DE1439084A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE1439084A1 DE1439084A1 DE19611439084 DE1439084A DE1439084A1 DE 1439084 A1 DE1439084 A1 DE 1439084A1 DE 19611439084 DE19611439084 DE 19611439084 DE 1439084 A DE1439084 A DE 1439084A DE 1439084 A1 DE1439084 A1 DE 1439084A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carrier plate
- heat sink
- holding part
- projection
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10P95/00—
-
- H10P14/46—
-
- H10W72/00—
-
- H10W72/20—
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
Die Anmeldung S 73 181 VIIIc/21g - unsere PIA 61/1177 - betrifft
eine Halbleiteranordnung mit einem scheibenförmigen, im wesentlichen
einkristallinen Halbleiterkörper und wenigstens einer mit diesem großflächig verbundenen Trägerplatte, insbesondere aus Molybdän,
sowie einem zur Abführung und haw. oder der Verteilung der
im Betrieb entstehenden Wärme dienenden, mit der Trägerplatte in
Verbindung stehenden Körper (Kühlkörper), welche dadurch gekennzeichnet ist, daß die Trägerplatte auf einem Vorsprung des Kühl-
909842/0363
Si/Küp
U39084
I ■ : .FLA 6t/i362
körpers mit Hilfe eines die Trägerplatte aridrvckeriaer: lielteteils
oefestigt ist, wobei die Abmessungen der Trägerplatte, dec Vorsprungs
des Kühlkörpers und des Hälteteils in Richtung der Andruckkraft
und ihre 'tfärmeausdehnungsko effizient en fo aufeinander abgestimmt
sind, daß die Wärmeausdehnung des Kalteteils in Sichtung
der Andruckkraft im wesentlichen gleich der Summe der Wärmeaus
dehnung von Trägerplatte und Vorsprung des Kühlkörpers in dieser Richtung ist.
Die Erfindung nach der Hauptanmeldung bezweckt, die Schwierigkeiten, die beim Anlöten derartiger Trägerplatten an einen Kühlkörper
auftreten, zu umgehen, sowie die bei einer lediglich durch Anpressen
bewirktien Befestigung dieses Trägers auf dem Kühlkörper auftretenden Schwierigkeiten zu beseitigen. ,
In den Ausfüiirungsbeispielen der Hauptanmeldung sind Gleichrichteranordnungen dargestellt, bei denen, du reit ein derartiges Halteteil, welches beispielsweise aus Stalil bestehen kann, eine Trägerplatte
aus Molybdän auf einem Vorsprung des Kühlkörpers aus Kupfer befestigt" ist, wobei sich die Abmessungen in Richtung der Andrückkraft wie 8:3:5 verhalten. Hierdurchergibt sich die erfIndungsgemäß
angestrebte Wirkung, daß die Wärmeausdehnung des Stabteiles in Richtung der Andruckkraft gleich der Wärmeausdehnung der
"beiden anderen Teile in dieeer Sichtung ist.
Durch ein weiteres glockenförmiges Halteteil werden weitere Anschlußteile
auf die der Trägerplatte gegenüberliegende- Plach-
: * BA® ORIGINAL
909842/0363 ... ■.
- 2> Si/Küp
PLA 61/1362
saite des Halbleitörkorpers
Die Erfindung bezweckt eine Verbesserung der Halbleiteranordnung
gemäß der Hauptanmeldung, insbesondere im Einblick auf einen gedrängten
Aufbau "and eine leicrtere Montagemoglichkeit. Sie ist
erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daS das Halteteil über
(i die Ebene der der !Trägerplatte gegenüberliegenden Flachseite des
/Halbleiterkörpers hinaus verlängert und diese Verlängerung als
Halterung für weitere Anschlußteile auf dieser Seite ausgebildet ist.
In den Zeichnungen ist ein AusführungEbeispiel der Erfindung dar-
·.. gestellt, aus dem weitere Einz- Inerten und Vorteile der Erfindung
hervorgehen. In. fi$·. 1 sind Teile einer derartigen Anordnung vor
,der Montage geneigt, in fig. 2 nach dem Zusammenbau. Ia Pig. 3
ist ein !peil eintr^Vorrichtung dargestellt, welches bei der Montage
Verw€EM«ng findet.
Die Halbleiteranordnung gemäß Fig. 2 besteht aus einem Kühlkörper
2, welcher beispielsweise aus Kupfer bestehen kann, und welcher elnen Vorsprung 2a besitzt, auf dem eine Trägerplatte 3 mit Hilfe
eines Kalteteiles 4 starr gehalten wird. Vor dem Aufbringen der Trägerplatte 3, die beispielsweise aus Molydän bestehen kann, auf
die Oberseite des Vorsprungs 2ar wird diese Oberseite zweckmäßigerweise
mit einer Silberauflage versehen, beispielsweise galvanisch
versilbert. Sowohl die versilberte Oberseite des Vorsprungs, als auch die Unterseite der Trägerplatte 3 werden geläppt, wodurch eine
■■■*·'· 909842/0363 BAO
- 3 - Si/Küp
PLA 61/1362
genaue Anpassung der Flächen aneinander erreicht werden kann.
Die Trägerplatte 3 trägt "au!' ihrer Oberseite eine -I.albleiter-
scLeibe,. beispielsweise ein-e Silisiumscheibe 5, welche mit der ·
Trägerplatte, beispielsweise durch Legierung, verkünden sein kann.
Das aus den Teilen .',5 und 6 bestehende Aggregat kann zweckmässigerweise
vor dem Zusammenbau in einem einzigen Legierungsvorgang hergestellt werde::. Auf eine Molybdänsch eibe von "etwa 22 mn-Durchmesser
wird eine Aluininiumscheibe von etwa 19 mm Durchmesser aufgelegt. Auf dieseAluminiumscüeibe wird ein Plättchen aus
p-leitendem Silizium rr.it einem spezifischen Widerstand, von etwa
1 000 Ohm cm und einem Durchmesser von etwa 18 mm aufgelegt. Darauf folgt eine Gold-Antimon-i'olie, die einen etwas kleineren
Durchmesser, z.B. 14 mm, als die Siliziumscheibe aufweist. Das
Ganze wird in ein mit diesen Metallen nicht reagierendes, nicht
schmelzendes Pulver, beispielsweise G-raphitpulverr eingepreßt und
auf etwa 800° C unter Anwendung von Druck erhitzt. Diese Erwärmung
kann beispielsweise in einem Legierungsofen durchgeführt werden,
welcher evakuiert bzw. mit einem Schutzgas gefüllt ist a Das Ergebnis ist das aus der Trägerplatte 3 und dem mit ihr durch eine
Aluminiumlegierung verbundenen= üalbleiterscheibchen. 5<
sowie der einlegierten Elektrode 6 bestehende Aggregat, welches auf den Vor-"
sprung 2a aufgelegt wird. ,
Vor dem Auflegen dieser Halbleiteranordnungen auf den Vorsprung
des Kühlkörpers 2 wird mit diesem Kühlkörper ein weiteres Teil 7
verbunden, welches zum Halten des Halt©teils 4 und weiterer Gehäu-
; BAD ORIGINAL
909842/0363
■■. - 4 - — . Si/Küp
PLA 61/1362
seteile dient. Das Teil 7 kann auf den Kühlkörper beispielsweise
durch Hartlötung befestigt sein und aus Ctahl bestehen.
Die Oberseite der Halbleiteranordnung, also die Elektrode 6, die
aus einem Gold-Silizium-Eutektikum besteht, wird ebenfalls plangeläppt,
worauf ein stempeiförmiger Teil auf diese Oberseite aufgesetzt werden kann. Dieser stemplförmige Teil wird zweckmäßigerweise
ebenfalls vor dem Zusammenbau aus einzelnen Teilen zusammengesetzt,
nämlich aus einem Kupferbolzen 8, einer ebenfalls aus Kupfer bestehenden Kreisringscneibe 9 und. einer !»Iolybdänscheibe
10. Diese Teile sind ebenfalls zweckmäßigerweise alle miteinander
hart verlötet. Auch die Unterseite der Molybdäns ciieibe 10 ist
zweckmäßigerweise mit einer Silberauflage versehen, z.B. plattiert,
und danach plangeläppt.
Auf diesen stempeiförmigen Teil werden nun in folgender Reihenfolge eine beispielsweise aus Stahl bestehende Ringscheibe 11, eine
Glimmerscheibe 12, eine weitere Stahlscheibe 15 und drei Tellerfedern 14, 15 und 16 aufgeschoben. Anschließend werden, das Halteteil
4, welches glockenförmig ist, über das stempelfömige Teil geschoben*
die Tellerfedern zusammengedrückt und das Halteteil 4 mit Hilfe der in. Fig. 3 dargestellten Vorrichtung 17 mit seinem Rand in eine
Hinterdrehung des Teiles 7 eingepreßt.
Wie Fig. 2 zeigt, ergibt sich ein sehr gedrängter Aufbau, bei dem
alle Teile in ihrer genauen Lage zueinander festgehalten werden und demzufolge weder durch mechanische Erschütterungen noch durch
909842/0363 ' bad OR1G(RAL
- 5 - Si/Hlp
■■' :" .""■■·■, ; " ':V: *>
; . . - V PLA 61/1362
Wa rm e bewegung en "verschieben werden können. Eine-wichtige Rolle
übernimmt nierbei die Gl ί nun er scheite 12, welche sov/ohl zur elektrischen
Isolierung des Halteteils 4 von der Oberseite der Halbleiteranordnung
dient, als auch zur Zentrierung des stempelfor— *
migen Teils innerhalb des Halteteils- 4 und damit auf der Halbleiteranordnung.
Mit ihrem äu£eren Rand liegt die Grlimiaerscheibe 12
an dem -Halteteil 4 an, während sie mit ihrem Inneren Rand den
Kupferbolzen 8 berührt. ;
Zum Schluß wird ein glockenförmiges Gehäuseteile welches aus den
Einzelteilen TS, 19, 20 und 21 besteht, über die gesagte Anordnung
■gestülpt. An seinem unteren Ende wird das glockenförmige üeh&v.seteil
an das Teil 7 angebördelt, während der Kujöferbolzeii 8 durch
eine Anquetschung mit dem Teil 21 verbünden wlrdu Bas Teil'.21 kann
beispielsweise aus Kupfer "be st eh en, während die Teile 18 und 20
aus Stahl oder einer FernicOlegierung, wie Kovar oder Vacon,. bestellen können. Das Teil 19, welches zweckmäßigerweise aus Keramik
besteht, dient zur Isolierung. Es ist an öen Stellen* an denen es
mit den Teilen 18 und 20 zugammenstößi;, metallisiert, so daß diese
Teile mit ihm durch Lotung verbunden werden köniieii. Bin Kabel 22
ist in das Teil 21 von außen eingesehoben und ebenfalls äprcli An-Quetschung
mit diesem verbunden»
4- "Patentanspruche
3 Figuren
3 Figuren
-BAD ORIGINAL
9098 42/036 3
Claims (4)
- Patentansprüche· Halbleiteranordnung nit einem scheibenförmigen, im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und wenigstens einer mit dieser großflächig verbundenen metallenen Trägerplatte, insbesondere aus I3olybdänf sowie einem zur Abführung und bzw. oder Verteilung der im Betrieb entstehenden Wärme dienenden, mit der Trägerplatte in Verbindung stehenden Körper (Kühlkörper), bei dem die Trägerplatte auf einem Vorsprung des Kühlkörpers mit Hilfe eines die Trägerplatte andrückenden Halteteils befestigt ist, wot>ei die Abmessungen der Trägerplatte, des Vorsprunges des Kühlkörpers und des Halteteils in Richtung der Andrückkraft/ und ihre Wärmeauadehnungskoeffizient en so aufeinander abgestimmt sind, daß die Wärmeausdehnung des Halteteils in Richtung der Andruckkraft im wesentlichen gleich der Summe der Wärmeausdehnung von Trägerplatte und Vorsprung des Kühlkörpers in dieser Richtung ist, gemäß dem Patent ... ... (Anmeldung S 73 1.81 VIIIc/21g — unsere PLA 61/1177)» dadurch gekennzeichnet, daß das Halteteil über die Ebene der der Trägerplatte gegenüberliegenden Plaohseite des Halbleiterkörpers hinaus verlängert und diese Verlängerung als Halterung für weitere Anschlußteile auf dieser Seite ausgebildet ist. -
- 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung federnd ist. -BAD ORIGINAL90984270363- 7 - Si/KüpPLA 61/1362
- 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Halterung und den Anschlußteilen Tellerfedern vorgesehen sind.
- 4." Halbleiteranordnung nach Anspruch 1. mit- rotationssynmietrischeia Aufbau, dadurch gekennzeichnet, daß eine elektrisch isolierende Zentrierscheibe zwischen der Halterung und den Anschlußteilen so angeordnet ist, daß sie mit ihrem Süßeren Rand die Halterung und mit ihrem inneren Rand wenigstens eines der Anschlußteile \- formschlüssig berührt. ■BAD ORIGfNAL9098Ü270363-- 8 ·*■. Si/Küp
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0073181 | 1961-03-28 | ||
| DES0074486 | 1961-06-24 | ||
| DES74696A DE1279198B (de) | 1961-03-28 | 1961-07-07 | Halbleiteranordnung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1439084A1 true DE1439084A1 (de) | 1969-10-16 |
Family
ID=27212716
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES73181A Pending DE1248811B (de) | 1961-03-28 | ||
| DE19611439084 Pending DE1439084A1 (de) | 1961-03-28 | 1961-06-24 | Halbleiteranordnung |
| DES74696A Pending DE1279198B (de) | 1961-03-28 | 1961-07-07 | Halbleiteranordnung |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES73181A Pending DE1248811B (de) | 1961-03-28 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES74696A Pending DE1279198B (de) | 1961-03-28 | 1961-07-07 | Halbleiteranordnung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3280383A (de) |
| BE (1) | BE614767A (de) |
| CH (1) | CH377004A (de) |
| DE (3) | DE1439084A1 (de) |
| GB (1) | GB979465A (de) |
| NL (1) | NL275010A (de) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1263190B (de) * | 1961-07-12 | 1968-03-14 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterkoerper |
| US3378735A (en) * | 1963-06-12 | 1968-04-16 | Siemens Ag | Semiconductor device housing with spring contact means and improved thermal characteristics |
| US3396316A (en) * | 1966-02-15 | 1968-08-06 | Int Rectifier Corp | Compression bonded semiconductor device with hermetically sealed subassembly |
| JPS529117B1 (de) * | 1970-01-26 | 1977-03-14 | ||
| US3651383A (en) * | 1970-02-05 | 1972-03-21 | Gen Electric | Unitary high power semiconductor subassembly suitable for mounting on a separable heat sink |
| US4686499A (en) * | 1984-09-28 | 1987-08-11 | Cincinnati Microwave, Inc. | Police radar warning receiver with cantilevered PC board structure |
| EP0638928B1 (de) * | 1993-08-09 | 1998-10-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungs-Halbleiterbauelement mit Druckkontakt |
| EP1389802A1 (de) * | 2002-08-16 | 2004-02-18 | ABB Schweiz AG | Schutzschicht für Leistungshalbleitermodul-Kontaktplättchen |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2826725A (en) * | 1953-11-10 | 1958-03-11 | Sarkes Tarzian | P-n junction rectifier |
| NL96864C (de) * | 1954-01-14 | 1900-01-01 | ||
| NL110715C (de) * | 1954-12-16 | 1900-01-01 | ||
| US2863105A (en) * | 1955-11-10 | 1958-12-02 | Hoffman Electronics Corp | Rectifying device |
| NL101591C (de) * | 1956-03-22 | |||
| US2941149A (en) * | 1956-08-20 | 1960-06-14 | Electronic Specialty Co | Electrical instrument protectors |
| US3051878A (en) * | 1957-05-02 | 1962-08-28 | Sarkes Tarzian | Semiconductor devices and method of manufacturing them |
| US2838722A (en) * | 1957-06-04 | 1958-06-10 | Ballou & Co B A | Semiconductor device |
| US2972096A (en) * | 1957-11-26 | 1961-02-14 | Smith Corp A O | Protection of a temperature sensitive device |
| US2957112A (en) * | 1957-12-09 | 1960-10-18 | Westinghouse Electric Corp | Treatment of tantalum semiconductor electrodes |
| US2896136A (en) * | 1958-04-23 | 1959-07-21 | Philco Corp | Semiconductor units |
| NL249694A (de) * | 1959-12-30 |
-
0
- NL NL275010D patent/NL275010A/xx unknown
- DE DES73181A patent/DE1248811B/de active Pending
-
1961
- 1961-06-24 DE DE19611439084 patent/DE1439084A1/de active Pending
- 1961-07-07 DE DES74696A patent/DE1279198B/de active Pending
-
1962
- 1962-01-30 CH CH113162A patent/CH377004A/de unknown
- 1962-03-05 GB GB8479/62A patent/GB979465A/en not_active Expired
- 1962-03-07 BE BE614767A patent/BE614767A/fr unknown
- 1962-03-27 US US182748A patent/US3280383A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE614767A (fr) | 1962-09-02 |
| CH377004A (de) | 1964-04-30 |
| NL275010A (de) | 1900-01-01 |
| DE1279198B (de) | 1968-10-03 |
| GB979465A (en) | 1965-01-06 |
| DE1248811B (de) | |
| US3280383A (en) | 1966-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1248813C2 (de) | Federnde halbleiter-anschlusskontaktanordnung | |
| DE2041497B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| DE1439084A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1255823B (de) | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren | |
| DE1042762B (de) | Flaechengleichrichter bzw. -transistor, welcher mit mindestens einer seiner Elektroden flaechenhaft mit einem die Verlustwaerme abfuehrenden Koerper in Kontakt steht | |
| DE1263190B (de) | Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterkoerper | |
| DE2246423A1 (de) | Thyristor mit scheibenfoermigem gehaeuse | |
| DE1282195B (de) | Halbleiterbauelement mit gesinterter Traeger-Zwischenplatte | |
| DE1539638A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1514474C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE2828044A1 (de) | Hochleistungs-halbleiteranordnung | |
| DE1614653C3 (de) | Halbleiteranordnung hoher Strombelastbarkeit | |
| DE1270695C2 (de) | Halbleiteranordnung mit einem in ein gehaeuse eingeschlossenen halbleiterelement | |
| DE1087721B (de) | Bildwandlerroehre | |
| DE1118889B (de) | Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenfoermigen Halbleiterkoerper | |
| DE1151324B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE2336152B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE2516286A1 (de) | Adsorptionspanel fuer kryopumpen u.dgl. | |
| AT232131B (de) | In ein Gehäuse eingeschlossene Halbleiteranordnung | |
| DE1254774B (de) | Verfahren zum Herstellen eines loetfreien Kontaktes an einem Halbleiter-Bauelement | |
| AT214534B (de) | Verfahren zum gegenseitigen Verbinden keramischer Teile mittels eines gut leitenden Metalles | |
| DE1754512U (de) | Flaechengleichrichter bzw. -transistor. | |
| DE2004320A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halb leiterbauelementes | |
| DE2258795C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer metallurgischen Haftverbindung, Preßwerkzeug zur Durchführung des Verfahren sowie unter Anwendung des Verfahrens hergestelltes Erzeugnis | |
| DE1789095B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |