechend nichtleitend. Deshalb wird Transistors 2 ist die Kathode einer Diode 25 über der Impuls daran gehindert, zu den Basen der Traneinen Kondensator 22 verbunden. Die Verbindungs- sistoren 1 und 2 überzutreten. Andererseits befindet stelle zwischen der Diode 25 und dem Kondensator 22 sich der Transistor 2 in »eingeschaltetem« Zustand, ist mit dem Kollektor des Transistors 1 über einen 30 so daß das Potential an der Verbindungsstelle zwischen Widerstand 16' und auch mit einer Erdklemme über den Widerständen 12 und 15 sowie 17' und 20 prakeinen Widerstand 19 verbunden. Entsprechende Netz- tisch Null ist und der Impuls der Basis des Tranteile sind auch in bezug auf die Basen der Tran- sistors 3 über die Diode 26 und den Kondensator 23 sistoren 3 und 1 unter Verwendung der Dioden 26, zugeführt wird. Auf diese Weise wird der Transistor 3 27, der Kondensatoren 23, 24 und der Widerstände 35 leitend durch das Anlegen eines Impulses an seine 17', 20, 18', 21 vorgesehen. Die Anoden der vor- Basis, während die Transistoren 1 und 2, an die kein erwähnten Dioden 25, 26 und 27 sind miteinander Impuls gelegt wird, ihren vorigen Leitfähigkeitszustand verbunden und an die Auslöseimpulseingangsklemme beibehalten. Da der Transistor 3 nunmehr leitet, sinkt über einen Differenzierkreis angeschlossen, der durch sein Kollektorpotential auf Erdpotential ab, und das einen Widerstand 28 und einen Kondensator 29 ge- 40 Basispotential des Transistors 2 wird wegen der bildet ist. Diode 7 ebenfalls gleich dem Erdpotential, wodurchA circuit arrangement is shown below using diodes 25, 26 and 27 and the concretions which is suitable, the frequency of one capacitor 22, 23 and 24. At this point, however output trigger pulse by a factor of 3 under transistor 1 in the »switched off« state of the circle according to FIG. 2 to share. 20 hold so that the junction between the F i g. Figure 5 shows an example of such a circle. Resistors 16 'and 19 share a positive potential the F i g. 5, which correspond to those of FIG. 1, and transistor 3 will also be out provided with analogous reference numerals, and a switched «state is held so that the connection description this part is omitted. An extension piece between the resistors 18 'and 21 input terminal 32 leads via a capacitor 30 25 has positive potential. The diodes 25 and 27 to the collector of transistor 1. With the base of the are accordingly non-conductive. Therefore will Transistor 2 is the cathode of a diode 25 across the pulse prevented from going to the bases of the Traneins Capacitor 22 connected. The connection transistors 1 and 2 must be crossed. On the other hand is located put the transistor 2 between the diode 25 and the capacitor 22 in the "switched on" state, is connected to the collector of transistor 1 via a 30 so that the potential at the junction between Resistor 16 'and also with a ground terminal across resistors 12 and 15 as well as 17' and 20 practically none Resistor 19 connected. Corresponding network table is zero and the momentum is the base of the door components are also with respect to the bases of the transistor 3 via the diode 26 and the capacitor 23 transistors 3 and 1 using the diodes 26 is supplied. In this way, the transistor 3 27, the capacitors 23, 24 and the resistors 35 conductive by applying a pulse to his 17 ', 20, 18', 21 are provided. The anodes of the pre-base, while the transistors 1 and 2, to which no mentioned diodes 25, 26 and 27 are put together impulse, their previous conductivity state connected and maintained at the trigger input terminal. Since the transistor 3 is now conducting, it drops connected via a differential circuit, which is reduced to earth potential by its collector potential, and that a resistor 28 and a capacitor 29 are 40 base potential of the transistor 2 because of the forms is. Diode 7 also equal to the earth potential, whereby

Nachstehend wird die Wirkungsweise dieses Kreises der Transistor 2 sperrt. Jetzt ist nur der Transistor 3 beschrieben. leitend, während die Transistoren 1 und 2 gesperrtThe operation of this circuit, the transistor 2 will be blocked. Now only transistor is 3 described. conductive, while transistors 1 and 2 are blocked

Es sei angenommen, daß der Transistor 2 sich in sind. Wenn ein weiterer Impuls angelegt wird eingeschaltetem Zustand befindet (während einer 45 (Periode T2 in F i g. 6), wird er an einem Übertritt PeriodeT1 gemäß Fig. 6). Die Kollektorspannung zu den Transistoren2 und 3 gehindert, da die Dioden des Transistors 2 wird dann gleich der Kollektor- 25 und 26 nichtleitend sind; er wird jedoch allein dem Sättigungsspannung desselben. Diese Spannung wird Transistor 1 über die Dioden 27 zugeführt, um den durch die Widerstände 11 und 14 geteilt und dann an Transistor 1 leitend werden zu lassen, so daß ein die Basis des Transistors 3 gelegt. Wenn die geteilte 50 stabiler Zustand aufrechterhalten wird (Periode T3 Spannung, die an den Transistor 3 gelegt wird, jedoch in Fig. 6). Diese Beziehung ist in den Fig. 6d, niedriger ist als die Basis-Emitter-Grenzspannung 6e und 6f veranschaulicht.It is assumed that the transistor 2 is in. If another pulse is applied on (during a 45 (period T 2 in Fig. 6), it becomes on a crossing period T 1 of Fig. 6). The collector voltage to the transistors 2 and 3 prevented, since the diodes of the transistor 2 will then be equal to the collector 25 and 26 are non-conductive; however, it becomes the same as its saturation voltage. This voltage is fed to transistor 1 via diodes 27 in order to be divided by resistors 11 and 14 and then to become conductive at transistor 1, so that the base of transistor 3 is placed. If the divided 50 stable state is maintained (period T 3 voltage applied to the transistor 3, but in Fig. 6). This relationship is illustrated in Figures 6d, which is lower than the base-emitter limit voltage 6e and 6f.

desselben, dann bleibt der Transistors nichtleitend, Wie sich aus vorstehender Darlegung ergibt, wirdof the same, then the transistor remains non-conductive, as can be seen from the above explanation

so daß dessen Kollektorspannung gleich der Gleich- der leitend zu machende Transistor bei jedem Einspannung E vermindert um den Spannungsabfall am 55 treffen eines Auslöseimpulses nacheinander geschaltet. Kollektorwiderstand infolge des über den Spannungs- Folglich tritt an der Ausgangsklemme 32 eine Ändeteiler fließenden Stromes wird. Somit nimmt die Ver- rung der Kollektorspannung des Transistors 1 mit bindungsstelle zwischen den Widerständen 12 und 15 einer Frequenz auf, die einem Drittel derjenigen des ein hohes Potential an, so daß der Transistor 1 dazu Eingangsauslöseimpulses entspricht, neigt, eingeschaltet zu werden. Da die Verbindungs- 60 F i g. 5 zeigt den Fall der Verwendung von NPN-stelle zwischen den Widerständen 12 und 15 mit dem Silizium-Transistoren. Die vorliegende Schaltungs-Kollektor des leitenden Transistors 2 über die Diode 9 anordnung kann auch durch Verwendung von PNP-verbunden ist, wird letzterer in diesem Fall jedoch Silizium-Transistoren verwirklicht werden, wenn nur leitend, so daß die Spannung an der Verbindungsstelle die Summe der Kollektorsättigungsspannung des zwischen Widerständen 12 und 15 gleich der Summe 65 Transistors und der Vorwärtsspannung der Diode der Kollektorsättigungsspannung und der Vorwärts- geringer als die Basis-Emitter-Grenzspannung des spannung der Diode 9 wird. Falls diese Summen- Transistors ist. In diesem Fall sind natürlich die spannung niedriger als die Basis-Emitter-Grenzspan- Richtungen der angelegten Gleichspannung und derso that its collector voltage is equal to that of the transistor to be made conductive with each clamping E reduced by the voltage drop at the point where a triggering pulse occurs. Collector resistance as a result of the current flowing across the voltage. Thus, the increase in the collector voltage of the transistor 1 with the junction between the resistors 12 and 15 takes on a frequency which is a third of that of the high potential, so that the transistor 1 tends to be switched on corresponding to the input trigger pulse. Since the connection 60 F i g. 5 shows the case of using NPN point between resistors 12 and 15 with the silicon transistors. The present circuit collector of the conductive transistor 2 via the diode 9 arrangement can also be connected by using PNP, the latter, however, in this case silicon transistors are realized, if only conductive, so that the voltage at the junction is the sum of the The collector saturation voltage of the transistor between resistors 12 and 15 is equal to the sum 65 and the forward voltage of the diode, the collector saturation voltage and the forward voltage is lower than the base-emitter limit voltage of the voltage of the diode 9. If this is a sum transistor. In this case, of course, the voltage is lower than the base-emitter critical voltage directions of the applied DC voltage and the

Verbindungen der Dioden 7, 8, 9, 25, 26 und 27 umgekehrt.Connections of diodes 7, 8, 9, 25, 26 and 27 reversed.

Im Fall der Verwendung von Germaniumtransistoren ist keine Möglichkeit gegeben, daß die Summe der Kollektorsättigungsspannung des Transistors und der Vorwärtsspannung der Diode geringer als die Basis-Emitter-Grenzspannung des Transistors wird, da es üblich ist, daß die Kollektorsättigungsspannung des Germaniumtransistors bei etwa 0,1 V und die Basis-Emitter-Grenzspannung desselben bei etwa 0,2 liegt. Somit ist es im allgemeinen unmöglich, einen Kreis zu erzielen, der in der Lage ist, eine Frequenz durch einen Faktor 3 zu teilen. Durch Verbindung einer Reihe von Dioden, wie z. B. Siliziumdioden 33, 34 und 25 mit hoher Vorwärtsspannung mit den Basen jeweils der Transistoren 1, 2 und 3 ist es jedoch möglich, den Vorgang der Frequenzteilung durch einen Faktor 3 zu erzielen.In the case of the use of germanium transistors there is no possibility that the sum the collector saturation voltage of the transistor and the forward voltage of the diode lower than that Base-emitter limit voltage of the transistor is, as it is common, that the collector saturation voltage of the germanium transistor at about 0.1 V and the base-emitter limit voltage of the same at about 0.2 lies. Thus, it is generally impossible to achieve a circuit capable of frequency to be divided by a factor of 3. By connecting a number of diodes, such as B. silicon diodes 33, However, it is 34 and 25 with high forward voltage with the bases of transistors 1, 2 and 3, respectively possible to achieve the process of frequency division by a factor of 3.

Gemäß der Erfindung können deshalb entweder Siliziumtransistoren oder Germaniumtransistoren für einen Kreis, der eine Frequenzteilung durch einen Faktor 3 erlaubt, verwendet werden. Die Erfindung ist insofern von Vorteil, als sie den Einsatz von Germaniumtransistoren erlaubt. Weiterhin ist die Schaltungsanordnung nach der Erfindung insofern mit einer wesentlichen Vereinfachung verbunden, als sie aus lediglich drei Transistoren und neun Dioden zusammengesetzt ist; und obwohl dennoch kein Zeitkonstantenkreis vorgesehen ist, kann die Frequenzteiloperation stabilisiert werden.According to the invention, therefore, either silicon transistors or germanium transistors for a circle that allows a frequency division by a factor of 3 can be used. The invention is advantageous in that it allows the use of germanium transistors. Furthermore, the Circuit arrangement according to the invention is associated with a substantial simplification as it is composed of only three transistors and nine diodes; and although there is still no time constant circle is provided, the frequency dividing operation can be stabilized.

Claims (7)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Schaltungsanordnung für einen elektronischen Ringzähler, insbesondere einen solchen mit drei Zählstufen, wobei jede Zählstufe aus einem Transistor und einer Diode besteht und je Stufe mindestens einen Spannungsteiler enthält, der zwischen dem Kollektor des jeweiligen Transistors der Zählstufe und Erde liegt und mit der gemeinsamen Zählimpulsleitung sowie mit der Basis des nächstfolgenden Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden(7, 8, 9) jeweils zwischen der Basis des Transistors (1) der ersten Stufe und dem Kollektor des Transistors (2) der zweiten Stufe, zwischen der Basis des Transistors (3) der dritten Stufe und dem Kollektor des Transistors (1) der ersten Stufe und zwischen der Basis des Transistors (2) der zweiten Stufe und dem Kollektor des Transistors (3) der dritten Stufe angeordnet sind und die Teilspannungsabgriffe der Spannungsteiler jeweils über einen leitenden Transistor mit der Masse verbinden.1. Circuit arrangement for an electronic ring counter, especially one with three Counting stages, each counting stage consisting of a transistor and a diode and at least per stage contains a voltage divider between the collector of the respective transistor of the counting stage and earth and to the common counting pulse line as well as to the base of the next Transistor is connected, characterized in that the diodes (7, 8, 9) each between the base of the transistor (1) of the first stage and the collector of the transistor (2) the second stage, between the base of the transistor (3) of the third stage and the collector of the transistor (1) of the first stage and between the base of the transistor (2) of the second stage and the collector of the transistor (3) of the third stage and the partial voltage taps are arranged Connect the voltage divider to ground via a conductive transistor. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis-Emitter-Grenzspannung durch Verbindung einer Diode (16, 17, 18) in Reihe mit der Basis jedes Transistors (1, 2, 3) auffallend erhöht wird (F i g. 3).2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the base-emitter limit voltage by connecting a diode (16, 17, 18) in series with the base of each transistor (1, 2, 3) is noticeably increased (Fig. 3). 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Siliziumtransistoren und Verbindung der Ausgangselektrode jedes vorhergehenden Transistors (1, 2, 3) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über Widerstandselemente (10, 11, 12) sowie Erdung der Basis jedes darauffolgenden Transistors über Widerstandselemente (13, 14, 15 in F i g. 2).3. Circuit arrangement according to claim 1, characterized by the use of silicon transistors and connecting the output electrode of each preceding transistor (1, 2, 3) to the base of each subsequent transistor Via resistance elements (10, 11, 12) and grounding the base of each subsequent transistor via resistance elements (13, 14, 15 in FIG. 2). 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung von Germaniumtransistoren sowie Verbindung der Ausgangselektrode jedes vorhergehenden Transistors (1,2, 3) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über eine Reihenschaltung eines Widerstandes (10, 11, 12) und einer Diode (17, 18, 19) sowie Erdung des Verbindungspunktes zwischen diesem Widerstand und dieser Diode über einen Widerstand (13, 14, 15 in F i g. 4).4. Circuit arrangement according to claim 1, characterized by the use of germanium transistors as well as connection of the output electrode of each preceding transistor (1,2, 3) with the base of each subsequent transistor via a series connection of a resistor (10, 11, 12) and a diode (17, 18, 19) as well as earthing the connection point between this resistor and this diode via a resistor (13, 14, 15 in Fig. 4). 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich drei Spannungsteiler (16', 19, 17', 20, 18', 21) zwischen den Ausgangselektroden der jeweiligen Transistoren (1, 2, 3) und den darauffolgenden Transistoren vorgesehen sind, daß der Teilspannungsabgriff jedes dieser zusätzlichen Spannungsteiler mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors verbunden ist, daß mit den drei Teilspannungsabgriffen jeweils eine Klemme von Dioden (25, 26, 27) verbunden ist, deren andere Klemmen untereinander verbunden sind, und daß der Verbindung ein durch Differenzieren eines Ausleseimpulses gewonnenes Signal zugeführt ist (F i g. 5).5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that in addition three voltage dividers (16 ', 19, 17', 20, 18 ', 21) between the output electrodes of the respective transistors (1, 2, 3) and the subsequent transistors are provided that the partial voltage tap each this additional voltage divider is connected to the base of each subsequent transistor, that a terminal of diodes (25, 26, 27) is connected to each of the three partial voltage taps is whose other terminals are interconnected, and that the connection is a through Differentiating a readout pulse obtained signal is supplied (Fig. 5). 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch Verwendung von Siliziumtransistoren sowie Verbindung der Ausgangselektrode jedes Transistors (1, 2, 3) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über eine Reihenschaltung eines Widerstandes (16', 17', 18') und eines Kondensators (22, 23, 24), wobei die Verbindungsstelle zwischen dem Widerstand und dem Kondensator über einen Widerstand (19, 20, 21) geerdet und außerdem mit der einen Klemme der jeweiligen Diode (25, 26,27) verbunden ist (F i g. 5, Fig. 7).6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized by the use of silicon transistors and connecting the output electrode of each transistor (1, 2, 3) to the base each subsequent transistor via a series connection of a resistor (16 ', 17', 18 ') and a capacitor (22, 23, 24), the junction between the resistor and the Capacitor grounded via a resistor (19, 20, 21) and also to one terminal of the respective diode (25, 26,27) is connected (Fig. 5, Fig. 7). 7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Teilspannungsabgriff jedes der zusätzlichen drei Spannungsteiler (16', 19; 17', 20; 18', 21) mit der Basis jedes darauffolgenden Transistors über einen Kondensator (22, 23, 24) verbunden ist (F i g. 5, 7).7. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that the partial voltage tap each of the additional three voltage dividers (16 ', 19; 17', 20; 18 ', 21) with the base of each subsequent transistor via a capacitor (22, 23, 24) is connected (Fig. 5, 7). Hierzu 2 Blatt Zeichnungen 009540/327For this purpose 2 sheets of drawings 009540/327
DE19681817461 1968-12-24 1968-12-30 Circuit arrangement for an electronic ring counter Withdrawn DE1817461B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US786636A US3593034A (en) 1968-12-24 1968-12-24 Electrical ring counter circuit
FR182027A FR1604194A (en) 1968-12-24 1968-12-30
GB61775/68A GB1255488A (en) 1968-12-24 1968-12-30 Tristable circuit
NL6818831A NL6818831A (en) 1968-12-24 1968-12-30
DE19681817461 DE1817461B1 (en) 1968-12-24 1968-12-30 Circuit arrangement for an electronic ring counter

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78663668A 1968-12-24 1968-12-24
FR182027 1968-12-30
GB61775/68A GB1255488A (en) 1968-12-24 1968-12-30 Tristable circuit
NL6818831A NL6818831A (en) 1968-12-24 1968-12-30
DE19681817461 DE1817461B1 (en) 1968-12-24 1968-12-30 Circuit arrangement for an electronic ring counter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1817461B1 true DE1817461B1 (en) 1970-10-01

Family

ID=27510019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19681817461 Withdrawn DE1817461B1 (en) 1968-12-24 1968-12-30 Circuit arrangement for an electronic ring counter

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3593034A (en)
DE (1) DE1817461B1 (en)
FR (1) FR1604194A (en)
GB (1) GB1255488A (en)
NL (1) NL6818831A (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3716725A (en) * 1971-01-04 1973-02-13 Chicago Musical Instr Co Ring counter
US3663837A (en) * 1971-05-24 1972-05-16 Itt Tri-stable state circuitry for digital computers
CH548138A (en) * 1972-08-04 1974-04-11 Contraves Ag MULTISTABLE CIRCUIT ARRANGEMENT.
US3855481A (en) * 1973-04-09 1974-12-17 A Demone N-state logic circuit
NZ198054A (en) * 1981-08-17 1986-05-09 New Zealand Dev Finance Polernary logic:multilevel circuits

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1218517B (en) * 1964-05-08 1966-06-08 Telefunken Patent Electronic counter circuit
DE1274189B (en) * 1965-02-25 1968-08-01 Volker Boehme Multi-stable electronic pulse counter
DE1290188B (en) * 1966-03-24 1969-03-06 Siemens Ag Electronic chain control with several stages

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1068486B (en) * 1952-10-09 1959-11-05 International Standard Electric Corporation, N'ew York, N. Y. (V.'St.A.) Circuit arrangement for a multiple stable register
US2864962A (en) * 1957-04-26 1958-12-16 Honeywell Regulator Co Semiconductor apparatus
US3070713A (en) * 1959-11-16 1962-12-25 Ibm Three stable state count down device
CH392710A (en) * 1961-06-15 1965-05-31 Asea Ab Multi-stable trigger circuit for generating right-angled pulses
US3122656A (en) * 1962-01-17 1964-02-25 Burroughs Corp Ring counter with parallel input employing diode-capacitor combination gating stagestriggered at trailing edges of pulses

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1218517B (en) * 1964-05-08 1966-06-08 Telefunken Patent Electronic counter circuit
DE1274189B (en) * 1965-02-25 1968-08-01 Volker Boehme Multi-stable electronic pulse counter
DE1290188B (en) * 1966-03-24 1969-03-06 Siemens Ag Electronic chain control with several stages

Also Published As

Publication number Publication date
GB1255488A (en) 1971-12-01
US3593034A (en) 1971-07-13
FR1604194A (en) 1971-07-26
NL6818831A (en) 1970-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2731383A1 (en) BISTABLE ELEMENT AND CIRCUIT PROVIDED WITH SUCH A BISTABLE ELEMENT
DE1814213C3 (en) J-K master-slave flip-flop
DE2329643C3 (en) Circuit for signal level conversion
DE1817461B1 (en) Circuit arrangement for an electronic ring counter
DE2907231C2 (en) Monostable multivibrator
DE1249337B (en)
DE1096087B (en) Binary row adder
DE2359997B2 (en) Binary reduction stage
DE1094296B (en) Directly galvanically coupled transistor circuit for carrying out logical functions
DE1291784B (en) Circuit for performing logical functions to achieve high switching speeds and low power loss
DE1284521B (en) CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A MULTI-METER TRANSISTOR
DE2055487A1 (en) Static multi-level sliding register
DE2063517A1 (en) Circuit arrangement for generating pulses which correspond to the characteristic times of the modulation of a telegraphic character
DE2703903C2 (en) Master-slave flip-flop circuit
DE2002578A1 (en) Multi-stable circuit
EP0029480A1 (en) Emitter follower logic circuit
DE3042058C2 (en) Integrated frequency divider circuit
DE3114433C2 (en)
DE1142011B (en) Monostable multivibrator to generate pulses of a certain duration with two Esaki diodes
DE2605498C3 (en) Circuit arrangement for generating a step-shaped pulse
DE1279733B (en) Multi-stable circuit arrangement
DE2023290C (en) Monolithically integrable flip-flop circuit
DE1951570C (en) Link with a transistor
DE3131956C2 (en) Switching stage
DE2065294C3 (en) Binary level

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee